專利名稱：制造雙極晶體管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明設(shè)計(jì)制造雙極晶體管的方法。
背景技術(shù)：
雙極晶體管對(duì)于諸如光數(shù)據(jù)通信的高頻應(yīng)用以及諸如無線手持
應(yīng)用中的功率放大器模塊的RF功率應(yīng)用非常重要。 一般，在RF功 率應(yīng)用中，重要的是使雙極晶體管同時(shí)具有帶有良好高頻性能和較高 的基極一集電極結(jié)擊穿電壓(BVcb。)來滿足耐用性要求，特別是在 負(fù)載不匹配的狀態(tài)下。其中，速度和擊穿特性折衷受到雙極晶體管的 集電極區(qū)中漂移區(qū)的影響。集電極漂移區(qū)中更高的摻雜濃度會(huì)提高雙 極晶體管的速度，但會(huì)使集電極區(qū)與任何其它相鄰區(qū)域(如基極區(qū))
之間的擊穿電壓降低。
改進(jìn)速度與擊穿特性折衷的一個(gè)途徑是通過應(yīng)用降低的表面場(chǎng) (Resurf)效應(yīng)。在J.Melai等人發(fā)表在ISPSD,2004上的"A new Sub-Micron 24V SiGe:C ResurfHBT"中，公開了 Resurf效應(yīng)包括在反 向偏置的條件下集電極漂移區(qū)中的電場(chǎng)分布的重新修整，以形成降低 了的最大電場(chǎng)的更均勻的電場(chǎng)分布。從而提高了雙極晶體管的 BVCB0，或者在相同BVCBO的情況下可以有效提高集電極區(qū)的摻雜 濃度，從而獲得降低的集電極電阻以及提高的雙極晶體管的速度。在 雙極晶體管中實(shí)現(xiàn)Resurf效應(yīng)的一種方法是添加通過電介質(zhì)層與集 電極漂移區(qū)電絕緣的場(chǎng)電極(field plate)。通過在場(chǎng)電極上施加適 當(dāng)?shù)碾妷?，集電極漂移區(qū)的電場(chǎng)被重新修整為更均勻的電場(chǎng)分布。如 J.Melai等人發(fā)表在ISPSD,2004上的"A new Sub-Micron 24V SiGe:C Resurf HBT"所公開的制造帶有場(chǎng)電極的雙極晶體管的方法，從在半 導(dǎo)體襯底中形成子集電極區(qū)開始，然后在子集電極區(qū)上外延生長(zhǎng)集電 極漂移區(qū)。然后形成標(biāo)準(zhǔn)的淺槽隔離(STI)區(qū)，并在集電極漂移區(qū)上外延生長(zhǎng)基極層。在基極層上沉積硬掩模層并使用光刻法形成圖 案，從而限定并掩蓋將要形成雙極晶體管的區(qū)域，并且在露出了一部 分基極層的硬掩模中形成非固有基極窗口，所述基極窗口與將要形成
雙極晶體管的區(qū)域相鄰并且延伸到集電極漂移區(qū)的一部分和STI區(qū)
域的一部分。然后，通過移除暴露的基極層并蝕刻其后暴露的集電極 漂移區(qū)的部分，直到在溝槽的底部露出子集電極區(qū)域，來形成溝槽。 溝槽的第一側(cè)壁與雙極晶體管的集電極漂移區(qū)相鄰，溝槽的第二側(cè)壁
與STI區(qū)域相鄰。隨后通過TEOS (原硅酸四乙基酯)的沉積和反蝕 亥ij (etch-back)來在溝槽的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上形成TEOS層。接 下來通過沉積、CMP和干蝕刻技術(shù)用未摻雜的多晶硅將溝槽填充至 基極的水平。然后通過p型多晶硅的沉積、平整和反蝕刻來形成非固 有基極觸點(diǎn)，從而部分地填充了非固有基極窗口并使溝槽中的未摻雜 的多晶硅與基極層電接觸。在移除硬掩模之后，使用沉積和光刻等處 理步驟等在集電極漂移區(qū)上延伸的基極層的一部分上形成發(fā)射極區(qū)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供利用Resurf效應(yīng)來制造雙極晶體管的 較簡(jiǎn)單的替代方法。本發(fā)明由獨(dú)立權(quán)利要求限定。有利的實(shí)施例由從
屬權(quán)利要求限定。
根據(jù)本發(fā)明制造雙極晶體管的方法包括如下步驟
-在半導(dǎo)體襯底上提供由第一半導(dǎo)體材料構(gòu)成的集電極區(qū)，所 述集電極區(qū)為第一導(dǎo)電類型并且與隔離區(qū)相鄰；
-在集電極區(qū)和隔離區(qū)上形成由第二半導(dǎo)體材料構(gòu)成的第一基 極層，所述第一基極層為與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型；
-在第一基極層中形成具有底表面和側(cè)壁的基極窗口，所述底 表面暴露集電極區(qū)的頂表面和隔離區(qū)的一部分，所述側(cè)壁暴露第一基 極層的側(cè)壁；
-通過移除被基極窗口暴露的隔離區(qū)的部分來形成溝槽，所述 溝槽與集電極區(qū)和隔離區(qū)的剩余部分相鄰；
-在溝槽的表面上形成絕緣層；-在第一基極層的側(cè)壁上、絕緣層上以及集電極區(qū)的頂表面上 形成由第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體材料構(gòu)成的第二基極層，從而在溝 槽中形成場(chǎng)電極并且形成在集電極區(qū)上延伸的基極區(qū)，其中第一基極 層與場(chǎng)電極和基極區(qū)具有電連接；以及
-在基極窗口中的基極區(qū)的頂部形成第一導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)。 由于基極區(qū)和場(chǎng)電極是在一個(gè)處理步驟中同步形成的，這樣就
通過較簡(jiǎn)單的替代方法形成了 Resurf雙極晶體管。
在根據(jù)本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施例中，形成發(fā)射極區(qū)的步驟還 包括如下步驟
-在基極窗口的側(cè)壁上延伸的第二基極層的一部分上形成內(nèi)部 隔片，其中所述基極窗口暴露了在集電極區(qū)上延伸的基極區(qū)的一部
分；
-沉積并平整發(fā)射極層，所述發(fā)射極層是第一導(dǎo)電類型的第四 半導(dǎo)體材料，從而用發(fā)射極層填充了基極窗口的剩余部分；以及
-使摻雜物從發(fā)射極層擴(kuò)散以形成發(fā)射極區(qū)。
此方法少應(yīng)用一個(gè)光刻步驟，這是因?yàn)閮H在形成基極窗口時(shí)需 要光刻步驟，而在發(fā)射極區(qū)形成圖案的處理已經(jīng)在沉積和平整時(shí)完 成，因此不需要光刻。
在根據(jù)本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施例中，通過在形成發(fā)射極區(qū)的 步驟之后形成第一基極層的圖案，來形成CMOS器件的柵極電極。 這樣，就可以獲得一種組合制造Resurf雙極晶體管和CMOS器件的 簡(jiǎn)單方法，原因在于第一基極層和柵極可以使用相同的層。


現(xiàn)在將參照附圖對(duì)本發(fā)明的這些及其它方面進(jìn)行闡述和說明，
在附圖中
圖l至圖ll是根據(jù)本發(fā)明的制造雙極晶體管的方法的實(shí)施例的 示意剖視圖。
這些附圖未按比例繪制。在附圖中， 一般用相同的參考標(biāo)號(hào)來 表示相同的元件。
具體實(shí)施例方式
圖1示出在半導(dǎo)體襯底1(在此情況下包括n型摻雜硅)上提供 隔離區(qū)3、集電極區(qū)21和集電極接觸區(qū)22的示意剖視圖。例如，該 隔離區(qū)3由淺槽隔離(STI)技術(shù)制造，并且在這種情況下包括二氧 化硅。在集電極區(qū)21上提供阻蝕層2，所述阻蝕層在這種情況下包 括熱生長(zhǎng)的二氧化硅。集電極區(qū)21和集電極接觸區(qū)22在此情況下都 包括n型摻雜的硅，其中集電極接觸區(qū)22具有比襯底l和集電極區(qū) 21更高的摻雜水平，以使集電極接觸區(qū)22的頂表面和襯底1之間的 串聯(lián)電阻降低。此外，在隔離區(qū)3、集電極區(qū)21和集電極接觸區(qū)22 上提供第一基極層4(在此情況下包括p型摻雜的多晶硅)和保護(hù)層 5 (在此情況下包括氮化硅)。通過標(biāo)準(zhǔn)的光刻和蝕刻技術(shù)來提供基 極窗口 6，其在保護(hù)層5和第一基極層4中限定一個(gè)開口并且暴露了 阻蝕層2的一部分，所述部分延伸到集電極區(qū)21以及與集電極區(qū)21 相鄰的隔離區(qū)3的一部分上。注意，基極窗口 6限定了將要制造Resurf 雙極晶體管的區(qū)域。還應(yīng)注意，通過在形成基極窗口 6時(shí)使得隔離區(qū) 3不被基極窗口6暴露，或者在另一種情況下通過省略隔離區(qū)3，可 以形成標(biāo)準(zhǔn)的雙極晶體管(于是其不展示出Resurf效應(yīng))。這樣， 該處理使得可以通過適當(dāng)?shù)幕鶚O窗口 6和/或隔離區(qū)3的版圖設(shè)計(jì)來 同時(shí)形成Resurf雙極晶體管和標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體管。
應(yīng)用干蝕刻法來移除阻蝕層2以及被基極窗口 6暴露的隔離區(qū)3 的部分。相對(duì)集電極區(qū)21的硅來選擇性地移除二氧化硅，例如用40: 1的選擇比例，在這種情況下從隔離區(qū)3移除400nm的二氧化硅導(dǎo)致 從集電極區(qū)21移除10mn的硅。通過這種方式來形成圍繞集電極區(qū) 21的溝槽7，如圖2所示。
圖3-圖7表示在溝槽7中形成隔離疊層。沉積例如由二氧化硅 構(gòu)成的第一電介質(zhì)層9，(例如由氮化硅構(gòu)成的)第二電介質(zhì)層10 覆蓋集電極區(qū)21、溝槽7以及第一基極層4和保護(hù)層5的暴露部分， 如圖3所示。另一種方案是，熱生長(zhǎng)第一電介質(zhì)層9，該層并不呈現(xiàn) 在例如由氮化硅構(gòu)成的保護(hù)層5上，這是因?yàn)榈诙娊橘|(zhì)層10 (由與保護(hù)層5相同的材料構(gòu)成)將會(huì)與保護(hù)層5合并。
沉積第三電介質(zhì)層11以填充溝槽7和基極窗口 6，并且延伸到 第二電介質(zhì)層10上。應(yīng)用CMP (化學(xué)機(jī)械平整)步驟來平整第三電 介質(zhì)層ll，如圖4所示。例如可以使用非嚴(yán)格定時(shí)的CMP步驟，該 非嚴(yán)格定時(shí)的CMP步驟在暴露第二電介質(zhì)層10之前停止。
使用例如濕二氧化硅蝕刻法來蝕刻第三電介質(zhì)層11，直到第二 電介質(zhì)層10在集電極區(qū)21頂表面上延伸的部分暴露為止，如圖5 所示。
使用例如濕二氧化硅蝕刻法來移除第二電介質(zhì)層10的暴露部 分，從而暴露第一電介質(zhì)層9的在集電極區(qū)21的頂表面上延伸的部 分，并且暴露第一電介質(zhì)層9在第一基極層4和保護(hù)層5上延伸的部 分，如圖6所示。
使用例如濕二氧化硅蝕刻法來完全移除第三電介質(zhì)層ll和第一 電介質(zhì)層9的暴露部分，結(jié)果是溝槽7的側(cè)壁和底部被包括第一電介 質(zhì)層9和第二電介質(zhì)層IO在內(nèi)的絕緣層疊層所覆蓋，如圖7所示。
如圖8所示，應(yīng)用外延生長(zhǎng)步驟來形成第二基極層13。第二基 極層13延伸到溝槽7中的第二電介質(zhì)層10上，從而形成場(chǎng)電極17。 此外，第二基極層13還延伸到集電極區(qū)21的頂表面上來形成基極區(qū) 31，并且第二基極層13還延伸到第一基極層4和保護(hù)層5的側(cè)壁上。 第二基極層13例如包括未摻雜硅層、SiGe:C層和p型摻雜硅層所組 成的疊層，該疊層包括例如10nm厚的未摻雜硅層、25nm至35nm厚 的SiGe:C層(其中包括20 at。/。的Ge、包含在頂表面以下3nm處的 5nm寬的濃度為5.1019&^1113的硼尖峰(spike)摻雜的0.2 at。/。的C)、 以及50nm至100nm厚的p型摻雜硅層。溝槽7不必如圖8至圖11 所建議的那樣完全由第二基極層13填充。只要該方法的結(jié)果是場(chǎng)電 極17延伸至溝槽7中的第二電介質(zhì)層10上，就能在集電極區(qū)21中 使用Resurf效應(yīng)。場(chǎng)電極17對(duì)集電極區(qū)21中的電場(chǎng)分布進(jìn)行了重 新修整，使得在相同的集電極-基極擊穿電壓下，集電極區(qū)21的摻雜 濃度能夠有效增加，從而降低了集電極電阻并進(jìn)而提高了雙極晶體管 的速度。注意，第二基極層13的延伸到集電極區(qū)21的頂表面上的部分是單晶體，第二基極層13的其余部分為多晶體，這是因?yàn)榈诙?br> 極層13是外延生長(zhǎng)的。此外，注意場(chǎng)電極17電連接至基極區(qū)31， 并且基極區(qū)31電連接至第一基極層4。
通過例如標(biāo)準(zhǔn)隔片處理形成內(nèi)部隔片，所述標(biāo)準(zhǔn)隔片處理包括 在第二基極層13上沉積第一 TEOS隔片層16、隔片氮化物層15和 第二 TEOS隔片層14，其厚度例如分別為10nm、 25nm和200nm。 使用例如濕氧化處理來使第二 TEOS隔片層14致密，并且應(yīng)用TEOS 隔片蝕刻來移除第二 TEOS隔片層14的一部分，直到暴露延伸到基 極區(qū)31上的隔片氮化物層15的一部分。使用例如濕氮化硅蝕刻法來 移除隔片氮化物層15的暴露部分，從而暴露出第一 TEOS隔片層16 的延伸到基極區(qū)31上的部分。使用例如濕二氧化硅蝕刻法來移除第 一 TEOS隔片層16的暴露部分，從而暴露基極區(qū)31的一部分，如圖 9所示。注意，延伸至第二基極層13的頂表面上的第二 TEOS隔片 層14、隔片氮化物層15以及第二 TEOS隔片層16的部分也被移除。
沉積例如包含450nm厚的n型摻雜多晶硅的發(fā)射極層42。作為 擴(kuò)散步驟(如快速熱退火(RTA)步驟)的結(jié)果，通過使n型摻雜物 向外擴(kuò)散出發(fā)射極層41而進(jìn)入相鄰的基極區(qū)31，在鄰近基極區(qū)31 的頂表面的區(qū)域中形成發(fā)射極區(qū)41。應(yīng)用多重CMP步驟來平整并移 除發(fā)射極層42直到露出保護(hù)層5，如圖10所示。多重CMP步驟還 移除第二基極層13的延伸到保護(hù)層5的頂表面上的部分。
通過應(yīng)用例如濕氮化硅蝕刻法(使用例如H3P04)來移除暴露 的保護(hù)層5。應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的光刻和蝕刻步驟來在第一基極層4中形成圖 案。在該方法是BiCMOS處理(其中在一個(gè)處理中制造雙極晶體管 和CMOS器件)的一部分的情況下，此制圖步驟同時(shí)制成CMOS器 件的柵極電極圖案。在這種情況下，第二基極層13是用作CMOS器 件的柵極電極的同一層，其包括例如n型摻雜的多晶硅。此外，可以 在BiCMOS處理中使用CMOS注入，以改善雙極晶體管的性能。對(duì) 雙極晶體管進(jìn)一步的處理包括例如對(duì)暴露的硅區(qū)域(例如集電極接觸 區(qū)22的一部分、第二基極層4的一部分以及發(fā)射極層22的一部分) 進(jìn)行硅化處理(silicidation)。形成例如鎢的觸點(diǎn)來提供與雙極晶體管的電連接，所述觸點(diǎn)包括集電極接觸區(qū)22上的集電極觸點(diǎn)53、第 二基極層4上的基極觸點(diǎn)52以及發(fā)射極層42上的發(fā)射極觸點(diǎn)51。
概括來說，本發(fā)明提供了制造雙極晶體管的較簡(jiǎn)單的替代方法， 所述雙極晶體管包括與集電極區(qū)21相鄰的溝槽7中的場(chǎng)電極17，所 述場(chǎng)電極17使用降低表面場(chǎng)(Resurf)效應(yīng)。Resurf效應(yīng)重新修整 集電極區(qū)21中的電場(chǎng)分布，使得在相同的集電極基極擊穿電壓下， 集電極區(qū)21的摻雜濃度可以有效地提高，從而獲得了減小的集電極 電阻以及提高的雙極晶體管速度。本方法包括在第一基極層4中形成 基極窗口 6從而暴露集電極區(qū)21的頂表面以及隔離區(qū)3的一部分的 步驟。通過移除隔離區(qū)3的暴露部分來形成溝槽7，然后在溝槽7的 表面上形成絕緣層9和10。在絕緣層10上形成第二基極層13，從而 形成場(chǎng)電極17;在集電極區(qū)21的頂表面上形成第二基極層13，從而 形成基極區(qū)31;以及在第一基極層4的側(cè)壁上形成第二基極層13， 從而形成第一基極層4、基極區(qū)31和場(chǎng)電極17之間的電連接。在基 極區(qū)31的頂部上形成發(fā)射極區(qū)41，從而形成Resurf雙極晶體管。
應(yīng)當(dāng)注意，上述實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明的例示而非限定，本領(lǐng)域的 技術(shù)人員將能夠在不偏離權(quán)利要求范圍的前提下設(shè)計(jì)很多替代實(shí)施 例。在權(quán)利要求中，任何置于括號(hào)中的參考標(biāo)號(hào)都不應(yīng)理解為對(duì)權(quán)利 要求的限定。詞語"包括"并不排除權(quán)利要求中列出的元素或步驟以外 的元素或步驟的存在。元素前的詞語"一個(gè)"并不排除多個(gè)該元素的存 在。
權(quán)利要求
1.一種在半導(dǎo)體襯底(1)上制造雙極晶體管的方法，包括如下步驟-在半導(dǎo)體襯底(1)上提供由第一半導(dǎo)體材料構(gòu)成的集電極區(qū)(21)，所述集電極區(qū)(21)為第一導(dǎo)電類型并且與隔離區(qū)(3)相鄰；-在集電極區(qū)(21)和隔離區(qū)(3)上形成由第二半導(dǎo)體材料構(gòu)成的第一基極層(4)，所述第一基極層(4)為與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型；-在第一基極層(4)中形成具有底表面和側(cè)壁的基極窗口(6)，所述底表面使得集電極區(qū)(21)的頂表面和隔離區(qū)(3)的一部分暴露出來，所述側(cè)壁使得第一基極層(4)的側(cè)壁暴露出來；-通過移除被基極窗口(6)暴露的隔離區(qū)(3)的部分來形成溝槽(7)，所述溝槽(7)與集電極區(qū)(21)和隔離區(qū)(3)的剩余部分相鄰；-在溝槽(7)的表面上形成絕緣層(10)；-在第一基極層(4)的側(cè)壁上、絕緣層(10)上以及集電極區(qū)(21)的頂表面上形成由第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體材料構(gòu)成的第二基極層(13)，從而在溝槽(7)中形成場(chǎng)電極(17)并且形成在集電極區(qū)(21)上延伸的基極區(qū)(31)，其中第一基極層(4)與場(chǎng)電極(17)和基極區(qū)(31)具有電連接；以及-在基極窗口(6)中的基極區(qū)(31)的頂部形成第一導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)(41)。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中形成發(fā)射極區(qū)(41)的步驟 還包括如下步驟-在基極窗口 (6)的側(cè)壁上延伸的第二基極層(13)的一部分 上形成內(nèi)部隔片，其中所述基極窗口 (6)使得在集電極區(qū)(21)上 的基極區(qū)(31)的一部分暴露出來；-沉積并平整發(fā)射極層(42),所述發(fā)射極層由第一導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體材料構(gòu)成，從而用發(fā)射極層(42)填充了基極窗口 (6) 的剩余部分；以及-使摻雜物從發(fā)射極層擴(kuò)散以形成發(fā)射極區(qū)(41)。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成發(fā)射極區(qū)(41)的步 驟之后，通過在第一基極層(4)形成圖案來形成CMOS器件的柵極電極。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中在形成發(fā)射極區(qū)(41)的步 驟之后形成CMOS器件的源極區(qū)和漏極區(qū)。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在溝槽(7)的表面上形成絕 緣層(10)的步驟包括如下步驟-在第一基極層(4)、溝槽(7)和集電極區(qū)(21)的暴露表 面上沉積第一絕緣材料的第一電介質(zhì)層(9);-在第一電介質(zhì)層(9)上沉積第二絕緣材料的第二電介質(zhì)層(10);-使用由第一絕緣材料構(gòu)成的第三電介質(zhì)層(11)來填充溝槽(7);-移除第二電介質(zhì)層(10)在集電極區(qū)(21)的頂表面上延伸 的部分；以及-移除在集電極區(qū)(21)的頂表面上延伸的第三電介質(zhì)層(11) 以及第一電介質(zhì)層(9)的一部分。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括如下步驟-在提供集電極區(qū)(21)的步驟中，在集電極區(qū)(21)上提供 阻蝕層(2);-在形成第一基極層(4)的步驟中，在阻蝕層(2)上形成第 一基極層(4);-在形成基極窗口 (6)的步驟中，使阻蝕層(2)在集電極區(qū)(21) 的頂表面上延伸的部分暴露；以及-在形成溝槽(7)的步驟中，移除阻蝕層(2)。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括，提供集電極區(qū)(21) 的步驟中的提供集電極接觸區(qū)(22)的步驟，其中隔離區(qū)(3)橫向 隔離集電極接觸區(qū)(22)和集電極區(qū)(21)，并且其中集電極接觸區(qū)(22) 通過襯底(1)與集電極區(qū)(21)電連接。
8. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一基極層(4)包括多晶硅 基極層(4)和電介質(zhì)保護(hù)層(5)的疊層。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中電介質(zhì)保護(hù)層(5)包括氮化桂。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成第二基極層(13)的步 驟包括外延生長(zhǎng)第一硅層、SiGe:C層和第二硅層。
全文摘要
本發(fā)明提供了制造雙極晶體管的較簡(jiǎn)單的替代方法，所述雙極晶體管包括與集電極區(qū)(21)相鄰的溝槽(7)中的場(chǎng)電極(17)，所述場(chǎng)電極(17)使用降低表面場(chǎng)(Resurf)效應(yīng)。Resurf效應(yīng)重新修整集電極區(qū)(21)中的電場(chǎng)分布，使得在相同的集電極基極擊穿電壓下，集電極區(qū)(21)的摻雜濃度可以有效地提高，從而獲得了減小的集電極電阻以及提高的雙極晶體管速度。本方法包括在第一基極層(4)中形成基極窗口(6)從而暴露集電極區(qū)(21)的頂表面以及部分隔離區(qū)(3)的步驟。通過移除隔離區(qū)(3)的暴露部分來形成溝槽(7)，然后在溝槽(7)的表面上形成絕緣層(9，10)。在絕緣層(10)上形成第二基極層(13)，從而形成場(chǎng)電極(17)；在集電極區(qū)(21)的頂表面上形成第二基極層，從而形成基極區(qū)(31)；以及在第一基極層(4)的側(cè)壁上形成第二基極層，從而形成第一基極層(4)、基極區(qū)(31)和場(chǎng)電極(17)之間的電連接。在基極區(qū)(31)的頂部上形成發(fā)射極區(qū)(41)，從而形成Resurf雙極晶體管。
文檔編號(hào)H01L21/331GK101529568SQ200780031605
公開日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2007年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月31日
發(fā)明者塞巴斯蒂安·努汀克, 弗朗索瓦·納耶, 約翰內(nèi)斯·J·T·M·東科爾斯, 紀(jì)堯姆·L·R·博卡爾迪 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司