專利名稱：光刻裝置及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置及器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將所需的圖案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的設(shè)備。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件，或者可稱為掩模(mask)或中間掩模(reticle)，可用于產(chǎn)生形成在IC的單層上的電路圖案。該圖案可以被轉(zhuǎn)移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一個(gè)或者多個(gè)管芯(die))上。這種圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過成像到基底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進(jìn)行的。一般而言，單個(gè)基底包含由被相繼構(gòu)圖的相鄰靶部構(gòu)成的網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進(jìn)器和掃描器，在步進(jìn)器中，對(duì)每一靶部的輻照是通過一次性將整個(gè)圖案曝光到該靶部上來進(jìn)行的；在掃描器中，對(duì)每一靶部的輻照是通過沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案穿過一輻射束，并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描該基底來進(jìn)行的。還可以通過將圖案壓印到基底上而把圖案從構(gòu)圖部件轉(zhuǎn)移到基底上。
已經(jīng)提出，將光刻投影裝置中的基底浸入具有較高折射率的液體(例如水)中，以便填充投影系統(tǒng)的最末元件與基底之間的空間。由于曝光輻射在該液體中具有更短的波長，因此這能夠成像較小的特征部。(還認(rèn)為該液體的作用可以增加該系統(tǒng)的有效NA以及增加聚焦深度。)也提出了其它浸液，包括其中懸浮有固體顆粒(如石英)的水。
但是，將基底或基底和基底臺(tái)浸沒在液體浴槽(例如參見美國專利US4509852)中意味著在掃描曝光過程中有大量液體必須被加速。這需要附加的或功率更大的馬達(dá)，并且液體中的湍流可能導(dǎo)致不期望和不可預(yù)料的影響。
所提出的一種解決方案是，液體供給系統(tǒng)利用液體限制系統(tǒng)僅在基底的局部區(qū)域上以及投影系統(tǒng)的最末元件和基底之間提供液體(通常該基底具有比投影系統(tǒng)的最末元件更大的表面面積)。在PCT專利申請(qǐng)公開文本W(wǎng)O99/49504中公開了一種已經(jīng)提出的用于該方案的方式。如圖2和3所示，通過至少一個(gè)入口IN將液體提供到基底上，優(yōu)選地沿基底相對(duì)于該最末元件的移動(dòng)方向提供，并且在液體已經(jīng)流過該投影系統(tǒng)下方之后，通過至少一個(gè)出口OUT將該液體去除。也就是說，當(dāng)沿-X方向在該元件下方掃描基底時(shí)，在該元件的+X側(cè)提供液體，并在-X側(cè)吸取液體。圖2示意性地示出了該布置，其中，通過入口IN提供液體，并通過與低壓源相連接的出口OUT在該元件的另一側(cè)吸取液體。在圖2的圖示中，是沿基底相對(duì)于最末元件的移動(dòng)方向來提供液體，但是也可以不必這樣。圍繞該最末元件定位的入口和出口的各種方位和數(shù)量都是可能的，圖3示出了一個(gè)示例，其中，在該最末元件周圍以規(guī)則的圖案在兩側(cè)上設(shè)置了四組入口和出口圖4示出了另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的浸液光刻方案。液體可以通過投影系統(tǒng)PL兩側(cè)上的兩個(gè)槽形入口IN提供，并由布置在入口IN徑向外側(cè)的多個(gè)分立的出口OUT去除該液體。這些入口IN和出口OUT布置在中心處具有孔的平板中，投影束可穿過該孔進(jìn)行投影。液體可以通過在投影系統(tǒng)PL一側(cè)上的一個(gè)槽形入口IN提供，并通過投影系統(tǒng)PL另一側(cè)上的多個(gè)分立的出口OUT去除，從而在投影系統(tǒng)PL和基底W之間形成液體薄膜的流動(dòng)。所選用的入口IN和出口OUT的組合取決于基底W的移動(dòng)方向(入口IN和出口OUT的其它組合是無效的)。
已經(jīng)提出的另一種具有局部液體供給系統(tǒng)方案的浸液光刻方案是為該液體供給系統(tǒng)提供一種液體限制結(jié)構(gòu)，該液體限制結(jié)構(gòu)沿投影系統(tǒng)的最末元件與基底臺(tái)之間的空間的至少一部分邊界延伸。這樣一種方案示出于圖5中。該液體限制結(jié)構(gòu)相對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面中是基本上靜止不動(dòng)的，但是它可以在Z方向(沿光軸的方向)上有一些相對(duì)移動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，在該液體限制結(jié)構(gòu)與基底的表面之間形成密封，該密封可以是非接觸式密封，如氣體密封。
該液體限制結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體容納在該投影系統(tǒng)PL的最末元件與基底W之間的該空間11中?？梢試@著該投影系統(tǒng)的成像場(chǎng)來形成與該基底的非接觸式密封16，使得該液體被限制在基底表面與投影系統(tǒng)的最末元件之間的空間內(nèi)。該空間至少部分由該液體限制結(jié)構(gòu)12形成，該液體限制結(jié)構(gòu)12定位在投影系統(tǒng)PL的最末元件下方并圍繞該最末元件。由液體入口13將液體輸送到處于投影系統(tǒng)下方且處于液體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)的該空間內(nèi)，然后可以由液體出口13去除該液體。該液體限制結(jié)構(gòu)12可延伸到略微高于該投影系統(tǒng)的最末元件，而液面上升到該最末元件之上，從而提供液體緩沖區(qū)。該液體限制結(jié)構(gòu)12具有一內(nèi)周邊，在一個(gè)實(shí)施例中，該內(nèi)周邊在上端部處與該投影系統(tǒng)或其最末元件的形狀接近一致，并且例如可以為圓形。而在底部，該內(nèi)周邊與該成像場(chǎng)的形狀的接近一致，例如為矩形，但是也可以不是這種形狀。
由氣體密封16將該液體容納在該空間11中，在使用過程中，該氣體密封形成在該液體限制結(jié)構(gòu)12的底部與該基底W的表面之間。該氣體密封由氣體(例如空氣或合成空氣)形成，但是，在一個(gè)實(shí)施例中，該氣體可以由N2或其它惰性氣體形成，這些氣體在壓力下通過入口15提供至該液體限制結(jié)構(gòu)12與該基底之間的間隙，然后通過出口14抽出。作用在氣體入口15上的過壓力、作用在第一出口14上的真空水平和該間隙的幾何形狀布置成使得存在有向內(nèi)的高速氣流來限制該液體。這些入口/出口可以是圍繞該空間11的環(huán)形凹槽，該氣體流動(dòng)16有效地將液體限制在該空間11中。美國專利申請(qǐng)公開文本no.US2004-0207824中公開了這樣一種系統(tǒng)。
在歐洲專利申請(qǐng)公開文本no.EP1420300和美國專利申請(qǐng)公開文本no.US2004-0136494中，公開了一種雙平臺(tái)式浸液光刻裝置的思想。這種裝置具有兩個(gè)用于支撐基底的工作臺(tái)。用第一位置處的工作臺(tái)在沒有浸液的的情況下進(jìn)行水準(zhǔn)測(cè)量(leveling measurement)，用第二位置處的工作臺(tái)在存在浸液的情況下進(jìn)行曝光?；蛘呖商鎿Q地，該裝置僅具有一個(gè)工作臺(tái)。
浸液光刻法的問題之一在于對(duì)基底的熱調(diào)節(jié)。殘留液體的蒸發(fā)會(huì)導(dǎo)致熱負(fù)荷施加在基底和基底臺(tái)上。更具體地說，殘留液體的蒸發(fā)會(huì)從基底和基底臺(tái)吸取熱量，而這又會(huì)因基底臺(tái)的變形而導(dǎo)致該基底臺(tái)所保持的基底的形狀發(fā)生變形。作為一種解決方案，可以主動(dòng)冷卻該基底臺(tái)，以補(bǔ)償該熱負(fù)荷。為此，該基底臺(tái)可具有一個(gè)或多個(gè)攜帶調(diào)節(jié)流體的調(diào)節(jié)通道。利用一種供給裝置向這種通道供給調(diào)節(jié)流體，該供給裝置將調(diào)節(jié)流體輸送至該被調(diào)節(jié)的基底臺(tái)。可以利用一種去除裝置輸送該流體離開該被調(diào)節(jié)基底臺(tái)。

發(fā)明內(nèi)容
在該光刻裝置的工作過程中，該基底臺(tái)被加速，從而使得該供給裝置、該去除裝置和/或該基底臺(tái)內(nèi)部的調(diào)節(jié)流體承受加速，并從而導(dǎo)致流體壓力的變化。調(diào)節(jié)流體中的這種壓力變化被直接傳遞給基底臺(tái)中的調(diào)節(jié)通道，并從而傳遞給該基底臺(tái)。
理想的是，例如提供一種光刻裝置，在該光刻裝置中采取一種措施來降低該調(diào)節(jié)流體中的壓力變化對(duì)該基底臺(tái)的影響。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括一對(duì)象，該對(duì)象包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)用于保持調(diào)節(jié)流體并調(diào)節(jié)該對(duì)象，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括壓力阻尼器，該壓力阻尼器與該調(diào)節(jié)系統(tǒng)成流體連通，并且布置成可抑制該調(diào)節(jié)系統(tǒng)內(nèi)的壓力變化和/或使得所述對(duì)象內(nèi)部的調(diào)節(jié)流體不受所述對(duì)象外部的調(diào)節(jié)流體的影響。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括用于保持基底的基底臺(tái)，該基底臺(tái)包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)用于保持調(diào)節(jié)流體并調(diào)節(jié)該基底臺(tái)，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括調(diào)節(jié)流體供給裝置，用于將調(diào)節(jié)流體輸送至該基底臺(tái)；調(diào)節(jié)流體去除裝置，用于將調(diào)節(jié)流體輸送離開該基底臺(tái)；與該供給裝置成流體連通的第一壓力阻尼器以及與該去除裝置成流體連通的第二壓力阻尼器，這些壓力阻尼器布置成可抑止該調(diào)節(jié)系統(tǒng)內(nèi)的壓力變化和/或使得所述基底臺(tái)內(nèi)的調(diào)節(jié)流體不受所述基底臺(tái)外部的調(diào)節(jié)流體的影響。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括基底臺(tái)和對(duì)象，所述基底臺(tái)用于保持基底，所述對(duì)象包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成利用安裝至所述對(duì)象的泵來圍繞一回路泵送調(diào)節(jié)流體從而來調(diào)節(jié)該對(duì)象。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括基底臺(tái)和對(duì)象，所述基底臺(tái)用于保持基底，所述對(duì)象包括用于調(diào)節(jié)該對(duì)象的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括主動(dòng)型壓力阻尼器；壓力傳感器，用于測(cè)量所述調(diào)節(jié)流體的壓力；和控制器，用于基于來自所述壓力傳感器的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述主動(dòng)型壓力阻尼器，從而基本上向由所述壓力傳感器測(cè)得的壓力變化施加大小相等且方向相反的壓力。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括基底臺(tái)和對(duì)象，所述基底臺(tái)用于保持基底，所述對(duì)象包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成通過圍繞所述對(duì)象中的流路來泵送調(diào)節(jié)流體從而調(diào)節(jié)該對(duì)象，所述流路包括至少一個(gè)限流器。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括用于保持基底的基底臺(tái)，該基底臺(tái)包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成泵送調(diào)節(jié)流體通過所述基底臺(tái)從而調(diào)節(jié)該基底臺(tái)，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括位于調(diào)節(jié)流體流路中的兩個(gè)泵，所述兩個(gè)泵中的第一泵在所述流路中定位在在使用中調(diào)節(jié)流體基本上流向所述基底臺(tái)的位置處，所述兩個(gè)泵中的第二泵在所述流路中定位在在使用中調(diào)節(jié)流體基本上流出所述基底臺(tái)的位置處。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種制造器件的方法，包括將圖案化輻射束投影到基底的靶部；用調(diào)節(jié)系統(tǒng)調(diào)節(jié)該基底；以及，抑止該調(diào)節(jié)系統(tǒng)內(nèi)的壓力變化。


現(xiàn)在參考所附示意圖僅以示例的方式對(duì)本發(fā)明各實(shí)施例加以說明，附圖中相同的參考符號(hào)表示相同的部件，其中圖1示出了按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置；圖2和圖3示出了用在光刻裝置中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出了用在光刻裝置中的另一液體供給系統(tǒng)；圖5以剖面圖示出了阻擋元件，并且在該阻擋元件與基底之間形成有氣體密封；圖6示意性地示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例用流體進(jìn)行調(diào)節(jié)的基底臺(tái)，其具有兩個(gè)壓力阻尼器；圖7以剖面圖示意性地示出了可用在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的阻尼器；圖8示意性地示出了調(diào)節(jié)系統(tǒng)的另一實(shí)施例；圖9是一種限流器的透視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置。該裝置包括-照明系統(tǒng)(照明器)IL，其構(gòu)造成調(diào)節(jié)輻射束B(例如UV輻射或DUV輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造成支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA并與第一定位裝置PM連接，該第一定位裝置PM構(gòu)造成依照某些參數(shù)精確定位該構(gòu)圖部件；-基底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造成保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W并與第二定位裝置PW連接，該第二定位裝置PW構(gòu)造成依照某些參數(shù)精確定位該基底；-投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PS，其構(gòu)造成將由構(gòu)圖部件MA賦予輻射束B的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。
該照明系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件來引導(dǎo)、成形或者控制輻射，這些光學(xué)部件諸如是折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件、靜電光學(xué)部件或其它類型的光學(xué)部件，或者它們的任意組合。
該支撐結(jié)構(gòu)保持該構(gòu)圖部件，其對(duì)該構(gòu)圖部件的保持方式取決于該構(gòu)圖部件的方位、光刻裝置的設(shè)計(jì)以及其它條件，例如該構(gòu)圖部件是否保持在真空環(huán)境中。該支撐結(jié)構(gòu)可以使用機(jī)械、真空、靜電或其它夾持技術(shù)來保持該構(gòu)圖部件。該支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述支撐結(jié)構(gòu)可根據(jù)需要而是固定的或者是活動(dòng)的。該支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件例如相對(duì)于該投影系統(tǒng)位于所需位置。在這里，術(shù)語“中間掩模”或者“掩?！钡娜魏问褂镁烧J(rèn)為與更上位的術(shù)語“構(gòu)圖部件”同義。
這里所使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠向輻射束的截面中賦以圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意，賦予給該輻射束的圖案可以并不與基底靶部中的所需圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。一般地，賦予給該輻射束的圖案對(duì)應(yīng)于在靶部中形成的器件(如集成電路)內(nèi)的特定功能層。
該構(gòu)圖部件可以是透射型的或者反射型的。構(gòu)圖部件的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列、以及可編程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，其類型諸如是二元型、交替相移(alternating phase-shift)型、衰減相移型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個(gè)示例采用小型反射鏡的矩陣排列，每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地傾斜，從而沿不同的方向?qū)θ肷漭椛涫M(jìn)行反射。這些傾斜的反射鏡可以在被反射鏡矩陣反射的輻射束中賦以圖案。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)、反射折射光學(xué)系統(tǒng)、磁性光學(xué)系統(tǒng)、電磁光學(xué)系統(tǒng)和靜電光學(xué)系統(tǒng)，或其任何組合，以適合于所用的曝光輻射，或者適合于其它方面，如浸液的使用或真空的使用。在這里，術(shù)語“投影透鏡”的任何使用均可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
如這里所指出的，該裝置是透射型(例如采用透射掩模)?；蛘呖商鎿Q地，該裝置也可以是反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩模)。
該光刻裝置可以具有兩個(gè)(雙平臺(tái))或者更多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多個(gè)支撐結(jié)構(gòu))。在這種“多平臺(tái)式”裝置中，可以并行使用這些附加的臺(tái)，或者可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)或支撐件用于曝光。
參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射束。輻射源和光刻裝置可以是分立的機(jī)構(gòu)，例如當(dāng)該輻射源是準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這些情況下，不把輻射源看成是構(gòu)成了該光刻裝置的一部分，輻射束借助于束輸送系統(tǒng)BD從輻射源SO傳輸?shù)秸彰髌鱅L，所述束輸送系統(tǒng)BD包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器。在其它情況下，該輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當(dāng)該輻射源是汞燈時(shí)。該輻射源SO和照明器IL(如果需要可以連同該束輸送系統(tǒng)BD一起)可以被稱作輻射系統(tǒng)。
照明器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射束的角強(qiáng)度分布。一般地，至少可以調(diào)節(jié)照明器光瞳平面內(nèi)強(qiáng)度分布的外徑向范圍和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。此外，照明器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。該照明器可以用于調(diào)節(jié)輻射束，從而使該輻射束在其橫截面上具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。
該輻射束B入射到保持在該支撐結(jié)構(gòu)(如掩模臺(tái))MT上的構(gòu)圖部件(如掩模)MA上，并由構(gòu)圖部件進(jìn)行構(gòu)圖。穿過該構(gòu)圖部件MA后，輻射束B通過該投影系統(tǒng)PS，該投影系統(tǒng)將該輻射束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉測(cè)量器件、線性編碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動(dòng)該基底臺(tái)WT，從而例如將不同的靶部C定位在輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫中機(jī)械取出構(gòu)圖部件MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另一位置傳感器(圖1中未明確示出)來相對(duì)于輻射束B的路徑精確定位該構(gòu)圖部件MA。一般地，借助于長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精細(xì)定位)，可以實(shí)現(xiàn)該支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)，所述長行程模塊和短行程模塊構(gòu)成第一定位裝置PM的一部分。類似地，利用長行程模塊和短行程模塊也可以實(shí)現(xiàn)基底臺(tái)WT的移動(dòng)，其中該長行程模塊和該短行程模塊構(gòu)成第二定位裝置PW的一部分。在步進(jìn)器的情況下(這與使用掃描裝置的情況相反)，該支撐結(jié)構(gòu)MT可以只與短行程致動(dòng)裝置連接或者可以被固定。可以使用構(gòu)圖部件對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來將該構(gòu)圖部件MA與該基底W對(duì)準(zhǔn)。盡管如所示出的基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了指定的靶部，但是它們也可以設(shè)置在各個(gè)靶部之間的空間中(這些空間被稱為劃片線(scribe-lane)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)。類似地，在有超過一個(gè)的管芯設(shè)在構(gòu)圖部件MA上的情況下，可以將該構(gòu)圖部件對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)在這些管芯之間。
所示的裝置可以按照下面模式中的至少一種使用1.在步進(jìn)模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT和基底臺(tái)WT保持基本不動(dòng)，而賦予輻射束的整個(gè)圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動(dòng)該基底臺(tái)WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在掃描模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT和基底臺(tái)WT被同步掃描，同時(shí)，賦予輻射束的圖案被投影到靶部C上(即單次動(dòng)態(tài)曝光)。基底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以由投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單次動(dòng)態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描運(yùn)動(dòng)的長度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。
3.在另一模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT保持基本不動(dòng)，并且保持一可編程構(gòu)圖部件，而基底臺(tái)WT被移動(dòng)或掃描，同時(shí)，賦予輻射束的圖案被投影到靶部C上。在該模式中，一般采用脈沖輻射源，并且，在每次移動(dòng)基底臺(tái)WT之后，或者在掃描期間相繼的輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新該可編程構(gòu)圖部件。這種工作模式可以容易地應(yīng)用于采用可編程構(gòu)圖部件的無掩模光刻中，所述可編程構(gòu)圖部件例如是上面提到的可編程反射鏡陣列類型。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者也可以采用完全不同的使用模式。
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例適用于在一定速度下不再能約束液體的所有類型的液體供給系統(tǒng)。特別是那樣一些類型，即，將液體約束在基底之上的容積內(nèi)、并且至少部分地依賴于毛細(xì)作用力和/或負(fù)壓和/或氣體壓力和/或流體動(dòng)力和/或液體與基底之間的摩擦等等來確保液體基本上不會(huì)漏出該容積。圖2-圖6示出了這些液體供給系統(tǒng)的示例，但是一種或多種其它類型或另外類型的液體供給系統(tǒng)也可以利用本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，包括使用氣刀來約束該液體，例如如圖5所示。
圖6示意性示出了支撐基底W的基底臺(tái)WT。該基底臺(tái)具有一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)通道101，該調(diào)節(jié)通道形成了示意性示出的調(diào)節(jié)系統(tǒng)100的一部分。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)100包括用于向基底臺(tái)WT輸送調(diào)節(jié)流體的調(diào)節(jié)流體供給裝置102。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)100還包括用于輸送調(diào)節(jié)流體離開該基底臺(tái)WT的調(diào)節(jié)流體去除裝置103?？刂圃撜{(diào)節(jié)流體的溫度，使得該基底臺(tái)WT的溫度基本保持恒定。該流體可以是氣體(例如空氣)或液體(例如水)。
如上所述，浸液光刻法的問題之一在于對(duì)基底W的熱調(diào)節(jié)?；譝表面上殘留液體的蒸發(fā)會(huì)導(dǎo)致熱負(fù)荷施加在基底W和基底臺(tái)WT上。更具體地說，殘留液體的蒸發(fā)會(huì)從基底W和基底臺(tái)WT吸取熱量，而這又會(huì)因基底的溫度改變或者因基底臺(tái)的變形而導(dǎo)致該基底臺(tái)所保持的基底的形狀發(fā)生變形，這是因?yàn)榛譝被穩(wěn)固地保持在基底臺(tái)WT上。作為一種解決方案，可以主動(dòng)冷卻該基底臺(tái)WT，以補(bǔ)償該熱負(fù)荷。為此，該基底臺(tái)WT具有一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)通道101，該調(diào)節(jié)通道輸送調(diào)節(jié)流體通過該基底臺(tái)WT。利用一種供給裝置向這種通道供給調(diào)節(jié)流體，該供給裝置將調(diào)節(jié)流體輸送至該被調(diào)節(jié)的基底臺(tái)。可以利用一種去除裝置輸送流體離開該被調(diào)節(jié)基底臺(tái)。
在該光刻裝置的工作過程中，該基底臺(tái)WT被加速，從而使得該供給裝置(通常形成為(柔性)導(dǎo)管)、該去除裝置(也通常形成為(柔性)導(dǎo)管)和/或該基底臺(tái)WT內(nèi)部的調(diào)節(jié)流體承受加速，并從而導(dǎo)致流體壓力的變化。調(diào)節(jié)流體中的這種壓力變化被直接傳遞給基底臺(tái)中的調(diào)節(jié)通道101，并從而傳遞給該基底臺(tái)。
用流體(特別是水)來冷卻該基底臺(tái)WT在熱學(xué)上是有益的。然而，調(diào)節(jié)流體(絕對(duì))壓力的波動(dòng)直接作用于基底臺(tái)而使其變形，雖然只是輕微變形，由此，該變形的基底臺(tái)會(huì)將其變形直接傳遞給其支撐的基底W。這會(huì)不利地影響該光刻裝置的套刻(overlay)和聚焦能力。決定基底臺(tái)WT對(duì)該變形的敏感度的參數(shù)包括該基底臺(tái)的剛度、基底的接觸剛度、調(diào)節(jié)通道的布局，等等。
除了基底臺(tái)WT的加速之外，該壓力波動(dòng)還可以是由多種機(jī)制造成，例如由在調(diào)節(jié)通道101中循環(huán)的調(diào)節(jié)流體中的局部流動(dòng)湍流所引起的流致振動(dòng)，以及由調(diào)節(jié)流體供給基本結(jié)構(gòu)中的旋轉(zhuǎn)裝備所引起的流致振動(dòng)。
然而，該第一機(jī)制(即加速)是最大的貢獻(xiàn)。作為調(diào)節(jié)流體中的壓力波動(dòng)對(duì)光刻裝置的影響的一個(gè)例子，浸液系統(tǒng)上與調(diào)節(jié)流體壓力波動(dòng)相關(guān)的套刻惡化可高達(dá)5nm。
如圖6所示的該調(diào)節(jié)系統(tǒng)100還包括兩個(gè)壓力阻尼器104、105，該壓力阻尼器為膨脹箱的形式。該第一壓力阻尼器104與該供給裝置(導(dǎo)管)102成流體連通。該第二壓力阻尼器105該去除裝置(導(dǎo)管)103成流體連通。該第一壓力阻尼器104包括殼體104A，該殼體104A具有第一隔室104B和第二隔室104C。該第一隔室104B連接至該流體供給裝置102。借助于柔性隔膜或活動(dòng)活塞106將該第二隔室104C與該第一隔室104B隔開，該柔性隔膜或活動(dòng)活塞106允許裝在第二隔室中的可壓縮介質(zhì)(例如氣體)因該供給裝置102中的壓力變化而膨脹或收縮。該第二壓力阻尼器可以與第一壓力阻尼器相同，就不再獨(dú)立描述了。在一種可替換實(shí)施例中，該隔膜是相同的，但是第二隔室105B中的氣體容積和/或氣體壓力是不同的。
取決于該調(diào)節(jié)系統(tǒng)中壓力變化的水平，一個(gè)壓力阻尼器可能就足夠了，而不是如圖6所示那樣使用兩個(gè)壓力阻尼器。這些壓力阻尼器使得基底臺(tái)內(nèi)的調(diào)節(jié)流體不受該調(diào)節(jié)流體供給裝置的影響，從而導(dǎo)致壓力變化的降低。
對(duì)于與該調(diào)節(jié)系統(tǒng)100成流體連通的該一個(gè)或多個(gè)壓力阻尼器104、105的位置，最好是盡可能靠近該基底臺(tái)WT的位置。最好是將該一個(gè)或多個(gè)壓力阻尼器104、105定位在用于承載該基底臺(tái)WT的載體(通常稱為基底托盤)的內(nèi)部。
從上文可以理解，通過調(diào)節(jié)該基底臺(tái)WT，也就調(diào)節(jié)了該基底W。
相同的阻尼系統(tǒng)可以用在其它的冷卻系統(tǒng)上，這些冷卻系統(tǒng)諸如是應(yīng)用于EUV光刻裝置的掩模臺(tái)的冷卻系統(tǒng)，或者應(yīng)用在封裝工具中的冷卻系統(tǒng)，其中，在該封裝工具中，由于激光強(qiáng)度而在基底上產(chǎn)生大量的熱負(fù)荷。
圖7示出了一種不同布置的壓力阻尼器104，該壓力阻尼器可用在圖6的實(shí)施例中(或圖8的實(shí)施例中)。在圖7的該壓力阻尼器104中，該柔性隔膜或活動(dòng)活塞106與調(diào)節(jié)系統(tǒng)100的管線102、103成流體連通。這樣，該調(diào)節(jié)流體與該活動(dòng)元件106在一側(cè)上成流體連通。這類似于圖6的阻尼器的第二隔室104，因?yàn)樵摳裟?06的該一側(cè)將承受該流體系統(tǒng)中的流體的壓力。
在該柔性隔膜或活動(dòng)活塞106的另一側(cè)上安裝有致動(dòng)器200。該致動(dòng)器設(shè)計(jì)成使得其在使用時(shí)向該活動(dòng)元件106施加恒定的力F。該致動(dòng)器200包括電樞中的永磁體202以及線圈204。電流流過線圈204，由此產(chǎn)生的磁場(chǎng)與該磁體202的磁場(chǎng)相互作用，該相互作用產(chǎn)生的力施加至活動(dòng)元件106。設(shè)置板簧206來向該電樞提供偏置力，該板簧206連接至殼體210或類似的固定裝置，該殼體210相對(duì)于該導(dǎo)管102、103剛性地安裝在該柔性元件106附近。兩個(gè)傳感器220、222設(shè)在板簧206上，用于檢測(cè)該電樞的位置。
可以提供控制電子設(shè)備，該控制電子設(shè)備用于使得該致動(dòng)器返回至其中性(neutral)位置。這些控制電子設(shè)備接收來自于傳感器220、222的位置信號(hào)，以便接收關(guān)于該電樞位置的信息。然后，該電樞以低頻率(例如低于0.1Hz的頻率)返回至其中性位置。
相比于圖6的阻尼器，圖7阻尼器的改進(jìn)在于，沒有任何會(huì)泄漏到該阻尼器外部的空氣存在于第一隔室104B、105B中。而且，由傳感器220、222輸出的信號(hào)可以用來監(jiān)視該阻尼器單元200的正確工作。進(jìn)一步，圖7的阻尼器104可以設(shè)計(jì)得相對(duì)較小，并從而能定位得盡可能靠近該調(diào)節(jié)系統(tǒng)100。通過該傳感器220、222顯示變化的信號(hào)，可以顯示該阻尼器200的正確工作。
作為上文圖6和圖7的被動(dòng)型阻尼器的替換方案，或者除了那些類型的阻尼器之外，還可以在該調(diào)節(jié)系統(tǒng)中增加主動(dòng)型阻尼器。這樣一種主動(dòng)型阻尼器用于向該調(diào)節(jié)系統(tǒng)中的流體施加正或負(fù)的壓力，所施加的該壓力基本上與由傳感器所測(cè)得的預(yù)定壓力的壓力變化是大小相等且方向相反。為此，提供控制器來驅(qū)動(dòng)該主動(dòng)型壓力阻尼器的致動(dòng)器，以實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)。這樣，可以看出，是以一種抗噪音的方式并基于前饋或反饋系統(tǒng)來驅(qū)動(dòng)該主動(dòng)型阻尼器的。
優(yōu)選地，該壓力傳感器處于該基底臺(tái)的上游(依據(jù)該調(diào)節(jié)流體所沿的路徑)，并且該主動(dòng)型壓力阻尼器更靠近于該基底臺(tái)，或者甚至就在該基底臺(tái)上?？蛇x擇地或附加地，該傳感器位于該基底臺(tái)的下游，并且該主動(dòng)型壓力阻尼器位于該基底臺(tái)中。在這兩種情形中，優(yōu)選地，該壓力傳感器處于通向該基底臺(tái)的流體供給管線中(上游)，或者處于從該基底臺(tái)出來的流體去除管線中(下游)。在一個(gè)實(shí)施例中，該壓力傳感器包括圖7的傳感器220、222。
圖8示出了該流體調(diào)節(jié)系統(tǒng)100的的第二實(shí)施例。相比于圖6的實(shí)施例，圖8的該實(shí)施例加入了許多其它構(gòu)思。圖8的該實(shí)施例加入了兩個(gè)主要的構(gòu)思。
第一個(gè)主要構(gòu)思是本地回路250的構(gòu)思，大部分調(diào)節(jié)流體圍繞該本地回路250流動(dòng)，并且該本地回路是在該基底臺(tái)WT本地和/或該基底臺(tái)的載體本地。在下面的描述中，基底臺(tái)WT和基底臺(tái)載體(在圖8中示出為方框WT’)將作為一個(gè)單元進(jìn)行描述。
圖8的調(diào)節(jié)系統(tǒng)的第二個(gè)主要進(jìn)展在于在該調(diào)節(jié)系統(tǒng)的流路中使用了限流器310、320。特別是，該限流器310、320在該流路中定位于該流路與該基底臺(tái)WT’相會(huì)合的位置，或者鄰近于該位置。這些限流器的使用，特別是與一個(gè)或多個(gè)泵305、315的組合使用，進(jìn)一步降低了該調(diào)節(jié)系統(tǒng)中的壓力波動(dòng)。
如從圖8所見，該實(shí)施例還包括了阻尼器104，而且，實(shí)際上，在任一實(shí)施例中所示的各部件都可以單獨(dú)使用，或者與這里所述的其它特征以任意組合進(jìn)行使用。
圖6的調(diào)節(jié)系統(tǒng)的一個(gè)困難在于必須是大導(dǎo)管連接至該活動(dòng)基底臺(tái)WT’。這是因?yàn)?，為了調(diào)節(jié)該浸液基底臺(tái)WT’，需要有大流速的調(diào)節(jié)流體。所需的這種流速大約為8升/分鐘。這導(dǎo)致需要在該裝置的固定部分與該活動(dòng)基底臺(tái)WT’之間連接大直徑的導(dǎo)管。圖8的實(shí)施例則通過使得基底臺(tái)WT’中的大部分調(diào)節(jié)流體在回路250中再循環(huán)，而避免了對(duì)這種大直徑導(dǎo)管的需要，其中，該回路250整體包含在該基底臺(tái)WT’中，而由安裝至基底臺(tái)WT’的泵260來環(huán)繞該回路驅(qū)動(dòng)該調(diào)節(jié)流體。
安裝至基底臺(tái)WT’而用于環(huán)繞該回路250泵送調(diào)節(jié)流體的該再循環(huán)泵260可以是電驅(qū)動(dòng)的，或者也可以是由移動(dòng)基底臺(tái)WT’所使用的慣性力來機(jī)械驅(qū)動(dòng)的。如果該基底臺(tái)WT’有凈熱損耗(該情形可以是因?yàn)榻簭脑摶着_(tái)WT的頂表面蒸發(fā))，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)100可包括一閉合回路250，并且不需要有任何裝有調(diào)節(jié)流體的導(dǎo)管從固定點(diǎn)通向該基底臺(tái)。這可通過提供加熱電路280來實(shí)現(xiàn)，該加熱電路包括加熱器282和溫度傳感器283以及控制器284，該控制器284用于將該調(diào)節(jié)流體的溫度控制到所需的溫度。實(shí)際上，即使需要用該調(diào)節(jié)流體來降低該基底臺(tái)的溫度，也可以使用類似的系統(tǒng)。這種情況下，可以用冷卻器(例如珀?duì)柼?peltier)冷卻器)來替換該加熱器282。甚至在這種情況下，該阻尼器104可以存在于該回路中，以調(diào)節(jié)該調(diào)節(jié)流體中的壓力變化。該調(diào)節(jié)流體甚至可以用來冷卻該泵260。
在正的總熱量負(fù)荷的情況下，可以在該裝置的固定點(diǎn)與基底臺(tái)WT’之間使用小導(dǎo)管，這允許將該調(diào)節(jié)系統(tǒng)的一小部分調(diào)節(jié)流體輸送至外部冷卻器300。當(dāng)然，該外部冷卻器300同樣可以是外部加熱器或是外部加熱器與外部冷卻器的組合。以這種方式，在該外部冷卻器/加熱器300與該基底臺(tái)WT’之間僅需要大約2升/分鐘的流量，并且這可以由比圖6的示例更小直徑的導(dǎo)管來實(shí)現(xiàn)。
很明顯，在該固定外界與該活動(dòng)基底臺(tái)WT’之間的任何連接(諸如加熱器300與該基底臺(tái)WT’之間的導(dǎo)管)需要是柔性的/可彎曲的導(dǎo)管，以適應(yīng)該基底臺(tái)WT’的移動(dòng)。這對(duì)于所有使用活動(dòng)基底臺(tái)的浸液系統(tǒng)來說都是一樣的，因?yàn)椴粌H冷卻流體而且功率和電信號(hào)都需要被傳送至該基底臺(tái)。圖8的這種設(shè)計(jì)因?yàn)橹挥邢鄬?duì)較低流速的調(diào)節(jié)流體通過這些導(dǎo)管，而允許使用常規(guī)連接。這就允許提高其它服務(wù)的能力，例如，提高圍繞該基底W的邊緣進(jìn)行的氣體抽取能力(高達(dá)80升/分鐘)。
圖8實(shí)施例的一種微小變化在于將該回路250的一部分部件設(shè)置在與基底臺(tái)WT的載體相獨(dú)立的載體上。例如，該泵260可設(shè)置在這樣一種獨(dú)立載體上，并且可用導(dǎo)管將泵送的調(diào)節(jié)流體傳輸至該基底臺(tái)WT’。
圖8的實(shí)施例中還使用了限流器310、320。這些限流器表示在基底臺(tái)WT’上并處于調(diào)節(jié)流體的流路中，并正好處于調(diào)節(jié)流體進(jìn)入該基底臺(tái)WT’的位置之后。類似的限流器可用在圖6的實(shí)施例中，并且實(shí)際上，在有較大流量通過該限流器的實(shí)施例中，它們是更有用的。
該限流器310、320抑制了該調(diào)節(jié)流體中朝著該基底臺(tái)WT’移動(dòng)的壓力波。特別是在與阻尼器104組合使用時(shí)，這已證明是非常有效的。該泵260還補(bǔ)償了這些限流器上的壓降。
可以使用一個(gè)或兩個(gè)限流器310、320，并且該限流器可以或者并不與另外的泵305、315組合使用。在一種特別的布置中，處于基底臺(tái)WT’上的調(diào)節(jié)流體出口處的限流器320與單個(gè)泵305聯(lián)合使用，該泵305沿著調(diào)節(jié)流體進(jìn)入該基底臺(tái)WT’的導(dǎo)管泵送流體。在另一個(gè)實(shí)施例中是相反的情況，即，有限流器310與泵315，但是沒有泵305和限流器320。在又一個(gè)實(shí)施例中，有泵315，并有一個(gè)限流器來替代泵305，并且沒有其它的泵(沒有泵260，也沒有回路250)，這樣，該泵與該限流器位于該固定側(cè)上，并與該基底臺(tái)WT’隔開一定距離。
在又一個(gè)實(shí)施例中，限流器的大小是可調(diào)節(jié)的，由此提供了一種方式來調(diào)節(jié)液體壓力。在還又一個(gè)備選方案中，如果只有限流器310，則只有泵315可以存在，并且其可以出現(xiàn)在圖8所示的限流器320的位置處(即，安裝在該基底臺(tái)WT’上并且處于調(diào)節(jié)流體離開該基底臺(tái)WT’的位置處)。如果該泵315或305是容積泵(例如齒輪泵或旋轉(zhuǎn)靜脈泵)，其可以有效“阻擋”該調(diào)節(jié)流體的流路。這樣的優(yōu)點(diǎn)在于，在該泵的一側(cè)上流路中的壓力增大不會(huì)傳遞至該泵的另一側(cè)。這可通過僅使用這兩個(gè)泵305、315中的一個(gè)或者使用這兩個(gè)泵來有效地使用，該泵可安裝至該基底臺(tái)WT’上或其它地方，例如安裝在該裝置的固定部分上。容積泵(positive displacement pump)還可具有固定流量，這是有益的。如果使用普通的泵，在基底臺(tái)WT的加速過程中，流量會(huì)因?qū)Ч苤兴膽T性而增加或降低。在該加速過程已經(jīng)停止之后，這會(huì)在基底臺(tái)WT中造成長時(shí)間的較大壓力變化。通過使用容積泵，加速過程中的壓力峰值可能會(huì)更高，但是，該系統(tǒng)在該加速過程之后的恒定速度階段中(此時(shí)不想有壓力變化)有更低的壓力變化。
圖9示出了可以使用的一種類型的限流器。所給出的尺寸只是示例。類似的類型可從德國Klosterrunstrasse 9-11，DE-79379Muellheim的Neoperl GmbH公司獲得，雖然這些限流器是由塑料制成的。金屬限流器是優(yōu)選的，并且這些限流器可從美國1801 Parkway ViewDrive，Pittsburph，PA 15205的Kobold Instruments公司獲得。該限流器是柔性錐形隔膜，其內(nèi)具有孔400。流體從左向右(如圖所示)流動(dòng)，并且當(dāng)左側(cè)壓力升高時(shí)，該壓力有效地降低該中央孔的尺寸并且從而降低了流量。因此，第一優(yōu)點(diǎn)在于該限流器使得該系統(tǒng)更為封閉(以與容積泵305、315相同的方式)，使得在調(diào)節(jié)流體通向該基底臺(tái)WT’的入口和出口處的壓力增大可被至少部分地阻擋。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，由于該限流器之后的流量是恒定的，則該壓力波動(dòng)被去除了，并且不會(huì)危害到該系統(tǒng)的其它部分。優(yōu)選地，該限流器被安裝在該基底臺(tái)WT’的進(jìn)口以及出口處。最佳位置是正好處于該基底臺(tái)WT’的進(jìn)口處。
盡管在本申請(qǐng)中可以具體參考該光刻裝置在IC制造中的使用，但是應(yīng)該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用，例如，用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語“晶片”或者“管芯(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以與更上位的術(shù)語“基底”或“靶部”同義。在曝光之前或之后，可以在例如勻膠顯影機(jī)(track，通常將抗蝕劑層施加于基底上并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計(jì)量工具和/或檢驗(yàn)工具中對(duì)這里提到的基底進(jìn)行處理。在可應(yīng)用的地方，這里的公開可應(yīng)用于這種和其它基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對(duì)基底進(jìn)行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也可以指已經(jīng)包含多個(gè)已處理的層的基底。
盡管在上文已經(jīng)具體參考了本發(fā)明的實(shí)施例在光學(xué)光刻環(huán)境中的應(yīng)用，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以用于其它應(yīng)用，例如壓印光刻法，在本申請(qǐng)?jiān)试S的地方，本發(fā)明不限于光學(xué)光刻法。在壓印光刻法中，構(gòu)圖部件中的構(gòu)形限定了在基底上形成的圖案。該構(gòu)圖部件的構(gòu)形可以被壓入到施加于基底上的抗蝕劑層中，并在基底上通過施加電磁輻射、熱、壓力或上述方式的組合來使抗蝕劑固化。在抗蝕劑固化之后，可以將構(gòu)圖部件從抗蝕劑中移出而留下圖案。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有大約365，248，193，157或者126nm的波長)。
在本申請(qǐng)?jiān)试S的地方，術(shù)語“透鏡”可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任意一種或組合，包括折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件和靜電光學(xué)部件。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，可以以不同于所描述的其它方式來實(shí)施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計(jì)算機(jī)程序的形式，該計(jì)算機(jī)程序包含描述了上面所公開方法的一個(gè)或多個(gè)序列的機(jī)器可讀指令，或者包含其中存儲(chǔ)有這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)。
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于任何浸液光刻裝置，特別地但不唯一的，可以應(yīng)用于上面提到的那些類型的光刻裝置，而不論該浸液是以浴槽的形式提供或僅僅提供到該基底的局部表面區(qū)域上。如這里所設(shè)計(jì)的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該廣義地進(jìn)行解釋。在某些實(shí)施例中，它可以是將液體提供到投影系統(tǒng)和基底和/或基底臺(tái)之間的空間的一種機(jī)構(gòu)或結(jié)構(gòu)組合。它可以包括將液體提供到該空間的一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)、一個(gè)或多個(gè)液體入口、一個(gè)或多個(gè)氣體入口、一個(gè)或多個(gè)其它出口和/或一個(gè)或多個(gè)液體出口的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，該空間的表面可以是基底和/或基底臺(tái)的一部分，或者該空間的表面可以完全覆蓋基底和/或基底臺(tái)的表面，或者該空間可以包圍該基底和/或基底臺(tái)?？蛇x擇地，該液體供給系統(tǒng)還可包括一個(gè)或多個(gè)元件來控制該液體的位置、數(shù)量、質(zhì)量、形狀、流速或任何其它特征。
根據(jù)所所用曝光輻射的期望屬性和波長，在該裝置中使用的浸液具有不同的組分。對(duì)于193nm的曝光波長，可以使用超純水和水基組分，因此，該浸液有時(shí)稱為水和與水相關(guān)的術(shù)語，如可以使用親水的、疏水的、潮濕的，等等。
上面的描述是為了說明性的而非限制性的。因此，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離下面描述的權(quán)利要求的范圍的條件下，可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括一對(duì)象，該對(duì)象包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)用于保持調(diào)節(jié)流體并調(diào)節(jié)該對(duì)象，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括壓力阻尼器，該壓力阻尼器與該調(diào)節(jié)系統(tǒng)成流體連通，并且布置成可抑制該調(diào)節(jié)系統(tǒng)內(nèi)的壓力變化和/或使得所述對(duì)象內(nèi)部的調(diào)節(jié)流體不受所述對(duì)象外部的調(diào)節(jié)流體的影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述壓力阻尼器定位在所述對(duì)象附近
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述壓力阻尼器定位在用于承載所述對(duì)象的對(duì)象載體中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括調(diào)節(jié)流體供給裝置，該調(diào)節(jié)流體供給裝置用于將該調(diào)節(jié)流體輸送至所述對(duì)象。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述壓力阻尼器與所述供給裝置成流體連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括調(diào)節(jié)流體去除裝置，該調(diào)節(jié)流體去除裝置用于將該調(diào)節(jié)流體輸送離開所述對(duì)象。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述壓力阻尼器與所述去除裝置成流體連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述壓力阻尼器包括殼體，該殼體具有由一活動(dòng)元件隔開的兩個(gè)隔室，其中一個(gè)隔室連接至該調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述活動(dòng)元件是柔性隔膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述活動(dòng)元件是活動(dòng)活塞。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，另一個(gè)隔室容納有可壓縮介質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述壓力阻尼器包括活動(dòng)元件，該活動(dòng)元件在一側(cè)上與所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)成流體連通；和致動(dòng)器，該致動(dòng)器連接至所述活動(dòng)元件，并且用于在使用中向所述活動(dòng)元件施加一恒定力。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，還包括控制電子設(shè)備，該控制電子設(shè)備用于使得所述柔性隔膜返回至中性位置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述控制電子設(shè)備以低頻率工作，所述低頻率優(yōu)選低于0.1Hz。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述壓力阻尼器是一種主動(dòng)型壓力阻尼器，并且所述裝置包括壓力傳感器，用于測(cè)量所述調(diào)節(jié)流體的壓力；和控制器，用于基于來自所述壓力傳感器的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述主動(dòng)型壓力阻尼器，從而基本上向由所述壓力傳感器測(cè)得的壓力變化施加大小相等且方向相反的壓力。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，還包括一種被動(dòng)型阻尼器。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成使得調(diào)節(jié)流體至少部分地在所述基底臺(tái)周圍的回路中循環(huán)，而不會(huì)離開所述對(duì)象。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括安裝至所述基底臺(tái)的泵，用于圍繞所述回路泵送調(diào)節(jié)流體。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)還包括安裝至所述對(duì)象的加熱器，用于調(diào)節(jié)所述調(diào)節(jié)流體。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)還包括用于從所述對(duì)象的外部向所述回路添加調(diào)節(jié)流體的導(dǎo)管，以及用于將調(diào)節(jié)流體從所述回路移除到所述對(duì)象外部的導(dǎo)管。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括至少一個(gè)限流器，所述限流器處于所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)中的調(diào)節(jié)流體流路中。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述限流器處于所述對(duì)象內(nèi)的一部分所述流路中。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述限流器在所述流路中定位在調(diào)節(jié)流體進(jìn)入和/或離開所述對(duì)象的位置處或該位置附近。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述限流器定位在所述流路的一部分中，在使用時(shí)，調(diào)節(jié)流體在該部分流路中基本上流向所述對(duì)象。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，還包括用于泵送調(diào)節(jié)流體的泵，所述泵定位在所述流路的一部分中，在使用時(shí)，調(diào)節(jié)流體在該部分流路中基本上流出所述對(duì)象。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于，所述泵是容積泵。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括位于調(diào)節(jié)流體流路中的兩個(gè)泵，所述兩個(gè)泵中的第一泵在所述流路中定位在在使用中調(diào)節(jié)流體基本上流向所述對(duì)象的位置處，所述兩個(gè)泵中的第二泵在所述流路中定位在在使用中調(diào)節(jié)流體基本上流出所述對(duì)象的位置處。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述對(duì)象是用于保持基底的基底臺(tái)或用于保持掩模的掩模臺(tái)之一。
29.一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括基底臺(tái)和對(duì)象，所述基底臺(tái)用于保持基底，所述對(duì)象包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成利用安裝至所述對(duì)象的泵來圍繞一回路泵送調(diào)節(jié)流體從而來調(diào)節(jié)該對(duì)象。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的裝置，其特征在于，還包括調(diào)節(jié)流體調(diào)節(jié)器，用于改變所述調(diào)節(jié)流體的溫度。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)流體調(diào)節(jié)器是安裝至所述對(duì)象的加熱器。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成使得所述回路中的大部分調(diào)節(jié)流體在所述回路內(nèi)重復(fù)循環(huán)，并且所述回路中的少部分調(diào)節(jié)流體被從所述回路中移除，以便在其返回至所述回路之前在所述對(duì)象的外部進(jìn)行調(diào)節(jié)。
33.根據(jù)權(quán)利要求29所述的裝置，其特征在于，所述對(duì)象是用于保持基底的基底臺(tái)或用于保持掩模的掩模臺(tái)之一。
34.一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括基底臺(tái)和對(duì)象，所述基底臺(tái)用于保持基底，所述對(duì)象包括用于調(diào)節(jié)該對(duì)象的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括主動(dòng)型壓力阻尼器；壓力傳感器，用于測(cè)量所述調(diào)節(jié)流體的壓力；和控制器，用于基于來自所述壓力傳感器的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)所述主動(dòng)型壓力阻尼器，從而基本上向由所述壓力傳感器測(cè)得的壓力變化施加大小相等且方向相反的壓力。
35.一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括基底臺(tái)和對(duì)象，所述基底臺(tái)用于保持基底，所述對(duì)象包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成通過圍繞所述對(duì)象中的流路來泵送調(diào)節(jié)流體從而調(diào)節(jié)該對(duì)象，所述流路包括至少一個(gè)限流器。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的裝置，其特征在于，所述限流器定位在所述對(duì)象中的所述流路中。
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的裝置，其特征在于，所述限流器定位在在進(jìn)口或出口位置處，或定位在該進(jìn)口或出口位置附近，其中，調(diào)節(jié)流體分別在該進(jìn)口或出口位置處進(jìn)入或離開所述對(duì)象。
38.根據(jù)權(quán)利要求33所述的裝置，其特征在于，還包括至少一個(gè)泵，用于泵送所述流路中的調(diào)節(jié)流體，所述泵定位成(i)當(dāng)所述限流器在所述流路中處于調(diào)節(jié)流體基本上流出所述對(duì)象的位置處時(shí)，所述泵在所述流路中定位在調(diào)節(jié)流體基本上流向所述對(duì)象的位置處；或(ii)當(dāng)所述限流器在所述流路中處于調(diào)節(jié)流體基本上流向所述對(duì)象的位置處時(shí)，所述泵在所述流路中定位在調(diào)節(jié)流體基本上流出所述基底臺(tái)的位置處。
39.一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括用于保持基底的基底臺(tái)，該基底臺(tái)包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成泵送調(diào)節(jié)流體通過所述基底臺(tái)從而調(diào)節(jié)該基底臺(tái)，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括位于調(diào)節(jié)流體流路中的兩個(gè)泵，所述兩個(gè)泵中的第一泵在所述流路中定位在在使用中調(diào)節(jié)流體基本上流向所述基底臺(tái)的位置處，所述兩個(gè)泵中的第二泵在所述流路中定位在在使用中調(diào)節(jié)流體基本上流出所述基底臺(tái)的位置處。
40.一種光刻裝置，其將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置包括用于保持基底的基底臺(tái)，該基底臺(tái)包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)用于保持調(diào)節(jié)流體并調(diào)節(jié)該基底臺(tái)，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括調(diào)節(jié)流體供給裝置，用于將調(diào)節(jié)流體輸送至該基底臺(tái)；調(diào)節(jié)流體去除裝置，用于將調(diào)節(jié)流體輸送離開該基底臺(tái)；與該供給裝置成流體連通的第一壓力阻尼器以及與該去除裝置成流體連通的第二壓力阻尼器，這些壓力阻尼器布置成可抑止該調(diào)節(jié)系統(tǒng)內(nèi)的壓力變化和/或使得所述基底臺(tái)內(nèi)的調(diào)節(jié)流體不受所述基底臺(tái)外部的調(diào)節(jié)流體的影響。
41.一種制造器件的方法，包括將圖案化輻射束投影到基底的靶部；用調(diào)節(jié)系統(tǒng)調(diào)節(jié)該基底；和抑止該調(diào)節(jié)系統(tǒng)內(nèi)的壓力變化。
全文摘要
公開了一種光刻裝置，該光刻裝置將圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，該光刻裝置具有用于保持基底的基底臺(tái)，該基底臺(tái)包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)用于保持調(diào)節(jié)流體并調(diào)節(jié)該基底臺(tái)，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括壓力阻尼器，該壓力阻尼器與該調(diào)節(jié)系統(tǒng)成流體連通，并且布置成可抑制該調(diào)節(jié)系統(tǒng)內(nèi)的壓力變化。
文檔編號(hào)H01L21/027GK101051188SQ20071009207
公開日2007年10月10日 申請(qǐng)日期2007年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月6日
發(fā)明者M·維克曼斯, M·A·W·崔帕斯, F·E·德瓊格, E·A·M·范岡佩爾, R·詹森, G·A·A·M·庫斯特斯, T·P·M·卡迪, M·F·P·斯米茨, F·范德穆倫, W·F·J·西蒙斯, M·H·A·利恩德斯, J·J·奧坦斯, M·范巴倫 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司