專利名稱：：圖像檢測(cè)器以及放射線檢測(cè)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有薄膜晶體管的多個(gè)像素以二維狀排列的圖像檢測(cè)器，尤其涉及該像素的構(gòu)造。
背景技術(shù)：
：近年來，在TFT有源矩陣基板上配置X線感應(yīng)層，并且能夠?qū)線信息直接變換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的FPD(flatpaneldetector)正在實(shí)用化。與現(xiàn)有的成像底片(imagingplate)相比，具有能實(shí)時(shí)確認(rèn)圖像，還能確認(rèn)動(dòng)畫的優(yōu)點(diǎn)，從而正在快速推進(jìn)普及化。首先，使用圖20，對(duì)使用了FPD的放射線圖像檢測(cè)器進(jìn)行說明。就放射線圖像檢測(cè)器而言，在以陣列狀配置了電荷收集電極11的有源矩陣基板10上，形成具有電磁波導(dǎo)電性的半導(dǎo)體膜6，并且在其之上依次形成有偏壓電極(biaselectrode)7。上部電極7與高壓電源連接。而且，半導(dǎo)體膜6為以硒為主成分的膜厚1001000|am的非結(jié)晶a—Se膜，如果被照射X線，則在膜的內(nèi)部產(chǎn)生電荷。在以陣列狀配置于有源矩陣基板10上的電荷收集電極11附近，設(shè)置有TFT開關(guān)4和電荷蓄積電容5，TFT開關(guān)4的漏電極與電荷蓄積電容5的一方電極連接。而且，電荷蓄積電極5的另一方電極與蓄積電容布線102連接。在TFT開關(guān)4的柵電極與掃描布線101連接，源電極與數(shù)據(jù)布線3連接，數(shù)據(jù)布線3的終端與信號(hào)檢測(cè)器(放大器)105連接(例如，參照特開平11一190774號(hào)公報(bào)、特開2001—135809號(hào)公報(bào))。接下來，對(duì)上述構(gòu)造的放射線圖像檢測(cè)器的動(dòng)作原理進(jìn)行說明。如果從圖20的上方被照射X線，則半導(dǎo)體膜6在其內(nèi)部產(chǎn)生電荷。所產(chǎn)生的電荷中的空穴因偏壓電極7與電荷收集電極11之間的電位差而集中到電荷收集電極11，并且被蓄積在與電荷收集電極11電連接的電荷蓄積電容5。由于半導(dǎo)體膜6根據(jù)X線量來產(chǎn)生不同的電荷量，因此與X線所承載的圖像信息對(duì)應(yīng)的電荷蓄積到各像素的電荷蓄積電容。之后，經(jīng)由掃描布線101依次施加使TFT開關(guān)4成為接通(ON)狀態(tài)的信號(hào)，并且經(jīng)由數(shù)據(jù)布線3取出各電荷蓄積電容5所蓄積的電荷。進(jìn)而，用信號(hào)檢測(cè)器105檢測(cè)各像素的電荷量，由此能夠讀取圖像信息。接下來，對(duì)采用一般液晶面板等的制造技術(shù)來制造TFT有源矩陣基板時(shí)的像素構(gòu)造進(jìn)行說明。圖21是表示放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖、圖22是其俯視圖。圖21是圖22的21—21線的剖視圖。就放射線圖像檢測(cè)器而言，如圖21及圖22所示那樣在玻璃基板1上設(shè)置有柵電極2、掃描布線101、蓄積電容下部電極14和蓄積電容布線102。而且，在柵電極2、掃描布線101、蓄積電容下部電極14和蓄積電容布線102的上方，設(shè)置有柵絕緣膜15。在柵電極2的上方隔著柵絕緣膜15而形成有半導(dǎo)體層8。而且，在半導(dǎo)體層8上形成有源電極9和漏電極13。蓄積電容上部電極18層疊在用于構(gòu)成電荷蓄積電容5的層的上方。而且，在與源電極9、漏電極13和蓄積電容上部電極18相同的金屬層，設(shè)置有數(shù)據(jù)布線3。而且，在數(shù)據(jù)布線、蓄積電容上部電極18、源電極9和漏電極13的上方配置有絕緣保護(hù)膜17。而且，在絕緣保護(hù)膜17的上方設(shè)置有層間絕緣膜12。在層間絕緣膜12的上層也就是有源矩陣基板10的最上層，設(shè)置有電荷收集電極ll。電荷收集電極11與TFT開關(guān)4經(jīng)由蓄積電容上部電極18及漏電極13而連接。另外，數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101及蓄積電容布線102，經(jīng)由柵絕緣膜15而交叉。而且，在有源矩陣基板10上形成有半導(dǎo)體膜6和偏壓電極7。如上所述的結(jié)構(gòu)的放射線圖像檢測(cè)器中存在TFT陣列的制造成品率低以及檢測(cè)圖像的畫質(zhì)不良這兩種應(yīng)當(dāng)解決的重要課題。首先，對(duì)TFT陣列的制造成品率相關(guān)的課題進(jìn)行說明。TFT陣列制造時(shí)的不良可分為兩大類，即存在線缺陷不良和點(diǎn)缺陷不良。其中，就點(diǎn)缺陷不良而言，由于在圖像檢測(cè)器中能夠通過圖像處理進(jìn)行校正處理，因此不會(huì)成為太大的問題。另一方面，對(duì)線缺陷不良而言、尤其是蓄積電容布線與掃描布線或者數(shù)據(jù)布線之間的連接不良而言，由于不易進(jìn)行TFT陣列工藝中的激光修復(fù)等物理修正、或者基于圖像校正的修正，所以成為致命的缺陷，是一種致使TFT陣列的制造成本上升的原因。在圖21中，掃描布線、柵電極和蓄積電容布線形成于相同層的金屬層(柵層)。因而，在形成柵層時(shí)發(fā)生圖案形成不良，當(dāng)在掃描布線或者柵電極、與蓄積電容布線之間殘留有導(dǎo)電材料時(shí)，在掃描布線與蓄積電容布線之間將會(huì)發(fā)生連接不良。圖像檢測(cè)器的分辨率越窄，上述不良發(fā)生的頻率越高。接下來，對(duì)檢測(cè)圖像的畫質(zhì)相關(guān)的課題進(jìn)行說明。在上述結(jié)構(gòu)的放射線圖像檢測(cè)器中，為了提高檢測(cè)圖像的畫質(zhì)，理所當(dāng)然，放射線圖像檢測(cè)器的電子噪聲的減小尤為重要。一般而言，在采用了上述結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板的放射線圖像檢測(cè)器中，電子噪聲受到因數(shù)據(jù)布線的布線電容而引起的影響大。從而，為了提高檢測(cè)圖像的畫質(zhì)，數(shù)據(jù)布線的布線電容的減小成為最大的課題。數(shù)據(jù)布線的布線電容，例如將1根數(shù)據(jù)布線的布線電容設(shè)為Cdjine，則可通過下式來表達(dá)。Cd一line二Ngatex(Cdgx+Cdcsx+Ctft+Cdp)+Ccom其中，Ngate是與數(shù)據(jù)布線交叉的掃描布線數(shù)，Cdgx是數(shù)據(jù)布線與蓄積電容布線的交叉部電容、Cdcsx是數(shù)據(jù)布線與蓄積電容布線的交叉部電容、Ctft是數(shù)據(jù)布線與TFT開關(guān)之間的TFT部電容、Cdp是數(shù)據(jù)布線與電荷收集電極之間的耦合電容、Ccom是偏壓電極與數(shù)據(jù)布線之間的電容。通常，因Com和Cdp很小而可以省略，從而可通過下式來表達(dá)。Cd一line=Ngatex(Cdgx+Cdcsx+Ctft)在此，考慮了作為柵絕緣膜15使用了膜厚300nm、相對(duì)介電常數(shù)7.5的膜的情況。掃描布線101和蓄積電容布線102的寬度為10pm、數(shù)據(jù)布線3的寬度為10|im。TFT部電容通過溝道(channel)寬度和溝道長(zhǎng)度來決定，將其設(shè)為0.01pF。與數(shù)據(jù)布線交叉的掃描布線數(shù)為1500根。于是，Cdgx=0.0256pF、Cdcsx=0.0256pF、Ctft=0.01pF、Ngete=1500，所以Cd—line=91.8pF。通過使柵絕緣膜15變厚，也能夠減小上述的交叉部電容，但是在該情況下，TFT開關(guān)4的驅(qū)動(dòng)能力反比例下降。因此，需要擴(kuò)大TFT開關(guān)4的尺寸，從而就會(huì)導(dǎo)致面積增大。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述事實(shí)，其目的在于提供一種能夠提高TFT陣列的制造成品率、而且能夠降低電子噪聲來提高檢測(cè)圖像的畫質(zhì)的圖像檢測(cè)器。本發(fā)明的第一方式是一種圖像檢測(cè)器，具備并列配置的多個(gè)掃描布線；與該掃描布線交叉設(shè)置，并且與形成有該掃描布線的金屬層隔著絕緣膜，由不同的金屬層所形成的多個(gè)數(shù)據(jù)布線；以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管，其與上述掃描布線和上述數(shù)據(jù)布線連接；以矩陣狀設(shè)置的傳感部，其與該薄膜晶體管連接，并且具有在被照射電磁波時(shí)產(chǎn)生電荷的半導(dǎo)體膜；和多個(gè)公共布線，其為了向上述以矩陣狀設(shè)置的傳感部共同施加偏壓電壓而設(shè)置，相對(duì)于上述傳感部的半導(dǎo)體膜位于更下層，且與形成有上述掃描布線的金屬層和形成有上述數(shù)據(jù)布線的金屬層隔著絕緣膜，由不同的金屬層所形成。另外，在上述方式中，上述公共布線也可與上述數(shù)據(jù)布線并行配置。另外，在上述方式中，上述公共布線也可在形成有上述薄膜晶體管的源電極和漏電極的金屬層形成。另外，在上述方式中，上述傳感部也可各自具有蓄積電容，該蓄積電容蓄積因被照射電磁波而在上述半導(dǎo)體膜產(chǎn)生的電荷；上述公共布線也可與上述蓄積電容連接。另外，在上述方式中，上述傳感部也可各自具有偏壓電極，該偏壓電極向上述半導(dǎo)體膜施加偏壓電壓；上述公共布線也可與上述偏壓電極連接。再有，在上述方式中，上述數(shù)據(jù)布線也可配置在絕緣膜上，該絕緣膜設(shè)置在形成有上述薄膜晶體管的源電極和漏電極的金屬層上。另外，在上述方式中，也可還包括基板；第一金屬層，其形成上述掃描布線和上述薄膜晶體管的柵電極；單層或多層的第一絕緣膜；第二金屬層，其形成上述薄膜晶體管的源電極、漏電極、上述蓄積電容下部電極和上述公共布線；單層或多層的第二絕緣膜；第三金屬層，其形成上述數(shù)據(jù)布線和上述蓄積電容上部電極；單層或多層的第三絕緣膜；第四金屬層，其形成將上述電荷收集到上述蓄積電容的電荷收集電極；半導(dǎo)體膜，其在被照射電磁波時(shí)產(chǎn)生上述電荷；和偏壓電極，其向上述半導(dǎo)體膜施加偏壓電壓；并且，將上述的部件按照上述順序?qū)盈B。另外，在上述方式中，在上述數(shù)據(jù)布線與上述掃描布線之間也可層疊有上述第一絕緣膜、半導(dǎo)體膜、上述第二絕緣膜。另外，在上述方式中，上述蓄積電容上部電極也可隔著上述第二絕緣膜，配置在上述薄膜晶體管的上部。另外，在上述方式中，上述數(shù)據(jù)布線也可延伸至上述薄膜晶體管的上部。另外，在上述方式中，上述第二絕緣膜的膜厚也可比上述第一絕緣膜的膜厚更厚。另外，在上述方式中，上述第二絕緣膜的介電常數(shù)也可比上述第一絕緣膜的介電常數(shù)更低。本發(fā)明另一方式是一種圖像檢測(cè)器，按照下述部件的順序?qū)ο率霾考M(jìn)行層疊基板；第一金屬層，其形成并列配置的多個(gè)掃描布線、以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管的柵電極、與該薄膜晶體管連接并且蓄積因被照射電磁波而產(chǎn)生的電荷的蓄積電容的下部電極、以及為了向該蓄積電容下部電極施加偏壓電壓而設(shè)置的多個(gè)公共布線；單層或多層的第一絕緣膜；第二金屬層，其形成薄膜晶體管的源電極、漏電極和蓄積電容的上部電極；單層或多層的第二絕緣膜；第三金屬層，其形成與掃描布線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)布線；單層或多層的第三絕緣膜；第四金屬層，其形成將電荷收集到蓄積電容的電荷收集電極；半導(dǎo)體膜，其在被照射電磁波時(shí)產(chǎn)生電荷；和偏壓電極，其向半導(dǎo)體膜施加偏壓電壓。本發(fā)明其他另一方式是一種圖像檢測(cè)器，按照下述部件的順序?qū)ο率霾考M(jìn)行層疊基板；第一金屬層，其形成并列配置的多個(gè)掃描布線和以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管的柵電極；單層或多層的第一絕緣膜；第二金屬層，其形成薄膜晶體管的源電極、漏電極、蓄積因被照射電磁波而產(chǎn)生的電荷的蓄積電容的下部電極；單層或多層的第二絕緣膜；第三金屬層，其與和掃描布線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)布線、蓄積電容的上部電極、以及數(shù)據(jù)布線并行，形成為了向蓄積電容的下部電極施加偏壓電壓而設(shè)置的多個(gè)公共布線；單層或多層的第三絕緣膜；第四金屬層，其形成將電荷收集到蓄積電容的電荷收集電極；半導(dǎo)體膜，其在被照射電磁波時(shí)產(chǎn)生電荷；和偏壓電極，其向半導(dǎo)體膜施加偏壓電壓。此外，一種圖像檢測(cè)器，具備并列配置的多個(gè)掃描布線；與該掃描布線交叉設(shè)置的多個(gè)數(shù)據(jù)布線；與上述掃描布線和上述數(shù)據(jù)布線連接并以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管；和與該薄膜晶體管連接并以矩陣狀設(shè)置的傳感部；其中上述數(shù)據(jù)布線也可設(shè)置在形成有上述薄膜晶體管的源電極和漏電極的金屬層上所設(shè)置的絕緣膜上。本發(fā)明的第二方式是一種放射線檢測(cè)系統(tǒng)，具備本發(fā)明的第一方式中的圖像檢測(cè)器；信號(hào)處理部，其處理從上述圖像檢測(cè)器輸出的信號(hào)；存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)從上述信號(hào)處理部輸出的處理完成信號(hào)；顯示部，其根據(jù)從上述信號(hào)處理部輸出的處理完成信號(hào)，顯示圖像；和放射線源，其向上述圖像檢測(cè)器射出放射線。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明的第一方式，由于通過隔著絕緣膜而設(shè)置的彼此不同的金屬層來形成掃描布線、數(shù)據(jù)布線和公共布線的每一個(gè)，所以，能夠提高TFT陣列的制造成品率。另外，由于能夠降低電子噪聲，所以檢測(cè)圖像的畫質(zhì)提高。圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的圖像檢測(cè)器的等效電路圖。圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖。圖3是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的俯視圖。圖4是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的制造工序的圖。圖5是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖。圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的俯視圖。圖7是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的制造工序的圖。圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的變形例的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的俯視圖。圖9是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的變形例的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖。圖10是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的變形例的l個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖。圖11是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的變形例的l個(gè)像素單位的構(gòu)造的俯視圖。圖12是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的變形例的l個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖。圖13是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的變形例的l個(gè)像素單位的構(gòu)造的俯視圖。圖14是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖。圖15是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的俯視圖。圖16是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的制造工序的圖。圖17是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的變形例的l個(gè)像素單位的構(gòu)造的俯視圖。圖18是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的變形例的l個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖。圖19是本發(fā)明的放射線檢測(cè)系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)圖。圖20是現(xiàn)有的放射線圖像檢測(cè)器的概略結(jié)構(gòu)圖。圖21是表示現(xiàn)有的放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖。圖22是表示現(xiàn)有的放射線圖像檢測(cè)器的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的俯視圖。圖23是本發(fā)明的第二及第三實(shí)施方式的圖像檢測(cè)器的等效電路圖。具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的圖像檢測(cè)器的一種實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器進(jìn)行說明。圖1是第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的等效電路。第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器是以二維狀排列多個(gè)像素的部件，其中像素包括圖像傳感部103，其由后面敘述的偏壓電極、半導(dǎo)體膜和電荷收集電極構(gòu)成；電荷蓄積電容5，其蓄積由圖像傳感部103檢測(cè)出的電荷信號(hào)；和薄膜晶體管(以下稱作"TFT開關(guān)")4，其用于讀出電荷蓄積電容5所蓄積的電荷。而且，在上述放射線圖像檢測(cè)器中，設(shè)置有用于接通/斷開(ON/OFF)上述TFT開關(guān)4的多個(gè)掃描布線101、和讀出上述電荷蓄積電容所蓄積的電荷的多個(gè)數(shù)據(jù)布線3。另外，電荷蓄積電容5的一方電極與蓄積電容布線102連接。而且，各數(shù)據(jù)布線3與將流過各數(shù)據(jù)布線的電荷作為電信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)的信號(hào)檢測(cè)器105連接；各掃描布線101與向各掃描布線輸出用于接通/斷開TFT開關(guān)4的控制信號(hào)的掃描信號(hào)控制裝置104連接。而且，各信號(hào)檢測(cè)器105和掃描信號(hào)控制裝置104，與信號(hào)處理裝置106連接，其中該信號(hào)處理裝置106對(duì)由各信號(hào)檢測(cè)器105檢測(cè)出的電信號(hào)實(shí)施規(guī)定處理，并且向各信號(hào)檢測(cè)器105和掃描信號(hào)控制裝置104輸出用于表示信號(hào)檢測(cè)的定時(shí)(timing)的控制信號(hào)或者用于表示掃描信號(hào)的輸出的定時(shí)的控制信號(hào)。在此，首先更詳細(xì)地說明第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器100。圖2是表示第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器100的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖、圖3是其俯視圖。圖2是圖3的2—2線的剖視圖。如圖2所示，第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器100，在有源矩陣基板10上依次形成了具有電磁波導(dǎo)電性的半導(dǎo)體膜6、與未圖示的高壓電源連接的偏壓電極7。半導(dǎo)體膜6是因被照射X線等電磁波而在其內(nèi)部產(chǎn)生電荷(電子一空穴)的膜。也就是，半導(dǎo)體膜6具有電磁波導(dǎo)電性，其將基于X線的圖像信息變換為電荷信息。另外，半導(dǎo)體膜6例如由以硒為主成分的非結(jié)晶a—Se(非結(jié)晶硒)構(gòu)成。在此，主成分是指具有50%以上的含有率的成分。以下，詳細(xì)地說明有源矩陣基板10。有源矩陣基板10具有玻璃基板1、柵電極2、蓄積電容下部電極14、柵絕緣膜15、半導(dǎo)體層8、源電極9、漏電極13、蓄積電容上部電極18、絕緣保護(hù)膜17、數(shù)據(jù)布線3、層間絕緣膜12和電荷收集電極11。須指出的是，雖然在圖2中未圖示，但是如圖3所示那樣?xùn)烹姌O2與掃描布線101連接，柵電極2與掃描布線101通過相同的金屬層所形成。另外，如圖3所示，蓄積電容下部電極14與蓄積電容布線102連接，蓄積電容下部電極14與蓄積電容布線102通過相同的金屬層所形成。另外，由柵電極2或柵絕緣膜15、源電極9、漏電極13、半導(dǎo)體層8等構(gòu)成TFT開關(guān)4，由蓄積電容下部電極14或柵絕緣膜15、蓄積電容上部電極18等構(gòu)成電荷蓄積電容5。玻璃基板1是支撐基板，作為玻璃基板1能夠采用無堿性玻璃基板(例如，科寧公司制造#1737等)。掃描布線101和數(shù)據(jù)布線3是如圖3所示那樣以格子狀排列的電極布線，在其交點(diǎn)形成有TFT開關(guān)4。TFT開關(guān)4是開關(guān)元件，其源電極9經(jīng)由連接孔而與各個(gè)數(shù)據(jù)布線3連接，漏電極13與蓄積電容上部電極18連接。柵絕緣膜15由SiNx或SiOx等構(gòu)成。柵絕緣膜15被設(shè)置為覆蓋柵電極2、掃描布線IOI、蓄積電容下部電極14和蓄積電容布線102，位于柵電極2上的部位作為TFT開關(guān)4中的柵絕緣膜發(fā)揮作用，位于蓄積電容下部電極14上的部位作為電荷蓄積電容5中的電介質(zhì)層發(fā)揮作用。也就是，電荷蓄積電容5，通過形成于與柵電極2相同層的蓄積電容下部電極14和蓄積電容上部電極18之間的重疊區(qū)域所形成。_另外，半導(dǎo)體層8是TFT開關(guān)4的溝道部，是聯(lián)結(jié)與數(shù)據(jù)布線3連接的源電極9和與蓄積電容上部電極18連接的漏電極13的電流的通道。絕緣保護(hù)膜17，在玻璃基板1上形成于大致整個(gè)面(大致整個(gè)區(qū)域)。由此，在保護(hù)漏電極13和源電極9的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了電絕緣分離。另外，絕緣保護(hù)膜17在位于與蓄積電容下部電極14對(duì)置的部分上的部位，具有連接孔16。電荷收集電極11由非結(jié)晶透明導(dǎo)電氧化膜構(gòu)成。電荷收集電極11形成為填滿連接孔16，并且層疊在源電極9和漏電極13上、蓄積電容上部電極18上。電荷收集電極11與半導(dǎo)體膜6電導(dǎo)通，以使能夠由電荷收集電極11收集由半導(dǎo)體膜6產(chǎn)生的電荷。層間絕緣膜12由具有感光性的丙烯酸樹脂構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了TFT開關(guān)4的電絕緣分離。在層間絕緣膜12貫穿有連接孔16，電荷收集電極11經(jīng)由連接孔16而與蓄積電容上部電極18連接。在玻璃基板1上設(shè)置有柵電極2、掃描布線101、蓄積電容下部電極14和蓄積電容布線102。在柵電極2的上方隔著柵絕緣膜15而形成有半導(dǎo)體層8。在半導(dǎo)體層8上形成有源電極9和漏電極13。蓄積電容上部電極18層疊在構(gòu)成電荷蓄積電容5的層的上方。另外，在蓄積電容上部電極18和源電極9及漏電極13的上方配置有絕緣保護(hù)膜17。在絕緣保護(hù)膜17的上方配置有數(shù)據(jù)布線3。而且，在絕緣保護(hù)膜17和數(shù)據(jù)布線3的上方設(shè)置有層間絕緣膜12。在層間絕緣膜12的上層也就是有源矩陣基板10的最上層設(shè)置有電荷收集電極11。電荷收集電極11與TFT開關(guān)4經(jīng)由蓄積電容上部電極18和漏電極13而連接。在偏壓電極7與蓄積電容下部電極14之間，連接有未圖示的高壓電源。以下，使用圖4，說明第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的制造工序的一例。首先，在玻璃基板1上作為柵布線層形成柵電極2、掃描布線101、蓄積電容下部電極14、蓄積電容布線102(1)。柵布線層以與由A1或者Al合金等低電阻金屬、或者低電阻金屬與高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的勢(shì)壘金屬(barriermetal)層的層疊膜構(gòu)成。膜厚為100—300nrn左右，通過濺射法堆積在玻璃基板上。然后，通過光刻技術(shù)對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行圖案形成。然后，通過基于Al用的蝕刻劑的濕蝕刻法(wetetching)或者干蝕刻法(dryetching)對(duì)金屬膜進(jìn)行圖案形成。然后，除去抗蝕劑，完成柵布線層。接下來，在柵布線層上依次堆積柵絕緣膜15、半導(dǎo)體層(非晶硅層)8、雜質(zhì)添加半導(dǎo)體層(未圖示)(2)。柵絕緣膜由SiNx構(gòu)成，其膜厚為200—600nm左右，半導(dǎo)體層8由非晶硅層構(gòu)成，其膜厚為20—100nm左右，雜質(zhì)添加半導(dǎo)體層由雜質(zhì)添加非晶硅層構(gòu)成，其膜厚為10—50nm左右，通過P—CVD法進(jìn)行堆積。然后，與柵布線層同樣，通過光刻技術(shù)對(duì)抗蝕劑進(jìn)行圖案形成。然后，針對(duì)柵絕緣膜選擇性地干蝕刻半導(dǎo)體層8與雜質(zhì)添加半導(dǎo)體層，由此形成半導(dǎo)體活性區(qū)域。接著，形成源電極9、漏電極13、蓄積電容上部電極18(3)。在柵絕緣膜15和半導(dǎo)體層8的上層，堆積源布線層。與柵布線層同樣，源布線層也是由與柵布線層相同的金屬膜構(gòu)成，通過A1或者A1合金等低電阻金屬，或低電阻金屬與勢(shì)壘金屬層的層疊膜、或者M(jìn)o等金屬膜單層所構(gòu)成。膜厚為100—300nm左右。與柵布線層同樣，通過光刻技術(shù)進(jìn)行圖案形成，通過基于Al用的蝕刻劑的濕蝕刻法或者干蝕刻法對(duì)金屬膜進(jìn)行圖案形成。此時(shí)，由于選擇性地采用蝕刻法，所以柵絕緣膜不會(huì)被除去。然后，通過干蝕刻法，除去雜質(zhì)添加半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層8的一部分，來形成溝道區(qū)域。接著，在通過上述方式形成的層的上層，堆積絕緣保護(hù)膜17(4)。絕緣保護(hù)膜17由SiNx、Si02等無機(jī)材料構(gòu)成，通過P—CVD法所堆積。膜厚為200—600nm左右。與柵布線層同樣，通過光刻技術(shù)進(jìn)行連接孔的圖案形成，并且通過干蝕刻法選擇性地形成圖案。接著，形成數(shù)據(jù)布線3(5)。在絕緣保護(hù)膜17的上層，與柵布線層同樣，形成由金屬膜構(gòu)成，形成A1或者A1合金等低電阻金屬，或低電阻金屬與勢(shì)壘金屬層的層疊膜。膜厚為100—400nm左右。與柵布線層同樣，通過光刻技術(shù)進(jìn)行圖案形成，并且通過基于Al用的蝕刻劑的濕蝕刻法或者干蝕刻法對(duì)金屬膜進(jìn)行圖案形成。此時(shí)，由于選擇性地采用蝕刻法，所以柵絕緣膜不會(huì)被除去。接下來，在通過上述方式形成的層的上層堆積層間絕緣膜12(6)。層間絕緣膜由SiNx、Si02等無機(jī)材料、或者SOG、感光性丙烯酸材料等有機(jī)絕緣膜材料構(gòu)成。一般而言，與無機(jī)材料相比，有機(jī)絕緣膜材料的一方其介電常數(shù)低，而且更容易進(jìn)行厚膜化，因此在數(shù)據(jù)布線與電荷收集電極之間的電容的降低中更具有效果，比較理想。在感光性有機(jī)絕緣膜材料的情況下，以13nm左右的膜厚旋轉(zhuǎn)涂布材料之后，通過光刻技術(shù)進(jìn)行連接孔16的圖案形成，通過專用蝕刻劑進(jìn)行圖案形成以及燒成來完成。在不是感光性材料的情況下，與其他層同樣，光刻后進(jìn)行干蝕刻等，來形成連接孔。須指出的是，連接孔16的大小優(yōu)選小于10pm見方。這是因?yàn)?，?dāng)連接孔16大時(shí)，在制造半導(dǎo)體膜6后因段差部而發(fā)生結(jié)晶化。接著，形成電荷收集電極ll(7)。在通過上述方式形成的層的上層，通過濺射法堆積ITO等透明電極材料。膜厚為20—200nm左右。通過光刻技術(shù)進(jìn)行圖案形成，通過基于ITO用的蝕刻劑等的濕蝕刻法或者干蝕刻法對(duì)金屬膜進(jìn)行圖案形成。此時(shí)，由于選擇性地采用蝕刻法，所以下層的層間絕緣膜柵絕緣膜不會(huì)損壞。接著，形成半導(dǎo)體膜6和偏壓電極7(8)。在通過上述方式形成的層的上層，通過真空蒸鍍法以大約0.5mm1.5mm的膜厚來形成由a—Se構(gòu)成的具有電磁波導(dǎo)電性的半導(dǎo)體膜6。而且，最后在半導(dǎo)體膜6的大致整個(gè)面，通過真空蒸鍍法以大約100nm的厚度形成由Au、Al等構(gòu)成的偏壓電極7。接下來，對(duì)上述構(gòu)造的放射線圖像檢測(cè)器的動(dòng)作原理進(jìn)行說明。在偏壓電極7與蓄積電容下部電極14之間施加電壓的狀態(tài)下，如果對(duì)半導(dǎo)體膜6照射X線，則在半導(dǎo)體膜6內(nèi)產(chǎn)生電荷(電子一空穴對(duì))。而且，由于半導(dǎo)體膜6與電荷蓄積電容5之間為串聯(lián)電連接的構(gòu)造，所以，在半導(dǎo)體膜6內(nèi)所產(chǎn)生的電子向+電極側(cè)移動(dòng)、空穴向一電極側(cè)移動(dòng)，結(jié)果在電荷蓄積電容5中蓄積電荷。由向掃描布線101的輸入信號(hào)使TFT開關(guān)4處于接通狀態(tài)，通過這樣，電荷蓄積電容5中所蓄積的電荷能夠經(jīng)由數(shù)據(jù)布線3被提取到外部。而且，由于掃描布線101和數(shù)據(jù)布線3、TFT開關(guān)4和電荷蓄積電容5均被設(shè)置為XY矩陣狀，因此通過依次掃描向掃描布線101輸^入的信號(hào)，并且按每個(gè)數(shù)據(jù)布線3檢測(cè)來自數(shù)據(jù)布線3的信號(hào)，能夠以二維的方式獲得X線的圖像信息。如圖2所示，在第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器100中，數(shù)據(jù)布線3隔著絕緣保護(hù)膜17而形成于源電極9和漏電極13的上層。因此，在數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101的交叉部、數(shù)據(jù)布線3與蓄積電容布線102的交叉部，存在柵絕緣膜15和絕緣保護(hù)膜17。從而，能夠減小數(shù)據(jù)布線3的布線電容。另一方面，在電荷蓄積電容5或TFT開關(guān)中4只存在柵絕緣膜15，因此能夠防止蓄積電容電極面積的增大、TFT驅(qū)動(dòng)能力的下降。另外，在TFT開關(guān)的制造工序中，存在因靜電破壞而常常發(fā)生柵布線層與源布線層之間的連接不良的問題。當(dāng)采用了第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的構(gòu)造時(shí)，由于和數(shù)據(jù)布線與掃描布線的交叉部相比TFT開關(guān)的源電極一柵電極之間的一方其絕緣膜更薄，所以將耐壓設(shè)定得較低。由此，即使在因靜電而發(fā)生了連接不良時(shí)，發(fā)生TFT開關(guān)的連接不良的概率也較高。當(dāng)布線之間的連接不良時(shí)，成為線缺陷不良，但是在TFT開關(guān)中的連接不良的情況下，如果不切斷TFT開關(guān)則能夠成為單一像素的不良。通常，在放射線圖像檢測(cè)器中，根據(jù)周邊像素的數(shù)據(jù)生成缺陷像素的信息，并且通過圖像校正，能夠使之成為優(yōu)良產(chǎn)品。另一方面，在線缺陷的情況下，很多情況下難以進(jìn)行基于圖像校正的修正。從而，如上所述那樣通過避免線缺陷，能夠提高制造成品率。另外，由于需要使數(shù)據(jù)布線成為低電阻，因此優(yōu)選進(jìn)行厚膜化。也就是，優(yōu)選使數(shù)據(jù)布線的金屬層的厚度比源電極和漏電極的金屬層的厚度更厚。但是，當(dāng)源電極與漏電極形成在相同層時(shí)，如果使金屬膜厚膜化，則圖案形成的精度下降，因此對(duì)膜厚有限制。對(duì)應(yīng)與此，根據(jù)第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器，將數(shù)據(jù)布線形成在與源電極和漏電極不同的層，因此能夠使數(shù)據(jù)布線厚膜化來實(shí)現(xiàn)低電阻的數(shù)據(jù)布線，能夠減小數(shù)據(jù)布線噪聲。另外，能夠使源電極和漏電極的金屬層變薄，因此能夠縮短工藝過程。接下來，使用具體的數(shù)值，說明第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的數(shù)據(jù)布線的布線電容。如上所述，通過下式來表達(dá)數(shù)據(jù)布線的布線電容CdJine。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>在此，作為柵絕緣膜15采用SiNx，其膜厚為300nm、相對(duì)介電常數(shù)為7.5。另一方面，絕緣保護(hù)層17也采用SiNx，其膜厚為500nm、相對(duì)介電常數(shù)為7.5。掃描布線101、蓄積電容布線102的布線寬度為l(Hrni、數(shù)據(jù)布線3的布線寬度為10pm。TFT電容通過溝道寬度W、溝道長(zhǎng)度L來決定，這次采用了0.01pF的TFT電容。柵線數(shù)目為1500根。在現(xiàn)有構(gòu)造的情況下，由于Cdgx=0.0256pF、Cdcsx=0,0256pF、Ctft^0.01pF、Ngate=1500，因此Cd—line=91.8pF。另一方面，在第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的構(gòu)造中，Cdgx=0.0096pF、Cdcsx=0.0096pF、Cd—line=43.8pF。從而，能夠?qū)?shù)據(jù)布線的布線電容減小到48%，因此降低電子噪聲。須指出的是，在第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，如圖3所示，也可在數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101的交叉部的柵絕緣膜15與絕緣保護(hù)膜17之間，設(shè)置半導(dǎo)體層19。通過這樣構(gòu)成，能夠更進(jìn)一步減少數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101的交叉部的電容。另外，設(shè)置半導(dǎo)體層19，由此能夠防止因半導(dǎo)體層的蝕刻、源電極層的蝕刻而引起的柵絕緣膜15的膜縮小，所以，能夠使柵絕緣膜15的殘膜量也更厚、且能夠?qū)崿F(xiàn)低電容，從而能夠降低電子噪聲。接下來，更詳細(xì)地說明第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器200。圖23是第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的等效電路。圖5是表示第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器200的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖、圖6是其平面圖。圖5是圖6的5—5線的剖視圖。第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器200，與第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器相比，蓄積電容下部電極14和蓄積電容布線102以及蓄積電容上部電極18的位置不同。而且，如圖23和圖6所示，第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器200的蓄積電容布線102，與數(shù)據(jù)布線3并行配置。該蓄積電容布線102，按每規(guī)定根數(shù)，在設(shè)置有圖像傳感部103的傳感器陣列部的區(qū)域外，與布線107連接，該布線107各自與信號(hào)檢測(cè)器105連接。對(duì)各蓄積電容布線102，由信號(hào)檢測(cè)器105經(jīng)由布線107施加規(guī)定電壓Vcom。須指出的是，在圖23中各蓄積電容布線102與l根布線107連接，是簡(jiǎn)化表示。對(duì)其他構(gòu)成要素而言，與第一實(shí)施方式相同。-如圖5所示，在第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器200的玻璃基板1上，設(shè)置有柵電極2和掃描布線101。在柵電極2和掃描布線的上方，設(shè)置有柵絕緣膜15，并且隔著該柵絕緣膜15形成有半導(dǎo)體層8。在半導(dǎo)體層8上形成有源電極9和漏電極13。而且，在與源電極9和漏電極13相同的金屬層形成有蓄積電容下部電極14和蓄積電容布線102。而且，在源電極、漏電極13、蓄積電容下部電極14和蓄積電容布線102的上方，形成有絕緣保護(hù)膜17。而且，在絕緣保護(hù)膜17的上方配置有數(shù)據(jù)布線3，在與該數(shù)據(jù)布線3相同的金屬層形成有蓄積電容上部電極18。而且，在數(shù)據(jù)布線3和蓄積電容上部電極18的上方設(shè)置有層間絕緣膜12。在層間絕緣膜12的上層設(shè)置有電荷收集電極11。電荷收集電極11與TFT開關(guān)4經(jīng)由蓄積電容上部電極18和漏電極13而連接。另外，電荷收集電極11與蓄積電容上部電極18，通過貫穿層間絕緣膜12的連接孔16相連。須指出的是，連接孔16的大小優(yōu)選小于10pm見方。這是因?yàn)椋?dāng)連接孔16大時(shí)，在制造半導(dǎo)體膜6后因段差部而發(fā)生結(jié)晶化。另外，蓄積電容上部電極18與漏電極13也是通過連接孔相連。以下，使用圖7，說明第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的制造工序的一例。須指出的是，對(duì)具體的制造工序以及材料等而言，與第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器相同。首先，在玻璃基板1上作為柵布線層形成柵電極2、掃描布線101(1)。接著，在柵布線層上依次堆積柵絕緣膜15、半導(dǎo)體層8、雜質(zhì)添加半導(dǎo)體層(未圖示)(2)。接著，形成源電極9、漏電極13、蓄積電容下部電極14和蓄積電容布線102(3)。接著，在通過上述方式形成的層的上層，堆積絕緣保護(hù)膜17(4)。接著，形成數(shù)據(jù)布線3和蓄積電容上部電極18(5)。接著，在通過上述方式形成的層的上層，堆積層間絕緣膜12(6)。接著，形成電荷收集電極U(7)。接著，形成半導(dǎo)體膜6和偏壓電極7(8)。在第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器200中，與第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器100同樣，數(shù)據(jù)布線3隔著絕緣保護(hù)膜17而形成于源電極9和漏電極13的上層。因此，在數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101的交叉部、數(shù)據(jù)布線3與蓄積電容布線102的交叉部，存在柵絕緣膜15和絕緣保護(hù)膜17。從而，能夠減小數(shù)據(jù)布線3的布線電容。另一方面，在電荷蓄積電容5或TFT開關(guān)4中只存在柵絕緣膜15，因此能夠防止蓄積電容電極面積的增大、TFT驅(qū)動(dòng)能力的下降。另外，與第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器100同樣，由于與數(shù)據(jù)布線與掃描布線的交叉部相比TFT開關(guān)的源電極一柵電極之間的一方其絕緣膜更薄，因此耐壓設(shè)定得較低。由此，即使在因靜電而發(fā)生了連接不良時(shí)，發(fā)生TFT開關(guān)的連接不良的概率較高。當(dāng)布線之間的連接不良時(shí)，成為線缺陷不良，但是在TFT開關(guān)中的連接不良的情況下，如果不切斷TFT開關(guān)則能夠成為單一像素的不良。通常，在放射線圖像檢測(cè)器中，根據(jù)周邊像素的數(shù)據(jù)生成缺陷像素的信息，并且通過圖像校正，能夠使之成為優(yōu)良產(chǎn)品。另一方面，在線缺陷的情況下，很多情況下難以進(jìn)行基于圖像校正的修正。從而，如上所述那樣通過避免線缺陷，能夠提高制造成品率。另外，蓄積電容布線102，與掃描布線101隔著柵絕緣膜15而以不同層的金屬材料形成，并且與數(shù)據(jù)布線3隔著絕緣保護(hù)膜17而以不同層的金屬材料形成。由此，即使在形成蓄積電容布線102層時(shí)發(fā)生圖案形成不良，并且殘留有導(dǎo)電材料膜的情況下，也不會(huì)發(fā)生與掃描布線101、數(shù)據(jù)布線3的連接不良。由此，很大程度上改善了圖像檢測(cè)器用的TFT陣列的制造成品率，所以，尤其在制造高精密(像素間距〈00pm)的圖像檢測(cè)用TFT陣列時(shí)有效。例如，在像素間距200nm、數(shù)據(jù)布線3的布線寬度10pm、蓄積電容布線102的寬度10pm時(shí)，布線間的間隙僅為90|im(再有，例如，當(dāng)形成在與電荷蓄積電容5的蓄積電容上部電極18或蓄積電容下部電極14相同的層中時(shí)，如果將該蓄積電容上部電極18或蓄積電容下部電極14的寬度設(shè)為110pm，則布線間的間隙僅為40|im)。另一方面，將蓄積電容布線102、掃描布線101和數(shù)據(jù)布線3形成在不同層，通過這樣，即使發(fā)生布線形成時(shí)的圖案形成不良而留下導(dǎo)電材料膜的殘留物，也不會(huì)發(fā)生蓄積電容布線102與數(shù)據(jù)布線3之間的連接不良。另外，蓄積電容布線102形成為相對(duì)于半導(dǎo)體膜6位于更下層。由此，在形成半導(dǎo)體膜6之前的工序步驟中，形成蓄積電容布線102的布線層，所以能夠改善放射線圖像檢測(cè)器ioo的制造線的生產(chǎn)效率。也就是說，在放射線圖像檢測(cè)器ioo中，為了維持充分的檢測(cè)靈敏度而需要使半導(dǎo)體膜6比有源矩陣基板10上形成的其他層更厚。例如，在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體膜6蒸鍍0.5mm1.5mm的a—Se。該半導(dǎo)體膜6的堆積工序，其處理時(shí)間長(zhǎng)且需要高制造成本。因此，僅在完成相對(duì)半導(dǎo)體膜6位于更下層的主要布線層的形成、并進(jìn)行各工序的圖像檢查和導(dǎo)通檢查等后成為優(yōu)良產(chǎn)品的有源矩陣基板10上形成半導(dǎo)體膜6。由此，能夠減少制造效率最低的半導(dǎo)體膜6層的堆積工序的處理件數(shù)，從而改善制造效率。另外，與第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器100同樣，使數(shù)據(jù)布線3厚膜化，來實(shí)現(xiàn)低電阻的數(shù)據(jù)布線，能夠降低數(shù)據(jù)布線噪聲。也就是，優(yōu)選使數(shù)據(jù)布線的金屬層比源電極和漏電極的金屬層更厚。另外，將蓄積電容布線102與數(shù)據(jù)布線3并行配置的結(jié)果，由于沒有蓄積電容布線102與數(shù)據(jù)布線3的交叉部，所以，能夠減小蓄積電容布線102與數(shù)據(jù)布線3的交叉部電容，能夠進(jìn)一步降低電子噪聲。另外，由蓄積電容下部電極14、絕緣保護(hù)膜17和蓄積電容上部電極18來構(gòu)成電荷蓄積電容5，所以，能夠由與構(gòu)成TFT開關(guān)4的柵絕緣膜15不同的絕緣膜來構(gòu)成電荷蓄積電容5。當(dāng)由柵絕緣膜15構(gòu)成電荷蓄積電容5時(shí)，為了增大TFT開關(guān)的接通電流而使柵絕緣膜15變薄，則電荷蓄積電容5的蓄積電容也成比例增大。另一方面，根據(jù)第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器，由于即使使柵絕緣膜15變薄，電荷蓄積電容5的蓄積電容也不增加，所以，能夠縮短像素的電荷傳輸時(shí)間。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)理想的傳感元件的設(shè)計(jì)，能夠降低電子噪聲。接下來，使用具體的數(shù)據(jù)，說明第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的數(shù)據(jù)布線的布線電容。如上所述，能夠通過下式來表達(dá)數(shù)據(jù)布線的布線電容Cd—line。Cd—line—Ngatex(Cdgx+Cdcsx十Ctft)在此，作為柵絕緣膜15采用SiNx，其膜厚為300nm、相對(duì)介電常數(shù)為7.5。另一方面，絕緣保護(hù)層17也采用SiNx，其膜厚為500nm、相對(duì)介電常數(shù)為7.5。掃描布線101、蓄積電容布線102的布線寬度為10|Lim、數(shù)據(jù)布線3的布線寬度為10pm。TFT電容通過溝道寬度W、溝道長(zhǎng)度L來決定，這次采用了0.01pF的TFT電容。柵線數(shù)目為1500根。在現(xiàn)有構(gòu)造的情況下，由于Cdgx=0.0256pF、Cdcsx=0.0256pF、Ctft=0.01pF、Ngate=1500，因此Cd—line=91.8pF。另一方面，在第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的構(gòu)造中，Cdgx=0.0096pF、Cdcsx=0pF(這是因?yàn)闆]有數(shù)據(jù)布線與蓄積電容布線的交叉部)、Cd—line=29.4pF。從而，能夠?qū)?shù)據(jù)布線的布線電容減少到32%，因此降低電子噪聲。須指出的是，在第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，如圖6所示，也可在數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101的交叉部的柵絕緣膜15與絕緣保護(hù)膜17之間，設(shè)置半導(dǎo)體層19。通過這樣構(gòu)成，能夠進(jìn)一步減小數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101的交叉部的電容。另外，在第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，如圖8所示，也可使蓄積電容上部電極18延伸、且隔著絕緣保護(hù)膜17配置在TFT幵關(guān)4的上部。圖9表示圖8的9一9線的剖視圖。例如，當(dāng)向放射線圖像檢測(cè)器的偏壓電極施加的是正偏壓時(shí)，電荷蓄積電容5中所蓄積的電荷成為正，但是使與電荷收集電極11連接的蓄積電容上部電極18如圖8和圖9所示那樣在TFT開關(guān)4上延伸而導(dǎo)致蓄積電荷增大時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)TFT開關(guān)4自動(dòng)接通的構(gòu)造。由此，能夠避免因蓄積電荷增大而破壞像素的情況。另外，在第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，如圖IO所示那樣也可除去TFT開關(guān)4上方的層間絕緣膜。通過采用上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)像素的蓄積電荷增大時(shí)，能夠降低TFT開關(guān)4自動(dòng)接通的閾值電壓，能夠更有效的避免像素破壞。另外，在第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，如圖11所示那樣也可將數(shù)據(jù)布線3延伸至TFT開關(guān)4上方。圖12表示圖11的12—12線的剖視圖。通過采用上述結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)針對(duì)電荷收集電極11的電位的屏蔽構(gòu)造。例如，即使向電荷收集電極11施加了100V,只要數(shù)據(jù)布線3的電位為0，則電場(chǎng)不會(huì)施加到TFT開關(guān)4的反向溝道(backchannel)。另一方面，在上述第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，將蓄積電容布線102與數(shù)據(jù)布線3并行配置，但是如圖13所示那樣也可將蓄積電容布線102與掃描布線101并行設(shè)置。須指出的是，對(duì)層結(jié)構(gòu)和制造工序而言，與上述第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器相同。接下來，更詳細(xì)地說明第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器300。圖14是表示第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器300的1個(gè)像素單位的構(gòu)造的剖視圖、圖15是其俯視圖。圖14是圖15的14一14線的剖視圖。第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器200,與第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器相比，蓄積電容布線102的位置不同，而且電荷收集電極ll與蓄積電容下部電極14連接。對(duì)其他構(gòu)成要素而言，與第二實(shí)施方式相同。在第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器300的玻璃基板1上，設(shè)置有柵電極2、掃描布線101。而且，在柵電極2和掃描布線的上方設(shè)置有柵絕緣膜15，并且隔著該柵絕緣膜15形成有半導(dǎo)體層8。在半導(dǎo)體層8上形成有源電極9和漏電極13。而且，在與源電極9和漏電極13相同的金屬層形成有蓄積電容下部電極14。而且，在源電極、漏電極13、蓄積電容下部電極14的上方形成有絕緣保護(hù)膜17。而且，在絕緣保護(hù)膜17的上方配置有數(shù)據(jù)布線3，在與該數(shù)據(jù)布線3相同的金屬層形成有蓄積電容上部電極18和蓄積電容布線102。而且，在數(shù)據(jù)布線3、蓄積電容上部電極18和蓄積電容布線102的上方設(shè)置有層間絕緣膜12。在層間絕緣膜12的上層設(shè)置有電荷收集電極11。電荷收集電極11和TFT開關(guān)4經(jīng)由蓄積電容下部電極14和漏電極13而連接。另外，電荷收集電極11和蓄積電容下部電極14，通過貫穿層間絕緣膜12和絕緣保護(hù)膜17的連接孔16而相連。需指出的是，連接孔16的大小優(yōu)選小于l(Him見方。這是因?yàn)?，?dāng)連接孔16大時(shí)，在制造半導(dǎo)體膜6后因段差部而發(fā)生結(jié)晶化。以下，使用圖16，說明第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器的制造工序的一例。須指出的是，對(duì)具體的制造工序和材料而言，與第一實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器相同。首先，在玻璃基板1上作為柵布線層形成柵電極2、掃描布線101(1)。接著，在柵布線層上依次堆積柵絕緣膜15、半導(dǎo)體層8、雜質(zhì)添加半導(dǎo)體層(未圖示)(2)。接著，形成源電極9、漏電極13、蓄積電容卞部電極14(3)。接著，在通過上述方式形成的層的上層，堆積絕緣保護(hù)膜17(4)。接著，形成數(shù)據(jù)布線3、蓄積電容上部電極18和蓄積電容布線102(5)。接著，在通過上述方式形成的層的上層，堆積層間絕緣膜12(6)。接著，形成電荷收集電極U9(7)。接著，形成半導(dǎo)體膜6和偏壓電極7(8)。根據(jù)第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器300，也能夠得到基本上與第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器200相同的效果。另外，第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器，在蓄積電容布線102與掃描布線101的交叉部也配置有柵絕緣膜15和絕緣保護(hù)膜17。由此，能夠減小蓄積電容布線102和掃描布線101的布線電容。另外，電荷蓄積電容5通過蓄積電容下部電極14一蓄積電容上部電極18間、和電荷收集電極ll一蓄積電容上部電極18間的上下2層來構(gòu)成。因而，能夠增大每單位面積的電容，能夠減小蓄積電容上部電極18的面積。當(dāng)蓄積電容上部電極18的面積小時(shí)，能夠加寬數(shù)據(jù)布線3—蓄積電容上部電極18間的距離，能夠減少發(fā)生連接不良。另外，由蓄積電容下部電極14、絕緣保護(hù)膜17和蓄積電容上部電極18來構(gòu)成電荷蓄積電容5，所以，能夠由與構(gòu)成TFT開關(guān)4的柵絕緣膜15不同的絕緣膜來構(gòu)成電荷蓄積電容5。當(dāng)由柵絕緣膜15構(gòu)成電荷蓄積電容5時(shí)，為了增大TFT開關(guān)的接通電流而使柵絕緣膜15變薄，則電荷蓄積電容5的蓄積電容也成比例增大。另一方面，根據(jù)第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器，由于即使使柵絕緣膜15變薄，電荷蓄積電容5的蓄積電容也不增加，因此能夠縮短像素的電荷傳輸時(shí)間。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)理想的傳感元件的設(shè)計(jì)，能夠降低電子噪聲。須指出的是，在第二和第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，說明了將用于向各電荷蓄積電容5的蓄積電容下部電極14共同施加偏壓電壓的蓄積電容布線102作為公共布線，與數(shù)據(jù)布線3并行配置的情況；另外，在第二實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，說明了將掃描布線101、數(shù)據(jù)布線3和蓄積電容布線102通過各自隔著絕緣膜而設(shè)置的彼此不同的金屬層所形成的情況，但是本發(fā)明不限于此。例如，也可以采用下述結(jié)構(gòu)與各圖像傳感部103對(duì)應(yīng)地單獨(dú)形成偏壓電極7，從各偏壓電極7向羋導(dǎo)體膜6施加偏壓電壓時(shí)，將用于向各偏壓電極7施加偏壓電壓的偏壓布線作為公共布線，與數(shù)據(jù)布線3并行配置，另外，通過隔著絕緣膜而彼此不同的金屬層來形成該偏壓布線、掃描布線101和數(shù)據(jù)布線3。另外，在第一第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，說明了將半導(dǎo)體膜6適用于將放射線直接變換為電荷的所謂的直接變換型的放射線圖像檢測(cè)器的情況，但是本發(fā)明不限于此。例如，利用通過放射線沖撞而發(fā)出電磁波(例如，光)的物質(zhì)、即閃爍體(scintillator)在基板上形成膜，將對(duì)由閃爍體產(chǎn)生的光進(jìn)行光電變換而得到的電荷蓄積在各光電變換元件所附帶的電容(也有另外附設(shè)輔助電容的情況)中的、所謂的間接變換型的放射線圖像檢測(cè)器中，也可對(duì)用于向各光電變換元件的電極施加偏壓電壓的偏壓布線采用同樣的結(jié)構(gòu)。另外，在第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，如圖15所示，也可在數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101的交叉部的柵絕緣膜15與絕緣保護(hù)膜17之間，設(shè)置半導(dǎo)體層19。通過這樣構(gòu)成，能夠進(jìn)一步減小數(shù)據(jù)布線3與掃描布線101的交叉部的電容。另外，在第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，如圖17所示，也可將蓄積電容上部電極18延伸，以使其隔著絕緣保護(hù)膜17，配置在TFT開關(guān)4上方。圖18表示圖17的18—18線的剖視圖。通過采用上述結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)針對(duì)電荷收集電極11的電位的屏蔽構(gòu)造。例如，即使向電荷收集電極11施加了100V，只要數(shù)據(jù)布線3的電位為0，則電場(chǎng)不會(huì)施加到TFT開關(guān)4的背溝道。另外，在上述第一至第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，優(yōu)選使絕緣保護(hù)膜17的厚度比柵絕緣膜15的厚度更厚。在表1中表示柵絕緣膜15和絕緣保護(hù)膜17的材料、柵絕緣膜15和絕緣保護(hù)膜17的厚度和介電常數(shù)的適當(dāng)?shù)姆秶?、更?yōu)選的范圍和理想值。為了提高TFT開關(guān)4的驅(qū)動(dòng)能力而優(yōu)選使柵絕緣膜15變薄，為了減小數(shù)據(jù)布線的布線電容而優(yōu)選使絕緣保護(hù)膜17變厚。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>另外，在上述第一至第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，優(yōu)選將絕緣保護(hù)膜17的介電常數(shù)設(shè)為比柵絕緣膜15的介電常數(shù)小的低介電常數(shù)。在表2中表示柵絕緣膜15和絕緣保護(hù)膜17的材料、柵絕緣膜15和絕緣保護(hù)膜17的厚度和介電常數(shù)的適當(dāng)?shù)姆秶?、更?yōu)選的范圍和理想值。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>另外，上述第一至第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器，例如使用于對(duì)透過了人體的X線像進(jìn)行圖像化的X線攝像裝置等，是能夠檢測(cè)X線等的圖像的圖像傳感器。也就是說，如圖19所示，例如從X線管球91出射的X線而形成的待測(cè)體92的透過X線像，通過本實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器100、200、300變換為圖像信號(hào)。從該放射線圖像檢測(cè)器100、200、300輸出的模擬信號(hào)由A/D變換器93變換為數(shù)字圖像信號(hào)，并輸入到圖像處理裝置94。圖像處理裝置94進(jìn)行各種圖像處理的同時(shí)，將需要保存的圖像存儲(chǔ)到圖像存儲(chǔ)裝置96。另外，從圖像處理裝置94輸出的數(shù)字圖像信號(hào)，由D/A變換器95變換為模擬信號(hào)后，顯示在圖像監(jiān)視裝置97的畫面。另外，在上述第一至第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器中，半導(dǎo)體膜6能夠由a—Se、對(duì)a—Se將Li、Na、K、Cs、Rb等堿性金屬以0.001ppm20ppm范圍微量摻雜的材料、對(duì)a—Se將LiF、NaF、KF、CsF、RbF等氟化物以10ppm10000ppm范圍微量摻雜的材料、對(duì)a—Se將P、As、Sb、Ge以50ppm0.5。/。范圍添加的材料、或者對(duì)a—Se將As以50ppm0.5%范圍添加、還將C1、Br、I以lppm100ppm范圍微量摻雜的材料等來形成。另夕卜，能夠利用在a—Se中含有將Bi12MO20(M:Ti、Si、Ge)、Bi4M3012(M:Ti、Si、Ge)、Bi203、BiM04(M:Nb、Ta、V)、Bi2W06、Bi24B2039、ZnO、ZnS、ZnTe、MNb03(M:Li、Na、K)、PbO、Hgl2、Pbl2、CdS、CdSe、CdTe、Bil3、或者GaAs等中的至少一個(gè)為主成分的光導(dǎo)電性物質(zhì)的材料。另外，在直接接受X線而產(chǎn)生電荷的情況下，半導(dǎo)體膜6的優(yōu)選厚度范圍是100fim2mm。尤其，作為乳房X線照相術(shù)(mammography)用途中，半導(dǎo)體膜6的優(yōu)選厚度范圍是150250|_im，在一般攝影用途中，半導(dǎo)體膜6的優(yōu)選厚度范圍是500|iim1.5mm。另外，作為半導(dǎo)體膜6也可以采用氧化鉍復(fù)合物。例如，記載在特開2005—274257號(hào)公報(bào)中。當(dāng)作為半導(dǎo)體膜6采用了以a—Se為主成分的非結(jié)晶半導(dǎo)體時(shí)，為了防止其結(jié)晶化而也可在半導(dǎo)體膜6與偏壓電極7之間設(shè)置上部電極界面層、在半導(dǎo)體膜6與電荷收集電極11之間為了防止結(jié)晶化而也可設(shè)置下部電極界面層。作為上述電極界面層能夠采用對(duì)a—Se將As以1%20%的范圍添加的材料、對(duì)a—Se將S、Te、P、Sb、Ge以1%10%的范圍添加的材料、對(duì)a—Se添加了上述元素與其他元素的組合的材料等?；蛘撸部刹捎媒Y(jié)晶化溫度更高的As2S3或As2Se3。再有，以防止來自偏壓電極7或電荷收集電極11的電荷注入為目的，尤其為了防止空穴注入，也可除了上述添加元素外還將Li、Na、K、Rb、Cs等堿性金屬、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KC1、RbF、CsF、CsCl、CsBr等分子以10ppm5000ppm的范圍來慘雜。相反，為了防止電子注入，也可將C1、I、Br等鹵元素、或者111203等分子以10ppm5000ppm的范圍來摻雜。另外，上部電極界面層和下部電極界面層的厚度，為了充分達(dá)到上述目的而只要設(shè)定在0.05pm1nm之間即可。另外，上述的下部電極界面層、半導(dǎo)體膜、上部電極界面層，在真空度10—310—7丁0汀之間的真空槽內(nèi)，使基板保持在常溫至70'C之間，加入了上述各合金的船型器皿(boat)或者坩堝進(jìn)行電阻加熱或者通過電子束來升溫，使合金、化合物蒸發(fā)或升華，從而層疊在基板上。當(dāng)合金、化合物的蒸發(fā)溫度的差異大時(shí)，也可通過同時(shí)加熱與多個(gè)蒸發(fā)源對(duì)應(yīng)的多個(gè)船型器皿并且對(duì)每個(gè)進(jìn)行控制，由此對(duì)添加濃度、摻雜濃度進(jìn)行控制。例如，將As2Se3、a—Se、LiF各自放入船型器皿內(nèi)，對(duì)As2Se3的船型器皿設(shè)為340°C、對(duì)a—Se的船型器皿設(shè)為240°C、對(duì)LiF的船型器皿設(shè)為80(TC，來打開/關(guān)閉各船型器皿的快門，通過這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)a—SeAs10%:LiF500ppm/a—Se/a—SeAs10%這樣的分層結(jié)構(gòu)。另外，偏壓電極7是金屬薄膜，作為材料只要由Au、Ni、Cr、Pt、Ti、Al、Cu、Pd、Ag、Mg、MgAg320。/。合金、Mg—Ag系金屬間化合物、MgCu320n/。合金、Mg—Cu系金屬間化合物等的金屬來形成即可。例如，使用了Au時(shí)，優(yōu)選厚度為15nm200nm左右。例如，優(yōu)選地，使用MgAg320。/。合金，并將厚度設(shè)為100nm400nm左右。偏壓電極7通過蒸鍍形成在半導(dǎo)體膜6的上面。例如，通過電阻加熱方式在船型器皿內(nèi)金屬塊融解后打開快門，蒸鍍15秒并暫時(shí)冷卻。然后，多次重復(fù)進(jìn)行直到電阻值足夠低為止，由此形成偏壓電極7。須指出的是，上述第一至第三實(shí)施方式的放射線圖像檢測(cè)器，是直接受到放射線的照射而產(chǎn)生電荷的、所謂的直接變換型的放射線圖像檢測(cè)器，但是本發(fā)明的圖像檢測(cè)器不限于直接變換型的放射線圖像檢測(cè)器，還可以適用于將放射線由熒光體暫時(shí)變換為光，并且受到該光的照射而產(chǎn)生電荷的、所謂的間接變換型的放射線圖像檢測(cè)器。在間接變換型的放射線圖像檢測(cè)器中，在半導(dǎo)體膜6上形成熒光體的層，使熒光體暫時(shí)吸收X線，此時(shí)受到從熒光體產(chǎn)生的光而半導(dǎo)體膜6產(chǎn)生電荷，其中半導(dǎo)體膜6的優(yōu)選厚度為lpm2(Him左右。由此，按每個(gè)像素的電荷收集電極11的靜電電容增大，所以，很多情況下如直接變換型那樣不另外形成電荷蓄積電容5。在間接變換型的放射線圖像檢測(cè)器中，如直接變換型的放射線圖像檢測(cè)器那樣也可連續(xù)形成半導(dǎo)體膜6，但是很多情況下使用具有按每個(gè)像素劃分的半導(dǎo)體層6的光檢測(cè)元件陣列。在該情況下，偏壓電極7由公共布線連接。在間接變換型的放射線圖像檢測(cè)器中，由于不需要將多吸收X線的素材用作半導(dǎo)體膜6，因此能夠使用非晶硅(a—Si)或形成電荷產(chǎn)生層與電荷傳輸層的層疊構(gòu)造的有機(jī)化合物等。例如，通過氣相成長(zhǎng)法、旋轉(zhuǎn)涂布法或浸漬涂布法來連續(xù)形成半導(dǎo)體膜6，由此能夠?qū)雽?dǎo)體膜6層疊在TFT開關(guān)4上。作為電荷產(chǎn)生層能夠采用苯并咪唑二萘嵌苯(benzimidazoleperylene)、羥基鎵酞菁(hydroxygalliumphthalocyanine)、鈦氧酞菁(titanylphthalocyanine)，作為電荷傳輸層能夠采用四苯基甲烷(tetraphenyldiamine)等。另外，在間接變換型的放射線圖像檢測(cè)器中，作為偏壓電極7需要透過由吸收了X線的熒光體產(chǎn)生的光，所以使用ITO或IZO等的光透過性電極。權(quán)利要求1、一種圖像檢測(cè)器，具備并列配置的多個(gè)掃描布線；與該掃描布線交叉設(shè)置，并且與形成有該掃描布線的金屬層隔著絕緣膜，由不同的金屬層所形成的多個(gè)數(shù)據(jù)布線；以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管，其與上述掃描布線和上述數(shù)據(jù)布線連接；以矩陣狀設(shè)置的傳感部，其與該薄膜晶體管連接，并且具有在被照射電磁波時(shí)產(chǎn)生電荷的半導(dǎo)體膜；和多個(gè)公共布線，其為了向上述以矩陣狀設(shè)置的傳感部共同施加偏壓電壓而設(shè)置，相對(duì)于上述傳感部的半導(dǎo)體膜位于更下層，且與形成有上述掃描布線的金屬層和形成有上述數(shù)據(jù)布線的金屬層隔著絕緣膜，由不同的金屬層所形成。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述公共布線與上述數(shù)據(jù)布線并行配置。3、根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述公共布線在形成有上述薄膜晶體管的源電極和漏電極的金屬層形成。4、根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述傳感部各自具有蓄積電容，該蓄積電容蓄積因被照射電磁波而在上述半導(dǎo)體膜產(chǎn)生的電荷；上述公共布線與上述蓄積電容連接。5、根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述傳感部各自具有偏壓電極，該偏壓電極向上述半導(dǎo)體膜施加偏壓電壓；上述公共布線與上述偏壓電極連接。6、根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述數(shù)據(jù)布線配置在絕緣膜上，該絕緣膜設(shè)置在形成有上述薄膜晶體管的源電極和漏電極的金屬層上。7、根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，還包括基板；第一金屬層，其形成上述掃描布線和上述薄膜晶體管的柵電極；單層或多層的第一絕緣膜；第二金屬層，其形成上述薄膜晶體管的源電極、漏電極、上述蓄積電容下部電極和上述公共布線；單層或多層的第二絕緣膜；第三金屬層，其形成上述數(shù)據(jù)布線和上述蓄積電容上部電極；單層或多層的第三絕緣膜；第四金屬層，其形成將上述電荷收集到上述蓄積電容的電荷收集電極；半導(dǎo)體膜，其在被照射電磁波時(shí)產(chǎn)生上述電荷；和偏壓電極，其向上述半導(dǎo)體膜施加偏壓電壓；并且，上述的部件按照上述順序被層疊。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，在上述數(shù)據(jù)布線與上述掃描布線之間層疊有上述第一絕緣膜、半導(dǎo)體膜、上述第二絕緣膜。9、根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述蓄積電容上部電極隔著上述第二絕緣膜，配置在上述薄膜晶體管的上部。10、根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述數(shù)據(jù)布線延伸至上述薄膜晶體管的上部。11、根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述第二絕緣膜的膜厚比上述第一絕緣膜的膜厚更厚。12、根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像檢測(cè)器，其特征在于，上述第二絕緣膜的介電常數(shù)比上述第一絕緣膜的介電常數(shù)更低。13、一種放射線檢測(cè)系統(tǒng)，具備-權(quán)利要求1所述的圖像檢測(cè)器；信號(hào)處理部，其處理從上述圖像檢測(cè)器輸出的信號(hào)；存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)從上述信號(hào)處理部輸出的處理完成信號(hào)；顯示部，其根據(jù)從上述信號(hào)處理部輸出的處理完成信號(hào)，顯示圖像；和放射線源，其向上述圖像檢測(cè)器射出放射線。14、一種圖像檢測(cè)器，具有基板；第一金屬層，其形成并列配置的多個(gè)掃描布線、以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管的柵電極、與該薄膜晶體管連接并且蓄積因被照射電磁波而產(chǎn)生的電荷的蓄積電容的下部電極、以及為了向該蓄積電容下部電極施加偏壓電壓而設(shè)置的多個(gè)公共布線；單層或多層的第一絕緣膜；第二金屬層，其形成上述薄膜晶體管的源電極、漏電極和上述蓄積電容的上部電極；單層或多層的第二絕緣膜；第三金屬層，其形成與上述掃描布線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)布線；單層或多層的第三絕緣膜；第四金屬層，其形成將上述電荷收集到上述蓄積電容的電荷收集電極；半導(dǎo)體膜，其在被照射電磁波時(shí)產(chǎn)生上述電荷；和偏壓電極，其向上述半導(dǎo)體膜施加偏壓電壓；并且，上述的部件按照上述順序被層疊。15、一種圖像檢測(cè)器，包括基板；第一金屬層，其形成并列配置的多個(gè)掃描布線和以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管的柵電極；單層或多層的第一絕緣膜；第二金屬層，其形成上述薄膜晶體管的源電極、漏電極、以及蓄積因被照射電磁波而產(chǎn)生的電荷的蓄積電容的下部電極；單層或多層的第二絕緣膜；第三金屬層，其與和上述掃描布線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)布線、上述蓄積電容的上部電極、以及上述數(shù)據(jù)布線并行，形成為了向上述蓄積電容的下部電極施加偏壓電壓而設(shè)置的多個(gè)公共布線；單層或多層的第三絕緣膜；第四金屬層，其形成將上述電荷收集到上述蓄積電容的電荷收集電極；半導(dǎo)體膜，其若被照射電磁波則產(chǎn)生上述電荷；禾口偏壓電極，其向上述半導(dǎo)體膜施加偏壓電壓；并且，上述的部件按照上述順序被層疊。全文摘要一種圖像檢測(cè)器，具備并列配置的多個(gè)掃描布線；與該掃描布線交叉的多個(gè)數(shù)據(jù)布線；以矩陣狀設(shè)置的薄膜晶體管，其與掃描布線和數(shù)據(jù)布線連接；以矩陣狀設(shè)置的傳感部，其與薄膜晶體管連接；和多個(gè)公共布線，其以矩陣狀形成，向傳感部共同施加偏壓電壓。通過隔著絕緣膜而設(shè)置的彼此不同的金屬層形成掃描布線(101)、數(shù)據(jù)布線(3)和公共布線(102)的每一個(gè)。從而降低電子噪聲，提高檢測(cè)圖像的畫質(zhì)。文檔編號(hào)H01L27/146GK101207143SQ20071015971公開日2008年6月25日申請(qǐng)日期2007年12月20日優(yōu)先權(quán)日2006年12月20日發(fā)明者岡田美廣,吉見琢也申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社