專利名稱：：太陽(yáng)電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及太陽(yáng)電池，特別涉及光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)異的太陽(yáng)電池，該太陽(yáng)電池具有經(jīng)改進(jìn)的防反射膜，從而減小對(duì)太陽(yáng)光的反射率，并增加FF值。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，隨著石油、煤炭等現(xiàn)有資源的缺乏，對(duì)替代它們的替代能源的關(guān)注逐漸增加。其中，太陽(yáng)電池因能源豐富且不會(huì)帶來(lái)環(huán)境污染，而備受矚目。太陽(yáng)電池分為太陽(yáng)熱電池和太陽(yáng)光電池，所謂太陽(yáng)熱電池是利用太陽(yáng)熱產(chǎn)生用于旋轉(zhuǎn)渦輪(turbine)所需的蒸汽.，所謂太陽(yáng)光電池是利用半導(dǎo)體的性質(zhì)，將太陽(yáng)光(photons)轉(zhuǎn)換為電能，通常太陽(yáng)電池是指太陽(yáng)光電池(下面簡(jiǎn)稱為太陽(yáng)電池)。太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，太陽(yáng)電池具有類似二極管(diode)的p型半導(dǎo)體101和n型半導(dǎo)體102的接合結(jié)構(gòu)，對(duì)太陽(yáng)f乜池射入光線時(shí)，通過(guò)光線和構(gòu)成太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體的物質(zhì)之間的相互作用，生成帶負(fù)電荷的電子和因丟失電子而帶正電荷的空穴(Electronhole),當(dāng)電子和空穴移動(dòng)時(shí)，產(chǎn)生電流。將此稱作光電效應(yīng)(photovoltaiceffect),構(gòu)成太陽(yáng)電池的p型101和n型半導(dǎo)體102中，電子被吸向n型半導(dǎo)體102，空穴被吸向p型半導(dǎo)體101，分別向與n型半導(dǎo)體101和p型半導(dǎo)體102接合的電極103、104移動(dòng)，利用電線將電極103、104連接時(shí)，電流流過(guò)，從而能夠獲得電力。這種太陽(yáng)電池的輸出特性通常利用太陽(yáng)模擬器(solarsimulator)測(cè)定輸出電流電壓曲線來(lái)進(jìn)行評(píng)價(jià)，將在該曲線上、輸出電流Ip和輸出電壓Vp的積IPxVp最大的點(diǎn)作為最大輸出Pm，將射入到太陽(yáng)電池的總光能(Sxl:S表示元件面積，I表示照射到太陽(yáng)電池的光強(qiáng)度)除以上述Pm的值定義為轉(zhuǎn)換效率Ti。為了提高太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率Tl,需要提高短路電流ISC(電流電壓曲線上，V-0時(shí)的輸出電流)或斷路電壓Voc(電流電壓曲線上，1=0時(shí)的輸出電壓)，或者，提高表示輸出電流電壓曲線接近方形(squareshape)的程度的FF(fillfactor:填充因數(shù))。FF的值越接近1;輸出電流電壓曲線越接近理想的方形，表示轉(zhuǎn)換效率il提高。Isc主要受太陽(yáng)電池對(duì)照射光線的吸收率或反射率影響，Voc主要受載體(carrier)(電子和空穴)的再結(jié)合程度影響，F(xiàn)F主要受n型和p型半導(dǎo)體內(nèi)或它們與電極之間的電阻影響。以往，作為提高太陽(yáng)電池效率的方法，為減少射入到太陽(yáng)電池的光線的反射率，使用防反射層；或者，在形成電極端子時(shí)，將遮擋太陽(yáng)光線的面積最小化。正在對(duì)其中的、限制高反射率的防反射層的方法進(jìn)行各種研究。當(dāng)前，開發(fā)出了在太陽(yáng)電池表面的發(fā)射極(emitter)上形成氮化硅(SiliconNitride)單防反射膜，以減少反射率的方法，并廣泛使用。在韓國(guó)公幵專利第2003-0079265號(hào)中，提出了作為鈍化層的單晶硅和作為防反射膜的氮化硅的雙重結(jié)構(gòu)。但是，由氮化硅構(gòu)承的單防反射膜、以及由單晶硅和氮化硅構(gòu)成的雙重防反射膜雖然具有能夠減少太陽(yáng)光的反射度，提高電流特性的優(yōu)點(diǎn)，但另一方面，存在防反射膜的摻雜物(dopant)移動(dòng)到半導(dǎo)體層等問題，而且對(duì)FF也不具有特別的提升效果，在提高太陽(yáng)電池的效率方面有所限制。另一方面，美國(guó)專利第6518200號(hào)中公開了一種在微結(jié)構(gòu)物中形成微電子層的方法，并指出上述微電子層可用于構(gòu)成太陽(yáng)電池的光電子微結(jié)構(gòu)物中。上述微電子層具有氮氧化硅層/轉(zhuǎn)移層/氮化硅層/轉(zhuǎn)移層/氮氧化硅層的多膜結(jié)構(gòu)。并且，在物質(zhì)的組成方面，以中間層的氮化硅層為中心，"下部層+轉(zhuǎn)移層"和"轉(zhuǎn)移層+上部層"形成相互對(duì)稱。上述轉(zhuǎn)移層是介于構(gòu)成上部層和下部層的氮氧化硅層和中間層的氮化硅層的物質(zhì)膜，其材質(zhì)為氮氧化硅，物質(zhì)膜內(nèi)含有的氧原子濃度越接近作為中間層的氮化硅層越少，到達(dá)作為中間層的氮化硅層時(shí)，氧原子的濃度實(shí)質(zhì)變?yōu)?。4并且，微電子層具有如下特性，即，構(gòu)成下部層和上部層的氮氧化硅層中，經(jīng)由轉(zhuǎn)移層，隨著接近作為中間層的氮化硅層，氧濃度遞減，到達(dá)中間層時(shí)，物質(zhì)膜的種類轉(zhuǎn)換為完全沒有氧原子的氮化硅層。但是，該美國(guó)專利中并未具體公開構(gòu)成太陽(yáng)電池的光電子微結(jié)構(gòu)物中，微電子層的用途。但考慮到太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)，微電子層可以作為防反射膜使用。'然而，該美國(guó)專利的微電子層是以如下目的提出的物質(zhì)膜，即，使多物質(zhì)層的組成連續(xù)變化，以中間層為中心，使物質(zhì)的組成比形成相互對(duì)稱，從而緩解不同物質(zhì)膜之間引發(fā)的機(jī)械應(yīng)力(stress)。并且，微電子層的物質(zhì)組成以中間層為中心形成對(duì)稱，因轉(zhuǎn)移層的存在，使得物質(zhì)層的組成連續(xù)變化，所以微電子層的折射率分布中，中心部的折射率最大，像正態(tài)分布曲線那樣形成左右對(duì)稱，這對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的。考慮到物質(zhì)的組成，中間層與上部層和下部層相比，折射率相對(duì)較大，轉(zhuǎn)移層由于氧濃度連續(xù)改變，所以折射率也連續(xù)改變。但是，微電子層具有如上所述的折射率分布時(shí)，相反，到達(dá)產(chǎn)生光電效應(yīng)的p-n結(jié)結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)光的比率減少，太陽(yáng)電池的效率減小。其原因在于，當(dāng)太陽(yáng)光射入到微電子層時(shí)，光的一部分通過(guò)折射率相對(duì)較大的中間層沿著平面引導(dǎo)，從而到達(dá)p-n結(jié)的太陽(yáng)光的比率減少。而且，該美國(guó)專利的微電子層在用作高效率太陽(yáng)電池的防反射膜結(jié)構(gòu)時(shí)受到限制。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于，提供一種太陽(yáng)電池，其改善以往使用的太陽(yáng)電池的防反射膜結(jié)構(gòu)，減少太陽(yáng)電池對(duì)光線的反射率，并防止防反射膜所致的物理性質(zhì)下降的同時(shí)，增加FF，提高太陽(yáng)電池的效率。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所要解決的問題，本發(fā)明的太陽(yáng)電池的特征在于，其包括p-n結(jié)構(gòu)，其由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及p-n結(jié)形成，其中，該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板上，導(dǎo)電類型與上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相反，該p-n結(jié)形成于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的界面上；鈍化層，其形成于上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上，含有氮氧化硅來(lái)構(gòu)成，折射率為1.451.70;防反射膜，其形成于上述鈍化層上，含有氮化硅來(lái)構(gòu)成；前電極，其貫穿上述鈍化層和防反射膜的一部分，與上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層相連，并向外部露出；以及背電極，其隔著上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板，在與上述前電極的相反側(cè)，與上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板連接。本發(fā)明的太陽(yáng)電池，優(yōu)選上述防反射膜的折射率為L(zhǎng)92.3;上述鈍化層的厚度為1050nm;上述防反射膜的厚度為50M(30nm。并且，優(yōu)選上述鈍化層和防反射膜采用等離子化學(xué)氣相沉積法形成。優(yōu)選上述第--導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板是p型硅基板，上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層是n型發(fā)射層。優(yōu)選上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板和上述背電極之間的界而上形成冇p+層。本說(shuō)明書中附加的附圖示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，與后述的發(fā)明的具體說(shuō)明一起，起到進(jìn)一步便于理解本發(fā)明的技術(shù)思想的作用，所以本發(fā)明不應(yīng)被限定解釋為附圖所示的事項(xiàng)。圖1是示出太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)的概要圖。圖2是概要示出本發(fā)明的實(shí)施例的太陽(yáng)電池的圖。.圖3是示出對(duì)實(shí)施例1和比較例1的太陽(yáng)電池測(cè)定DarkI-V數(shù)據(jù)的結(jié)果的曲線圖。具體實(shí)施例方式下面，為了便于理解本發(fā)明，參照附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。圖2是概要示出本發(fā)明的一實(shí)施例的太陽(yáng)電池的剖面的圖。如圖2所示，本發(fā)明的太陽(yáng)電池包括p-n結(jié)構(gòu)、鈍化層205、防反射膜206、前電極203、以及背電極204來(lái)構(gòu)成。上述p-n結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201:第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202，其形成于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201上，導(dǎo)電類型與上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201相反；以及p-n結(jié)，其形成于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202之間的界面上，上述p-n結(jié)構(gòu)被照射光，通過(guò)光電效應(yīng)，產(chǎn)生電流。作為代表，上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201例如是摻雜有B,Ga，In等第三族元素的p型硅基板，上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202是例如摻雜有P，As,Sb等第五族元素的n型發(fā)射層，上述p型硅基板和n型發(fā)射層接合，形成p-n結(jié)。但是，上述p-n結(jié)構(gòu)不限于此。上述p-n結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202上依次形成有由氮氧化硅構(gòu)成的鈍化層205以及由氮化硅構(gòu)成的防反射膜206。.即，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202上形成有鈍化層205，而鈍化層205上形成有防反射膜206。形成于上述鈍化層205和防反射膜206上的前電極203貫穿鈍化層205和防反射膜206的一部分，與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202的一部分連接。這種雙重膜205、206的結(jié)構(gòu)不僅能夠?qū)⒄丈涞教?yáng)電池的光線的反射率最小化，還能夠通過(guò)上述鈍化層有效防止半導(dǎo)體表面的載體(carrier)之間的再結(jié)合，能夠提高光電轉(zhuǎn)換效率。并且，上述鈍化層的折射率得到優(yōu)化，從而增加FF值，提高光電轉(zhuǎn)換效率。這種上述鈍化層的折射率為1.45~1.70。對(duì)于鈍化層205的折射率的數(shù)值限定，上述下限值是能夠采用氮氧化硅制作的最小折射率，當(dāng)超過(guò)上述上限值時(shí)，氮化硅的特性占優(yōu)，F(xiàn)F增加的效果消失。上述防反射膜206的折射率優(yōu)選為1.92.3。對(duì)于防反射膜206的折射率的數(shù)值限定，上述下限值是能夠采用氮化硅制作的最小折射率，當(dāng)超過(guò)上述上限值時(shí)，氮化硅反射膜自身的吸光率增加，因而不理想。并且，上述鈍化層205和防反射膜206的厚度沒有特別限定，但考慮到反射率，鈍化層205的厚度優(yōu)選為1050nm，防反射膜206的厚度優(yōu)選為50100nm。對(duì)于鈍化層205的厚度的數(shù)值限定，若沒有達(dá)到上述下限值，則作為鈍化層205的功能不充分，若超過(guò)上述上限值，則從反射率方面考慮不理想。對(duì)于防反射膜206的厚度的數(shù)值限定，若沒有達(dá)到上述下限值，則作為防反射膜的功能不充分，若超過(guò)上述上限值，則7鈍化層和防反射膜的整體厚度變厚，形成前電極時(shí)，難以貫穿鈍化層和防反射膜，因而不理想。形成上述鈍化層205和防反射膜206的方法沒有限制，優(yōu)選等離子化學(xué)氣相沉積法(PECVD)，以便可實(shí)現(xiàn)通過(guò)in-situ的連續(xù)步驟。通過(guò)化學(xué)氣相沉積法沉積的鈍化層和防反射膜，膜內(nèi)部存在氫原子，具有將硅表面和內(nèi)部的缺陷(defect)鈍化的效果。上述前電極203形成為貫穿鈍化層205和防反射膜206的一部分，與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202的一部分連接。并且，上述背電極204隔著上述鈍化層205、防反射膜206、以及上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201等，在與前電極203的相反側(cè)，與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201連接。若在這些電極203、204上連接負(fù)載，則能夠利用太陽(yáng)電池所產(chǎn)生的電。典型的前電極203通常使用銀電極，這是由于銀電極的導(dǎo)電性優(yōu)異；典型的背電極204通常采用鋁電極，這是由于鋁電極不僅導(dǎo)電性優(yōu)異，而且與硅的親和力良好，容易接合。并且，鋁電極為三價(jià)元素，在與硅基板的接合面形成p+層，即BSF(Backsurfacefield),載體不會(huì)在表面消失，而聚集，能夠增大效率。下面，舉例說(shuō)明上述的本發(fā)明的太陽(yáng)電池的制造方法。這些例子用于幫助理解本發(fā)明，并不限定本發(fā)明的范圍。首先，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201上形成有導(dǎo)電類型與其相反的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202，它們的界面上形成p-n結(jié)。典型的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201通常利用p型硅基板，例如在p型硅基板上涂布n型摻雜物之后，進(jìn)行熱處理，使n型摻雜物擴(kuò)散到p型硅基板，從而形成p-n結(jié)。接著，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202上形成含有氮氧化硅的鈍化層205。鈍化層例如采用化學(xué)氣相沉積法或等離子化學(xué)氣相沉積法形成。然后，在鈍化層205上形成含有氮化硅的防反射膜206。防反射膜也可采用化學(xué)氣相沉積法或等離子化學(xué)氣相沉積法形成。在釆用等離子化學(xué)氣相沉積法的情況下，氮氧化硅的折射率可通過(guò)改變SiH4、NH3、N20氣體的相對(duì)流量比進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，對(duì)于相同的SiKU氣體流量(15sccm)，N20/NH3比率為40時(shí)，折射率為約1.60，即/NH3比率為4時(shí)，折射率增大到1.68。并且，氮化硅的折射率可通過(guò)改變SiH4和NH3氣體的相對(duì)流量來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，SiH4/NH3的比例為0.3時(shí)，折射率為約1,90，SiH4/NH3的比例為1.2時(shí)，折射率增大到約2.1。氮氧化硅和氮化硅薄膜的厚度可通過(guò)改變等離子功率和沉積時(shí)間來(lái)調(diào)節(jié)。接著，在防反射膜206上形成連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202的前電極203，隔著上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201，在與上述前電極203的相反側(cè)，與上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201連接形成背電極204。前電極203和背電極204例如可通過(guò)按照預(yù)定圖案涂布電極形成用焊膏(paste)之后，進(jìn)行熱處理來(lái)形成。通過(guò)熱處理，前電極203貫穿第一防反射膜205和第二防反射膜206，與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層202連接(pimchthrough),在背電極和第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板201上形成BSF。前電極203和背電極204的形成順序也可以相反，還可以分別涂布焊膏之后，同時(shí)進(jìn)行熱處理。下面，為了具體說(shuō)明本發(fā)明，舉出具體實(shí)施例，詳細(xì)進(jìn)行說(shuō)明。但是，本發(fā)明的實(shí)施例可變形為其他方式來(lái)實(shí)施，本發(fā)明的范圍不限定在下述的實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例僅是為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員便于理解本發(fā)明而提供的。實(shí)施例1制造如圖2所示的含有鈍化層和防反射膜的太陽(yáng)電池。此時(shí)，作為半導(dǎo)體基板，使用Czmono125x125cm2的p型硅基板(0.52Q)，以60Q/sheet形成n+發(fā)射層。利用DirectHighFrequency(13.56MHz)PECVD，在上述發(fā)射層上形成氮氧化硅鈍化層(折射率1.55，厚度30nm)，在上述鈍化層上形成氮化硅防反射膜(折射率1.90，厚度64nm)。上述鈍化層和防反射膜的沉積溫度為350°C。然后，通過(guò)絲網(wǎng)印刷(screenprinting),在防反射膜上涂布電極圖案，通過(guò)絲網(wǎng)印刷，在半導(dǎo)體基板的形成有反射層的面的反面涂布鋁電極，在80CTC下進(jìn)行30秒的熱處理，形成前電極和背電極。9實(shí)施例2制造如圖2所示的含有鈍化層和防反射膜的太陽(yáng)電池。此時(shí)，作為半導(dǎo)體基板，使用Czmono125x125cm2的p型硅基板(0.5~2Q)，以60Q/sheet形成n+發(fā)射層。利用DirectHighFrequency(13.56MHz)PECVD，在上述發(fā)射層上形成氮氧化硅鈍化層(折射率1.65，厚度25nm)，在上述鈍化層上形成氮化硅防反射膜(折射率:1.90，厚度64nm)。上述鈍化層和防反射膜的沉積溫度為35CTC。然后，通過(guò)絲網(wǎng)印刷(screenprinting),在防反射膜上涂布電極圖案，通過(guò)絲網(wǎng)印刷，在半導(dǎo)體基板的形成有反射層的面的反面涂布鋁電極，在800。C下進(jìn)行30秒的熱處理，形成前電極和背電極。比較例1制造具有氮化硅單防反射膜的太陽(yáng)電池。此時(shí)，作為半導(dǎo)體基板，使用Czmono125x125cm2的p型硅基板(0.52Q)，以60Q/sheet形成n+發(fā)射層。利用DirectHighFrequency(13.56MHz)PECVD，在上述發(fā)射層上形成氮化硅防反射膜(折射率2.10，厚度75nm)。防反射膜的沉積溫度為350。C。然后，通過(guò)絲網(wǎng)印刷(screenprinting),在防反射膜上涂布電極圖案，通過(guò)絲網(wǎng)印刷，在半導(dǎo)體基板的形成有反射層的面的反面涂布鋁電極，在80(TC下進(jìn)行30秒的熱處理，形成前電極和背電極。DarkI-V數(shù)據(jù)測(cè)定將測(cè)定上述實(shí)施例1和比較例1的太陽(yáng)電池的DarkI-V數(shù)據(jù)的結(jié)果示于圖3的曲線圖。太陽(yáng)電池的DarkI-V數(shù)據(jù)是指，在不對(duì)太陽(yáng)電池照射光線的狀態(tài)下施加電壓，從而顯示p-n二極管自身的電特性。例如，可以從DarkI-V的曲線，推測(cè)出漏電流(junctionleakage電流)、分流電阻(shuntresistance)、二級(jí)管理想因子(diodeidealityfactor)。圖3的曲線圖中，比較低電壓范圍(00.3V)下的電流值可知，具有鈍化層和防反射層雙重膜的實(shí)施例1的太陽(yáng)電池與比較例1的太陽(yáng)電池相比，電流值小，實(shí)施例1的太陽(yáng)電池與比較例1的太陽(yáng)電池相比，.分流電阻(shuntresistance)增大，在太陽(yáng)電池內(nèi)形成的電流不會(huì)在太陽(yáng)電池內(nèi)部消失，通過(guò)前電極和背電極流動(dòng)，具有增加FF值的效果。光電轉(zhuǎn)換效率測(cè)定利用太陽(yáng)模擬器，測(cè)定實(shí)施例1、2和比較例1的太陽(yáng)電池的短路電流(Jsc)、斷路電壓(Voc)、FF以及光電轉(zhuǎn)換效率，將測(cè)定結(jié)果示于下述表1。由表1的測(cè)定結(jié)果可知，實(shí)施例I、2的太陽(yáng)電池與比較例1的太陽(yáng)電池相比，斷路電壓和短路電流基本相似，但由f分流電阻(shuntresistance)的增加，F(xiàn)F值有所增加。斷路電壓和短路電流基本相同，由此可知，導(dǎo)入本發(fā)明的雙重膜，并沒有導(dǎo)致其他物理特性下降。表<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>本說(shuō)明書和權(quán)利要求書中使用的用語(yǔ)和單詞不應(yīng)限定解釋為通?；蜃值渖系暮x，根據(jù)發(fā)明人為了以最佳方式對(duì)發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，可適當(dāng)對(duì)用詞的概念進(jìn)行定義的原則，應(yīng)解釋為符合本發(fā)明的技術(shù)思想的含義和概念。而且，本說(shuō)明書中記載的實(shí)施例只不過(guò)是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不代表全部本發(fā)明的技術(shù)思想，在本申請(qǐng)時(shí)，已有能夠代替他的各種等效物或變形例。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的太陽(yáng)電池含有依次層積氮氧化硅鈍化層和氮化硅防反射膜而成的雙重膜，所以能夠減少對(duì)光線的反射率，且不會(huì)降低防反射膜的物性，增加FF，光電轉(zhuǎn)換效果有所提高。并且，上述氮氧化硅鈍化層和氮化硅層為in-situ，可連續(xù)形成，能夠減少生產(chǎn)成本。權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)電池，其特征在于，所述太陽(yáng)電池包括p-n結(jié)構(gòu)，其由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及p-n結(jié)形成，其中，該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板上，導(dǎo)電類型與上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板的導(dǎo)電類型相反，該p-n結(jié)形成于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的界面上；鈍化層，其形成于上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上，含有氮氧化硅，折射率為1.45～1.70；防反射膜，其形成于上述鈍化層上，含有氮化硅；前電極，其貫穿上述鈍化層和防反射膜的一部分，與上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層相連，并向外部露出；以及背電極，其隔著上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板，在與上述前電極的相反側(cè)，與上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，上述防反射膜的折射率為1.9-2.3。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，上述鈍化層的厚度為1050nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，上述防反射膜的厚度為50100nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，上述鈍化層采用等離子化學(xué)氣相沉積法形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，上述防反射膜采用等離子化學(xué)氣相沉積法形成。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，上述第一導(dǎo)屯型半導(dǎo)體基板是p型硅基板，上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層是n型發(fā)射層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于，在上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板和上述背電極之間的界面上形成有p+層。全文摘要本發(fā)明的太陽(yáng)電池包括p-n結(jié)構(gòu)，其由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及p-n結(jié)形成，該第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板上，導(dǎo)電類型與上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板相反，該p-n結(jié)形成于上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的界面上；鈍化層，其形成于上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上，含有氮氧化硅來(lái)構(gòu)成，折射率為1.45～1.70；防反射膜，其形成于上述鈍化層上，含有氮化硅來(lái)構(gòu)成；前電極，其貫穿上述鈍化層和防反射膜的一部分，與上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層相連，向外部露出；以及背電極，其隔著上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板，在與上述前電極的相反側(cè)，與上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板連接。文檔編號(hào)H01L31/042GK101611497SQ200780046006公開日2009年12月23日申請(qǐng)日期2007年7月10日優(yōu)先權(quán)日2006年12月13日發(fā)明者樸鉉定,金圣辰,金振鎬申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社