專利名稱：：用于化學(xué)機(jī)械拋光的分散體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明提供用于將金屬薄膜進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的水分散體，所述分散體包含氧化鋁。
背景技術(shù)：
：集成電路由在硅襯底中或硅襯底上形成的數(shù)百萬個有源器件構(gòu)成。所述有源器件(它們最初是彼此分離的)連接在一起以形成功能電路和元件。使用已知的多級互連裝置將所述器件連接在一起?；ミB結(jié)構(gòu)通常包括第一敷金屬層、互連層、第二敷金屬層，有時包括第三和隨后的敷金屬層。使用介電中間層，例如具有低介電常數(shù)的摻雜的二氧化硅(Si02)或氮化鉭，以便為硅襯底中的各種敷金屬層提供電絕緣。不同互連層之間的電連接通過使用敷金屬的通路(via)產(chǎn)生。以類似的方法使用金屬接觸點(metalcontact)和通路以形成互連層之間的電連接。這些金屬通路和觸點可以用各種金屬和合金，例如銅(Cu)或鉤(W)填充。在這些金屬通路和觸點中通常使用阻隔層，例如由氮化鈦(TiN)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)或它們的組合構(gòu)成的阻隔層，以使金屬層粘附到二氧化硅襯底上。在該觸點層處，該阻隔層充當(dāng)擴(kuò)散阻擋層以防止填充的金屬和Si02反應(yīng)。半導(dǎo)體制造過程通常涉及化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)步驟，在此期間除去過量金屬。對于化學(xué)機(jī)械拋光中使用的分散體來說，顯示提高的金屬薄膜:阻隔層選擇性是需要的。通常使用包含氧化鋁的分散體用于這一目的。這些分散體的缺點是它們在3和7之間的pH值通常顯示低的穩(wěn)定性?？赡馨l(fā)生絮凝，這使得不可能獲得可再現(xiàn)的拋光結(jié)果。另外，阻隔層和金屬薄膜之間的選擇性可能不充分，可能發(fā)生過度拋光。US6,585，786公開了一種拋光漿料，其至少包含一種拋光顆粒、一種氧化劑和一種堿性氨基酸化合物。漿料具有不少于3但是不大于9的pH值。當(dāng)在鉭基金屬的阻隔金屬薄膜上形成銅基金屬嵌入的互連時，該漿料應(yīng)該允許抑制在銅基金屬薄膜的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中易于產(chǎn)生的凹陷和侵蝕?？梢园谠搾伖鉂{料中的拋光顆粒的實例包括氧化鋁如a型氧化鋁、e型氧化鋁、Y型氧化鋁和熱解氧化鋁。僅給出一個其中使用8型氧化鋁分散體進(jìn)行拋光的實例。'786參考文獻(xiàn)沒有區(qū)分不同種類的氧化鋁，得出結(jié)論認(rèn)為任何種類的氧化鋁都能解決該技術(shù)問題。US6，471，884公開了一種存儲器或硬盤表面的平面化或拋光的方法，包括用包含氧化劑、氨基酸、水和磨料的拋光組合物打磨所述表面的至少一部分，所述氧化劑選自過硫酸鹽和過氧化物。該磨料可以是氧化鋁。該'884參考文獻(xiàn)沒有把不同種類的氧化鋁區(qū)分開，得出結(jié)論認(rèn)為任何種類的氧化鋁都能解決該技術(shù)問題。US6,593,239公開了一種包含成膜劑、氧化劑、絡(luò)合劑和磨料的化學(xué)機(jī)械拋光漿料，以及使用該化學(xué)機(jī)械拋光槳料從襯底上除去含銅合金、鈦和氮化鈦的層的方法。該磨料可以是沉淀的氧化鋁、熱解氧化鋁、沉淀的二氧化硅、熱解二氧化硅和它們的混合物。該公開內(nèi)容沒有把不同種類的磨料和不同種類的添加劑區(qū)分開。因此，根據(jù)'239文獻(xiàn)可以利用磨料和添加劑的任何組合將含銅合金、鈦和氮化鈦的層從襯底上除去。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種分散體，其顯示良好的穩(wěn)定性并且在化學(xué)機(jī)械拋光方法中顯示提高的金屬除去率，同時具有較低的阻隔層除去率。所述目的通過pH值為3-7且包含l-35重量。/。磨料的水分散體達(dá)到，所述磨料是比表面積為50-200mVg且平均聚集體直徑小于200nm的熱解氧化鋁。在一個優(yōu)選實施方案中該平均聚集體直徑為70-150nm。在另一個優(yōu)選實施方案中，至少90%的聚集體具有小于500證的直徑。該熱解氧化鋁的制備包括在氫和氧的火焰中水解鋁化合物。在燃燒過程中形成大致為球形的熔融顆粒，其直徑根據(jù)過程參數(shù)而改變。這些金屬氧化物的熔融球體(稱為初級顆粒)通過在它們的接觸點處發(fā)生碰撞彼此熔合，從而形成支化的三維鏈狀聚集體。使聚集體破裂所需的力是相當(dāng)大的。在冷卻和收集過程中，該聚集體進(jìn)一步經(jīng)歷碰撞，這會導(dǎo)致一些機(jī)械纏繞從而形成附聚物。附聚物被認(rèn)為是通過范德華力松散地結(jié)合在一起，并且可以逆轉(zhuǎn)，即通過在適合的介質(zhì)中的適當(dāng)分散解附聚。根據(jù)本發(fā)明的熱解氧化鋁呈初級顆粒的聚集體形式。該初級顆粒不是多孔的。這些初級顆粒的表面具有羥基。在本發(fā)明的一個實施方案中，該熱解氧化鋁具有55-75mVg，優(yōu)選60-70mVg的比表面積。除了y型氧化鋁和/或e型氧化鋁，所述熱解氧化鋁優(yōu)選包含至少30%的S型氧化鋁作為晶體相。百分率數(shù)據(jù)表示晶體組分的總和。晶體相的含量通過X射線衍射分析測定。其它相不能通過這一分析法檢測。8型氧化鋁的含量可以優(yōu)選為70%-95%。除了晶體S型-、Y型-和e型-氧化鋁改性之外，該熱解氧化鋁還可以包含無定形氧化鋁組分。在每種情況下基于該熱解氧化鋁的總量，該無定形氧化鋁的含量優(yōu)選小于5重量％,尤其優(yōu)選小于2重量％。無定形氧化鋁的含量可以根據(jù)X射線衍射圖來估算。此外，在每種情況下基于晶體組分的總和，S型氧化鋁含量為30%-40%，8型氧化鋁含量為0-5%，Y型氧化鋁含量為60%-70%的熱解氧化鋁可以是尤其有利的。而且，如果該熱解氧化鋁的填實密度(tampeddensity)是10-200g/1會是有利的。35-135g/l的范圍會是尤其優(yōu)選的。觀察到在這一范圍內(nèi)，可以尤其容易地將所述熱解氧化鋁引入水介質(zhì)中。在本發(fā)明的另一個實施方案中，該熱解氧化鋁具有85-115mVg的比表面積。根據(jù)DINENISO787/11(1983年8月)，該填實密度優(yōu)選為50士10g/1，并且基于點火材料，八1203含量優(yōu)選為>99.6重量％。在本發(fā)明的另一個實施方案中，熱解氧化鋁具有120-140mVg的比表面積以及大于8ml/2g的Sears指數(shù)。優(yōu)選，采用16g的稱重測量時，所述熱解氧化鋁不允許鄰苯二甲酸二丁酯吸收率的端點檢測。在本發(fā)明的另一個實施方案中，熱解氧化鋁由初級顆粒的聚集體構(gòu)成，其BET表面積為150-170m"g，鄰苯二甲酸二丁酯吸收率為50-450g/100g熱解氧化鋁，并且在高分辨率TEM照片上僅顯示結(jié)晶的初級顆粒。所述熱解氧化鋁在X射線衍射圖中顯示Y型-、e型-和/或5型-氧化鋁的信號，其中Y型-氧化鋁的信號通常最強(qiáng)烈。根據(jù)本發(fā)明的水分散體可以包含其它的金屬氧化物磨料，它們選自二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋯、二氧化鈦、它們的混合氧化物和每一種所述金屬氧化物與氧化鋁的混合氧化物。優(yōu)選，熱解氧化鋁是根據(jù)本發(fā)明的分散體中的唯一的磨料。熱解氧化鋁可以優(yōu)選在分散體中以0.1-30重量％的量存在。更優(yōu)選，該熱解氧化鋁以大約3-25重量％，例如大約5-20重量％或甚至大約6-15重量％的濃度存在?；蛘?，可以將磨料完全或部分地固定在拋光墊上或拋光墊中。該分散體的pH值為3-7，優(yōu)選為3.5至大約6.5，最優(yōu)選為4-5.1。本發(fā)明的分散體的pH值可以使用任何已知的酸或堿進(jìn)行調(diào)節(jié)。然而，使用不含金屬離子的酸或堿如氫氧化銨和胺，或使用硝酸、磷酸、硫酸或有機(jī)酸，是優(yōu)選的，以避免引入不合需要的金屬組分。優(yōu)選使用的有機(jī)酸是通式為C。H2nwC02H的羧酸，其中!1=0-6或11=8、10、12、14、16，或通式為H02C(CH2)nC02H的二羧酸，其中n-0-4，或上述酸的鹽或上述酸和其鹽的混合物。本發(fā)明的水分散體可以進(jìn)一步包含羥基羧酸。羥基羧酸優(yōu)選選自擰檬酸、乳酸、酒石酸、琥珀酸、草酸和它們的混合物。所述分散體中的羥基羧酸的量為0.05-3重量％。本發(fā)明的水分散體可以進(jìn)一步包含氨基羧酸。該氨基羧酸優(yōu)選選自丙氨酸、丙氨酸的衍生物、精氨酸、精氨酸的衍生物、甘氨酸、甘氨酸的衍生物、組氨酸、組氨酸的衍生物、異亮氨酸、異亮氨酸衍生物、白氨酸、白氨酸的衍生物、賴氨酸、賴氨酸的衍生物、絲氨酸、絲氨酸的衍生物、蘇氨酸、蘇氨酸的衍生物、纈氨酸和纈氨酸的衍生物。最優(yōu)選的是甘氨酸或丙氨酸?；诒景l(fā)明的分散體的總量，氨基羧酸的量為0.01-10重量％。在本發(fā)明的另一個實施方案中，基于分散體的總量，水分散體包含0.005-3重量％的羥基羧酸和0.01重量％-10重量％的氨基羧酸。本發(fā)明的水分散體可以進(jìn)一步包含0.3-20重量％的氧化劑。氧化劑可以是過硫酸銨、過硫酸鉀或過硫酸鈉。最優(yōu)選的是過氧化氫作為氧化劑。本發(fā)明的水分散體可以進(jìn)一步包含氧化活化劑。適合的氧化活化劑可以是Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti、V的金屬鹽和它們的混合物。羧酸、腈、脲、酰胺和酯也是適合的。硝酸鐵(II)會是尤其優(yōu)選的。取決于氧化劑和拋光任務(wù)，氧化催化劑的濃度可以為0.001-2重量％。該范圍可以尤其優(yōu)選為0.01-0.05重量％。本發(fā)明的水分散體可以進(jìn)一步包含緩蝕劑。適合的緩蝕劑包括含氮雜環(huán)類，如苯并三唑、取代的苯并咪唑、取代的吡嗪、取代的吡唑、甘氨酸和它們的混合物，所述緩蝕劑可以在本發(fā)明的分散體中以0.001-2重量％的比例存在?？梢酝ㄟ^添加0.001-10重量％的至少一種表面活性物質(zhì)將該分散體進(jìn)一步穩(wěn)定化，例如防止熱解氧化鋁的沉積和絮凝以及氧化劑的分解，其中該表面活性物質(zhì)是非離子型、陽離子型、陰離子型或兩性型。本發(fā)明的一個特殊實施方案是一種水分散體，其中熱解氧化鋁基于該分散體，以5-20重量％的濃度存在，具有55-75m"g的比表面積以及70-150nm的平均聚集體直徑，基于該分散體的總量，所述分散體還包含0.1重量％-5重量％的量的甘氨酸和/或丙氨酸。本發(fā)明的另一個特殊實施方案是一種水分散體，其中熱解氧化鋁基于該分散體，以5-20重量％的濃度存在，具有85-110mVg的比表面積以及70-150nm的平均聚集體直徑，基于該分散體的總量，所述分散體還包含0.1重量％-5重量％的量的甘氨酸和/或丙氨酸。本發(fā)明還提供一種用分散和/或研磨設(shè)備制備分散體的方法，該研磨設(shè)備提供至少200kJ/mS的能量輸入。這些設(shè)備包括按照轉(zhuǎn)子-定子原理工作的體系，例如Ultra-Turrax機(jī)器，或攪拌球磨機(jī)。采用行星式捏和機(jī)/混合器，可以獲得更高的能量輸入。然而，這一體系的功效與所加工的混合物的足夠高的粘度有關(guān)，以便輸入分解顆粒所需的提高的剪切能量。在這些設(shè)備中，懸浮液的兩個增壓的、預(yù)分散流通過噴嘴進(jìn)行減壓。這兩個分散體射流彼此完全碰撞，顆粒彼此研磨。在另一個實施方案中，同樣將預(yù)分散體提高到增加的壓力，但是顆粒撞擊壁的防護(hù)區(qū)域。可以依照希望多次重復(fù)該操作以便獲得更小的顆粒尺寸。也可以結(jié)合使用分散和研磨工具。在分散期間可以在各時間點添加氧化劑和添加劑。直到例如分散結(jié)束時，才任選地用低的能量輸入引入氧化劑和氧化活化劑也會是有利的。本發(fā)明還提供根據(jù)本發(fā)明的分散體用于對導(dǎo)電性金屬薄膜進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的用途。這些薄膜可以是由銅、鋁、鎢、鈦、鉬、鈮和鉭構(gòu)成的薄膜。本發(fā)明還提供根據(jù)本發(fā)明的分散體用于對導(dǎo)電性金屬薄膜進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的用途，其中該薄膜涂覆到絕緣阻隔層上。該金屬薄膜包括金屬銅、鋁、鎢、鈦、鉬、鈮和鉭。該阻隔層可以，例如，由二氧化硅或氮化鉭構(gòu)成。具體實施例方式實施例熱解氧化鋁粉P-l:比表面積(BET):100m2/g根據(jù)DINENISO787/11(1983年8月)的填實密度50g/l水分(在105'C下2小時)<5.0重量％基于在105'C下干燥2小時的材料，在100(TC下82小時的燒失量<3.0重量％pH值(在水中4%的分散體)4.5-5.5基于引燃材料的Al203含量>99.6重量％根據(jù)DINENIS0787/18(1984年4月)的篩余渣(通過Mocker45um):<0.050重量％P畫2:根據(jù)以下方法制備熱解氧化鋁P-2:蒸發(fā)4.5kg/h的AlCl3。通過惰性氣體將蒸氣輸送至混合室。與此獨立地，將2.6NmVh的氫和5.25NmVh的主空氣引入該混合室。將反應(yīng)混合物輸入中心管道進(jìn)入燃燒器并且引燃。反應(yīng)混合物從該燃燒器排出的速度是34.7m/s。在此火焰在水冷反應(yīng)室燃燒。還將16NmVh的副空氣引入該反應(yīng)室。將所形成的粉末沉積在下游的過濾器中，然后在大約70(TC下用逆流的空氣和蒸汽處理。熱解氧化鋁P-2的物理化學(xué)數(shù)據(jù)為比表面積(BET):54m2/g5型八120385%，9型八12035%，￥型八120310%根據(jù)DINENISO787/11(1983年8月)的填實密度54g/l在105'C下2小時的水分<5.0重量％基于在105'C下干燥2小時的材料，在1000'C下2小時的燒失量<3.0重量％pH值(在水中4%的分散體)6.07基于引燃材料的Al203含量重量％>99.60根據(jù)DINENIS0787/18(1984年4月)的篩余渣(通過Mocker，45um):<0.050重量％P-3:在具有已知結(jié)構(gòu)的燃燒器中，將320kg/h的此前蒸發(fā)的氯化鋁與100NmVh氫和450NmVh空氣一起燃燒。在火焰反應(yīng)之后，在過濾器或旋風(fēng)分離器中，將細(xì)小顆粒的高表面積的熱解氧化鋁P-3與同時產(chǎn)生的HC1氣體分離，然后通過在升高溫度下用濕空氣處理將仍然附著的任何痕量HC1除去。該熱解氧化鋁P-3顯示以下物理化學(xué)性能比表面積(BET):121m2/gSears指數(shù)9.38ml/2g(pH值4-9)pH值(在水中4%的分散體)4.93干燥失重3.3重量％堆積密度55g/l填實堆積密度63g/l鄰苯二甲酸二丁酯(DBP)吸收率不能測定Sears指數(shù)的測量在EP-A-717008中進(jìn)行了描述。分散體通過由IKA制造的Ultraturrax制備分散體D-la、D-2a和D-3a，它們各自具有在水中5重量。/。的熱解氧化鋁P-l、P-2和P-3的固體含量。通過向分散體D-la、D-2a和D-3a中添加基于分散體為1.3重量％的甘氨酸來制備分散體D-lb、D-2b和D-3b。通過向分散體D-la、D-2a和D-3a中添加基于分散體各自為1.3重量。/。的甘氨酸和7.5重量。/。的過氧化氫來制備分散體D-lc、D-2c和D-3c。通過將分散體D-la、0-23和0-3&的化直調(diào)節(jié)至11值=6來制備分散體D-ld、D-2d和D-3d。通過將分散體D-lc、D-2c和D-3c的pH值調(diào)節(jié)至pH值-6來制備分散體D-le、D-2e和D-3e。表l顯示分散體的組分，它們的pH值和它們的穩(wěn)定性。穩(wěn)定性是指不存在分散體的成分的沉降、聚集和分解。在24小時之后，甚至l個月之后，分散體D-la、D-lb、D-lc、D-2a、D-2b、D-2c和D-3a、D-3b、D-3c都顯示優(yōu)異的穩(wěn)定性。這一點對于具有10重量％的氧化鋁、5重量％的甘氨酸的分散體也得到證實。這一點對于具有20重量％的氧化鋁、5重量％的甘氨酸的分散體也得到證實。這一點對于具有10重量％的氧化鋁、2.6重量％的甘氨酸和7.5重量％的H202的分散體也得到證實。拋光測試所使用的分散體D-lc、D-2c、D3-c、D-le、D-2e和D-3e拋光工具和參數(shù)拋光機(jī)具有46cm壓板(platen)和6"晶片承載器(carrier)的MECAPOLE460(STEAG)。拋光墊IC1400(RODELCorp.);在每個拋光的晶片之后采用金剛石刀頭(diamondsegment)進(jìn)行墊調(diào)節(jié)漿料速度120ml/min拋光參數(shù)工作壓力10-125kPa(1.45-18.13psi);標(biāo)準(zhǔn)45和60kPa;反面壓力10kPa;wp=coe=40rpm;掃描4cm拋光時間2min后清潔拋光之后，用去離子水沖洗襯底30秒，然后在裝有噴嘴和兆聲輔助設(shè)備的毛刷清潔裝置內(nèi)清潔襯底的兩面，然后旋轉(zhuǎn)干燥。所使用的晶片銅6"晶片，其整個表面上具有140nm氧化物，50nmTaN和大約500或1000nmPVD銅氮化鉭6"晶片，其整個表面上具有140nm氧化物和大約100nmPVD氮化鉭評價根據(jù)層厚度的差異測定拋光率。通過測量層(WaferpmberAVT110)的電阻測定銅和TaN的層厚度。拋光結(jié)果在表2中示出。所有使用的分散體顯示提高的除去率和良好至中等的Cu:TaN選擇性，同時具有良好的穩(wěn)定性。當(dāng)提高工作壓力時所有分散體顯示預(yù)期的提高的除去率?？梢允褂锰刂频臒峤庋趸X對除去率進(jìn)行微調(diào)，這可以從分散體D-lc、D-2c和D-3c中看出。使用pH值大約為6的分散體，該Cu:TaN選擇性不太令人滿意。這些分散體可以用在預(yù)拋光步驟中或僅僅用來拋光TaN。表l:分散體的成分<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>1)混合之后；2)24小時之后表2:除去率和選擇性<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>權(quán)利要求1.一種水分散體，其pH值在3和7之間且包含1-35重量％的磨料，所述磨料是比表面積為50-200m2/g且平均聚集體直徑小于200nm的熱解氧化鋁。2.根據(jù)權(quán)利要求1的水分散體，其中所述平均聚集體直徑為70-150nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的水分散體，其中至少90%的所述聚集體具有小于500nm的直徑。4.根據(jù)權(quán)利要求l-3的水分散體，其中所述熱解氧化鋁具有55-75mVg的比表面積。5.根據(jù)權(quán)利要求l-4的水分散體，其中所述熱解氧化鋁具有85-115mVg的比表面積。6.根據(jù)權(quán)利要求l-5的水分散體，其中所述熱解氧化鋁具有120-140m2/g的比表面積。7.根據(jù)權(quán)利要求l-6的水分散體，其中所述熱解氧化鋁具有150-170mVg的比表面積。8.根據(jù)權(quán)利要求l-7的水分散體，其中所述分散體除了所述熱解氧化鋁之外，還包含至少一種其它的金屬氧化物磨料，所述磨料選自二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋯、二氧化鈦、它們的混合氧化物和每種所述金屬氧化物與氧化鋁的混合氧化物。9.根據(jù)權(quán)利要求l-8的水分散體，其中所述熱解氧化鋁是唯一的磨料。10.根據(jù)權(quán)利要求l-9的水分散體，其中基于所述分散體，所述磨料以0.1-30重量％的濃度存在。11.根據(jù)權(quán)利要求1-10的水分散體，其中所述分散體的pH值為4-5.1。12.根據(jù)權(quán)利要求1-11的水分散體，還包含羥基羧酸。13.根據(jù)權(quán)利要求12的水分散體，其中所述羥基羧酸選自檸檬酸、乳酸、酒石酸、琥珀酸、草酸和它們的混合物。14.根據(jù)權(quán)利要求12或13的水分散體，在所述分散體中的羥基羧酸的量為0.05-3重量％。15.根據(jù)權(quán)利要求1-14的水分散體，還包含氨基羧酸。16.根據(jù)權(quán)利要求15的水分散體，其中所述氨基羧酸選自丙氨酸、丙氨酸的衍生物、精氨酸、精氨酸的衍生物、甘氨酸、甘氨酸的衍生物、組氨酸、組氨酸的衍生物、異亮氨酸、異亮氨酸衍生物、白氨酸、白氨酸的衍生物、賴氨酸、賴氨酸的衍生物、絲氨酸、絲氨酸的衍生物、蘇氨酸、蘇氨酸的衍生物、纈氨酸和纈氨酸的衍生物。17.根據(jù)權(quán)利要求15或16的水分散體，其中所述氨基羧酸為甘氨酸。18.根據(jù)權(quán)利要求15或16的水分散體，其中所述氨基羧酸為丙氨19.根據(jù)權(quán)利要求1-18的水分散體，其中基于所述分散體的總量，所述氨基羧酸以0.01-10重量％的量存在。20.根據(jù)權(quán)利要求1-19的水分散體，其中基于所述分散體的總量，所述分散體包含0.005-3重量％的羥基羧酸和0.01重量％-10重量％的氨基羧酸。21.根據(jù)權(quán)利要求l-20的水分散體，其中所述分散體包含0.3-20重量％的氧化劑。22.根據(jù)權(quán)利要求21的水分散體，其中所述氧化劑是過硫酸銨、過硫酸鉀或過硫酸鈉。23.根據(jù)權(quán)利要求21的水分散體，其中所述氧化劑是過氧化氫。24.根據(jù)權(quán)利要求l-23的水分散體，其中所述分散體還包含氧化活化劑。25.根據(jù)權(quán)利要求l-24的水分散體，其中所述分散體還包含緩蝕劑。26.根據(jù)權(quán)利要求1的水分散體，其中所述熱解氧化鋁基于所述分散體，以5-20重量％的濃度存在，具有55-75mVg的比表面積和70-150nm的平均聚集體直徑，基于所述分散體的總量，所述水分散體還包含0.1重量％-5重量％的量的甘氨酸和/或丙氨酸。27.根據(jù)權(quán)利要求1的水分散體，其中所述熱解氧化鋁基于所述分散體，以5-20重量％的濃度存在，具有85-110mVg的比表面積和70-150nm的平均聚集體直徑，基于所述分散體的總量，所述水分散體還包含O.1重量％-5重量％的量的甘氨酸和/或丙氨酸。28.根據(jù)權(quán)利要求l-27的水分散體用于對導(dǎo)電性金屬薄膜進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的用途。29.根據(jù)權(quán)利要求l-28的水分散體用于對涂覆于絕緣阻隔層上的導(dǎo)電性金屬薄膜進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的用途。全文摘要一種水分散體，其pH值在3和7之間，包含1-35重量％磨料，所述磨料是比表面積為50-200m²/g且平均聚集體直徑小于200nm的熱解氧化鋁。文檔編號H01L21/304GK101235254SQ20071010654公開日2008年8月6日申請日期2007年6月1日優(yōu)先權(quán)日2007年2月2日發(fā)明者(發(fā)明人請求不公開姓名)申請人:德古薩有限責(zé)任公司