專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置的畫素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
畫素結(jié)構(gòu)具有至少一晶體管結(jié)構(gòu)，其柵極接收水平掃描線，漏極為接收垂直數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)，以提供畫素顯示信號(hào)。由于晶體管需于更新數(shù)據(jù)時(shí)維持先前所輸入的電荷，才不會(huì)使顯示面板失去畫面，但若只以液晶的電容是無(wú)法有效維持其電荷，因此另外還需提供一儲(chǔ)存電容于畫素掃描期間保存其電荷。
為了解上述的問(wèn)題，傳統(tǒng)的畫素結(jié)構(gòu)如圖1所示。請(qǐng)參閱圖1繪示傳統(tǒng)顯示面板中畫素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)圖。畫素結(jié)構(gòu)100形成于一基板102上，畫素結(jié)構(gòu)100包含銦錫氧化層(Indium Tin Oxide，ITO)150、保護(hù)層(passivation)140、層間介電層(interlayer dielectric layer，ILD layer)130、柵極絕緣層120、多晶硅層110及晶體管160所形成。晶體管160的柵極126接收掃描線的信號(hào)。晶體管160的漏極124延伸至層間介電層130上，形成一第二金屬層122b。晶體管160的源極128接收數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)。柵極絕緣層120設(shè)置于第一金屬層122a與多晶硅層110間。保護(hù)層140設(shè)置于源極128及漏極124的上。銦錫氧化層150為一畫素電極，且設(shè)置于保護(hù)層140上，且以一開口152與漏極124電性連接。畫素結(jié)構(gòu)100的儲(chǔ)存電容是由儲(chǔ)存電容Cp1及儲(chǔ)存電容Cp2所構(gòu)成，儲(chǔ)存電容Cp1由第一金屬層122a、柵極絕緣層120及多晶硅層110所構(gòu)成，而儲(chǔ)存電容Cp2由第二金屬層122b、層間介電層130與第一金屬層122a所構(gòu)成。
然而現(xiàn)今對(duì)顯示器的解析度要求越來(lái)越高，相對(duì)的則需縮小像素的尺寸，為了不影響畫素的開口率，電容的設(shè)計(jì)上將被壓縮而導(dǎo)致不足。此外，當(dāng)儲(chǔ)存電容設(shè)計(jì)于金屬層122a與多晶硅層110間時(shí)，由于制作工藝上的限制而使多晶硅層110無(wú)法進(jìn)行摻雜而導(dǎo)致儲(chǔ)存電容的不足。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)及其形成方法，通過(guò)改變畫素的儲(chǔ)存電容的結(jié)構(gòu)及其形成方法，以提高畫素的儲(chǔ)存電容的電容量。
根據(jù)本發(fā)明的第一態(tài)樣，提出一種畫素結(jié)構(gòu)，包括一基板、一圖案化半導(dǎo)體層、一介電層、一圖案化第一金屬層、一內(nèi)層介電層、一圖案化第二金屬層、一保護(hù)層及一圖案化畫素電極?；?，具有一晶體管區(qū)及一電容區(qū)。圖案化半導(dǎo)體層形成于基板上，且一部份的圖案化半導(dǎo)體層位于晶體管區(qū)上，部份的圖案化半導(dǎo)體層具有一源區(qū)及一漏區(qū)。介電層覆蓋于圖案化半導(dǎo)體層及基板上。圖案化第一金屬層形成于晶體管區(qū)及電容區(qū)的介電層上。內(nèi)層介電層覆蓋于圖案化第一金屬層及介電層上，且其具有二第一開口。圖案化第二金屬層，形成于部份內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由此些第一開口連接源區(qū)及漏區(qū)。保護(hù)層覆蓋于圖案化第二金屬層及內(nèi)層介電層上，其中保護(hù)層及部份內(nèi)層介電層中具有一第二開口。圖案化畫素電極形成于部份保護(hù)層及第二開口中的部份內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由該圖案化第二金屬層連接于源區(qū)及漏區(qū)的其中一者。
根據(jù)本發(fā)明的第二態(tài)樣，提出一種畫素結(jié)構(gòu)，包含至少一薄膜晶體管、一儲(chǔ)存電容、一圖案化第一金屬層、一內(nèi)層介電層、一保護(hù)層及一圖案化畫素電極。儲(chǔ)存電容電性連接于薄膜晶體管。內(nèi)層介電層覆蓋于圖案化第一金屬層上。保護(hù)層覆蓋于薄膜晶體管及內(nèi)層介電層上，其中保護(hù)層及部份內(nèi)層介電層中具有一開口。圖案化畫素電極形成且接觸部份保護(hù)層及部份內(nèi)層介電層上。儲(chǔ)存電容包含圖案化第一金屬層、被保留的內(nèi)層介電層及圖案化畫素電極。
根據(jù)本發(fā)明的第三態(tài)樣，提出一種畫素結(jié)構(gòu)的形成方法包括提供一基板，具有一晶體管區(qū)及一電容區(qū)；形成一圖案化半導(dǎo)體層于基板上，且一部份的圖案化半導(dǎo)體層位于晶體管區(qū)上，部份的圖案化半導(dǎo)體層具有一源區(qū)及一漏區(qū)；覆蓋一介電層于圖案化半導(dǎo)體層及基板上；形成一圖案化第一金屬層于晶體管區(qū)及電容區(qū)的介電層上；覆蓋一內(nèi)層介電層于圖案化第一金屬層及介電層上，且其具有二第一開口；形成一圖案化第二金屬層于部份內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由第一開口連接源區(qū)及漏區(qū)；覆蓋一保護(hù)層于圖案化第二金屬層及內(nèi)層介電層上，其中保護(hù)層及部份內(nèi)層介電層中具有一第二開口；形成一圖案化畫素電極于部份保護(hù)層及該第二開口中的部份內(nèi)層介電層上，且經(jīng)由該圖案化第二金屬層連接于源區(qū)及漏區(qū)的其中一者。
根據(jù)本發(fā)明的第四態(tài)樣，提出一種畫素結(jié)構(gòu)的形成方法，此畫素結(jié)構(gòu)具有至少一薄膜晶體管及連接薄膜晶體管的一儲(chǔ)存電容，方法包含形成一圖案化第一金屬層；覆蓋一內(nèi)層介電層于圖案化第一金屬層上；覆蓋一保護(hù)層于薄膜晶體管及內(nèi)層介電層上，其中于保護(hù)層及部份內(nèi)層介電層中具有一開口；形成一圖案化畫素電極，且接觸部份保護(hù)層及部份內(nèi)層介電層上；其中，儲(chǔ)存電容包含圖案化第一金屬層、被保留的內(nèi)層介電層及圖案化畫素電極。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下
圖1(習(xí)知技藝)繪示傳統(tǒng)顯示面板中畫素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2繪示依照本發(fā)明實(shí)施例的光電裝置示意圖；圖3A繪示依照?qǐng)D2中畫素結(jié)構(gòu)的上視圖；圖3B繪示依照?qǐng)D2中畫素結(jié)構(gòu)的另一結(jié)構(gòu)上視圖；圖4A~圖4E繪示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的形成方法的示意圖；圖4F繪示依照本發(fā)明的圖3A中沿著4F-4F剖面線的剖面圖；圖5A~圖5E繪示依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的形成方法的示意圖；圖5F繪示依照?qǐng)D3A的沿著4F-4F剖面線的另一剖面圖；圖6A繪示依照?qǐng)D2中雙柵極畫素結(jié)構(gòu)的上視圖；以及圖6B繪示依照?qǐng)D6A的6B-6B剖面線的剖面圖。
具體實(shí)施方式本發(fā)明的一種畫素結(jié)構(gòu)及其形成方法，以畫素電極、被保留的層間介電層及一金屬層形成儲(chǔ)存電容，可在不影響開口率下增加電容值。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，繪示依照本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置示意圖。電子裝置400包括一顯示面板300及一與顯示面板300連接的電子元件310，如控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、存儲(chǔ)元件、驅(qū)動(dòng)元件、發(fā)光元件、保護(hù)元件、感測(cè)元件、檢測(cè)元件、或其它功能元件、或上述的組合。而電子裝置400的類型包括可攜式產(chǎn)品(如手機(jī)、攝影機(jī)、照相機(jī)、筆記型電腦、游戲機(jī)、手表、音樂(lè)播放器、電子相框、電子信件收發(fā)器、地圖導(dǎo)航器或類似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品(如影音放映器或類似的產(chǎn)品)、屏幕、電視、戶內(nèi)或戶外看板、投影機(jī)內(nèi)的面板等。另外，顯示面板300的種類視其面板中的畫素電極及漏極的至少一者所電性接觸的材質(zhì)，如液晶層、有機(jī)發(fā)光層(如小分子、高分子或上述的組合)、或上述的組合，包含液晶顯示面板(如穿透型面板、半穿透型面板、反射型面板、雙面顯示型面板、垂直配向型面板(VA)、水平切換型面板(IPS)、多域垂直配向型面板(MVA)、扭曲向列型面板(TN)、超扭曲向列型面板(STN)、圖案垂直配向型面板(PVA)、超級(jí)圖案垂直配向型面板(S-PVA)、先進(jìn)大視角型面板(ASV)、邊緣電場(chǎng)切換型面板(FFS)、連續(xù)焰火狀排列型面板(CPA)、軸對(duì)稱排列微胞面板(ASM)、光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列型面板(OCB)、超級(jí)水平切換型面板(S-IPS)、先進(jìn)超級(jí)水平切換型面板(AS-IPS)、極端邊緣電場(chǎng)切換型面板(UFFS)、高分子穩(wěn)定配向型面板(PSA)、雙視角型面板(dual-view)、三視角型面板(triple-view)、或其它型面板、或上述的組合、有機(jī)電激發(fā)光顯示面板、半自發(fā)光的液晶顯示器。顯示面板300由數(shù)個(gè)畫素結(jié)構(gòu)200以陣列方式排列所組成。于以下實(shí)施例中，針對(duì)應(yīng)用于顯示面板300中畫素結(jié)構(gòu)200的不同內(nèi)部結(jié)構(gòu)以不同實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明。第一實(shí)施例及第二實(shí)施例主要是針對(duì)單柵極的畫素結(jié)構(gòu)200；第三實(shí)施例則主要是針對(duì)雙柵極的畫素結(jié)構(gòu)200。
第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D3A，圖3A繪示依照?qǐng)D2中畫素結(jié)構(gòu)的上視圖。在圖3A中，畫素結(jié)構(gòu)200位于基板202(未圖示于第3A及3B圖中)上，由掃描線SC與信號(hào)線DT交錯(cuò)所劃分出來(lái)的區(qū)域，其具有一切換元件區(qū)210與一電容區(qū)220。其中，基板202的材質(zhì)包含透明材料(如玻璃、石英、或其它材料)、不透明的材料(如硅片、陶瓷、或其它材料)、可撓性材料(如聚酯類、聚烯類、聚醯類、聚醇類、聚環(huán)烷類、聚芳香族類、或其它材料、或上述的組合)、或上述的組合。本實(shí)施是以透明材質(zhì)的基板202(如玻璃)為實(shí)施例，但不限于此材料。于本實(shí)施例中，于電容區(qū)220處設(shè)有一電容堆疊結(jié)構(gòu)(未標(biāo)示)，而于切換元件區(qū)210處例如設(shè)有一薄膜晶體管，以作為畫素結(jié)構(gòu)200的開關(guān)控制，且該切換元件區(qū)210的薄膜晶體管電性連接于該電容區(qū)220的電容堆疊。其中薄膜晶體管的柵極212與掃描線SC連接，圖案化第二金屬層226(未繪示于圖3A及3B中)經(jīng)由第一開口236a連接于圖案化半導(dǎo)體層216的源區(qū)216a，且將此處的圖案化第二金屬層226當(dāng)做源極226a(未標(biāo)示于圖3A及3B中)，且此源極226a電性連接于信號(hào)線DT。其它處的圖案化第二金屬層226則經(jīng)由另一第一開口236b與電容區(qū)220處的半導(dǎo)體層216的漏區(qū)216b連接，則將此圖案化第二金屬層226做為漏極226b。另外，畫素電極250則經(jīng)由另一開口262與漏極226b電性連接。此外，電容區(qū)220處的電容堆疊結(jié)構(gòu)作為儲(chǔ)存電容的用，電容堆疊包括分別由部分半導(dǎo)體層216、部分圖案化第一金屬層222、部份圖案化畫素電極250以及位于其間的介電層224與內(nèi)層介電層230(第3A、3B圖未繪示)所構(gòu)成。另外，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A及圖3B，圖3B繪示依照?qǐng)D2中畫素結(jié)構(gòu)另一結(jié)構(gòu)的上視圖。其圖3A及圖3B為兩種不同配置畫結(jié)構(gòu)的上視圖，但其兩者經(jīng)由剖面線4F-4F后所繪制的側(cè)面剖視圖均如圖4F所示。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A及圖4F，圖4F繪示依照?qǐng)D3A中沿著4F-4F剖面線的剖面圖。畫素結(jié)構(gòu)200包含一基板202具有至少一切換元件區(qū)210與一電容區(qū)220、一圖案化半導(dǎo)體層216、介電層224、一圖案化第一金屬層222、一內(nèi)層介電層230、一圖案化第二金屬層226、一保護(hù)層240及一圖案化畫素電極250。圖案化半導(dǎo)體層216形成于基板202上，一介電層224覆蓋于基板202及圖案化半導(dǎo)體層216上。圖案化第一金屬層222形成于部份介電層224上。內(nèi)層介電層230覆蓋于圖案化第一金屬層222及部份介電層224上。一圖案化第二金屬層226形成于部份內(nèi)層介電層230上。保護(hù)層240覆蓋于內(nèi)層介電層230及圖案化第二金屬層226上，且一第二開口260深入于保護(hù)層240及部份內(nèi)層介電層230中。圖案化畫素電極250形成且接觸部份保護(hù)層240及部份內(nèi)層介電層230上，并與漏極226b電性連接。電容區(qū)220處的電容堆疊結(jié)構(gòu)當(dāng)作為儲(chǔ)存電容具有第一電容Cst1包含圖案化第一金屬層222(如電極221)、被保留的內(nèi)層介電層230及圖案化畫素電極250與第二電容Cst2包含圖案化第一金屬層222(如電極221)、介電層224及圖案化半導(dǎo)體層216。
以下以圖4A至圖4F的形成方法剖面示意圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例的形成方法。
請(qǐng)先同時(shí)參照?qǐng)D4A及圖4F。首先，如圖4A中，提供一基板202，且此基板202具有一切換元件區(qū)210及一電容區(qū)220。接著，形成一圖案化半導(dǎo)體層216于基板202上，且圖案化半導(dǎo)體層216位于切換元件區(qū)210上及電容區(qū)220上。其中，圖案化半導(dǎo)體層216的材料包含含硅的非晶材料、含硅的多晶材料、含硅的微晶材料、含硅的單晶材料、含鍺的材料、或其它材料、或上述的組合。本實(shí)施例以含硅的多晶材料為實(shí)施范例，但不限于此材料。
請(qǐng)同時(shí)參照第4F及圖4B。如圖4B，覆蓋一介電層224于圖案化半導(dǎo)層216及基板202上。其中，介電層224的材質(zhì)包含無(wú)機(jī)材質(zhì)(如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳化物、氟硅玻璃、氧化鉿、或其它材料、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methylsilesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或其它材料、或上述的組合。接著，形成一圖案化第一金屬層222于介電層224上，以形成一柵極212、掃描線SC(如圖3A示)及電容區(qū)220上的儲(chǔ)存電容的電極221。在本實(shí)施例中，此時(shí)，施行一摻雜程序(未圖示)為實(shí)施范例，使得圖案化半導(dǎo)體層216形成一源區(qū)216a、一漏區(qū)216b及一位于源區(qū)216a及漏區(qū)216b間的另一本征區(qū)(未標(biāo)示)，而另一部份于電容區(qū)220上未經(jīng)摻雜的圖案化半導(dǎo)體層216形成一本征區(qū)216c，但不限此處施行，摻雜程序亦可選擇性地于圖案化半導(dǎo)體層216形成后、介電層224形成后、圖案化第一金屬層222形成后其中至少一者施行。此外電容區(qū)220上的圖案化半導(dǎo)體層216的本征區(qū)216c亦可使用摻雜的半導(dǎo)體層。必需說(shuō)明的是，較佳地，更形成一另一摻雜區(qū)(未標(biāo)示)于該源區(qū)216a及漏區(qū)216b其中至少一者與本征區(qū)的間及/或形成于電容區(qū)220上的圖案化半導(dǎo)體層216中。而另一摻雜區(qū)的摻雜濃度較小于源區(qū)216a及漏區(qū)216b，亦稱為輕摻雜區(qū)。在此，本實(shí)施例的圖案化半導(dǎo)體層216所包含的源區(qū)216a、漏區(qū)216b、切換元件區(qū)210上的本征區(qū)、電容區(qū)220上的本征區(qū)216c及另一摻雜區(qū)可選擇性地同時(shí)形成或不同時(shí)形成。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4F及圖4C。如圖4C，覆蓋內(nèi)層介電層230于圖案化第一金屬層222及介電層224上。接著，蝕刻部份內(nèi)層介電層230與介電層224形成二第一開口236a/236b，以使得分別暴露出部份源區(qū)216a/漏區(qū)216b。于此實(shí)施例中，內(nèi)層介電層230具有一第一次層232及一第二次層234，其中第一次層232及第二次層234的材質(zhì)包含無(wú)機(jī)材質(zhì)(如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳化物、氟硅玻璃、氧化鉿、或其它材料、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光阻、聚丙醯醚(polyaryleneether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或其它材料、或上述的組合，兩次層的材質(zhì)可實(shí)質(zhì)上相同或?qū)嵸|(zhì)上相異。于此實(shí)施例中，第一次層232的材料例如為硅氮化物(SiNx)及第二次層234的材料例如為硅氧化物(SiOx)為范例，其中此兩次層的材料可相互交換。
接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4F及圖4D。如圖4D，形成圖案化第二金屬層226于部份內(nèi)層介電層230的第二次層234上，且分別經(jīng)由第一開口236a/236b與源區(qū)216a及漏區(qū)216b電性連接。于本實(shí)施例中，切換元件區(qū)210形成一切換元件例如為一薄膜晶體管，因此連接于源區(qū)216a及漏區(qū)216b的圖案化第二金屬層226亦分別稱為源極226a及漏極226b，而連接于掃描線SC(于圖4D中未繪示)的圖案化第一金屬層222亦稱為柵極212，則三者形成薄膜晶體管的基本構(gòu)造，以作為畫素200的開關(guān)控制。接著，覆蓋一保護(hù)層240于源極226a及漏極226b及內(nèi)層介電層230的第二次層234上，其中此保護(hù)層240的材質(zhì)包含為無(wú)機(jī)材質(zhì)(如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳化物、氟硅玻璃、氧化鉿、或其它材料、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如如光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methylsilesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或其它材質(zhì)、或上述的組合。
請(qǐng)參照?qǐng)D4F及圖4E。如圖4E，形成一第二開口260深入保護(hù)層240及部分內(nèi)層介電層230中，以暴露出部份內(nèi)層介電層230，及形成另一開口262深入保護(hù)層240中，以暴露出部份的漏極226b。其中第二開口260深入部份內(nèi)層介電層230中，則未被蝕刻且被保留的內(nèi)層介電層230的厚度，較佳地，實(shí)質(zhì)上等于或?qū)嵸|(zhì)上小于該第一次層232的厚度。舉例而言，第一次層232的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。換句話說(shuō)，第二開口260會(huì)暴露出部份內(nèi)層介電層230的第一次層232。于本實(shí)施例中，第一次層232及第二次層234的材料分別例如為硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)為范例，其蝕刻方法則依據(jù)內(nèi)層介電層230的材料來(lái)選用。如當(dāng)?shù)诙螌?34的材料為硅氧化物(SiOx)時(shí)，較佳地，其蝕刻方法為濕蝕刻；當(dāng)?shù)诙螌?34的材料為硅氮化物(SiNx)時(shí)，較佳地，其蝕刻方法為干蝕刻，但不限于此，蝕刻方法亦可選擇性地互換、全部使用干蝕刻、全部使用濕蝕刻、或二種蝕刻方法一起去蝕刻某一層。
最后，請(qǐng)參照?qǐng)D4F，形成一圖案化畫素電極250于部分的保護(hù)層240及第二開口260的部份內(nèi)層介電層230上，并經(jīng)由另一開口262(如圖4E)與漏極226b電性連接，其中此圖案化畫素電極250的材質(zhì)包含透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述的組合)、反射材質(zhì)(如鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦、鉭、鎢、釹、或上述的合金、或其它材料、或上述的組合)、或上述的組合。本發(fā)明的實(shí)施例以透明材質(zhì)的氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)為實(shí)施例，但不限于此。
由于圖案化畫素電極250與圖案化第一金屬層222(如電極221)的間具有內(nèi)層介電層230，則電容區(qū)220的電容堆疊結(jié)構(gòu)包含圖案化畫素電極250、內(nèi)層介電層230與圖案化第一金屬層222(如電極221)形成第一電容Cst1，且此內(nèi)層介電層230為第一次層232。同樣地，由于圖案化第一金屬層222與圖案化半導(dǎo)層216的本征區(qū)216c間具有介電層224，則電容區(qū)220的電容堆疊結(jié)構(gòu)更包含圖案化第一金屬層222(如電極221)、介電層224與圖案化半導(dǎo)層216的本征區(qū)216c間形成第二電容Cst2。第一電容Cst1及第二電容Cst2為畫素200結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線DT的數(shù)據(jù)信號(hào)傳遞至源極226a時(shí)，與數(shù)據(jù)信號(hào)相關(guān)的畫素電壓會(huì)儲(chǔ)存于第一電容Cst1與第二電容Cst2中。此外，第一電容Cst1中內(nèi)層介電層230經(jīng)蝕刻而產(chǎn)生了第二開口260而削減內(nèi)層介電層230的厚度，此舉可增加電容的電容值。必需說(shuō)明的是，本實(shí)施例的圖案化半導(dǎo)體層216是同時(shí)形成于基板202的切換元件區(qū)210及電容區(qū)220上，然而，亦可選擇性地只形成于切換元件區(qū)210上，則電容堆疊結(jié)構(gòu)就僅包含圖案化畫素電極250、內(nèi)層介電層230與圖案化第一金屬層222(如電極221)所形成的第一電容Cst1。
第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D4F及圖5F，圖5F繪示依照?qǐng)D3A的沿著4F-4F剖面線的另一剖面圖。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例兩者結(jié)構(gòu)其差別在于第一實(shí)施例是以兩次層所組成的內(nèi)層介電層230，第二實(shí)施例則只具有一層內(nèi)層介電層630。其上視圖相同地均為圖3A及3B圖，因此在此不再重復(fù)贅述。以下以圖5A至圖5F的形成方法剖面示意圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例的形成方法。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5A與圖5F。首先，提供一基板202，且此基板202具有一切換元件區(qū)210及一電容區(qū)220。其中，基板202的材質(zhì)包含透明材料(如玻璃、石英、或其它材料)、不透明的材料(如硅片、陶瓷、或其它材料)、可撓性材料(如聚酯類、聚烯類、聚醯類、聚醇類、聚環(huán)烷類、聚芳香族類、或其它材料、或上述的組合)、或上述的組合。本實(shí)施是以透明材質(zhì)的基板202(如玻璃)為實(shí)施例，但不限于此材料。接著，形成一圖案化半導(dǎo)體層216于基板202上，且圖案化半導(dǎo)體層216位于切換元件區(qū)210上及電容區(qū)220上。其中，圖案化半導(dǎo)體層216的材料包含含硅的非晶材料、含硅的多晶材料、含硅的微晶材料、含硅的單晶材料、含鍺的材料、或其它材料、或上述的組合。本實(shí)施例以含硅的多晶材料為實(shí)施范例，但不限于此材料。
請(qǐng)同時(shí)參照第5B及圖5F。如圖5B，覆蓋一介電層224于圖案化半導(dǎo)層216及基板202上。其中，介電層224的材質(zhì)包含無(wú)機(jī)材質(zhì)(如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳化物、氟硅玻璃、氧化鉿、或其它材料、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methylsilesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或其它材料、或上述的組合。接著，形成圖案化第一金屬層222于介電層224上，以形成一柵極212、掃描線SC(如圖3A示)及電容區(qū)220上的儲(chǔ)存電容的電極221。在本實(shí)施例中，此時(shí)，施行一摻雜程序?yàn)閷?shí)施范例，使得圖案化半導(dǎo)體層216形成一源區(qū)216a、一漏區(qū)216b及一位于源區(qū)216a及漏區(qū)216b間的另一本征區(qū)(未標(biāo)示)，而另一部份于電容區(qū)220上未經(jīng)摻雜的圖案化半導(dǎo)體層216形成一本征區(qū)216c，但不限此處施行，摻雜程序亦可選擇性地于圖案化半導(dǎo)體層216形成后、介電層224形成后、圖案化第一金屬層222形成后其中至少一者。此外電容區(qū)220上的圖案化半導(dǎo)體層216的本征區(qū)216c亦可使用摻雜的半導(dǎo)體層。必需說(shuō)明的是，較佳地，更形成一另一摻雜區(qū)(未標(biāo)示)于該源區(qū)216a及漏區(qū)216b其中至少一者與本征區(qū)的間及/或形成于電容區(qū)220上的圖案化半導(dǎo)體層216中。而另一摻雜區(qū)的摻雜濃度較小于源區(qū)216a及漏區(qū)216b，亦稱為輕摻雜區(qū)。在此，本實(shí)施例的源區(qū)216a、漏區(qū)216b、切換元件區(qū)210上的本征區(qū)、電容區(qū)220上的本征區(qū)216c及另一摻雜區(qū)可選擇性地同時(shí)形成或不同時(shí)形成。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5C及圖5F。如圖5C中，覆蓋一內(nèi)層介電層630于圖案化第一金屬層222及介電層224上。接著，蝕刻部份內(nèi)層介電層630與介電層224形成二第一開口236a/236b，以使得分別暴露出部份的源區(qū)216a/漏區(qū)216b。于此實(shí)施例中，內(nèi)層介電層630的材料包含無(wú)機(jī)材質(zhì)(如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳化物、氟硅玻璃、氧化鉿、或其它材料、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methylsilesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或上述的組合。于此實(shí)施例中，內(nèi)層介電層630的材料例如為硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)為范例。
接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5D及圖5F。如圖5D中，形成一圖案化第二金屬層226于部份內(nèi)層介電層630上，且分別經(jīng)由第一開口236a/236b與源區(qū)216a及漏區(qū)216b電性連接。于本實(shí)施例中，切換元件區(qū)210形成一切換元件例如為一薄膜晶體管，連接于源區(qū)216a及漏區(qū)216b的圖案化第二金屬層226亦分別稱為源極226a及漏極226b，而連接于掃描線SC(請(qǐng)參照第3圖)的圖案化第一金屬層222亦稱為柵極212，則三者形成薄膜晶體管的基本構(gòu)造，以作為畫素200的開關(guān)控制。接著覆蓋一保護(hù)層240于圖案化第二金屬層226及內(nèi)層介電層630上，其中此保護(hù)層240的材質(zhì)包含為無(wú)機(jī)材質(zhì)(如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳化物、氟硅玻璃、氧化鉿、或其它材料、或上述的組合)、有機(jī)材質(zhì)(如如光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯并環(huán)丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silesquioxane)、硅氧碳?xì)浠?SiOC-H)、或其它材質(zhì)、或上述的組合)、或其它材質(zhì)、或上述的組合。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5F及圖5E。如圖5E，形成一第二開口260深入保護(hù)層240及部分內(nèi)層介電層630中，以暴露出部份部分內(nèi)層介電層630，及形成另一開口262深入保護(hù)層240中，以暴露出部份的漏極226b。其中第二開口260深入部份內(nèi)層介電層630中，則未被蝕刻且被保留的內(nèi)層介電層630的厚度，較佳地，實(shí)質(zhì)上小于或?qū)嵸|(zhì)上等于內(nèi)層介電層630的原來(lái)厚度的50％。舉例而言，被保留的內(nèi)層介電層630的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。于此實(shí)施例中，內(nèi)層介電層630的材料例如為硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)為范例，則其蝕刻方法則依據(jù)內(nèi)層介電層630的材料來(lái)選用。若當(dāng)內(nèi)層介電層630的材料為硅氧化物(SiOx)時(shí)，較佳地，其蝕刻方法為濕蝕刻；當(dāng)內(nèi)層介電層630的材料為硅氮化物(SiNx)時(shí)，較佳地，其蝕刻方法為干蝕刻，但不限于此，蝕刻方法亦可選擇性地互換、全部使用干蝕刻、全部使用濕蝕刻、二種蝕刻方法一起去蝕刻某一層。
最后，請(qǐng)參照?qǐng)D5F，形成一圖案化畫素電極250于部分的保護(hù)層240及開口260的部份內(nèi)層介電層630上，并經(jīng)由另一開口262(請(qǐng)參照?qǐng)D5E)與漏極226b電性連接。其中此圖案化畫素電極250的材質(zhì)包含透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述的組合)、反射材質(zhì)(如鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦、鉭、鎢、釹、或上述的合金、或其它材料、或上述的組合)、或上述的組合。本發(fā)明的實(shí)施例以透明材質(zhì)的氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)為實(shí)施例，但不限于此。
由于圖案化畫素電極250與圖案化第一金屬層222的(如電極221)間具有內(nèi)層介電層630，則電容區(qū)220的電容堆疊結(jié)構(gòu)包含圖案化畫素電極250、內(nèi)層介電層630與圖案化第一金屬層222(如電極221)的間形成第一電容Cst3。同樣地，由于圖案化第一金屬層222(如電極221)與圖案化半導(dǎo)層216的本征區(qū)216c間具有介電層224，則電容區(qū)220的電容堆疊結(jié)構(gòu)更包含圖案化第一金屬層222(如電極221)、介電層224與圖案化半導(dǎo)層216的本征區(qū)216c形成第二電容Cst4。第一電容Cst3及第二電容Cst4為畫素結(jié)構(gòu)200的儲(chǔ)存電容。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線DT的數(shù)據(jù)信號(hào)傳遞至源極226a時(shí)，與數(shù)據(jù)信號(hào)相關(guān)的畫素電壓會(huì)儲(chǔ)存于第一電容Cst3與第二電容Cst4中。此外，第一電容Cst3中內(nèi)層介電層630經(jīng)蝕刻而產(chǎn)生了第二開口260而削減內(nèi)層介電層630的厚度，此舉可增加電容的電容值。必需說(shuō)明的是，本實(shí)施例的圖案化半導(dǎo)體層216是同時(shí)形成于基板202的切換元件區(qū)210及電容區(qū)220上，然而，亦可選擇性地只形成于切換元件區(qū)210上，則電容堆疊堆疊就僅包含圖案化畫素電極250、內(nèi)層介電層630與圖案化第一金屬層222(如電極221)所形成的第一電容Cst3。
第三實(shí)施例第三實(shí)施例與上述二實(shí)施例兩者的差別在于上述實(shí)施例是以單柵極畫素結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)明其儲(chǔ)存電容的結(jié)構(gòu)，第三實(shí)施例以雙柵極畫素結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)明其儲(chǔ)存電容的結(jié)構(gòu)，并以一層內(nèi)層介電層為例，但不限于此亦可以多層內(nèi)層介電層230來(lái)實(shí)施，如上述實(shí)施例所述，而其形成方法、相關(guān)的材料及設(shè)計(jì)條件在此不再重復(fù)贅述。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6A及圖6B，圖6A繪示一雙柵極畫素結(jié)構(gòu)的上視圖。圖6B繪示依照?qǐng)D6A的6B-6B剖面線的剖面圖。畫素結(jié)構(gòu)200位于由掃描線SC與信號(hào)線DT交錯(cuò)所劃分出來(lái)的區(qū)域，其具有一切換元件區(qū)210與一電容區(qū)220于基板202(未繪示于圖6A上)上。于本實(shí)例中，切換元件區(qū)210例如設(shè)有一薄膜晶體管，以開關(guān)控制此畫素結(jié)構(gòu)200，且電容區(qū)220處設(shè)有一電容堆疊結(jié)構(gòu)(未標(biāo)注)，其做為畫素結(jié)構(gòu)200的儲(chǔ)存電容。而薄膜晶體管具有雙柵極212a/212b與掃描線SC連接。一圖案化第二金屬層226(未繪示于圖6A)經(jīng)由第一開口236a連接于半導(dǎo)層216的源區(qū)216a，則將此處的圖案化第二金屬層226當(dāng)做源極226a，且此源極226a電性連接于信號(hào)線DT。其它處的圖案化第二金屬層226則經(jīng)由另一第一開口236b與半導(dǎo)體層216的漏區(qū)216b連結(jié)，則將此第二圖案金屬層226做為漏極226b。另外，圖案化畫素電極250則經(jīng)由另一開口262與漏極226b電性連接。此外，電容區(qū)220的電容堆疊結(jié)構(gòu)作為儲(chǔ)存電容的用，分別由部份圖案化半導(dǎo)層216的本征區(qū)216c(如圖6B示)、圖案化第一金屬層222(如電極221)、部份畫素電極250以及位于其間的介電層224與內(nèi)層介電層630(如圖6B示)所構(gòu)成。
請(qǐng)參照?qǐng)D6B，繪示依照?qǐng)D6A中沿著6B-6B’剖面線的剖面圖。畫素結(jié)構(gòu)200包含一基板202具有至少一切換元件區(qū)210與一電容區(qū)220、一圖案化半導(dǎo)體層216、介電層224、一圖案化第一金屬層222、一內(nèi)層介電層630、一圖案化第二金屬層226、一保護(hù)層240及一圖案化畫素電極250。一圖案化半導(dǎo)體層216形成于基板202上，一介電層224覆蓋于基板202及圖案化半導(dǎo)體層216上。圖案化第一金屬層222形成于部份介電層224上，以形成柵極212a/212b、掃描線SC及電容區(qū)220上的儲(chǔ)存電容的電極221。內(nèi)層介電層630覆蓋于圖案化第一金屬層222及部份介電層224上。一圖案化第二金屬層226形成于部份內(nèi)層介電層630上。保護(hù)層240覆蓋于圖案化第二金屬層226及內(nèi)層介電層630上，且第二開口260深入于保護(hù)層240及部份內(nèi)層介電層630中。圖案化畫素電極250形成且接觸部份保護(hù)層240及部份內(nèi)層介電層630上，且圖案化畫素電極250經(jīng)另一開口262與漏極226b電性連接。此圖案化畫素電極250的材質(zhì)包含透明材質(zhì)(如銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述的組合)、反射材質(zhì)(如鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦、鉭、鎢、釹、或上述的合金、或其它材料、或上述的組合)、或上述的組合。本發(fā)明的實(shí)施例以透明材質(zhì)的氧化銦錫(Indium TinOxide，ITO)為實(shí)施例，但不限于此。
于本實(shí)施例中，切換元件區(qū)210形成一切換元件例如為一薄膜晶體管，因此連接于源區(qū)216a及漏區(qū)216b的圖案化第二金屬層226亦分別稱為源極226a及漏極226b，而連接于掃描線SC的圖案化第一金屬層222亦稱為柵極212a/212b，則三者形成薄膜晶體管的基本構(gòu)造，以作為畫素結(jié)構(gòu)200的開關(guān)控制。
由于圖案化畫素電極250與圖案化第一金屬層222(如電極221)的間具有內(nèi)層介電層630，則電容區(qū)220的電容堆疊結(jié)構(gòu)包含圖案化畫素電極250、內(nèi)層介電層630與圖案化第一金屬層222(如電極221)的間形成第一電容Cst5。同樣地，由于圖案化第一金屬層222(如電極221)與圖案化半導(dǎo)層216的本征區(qū)216c間具有介電層224，則電容區(qū)220的電容堆疊結(jié)構(gòu)更包含圖案化第一金屬層222(如電極221)、介電層224與圖案化半導(dǎo)層216的本征區(qū)216c形成第二電容Cst6。第一電容Cst5及第二電容Cst6為畫素結(jié)構(gòu)200的儲(chǔ)存電容。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線DT(于圖6A中)的數(shù)據(jù)信號(hào)傳遞至源極226a時(shí)，與數(shù)據(jù)信號(hào)相關(guān)的畫素電壓會(huì)儲(chǔ)存于第一電容Cst5與第二電容Cst6中。此外，第一電容Cst5中內(nèi)層介電層630經(jīng)蝕刻而產(chǎn)生了第二開口260而削減內(nèi)層介電層630的厚度，此舉可增加電容的電容值。必需說(shuō)明的是，本實(shí)施例的圖案化半導(dǎo)體層216是同時(shí)形成于基板202的切換元件區(qū)210及電容區(qū)220上，然而，亦可選擇性地只形成于切換元件區(qū)210上，則電容堆疊結(jié)構(gòu)就僅包含圖案化畫素電極250、內(nèi)層介電層630與圖案化第一金屬層222(如電極221)所形成的第一電容Cst5。此外，本實(shí)施例是以單層內(nèi)層介電層630為實(shí)施范例，亦可選擇性如本發(fā)明上述實(shí)施例所述的內(nèi)層介電層230具有第一次層232及第二次層234，且被保留于開口260下的介電層230如上述實(shí)施例所述的設(shè)計(jì)。又，本實(shí)施例所述的材質(zhì)及蝕刻方法亦可采用本發(fā)明上述實(shí)施例所述的材質(zhì)及蝕刻方法。
因此，本發(fā)明上述實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的剖面圖，簡(jiǎn)明而言為一基板202具有至少一切換元件區(qū)210及一電容區(qū)220，且切換元件區(qū)210上具有至少一薄膜晶體管(未標(biāo)示)及電容區(qū)220上具有電容堆疊的儲(chǔ)存電容，而儲(chǔ)存電容，電性連接于薄膜晶體管；然后，提供一圖案化第一金屬層222；一內(nèi)層介電層630，覆蓋于該圖案化第一金屬層222上；一保護(hù)層240，覆蓋于該薄膜晶體管(未標(biāo)示)及該內(nèi)層介電層630上，其中該保護(hù)層240及部份該內(nèi)層介電層630中具有一開口260；一圖案化畫素電極250，形成且接觸部份該保護(hù)層240及部份該內(nèi)層介電層630上，其中該儲(chǔ)存電容(如Cst1、Cst3、Cst5等)包含該圖案化第一金屬層222(如電極221)、位于該開口260下的被保留的該內(nèi)層介電層630及該圖案化畫素電極250。再者，視其電容區(qū)220是否有額外的圖案化半導(dǎo)體層216可與圖案化第一金屬層222(如電極221)的夾層(如介電層224)形成第二電容(如Cst2、Cst4、Cst6等)。又，本發(fā)明上述實(shí)施例的圖案化半導(dǎo)體層216、介電層224及圖案化第一金屬層222的形成順序是以典型的頂閘型薄膜晶體管為實(shí)施范例，但不限于此，亦可變換圖案化半導(dǎo)體層216、介電層224及圖案化第一金屬層222的形成順序，舉例而言，先形成圖案化第一金屬層222、再形成介電層224及圖案化半導(dǎo)體層216即形成典型的底閘型薄膜晶體管。因此，本發(fā)明上述實(shí)施例的切換元件區(qū)210上的薄膜晶體管可選擇性地為頂閘型、底閘型或其它類型。只要其電容區(qū)220的儲(chǔ)存電容的結(jié)構(gòu)符合本發(fā)明上述實(shí)施例所述的設(shè)計(jì)即可使用的。又，本發(fā)明上述實(shí)施例所述的圖案化畫素電極250連接于漏極226b所經(jīng)由的開口262與漏極226b連接圖案化半導(dǎo)體層216所經(jīng)由的開口236b，二者開口是以實(shí)質(zhì)上不對(duì)應(yīng)的或不對(duì)應(yīng)的為實(shí)施例范例，但不限于此，亦可選擇性地二者對(duì)應(yīng)的或?qū)嵸|(zhì)上對(duì)應(yīng)的。再者，本發(fā)明上述實(shí)施例于形成二第一開口236a/236b是以一起蝕刻內(nèi)層介電層630及介電層224或內(nèi)層介電層230及介電層224為較佳實(shí)施例，但不限于此，亦可選擇性地先蝕刻介電層224使其具有二開口后，再于內(nèi)層介電層630或230形成后，再蝕刻形成另外的二開口于內(nèi)層介電層630或230中，且另外的二開口分別實(shí)質(zhì)上對(duì)應(yīng)或?qū)?yīng)于介電層224中的二開口。
本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露的畫素結(jié)構(gòu)及其的形成方法，用以增加畫素結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容的電容，削減層間介電層的厚度，且利用畫素電極、圖案化第一金屬層與被保留的層間介電層所形成的電容。通過(guò)削減層間介電層的厚度所形成的電容，可有效的提高畫素結(jié)構(gòu)中儲(chǔ)存電容的電容值，且不影響畫素結(jié)構(gòu)中的開口率。此外也可解決制作工藝上的限制，而使圖案化半導(dǎo)體層無(wú)法進(jìn)行摻雜時(shí)導(dǎo)至儲(chǔ)存電容的電容的問(wèn)題。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種畫素結(jié)構(gòu)，包括一基板，具有一晶體管區(qū)及一電容區(qū)；一圖案化半導(dǎo)體層形成于該基板上，且一部份的該圖案化半導(dǎo)體層位于該晶體管區(qū)上，其中該部份的該圖案化半導(dǎo)體層具有一源區(qū)及一漏區(qū)；一介電層，覆蓋于該圖案化半導(dǎo)體層及該基板上；一圖案化第一金屬層，形成于該晶體管區(qū)及該電容區(qū)的該介電層上；一內(nèi)層介電層，覆蓋于該圖案化第一金屬層及該介電層上；一圖案化第二金屬層，形成于部份該內(nèi)層介電層上，且電性連接該源區(qū)及漏區(qū)；一保護(hù)層，覆蓋于該圖案化第二金屬層及該內(nèi)層介電層上，其中該保護(hù)層及該內(nèi)層介電層中具有一開口，以暴露出被保留的部份該內(nèi)層介電層；以及一圖案化畫素電極，形成于部份該保護(hù)層及該開口中的該被保留的部份該內(nèi)層介電層上，且電性連接該圖案化第二金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容區(qū)具有一第一電容，由該圖案化畫素電極、位于該開口下的該被保留的該內(nèi)層介電層及位于該電容區(qū)的該圖案化第一金屬層所構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，一另一部份的該圖案化半導(dǎo)體層，形成于該電容區(qū)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容區(qū)具有一第二電容，由位于該電容區(qū)的該圖案化第一金屬層、該介電層及位于該電容區(qū)的該另一部份的該圖案化半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上小于或等于該內(nèi)層介電層的原來(lái)厚度的50％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)層介電層具有一第一次層及一第二次層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該該第一次層及該第二次層的材質(zhì)的至少一者包含無(wú)機(jī)材質(zhì)、有機(jī)材質(zhì)或上述的組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上等于或小于該第一次層的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一次層的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容區(qū)具有一第一電容，由該圖案化畫素電極、該第一次層及位于該電容區(qū)的該圖案化第一金屬層所構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，一另一部份的該圖案化半導(dǎo)體層，形成于該電容區(qū)上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容區(qū)具有一第二電容，由位于該電容區(qū)的該圖案化第一金屬層、該介電層及位于該電容區(qū)的該另一部份的該圖案化半導(dǎo)體層所構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層的材質(zhì)包含無(wú)機(jī)、有機(jī)或上述的組合。
15.一種畫素結(jié)構(gòu)，包含至少一薄膜晶體管；一圖案化第一金屬層；一內(nèi)層介電層，覆蓋于該圖案化第一金屬層上；一保護(hù)層，覆蓋于該薄膜晶體管及該內(nèi)層介電層上，其中該保護(hù)層及部份該內(nèi)層介電層中具有一開口，以暴露出被保留的部份該內(nèi)層介電層；及一圖案化畫素電極，形成且接觸部份該保護(hù)層及該被保留的部份該內(nèi)層介電層上，其中該圖案化第一金屬層、位于該開口下的該被保留的該內(nèi)層介電層及該圖案化畫素電極構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電容，該第一儲(chǔ)存電容電性連接該薄膜晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含一圖案化半導(dǎo)體層，形成于該圖案化第一金屬層之下，且其間具有一介電層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層、該介電層及該圖案化第一金屬層構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上小于或等于該內(nèi)層介電層的原來(lái)厚度的50％。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該內(nèi)層介電層具有一第一次層及一第二次層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一次層及該第二次層的材質(zhì)至少一者包含無(wú)機(jī)材質(zhì)、有機(jī)材質(zhì)或上述的組合。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上等于或小于該第一次層的厚度。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一次層的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于該開口下的該被保留的該內(nèi)層介電層為該第一次層。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的畫素結(jié)構(gòu)，更包含一圖案化半導(dǎo)體層，形成于該圖案化第一金屬層之下，且其的間具有一介電層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體、該介電層及該圖案化第一金屬層構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容。
27.根據(jù)權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層的材質(zhì)包含無(wú)機(jī)、有機(jī)或上述的組合。
28.一種顯示面板，包含如權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)。
29.一種顯示面板，包含如權(quán)利要求15所述的畫素結(jié)構(gòu)。
30.一種電子裝置，包含如權(quán)利要求28所述的顯示面板。
31.一種電子裝置，包含根據(jù)權(quán)利要求29所述的顯示面板。
32.一種畫素結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供一基板，具有一晶體管區(qū)及一電容區(qū)；形成一圖案化半導(dǎo)體層于該基板上，其中一部份的該圖案化半導(dǎo)體層形成于該晶體管區(qū)上，該部份的該圖案化半導(dǎo)體層具有一源區(qū)及一漏區(qū)；形成一介電層于該圖案化半導(dǎo)體層及該基板上；形成一圖案化第一金屬層于該晶體管區(qū)及該電容區(qū)的該介電層上；形成一內(nèi)層介電層于該圖案化第一金屬層及該介電層上，且其具有二第一開口；形成一圖案化第二金屬層于部份該內(nèi)層介電層上，且通過(guò)該些第一開口連接該源區(qū)及漏區(qū)；形成一保護(hù)層于該圖案化第二金屬層及該內(nèi)層介電層上，其中該保護(hù)層及該內(nèi)層介電層中具有一第二開口，以暴露出被保留的部份該內(nèi)層介電層；以及形成一圖案化畫素電極于部份該保護(hù)層及該第二開口中的該被保留的部份該內(nèi)層介電層，且電性連接該圖案化第二金屬層。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，位于該電容區(qū)的該圖案化畫素電極、位于該第二開口下的該被保留的該內(nèi)層介電層及位于該電容區(qū)的該圖案化第一金屬層構(gòu)成一第一電容。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，一另一部份圖案化半導(dǎo)體層形成于該電容區(qū)上。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于，位于該電容區(qū)的該圖案化第一金屬層、該介電層及該另一部份圖案化半導(dǎo)體層構(gòu)成一第二電容。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上小于或等于該內(nèi)層介電層的原來(lái)厚度的50％。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。
38.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，該內(nèi)層介電層具有一第一次層及一第二次層。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，位于該第二開口下的被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上等于或小于該第一次層的厚度。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，該第一次層的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。
41.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，位于該電容區(qū)的該圖案化畫素電極、該第一次層及該圖案化第一金屬層構(gòu)成一電容。
42.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，一另一部份的圖案化半導(dǎo)體層，形成于該電容區(qū)上。
43.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，位于該電容區(qū)的該圖案化第一金屬層、該介電層及該另一部份的圖案化半導(dǎo)體層構(gòu)成一電容。
44.一種畫素結(jié)構(gòu)的形成方法，該畫素結(jié)構(gòu)具有至少一薄膜晶體管，該方法包含形成一圖案化第一金屬層；形成一內(nèi)層介電層于該圖案化第一金屬層上；形成一保護(hù)層于該薄膜晶體管及該內(nèi)層介電層上，其中于該保護(hù)層及該內(nèi)層介電層中具有一開口，以暴露出被保留的部份該內(nèi)層介電層；以及形成一圖案化畫素電極，且接觸部份該保護(hù)層及該被保留的部份該內(nèi)層介電層上；其中，該圖案化第一金屬層、位于該開口下的被保留的該內(nèi)層介電層及該圖案化畫素電極構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電容。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，更包含形成一圖案化半導(dǎo)體層于該圖案化第一金屬層之下，且其的間具有一介電層。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體、該介電層及該圖案化第一金屬層構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容。
47.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上小于或等于該內(nèi)層介電層的原來(lái)厚度的50％。
48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。
49.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，該內(nèi)層介電層具有一第一次層及一第二次層。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其特征在于，該被保留的該內(nèi)層介電層的厚度實(shí)質(zhì)上等于或小于該第一次層的厚度。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其特征在于，該第一次層的厚度實(shí)質(zhì)上為100埃()~1500埃()。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其特征在于，該圖案化畫素電極、該第一次層及該圖案化第一金屬層構(gòu)成該第一儲(chǔ)存電容。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的方法，其特征在于，更包含形成一圖案化半導(dǎo)體層于該圖案化第一金屬層之下，且其的間具有一介電層。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體、該介電層及該圖案化第一金屬層構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容。
55.一種顯示面板的形成方法，包含如權(quán)利要求32所述的畫素結(jié)構(gòu)的形成方法。
56.一種顯示面板的形成方法，包含如權(quán)利要求44所述的畫素結(jié)構(gòu)的形成方法。
57.一種電子裝置的形成方法，包含如權(quán)利要求55所述的顯示面板的形成方法。
58.一種電子裝置的形成方法，包含如權(quán)利要求56所述的顯示面板的形成方法。
全文摘要
一種畫素結(jié)構(gòu)包含至少一薄膜晶體管、一儲(chǔ)存電容、一圖案化第一金屬層、一內(nèi)層介電層、一保護(hù)層及一圖案化畫素電極。儲(chǔ)存電容電性連接于薄膜晶體管。內(nèi)層介電層覆蓋于圖案化第一金屬層上。保護(hù)層覆蓋于薄膜晶體管及內(nèi)層介電層上，且保護(hù)層及部分內(nèi)層介電層具有一開口。圖案化畫素電極形成于部分保護(hù)層及部分內(nèi)層介電層上且接觸部分保護(hù)層及部分內(nèi)層介電層，其中儲(chǔ)存電容包含圖案化第一金屬層、位于該開口下的被保留的內(nèi)層介電層及圖案化畫素電極。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101075623SQ200710126458
公開日2007年11月21日 申請(qǐng)日期2007年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月11日
發(fā)明者趙志偉, 鄭逸圣, 林昆志, 陳亦偉 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司