專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置以及電子器械的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置的像素部的結(jié)構(gòu)
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)于比傳統(tǒng)的顯像管薄且輕的顯示裝置，即所謂的平板
顯示器(flat panel display)的開(kāi)發(fā)不斷發(fā)展。作為平板顯示器的典型 例子，液晶顯示裝置已經(jīng)是眾所周知的。此外，作為一種新平板顯示 器，已經(jīng)進(jìn)行了利用場(chǎng)致發(fā)光元件(EL元件)的顯示裝置的開(kāi)發(fā)。
液晶顯示裝置在兩個(gè)透基板明基板之間密封液晶，通過(guò)施加電壓 控制液晶分子的取向而使透光率改變，從而光學(xué)性地顯示預(yù)定的圖像 等。因?yàn)橐壕П旧聿皇前l(fā)光體，所以液晶顯示裝置在液晶顯示面板背 面部具有用作光源的背光燈單元。
另外，EL元件具有在一對(duì)電極之間夾住場(chǎng)致發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)。EL 元件通過(guò)對(duì)一對(duì)電極之間施加電壓而發(fā)光。使用該EL元件形成像素， 可以構(gòu)成顯示裝置。
總之，為了構(gòu)成平板顯示器的像素，需要電級(jí)。像素電極由透光 導(dǎo)電膜形成，這是因?yàn)橄袼仉姌O需要透過(guò)光線(xiàn)的緣故。作為透光導(dǎo)電 膜的典型例子，氧化銦-氧化錫(ITO: Indium Tin Oxide)是眾所周知的。
作為透光導(dǎo)電膜的主原料使用的銦是在鋅精煉過(guò)程中產(chǎn)生的微量 副產(chǎn)物，從世界范圍來(lái)看，其生產(chǎn)量極少，因此，平板顯示器的生產(chǎn) 量越大，銦的稀有性和價(jià)格越高。銦的價(jià)格高漲不僅造成生產(chǎn)成本增 加，如果不能滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求，也對(duì)平板顯示器的生產(chǎn)量構(gòu)成限制。 也就是說(shuō)，銦的供應(yīng)不足成為阻礙產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的因素。由此，作為替代 品，已知例如使用鉿的透光導(dǎo)電膜(參照專(zhuān)利文件1)。然而，稀有金 屬鉿的儲(chǔ)量也很少，其供應(yīng)的不穩(wěn)定性是不能否認(rèn)的。
專(zhuān)利文件1日本特開(kāi)2003-59343號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
為了消除上述社會(huì)不穩(wěn)定因素，本發(fā)明的目的是提供一種不使用 按照慣例所需要的氧化物透光導(dǎo)電膜的顯示裝置。此外，本發(fā)明的目 的是提供一種包括使用新的電極材料的顯示裝置的電子器械。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于使用含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴 傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物的透光導(dǎo)電膜形成像 素或像素部的電極。通過(guò)復(fù)合空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴傳輸 性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物，使電阻率達(dá)到lxl06Q'cm 以下，從而可以發(fā)揮像素電極的作用。
通過(guò)本發(fā)明，不需要使用特定稀有物質(zhì)來(lái)形成透明電級(jí)，從而能 夠降低以平板顯示器為代表的電子器械的制造成本。此外，含有空穴 傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金 屬氧化物的透光導(dǎo)電膜在化學(xué)上穩(wěn)定性好，因此可以提高電子器械的 質(zhì)量。


圖l是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置的圖。
圖2是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置的圖。
圖3是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置的圖。
圖4A和4B是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置的圖。
圖5A和5B是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置的圖。
圖6A和6B是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光元件的圖。
圖7A和7B是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光元件的圖。
圖8A和8B是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光元件的圖。
圖9A和9B是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光元件的圖。
圖IO是說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光元件的圖。
圖11是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖12是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖13是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖14是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖15是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖16是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖17是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖；圖18是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖19是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖20是說(shuō)明實(shí)施方式7所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖21是說(shuō)明實(shí)施方式8所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖22是說(shuō)明實(shí)施方式8所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖23是說(shuō)明實(shí)施方式8所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖24是說(shuō)明實(shí)施方式8所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖25是說(shuō)明實(shí)施方式9所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖26是說(shuō)明實(shí)施方式9所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖27是說(shuō)明實(shí)施方式9所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖28是說(shuō)明實(shí)施方式9所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖29是說(shuō)明實(shí)施方式9所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖30是說(shuō)明實(shí)施方式9所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖31是說(shuō)明實(shí)施方式9所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖32是說(shuō)明實(shí)施方式IO所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖33是說(shuō)明實(shí)施方式10所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖34是說(shuō)明實(shí)施方式IO所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖35是說(shuō)明實(shí)施方式10所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖36是說(shuō)明實(shí)施方式10所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖37是說(shuō)明實(shí)施方式10所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖38是說(shuō)明實(shí)施方式10所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖39是說(shuō)明實(shí)施方式11所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖40是說(shuō)明實(shí)施方式11所涉及的液晶顯示裝置的圖； 圖41是說(shuō)明實(shí)施方式12所涉及的電視裝置的結(jié)構(gòu)的圖； 圖42是說(shuō)明實(shí)施方式12所涉及的電視裝置的結(jié)構(gòu)的圖； 圖43是說(shuō)明實(shí)施方式13所涉及的手機(jī)的結(jié)構(gòu)的圖； 圖44是說(shuō)明實(shí)施方式13所涉及的手機(jī)的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式將參照附圖給予詳細(xì)說(shuō)明。但是， 本發(fā)明不局限于以下說(shuō)明的內(nèi)容，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以很容易地 理解一個(gè)事實(shí)就是其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍
下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限定 在以下所述的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。 實(shí)施方式1
在本實(shí)施方式中，將說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置中所用的復(fù)合材料。 注意，在本說(shuō)明書(shū)中，復(fù)合不是指僅混合兩種材料，而是指混合多種 材料而成為能夠在材料之間授受電荷的狀態(tài)。
用于本發(fā)明的復(fù)合材料為通過(guò)復(fù)合有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物而成 的復(fù)合材料。作為用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物，可以使用各種化合物， 如芳香胺化合物、呼唑衍生物、芳烴和高分子化合物(低聚物、樹(shù)枝 狀聚合物或聚合物等)等。注意，用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物優(yōu)選為
具有高空穴傳輸性的有機(jī)化合物。具體地，優(yōu)選使用具有l(wèi)xl(T6cm2/Vs 以上的空穴遷移率的物質(zhì)。然而，還可以使用除這些之外的其它物質(zhì)， 只要其空穴傳輸性高于其電子傳輸性。下面具體列舉可以用于復(fù)合材 料的有機(jī)化合物。
例如，作為芳香胺化合物，可以列舉4，4，-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨 基I聯(lián)苯(縮寫(xiě)NPB); 4，4，-雙[N-(3-曱基苯基)-N-苯基氨基聯(lián)苯(縮 寫(xiě)TPD) ; 4,4，，4"-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(縮寫(xiě)TDATA); 以及4，4，，4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(縮寫(xiě) MTDATA)等。
此外，可以通過(guò)使用下面所示的有機(jī)化合物，獲得在450至800nm 的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。另外，與此同時(shí)可以使電阻率 為lxl()6Q.cm以下，典型為5xl04Q.cm至lxl06Q.cm。
作為在450至800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料中所包 含的芳香胺，可以列舉N，N，-二(對(duì)曱苯基)-N，N，-二苯基-對(duì)苯二胺(縮 寫(xiě)DTDPPA) ; 4，4，-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基聯(lián)苯(縮 寫(xiě)DPAB) ; 4，4，-雙(N-(4-[N-(3-曱基苯基)-N-苯基氨基苯基卜N-苯基 氨基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)DNTPD);以及l(fā)，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯 (縮寫(xiě)DPA3B)等。
作為可以用于在450至800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材 料的呼唑衍生物，具體地可以列舉3-[N-(9-苯基呼唑-3-基)-N-苯基氨 基卜9-苯基啼唑(縮寫(xiě)PCzPCAl) ; 3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基-9-苯基咔唑(縮寫(xiě)PCzPCA2);以及3-[]^-(1-萘基)-1^(9-
苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(縮寫(xiě)PCzPCNl)等。
此外，還可以使用4，4，-二(N-咔唑基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)CBP) ; 1,3,5-三[4-(N-呼唑基)苯基苯(縮寫(xiě)TCPB);弘[一(N-味唑基)]苯基-10-苯 基蒽(縮寫(xiě)CzPA);以及2，3，5，6-四苯基-l，4-雙[4-(N-咔唑基)苯基苯等。
另外，作為可以用于在450至800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的 復(fù)合材料的芳烴，例如可以列舉9,10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě) t-BuDNA) ; 9，10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽；9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽 (縮寫(xiě):DPPA); 9，10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuDBA); 9，10-二(萘-2-基)蒽(縮寫(xiě):DNA) ; 9,10-二苯基蒽(縮寫(xiě):DPAnth); 2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuAnth) ; 9，10-二(4-甲基萘-l-基)蒽(縮寫(xiě) DMNA) ; 2-叔丁基-9，10-雙[2-(萘-l-基)苯基蒽；9，10-雙[2-(萘-1-基)苯 基蒽；2，3,6,7國(guó)四曱基畫(huà)9，10國(guó)二(萘國(guó)1國(guó)基)蒽；2，3，6,7-四曱基國(guó)9，10-二(萘畫(huà)2國(guó) 基)蒽； 9，9，-聯(lián)二蒽(bianthryl); 10，10，-二苯基-9，9，-聯(lián)二蒽；10，10，-二(2-苯基苯基)-9，9，-聯(lián)二蒽；10,10，-雙[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9，-聯(lián)二蒽； 蒽；并四苯；紅熒烯；二萘嵌苯；以及2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯 等。此外，還可以使用并五苯或暈苯等。像這樣，更優(yōu)選使用具有1 x l(T6cm2/Vs以上的空穴遷移率且碳原子數(shù)為14到42的芳烴。
可以用于在450至800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料的 芳烴還可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以列舉 4，4，-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)DPVBi);以及9，10-雙[4-(2，2國(guó) 二苯基乙烯基)苯基蒽 (縮寫(xiě)DPVPA)等。
此外，還可以使用高分子化合物，諸如聚(4-[N-(4-二苯氨基苯 基)-N-苯基氨基苯乙烯)(縮寫(xiě):PStDPA)、聚{4-[]\-(9-咔唑-3-基)-N-苯基氨基l苯乙烯}(縮寫(xiě)PStPCA)、聚(N-乙烯基咔唑)(縮寫(xiě) PVK)和聚(4-乙烯基三苯胺)(縮寫(xiě)PVTPA)等。
此外，作為用于復(fù)合材料的無(wú)機(jī)化合物，優(yōu)選使用過(guò)渡金屬氧化 物。而且，優(yōu)選為屬于元素周期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。
具體地，優(yōu)選使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化 鵠、氧化錳和氧化錸，因?yàn)樗鼈兙哂懈唠娮咏邮苄浴Ｆ渲刑貏e優(yōu)選使 用氧化鉬，因?yàn)樗诖髿庵幸卜€(wěn)定，且其吸濕性低，容易操作。
制造含有復(fù)合材料的層的方法無(wú)論是濕法或干法，可以使用任何
方法。例如，可以通過(guò)共蒸鍍上述的有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物來(lái)制造 含有復(fù)合材料的層。注意，在使用氣相沉積法形成含有復(fù)合材料的層 的情況下，從制造工藝方面來(lái)看，優(yōu)選使用氧化鉬，因?yàn)檠趸f在真 空中容易蒸發(fā)。此外，還可以通過(guò)涂敷含有上述有機(jī)化合物和金屬醇 鹽的溶液并進(jìn)行鍛燒，從而獲得含有復(fù)合材料的層。作為涂敷的方法， 可以采用噴墨法和旋涂法等。
本實(shí)施方式所示的復(fù)合材料具有高導(dǎo)電性，因此可以用作像素電極。
此外，因?yàn)樾纬刹季€(xiàn)等的金屬材料可能與本實(shí)施方式所示的復(fù)合 材料形成歐姆接觸，因此可以不考慮功函數(shù)而選擇形成布線(xiàn)等的材 料。
通過(guò)選擇復(fù)合材料中所包含的有機(jī)化合物的種類(lèi)，可以獲得在450 至800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。因此，在用于自發(fā)光 型發(fā)光裝置的情況下，可以使來(lái)自發(fā)光區(qū)域的發(fā)光不被吸收而高效地 透過(guò)，從而提高外部取光效率。此外，也可以使來(lái)自背光燈的光不被 吸收而高效地透過(guò)，提高外部取光效率。
此外，含有復(fù)合材料的層耐彎曲性能好。也就是說(shuō)，在使用柔性 基板來(lái)制作顯示裝置的情況下，可以適當(dāng)?shù)貞?yīng)用。
此外，含有復(fù)合了有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料的層由與 含有有機(jī)化合物而與EL層之間具有優(yōu)異的密合性，因此，可以獲得可
靠性高的發(fā)光裝置。
另外，含有復(fù)合材料的層能夠有效地將空穴注入到EL層中。因 此，當(dāng)用作發(fā)光裝置的像素電極時(shí)，可以獲得發(fā)光效率高的發(fā)光裝置。 此外，由于含有復(fù)合材料的層能夠有效地將空穴注入到EL層中，所以 優(yōu)選用作陽(yáng)極。或者，當(dāng)其用作陰極時(shí)，優(yōu)選設(shè)置含有電子傳輸性材 料和對(duì)該電子傳輸性材料顯示電子供給性的物質(zhì)的層作為與含有復(fù)合 材料的層接觸的層。
另外，由于含有復(fù)合了有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料的層 具有高導(dǎo)電性，所以即使在增加包含復(fù)合材料的層的厚度時(shí)，也可以 抑制驅(qū)動(dòng)電壓的上升。因此，能夠在抑制驅(qū)動(dòng)電壓上升的同時(shí)優(yōu)化含 有復(fù)合材料的層的膜厚，以提高向外部的取光效率。另外，在不使驅(qū) 動(dòng)電壓上升的情況下，可以通過(guò)光學(xué)設(shè)計(jì)提高色純度。 注意，本實(shí)施方式可以適當(dāng)?shù)嘏c其他實(shí)施方式組合實(shí)施。
實(shí)施方式2
在本實(shí)施方式中，對(duì)使用實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料作為發(fā)光裝 置所具有的發(fā)光元件中的電極的情況進(jìn)行說(shuō)明。
將參照?qǐng)D1和圖2說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置的一個(gè)模式。圖2 是表示發(fā)光裝置的俯視圖，圖l是沿圖2的線(xiàn)A-A，切割的截面圖。
在圖1中，被虛線(xiàn)包圍的部分為用來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件115的晶體管 114。發(fā)光元件115在第一電極111和第二電極113之間具有EL層112。 晶體管114的源電極或漏電極中的一個(gè)和第一電極111通過(guò)布線(xiàn)108、 109相互電連接，所述布線(xiàn)108、 109穿過(guò)第一層間絕緣膜106 ( 106a、 106b)。另外，通過(guò)隔壁層IIO將發(fā)光元件115與另一相鄰設(shè)置的發(fā) 光元件分隔開(kāi)。在本實(shí)施方式中，具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的發(fā)光裝置 位于形成有基底膜102的基板101上。注意，在沒(méi)有來(lái)自基板的雜質(zhì) 擴(kuò)散的情況下，并不需要設(shè)置基底膜。
圖1中所示的晶體管114為頂柵型晶體管，其中以半導(dǎo)體層為中 心在與基板相反一側(cè)設(shè)置有柵電極。然而，對(duì)于晶體管114的結(jié)構(gòu)并 沒(méi)有特別的限制。例如，可以采用底柵型晶體管。當(dāng)采用底柵型晶體 管時(shí)，可以使用在形成溝道的半導(dǎo)體層上形成有保護(hù)膜的晶體管(溝 道保護(hù)型晶體管)，或者其中形成溝道的半導(dǎo)體層的一部分凹陷的晶 體管(溝道蝕刻型晶體管)。注意，晶體管114包括柵電極105、柵絕 緣膜104以及半導(dǎo)體層103。
另外，形成晶體管114的半導(dǎo)體層可以是結(jié)晶或非晶的，也可以 是半非晶等的。
以下將描述半非晶半導(dǎo)體。半非晶半導(dǎo)體是具有在非晶和結(jié)晶(包 括單晶和多晶)結(jié)構(gòu)之間的中間結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，且具有在自由能方面
穩(wěn)定的第三態(tài)，其包括有近程有序和晶格應(yīng)變的結(jié)晶區(qū)。而且，至少 半非晶半導(dǎo)體膜的一部分區(qū)域包含0.5至20nm的晶粒。半非晶半導(dǎo)體 的拉曼光譜向比520cnT1更低的波數(shù)側(cè)位移。在X射線(xiàn)衍射中，觀察到 由于Si晶格所引起的(111)和(220)的衍射峰。在半非晶半導(dǎo)體中 包括1原子％或更多的氫或卣素，以終止懸空鍵(dangling bond)。半 非晶半導(dǎo)體也稱(chēng)作微晶半導(dǎo)體。通過(guò)輝光放電分解(等離子體CVD)
含有硅化物的氣體來(lái)形成半非晶半導(dǎo)體。作為含有硅化物的氣體，除
了 SiH4之外，還可以使用Si2H6、 SiH2Cl2、 SiHCl3、 SiClt或SiF4等。 可以用H2或H2和選自He、 Ar、 Kr和Ne中的一種或多種稀有氣體元 素來(lái)稀釋該含有硅化物的氣體，其中稀釋倍數(shù)在2 1000倍的范圍。在 輝光放電期間壓強(qiáng)大約在O.lPa至133Pa的范圍，電源頻率在lMHz 至120MHz，優(yōu)選為13MHz至60MHz的范圍。基板加熱溫度可以是 3001C以下，優(yōu)選IOOTC至2501C。作為膜中的雜質(zhì)元素，理想的是將 諸如氧、氮或碳等大氣雜質(zhì)組分控制為lxl02Gat。ms/cm3以下的濃度， 特別地，將氧濃度控制為5x l019at。ms/cm3"T，優(yōu)選1 x 10"at咖s/cm3 以下。另外，使用半非晶半導(dǎo)體的TFT (薄膜晶體管)有大約1至 10mVVsec的遷移率。
另外，作為結(jié)晶半導(dǎo)體層的具體例子，可以舉出由單晶或多晶硅 或硅鍺等構(gòu)成的半導(dǎo)體層，其可以通過(guò)激光結(jié)晶化形成，或可以通過(guò) 使用例如鎳等元素的固相生長(zhǎng)法的結(jié)晶化形成。
在使用非晶材料，例如非晶硅形成半導(dǎo)體層的情況下，優(yōu)選的是 發(fā)光裝置具有晶體管114和其它晶體管(形成用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的電 路的晶體管)都由N溝道型晶體管構(gòu)成的電路。除了該情況之外，發(fā) 光裝置可以具有由N溝道型晶體管和P溝道型晶體管中之一構(gòu)成的電 路，或者可以具有由N溝道型晶體管和P溝道型晶體管兩者構(gòu)成的電 路。
進(jìn)一步地，第一層間絕緣膜106可以為圖1所示的多層結(jié)構(gòu)，或 者為單層結(jié)構(gòu)。例如，如圖1所示，可以采用層疊第一層間絕緣膜106a 和第一層間絕緣膜106b的結(jié)構(gòu)，其中第一層間絕緣膜106a由氧化硅 或氮化硅構(gòu)成，而第一層間絕緣膜106b由丙烯酸或硅氧烷樹(shù)脂構(gòu)成。 硅氧烷樹(shù)脂相當(dāng)于包含Si-O-Si鍵的樹(shù)脂。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)包含硅 (Si)和氧(O)的鍵。作為取代基，使用至少包含氫的有機(jī)基團(tuán)(例 如烷基或芳香烴)?？梢允褂梅鶊F(tuán)作為取代基?；蛘?，可以使用至 少包含氫的有機(jī)基團(tuán)和氟基團(tuán)作為取代基。另外，第一層間絕緣膜106 例如可以由選自氮含量比氧含量更多的氮氧化硅膜(SiNO)、氧含量 比氮含量更多的氧氮化硅膜(SiON )、氮化鋁(A1N )、氧氮化鋁(AION )、 氮含量比氧含量更多的氮氧化鋁(AINO)、氧化鋁、類(lèi)金剛石碳(DLC)、 含氮的碳膜(CN)、含有氬(Ar)的氮化硅膜、其他含有無(wú)機(jī)絕緣材料
的物質(zhì)中的材料而形成。此外，也可以使用有機(jī)絕緣材料，作為有機(jī) 材料例如可以使用聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕 劑、苯并環(huán)丁烯或聚硅氮烷?？梢允褂猛ㄟ^(guò)平整度好的涂敷法形成的 涂敷膜。對(duì)于構(gòu)成各個(gè)層的材料沒(méi)有特別的限制，可以采用本文所提 及材料之外的材料。進(jìn)一步地，可以組合由上述材料以外的材料構(gòu)成
的層。像這樣，第一層間絕緣膜106可以使用無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜兩者而 形成，也可以使用無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜中的一種而形成。
對(duì)于隔壁層110，邊緣部?jī)?yōu)選具有曲率半徑連續(xù)變化的形狀。隔壁 層110使用丙烯酸、硅氧烷、抗蝕劑、氧化硅等形成。此外，隔壁層 110可以使用無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜中之一或兩者形成。
在圖1中，晶體管114和發(fā)光元件115之間僅僅設(shè)置第一層間絕緣 膜106。然而，除了第一層間絕緣膜106之外，還可以設(shè)置第二層間絕 緣膜。像第一層間絕緣膜106那樣，第二層間絕緣膜也可以為多層或 單層。第二層間絕緣膜可以使用與第一層間絕緣膜同樣的材料形成。 另外，第二層間絕緣膜可以使用無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜兩者而形成，也可以 使用無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜中的一種而形成。
在發(fā)光元件115中，當(dāng)笫一電極111和第二電極113均為具有透光 性的電極時(shí)，可以從第一電極111 一側(cè)和第二電極113 —側(cè)雙方提取 發(fā)光。當(dāng)僅僅第二電極113為具有透光性的電極時(shí)，可以?xún)H僅從第二 電極113—側(cè)提取發(fā)光。在此情況下，第一電極111優(yōu)選由具有高反 射率的材料構(gòu)成，或者在第一電極111下方設(shè)置由具有高反射率的材 料構(gòu)成的膜(反射膜)。另外，當(dāng)僅僅笫一電極111為具有透光性的 電極時(shí)，可以?xún)H僅從第一電極111 一側(cè)提取發(fā)光。在此情況下，第二 電極113優(yōu)選由具有高反射率的材料構(gòu)成，或者在笫二電極113上方 設(shè)置反射膜。
另外，發(fā)光元件115可以是使EL層112層疊來(lái)實(shí)現(xiàn)在施加電壓而 第二電極113的電位高于第一電極111的電位時(shí)開(kāi)始工作的，或者， 可以是使EL層112層疊來(lái)實(shí)現(xiàn)在施加電壓而第二電極113的電位低于 第一電極lll的電位時(shí)開(kāi)始工作的。在前一種情況下，所述晶體管114 為N溝道型晶體管，在后一種情況下，所述晶體管114為P溝道型晶 體管。
如上所述，在本實(shí)施方式中描述了借助于晶體管而控制發(fā)光元件
的驅(qū)動(dòng)的有源型發(fā)光裝置，但是，也可以采用不特意設(shè)置晶體管等用 于驅(qū)動(dòng)的元件來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的無(wú)源型發(fā)光裝置。
實(shí)施方式3
在本實(shí)施方式中，對(duì)將實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料用作發(fā)光裝置
所具有的發(fā)光元件的電極的情況進(jìn)行說(shuō)明。
在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)D3至5說(shuō)明與實(shí)施方式2不同的發(fā)光 裝置的一個(gè)模式。圖3至5是表示顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖3是表示顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)圖。在基板410上設(shè) 置有第一電極416和在與該電極交叉的方向上延伸的第二電極418。至 少在笫一電極416和笫二電極418的交叉部設(shè)置有與實(shí)施方式2所說(shuō)明 的相同的發(fā)光層，以形成發(fā)光元件。在圖3所示的顯示裝置中配置有 多個(gè)第一電極416和第二電極418，使將成為像素的發(fā)光元件取向成矩 陣狀，以形成顯示部414。在該顯示部414中，通過(guò)外部電路控制第一 電極416和第二電極418的電位從而控制各個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光及不發(fā) 光，可以顯示動(dòng)像及靜像。
這種發(fā)光裝置通過(guò)將顯示圖像的信號(hào)分別施加到在基板410的一 個(gè)方向上延伸設(shè)置的第一電極416和與它交叉的第二電極418，而選擇 發(fā)光元件的發(fā)光及不發(fā)光。換句話(huà)說(shuō)，該顯示裝置為單純矩陣型的顯 示裝置，其中只使用由外部電路供給的信號(hào)而進(jìn)行像素的驅(qū)動(dòng)。由于 這種顯示裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所以即使進(jìn)行大面積化，也可以容易制造。
此外，根據(jù)需要可以設(shè)置對(duì)置基板412，并且可以通過(guò)與顯示部 414的位置對(duì)應(yīng)地設(shè)置對(duì)置基板412，使它作為保護(hù)構(gòu)件?？梢圆皇瞧?狀的硬材，而可以使用樹(shù)脂薄膜或者涂敷樹(shù)脂材料代替。第一電極416 及第二電極418引出到基板410的端部，形成與外部電路連接的端子。 即，第一電極416及第二電極418在基板410的端部與柔性線(xiàn)路板420、 422形成接點(diǎn)。外部電路除了包括控制圖像信號(hào)的控制電路以外，還包 括電源電路和調(diào)諧電路等。
圖4是表示顯示部414的結(jié)構(gòu)的部分放大圖。圖4的結(jié)構(gòu)是使用含 有實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料的層作為第一電極的結(jié)構(gòu)。在圖4A中， 絕緣層424覆蓋第一電極416的端部。而且，在絕緣層424上設(shè)置有隔 壁層428。隔壁層428的側(cè)壁具有越接近于基板表面， 一方側(cè)壁和另一
方側(cè)壁的間隔越小的坡度。換句話(huà)說(shuō)，隔壁層428的短邊方向的截面 為梯形，其底邊(朝向與絕緣層424的面方向相同的方向且與絕緣層 424接觸的一邊)短于上邊(朝向與絕緣層424的面方向相同的方向且 不與絕緣層424接觸的一邊)。像這樣，可以通過(guò)設(shè)置隔壁層428，使 用隔壁層428以自對(duì)準(zhǔn)方式形成EL層426及笫二電極418。
輔助電極430是當(dāng)由含有實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料的層形成第 一電極416時(shí)，為了減少電阻損失而優(yōu)選設(shè)置的。在此情況下，輔助 電極430優(yōu)選由導(dǎo)電率高的物質(zhì)形成，可由鈦、鴒、鉻和鉭等高熔點(diǎn) 金屬；或者組合高熔點(diǎn)金屬以及鋁或銀等低電阻金屬而形成。
圖5示出了使用含有實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料的層作為第二電 極的結(jié)構(gòu)。在圖5中，為了減少第二電極418的電阻損失，優(yōu)選在第 二電極的上部設(shè)置輔助電級(jí)432。在此情況下，輔助電極432優(yōu)選由導(dǎo) 電率高的物質(zhì)形成，可由鈦、鎢、鉻和鉭等高熔點(diǎn)金屬；或者組合高 熔點(diǎn)金屬以及鋁或銀等低電阻金屬而形成。
在上述結(jié)構(gòu)中，若將鋁、鈦或鉭等用作第一電極416，并將含有實(shí) 施方式1所示的復(fù)合材料的層用作第二電極418，則可以做出在對(duì)置基 板412 —側(cè)形成有顯示部414的顯示裝置。若將含有實(shí)施方式1所示的 復(fù)合材料的層用作笫一電極416，并將鋁、鈦或鉭等用作第二電極418， 則可以做出在基板410 —側(cè)形成有顯示部414的顯示裝置。此外，若 第一電極416和第二電極418都由含有實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料的層 形成，則可以做出雙面顯示型顯示裝置。
注意，本實(shí)施方式可以適當(dāng)?shù)嘏c其他實(shí)施方式組合來(lái)實(shí)施。
實(shí)施方式4
下面參考圖6描述應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置所具有的發(fā)光元件的一 個(gè)模式。
應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置所具有的發(fā)光元件包括在一對(duì)電極之間的 多個(gè)層。該多個(gè)層是組合層疊由具有高載流子注入性的物質(zhì)制成的層 和由具有高載流子傳輸性的物質(zhì)制成的層而成的，以便在遠(yuǎn)離電極的 地方形成發(fā)光區(qū)域，也就是，以便載流子在遠(yuǎn)離電極的部位再結(jié)合 (recombine)。
在本實(shí)施方式中，發(fā)光元件包括第一電極202、第二電極204以及
設(shè)在第一電極202和第二電極204之間的EL層203 (也記為發(fā)光單 元)。注意，在下面的本實(shí)施方式中，對(duì)于第一電極202用作陽(yáng)極， 而第二電極204用作陰極的情況進(jìn)行說(shuō)明。換言之，在將電壓施加到 第一電極202和第二電極204以使第一電極202的電位高于第二電極 204的電位時(shí)，可以獲得發(fā)光。
使用基板201作為發(fā)光元件的支撐體。基板201可以使用例如玻 璃、塑料等。另外，只要在發(fā)光元件的制造步驟中能用作支撐體，也 可以使用其它材料。
作為第一電極202，可以使用含有實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料的 層。因?yàn)楹袑?shí)施方式1所示的復(fù)合材料的層可以與形成布線(xiàn)等的金 屬材料形成歐姆接觸，從而可以不考慮功函數(shù)地選擇形成布線(xiàn)的材 料。
此外，可以通過(guò)選擇復(fù)合材料中所包含的有機(jī)化合物的種類(lèi)，獲 得在450至800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。因此，在用 于自發(fā)光型發(fā)光裝置的情況下，可以使來(lái)自發(fā)光區(qū)域的發(fā)光不被吸收 而高效地透過(guò)，從而提高外部取光效率。
此外，含有復(fù)合材料的層耐彎曲性能好。也就是說(shuō)，在使用柔性 基板來(lái)制作顯示裝置的情況下，可以適當(dāng)?shù)貞?yīng)用。
此外，含有復(fù)合了有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料的層由于 包含有機(jī)化合物而與EL層之間具有優(yōu)異的密合性，因此，可以獲得可
靠性高的發(fā)光裝置。
另外，含有復(fù)合材料的層能夠有效地將空穴注入到EL層中。因 此，當(dāng)用作發(fā)光裝置的像素電極時(shí)，可以獲得發(fā)光效率高的發(fā)光裝置。 此外，在本實(shí)施方式中，由于將含有復(fù)合材料的層用作陽(yáng)極，所以能 夠有效地向EL層注入空穴。
另外，由于含有復(fù)合了有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料的層 具有高導(dǎo)電性，所以即使在增大包含復(fù)合材料的層厚度時(shí)，也可以抑 制驅(qū)動(dòng)電壓的上升。因此，能夠在抑制驅(qū)動(dòng)電壓上升的同時(shí)優(yōu)化含有 復(fù)合材料的層的膜厚，以提高向外部的取光效率。另外，在不使驅(qū)動(dòng) 電壓上升的情況下，可以通過(guò)光學(xué)設(shè)計(jì)提高色純度。
EL層203既可以為單層，又可以為層疊多層的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)， EL層203的層的疊層結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別的限制?？梢酝ㄟ^(guò)適當(dāng)?shù)亟M合由具
有高電子傳輸性的物質(zhì)或具有高空穴傳輸性的物質(zhì)、具有高電子注入 性的物質(zhì)、具有高空穴注入性的物質(zhì)、具有雙極性的物質(zhì)(具有高電
子傳輸性和高空穴傳輸性的物質(zhì))等制成的層和發(fā)光層來(lái)構(gòu)成EL層 203。例如，可以通過(guò)適當(dāng)?shù)亟M合空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋 層(hole blocking layer)、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層等而構(gòu) 成EL層203。下面具體描述構(gòu)成各個(gè)層的材料。注意，在圖6中示出 作為一個(gè)模式的EL層，其中層疊有第一層211、第二層212、笫三層 213、第四層214、第五層215。
第一層211是包含具有高空穴注入性的物質(zhì)的層。作為具有高空 穴注入性的物質(zhì)，可以使用氧化鉬(MoOx)、氧化釩(VOx)、氧化 釕(RuOx)、氧化鵠(WOx)、氧化錳(MnOx)等。此外，也可以 使用諸如酞菁(縮寫(xiě)H2Pc)和銅酞蕢(CuPc)等酞斧類(lèi)化合物或諸 如聚(3，4-乙撐二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等高分子化合 物等來(lái)形成空穴注入層。
另外，作為笫一層211，可以使用將受體物質(zhì)包含在具有高空穴傳 輸性的材料中的復(fù)合材料。注意，通過(guò)使用將受體物質(zhì)包含在具有高 空穴傳輸性的材料中的復(fù)合材料，可以選擇用于形成電極的材料而不 用顧及電極的功函數(shù)。換句話(huà)說(shuō)，除了具有高功函數(shù)的材料，也可使 用具有低功函數(shù)的材料作為第一電極202。作為受體物質(zhì)，可舉出 7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(簡(jiǎn)稱(chēng)；F4-TCNQ)、氯醌等。另夕卜， 可舉出過(guò)渡金屬氧化物。另外，可舉出屬于元素周期表第4至8族的 金屬的氧化物。具體地，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、 氧化鎢、氧化錳和氧化錸是優(yōu)選的，因?yàn)槠潆娮咏邮苄愿?。其中，?化鉬是特別優(yōu)選的，因?yàn)樗诳諝庵蟹€(wěn)定并且其吸濕性低，容易操作。
注意，含有實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料的層具有優(yōu)異的空穴注入 性，因此也可以不設(shè)置第一層211。
第二層212是包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的層。作為具有高空 穴傳輸性的物質(zhì)，例如可以使用芳族胺化合物等，例如4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基l聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)NPB或a-NPD)、 N，N'-雙(3-曱基苯基)-N,N'-二苯基-[l，l'-聯(lián)苯]-4，4'-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)TPD)、 4，4'，4〃-三(N，N-二苯基 氨基)三苯基胺(簡(jiǎn)稱(chēng)TDATA)、 4，4'，4〃-三[N-(3-曱基苯基)-N-苯基氨基] 三苯基胺(簡(jiǎn)稱(chēng)MTDATA)、或4，4'-雙[N-(螺-9，9'-聯(lián)芴-2-基)-N-苯基氨
基聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)BSPB)等。上述物質(zhì)主要是具有l(wèi)xlO mVVs以上的空 穴遷移率的物質(zhì)。但也可以使用除此之外的其它材料，只要其空穴傳 輸性高于電子傳輸性。此外，包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)層不限于 單層，也可以層疊兩個(gè)或多個(gè)由前述物質(zhì)制成的層。
第三層213是包含具有高發(fā)光性的物質(zhì)的層，可以由各種材料制 成。例如，具有高發(fā)光性的物質(zhì)可自由地與具有高栽體傳輸性和良好 膜質(zhì)量的材料(即，難以結(jié)晶的材料)，如三(8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)Alq)、 2-叔丁基-9，10-二(2畫(huà)萘基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)t-BuDNA)、或4，4'國(guó)雙[N-(l-萘基)-N國(guó) 苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng) NPB)等組合。具體地，作為具有高發(fā)光性的材 料，可以使用單重態(tài)發(fā)光材料(熒光材料)如N，N'-二曱基喹吖啶酮(簡(jiǎn) 稱(chēng)DMQd)、 N,N'-二苯基奮吖酮(簡(jiǎn)稱(chēng)DPQd)、香豆素6， 4-(二氰基 亞曱基)-2-甲基-6-(對(duì)-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(簡(jiǎn)稱(chēng)DCM1)、 4-(二氰基亞曱基)-2-甲基-6-[2-(久洛尼定-9-基)乙烯基-4H-吡喃(簡(jiǎn)稱(chēng) DCM2)、 9,10-二苯基蒽、5，12-二苯基并四苯(簡(jiǎn)稱(chēng):DPT)、 二萘嵌苯、 紅熒烯等；或三重態(tài)發(fā)光材料(磷光材料)如雙[2-(2'-苯并[4， 5-a噻吩基) 吡啶根合(pyridinato)-N,C3'銥(乙酰丙酮)(簡(jiǎn)稱(chēng)lr(btp)2(acac))。但因 為Alq和DNA是具有高發(fā)光性能的材料，因此第三層213可以具有使 用這些材料中的僅一種的結(jié)構(gòu)而用作發(fā)光層。
第四層214是包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)的層。例如，可以使 用包含具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬絡(luò)合物等，如三(8-羥基喹 啉)鋁(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)Alq)、三(4-曱基-8-羥基喹啉)鋁(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)Almq3)、 雙(10-羥基苯并[h]會(huì)啉)鈹(簡(jiǎn)稱(chēng)BeBq2)、或雙(2-曱基-8-羥基喹啉)(4國(guó) 苯基苯酚)鋁(^I)(筒稱(chēng) BAlq)等的層。另外，可以使用具有-惡唑類(lèi)配體 或噻唑類(lèi)配體的金屬絡(luò)合物等，如雙[2-(2-苯并-惡唑基)苯酚鋅(II)(簡(jiǎn) 稱(chēng)ZnPBO)或雙[2-(2-苯并噻唑基)苯盼鋅(11)(簡(jiǎn)稱(chēng):ZnBTZ )等。 除了金屬絡(luò)合物以外，也可使用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-p惡二唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PBD)、 1，3-雙[5-(對(duì)-叔丁基苯基)-1，3，4-喝二唑-2-基苯(簡(jiǎn) 稱(chēng)OXD-7)、 3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-l，2，4-三唑(簡(jiǎn)稱(chēng) TAZ)、紅菲咯啉(簡(jiǎn)稱(chēng)BPhen)、浴銅靈(簡(jiǎn)稱(chēng)BCP)等。這里所述的 物質(zhì)主要為具有l(wèi)xl(T6 cmVVs以上的電子遷移率的物質(zhì)。另外，只要
其具有高于空穴傳輸性的電子傳輸性，就可以使用除上述之外的其它 物質(zhì)作為電子傳輸層。另外，電子傳輸層不限于單層，也可以層疊兩
個(gè)或多個(gè)由前述物質(zhì)制成的層。
第五層215是包含具有高電子注入性的物質(zhì)的層。作為第五層 215，可以使用堿金屬、堿土金屬或其化合物諸如氟化鋰(LiF)、氟化銫 (CsF)或氟化鈣(CaF2)等。此外，可以使用其中包含堿金屬、堿土金屬 或其化合物的由具有電子傳輸性的材料制成的層，如包含鎂(Mg)的Alq 層等。通過(guò)使用其中包含堿金屬或堿土金屬的由具有電子傳輸性的材 料制成的層作為電子注入層，有效地從第二電極204進(jìn)行電子的注入， 因此這是優(yōu)選的。
作為形成第二電極204的物質(zhì)，可以使用具有低功函數(shù)(具體地， 3.8eV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或其混合物等。作為這樣的陰 極材料的具體例子，可以舉出屬于元素周期表第1族或第2族的元 素，即堿金屬如鋰(Li)或銫(Cs)等；堿土金屬如鎂(Mg)、鈣(Ca)或鍶(Sr) 等和包含這些的合金(如MgAg、 AlLi);稀土金屬如銪(Eu )、鐿(Yb ) 等和包含這些的合金等。然而，通過(guò)在第二電極204與第四層214之 間設(shè)置第五層215，可以使用各種導(dǎo)電材料如Al、 Ag、氧化銦-氧化錫 (ITO)、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(IZO)、 含有氧化鴒和氧化鋅的氧化銦(IWZO)等作為第二電極204，而與功 函數(shù)的大小無(wú)關(guān)。
另外，作為EL層203的形成方法，不論干式或濕式可以使用各種 方法。例如，可以使用真空氣相沉積法、噴墨法或旋涂法等。另外， 每一電極或每一層可以通過(guò)不同的成膜方法而形成。
在具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的發(fā)光元件中，由在笫一電極202和第 二電極204之間產(chǎn)生的電位差而使電流流動(dòng)，且空穴和電子在含有具 有高發(fā)光性的材料的第三層213中再結(jié)合而發(fā)射光。也就是說(shuō)，在第 三層213中形成有發(fā)光區(qū)域。
發(fā)光通過(guò)第一電極202和第二電極204中的一方或雙方而被提取 到外部。注意，由于第一電極202使用具有高透光性的復(fù)合材料而形 成，所以?xún)?yōu)選采用通過(guò)第一電極將發(fā)光提取到外部的結(jié)構(gòu)。當(dāng)僅第一 電極202為具有透光性的電極時(shí)，如圖6(A)所示，發(fā)光通過(guò)第一電極 202從基板一側(cè)被提取。另外，當(dāng)笫一電極202和第二電極204都為具 有透光性的電極時(shí)，如圖6(B)所示，發(fā)光通過(guò)第一電極202和第二電 極204從基板一側(cè)和與基板相反一側(cè)被提取。
注意，設(shè)置在第一電極202和第二電極204之間的層不限于上述 結(jié)構(gòu)?？梢圆捎贸鲜鲋獾慕Y(jié)構(gòu)，只要將空穴和電子再結(jié)合的發(fā)光 區(qū)域設(shè)置在遠(yuǎn)離第一電極202和第二電極204的部位以防止因發(fā)光區(qū) 域和金屬靠近而引發(fā)的猝滅。
也就是說(shuō)，對(duì)層的疊層結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別的限制，可以將由具有高電 子傳輸性的物質(zhì)或具有高空穴傳輸性的物質(zhì)、具有高電子注入性的物 質(zhì)、具有高空穴注入性的物質(zhì)、具有雙極性的物質(zhì)(具有高電子傳輸 性和高空穴傳輸性的物質(zhì))、空穴阻擋材料等制成的層與發(fā)光層自由 ;也組合而構(gòu)成。
圖7所示的發(fā)光元件具有這樣的結(jié)構(gòu)在基板201上依次層疊有 用作陰極的第二電極204、含有具有高電子注入性的物質(zhì)的第五層 215、含有具有高電子傳輸性的物質(zhì)的第四層214、含有具有高發(fā)光性 的物質(zhì)的第三層213、含有具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的第二層212、含 有具有高空穴注入性的物質(zhì)的第一層211、用作陽(yáng)極的第一電極202。
發(fā)光通過(guò)第一電極202和第二電極204中的一方或雙方而被提取 到外部。注意，由于第一電極202使用具有高透光性的復(fù)合材料而形 成，所以?xún)?yōu)選采用通過(guò)笫一電極將發(fā)光提取到外部的結(jié)構(gòu)。當(dāng)僅第一 電極202為具有透光性的電極時(shí)，如圖7(A)所示，發(fā)光通過(guò)笫一電極 202從與基板相反一側(cè)被提取。另外，當(dāng)?shù)谝浑姌O202和第二電極204 都是具有透光性的電極時(shí)，如圖7(B)所示，發(fā)光通過(guò)第一電極202和 第二電極204從基板一側(cè)和與基板相反一側(cè)被提取。
注意，本實(shí)施方式可以適當(dāng)?shù)嘏c其他實(shí)施方式組合來(lái)實(shí)施。
實(shí)施方式5
下面參考圖8描述與實(shí)施方式4不同的發(fā)光元件的一個(gè)模式。 在本實(shí)施方式中，發(fā)光元件包括第一電極302、第二電極304以及 設(shè)在第一電極302和第二電極304之間的EL層303。注意，在下面的 本實(shí)施方式中，對(duì)于第一電極302用作陰極，而第二電極304用作陽(yáng) 極的情況進(jìn)行說(shuō)明。換而言之，在以使第一電極302的電位低于第二 電極304的電位的方式將電壓施加到第一電極302和第二電極304時(shí)， 可以獲得發(fā)光。
作為第一電極302，可以使用含有實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料的
層。因?yàn)楹袑?shí)施方式1所示的復(fù)合材料的層可能與形成布線(xiàn)等的金 屬材料形成歐姆接觸，從而可以不考慮功函數(shù)地選擇形成布線(xiàn)等的材 料。
此外，可以通過(guò)選擇復(fù)合材料中所包含的有機(jī)化合物的種類(lèi)，獲
得在450至800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。因此，在用 于自發(fā)光型發(fā)光裝置的情況下，可以使來(lái)自發(fā)光區(qū)域的發(fā)光不被吸收 而高效地透過(guò)，從而提高外部取光效率。
此外，含有復(fù)合材料的層耐彎曲性能好。也就是說(shuō)，在使用柔性 基板來(lái)制作顯示裝置的情況下，可以適當(dāng)?shù)貞?yīng)用。
此外，含有復(fù)合了有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料的層由含 有有機(jī)化合物而與EL層之間具有優(yōu)異的粘結(jié)性。因此，可以獲得可靠 性高的發(fā)光裝置。
另外，由于含有復(fù)合了有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料的層 具有高導(dǎo)電性，所以即使在增大包含復(fù)合材料的層的厚度時(shí)，也可以 抑制驅(qū)動(dòng)電壓的上升。因此，能夠在抑制驅(qū)動(dòng)電壓上升的同時(shí)優(yōu)化含 有復(fù)合材料的層的膜厚，以提高向外部的取光效率。另外，可以在不 使驅(qū)動(dòng)電壓上升的條件下通過(guò)光學(xué)設(shè)計(jì)提高色純度。
如實(shí)施方式4所示那樣，可以通過(guò)適當(dāng)?shù)亟M合由具有高電子傳輸 性的物質(zhì)或具有高空穴傳輸性的物質(zhì)、具有高電子注入性的物質(zhì)、具 有高空穴注入性的物質(zhì)、具有雙極性的物質(zhì)(具有高電子傳輸性和高 空穴傳輸性的物質(zhì))等制成的層和發(fā)光層來(lái)構(gòu)成EL層303。在圖8中
示出作為一個(gè)模式的結(jié)構(gòu)，其中層疊有含有具有高電子注入性的物質(zhì) 的第二層312、含有具有高電子傳輸性的物質(zhì)的第三層313、含有具有 高發(fā)光性的物質(zhì)的第四層314、含有具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的第五層 315、含有具有高空穴注入性的物質(zhì)的第六層316。注意，當(dāng)設(shè)置后面 描述的包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)和對(duì)該具有高電子傳輸性的物質(zhì) 顯示電子供給性的物質(zhì)的第一層311時(shí)，可以不設(shè)置含有具有高電子 注入性的物質(zhì)的第二層312。
注意，在EL層303中，優(yōu)選設(shè)置包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)和 對(duì)該具有高電子傳輸性的物質(zhì)顯示電子供給性的物質(zhì)的第一層311作 為與笫一電極302接觸的層。作為具有高電子傳輸性的物質(zhì)，可以使 用實(shí)施方式4所示的具有高電子傳輸性的物質(zhì)。此外，作為對(duì)具有高
電子傳輸性的物質(zhì)顯示電子供給性的物質(zhì)，可以使用堿金屬、堿土金 屬或它們的氧化物或鹽。具體而言，可以舉出鋰、銫、鈣、鋰氧化物、 鈣氧化物、鋇氧化物、以及碳酸銫等。
通過(guò)層疊含有復(fù)合材料的層與包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)和對(duì)
該具有高電子傳輸性的物質(zhì)顯示電子供給性的物質(zhì)的第一層311，該疊 層可以用作載流子產(chǎn)生層。因此，電子被從包含具有高電子傳輸性的 物質(zhì)和對(duì)該具有高電子傳輸性的物質(zhì)顯示電子供給性的物質(zhì)的第一層 311注入到含有具有高發(fā)光性的物質(zhì)的第四層，并且與從用作陽(yáng)極的笫 二電極304注入的空穴再結(jié)合，從而可以發(fā)光。
與實(shí)施方式4相同，發(fā)光通過(guò)笫一電極302和第二電極304中的一 方或雙方而被提取到外部。注意，由于笫一電極302使用具有高透光 性的復(fù)合材料而形成，所以?xún)?yōu)選采用通過(guò)第一電極將發(fā)光提取到外部 的結(jié)構(gòu)。當(dāng)僅第一電極302為具有透光性的電極時(shí)，如圖8(A)所示， 發(fā)光通過(guò)第一電極302從基板一側(cè)被提取。另外，當(dāng)?shù)谝浑姌O302和 第二電極304都為具有透光性的電極時(shí)，如圖8(B)所示，發(fā)光通過(guò)第 一電極302和第二電極304從基板一側(cè)和與基板相反一側(cè)提取。
另外，作為EL層303的形成方法，不論干法或濕法可以使用各種 方法。例如，可以使用真空氣相沉積法、噴墨法或旋涂法等。另外， 每一電極或每一層可以通過(guò)不同的成膜方法而形成。
注意，設(shè)置在第一電極302和笫二電極304之間的層不限于上述 結(jié)構(gòu)?？梢圆捎贸鲜鲋獾慕Y(jié)構(gòu)，只要將空穴和電子再結(jié)合的發(fā)光 區(qū)域設(shè)置在遠(yuǎn)離第一電極302和第二電極304的部位以防止因發(fā)光區(qū) 域和金屬靠近而引發(fā)的摔滅。
也就是說(shuō)，對(duì)層的疊層結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別的限制，可以將由具有高電 子傳輸性的物質(zhì)或具有高空穴傳輸性的物質(zhì)、具有高電子注入性的物 質(zhì)、具有高空穴注入性的物質(zhì)、具有雙極性的物質(zhì)(具有高電子傳輸 性和高空穴傳輸性的物質(zhì))、空穴阻擋材料等制成的層與發(fā)光層自由 ;也組合而構(gòu)成。
圖9所示的發(fā)光元件具有這樣的結(jié)構(gòu)在基板301上依次層疊有 用作陽(yáng)極的第二電極304、含有具有高空穴注入性的物質(zhì)的第六層 316、含有具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的笫五層315、含有具有高發(fā)光性 的物質(zhì)的第四層314、含有具有高電子傳輸性的物質(zhì)的第三層313、含
有具有高電子注入性的物質(zhì)的第二層312、包含具有高電子傳輸性的物 質(zhì)和對(duì)該具有高電子傳輸性的物質(zhì)顯示電子供給性的物質(zhì)的第一層 311、用作陰極的第一電極302。
與圖8所示的發(fā)光元件一樣，發(fā)光通過(guò)第一電極302和第二電極 304中的一方或雙方而被提取到外部。注意，由于笫一電極302使用具 有高透光性的復(fù)合材料而形成，所以?xún)?yōu)選采用通過(guò)笫一電極將發(fā)光提 取到外部的結(jié)構(gòu)。當(dāng)僅第一電極302為具有透光性的電極時(shí)，如圖9(A) 所示，發(fā)光通過(guò)第一電極302從與基板相反一側(cè)被提取。另外，當(dāng)?shù)?一電極302和第二電極304都是具有透光性的電極時(shí)，如圖9(B)所示， 發(fā)光通過(guò)第一電極302和第二電極304從基板一側(cè)和與基板相反一側(cè) 被提取。
注意，本實(shí)施方式可以適當(dāng)?shù)嘏c其他實(shí)施方式組合來(lái)實(shí)施。 例如，通過(guò)以與用作陽(yáng)極的第二電極接觸的方式設(shè)置實(shí)施方式4 所示的含有復(fù)合材料的層，可以提高來(lái)自第二電級(jí)的空穴注入性。
另外，也可以采用實(shí)施方式4所示的含有復(fù)合材料的層作為用作 陽(yáng)極的第二電極。當(dāng)使用含有復(fù)合材料的層作為第二電極時(shí)，含有復(fù) 合材料的層具有優(yōu)異的空穴注入性，因此也可以不設(shè)置空穴注入層。 此外，由于含有復(fù)合材料的層具有優(yōu)異的透光性，所以可以有效地通 過(guò)第一電極和第二電極將發(fā)光提取到外部。
實(shí)施方式6
下面參考圖10A描述與實(shí)施方式4不同的發(fā)光元件的一個(gè)模式。
在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)DIO說(shuō)明一種發(fā)光元件(以下稱(chēng)為疊層 元件)的模式，其中該發(fā)光元件具有層疊了多個(gè)發(fā)光單元(也記為EL 層)的結(jié)構(gòu)。該發(fā)光元件為在第一電極與笫二電極之間具有多個(gè)發(fā)光 單元的發(fā)光元件。
在圖10中，在第一電極501和第二電極502之間層疊有第一發(fā)光 單元511和第二發(fā)光單元512。對(duì)第一電極501和第二電極502可以采 用與實(shí)施方式4和5相同的電極。此外，第一發(fā)光單元511和第二發(fā) 光單元512可以具有彼此相同的結(jié)構(gòu)或者彼此不同的結(jié)構(gòu)，并且其結(jié) 構(gòu)可以采用與實(shí)施方式4和5相同的結(jié)構(gòu)。
在電荷產(chǎn)生層513中含有有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料。
該有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料是實(shí)施方式1所示的復(fù)合材 料，含有有機(jī)化合物和V20s、 M0O3或W03等無(wú)機(jī)化合物。作為有機(jī)
化合物，可以使用芳香胺化合物、呼唑衍生物、芳烴、高分子化合物 (低聚物、樹(shù)枝狀聚合物、聚合物等)等各種化合物。注意，作為有
機(jī)化合物，優(yōu)選采用作為空穴傳輸性有機(jī)化合物具有l(wèi)xl(r6cm2/Vs以 上的空穴遷移率的有機(jī)化合物。然而，只要是其空穴傳輸性高于電子 傳輸性的物質(zhì)，就可以使用除此以外的物質(zhì)。有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合
物的復(fù)合材料的載流子注入性及載流子傳輸性?xún)?yōu)異，所以可以實(shí)現(xiàn)低 電壓驅(qū)動(dòng)及>[氐電流驅(qū)動(dòng)。
此外，電荷產(chǎn)生層513也可以通過(guò)組合包含有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化 合物的復(fù)合材料以及其他材料來(lái)形成。例如，可以通過(guò)組合如下兩種 層來(lái)形成含有有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材料的層；以及，含 有選自電子供給性物質(zhì)中的一種化合物和具有高電子傳輸性的化合物 的層。此外，還可以通過(guò)組合含有有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物的復(fù)合材 料的層以及透光導(dǎo)電膜來(lái)形成。
無(wú)論怎樣，夾在第一發(fā)光單元511和第二發(fā)光單元512之間的電 荷產(chǎn)生層513，只要是當(dāng)將電壓施加到第一電極501和第二電極502 時(shí)，對(duì)一方的發(fā)光單元注入電子并對(duì)另一方的發(fā)光單元注入空穴的層 即可。
在本實(shí)施方式中，雖然說(shuō)明了具有兩個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光元件，然 而，也可以相同地采用層疊有三個(gè)或更多個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光元件。如 根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光元件，可以通過(guò)用電荷產(chǎn)生層使多個(gè)發(fā)光單元
間隔并將它們配置在 一 對(duì)電極之間，在保持低電流密度的同時(shí)在高亮 度區(qū)域中實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)使用壽命的元件。
注意，本實(shí)施方式可以適當(dāng)?shù)嘏c其他實(shí)施方式組合來(lái)實(shí)施。
實(shí)施方式7
在本實(shí)施方式中，將參照

用實(shí)施方式1所描述的復(fù)合材 料形成其像素電極的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)例。在本實(shí)施方式中，對(duì) VA (Vertical Alignment:垂直定向)型液晶進(jìn)行描述。VA型液晶是 指一種液晶面板的液晶分子取向的控制方式。VA型液晶是當(dāng)沒(méi)有施加 電壓時(shí)液晶分子朝垂直于面板表面的方向的方式。在本實(shí)施方式中，
特別地，將像素(pixel)分成為幾個(gè)子像素(sub pixel)，并在該子像 素中分別將分子向不同的方向推倒。這稱(chēng)為多區(qū)域(multidomain)化 或多區(qū)域設(shè)計(jì)。在下面的說(shuō)明中，對(duì)考慮多區(qū)域設(shè)計(jì)的液晶面板的像 素按制造工序進(jìn)行說(shuō)明。
圖11和圖12表示形成柵電極、柵絕緣層以及半導(dǎo)體層的過(guò)程。 注意，圖ll是平面圖，并且圖12示出了相應(yīng)于圖11中所示的切斷線(xiàn) A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面，參照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
基板600可以使用由熔化方法或浮發(fā)方法(float method)制造的無(wú) 堿玻璃基板例如鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等、 或陶瓷基板，還可以使用具有可承受本制造工藝加工溫度的耐熱性的 塑料基板等。此外，還可以使用在不銹鋼合金等金屬基板表面上設(shè)置 絕緣層的基板。
柵布線(xiàn)602由鈦、鉬、鉻、鉭、鵠、鋁等金屬形成。為了使柵布 線(xiàn)602低電阻化，優(yōu)選采用鋁，但在此情況下，優(yōu)選鋁層夾在用鈦、 鉬、鉭等高熔點(diǎn)金屬形成的層之間。這是為了防止鋁的腐蝕且提高其 耐熱性。注意，柵布線(xiàn)602在與半導(dǎo)體層重疊的位置用作所謂的柵電 極。也就是說(shuō)，在場(chǎng)效應(yīng)晶體管之一的TFT中，用作施加?xùn)烹妷旱碾?極。在此，為了方便說(shuō)明，下面將其稱(chēng)作柵布線(xiàn)來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，但是在 功能上具有作為柵電極的結(jié)構(gòu)因素。另外，使用相同的層形成電容布 線(xiàn)604。該電容布線(xiàn)604形成為了保持施加到像素中的電壓而設(shè)置的保 持電容的一個(gè)電極。
在柵布線(xiàn)602以及電容布線(xiàn)604的上層形成第一絕緣層606。作為 第一絕緣層606，優(yōu)選使用氮化硅或氮化硅和氧化硅的疊層而形成。第 一絕緣層606用作柵絕緣層。第一絕緣層606通過(guò)濺射法或等離子體 CVD法而形成。為了在低成膜溫度下形成柵極漏電流小的致密絕緣 膜，優(yōu)選將諸如氬等稀有氣體元素包含在反應(yīng)氣體內(nèi)，且混合到所形 成的絕緣膜中。
接著，形成半導(dǎo)體層608。半導(dǎo)體層608優(yōu)選由氫化非晶硅或氫化 微晶硅形成。氬化非晶硅膜或氫化微晶硅膜通過(guò)使用硅烷或乙硅烷作 為半導(dǎo)體材料氣體通過(guò)等離子體CVD法以100至250nm的厚度形成。 此外，也可以采用濺射法而形成。以中間夾著第一絕緣層606與柵布 線(xiàn)602重疊的方式形成半導(dǎo)體層608。而且，在半導(dǎo)體層608上形成20
至50nm厚的n型氫化非晶硅膜或微晶硅膜作為n型半導(dǎo)體層610，以 便形成TFT的源區(qū)及漏區(qū)。
此外，作為半導(dǎo)體層608可以應(yīng)用有機(jī)半導(dǎo)體。作為有機(jī)半導(dǎo)體，
優(yōu)選使用其骨架由共軛雙鍵構(gòu)成的7T電子共軛系的高分子材料。典型
地，可以使用可溶于溶劑中的高分子材料諸如聚噻吩、聚芴、聚(3-烷 基噻吩)、聚噻吩衍生物等。
圖13和圖14表示形成布線(xiàn)的過(guò)程。注意，圖13是平面圖，并且 圖14示出了相應(yīng)于圖13中所示的切斷線(xiàn)A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面，參 照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
優(yōu)選使用鋁或添加有提高耐熱性的元素或防止小丘(hillock)的元 素諸如銅、硅、鈦、釹、鈧等的鋁來(lái)形成布線(xiàn)616、布線(xiàn)618。通過(guò)濺 射法或氣相沉積法形成鋁膜，并且利用光刻技術(shù)按預(yù)定的圖案來(lái)形成 布線(xiàn)616、布線(xiàn)618。此外，也可以使用銀、銅等的導(dǎo)電納米糊通過(guò)絲 網(wǎng)印刷法、噴墨法、納米壓印法而形成?？梢栽诓季€(xiàn)616、布線(xiàn)618與 n型半導(dǎo)體層610之間形成布線(xiàn)612、布線(xiàn)614，布線(xiàn)612、 614用作提 高布線(xiàn)616、布線(xiàn)618的粘合性且防止向基底的擴(kuò)散的阻擋金屬。層疊 于布線(xiàn)612上的布線(xiàn)616以及層疊于布線(xiàn)614上的布線(xiàn)618形成一體而 實(shí)際上用作布線(xiàn)。注意，布線(xiàn)616為形成像素部的矩陣的數(shù)據(jù)線(xiàn)，而 布線(xiàn)618為連接TFT628和像素電極624的布線(xiàn)。
布線(xiàn)614、布線(xiàn)618具有中間夾著笫一絕緣層606而與電容布線(xiàn)604 重疊的區(qū)域。該重疊區(qū)域成為液晶面板的像素的保持電容部。
在形成布線(xiàn)616、布線(xiàn)618之后，使用該布線(xiàn)作為蝕刻掩模對(duì)n型 半導(dǎo)體層610進(jìn)行蝕刻。布線(xiàn)616和布線(xiàn)618相分離而形成在半導(dǎo)體層 608上。通過(guò)蝕刻去除在布線(xiàn)616、布線(xiàn)618之間的n型半導(dǎo)體層610， 形成TFT的溝道形成區(qū)域。
圖15和圖16表示形成像素電極的過(guò)程。注意，圖15是平面圖， 并且圖16示出了相應(yīng)于圖15中所示的切斷線(xiàn)A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面， 參照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
在布線(xiàn)616、布線(xiàn)618上形成第二絕緣層620。第二絕緣層MO優(yōu) 選由氮化硅或氮氧化硅而形成。第二絕緣層620作為防止半導(dǎo)體層608 的污染的保護(hù)膜而形成。此外，第二絕緣層620具有使布線(xiàn)616、布線(xiàn) 618與像素電極絕緣分開(kāi)的層間絕緣膜的功能。優(yōu)選在第二絕緣層620
上形成以表面的平坦化為目的的笫三絕緣層622。第三絕緣層622優(yōu)選 由以聚酰亞胺和丙烯酸等為代表的有機(jī)樹(shù)脂材料形成。通過(guò)在布線(xiàn) 616 、布線(xiàn)618與像素電極624之間形成第三絕緣層622作為平坦化膜， 可以增大像素電極624的面積，并且可以提高開(kāi)口率。
在第三絕緣層622上形成像素電極624。像素電極624通過(guò)穿過(guò)笫 二絕緣層620、第三絕緣層622的接觸孔623連接到布線(xiàn)618。像素電 極624通過(guò)使用實(shí)施方式1所示的復(fù)合材料而形成。該復(fù)合材料可以 與由鋁等金屬材料形成的布線(xiàn)618形成歐姆接觸。此外，通過(guò)選擇復(fù) 合材料中所包含的有機(jī)化合物的種類(lèi)，可以獲得在450至800nm的可 見(jiàn)光區(qū)域沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。該像素電極624可以以50至100nm 的厚度形成。由此，當(dāng)將該像素電極用作液晶面板的像素電極時(shí)，可 以有效地利用背光燈的照明光。
在像素電極624中設(shè)置狹縫(slit) 625。該狹縫625用來(lái)控制液晶 的取向。
通過(guò)這樣，在基板600上形成TFT628、與TFT628連接的像素電 極624、以及保持電容部630。對(duì)于圖15所示的TFT629、與TFT629 連接的像素電極624、以及保持電容部630也是同樣的。TFT628和 TFT629都連接到布線(xiàn)616。該液晶面板的像素(pixel)由像素電極624 和像素電極626構(gòu)成。像素電極624和像素電極626為子像素。
圖19示出了該像素結(jié)構(gòu)的等效電路。TFT628和TFT629都連接 到柵布線(xiàn)602、布線(xiàn)616。在此情況下，通過(guò)使電容布線(xiàn)604和電容布 線(xiàn)605的電位不相同，可以使液晶元件651和液晶元件652進(jìn)行不同的 動(dòng)作。也就是說(shuō)，通過(guò)分別控制電容布線(xiàn)604和電容布線(xiàn)605的電位， 來(lái)精密地控制液晶的取向并且擴(kuò)大視角。
圖17示出了對(duì)置電極基板一側(cè)的結(jié)構(gòu)。在遮光層632上形成有對(duì) 置電極640。與像素電極624—樣，優(yōu)選使用實(shí)施方式l所示的復(fù)合材 料來(lái)形成對(duì)置電極640。此外，也可以使用氧化銦、氧化銦-氧化錫、 氧化鋅等的透光導(dǎo)電膜來(lái)形成對(duì)置電極640。在對(duì)置電極640上形成有 控制液晶的取向的突起644。此外，按照遮光層632的位置形成有間隔 物642。
圖18示出了將基板600和對(duì)置基板601重疊到一起，并注入液晶 的狀態(tài)。其中，所述基板600形成有TFT628、連接到TFT628的像素
電極624、以及保持電容部630，而所述對(duì)置基板601形成有對(duì)置電極 640等。在對(duì)置基板601的形成間隔物642的位置上形成有遮光層632、 第一彩色層634、第二彩色層636、第三彩色層638、以及對(duì)置電極640。 通過(guò)該結(jié)構(gòu)，使用于控制液晶取向的突起644和間隔物642的高度彼 此不同。在像素電極624上形成有定向膜648，與此同樣地在對(duì)置基板 640上形成有定向膜646。在此之間形成有液晶層650。
圖20是說(shuō)明具有上述像素結(jié)構(gòu)的液晶面板的動(dòng)作的圖。當(dāng)對(duì)設(shè)置 有狹縫625的像素電極624施加電壓時(shí)，在狹縫625附近發(fā)生電場(chǎng)的應(yīng) 變(傾斜電場(chǎng))。通過(guò)互相咬合地配置所述狹縫625和對(duì)置基板601 一側(cè)的突起644，有效地產(chǎn)生傾斜電場(chǎng)來(lái)控制液晶的取向，從而根據(jù)其 位置使液晶具有彼此不同的取向方向。也就是說(shuō)，通過(guò)進(jìn)行多區(qū)域化 來(lái)擴(kuò)大液晶面板的視角。
像這樣，可以使用有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物相復(fù)合的復(fù)合材料作 為像素電極來(lái)制作液晶面板。通過(guò)采用這樣的像素電極，不需要使用 以銦為主要成分的透光導(dǎo)電膜，因此可以解決在原材料方面的瓶頸問(wèn) 題。
實(shí)施方式8
在本實(shí)施方式中，將參照

用實(shí)施方式1所描述的復(fù)合材 料形成其像素電極的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)例。在本實(shí)施方式中，對(duì) VA型液晶的另 一個(gè)模式進(jìn)行描述。
圖21和圖22表示VA型液晶面板的像素結(jié)構(gòu)。圖21是平面圖， 并且圖22示出了相應(yīng)于圖21中所示的切斷線(xiàn)A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面， 參照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)與實(shí)施方式7相同的部分使用相 同標(biāo)號(hào)，省略其詳細(xì)說(shuō)明。
在該像素結(jié)構(gòu)中， 一個(gè)像素且有多個(gè)像素電極，并且各個(gè)像素電 極連接到TFT。各個(gè)TFT以由不同的柵信號(hào)驅(qū)動(dòng)的方式構(gòu)成。也就是 說(shuō)，在以多區(qū)域方式設(shè)計(jì)的像素中，具有獨(dú)立控制施加到各個(gè)像素電 極的信號(hào)的結(jié)構(gòu)。
像素電極624通過(guò)接觸孔623用布線(xiàn)618連接到TFT628。像素電 極626通過(guò)接觸孔627用布線(xiàn)619連接到TFT629。 TFT628的柵布線(xiàn) 602和TFT629的柵布線(xiàn)603彼此分離，以便能夠供應(yīng)不同的柵信號(hào)。
另 一方面，TFT628和TFT629共同使用用作數(shù)據(jù)線(xiàn)的布線(xiàn)616。
像素電極624和像素電極626與實(shí)施方式7同樣地通過(guò)使用實(shí)施方 式1所示的復(fù)合材料而形成。像素電極624和像素電極626具有不同的 形狀，并且被狹縫625彼此分離。像素電極626被形成為圍繞呈V字 狀擴(kuò)大的像素電極624的外側(cè)。通過(guò)使用TFT628及TFT629使施加到 像素電極624和像素電極626的電壓時(shí)序不相同，來(lái)控制液晶的取向。 圖24示出了該像素結(jié)構(gòu)的等效電路。TFT628連接到柵布線(xiàn)602，而 TFT629連接到柵布線(xiàn)603。通過(guò)對(duì)柵布線(xiàn)602和柵布線(xiàn)603施加不同 的柵信號(hào)，可以使TFT628和TFT629的動(dòng)作時(shí)序互不相同。
對(duì)置基板601形成有遮光層632、笫二彩色層636、對(duì)置電極640。 此外，第二彩色層636和對(duì)置電極640之間形成平坦化膜637，以便防 止液晶取向的錯(cuò)亂。圖23表示對(duì)置基板一側(cè)的結(jié)構(gòu)。不同的像素共同 使用對(duì)置電極640，并且該對(duì)置電極640形成有狹縫641。通過(guò)互相咬 合地配置所述狹縫641和在像素電極624及像素電極626 —側(cè)的狹縫 625，可以有效地產(chǎn)生傾斜電場(chǎng)來(lái)控制液晶的取向。由此，可以根據(jù)其 位置使液晶具有彼此不同的取向方向，從而擴(kuò)大視角。
像這樣，可以使用有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物相復(fù)合的復(fù)合材料作 為像素電極來(lái)制作液晶面板。通過(guò)采用這樣的像素電極，不需要使用 以銦為主要成分的透光導(dǎo)電膜，因此可以解決在原材料方面的瓶頸問(wèn) 題。
實(shí)施方式9
在本實(shí)施方式中，將參照

用實(shí)施方式1所描述的復(fù)合材 料形成其像素電極的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)例。在本實(shí)施方式中示出 橫向電場(chǎng)方式液晶顯示裝置的一個(gè)例子。橫向電場(chǎng)方式是指通過(guò)對(duì)單 元內(nèi)的液晶分子沿水平方向施加電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶以便顯示灰度級(jí)的方 式。通過(guò)橫向電場(chǎng)方式，可以使視角增大到大約180度。在下面的說(shuō) 明中，對(duì)采用橫向電場(chǎng)方式的液晶面板的像素按制造工序進(jìn)行說(shuō)明。 此外，對(duì)與實(shí)施方式7、實(shí)施方式8相同或類(lèi)似的部分使用相同標(biāo)號(hào)， 省略其詳細(xì)說(shuō)明。
圖25和圖26表示形成柵電極、柵絕緣層以及半導(dǎo)體層的過(guò)程。 注意，圖25是平面圖，并且圖26示出了相應(yīng)于圖25中所示的切斷線(xiàn)
A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面，參照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
在基板600上形成第一像素電極607。第一像素電極607使用實(shí)施 方式1所示的復(fù)合材料而形成。第一像素電極607以大致劃分為像素 形狀的形狀而形成。然后，形成柵布線(xiàn)602、電容布線(xiàn)604。電容布線(xiàn) 604以與第一像素電極607重疊的方式形成。
以覆蓋第一像素電極607、柵布線(xiàn)602、電容布線(xiàn)604的整個(gè)表面 的方式形成第一絕緣層606。而且，形成半導(dǎo)體層608以及n型半導(dǎo)體 層610。半導(dǎo)體層608及n型半導(dǎo)體層610以至少部分與柵布線(xiàn)602重 疊的方式形成。
圖27和圖28表示形成布線(xiàn)的過(guò)程。注意，圖27是平面圖，并且 圖28示出了相應(yīng)于圖27中所示的切斷線(xiàn)A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面，參 照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
然后，形成布線(xiàn)616、布線(xiàn)618。布線(xiàn)616是在液晶面板中傳送視 頻信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)，且是沿一個(gè)方向延伸的布線(xiàn)，同時(shí)，還與n型半導(dǎo) 體層610形成接觸而成為源極和漏極中的一個(gè)電極。布線(xiàn)618是成為 源極和漏極中的另一個(gè)電級(jí)且與像素電極接觸的布線(xiàn)。
在形成布線(xiàn)616、布線(xiàn)618之后，使用該布線(xiàn)作為蝕刻掩模對(duì)n型 半導(dǎo)體層610進(jìn)行蝕刻。布線(xiàn)616和布線(xiàn)618相分離而形成在半導(dǎo)體層 608上。通過(guò)蝕刻去除在布線(xiàn)616、布線(xiàn)618之間的n型半導(dǎo)體層610， 形成TFT的溝道形成區(qū)域。
圖29和圖30表示形成像素電極的過(guò)程。注意，圖29是平面圖， 并且圖30示出了相應(yīng)于圖29中所示的切斷線(xiàn)A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面，
參照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
在布線(xiàn)616、布線(xiàn)618上形成第二絕緣層620。笫二絕緣層620優(yōu) 選由氮化硅或氮氧化硅而形成。在第二絕緣層620中形成接觸孔623， 并且形成第二像素電極624。像素電極624通過(guò)穿過(guò)第二絕緣層620的 接觸孔623連接到布線(xiàn)618。像素電極624通過(guò)使用實(shí)施方式1所示的 復(fù)合材料而形成。該復(fù)合材料可以與由鋁等金屬材料形成的布線(xiàn)61S 形成歐姆接觸。此外，通過(guò)選擇復(fù)合材料中所包含的有機(jī)化合物的種 類(lèi)，可以獲得在450至800nm的可見(jiàn)光區(qū)域沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。 該像素電極624可以以50至100nm的厚度形成。由此，當(dāng)將該像素電 極用作液晶面板的像素電極時(shí)，可以有效地利用背光燈的照明光。
在像素電極624中設(shè)置狹縫625。該狹縫625用來(lái)控制液晶的取 向。在此情況下，電場(chǎng)發(fā)生在第一像素電極607和第二像素電極624 之間。第一像素電極607和第二像素電極624之間形成有第一絕緣層 606，但是笫一絕緣層606的厚度為50至200nm,該厚度與2至10pm 的液晶層的厚度相比十分薄，因此在實(shí)質(zhì)上沿平行于基板600的方向 (水平方向)發(fā)生電場(chǎng)。該電場(chǎng)控制液晶的取向。通過(guò)利用該大致平 行于基板的方向的電場(chǎng)使液晶分子在水平方向上旋轉(zhuǎn)。在此情況下， 由于液晶分子在任何狀態(tài)下也處于水平，所以因觀看角度的對(duì)比度等 的影響很少，從而增大視角。而且，第一像素電極607和第二像素電 極624都是透光電極，因此可以提高開(kāi)口率。
通過(guò)這樣，在基板600上形成TFT628以及連接到該TFT628的像 素電極624。保持電容形成在第 一像素電極607和第二像素電極624之 間。
圖31示出了將基板600和對(duì)置基板601重疊到一起，并注入液晶 的狀態(tài)。其中，所述基板600形成有TFT628以及連接到TFT628的像 素電極624。在對(duì)置基板601上形成有遮光層632、笫二彩色層636、 平坦化膜637等。像素電極處于基板600 —側(cè)，所以不設(shè)置在對(duì)置基 板601 —側(cè)。在基板600和對(duì)置基板601之間形成有液晶層650。
像這樣，可以使用有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物相復(fù)合的復(fù)合材料作 為像素電極來(lái)制作液晶面板。通過(guò)采用這樣的像素電極，不需要使用 以銦為主要成分的透光導(dǎo)電膜，因此可以解決在原材料方面的瓶頸問(wèn) 題。
實(shí)施方式10
在本實(shí)施方式中，將參照

用實(shí)施方式1所描述的復(fù)合材 料形成其像素電極的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)例。在本實(shí)施方式中示出 橫向電場(chǎng)方式液晶顯示裝置的另一個(gè)實(shí)例。在下面的說(shuō)明中，對(duì)采用 橫向電場(chǎng)方式的液晶面板的像素按制造工序進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)與實(shí) 施方式9相同或類(lèi)似的部分使用相同標(biāo)號(hào)，省略其詳細(xì)說(shuō)明。
圖32和圖33表示形成柵電極、柵絕緣層以及半導(dǎo)體層的過(guò)程。 注意，圖32是平面圖，并且圖33示出了相應(yīng)于圖32中所示的切斷線(xiàn) A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面，參照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
在基板600上形成柵布線(xiàn)602和共同電位線(xiàn)609。共同電位線(xiàn)609 與柵布線(xiàn)602平行地配置。但該共同電位線(xiàn)609形成為梳齒形狀以作 為用來(lái)在像素中產(chǎn)生橫向電場(chǎng)的一個(gè)電極。
以覆蓋柵布線(xiàn)602、共同電位線(xiàn)609的整個(gè)表面的方式形成第一絕 緣層606。而且，形成半導(dǎo)體層608以及n型半導(dǎo)體層610。半導(dǎo)體層 608及n型半導(dǎo)體層610以至少部分與柵布線(xiàn)602重疊的方式形成。
圖34和圖35表示形成布線(xiàn)的過(guò)程。注意，圖34是平面圖，并且 圖35示出了相應(yīng)于圖34中所示的切斷線(xiàn)A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面，參 照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
形成布線(xiàn)616、布線(xiàn)618。布線(xiàn)616是在液晶面板中傳送視頻信號(hào) 的數(shù)據(jù)線(xiàn)，并且是沿一個(gè)方向延伸的布線(xiàn)，同時(shí)，還與n型半導(dǎo)體層 610形成接觸而成為源極和漏極中的一個(gè)電極。布線(xiàn)618是成為源極和 漏極中的另一個(gè)電級(jí)且與像素電極接觸的布線(xiàn)。此外，與共同電位線(xiàn) 609重疊地形成電容電級(jí)615。
在形成布線(xiàn)616、布線(xiàn)618之后，使用該布線(xiàn)作為蝕刻掩模對(duì)n型 半導(dǎo)體層610進(jìn)行蝕刻。布線(xiàn)616和布線(xiàn)618相分離而形成在半導(dǎo)體層 608上。通過(guò)蝕刻去除在布線(xiàn)616、布線(xiàn)618之間的n型半導(dǎo)體層610， 形成TFT的溝道形成區(qū)域。
圖36和圖37表示形成像素電極的過(guò)程。注意，圖36是平面圖， 并且圖37示出了相應(yīng)于圖36中所示的切斷線(xiàn)A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面， 參照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
在布線(xiàn)616、布線(xiàn)618上形成第二絕緣層620。第二絕緣層620優(yōu) 選由氮化硅或氮氧化硅而形成。在第二絕緣層620中形成接觸孔623， 并且形成像素電極624。像素電極624通過(guò)穿過(guò)第二絕緣層620的接觸 孔623連接到布線(xiàn)618。像素電極624通過(guò)使用實(shí)施方式1所示的復(fù)合 材料而形成。在像素電極624中設(shè)置狹縫625。該狹縫625用來(lái)控制液 晶的取向。像素電極624被形成為和與共同電位線(xiàn)609同時(shí)形成的梳 齒形電級(jí)之間產(chǎn)生橫向電場(chǎng)。像素電極624的梳齒部以和與共同電位 線(xiàn)609同時(shí)形成的梳齒形電級(jí)互相咬合的方式形成。在^f象素電極624 中，通過(guò)選擇復(fù)合材料中所包含的有機(jī)化合物的種類(lèi)，可以獲得在450 至800nm的可見(jiàn)光區(qū)域沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。該像素電極624可以 以50至100nm的厚度形成。由此，當(dāng)將該像素電極用作液晶面板的像
素電極時(shí)，可以有效地利用背光燈的照明光。
當(dāng)施加到像素電極624的電位與共同電位線(xiàn)609的電位之間產(chǎn)生 電場(chǎng)時(shí)，該電場(chǎng)控制液晶的取向。通過(guò)利用該大致平行于基板的方向 的電場(chǎng)使液晶分子在水平方向上旋轉(zhuǎn)。在此情況下，由于液晶分子在 任何狀態(tài)下都處于水平，所以因觀看角度的對(duì)比度等的影響很少，從 而擴(kuò)大視角。
通過(guò)這樣，在基板600上形成TFT628以及連接到該TFT628的像 素電極624。保持電容通過(guò)在共同電位線(xiàn)609和電容電極615之間設(shè)置 第一絕緣層606而形成。電容電級(jí)615和像素電極624通過(guò)接觸孔633 相互連接。
圖38示出了將基板600和對(duì)置基板601重疊到一起，并注入液晶 的狀態(tài)。其中，所述基板600形成有TFT628以及連接到TFT628的像 素電極624。在對(duì)置基板601上形成有遮光層632、第二彩色層636、 平坦化膜637等。像素電極處于基板600 —側(cè)，所以不設(shè)置在對(duì)置基 板601 —側(cè)。在基板600和對(duì)置基板601之間形成有液晶層650。
像這樣，可以使用有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物相復(fù)合的復(fù)合材料作 為像素電極來(lái)制作液晶面板。通過(guò)采用這樣的像素電極，不需要使用 以銦為主要成分的透光導(dǎo)電膜，因此可以解決在原材料方面的瓶頸問(wèn) 題。
實(shí)施方式11
在本實(shí)施方式中，將參照

用實(shí)施方式1所描述的復(fù)合材
料形成其像素電極的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)例。在本實(shí)施方式中，對(duì) TN型液晶的顯示裝置的一個(gè)實(shí)例進(jìn)行描述。
圖39和圖40表示TN型液晶面板的像素結(jié)構(gòu)。圖39是平面圖， 并且圖40示出了相應(yīng)于圖39中所示的切斷線(xiàn)A-B的截面結(jié)構(gòu)。下面， 參照這兩個(gè)圖來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)與實(shí)施方式io相同的部分使用相 同標(biāo)號(hào)，省略其詳細(xì)說(shuō)明。
像素電極624通過(guò)接觸孔623用布線(xiàn)618連接到TFT628。用作數(shù) 據(jù)線(xiàn)的布線(xiàn)616連接到TFT628。
像素電極624與實(shí)施方式7同樣地通過(guò)使用實(shí)施方式1所示的復(fù)合 材料而形成。
對(duì)置基板601形成有遮光層632、第二彩色層636、對(duì)置電極640。 此外，第二彩色層636和對(duì)置電極640之間形成平坦化膜637，以便防 止液晶取向的錯(cuò)亂。在像素電極624和對(duì)置電極640之間形成有液晶 層650。
像這樣，可以使用有機(jī)化合物和無(wú)機(jī)化合物相復(fù)合的復(fù)合材料作 為像素電極來(lái)制作液晶面板。通過(guò)采用這樣的像素電極，不需要使用 以銦為主要成分的透光導(dǎo)電膜，因此可以解決在原材料方面的瓶頸問(wèn) 題。
實(shí)施方式12
通過(guò)使用實(shí)施方式1至11中制造的顯示面板可以完成電視裝置的 制作。圖41示出了電視裝置的主要結(jié)構(gòu)的方框圖。像素部卯l形成在 顯示面板900上?？梢圆捎肅OG方法將信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路卯2和掃描線(xiàn) 驅(qū)動(dòng)電路卯3安裝在顯示面板卯0上。
作為其它外部電路的結(jié)構(gòu)，在該視頻信號(hào)的輸入一側(cè)具有視頻信 號(hào)放大電路卯5、視頻信號(hào)處理電路906、控制電路卯7等。其中，視 頻信號(hào)放大電路卯5放大調(diào)諧器卯4所接收信號(hào)中的視頻信號(hào)，視頻 信號(hào)處理電路卯6將從視頻信號(hào)放大電路905輸出的信號(hào)轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng) 于紅、綠和藍(lán)各種顏色的色信號(hào)，控制電路907將該視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成 驅(qū)動(dòng)器IC輸入規(guī)格?？刂齐娐访?將信號(hào)輸出到掃描線(xiàn)側(cè)和信號(hào)線(xiàn) 側(cè)。在進(jìn)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)的情況下，可以采用如下結(jié)構(gòu)在信號(hào)線(xiàn)一側(cè)設(shè) 置信號(hào)分割電路卯8，并將輸入數(shù)字信號(hào)劃分成m片而供給。
由調(diào)諧器904接收的信號(hào)中的音頻信號(hào)被發(fā)送到音頻信號(hào)放大電 路909，并經(jīng)音頻信號(hào)處理電路910供給到揚(yáng)聲器913?？刂齐娐?11 從輸入部912接收有關(guān)接收站(接收頻率)或音量的控制信息，并將 信號(hào)傳送到調(diào)諧器904和音頻信號(hào)處理電路910。
圖42表示安裝這種外部電路來(lái)制作的電視裝置。通過(guò)將顯示面板 卯0等組裝到框體920中，可以完成電視裝置的制作。使用顯示面板 900形成顯示屏幕921，且設(shè)置揚(yáng)聲器922、操作開(kāi)關(guān)9M等作為附屬 裝置。像這樣，通過(guò)本發(fā)明可以完成電視裝置的制作。
當(dāng)然，本發(fā)明并不限于電視裝置。除了個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器之夕卜， 還可以應(yīng)用于大面積顯示介質(zhì)的各種用途，例如火車(chē)站、機(jī)場(chǎng)等的信 息顯示板、或者街道上的廣告顯示板等。通過(guò)本實(shí)施方式，可以使用
面板。通過(guò)采用這樣的像素電極，不需要使用以銦為主要成分的透光 導(dǎo)電膜，因此可以解決在原材料方面的瓶頸問(wèn)題。因此，可以根據(jù)對(duì) 電視裝置的需求進(jìn)行生產(chǎn)。
實(shí)施方式13
在本實(shí)施方式中，將參考圖43和44描述一種手機(jī)的示例，該手 機(jī)使用根據(jù)實(shí)施方式1至16制造的顯示模塊。
圖43為示出手機(jī)組件的視圖。該手機(jī)包括置于框體958內(nèi)的模塊 950、鍵輸入開(kāi)關(guān)952、電路基板954、 二次電池956等。如圖43所示， 在放置模塊950時(shí)根據(jù)顯示部的位置對(duì)框體959進(jìn)行切割。此外，IC
芯片或傳感器芯片被安裝在模塊950上。
圖44示出了這種手機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的示例。天線(xiàn)960、高頻電路 961、基帶處理器962等包括通信電路、調(diào)制電路、解調(diào)電路等用于執(zhí) 行700至900MHz以及1.7至2.5GHz的無(wú)線(xiàn)電通信。處理音頻及圖像 的處理器970與CPU971通信，從而將視頻信號(hào)等傳送給控制器975， 此外還控制電源電路974，將音頻輸出到揚(yáng)聲器963,從麥克風(fēng)964輸 入音頻，處理從CCD模塊965發(fā)送的圖像數(shù)據(jù)等。該圖像數(shù)據(jù)可以經(jīng) 輔助的存儲(chǔ)器輸入接口 966而存儲(chǔ)到存儲(chǔ)卡內(nèi)?？刂破?75將信號(hào)發(fā) 送到顯示面板976和顯示面板977，并轉(zhuǎn)換顯示。
CPU971從探測(cè)外部光強(qiáng)度的光傳感器967以及鍵輸入開(kāi)關(guān)968接 收信號(hào)，并控制處理音頻及圖像的處理器970。此外，該CPU經(jīng)通信 接口 969控制使用局域網(wǎng)的通信。為了存儲(chǔ)電話(huà)號(hào)碼或發(fā)送/接受的電 子郵件等的信息，設(shè)置有存儲(chǔ)器972。還可以添加諸如硬盤(pán)等的存儲(chǔ)介 質(zhì)973以進(jìn)一步增加存儲(chǔ)容量。電源電路978向這些系統(tǒng)供電。
注意，圖43示出了手機(jī)的外觀形狀的示例，涉及本實(shí)施方式的手
機(jī)可以根據(jù)功能及用途被調(diào)整成各種模式。
盡管如上所述本實(shí)施方式中以手機(jī)作為示例，但本發(fā)明不限于 此，可以實(shí)現(xiàn)設(shè)置有模塊的各種電子器械諸如計(jì)算機(jī)、攝像機(jī)等。例 如，可以舉出電子書(shū)、便攜式信息終端(PDA(個(gè)人數(shù)字助理)等)、 便攜式視頻游戲機(jī)、家用視頻游戲機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)等。通過(guò)本實(shí)施方式，
說(shuō)明書(shū)第32/34頁(yè)
制作顯示面板。通過(guò)采用這樣的像素電極，不需要使用以銦為主要成 分的透光導(dǎo)電膜，因此可以解決在原材料方面的瓶頸問(wèn)題。因此，可 以根據(jù)對(duì)電視裝置的需求進(jìn)行生產(chǎn)。
如上述實(shí)施方式1至實(shí)施方式13所描述，本發(fā)明包括以下結(jié)構(gòu)。 一種顯示裝置，在像素中包括透光導(dǎo)電膜，該透光導(dǎo)電膜含有空
穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的
金屬氧化物。
一種顯示裝置，包括由含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴傳 輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物的透光導(dǎo)電膜形成的像 素電極。
一種顯示裝置，包括在透過(guò)光的像素開(kāi)口部與絕緣表面接觸的 透光導(dǎo)電膜，其中，該透光導(dǎo)電膜含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該 空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物。
一種顯示裝置，包括晶體管，其柵極連接于掃描線(xiàn)且其源極或 漏極連接于信號(hào)線(xiàn)；形成在晶體管上的絕緣層；以及與絕緣層接觸的 透光導(dǎo)電膜，其中，該透光導(dǎo)電膜含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該 空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物。
一種顯示裝置，在像素中包括透光導(dǎo)電膜，該透光導(dǎo)電膜含有空 穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的 金屬氧化物，且在450nm ~ 800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰。
一種顯示裝置，包括由透光導(dǎo)電膜形成的像素電極，該透光導(dǎo)電 膜含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子 接受性的金屬氧化物，且在450nm~ 800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰。
一種顯示裝置，包括在透過(guò)光的像素開(kāi)口部與絕緣表面接觸的 透光導(dǎo)電膜，其中，該透光導(dǎo)電膜為含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì) 該空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物，且在 450nm ~ 800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。
一種顯示裝置，包括晶體管，其柵極連接于掃描線(xiàn)且其源極或 漏極連接于信號(hào)線(xiàn)；形成在晶體管上的絕緣層；以及與絕緣層接觸的 透光導(dǎo)電膜，其中，透光導(dǎo)電膜為含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)所 述空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物，且在
450nm ~ 800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰的復(fù)合材料。
空穴傳輸性有機(jī)化合物可以具有l(wèi)xl(T6cm2/Vs以上的空穴遷移 率?？昭▊鬏斝杂袡C(jī)化合物可以為芳香胺化合物、呼唑衍生物、芳烴 或高分子化合物。
芳香胺可以為選自N，N，-二(對(duì)曱苯基)-N，N，-二苯基-對(duì)苯二胺(縮 寫(xiě)DTDPPA) ; 4，4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮 寫(xiě)DPAB) ; 4，4，-雙(N-(4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]苯基)-N-苯基 氨基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)DNTPD);以及l(fā)，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基苯(縮寫(xiě) DPA3B)中的一種或多種。
呼唑衍生物可以為選自3-[N-(9-苯基唯唑-3-基)-N-苯基氨基-9-苯 基啼唑(縮寫(xiě)PCzPCAl); 3，6-雙[1^-(9-苯基呼唑-3-基)-]\-苯基氨基]-9-苯基^"唑(縮寫(xiě)PCzPCA2);以及3-[N隱(l國(guó)萘基)-N-(9國(guó)苯基呼唑誦3誦 基)氨基]-9-苯基咔唑(縮寫(xiě)PCzPCNl); 4，4，-二(N-咔唑基)聯(lián)苯(縮 寫(xiě)CBP) ; 1，3，5-三4-(N-"t唑基)苯基苯(縮寫(xiě):TCPB) ; 9-4-(N國(guó) 咔唑基)苯基-10-苯基蒽(縮寫(xiě)CzPA);以及2，3，5，6-四苯基-1,4-雙[4-(]\-
味唑基)苯基苯中的一種或多種。
芳烴可以為選自9，10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuDNA); 9，10-二(萘-1-基)-2-叔丁基蒽;9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(縮寫(xiě): DPPA) ; 9，10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě):t-BuDBA) ; 9，10國(guó) 二(萘-2-基)蒽(縮寫(xiě)DNA) ; 9,10-二苯基蒽(縮寫(xiě)DPAnth) ; 2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuAnth); 9,10-二(4-曱基萘-1-基)蒽(縮寫(xiě)DMNA); 2-叔丁基-9，10-雙[2-(萘-l-基)苯基蒽；9，10-雙[2-(萘-1-基)苯基]蒽； 2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-l-基)蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-2-基)蒽； 9，9，-聯(lián)二蒽；10，10，-二苯基-9,9，-聯(lián)二蒽；10，10，-二(2-苯基苯基)-9，9，國(guó) 聯(lián)二蒽；10，10，-雙[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基-9，9，-聯(lián)二蒽；蒽；并四苯； 紅熒烯；二萘嵌苯；以及2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯；4，4，-雙(2，2-二 苯基乙烯基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)DPVBi);以及9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基) 苯基蒽(縮寫(xiě)DPVPA)中的一種或多種。
高分子化合物可以為選自聚(4-N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基氨基 苯乙烯}(縮寫(xiě)PStDPA)、聚(4-[N-(9-^唑-3-基)-N-苯胺苯乙烯} (縮寫(xiě)PStPCA)、聚(N-乙烯基呼唑)(縮寫(xiě)PVK)和聚(4-乙烯基 三苯胺)(縮寫(xiě)PVTPA)中的一種或多種。
無(wú)機(jī)化合物可以為過(guò)渡金屬氧化物。無(wú)機(jī)化合物可以為屬于元素
周期表第4至8族的金屬的氧化物。無(wú)機(jī)化合物可以為選自氧化釩、 氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸中的一 種或多種。
本說(shuō)明書(shū)根據(jù)2006年7月4日在日本專(zhuān)利局受理的日本專(zhuān)利申請(qǐng) 編號(hào)2006-184495而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說(shuō)明書(shū)中。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)所述空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物的透光導(dǎo)電膜，其中，所述透光導(dǎo)電膜為像素電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其中，所述像素電極形成在絕緣 表面上并與該絕緣表面接觸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其中，所述透光導(dǎo)電膜在450nm 以上至800nm以下的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其中，所述空穴傳輸性有機(jī)化合 物具有l(wèi)xl(T6cm2/Vs以上的空穴遷移率。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的裝置，其中，所述空穴傳輸性有機(jī)化合 物為芳香胺化合物、呼唑衍生物、芳烴或高分子化合物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述芳香胺化合物為選自 N，N，-二(對(duì)曱苯基)-N，N，-二苯基-對(duì)苯二胺(縮寫(xiě)DTDPPA) ; 4，4，-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基聯(lián)苯(縮寫(xiě)DPAB) ; 4，4，畫(huà)雙 (N^4-[N-(3-曱基苯基)-N-苯基氨基]苯基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯(縮寫(xiě) DNTPD );以及1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(縮寫(xiě) DPA3B)中的一種或多種。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述咔唑衍生物為選自 3-[N-(9-苯基^唑-3-基)-N-苯基氨基-9-苯基咔唑(縮寫(xiě)PCzPCAl); 3，6-雙[N-(9-苯基啼唑-3-基)-N-苯基氨基-9-苯基啼唑(縮寫(xiě) PCzPCA2);以及3-[N-(l-萘基)-N-(9-苯基呼唑-3-基)氨基-9-苯基呼唑(縮寫(xiě):PCzPCNl) ; 4，4，-二(N-"t唑基)聯(lián)苯(縮寫(xiě):CBP) ; 1，3,5國(guó) 三[4-(N-味唑基)苯基苯(縮寫(xiě)TCPB) ; 9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯 基蒽(縮寫(xiě)CzPA);以及2，3，5，6-四苯基-l，4-雙[4-(N-咔唑基)苯基] 苯中的一種或多種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述芳烴為選自9，10-二(萘 畫(huà)2國(guó)基)-2國(guó)叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuDNA) ; 9，10-二(萘-1國(guó)基)-2-叔丁基蒽； 9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(縮寫(xiě)DPPA) ; 9，10-二(4-苯基苯基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BiiDBA) ; 9，10-二(萘-2-基)蒽(縮寫(xiě)DNA) ; 9,10-二苯基蒽(縮寫(xiě)DPAnth) ; 2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuAnth) ; 9，10- 二(4-甲基萘-l-基)蒽(縮寫(xiě)DMNA) ; 2-叔丁基-9，10-雙[2-(萘-l-基) 苯基蒽；9，10-雙[2-(萘-1-基)苯基蒽；2，3,6，7-四甲基-9,10-二(萘-l-基) 蒽；2，3，6，7-四曱基-9，10-二(萘-2-基)蒽；9，9，-聯(lián)二蒽；10，10，-二苯基-9，9，畫(huà) 聯(lián)二蒽；10，10，-二(2-苯基苯基)-9，9，-聯(lián)二蒽；10，10，-雙[(2，3，4，5，6-五苯 基)苯基卜9，9，-聯(lián)二蒽；蒽；并四苯；紅熒烯；二萘嵌苯；2，5，8，11國(guó)四(叔 丁基)二萘嵌苯；4，4，-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)DPVBi); 以及9，10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基蒽(縮寫(xiě)DPVPA)中的一種 或多種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述高分子化合物為選自 聚(4-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基氨基苯乙烯)(縮寫(xiě)PStDPA)、 聚(4-[N-(9-"t唑-3-基)-N-苯胺]苯乙烯}(縮寫(xiě)PStPCA)、聚(N-乙烯 基^t唑)(縮寫(xiě)PVK)和聚(4-乙烯基三苯胺)(縮寫(xiě)PVTPA)中的 一種或多種。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為過(guò)渡 金屬氧化物。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為屬于 元素周期表第4至8族的金屬的氧化物。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為選自 氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化 錸中的一種或多種。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述裝置為液晶顯示裝置。
14. 一種裝置，包括 具有柵電極、源區(qū)以及漏區(qū)的晶體管； 電連接于所述柵電極的掃描線(xiàn)； 電連接于所述源區(qū)和漏區(qū)中的一方的信號(hào)線(xiàn)； 在所述晶體管上的絕緣膜；以及在所述絕緣膜上的含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)所述空穴傳輸 性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物的透光導(dǎo)電膜， 其中，所述透光導(dǎo)電膜為像素電極。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述像素電極形成在絕 緣表面上并與該絕緣表面接觸。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述透光導(dǎo)電膜在 450nm~800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述空穴傳輸性有機(jī)化 合物具有l(wèi)xl(T6cm2/Vs以上的空穴遷移率。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述空穴傳輸性有機(jī)化 合物為芳香胺化合物、呼唑衍生物、芳烴或高分子化合物。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中，所述芳香胺化合物為選 自N，N，-二(對(duì)甲苯基)-N，N，-二苯基-對(duì)苯二胺(縮寫(xiě)DTDPPA); 4，4，-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基聯(lián)苯(縮寫(xiě)DPAB) ; 4，4'-雙 (N^4-[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基苯基卜N-苯基氨基)聯(lián)苯(縮寫(xiě) DNTPD );以及1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(縮寫(xiě) DPA3B)中的一種或多種。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中，所述啼唑衍生物為選自 3_[!^(9-苯基味唑-3-基)->[-苯基氨基卜9-苯基呼唑(縮寫(xiě)PCzPCAl); 3，6-雙[N-(9-苯基啼唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(縮寫(xiě) PCzPCA2 ) ; 3-[N-(l-萘基)-N-(9-苯基^t唑-3-基)氨基-9-苯基咔唑(縮 寫(xiě)PCzPCNl) ; 4,4，-二(N-^唑基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)CBP) ; 1,3，5-三[4畫(huà) (N-啼唑基)苯基苯(縮寫(xiě)TCPB) ; 9-[4-(N-呼唑基)苯基-10-苯基蒽(縮寫(xiě)CzPA);以及2，3，5，6-四苯基-l，4-雙[4-(N-味唑基)苯基苯中的 一種或多種。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中，所述芳烴為選自9，10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuDNA) ; 9，10-二(萘-1-基)-2-叔丁 基蒽；9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(縮寫(xiě):DPPA) ; 9，10-二(4-苯基苯 基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t國(guó)BuDBA) ; 9，10-二(萘-2-基)蒽(縮寫(xiě)DNA ); 9,10-二苯基蒽(縮寫(xiě)DPAnth) ; 2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuAnth); 9，10-二(4-甲基萘-1-基)蒽(縮寫(xiě)DMNA) ; 2-叔丁基-9，10-雙[2-(萘畫(huà)1-基)苯基蒽；9，10-雙[2-(萘-1-基)苯基蒽；2，3，6，7-四曱基-9，10-二(萘-1-基)蒽；2，3，6，7-四曱基-9，10-二(萘-2-基)蒽；9，9，-聯(lián)二蒽；10，10，-二苯基 -9，9，-聯(lián)二蒽；10，10，-二(2-苯基苯基)-9，9，-聯(lián)二蒽；10，10，-雙[(2，3，4，5，6畫(huà) 五苯基)苯基-9，9，-聯(lián)二蒽；蒽；并四苯；紅熒烯；二萘嵌苯；2,5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯；4，4，-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)DPVBi); 以及9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基蒽(縮寫(xiě)DPVPA)中的一種或多種。
22. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中，所述高分子化合物為選 自聚(4-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基氨基苯乙烯}(縮寫(xiě)PStDPA)、 聚(4-N-(9-卡唑-3-基)-N-苯胺苯乙烯}(縮寫(xiě)PStPCA)、聚(N-乙烯 基^f唑)(縮寫(xiě)PVK)和聚(4-乙烯基三苯胺)(縮寫(xiě)PVTPA)中的 一種或多種。
23. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為過(guò)渡 金屬氧化物。
24. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為屬于 元素周期表第4至8族的金屬的氧化物。
25. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為選自 氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化 錸中的一種或多種。
26. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述裝置為液晶顯示裝置。
27. —種裝置，包括與絕緣表面接觸的含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)所述空穴傳輸 性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物的透光導(dǎo)電膜； 與所述透光導(dǎo)電膜相鄰的電極；以及 在所述透光導(dǎo)電膜和所述電極之間的發(fā)光層。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中，所述透光導(dǎo)電膜在 450nm~800nm的波長(zhǎng)區(qū)域中沒(méi)有吸收峰。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中，所述空穴傳輸性有機(jī)化 合物具有l(wèi)xl(T6cm2/Vs以上的空穴遷移率。
30. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中，所述空穴傳輸性有機(jī)化合物為芳香胺化合物、呼唑衍生物、 芳烴或高分子化合物。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中，所述芳香胺化合物為選 自N，N，-二(對(duì)甲苯基)-N，N，-二苯基-對(duì)苯二胺(縮寫(xiě)DTDPPA); 4,4，-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫(xiě)DPAB) ; 4,4，-雙 (N-(4-[N-(3-曱基苯基)-N-苯基氨基]苯基卜N-苯基氨基)聯(lián)苯(縮寫(xiě) DNTPD );以及1，3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基苯(縮寫(xiě) DPA3B)中的一種或多種。
32. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中，所述呼唑衍生物為選自 3-[N-(9-苯基啼唑-3-基)-N-苯基氨基-9-苯基呼唑(縮寫(xiě)PCzPCAl); 3，6-雙[N-(9-苯基啼唑-3-基)-N-苯基氨基卜9-苯基呼唑(縮寫(xiě) PCzPCA2);以及3-N-(l-萘基)-N-(9-苯基呼唑-3-基)氨基卜9-苯基味唑(縮寫(xiě)PCzPCNl) ; 4，4，-二(N-啼唑基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)CBP) ; 1，3，5國(guó) 三[4-(N-啼唑基)苯基苯(縮寫(xiě)TCPB);屮[泰(N-吵唑基)]苯基-10-苯 基蒽(縮寫(xiě)CzPA);以及2，3，5，6-四苯基-l，4-雙[4-(N-咔唑基)苯基] 苯中的一種或多種。
33. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中，所述芳烴為選自9,10-二(萘-2-基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuDNA) ; 9,10-二(萘-1-基)-2-叔丁 基蒽；9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(縮寫(xiě):DPPA) ; 9，10-二(4-苯基苯 基)-2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuDBA) ; 9，10-二(萘-2-基)蒽(縮寫(xiě)DNA); 9,10-二苯基蒽(縮寫(xiě)DPAnth) ; 2-叔丁基蒽(縮寫(xiě)t-BuAnth); 9，10-二(4-曱基萘-1-基)蒽(縮寫(xiě)DMNA) ; 2-叔丁基-9，10畫(huà)雙[2畫(huà)(萘畫(huà)l畫(huà) 基)苯基]蒽；9，10-雙2-(萘-1-基)苯基蒽；2，3，6，7-四甲基-9，10-二(萘-1-基)蒽；2，3，6，7-四曱基-9，10-二(萘-2-基)蒽；9，9，-聯(lián)二蒽；lO，lO，-二苯基 -9,9，-聯(lián)二蒽；10，10，-二(2-苯基苯基)-9，9，-聯(lián)二蒽；10，10，-雙(2，3，4，5,6-五苯基)苯基]-9，9，-聯(lián)二蒽；蒽；并四苯；紅熒烯；二萘嵌苯；2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯；4，4，-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)DPVBi); 以及9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基蒽(縮寫(xiě)DPVPA)中的一種 或多種。
34. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其中，所述高分子化合物為選 自聚H-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基I氨基苯乙烯}(縮寫(xiě)PStDPA)、 聚(4-[N-(9-呼唑-3-基)-N-苯胺苯乙烯}(縮寫(xiě)PStPCA)、聚(N-乙烯 基^唑)(縮寫(xiě)PVK)和聚(4-乙烯基三苯胺)(縮寫(xiě)PVTPA)中的 一種或多種。
35. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為過(guò)渡 金屬氧化物。
36. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為屬于 元素周期表第4至8族的金屬的氧化物。
37. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中，所述金屬氧化物為選自 氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化 錸中的一種或多種。
38. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，還包括 在所述透光導(dǎo)電膜和所述發(fā)光層之間的第一載流子注入層； 在所述第一載流子注入層和所述發(fā)光層之間的第一載流子傳輸層；在所述電極和所述發(fā)光層之間的第二載流子注入層；以及 在所述第二載流子注入層和所述發(fā)光層之間的第二載流子傳輸層。
39. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的裝置，其中， 所述第一載流子注入層為空穴注入層， 所述第一載流子傳輸層為空穴傳輸層， 所述第二載流子注入層為電子注入層，并且， 所述第二栽流子傳輸層為電子傳輸層。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種不使用按照慣例所需要的氧化物透光導(dǎo)電膜的顯示裝置。此外，本發(fā)明的目的是提供一種包括使用新的電極材料的顯示裝置的電子器械。本發(fā)明的要點(diǎn)在于使用含有空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物的透光導(dǎo)電膜形成像素或像素部的電極。通過(guò)復(fù)合空穴傳輸性有機(jī)化合物和對(duì)該空穴傳輸性有機(jī)化合物顯示電子接受性的金屬氧化物，來(lái)獲得1×10⁶Ω·cm以下的電阻率，可以用作像素的電極。通過(guò)本發(fā)明，不需要使用特定稀有物質(zhì)而形成透光電極，從而能夠降低以平板顯示器為代表的電子器械的制造成本。
文檔編號(hào)H01B1/00GK101101391SQ200710127140
公開(kāi)日2008年1月9日 申請(qǐng)日期2007年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月4日
發(fā)明者山崎舜平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所