專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用凸點(diǎn)的芯片尺寸封裝所適用的半導(dǎo)體器件以及 用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
己經(jīng)提出了各種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)。例如，伴隨著封裝件 的小型化，已經(jīng)提出了一種稱為芯片尺寸封裝件的結(jié)構(gòu)，其中在半導(dǎo) 體芯片的器件制造面的鈍化層(保護(hù)層)上形成再配線(用于封裝目 的的配線)。
關(guān)于芯片尺寸封裝件，已經(jīng)提出例如一種用于通過以下方式形 成封裝件(半導(dǎo)體器件)的方法，即借助于接合引線在半導(dǎo)體芯片 的電極片上形成凸點(diǎn)，并且形成與凸點(diǎn)連接的再配線圖案(例如參見
專利文獻(xiàn)l: JP-A-9-64049)。
然而，在結(jié)合JP-A-9-64049所描述的方法中，當(dāng)通過接合形成 與凸點(diǎn)連接的再配線時(shí)，會(huì)出現(xiàn)需要調(diào)整(調(diào)平)凸點(diǎn)高度的問題。
例如，利用例如接合機(jī)形成借助于接合引線形成的凸點(diǎn)。通過 將接合引線從凸點(diǎn)連續(xù)地連接到電極片并且切割所接合的接合引線 來形成凸點(diǎn)。
因此，利用接合引線形成的凸點(diǎn)距離形成凸點(diǎn)的平面(即電極 片)的高度發(fā)生變化。這種變化造成在形成與凸點(diǎn)連接的再配線圖案 過程中的困難。為此，需要通過向凸點(diǎn)施加預(yù)定重量來修平凸點(diǎn)的步 驟。
通常以晶片級(jí)進(jìn)行這種凸點(diǎn)的修平(平坦化)(在通過切割將 芯片分離成小塊之前)。然而，在近來成為主流的直徑為300ram的晶 圓的情況下，當(dāng)修平在晶圓面內(nèi)形成的多個(gè)凸點(diǎn)時(shí)，會(huì)出現(xiàn)修平之后 獲得的高度變化增大的問題。
例如，當(dāng)凸點(diǎn)的高度變化增大時(shí)，凸點(diǎn)及與其連接的再配線圖 案之間的連接狀態(tài)出現(xiàn)變化，這轉(zhuǎn)而又出現(xiàn)半導(dǎo)體器件(封裝件)的 可靠性降低的問題。
此外，在結(jié)合JP-A-9-64049所描述的方法中，形成絕緣層以便 覆蓋凸點(diǎn)。因此，需要研磨絕緣層以便使凸點(diǎn)露出的步驟。為了在研 磨步驟之后形成再配線圖案，當(dāng)采用非電解電鍍技術(shù)時(shí)，需要粗化絕 緣層的表面的處理(所謂的去污處理)。因此，形成電鍍層的處理變 得復(fù)雜。這轉(zhuǎn)而增加了制造半導(dǎo)體器件(封裝件)的成本。
通過濺射或CVD形成導(dǎo)電層也是可行的。然而，該方法需要昂 貴的具有真空處理容器的膜生長(zhǎng)裝置，這也會(huì)增加制造成本。因而該 方法是不現(xiàn)實(shí)的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明所要迎接的集中挑戰(zhàn)是提供一種新穎、實(shí)用的解 決上述問題的半導(dǎo)體器件以及提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
本發(fā)明所要迎接的具體挑戰(zhàn)是提供一種可以以低成本制造的高 度可靠的半導(dǎo)體器件以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
從本發(fā)明的第一觀點(diǎn)來看，通過一種用于制造半導(dǎo)體器件的方
法可以解決上述問題，該方法包括第一步驟，其在電極片上形成具 有凸出部分的凸點(diǎn)，所述電極片形成在基板的與半導(dǎo)體芯片對(duì)應(yīng)的區(qū) 域中；第二步驟，其在所述基板上形成絕緣層和導(dǎo)電層；第三步驟， 其擠壓所述導(dǎo)電層，從而壓制所述導(dǎo)電層上露出的所述凸出部分的末 端；第四步驟，其通過電解電鍍形成與所述凸點(diǎn)連接的導(dǎo)電圖案，在 電解電鍍過程中，把所述導(dǎo)電層當(dāng)作供電層(feeding layer);以 及第五步驟，其將所述基板分離成單獨(dú)的小塊。
從本發(fā)明的第二觀點(diǎn)來看，通過一種半導(dǎo)體器件可以解決上述 問題，該半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體芯片，其上形成有電極片；凸點(diǎn)， 其形成于所述各個(gè)電極片上并具有凸出部分；絕緣層，其形成于所述 半導(dǎo)體芯片上；以及導(dǎo)電圖案，其與所述凸點(diǎn)連接，其中，所述凸出 部分的末端插入所述導(dǎo)電圖案中，并且所述插入的末端被平坦化。
本發(fā)明能夠提供一種可以以低成本制造的高度可靠的半導(dǎo)體器 件以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。


圖1是示出第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的視圖； 圖2是圖1的局部放大圖3A是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分1);
圖3B是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分2);
圖3C是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分3);
圖3D是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分4);
圖3E是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分5);
圖3F是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分6);
圖3G是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分7);
圖3H是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分8);
圖31是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分9);
圖3J是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖
(部分10);
圖3K是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分11);
圖3L是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分12);
圖3M是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖 (部分13);
圖4A是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖
(部分14);
圖4B是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖
(部分15);
圖4C是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖
(部分16);
圖4D是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖
(部分17);
圖4E是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的視圖
(部分18);
圖5是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的修改例 的視圖(部分1);以及
圖6是示出用于制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的修改例 的視圖(部分2)。
具體實(shí)施例方式
用于制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法包括第一步驟，其在基
板的與半導(dǎo)體芯片對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成的電極片上形成具有凸出部分
的凸點(diǎn)；第二步驟，其在所述基板上形成絕緣層和導(dǎo)電層；第三步驟，
其擠壓所述導(dǎo)電層，從而壓制所述導(dǎo)電層上露出的所述凸出部分的末
端；第四步驟，其通過電解電鍍形成與所述凸點(diǎn)連接的導(dǎo)電圖案，在 電解電鍍過程中，把所述導(dǎo)電層當(dāng)作供電層；以及第五步驟，其將所
述基板分離成單獨(dú)的小塊。
在制造半導(dǎo)體器件的方法中，擠壓導(dǎo)電層，并壓制導(dǎo)電層上露 出的凸點(diǎn)的末端。因此，凸出部分的末端被壓制在導(dǎo)電層上，并且凸 點(diǎn)和導(dǎo)電層之間的接觸面積增大，從而保證了凸點(diǎn)和導(dǎo)電層之間的連 接可靠性。
根據(jù)該方法，凸出部分的末端被壓制在導(dǎo)電層上，因此凸點(diǎn)和
導(dǎo)電層之間的電連接可靠性不容易受到凸點(diǎn)(凸出部)的高度變化的 影響。因此，可以利用凸點(diǎn)通過簡(jiǎn)單方法形成具有優(yōu)良的連接可靠性 的再配線圖案，該凸點(diǎn)利用例如接合(接合引線)形成并涉及較大的 高度變化。此外，在上述方法中，省去了使凸點(diǎn)的凸出部分從絕緣層 露出的研磨步驟。
該方法的特征還在于，在第四步驟中，通過把導(dǎo)電層當(dāng)作供電 層，通過電解電鍍?cè)谠搶?dǎo)電層上形成導(dǎo)電圖案變得容易。例如，在電 解電鍍方法中，需要用于將電力供給到待電鍍表面的供電層(種晶 層)。然而，迄今為止，己經(jīng)采用例如非電解電鍍法或?yàn)R射法作為形 成這種供電層的方法。
然而，非電解電鍍需要用于粗化絕緣層的表面的處理(所謂的 去污處理)，這使得形成電鍍層的處理復(fù)雜化。此外，濺射法需要昂 貴的具有真空處理容器的膜生長(zhǎng)裝置，這會(huì)增加制造成本。
同時(shí)，本發(fā)明的制造方法的特征在于，省去了在真空容器中進(jìn) 行的去污處理或?yàn)R射處理，從而能夠通過簡(jiǎn)單方法容易地形成種晶 層。因此，根據(jù)該方法，簡(jiǎn)化了制造半導(dǎo)體器件的方法，并最終降低 了制造成本。
例如，在通過上述制造方法制造的半導(dǎo)體器件中，凸出部分的 末端插入導(dǎo)電圖案中，所插入的末端被壓制，從而變得平坦。因而凸 點(diǎn)和導(dǎo)電圖案之間的連接可靠性變得優(yōu)良。
接下來，在下面參照

半導(dǎo)體器件的示例結(jié)構(gòu)和用于制 造半導(dǎo)體器件的示例方法。
第一實(shí)施例
圖1是示意性示出本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的橫截面視 圖。參照?qǐng)D1，本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100通常具有這樣的結(jié)構(gòu)，艮P: 在形成電極片103的半導(dǎo)體芯片101的保護(hù)層(鈍化層)102上形成 有絕緣層105和導(dǎo)電圖案106。在這種情況下，存在這樣的情況，艮口
導(dǎo)電圖案106稱為所謂的再配線并用于封裝半導(dǎo)體芯片101。絕緣層 105由例如環(huán)氧基樹脂形成。導(dǎo)電圖案106通過堆疊由銅形成的第一
導(dǎo)電圖案107和第二導(dǎo)電圖案108而形成。
在絕緣層105上形成的導(dǎo)電圖案106與由例如金形成的凸點(diǎn)104 的凸出部分(將在后面說明)連接。具體來說，導(dǎo)電圖案106借助于 凸點(diǎn)104與半導(dǎo)體芯片101的器件連接。凸點(diǎn)104利用例如引線接合 器由接合引線形成。
在導(dǎo)電圖案106上形成有焊料凸點(diǎn)110。在凸點(diǎn)110的周圍形成 有阻焊層(絕緣層)109，以便覆蓋絕緣層105和導(dǎo)電圖案106的一 部分。
圖2是以放大方式示出半導(dǎo)體器件100的部分A(凸點(diǎn)104的鄰 近區(qū)域)的示意性橫截面視圖。與前述區(qū)域相同的區(qū)域給予相同的附 圖標(biāo)記。參照?qǐng)D2，凸點(diǎn)104與電極片103連接(接合)，并且凸點(diǎn) 104由基本上為圓形的凸點(diǎn)主體104A和從凸點(diǎn)主體104A凸出的凸出 部分104B形成。
例如，凸點(diǎn)104利用引線接合器由金制接合引線形成。引線接 合器連續(xù)進(jìn)行接合引線與電極片103的接合以及所接合的接合引線 的切割，從而形成與電極片103連接的凸點(diǎn)主體104A和從各個(gè)凸點(diǎn) 主體104A凸出的凸出部分104B。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100中，凸出部分104B由設(shè)置在凸出 部分104B的末端的平坦末端部分104D以及位于末端部分104D和凸 點(diǎn)主體104A之間的連接部分104C形成。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件100 的特征在于，凸出部分104B插入導(dǎo)電圖案106中，并且所插入的末 端部分104D壓制成平坦形狀。
例如，末端部分104D被壓制在構(gòu)成導(dǎo)電圖案106并且一個(gè)堆疊 在另一個(gè)頂部上的第一導(dǎo)電圖案107和第二導(dǎo)電圖案108之間，以便 呈現(xiàn)平坦形狀。因此，增大了凸點(diǎn)104和導(dǎo)電圖案106之間的接觸面 積，增強(qiáng)了凸點(diǎn)104和導(dǎo)電圖案106之間的電連接，并且提高了半導(dǎo) 體器件100的可靠性。用于將凸點(diǎn)104與導(dǎo)電層106連接的結(jié)構(gòu)的特 征在于，與例如銅焊等現(xiàn)有技術(shù)的連接方法相比，可以更容易地形成 該結(jié)構(gòu)，并且連接可靠性較高。
第一導(dǎo)電圖案107和第二導(dǎo)電圖案108均由例如銅形成。然而，
第一導(dǎo)電圖案107和第二導(dǎo)電圖案108也可以由除銅之外的材料形
成。第一導(dǎo)電圖案107和第二導(dǎo)電圖案108也可以由不同的金屬材料 (合金材料)形成，并且導(dǎo)電圖案106也可以實(shí)現(xiàn)為由不同材料制成 的堆疊結(jié)構(gòu)。
例如，當(dāng)形成導(dǎo)電圖案106時(shí)，將薄銅箔附著到絕緣層105上， 從而形成與第一導(dǎo)電圖案107和第二導(dǎo)電圖案108中的第一導(dǎo)電圖案 107對(duì)應(yīng)的薄導(dǎo)電層。隨后，擠壓薄銅箔，并壓制從銅箔露出的凸出 部分104B的末端。因此，形成平坦末端部分104D，并使末端部分104D 和銅箔之間的電連接優(yōu)良。接下來，基本要求是通過電解電鍍形成與 第二導(dǎo)電圖案108對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層，在電解電鍍過程中，把銅箔當(dāng)作供 電層。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D3A至3M以及圖4A至4D說明用于制造半導(dǎo)體 器件的方法。在下列附圖中，前述部件給予相同的附圖標(biāo)記，并且有 時(shí)省略其重復(fù)說明。
首先，在圖3A所示步驟中，通過公知方法制造基板IOIA，該基 板具有多個(gè)制造器件的區(qū)域101a(排列成例如網(wǎng)格圖案)。區(qū)域101a 是與半導(dǎo)體芯片101對(duì)應(yīng)的區(qū)域。在下述步驟中形成再配線(導(dǎo)電圖 案)之后，通過對(duì)基板IOIA進(jìn)行切割，于是將半導(dǎo)體器件(半導(dǎo)體 芯片101)分離成小塊。
在制造器件的區(qū)域101a的器件制造面101b上形成電極片103。 通過由例如SiN (Si3N4)形成的保護(hù)層(鈍化層)102保護(hù)器件制造 面101b中除電極片103之外的其余區(qū)域。
圖3B是以放大方式示出圖3A所示基板101A的一個(gè)區(qū)域101a 的視圖。結(jié)合圖3B及隨后的附圖，通過以形成多個(gè)區(qū)域101a的基板 IOIA的一個(gè)區(qū)域101a為例，說明制造半導(dǎo)體器件的方法。
在圖3C所示步驟中，利用例如引線接合器在各個(gè)電極片103上 由金制接合引線形成凸點(diǎn)104。圖4A以放大方式示出圖3C所示部分 C (凸點(diǎn)104)的示意圖。引線接合器連續(xù)進(jìn)行接合引線與電極片103 的連接以及所連接的接合引線的切割，從而形成與各個(gè)電極片103 連接的凸點(diǎn)主體104A和從凸點(diǎn)主體104A凸出的凸出部分104B。
接下來，在圖3D所示步驟中，在基板101A (保護(hù)層)102上形 成由例如環(huán)氧基樹脂材料制成的絕緣層105。通過例如層壓(附著) 或涂布形成絕緣層105。凸點(diǎn)104的凸出部分104B優(yōu)選形成為在絕 緣層105上露出。因此，優(yōu)選使用例如稱為NCF并且基本上不摻雜例 如填料等硬度調(diào)整材料的軟樹脂材料作為絕緣層105。使用軟樹脂材 料便于凸出部分104B從絕緣層105露出。
絕緣層105不限于上述材料，而可以利用各種絕緣材料(樹脂 材料)形成。例如，也可以采用通常使用的增層樹脂(包含填料的環(huán) 氧樹脂)或稱為ACF的樹脂材料作為絕緣層105。
在圖3E所示步驟中，將由例如薄銅膜制成的導(dǎo)電層107A附著 到絕緣層105上。例如，在將導(dǎo)電層107A堆疊在銅制的支撐層111 上的狀態(tài)下(即在通過支撐層111支撐導(dǎo)電層107A的狀態(tài)下)，將 導(dǎo)電層107A附著到絕緣層105上。
圖4B給出以放大方式示出圖3E所示部分E(凸點(diǎn)104的鄰近區(qū) 域)的示意圖。在這一步驟中，通過凸點(diǎn)104將導(dǎo)電層107A推壓成 朝向支撐層lll彎成弓形。
在圖3F所示步驟中，去除支撐導(dǎo)電層107A的支撐層111。圖 4C給出以放大方式示出圖3F所示部分F (凸點(diǎn)104的鄰近區(qū)域)的 示意圖。
在圖3G所示步驟中，擠壓并加熱一個(gè)堆疊在另一個(gè)的頂部上的 導(dǎo)電層107A和絕緣層105。圖4D給出以放大方式示出圖3G所示部 分G (凸點(diǎn)104的鄰近區(qū)域)的示意圖。在這一步驟中，首先推壓導(dǎo) 電層107A，從而凸點(diǎn)104的凸出部分104B穿透導(dǎo)電層107A。這樣， 露出凸出部分104B的末端。此外，通過擠壓將露出的凸出部分104B 的末端壓制成平坦形狀。因此，凸出部分104B由在凸出部分104B 的末端形成的平坦末端部分104D以及位于末端部分104D和凸點(diǎn)主體 104A之間的連接部分104C形成。
在這一步驟中，增大了凸點(diǎn)104和導(dǎo)電層107A之間的接觸面積， 保證了凸點(diǎn)104和導(dǎo)電層107A之間的電連接可靠性。此外，在這一 步驟中，凸出部分104B的末端被壓制在導(dǎo)電層107A上，因此凸點(diǎn)104和導(dǎo)電層107A之間的電連接可靠性不容易受到凸點(diǎn)104(凸出部 分104B)的高度變化的影響。
因此，可以利用凸點(diǎn)104通過簡(jiǎn)單方法形成具有優(yōu)良的連接可 靠性的再配線圖案，該凸點(diǎn)利用例如接合(接合引線)形成并具有較 大的高度變化。在上述方法中，省去了使凸點(diǎn)104的凸出部分104B 從絕緣層105露出的研磨步驟。
用于將凸點(diǎn)104與導(dǎo)電層106連接的方法的特征在于，該方法 比利用銅焊的現(xiàn)有技術(shù)的連接方法更簡(jiǎn)單，并且該方法具有更高的連 接可靠性。此外，導(dǎo)電層106在后述電解電鍍步驟中用作供電層(種 晶層)。
在這一步驟中，絕緣層105與導(dǎo)電層107A—起被擠壓并加熱， 從而使絕緣層105固化(熱固)。因此，絕緣層105和導(dǎo)電層107A 之間的附著性變得優(yōu)良。
在圖3H至3J所示步驟中，通過電解電鍍形成與凸點(diǎn)104連接 的導(dǎo)電圖案106，在電解電鍍過程中，把導(dǎo)電層107A當(dāng)作供電層(種 晶層)。例如，可以使用減成法和半加成法作為形成導(dǎo)電圖案106 的方法。在本實(shí)施例中，將對(duì)減成法進(jìn)行說明。減成法是用于對(duì)通過 電鍍形成的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案蝕刻從而形成導(dǎo)電圖案的方法。半加成法 是用于通過使用掩模圖案的圖案電鍍(pattern plating)形成導(dǎo)電 圖案的方法。
在圖3H所示步驟中，通過電解電鍍?cè)趯?dǎo)電層107A上堆疊例如 銅制的導(dǎo)電層108A，在電解電鍍過程中，把導(dǎo)電層107A當(dāng)作供電層。 圖4E是以放大方式示出圖3H所示部分H (凸點(diǎn)104的鄰近區(qū)域)的 示意圖。
在這一步驟中，用通過電解電鍍形成的導(dǎo)電層108A覆蓋導(dǎo)電層 107A和在導(dǎo)電層107A上露出的平坦末端部分104D。具體來說，將末 端部分104D夾在^電層107A和導(dǎo)電層108A之間。
在圖3I所示步驟中，在導(dǎo)電層108A上形成具有開口 Ra的掩模 圖案Ri?？梢越柚谕ㄟ^膜的涂布或附著進(jìn)行的樹脂層的形成以及
通過光刻進(jìn)行的樹脂層的圖案化來形成掩模圖案Rl。
在圖3J所示步驟中，通過把掩模圖案Rl當(dāng)作掩模，對(duì)導(dǎo)電層
107A和108A進(jìn)行圖案蝕刻，從而形成導(dǎo)電圖案106，導(dǎo)電圖案106 由第一導(dǎo)電層107和第二導(dǎo)電層108堆疊而成，并與凸點(diǎn)104連接。
例如，第一導(dǎo)電圖案107形成為2pm到3pm的厚度，而第二導(dǎo) 電圖案108形成為30|im到40pm的厚度。然而，這些數(shù)值僅僅是實(shí) 例，本發(fā)明不限于這些數(shù)值。
在形成導(dǎo)電圖案106時(shí)，把導(dǎo)電層107A當(dāng)作供電層，從而便于 利用電解電鍍。
例如，當(dāng)通過非電解電鍍形成供電層(種晶層)時(shí)，需要粗化 絕緣層的表面的處理(所謂的去污處理)，這轉(zhuǎn)而使形成電鍍層的過 程復(fù)雜。此外，當(dāng)通過濺射法形成供電層時(shí)，需要昂貴的具有真空處 理容器的膜生長(zhǎng)裝置，這會(huì)增加制造成本。
同時(shí)，本實(shí)施例的方法的特征在于，省去了在真空容器中進(jìn)行 的去污處理或?yàn)R射處理，并且能夠通過簡(jiǎn)單方法容易地形成供電層 (即導(dǎo)電層107A)。因此，通過本實(shí)施例的方法簡(jiǎn)化了制造半導(dǎo)體 器件的方法，并縮減了制造成本。
接下來，在圖3K所示步驟中，根據(jù)需要，在粗化導(dǎo)電圖案(銅) 106的表面之后，在絕緣層105上形成具有開口 109A的阻焊層(絕 緣層)109。導(dǎo)電圖案106的一部分通過開口 109A露出。
在圖3L所示步驟中，根據(jù)需要，將基板IOIA的背部研磨成預(yù) 定厚度。
接下來，在圖3M所示步驟中，根據(jù)需要，在導(dǎo)電圖案106的從 開口 109A露出的一部分上形成焊料凸點(diǎn)110。此外，將基板101A分 塊，從而將半導(dǎo)體芯片分離成小塊。這樣，可以制造出前面參照?qǐng)Dl 和圖2所描述的半導(dǎo)體器件100。
在上述制造方法中，通過減成法形成導(dǎo)電圖案106。然而，也可 以利用半加成法形成導(dǎo)電圖案106。在這種情況下，基本要求是在 上述制造方法中進(jìn)行與圖3A至3G所示步驟有關(guān)的處理之后，進(jìn)行與 下述步驟有關(guān)的處理，以代替與圖3H至3J所示步驟有關(guān)的處理。例 如，如圖5所示，在導(dǎo)電層107A上形成具有開口 Rb的掩模圖案R2。
可以借助于通過膜的涂布或附著進(jìn)行的樹脂層的形成以及通過光刻 進(jìn)行的樹脂層的圖案化來形成掩模圖案R2。
接下來，通過電解電鍍?cè)趯?dǎo)電層107A的從開口 Rb露出的一部 分上形成第二導(dǎo)電圖案，在電解電鍍過程中，把導(dǎo)電層107A當(dāng)作供 電層(種晶層)。在圖案電鍍之后，剝離掩模圖案R2。此外，蝕刻 掉由于剝離掩模圖案R2而露出的多余的供電層107A。因此，可以形 成圖3J所示的導(dǎo)電圖案106。
在該制造方法中，在圖3D和3E所示步驟中，在基板101A上形 成絕緣層105之后，將導(dǎo)電層107A附著到絕緣層105上。然而，也 可以將由絕緣層105和導(dǎo)電層107A預(yù)先堆疊成的層附著到基板101A 上。
在這種情況下，基本要求是在上述制造方法中進(jìn)行與圖3A至 3C所示步驟有關(guān)的處理之后，進(jìn)行與下述步驟有關(guān)的處理，以代替 與圖3D和3E所示步驟有關(guān)的處理。例如，如圖6所示，也可以將堆 疊在支撐層111上的絕緣層105和導(dǎo)電層107A附著到基板101A上。
隨后，進(jìn)行與圖3F所示的前述步驟及隨后步驟有關(guān)的處理，從 而可以制造出半導(dǎo)體器件100。
到此為止，已經(jīng)結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明。然而， 本發(fā)明不限于上述特定實(shí)施例，在所附權(quán)利要求書所限定的要旨的范 圍內(nèi)可以進(jìn)行各種修改或變化。
本發(fā)明能夠提供一種可以以低成本制造的高度可靠的半導(dǎo)體器 件以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括第一步驟，其在電極片上形成具有凸出部分的凸點(diǎn)，所述電極片形成在基板的與半導(dǎo)體芯片對(duì)應(yīng)的區(qū)域中；第二步驟，其在所述基板上形成絕緣層和導(dǎo)電層；第三步驟，其擠壓所述導(dǎo)電層，從而壓制所述導(dǎo)電層上露出的所述凸出部分的末端；第四步驟，其通過電解電鍍形成與所述凸點(diǎn)連接的導(dǎo)電圖案，在電解電鍍過程中，把所述導(dǎo)電層當(dāng)作供電層；以及第五步驟，其將所述基板分離成單獨(dú)的小塊。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中， 所述第二步驟包括以下步驟 在所述基板上形成所述絕緣層；將堆疊在支撐層上的所述導(dǎo)電層附著到所述絕緣層上；以及 去除所述支撐層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中， 所述第二步驟包括以下步驟將堆疊在支撐層上的所述絕緣層和所述導(dǎo)電層附著到所述基板 上；以及去除所述支撐層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中， 在所述第三步驟中，所述絕緣層與所述導(dǎo)電層一起被擠壓并加熱，以使所述絕緣層固化。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中， 在所述第一步驟中，由接合引線形成所述凸點(diǎn)。
6. —種半導(dǎo)體器件，包括 半導(dǎo)體芯片，其上形成有電極片；凸點(diǎn)，其形成于所述各個(gè)電極片上并具有凸出部分； 絕緣層，其形成于所述半導(dǎo)體芯片上；以及 導(dǎo)電圖案，其與所述凸點(diǎn)連接，其中，所述凸出部分的末端插入所述導(dǎo)電圖案中，并且 所述插入的末端被平坦化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述末端在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案之間被平坦化，所述 第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案構(gòu)成所述導(dǎo)電圖案并且一個(gè)堆疊 在另一個(gè)頂部上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包括以下部件的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體芯片，其上形成有電極片；凸點(diǎn)，其形成于所述各個(gè)電極片上并具有凸出部分；絕緣層，其形成于所述半導(dǎo)體芯片上；以及導(dǎo)電圖案，其與所述凸點(diǎn)連接，其中，所述凸出部分的末端插入所述導(dǎo)電圖案中，并且所述插入的末端被平坦化。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101170072SQ200710151489
公開日2008年4月30日 申請(qǐng)日期2007年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月24日
發(fā)明者山野孝治, 町田洋弘 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社