專利名稱：一種從堆疊式柵極閃存中去除介質(zhì)殘余的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種閃存的制造方法，特別涉及一種從堆疊式柵極閃存中去除 介質(zhì)殘余的方法。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)的堆疊式柵極閃存的制造過程中，制造時通常是首先形成控制柵極，
而后形成外圍電路。如圖1和圖2所示，由于浮置柵極的側(cè)壁與其頂部的氧化 物-氮化物-氧化物層厚度的差異，使得單元柵極在蝕刻時，浮置柵極的側(cè)壁上的 氧化物-氮化物-氧化物(ONO)無法徹底蝕刻干凈，殘余的ONO稱之為ONO圍 籬(fence)，從而造成控制柵極或浮置柵極沿著ONO圍籬底部也有殘留，嚴(yán)重時 控制柵極或浮置柵極的殘留就會使單元柵極12與單元柵極13之間或單元柵極 12與選擇柵極11或單元柵極13與選擇柵極14之間發(fā)生短路。電性上看，閃存 裝置無法正常編程或擦除，合格率測試時，會出現(xiàn)大量的整體擦除(mass erase)或 檢查出主板出錯(check board fail)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述，本發(fā)明的目的在于通過變換蝕刻順序，在不增加額外光罩的條 件下將ONO fence及多晶硅殘留徹底去除，從而顯著改善合格率。
本發(fā)明提供了一種從堆疊式柵極閃存中去除介質(zhì)殘余的方法，包括
第一步，提供一襯底，該襯底上有溝槽；
第二步，在襯底上依次形成穿隧氧化層，浮置柵極層，柵間介電層；
第三步，形成導(dǎo)體層，并對該導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，首先蝕刻形成閃存單元的 外圍電路，而后進(jìn)行單元柵極的蝕刻。作為優(yōu)選，上述柵間介電層的材料為氧化物-氮化物-氧化物。
作為優(yōu)選，上述第三步中，利用兩個光罩分別對導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，第一個 光罩的圖案定義閃存單元的外圍電路，并使導(dǎo)體層不會在浮動?xùn)艠O層中有殘余。
作為優(yōu)選，上述第一個光罩和第二個光罩的圖案部分重疊。
本發(fā)明的有益效果在于，僅調(diào)換光罩的順序，便可以在不增加額外光罩的
情況下將例如ONO的介質(zhì)殘余徹底去除，顯著改善合格率。
下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。對于所屬 技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，從對本發(fā)明的詳細(xì)說明中，本發(fā)明的上述和其他目 的、特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的堆疊柵極閃存制造過程的示意圖。
圖2為沿圖1的A-A剖面圖。
圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的堆疊柵極閃存制造過程的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明所述的一種從堆疊式柵極閃存中去除 介質(zhì)殘余的方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
本發(fā)明一較佳實(shí)施例的堆疊柵極閃存制造過程如圖3所示，在堆疊式柵極 閃存的制造過程中，首先在襯底上形成溝槽，可以利用淺溝道隔離法(STI)形成 上述溝槽，定義出有源區(qū)，而后在襯底上形成穿隧氧化層(tunnd oxide),浮置柵 極層(floatitig gate),柵間介電層，該柵間介電層可以是氧化物-氮化物-氧化物層 (ONO:)，當(dāng)然也可以是任意合適的介質(zhì)層，而后形成導(dǎo)體層，并對該導(dǎo)體層進(jìn)行 蝕刻，首先利用光罩Pl對準(zhǔn)并蝕刻，光罩P1的形狀在圖中表示為虛線定義的 部分，其定義出上述閃存單元的外圍電路，并使導(dǎo)體層中容易形成ONO圍籬的 部分定義出來，從而使ONO不會在浮動?xùn)艠O層中有殘余，而后利用光罩PO進(jìn) 行單元柵極的蝕刻，光罩P1與光罩PO的圖案在單元柵極中間的位置部分重疊， 此時，閃存單元中極易形成ONO圍籬(fence)的區(qū)域已被同時蝕亥i」，因而避免了ONO圍籬的形成，再進(jìn)行單元柵極12和13的對準(zhǔn)和蝕刻，從而充分蝕刻ONO 圍籬區(qū)域中的ONO，多晶體殘留的現(xiàn)象便不會發(fā)生，從而提高合格率。不會使 單元柵極32與單元柵極33之間或單元柵極32與選擇柵極31或單元柵極33與 選擇柵極34之間發(fā)生短路。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍；如 果不脫離本發(fā)明的精神和范圍，對本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換的，均應(yīng)涵蓋 在本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1. 一種從堆疊式柵極閃存中去除介質(zhì)殘余的方法，其特征在于包括第一步，提供一襯底，該襯底上有溝槽；第二步，在襯底上依次形成穿隧氧化層，浮置柵極層，柵間介電層；第三步，形成導(dǎo)體層，并對該導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，首先蝕刻形成閃存單元的外圍電路，而后進(jìn)行單元柵極的蝕刻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述柵間介電層的材料為氧化 物-氮化物-氧化物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述第三步中，利用兩個光罩 分別對導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，第一個光罩的圖案定義閃存單元的外圍電路，并使導(dǎo) 體層不會在浮動?xùn)艠O層中有殘余。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于上述第一個光罩和第二個光罩 的圖案部分重疊。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種從堆疊式柵極閃存中去除介質(zhì)殘余的方法，包括第一步，提供一襯底，該襯底上有溝槽；第二步，在襯底上依次形成穿隧氧化層，浮置柵極層，柵間介電層；第三步，形成導(dǎo)體層，并對該導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，首先蝕刻形成閃存單元的外圍電路，而后進(jìn)行單元柵極的蝕刻。本發(fā)明的有益效果在于，僅調(diào)換光罩的順序，便可以在不增加額外光罩的情況下將ONO殘余徹底去除，顯著改善合格率。
文檔編號H01L21/8247GK101459144SQ20071019909
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月12日
發(fā)明者榮 何, 李秋德 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司