專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，尤其是，涉及一種具有改善的 可靠性和延長(zhǎng)的壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光顯示器件通過在有機(jī)發(fā)光層中電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生的光
顯示圖像。有機(jī)電致發(fā)光顯示器件不像液晶顯示器件(LCD)，因?yàn)槠洳捎脧?有機(jī)發(fā)光層產(chǎn)生的光顯示圖像，所以不需要背光組件。因此，有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件重量輕并且薄并且具有低能耗、寬視角、以及高對(duì)比度。此外，有機(jī)電 致發(fā)光顯示器件可以以低直流(DC)電壓驅(qū)動(dòng)并且具有快速的響應(yīng)吋間。由 于有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的所有組件是由固體材料形成的，有機(jī)電致發(fā)光顯示 器件更能抵抗外部碰撞。此外，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件可以用于較寬的溫度范 圍并且以低成本制造。
同時(shí)，傳統(tǒng)有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的有機(jī)發(fā)光層易受濕氣和氧氣的影響。 因此，有機(jī)發(fā)光層采用密封件密封從而保護(hù)其不受濕氣和氧氣的影響。由于濕 氣和氧氣，有機(jī)發(fā)光層退化從而其中發(fā)生黑斑。黑斑的發(fā)生將減少有機(jī)電致發(fā) 光顯示器件的壽命并且降低其可靠性。
密封件包括通過UV光的照射固化的紫外線(UV)固化樹脂。UV固化 樹脂是一種有機(jī)材料且不能有效地阻止外部的濕氣和氧氣。因此，有機(jī)電致發(fā) 光顯示器件的壽命和可靠性在高溫和高濕度環(huán)境中大大減少和降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法，其基本上消 除由于相關(guān)技術(shù)的局限性和缺陷引起的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種能夠有效阻止外部的濕氣和氧氣從而增 加有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的可靠性和壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在說明書中闡明，熟悉本領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員從以下的研究將可以部分明白，或可以通過本發(fā)明的實(shí)施方式理解。本 發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)將通過說明書和權(quán)利要求書以及附圖所指出的結(jié)構(gòu)來 實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了獲得這些目的和其它的優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和廣泛 描述的， 一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括第一基板；與所述第一基板相對(duì)設(shè) 置的第二基板；設(shè)置在第一和第二基板至少之一上的顯示元件；以及設(shè)置在第 一基板和第二基板之間以密封所述顯示元件的熔塊玻璃，所述熔塊玻璃由光一 熱轉(zhuǎn)換劑固化。
在本發(fā)明的另一方面， 一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，包括: 包括制備第一基板；在第一基板上形成顯示元件；制備第二基板；在第一或 第二基板的外圍涂覆密封劑，并且粘接所述第一基板到所述第二基板；以及固 化所述密封劑，所述密封劑包括粉末型熔塊玻璃和光_熱轉(zhuǎn)換劑。
應(yīng)該理解，本發(fā)明上面的概括性描述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋 性的，其目的在于對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。


本申請(qǐng)所包含的附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，其與說明書相結(jié)合并構(gòu)成 說明書的一部分，所述附圖表示本發(fā)明的實(shí)施例并與說明書一起解釋本發(fā)明的 原理。在圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的示意性截 面圖2A至2D示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光 顯示器件的方法的示意性截面圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的示意性截 面圖；以及
圖4A至4D示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件的方法的示意性截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)參照附圖所示的示例，說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。在圖中，為 了清楚，層和區(qū)域的厚度都被放大。盡可能的，相同的附圖標(biāo)記在所有的圖中 指代相同或相似的部分。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的示意性截 面圖。
參照?qǐng)Dl，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括第
一基板100和第二基板200。在第一基板100中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管E， 而第二基板200保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光二極管E不受外部的濕氣和氧氣的影響。第 二基板200密封有機(jī)電致發(fā)光二極管E。
密封劑300在第一基板100或第二基板200的外圍周界(periphery)中形 成。在第一基板100和第二基板200通過密封劑300互相粘接。
在該實(shí)施方式中，密封劑300包括采用光一熱轉(zhuǎn)換劑固化的熔塊玻璃(frit glass)。熔塊玻璃熔塊玻璃有效阻止外部的濕氣和氧氣，從而增加了有機(jī)電致 發(fā)光二極管E的壽命和可靠性。
光一熱轉(zhuǎn)換劑將光能轉(zhuǎn)換為熱能。
具體的，當(dāng)光能和熱施加給包含粉末型熔塊玻璃和光一熱轉(zhuǎn)換劑的混合物 的密封劑時(shí)，光一熱轉(zhuǎn)換劑轉(zhuǎn)換光能為熱能并且將轉(zhuǎn)換的熱能提供給 >末型烙 塊玻璃。因此，可以減少制造該熔塊玻璃需要的時(shí)間。此外，可以降低制造該 熔塊玻璃需要的溫度。
通過在高于大約400°C加熱熔塊玻璃粉末然后冷卻來制造熔塊玻璃。然 而，如果在高于大約400。C制造熔塊玻璃，有機(jī)電致發(fā)光二極管E可能被熱 分解。然而，給熔塊玻璃粉末加上光一熱轉(zhuǎn)換劑，可以在較低的溫度制造熔塊 玻璃并且大大減少熔塊玻璃的固化時(shí)間。
光一熱轉(zhuǎn)換劑可以是把光轉(zhuǎn)換為熱的紅外染料、碳黑、鋁、或氧化鋁。
有機(jī)電致發(fā)光二極管E包括第一電極150、第二電極170、和夾在兩個(gè)電 極150和170之間的有機(jī)層160。
第一電極150由透明導(dǎo)電材料形成，例如，氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅 (IZO)等等。第二電極170可以由例如鋁和鋁合金的材料形成，其功函低于
第一電極150的功函。
此外，第一基板100包括薄膜晶體管(TFT) Tr和有機(jī)電致發(fā)光二極管E。 有機(jī)電致發(fā)光二極管E電連接到TFT Tr。
具體來說，TFTTr電連接到有機(jī)電致發(fā)光二極管E的第一電極150。這樣， 第一電極150在各子像素中構(gòu)圖，并且第二電極170電連接到有機(jī)電致發(fā)光二 極管E。
可以在第二基板200內(nèi)側(cè)提供濕氣吸收劑210。濕氣吸收劑210 A人第一基 板100和第二基板200之間的密封空間除去殘留的濕氣和氧氣。
圖2A至2D示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光 顯示器件的示意性截面圖。
參照?qǐng)D2A，在第一基板100上形成TFT Tr和有機(jī)電致發(fā)光二極管E。有 機(jī)電致發(fā)光二極管E電連接到TFT Tr。
具體的，在第一基板100上形成半導(dǎo)體層105。半導(dǎo)體層105可以由多晶 硅形成。在半導(dǎo)體層105形成之前形成保護(hù)層110。保護(hù)層UO保護(hù)半導(dǎo)體層 105不受第一基板100的雜質(zhì)的影響。
柵絕緣層120在形成半導(dǎo)體層105的第一基板100上方形成。柵豐及115 對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層105在一部分柵絕緣層120上方形成。
采用柵極115作為掩模通過給半導(dǎo)體層105注入雜質(zhì)在半導(dǎo)體層105中限 定源區(qū)域和漏區(qū)域。
層間絕緣層130在柵極115和柵絕緣層120上方形成。電連接到源/漏區(qū) 域的源/漏極135a和135b在層間絕緣層130上形成。這樣，在第一基板100 上形成TFTTr。
在形成有TFT Tr的第一基板100上方形成鈍化層140，并且有機(jī)電致發(fā) 光二極管E在鈍化層140上形成。有機(jī)電致發(fā)光二極管E電連接到TFT Tr。 TFTTr電連接到電源線155。
有機(jī)電致發(fā)光二極管E包括電連接到TFTTr的第一電極150。第一電極 150可以通過在各子像素中沉積透明導(dǎo)電材料和構(gòu)圖沉積的透明導(dǎo)電材料形 成。第一電極150可以由ITO或IZO形成。
具有暴露子像素的開口的絕緣層圖案145在第一電極150上形成。絕緣層 圖案145可以由感光樹脂形成。
在各子像素中，有機(jī)層160在由絕緣層圖案145的開口暴露的第一電極 150上形成。有機(jī)層160可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻止層、電 子傳輸層、和電子注入層從而增加有機(jī)發(fā)光層160的發(fā)光效率。
第二電極170在有機(jī)層160上形成。第二電極170用作公共電極。第二電 極170可以由其功函小于第一電極150的導(dǎo)電材料形成。例如，第二電極170 可以由鋁、鎂、或鈣形成。這樣，形成了電連接到TFTTr的有機(jī)電致發(fā)光二 極管E。
參照?qǐng)D2B，制備第二基板200?？梢栽诘诙?00內(nèi)側(cè)提供濕氣吸收 劑210來吸收氧氣和濕氣。
在第一基板100或第二基板200的外圍上涂覆預(yù)備的密封劑。預(yù)備的密封 劑包括粉末型熔塊玻璃和光—熱轉(zhuǎn)換劑。
光一熱轉(zhuǎn)換劑將光能轉(zhuǎn)換為熱能并且可以是紅外染料、碳黑、鋁、或氧化鋁。
參照?qǐng)D2C，第一基板100和第二基板200通過預(yù)備的密封劑互相粘接。 然后，通過選擇性地施加光能和熱以固化預(yù)備的密封劑從而形成密封齊U 300。
具體的，第一基板100和第二基板200通過當(dāng)由施加的光能產(chǎn)生的熱熔化 并且冷卻而固化的粉末型熔塊玻璃互相粘接。
與粉末型熔塊玻璃均勻混合的光一熱轉(zhuǎn)換劑接收光能來產(chǎn)生熱，^v而把熱 均勻地施加給粉末型熔塊玻璃。因此，可以減少熔塊玻璃的固化時(shí)間并且可以 把熱均勻地施加給熔塊玻璃。因此，穩(wěn)固地固化熔塊玻璃，從而減少了濕氣/ 空氣傳播率。
可以通過激光或電子束加熱器(beamheater)提供光能。激光或電子束加 熱器把光能選擇性地照射到形成密封劑300的區(qū)域上。這樣，把光選擇性地傳 輸?shù)接袡C(jī)電致發(fā)光二極管E，從而防止有機(jī)電致發(fā)光二極管E的熱分解。
電子束加熱器向密封劑300提供具有波長(zhǎng)為0.1—200 )Lim的電子束，光一 熱轉(zhuǎn)換劑在該波長(zhǎng)可以發(fā)生反應(yīng)。由于電子束加熱器以線型或三角型把電子束 照射到密封區(qū)域上，可以減少密封劑300的固化時(shí)間。因此，減少了在密封劑 300固化的過程中有機(jī)電致發(fā)光二極管暴露給熱量的時(shí)間，從而防止有機(jī)電致 發(fā)光二極管E的熱分解和第一基板100或第二基板200的裂化。
參照?qǐng)D2D，通過粉末型熔塊玻璃的固化和再結(jié)晶形成密封劑300。因此，
可以保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光二極管E不受外部的濕氣或氧氣。g卩，因?yàn)槊芄绱鐒?00 包括具有濕氣/空氣低傳播率的熔塊玻璃，可以防止有機(jī)電致發(fā)光二極管E由 于濕氣和/或氧氣而退化。
此外，由于激光或電子束加熱器把光能選擇性地照射到形成密封齊i」300 的區(qū)域上，可以防止有機(jī)電致發(fā)光二極管E由于受熱而熱分解。此外，向密封 劑300中添加光一熱轉(zhuǎn)換劑可以減少密封劑300的固化溫度和固化時(shí)間并且更 穩(wěn)固地固化密封劑300。因此，密封劑300可以很好地阻止?jié)駳夂脱鯕?，從?增加設(shè)備的壽命和可靠性。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的示意性截 面圖。由于圖3的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件類似于圖1，除了在不同的基板中形 成TFT和有機(jī)電致發(fā)光二極管E，為了簡(jiǎn)明，將省略相同的說明。
參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括按預(yù) 先確定的距離彼此分開的第一和第二基板400和500并且通過密封劑600互相 粘接。TFTTr在第一基板400上形成，并且有機(jī)電致發(fā)光二極管E在第二基 板500上形成。
由于在雙面板型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中很難獨(dú)立地形成濕氣吸收劑，因 此需要把第一基板400粘接到第二基板500的封裝處理。
密封劑600包括采用光一熱轉(zhuǎn)換劑制成的熔塊玻璃。由于包括熔塊玻璃的 密封劑600具有低于相關(guān)技術(shù)的密封劑的濕氣/氧氣傳播率，可以大大增加有 機(jī)電致發(fā)光二極管E的壽命和可靠性。
光一熱轉(zhuǎn)換劑可以是將光能轉(zhuǎn)換為熱能的紅外染料、碳黑、鋁、或氧化鋁。 光一熱轉(zhuǎn)換劑可以減少固化密封劑600需要的溫度和時(shí)間。因此，可以防止有 機(jī)電致發(fā)光二極管E在固化密封劑600時(shí)被熱分解。
同時(shí)，多條柵線和多條數(shù)據(jù)線在第一基板400上方互相交叉。TFTTr設(shè) 置在由交叉的兩條線限定的子像素中。TFTTr包括柵極401、半導(dǎo)體層402、 和源/漏極403a和403b。
通過增加TFTTr的溝道長(zhǎng)度，g卩，源極403a和漏極403b之間的長(zhǎng)度， 可以改善TFTTr的特性。
在TFT Tr形成的第一基板400的上方形成鈍化層420。連接電極404在 鈍化層420上形成來接觸TFT Tr的漏極403b。 TFT Tr通過連接電極404電連
接到有機(jī)電致發(fā)光二極管E。 g卩，TFTTr電連接到有機(jī)電致發(fā)光二極管E的 第二電極530。
公共電壓焊盤P在第一基板400上形成，以從外部電路接收公共電壓并把 接收的公共電壓提供給有機(jī)電致發(fā)光二極管E。公共電壓焊盤P包括電源電極 411和電源接觸電極412。電源電極411電連接到在第一基板400中形成的公 共電壓線，并且電源接觸電極412在電源電極411上形成并且電連接到有機(jī)電 致發(fā)光二極管E的第一電極510。
虛擬圖案(dummy pattern)413在電源電極411和電源接觸電極412形成。 虛擬圖案413和TFTTr具有相同的高度差。
包括第一電極510、有機(jī)發(fā)光層520、和第二電極530的有機(jī)電致發(fā)光二 極管E在第二基板500下形成。
第一電極510在第二基板500下形成。第一電極510作為公共電極并且可 以由透明導(dǎo)電材料形成，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
輔助電極505可以進(jìn)一步在第二基板500和第一電極510之間形成。輔助 電極505減少第一電極510的電阻。這樣，輔助電極505由低電阻金屬形成并 且大多不透明。因此，輔助電極505優(yōu)選的在對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū)域的區(qū)域形成。
在有機(jī)發(fā)光層520之下或之上還可以形成有至少空穴注入層(HIL)、空 穴傳輸層(HTL)、空穴阻止層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、和電子注入 層(EIL)其中之一。
因?yàn)樵诘谝浑姌O510、有機(jī)發(fā)光層520、和第二電極530的邊界可以適當(dāng) 地調(diào)節(jié)能量級(jí)別，因此，電子和空穴可以更容易地注入有機(jī)發(fā)光層520。這樣， 可以大大改善有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的發(fā)光效率。
形成第二電極530以包圍第一襯墊料535a的外圍，該第一襯墊料535a固 定地保持第一基板400和第二基板500之間的盒間隙。由于第一襯墊料535a， 第二電極530的一部分向第一基板400突起。突起的第二電極530接觸連接電 極404。此外，第二電極530通過設(shè)置于子像素的外圍中形成的緩沖層515上 的隔離體(separator) 525在各子像素中自動(dòng)構(gòu)圖。
有機(jī)電致發(fā)光顯示器件還包括與第一襯墊料535a具有相同高度的第二襯 墊料535b。第二襯墊料535b在與形成電源接觸電極412區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中 形成。這樣，形成與第二電極530分離的第二電極虛擬圖案540以包圍第二襯
墊料535b。包圍第二襯墊料535b的第二電極虛擬圖案540接觸電源接觸電極 412。與第二電極530分離的第二電極虛擬圖案540電連接到第一電極510。 第一電極510和電源接觸電極412通過第二襯墊料535b電連接，從而可以將 公共電壓施加給第一電極510。
圖4A至4D示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件的方法的示意性截面圖。
參照?qǐng)D4A，制備第一基板400，并且在第一基板400上形成TFT Tr。
具體的，導(dǎo)電層在第一基板400上形成并且構(gòu)圖以形成柵線(未示出)和 柵極401。這樣，柵線在一個(gè)方向形成而柵極401從柵線分支。同時(shí)可以形成 電源電極411從而其從外部信號(hào)接收公共電壓并且將接收的公共電壓施加給 有機(jī)電致發(fā)光二極管，這將在下面說明。此外，形成以預(yù)先確定的距離與電源 電極411分隔開的第一虛擬圖案413a。
柵絕緣層410在形成柵極401的第一基板400上方形成?？梢圆捎猛ㄟ^化 學(xué)汽相沉積(CVD)工藝沉積的氧化硅層、氮化硅層、或它們的層疊的層形成 柵絕緣層410。
在柵絕緣層410上形成對(duì)應(yīng)柵極401的半導(dǎo)體層402。同時(shí)，可以進(jìn)一步 在柵絕緣層410上形成對(duì)應(yīng)第一虛擬圖案413a的第二虛擬圖案413b。
在半導(dǎo)體層402和柵絕緣層410上形成第一導(dǎo)電層(未示出)并且構(gòu)圖以 形成與柵線(未示出)交叉的數(shù)據(jù)線(未示出)。同時(shí)，漏極403b在半導(dǎo)體 層402的中心部分形成，而源極403a以環(huán)形形狀形成以包圍漏極403b的外圍。 因此，通過增加TFTTr的溝道區(qū)域，即，對(duì)應(yīng)源極403a和漏極403b的區(qū)域 改善TFTTr的特性。此外，第三虛擬圖案413c可以進(jìn)一步在第二虛擬圖案 413b上形成。
這樣，形成了包括柵極401、半導(dǎo)體層402和源/漏極403a和403b的TFTTr。
鈍化層420在柵絕緣層410和TFT Tr上形成?？梢圆捎糜袡C(jī)層或無機(jī)層 形成鈍化層420。例如，有機(jī)層可以是丙烯酸基樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、 聚酰亞胺(PI)、或酚醛清漆樹脂，而無機(jī)層可以是氧化硅層、氮化硅層、或 它們的層疊的層。
在鈍化層420中形成接觸空穴以暴露漏極403b和電源電極411的部分。
導(dǎo)電層在具有接觸孔的鈍化層420上形成并且構(gòu)圖以形成電連接到漏極 403b的連接電極404。同時(shí)，可以形成電源接觸電極412。電源接觸電極412 設(shè)置在第一至第三虛擬圖案413a、 413b和413c，從而其與連接電極404具有 相同的高度差。
參照?qǐng)D4B，制備形成有機(jī)電致發(fā)光二極管E的第二基板500。
具體的，制備第二基板500，并且第一電極510作為公共電極在第二基板 500上形成。第一電極510由具有高功函的透明導(dǎo)電材料形成。例如，第一電 極510可以由ITO或IZO形成。
形成緩沖層515以在第一電極510上限定像素區(qū)域。緩沖層515由絕緣層 形成。隔離體525在緩沖層515上形成。隔離體525可以以倒錐形形狀的分隔 壁形成。隔離體525可以由有機(jī)絕緣材料形成。此外，島形緩沖層515進(jìn)一步 在子像素中形成，并且第一襯墊料535a在緩沖層515上形成。同時(shí)，形成的 第二隔離體535b與第一襯墊料535a具有相同的高度。
有機(jī)發(fā)光層520和第二電極530在第一襯墊料535a和第一電極510上方 順序形成。第二電極530通過隔離體525在各子像素中自動(dòng)分離。另外，因?yàn)?第二電極530延伸超過第一襯墊料535a，所以由于第一襯墊料535a，第二電 極530的一部分向上突起。同時(shí)，形成與第二電極530分離的第二電極虛擬圖 案540以包圍第二襯墊料535b。第二電極虛擬圖案540也向上突起。第二電 極虛擬圖案540電連接到第一電極510。
在形成有機(jī)發(fā)光層520之前，可以進(jìn)一步形成空穴注入層和/或空穴傳輸 層。此外，在形成有機(jī)發(fā)光層520之后，進(jìn)一步形成空穴阻止層、電子傳輸層、 和電子注入層其中至少之一。
參照?qǐng)D4C，密封劑600涂覆在形成TFT Tr的第一基板400上或形成有機(jī) 電致發(fā)光二極管E的第二基板500上。密封劑600含有熔塊玻璃和光一熱轉(zhuǎn)換 劑。光一熱轉(zhuǎn)換劑可以是把光轉(zhuǎn)換為熱能的紅外染料、碳黑、鋁、或氧化鋁至 少其中之一。
然后，第一和第二基板400和500對(duì)準(zhǔn)從而第一基板400中形成的TFT Tr 和公共電壓焊盤P電接觸有機(jī)電致發(fā)光二極管E。即，連接電極404接觸由第 一襯墊料535a突起的第二電極530。此外，對(duì)應(yīng)虛擬圖案413的電源接觸電 極412電接觸由第二襯墊料535b突起的第二電極虛擬圖案540。
密封劑600通過將光能照射到形成密封劑600的區(qū)域而固化，并且第一基 板400和第二基板500互相粘接從而密封有機(jī)電致發(fā)光二極管。
可以采用激光或電子束加熱器僅向形成密封劑600的區(qū)域提供光旨巨。電子 束加熱器的波長(zhǎng)范圍從大約0.1 |Lim到大約200 iLim。
這樣，第一基板400和第二基板500采用具有低濕氣/氧氣傳播率的熔塊 玻璃互相粘接。由于給密封劑600增加了光一熱轉(zhuǎn)換劑，可以減少熔塊玻璃的 固化時(shí)間和固化溫度。此外，可以增加熔塊玻璃的固化程度，從而進(jìn)一歩減少 濕氣或氧氣傳播率。
因此，可以通過防止有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的退化并保護(hù)其不受外部的氧 氣或濕氣增加有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的壽命和可靠性。
當(dāng)形成TFT和有機(jī)電致發(fā)光二極管的基板粘接在獨(dú)立的封裝基板時(shí)，有 機(jī)電致發(fā)光顯示器件的產(chǎn)率由TFT的產(chǎn)率和有機(jī)電致發(fā)光二極管的產(chǎn)率的乘 積決定。因此，總產(chǎn)率大大取決于形成在較后級(jí)執(zhí)行的有機(jī)電致發(fā)光二極管的 工藝。然而，本發(fā)明的第二實(shí)施方式可以期望通過在不同基板上形成TFT和 有機(jī)電致發(fā)光二極管并粘接該兩個(gè)基板減少缺陷率和增加產(chǎn)品產(chǎn)率。
如上所述，通過采用具有低濕氣/氧氣傳播率的熔塊玻璃執(zhí)行封裝工藝可 以增加有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的壽命和可靠性。
此外，由于給熔塊玻璃增加光一熱轉(zhuǎn)換劑，可以減少固化溫度和固化時(shí)間， 從而防止有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的退化。
此外，由于光能僅照射到密封劑形成的區(qū)域，可以防止有機(jī)電致發(fā)光二極 管由于傳遞到其上的熱量而退化。
顯然，對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說可以對(duì)本發(fā)明可以進(jìn)行各種修改 和變形。從而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求書及其等同物范圍內(nèi)的本發(fā) 明的修改和變形。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括第一基板；與所述第一基板相對(duì)的第二基板；設(shè)置在第一和第二基板至少之一上的顯示元件；以及設(shè)置在第一基板和第二基板之間以封裝所述顯示元件的玻璃，所述玻璃由光-熱轉(zhuǎn)換劑固化。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述光 一熱轉(zhuǎn)換劑是選自把光能轉(zhuǎn)換為熱能的紅外染料、碳黑、鋁、或氧化鋁中的至 少之一。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述顯示元件包括設(shè)置在第一基板上并具有不同功函的第一和第二電極；以及 設(shè)置在第一電極和第二電機(jī)之間并且具有有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第 一電極由透明導(dǎo)電材料形成。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第 一基板還包括電連接到第一電極的薄膜晶體管。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述在 第一基板上以矩陣形式提供多個(gè)第一電極。
7、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，在所述 第二基板中還包括濕氣吸收劑。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述顯 示元件設(shè)置在第二基板上，而連接到顯示元件的薄膜晶體管在第一基板上形 成。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述玻 璃包括熔塊玻璃。
10、 一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，包括 制備第一基板； 在第一基板上形成顯示元件； 制備第二基板；在第一或第二基板的外圍涂覆密封劑，并且粘接所述第一基板到^f述第二 基板；以及固化所述密封劑，所述密封劑包括玻璃粉末和光—熱轉(zhuǎn)換劑。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其特征在于，所述密封劑通過激光或 電子束加熱器固化，該激光或電子束加熱器向光一熱轉(zhuǎn)換劑提供光從而從光一 熱轉(zhuǎn)換劑產(chǎn)生熱量。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述電子束加熱器的波 長(zhǎng)范圍從0.1 |dm到200 |Lim。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述光一熱轉(zhuǎn)換劑是選 自把光能轉(zhuǎn)換為熱能的紅外染料、碳黑、鋁、或氧化鋁中的至少之一。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括在第一基板上形 成薄膜晶體管。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成顯示元件的步 驟包括在第一基板上形成第一電極，所述第一電極電連接到薄膜晶體管； 在第一基板上形成至少具有有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)層；以及 在有機(jī)層上形成第二電極。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括在第二基板中形 成濕氣吸收劑。
17、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括在第二基板上形 成薄膜晶體管。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成有機(jī)電致發(fā)光 二極管的步驟包括在第一基板上形成第一電極；在第一基板上形成至少具有有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)層；以及 在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶體管接觸第 二電極。
20、根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述玻璃粉末包括熔塊 玻璃粉末。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法。第一基板和第二基板通過密封劑密封。有機(jī)電致發(fā)光二極管在第一基板上形成。密封劑包括熔塊玻璃和光-熱轉(zhuǎn)換劑。熔塊玻璃通過防止有機(jī)電致發(fā)光二極管在固化工藝過程被熱分解，可以減少濕氣和氧氣傳播率。由于通過熔塊玻璃封裝兩個(gè)基板，可以增加有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的壽命和可靠性。
文檔編號(hào)H01L51/50GK101097942SQ20071011105
公開日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2007年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者俞仁善, 俞忠根, 文鍾碩, 李晙碩, 趙興烈, 金廷炫 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社