專利名稱：具有改善的靜電放電保護(hù)功能的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體而言，涉及半導(dǎo)體集成電路中焊盤(pán)(pad)與靜電放電保護(hù)器件之間的電連接。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件正變得更加高度集成且在越來(lái)越高的時(shí)鐘速度下工作，由此導(dǎo)致更高性能的電子系統(tǒng)被制造出來(lái)。上述更高性能的電子系統(tǒng)包括例如便攜式多媒體播放器、個(gè)人計(jì)算機(jī)或電子通信裝置。因此，集成電路芯片制造者設(shè)法根據(jù)減小的臨界尺寸來(lái)制造芯片內(nèi)部電路。
然而，靜電有可能顯著損壞包括集成電路芯片的電子裝置。因而，為了保護(hù)內(nèi)部電路免受靜電影響，通常在集成電路芯片的輸入或輸出路徑內(nèi)應(yīng)用保護(hù)器件，并在發(fā)貨前通過(guò)ESD(靜電放電)測(cè)試來(lái)測(cè)試各種類型的集成電路。
例如，USP No.5,514,892描述了一種靜電放電保護(hù)器件，其含有設(shè)置在引線鍵合焊盤(pán)下部的二極管。
制造者已使用了利用低電阻的硅化物工藝以用于制造半導(dǎo)體集成電路，從而得到更高性能的半導(dǎo)體器件。然而，以上硅化物工藝有可能導(dǎo)致關(guān)于靜電放電保護(hù)的某些困難，比如，在利用該工藝時(shí)芯片內(nèi)的寄生二極管的電容可能較小。例如，此處寄生二極管可能寄生地形成在連接到比如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入/輸出端的源極/漏極與其上形成有所述源極/漏極的襯底或阱之間。此外，保護(hù)二極管由于靜電而具有相當(dāng)大的負(fù)載，由此使有限占據(jù)區(qū)域內(nèi)的耐壓特性(pressure resistancecharacteristic)可能相對(duì)顯著。換言之，可能相對(duì)地更加難以保護(hù)通過(guò)硅化物工藝形成的半導(dǎo)體集成電路中的ESD，因此芯片設(shè)計(jì)者試圖獲得改善的ESD保護(hù)水平。
例如，在芯片內(nèi)利用圖1所示的ESD保護(hù)器件時(shí)，芯片設(shè)計(jì)者利用了比如圖2所示的測(cè)試模式執(zhí)行了對(duì)于ESD故障機(jī)制的各種分析，從而提供了其中ESD保護(hù)可能未能執(zhí)行芯片測(cè)試的情況。
圖1示出了施加到常規(guī)半導(dǎo)體集成電路中的焊盤(pán)的有線的保護(hù)器件。圖2示出了常規(guī)半導(dǎo)體集成電路中的各種靜電放電應(yīng)力模式。
在圖2中，四種模式PS(引腳至VSS正)模式，NS(引腳至VSS負(fù))模式，PD(引腳至VDD正)模式和ND(引腳至VDD負(fù))模式表示了來(lái)自靜電的應(yīng)力的模型。這四種模式屬于與HBM(人體模型)或MM(機(jī)器模型)相關(guān)、以及與CDM(改變的器件模型)相關(guān)的應(yīng)力。在PS模式和PD模式中，正靜電輸入到芯片的引腳，在NS模式和ND模式中，負(fù)靜電輸入到芯片的引腳。
參照?qǐng)D1，集成電路包括連接在電源電壓VDD與接地電壓VSS之間的內(nèi)部電路8。在圖1所示的集成電路中，比如鍵合焊盤(pán)(bonding pad)的焊盤(pán)2通過(guò)連接點(diǎn)NO1連接到靜電放電保護(hù)二極管4和6。而且在圖1中，可以在電源電壓VDD與接地電壓VSS之間連接用于限制電壓的箝位電路，并且焊盤(pán)2可以對(duì)應(yīng)于比如輸入引腳、輸出引腳或者輸入/輸出引腳的引腳而安裝。
p型二極管4是靜電放電保護(hù)二極管，以在正靜電從電源電壓VDD流向焊盤(pán)2時(shí)將靜電放電到電源電壓(VDD)線。n型二極管6是靜電放電保護(hù)二極管，以在負(fù)靜電從接地電壓VSS流向焊盤(pán)2時(shí)將靜電放電到接地電壓(VSS)線。如圖1所示，當(dāng)靜電電壓以超過(guò)導(dǎo)通電壓電平的電平流向每個(gè)二極管4、6時(shí)，每個(gè)二極管4、6導(dǎo)通。因此，基于靜電電壓的電流通過(guò)各個(gè)二極管4和6被排放到電源電壓VDD和接地電壓VSS而沒(méi)有流入到內(nèi)部電路8中，因而能夠保護(hù)集成電路芯片的內(nèi)部電路免受靜電的影響。
圖1的保護(hù)二極管可以設(shè)置在焊盤(pán)2之下，如圖3所示，從而減小芯片尺寸。圖3是示出其中圖1的保護(hù)器件形成在襯底上的實(shí)例的示意性截面圖。
參照?qǐng)D3，在襯底50上，形成了其中存在n型離子的n型阱60以及其中存在p型離子的p型阱70。形成在n型阱60中的高濃度擴(kuò)散區(qū)域62、64和65構(gòu)成了圖1的p型二極管4，并且p型阱70的高濃度擴(kuò)散區(qū)域72、74和75構(gòu)成了圖1的n型二極管6。在擴(kuò)散區(qū)域之中，區(qū)域62、74和75是在p型離子的高濃度注入之后擴(kuò)散的區(qū)域，而區(qū)域72、64和65是在n型離子的高濃度注入之后擴(kuò)散的區(qū)域。擴(kuò)散區(qū)域62和72通過(guò)相應(yīng)的連接線CP1和CP2連接到連接點(diǎn)NO1，連接點(diǎn)NO1電連接到焊盤(pán)2的下部。區(qū)域64和75分別連接到電源電壓VDD的線1和接地電壓VSS的線3。通過(guò)圖3中的截面結(jié)構(gòu)圖，區(qū)域65看起來(lái)與區(qū)域64隔開(kāi)，但區(qū)域65和64是基本相同的擴(kuò)散區(qū)域。同樣地，區(qū)域74是與區(qū)域75相同的擴(kuò)散區(qū)域。
在于襯底上形成圖1所示的ESD保護(hù)二極管時(shí)，布局依賴性顯著。因此，所希望的是將所述ESD保護(hù)二極管形成在焊盤(pán)2之下，如圖3的截面結(jié)構(gòu)中所示。然而，焊盤(pán)2具有被引線鍵合的鍵合區(qū)域BA以電連接到相應(yīng)的引腳，因而鍵合力施加到下層。因此，需要在形成電接觸結(jié)構(gòu)時(shí)仔細(xì)考慮。
在常規(guī)技術(shù)中，ESD保護(hù)器件形成在相應(yīng)的焊盤(pán)之下以減小芯片尺寸。然而，對(duì)于上述常規(guī)的半導(dǎo)體器件，還產(chǎn)生了在焊盤(pán)與保護(hù)器件之間連接部分中的對(duì)于耐壓性的弱化部分，而這又可能導(dǎo)致半導(dǎo)體器件中的靜電擊穿。
因此，需要一種半導(dǎo)體器件，其能夠改善靜電放電保護(hù)而不增大器件尺寸，并還提供了抵抗靜電的改善的耐壓特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，其能夠改善靜電放電保護(hù)而不增大器件尺寸，還提供了抵抗靜電的增大的耐壓性。
本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件中焊盤(pán)的下部連接結(jié)構(gòu)，其具有抵抗鍵合力的耐久性。
本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例提供了一種保護(hù)器件與鍵合焊盤(pán)之間的電連接結(jié)構(gòu)以及其連接方法，其能夠改善靜電放電保護(hù)器件的耐壓特性。
本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中焊盤(pán)的下部連接結(jié)構(gòu)，其含有對(duì)靜電擊穿有抵抗性的接觸結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例提供了一種靜電放電保護(hù)器件和鍵合焊盤(pán)之間的改善的布局，其含有在其上形成有保護(hù)器件的區(qū)域的上部與焊盤(pán)之間的通路接觸。
本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例提供了在應(yīng)用了硅化物形成工藝的高度集成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中改善了抵抗靜電的耐壓性的接觸連接結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例提供了一種改善的金屬層的布局結(jié)構(gòu)，其能夠改善形成在金屬接觸上部的金屬層的圖案并分散靜電流入中的電流集中。
根據(jù)一示例性實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括含有多個(gè)保護(hù)二極管的二極管區(qū)域以及與所述二極管區(qū)域的上部交疊的焊盤(pán)區(qū)域。所述焊盤(pán)區(qū)域含有對(duì)應(yīng)于外部連接端安裝的焊盤(pán)。所述半導(dǎo)體器件還包括將構(gòu)成所述二極管區(qū)域的多個(gè)有源區(qū)域中的至少一個(gè)與所述二極管區(qū)域內(nèi)的焊盤(pán)連接的接觸插塞單元。
所述接觸插塞單元可以包括通路接觸部分以將上部金屬層和下部金屬層電連接。所述通路接觸部分連接到所述焊盤(pán)并位于所述焊盤(pán)的下部，并且所述下部金屬層位于所述上部金屬層的下部。所述接觸插塞單元還包括金屬接觸部分，其將所述下部金屬層與所述有源區(qū)域電連接并交疊地位于所述通路接觸部分的垂直下部。所述通路接觸部分和所述金屬接觸部分可以分別含有多個(gè)單元通路接觸和多個(gè)單元金屬接觸。
所述下部金屬層的圖案可以由第一圖案以及矩形形狀的第二圖案構(gòu)成，所述第一圖案具有對(duì)應(yīng)于所述二極管區(qū)域的第一導(dǎo)電有源區(qū)域延伸的柵極框架(gate frame)形狀，所述第二圖案與所述第一圖案一起形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并且與所述第一圖案敞開(kāi)區(qū)域之內(nèi)的所述第一圖案的單元柵極框架隔離，對(duì)應(yīng)于所述二極管區(qū)域的第二導(dǎo)電有源區(qū)域。
所述二極管區(qū)域的第一導(dǎo)電有源區(qū)域可以具有與所述二極管區(qū)域之內(nèi)的所述第一圖案基本相同的形狀，并且所述二極管區(qū)域的第二導(dǎo)電有源區(qū)域可以具有與所述二極管區(qū)域之內(nèi)的第二圖案基本相同的形狀。所述外部連接端可以是用于傳輸信號(hào)的引腳。所述保護(hù)二極管可以是p型二極管以排放正靜電從而在正電壓的靜電流入所述焊盤(pán)時(shí)保護(hù)內(nèi)部電路，或者可以是n型二極管以排放負(fù)靜電從而在負(fù)電壓的靜電流入所述焊盤(pán)時(shí)保護(hù)內(nèi)部電路。
而且，所述多個(gè)有源區(qū)域之一可以通過(guò)所述二極管區(qū)域外部的電源連接金屬接觸連接到電源線。所述電源線可以是接收電源電壓或接地電壓的線。
如果所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域是高濃度n型擴(kuò)散區(qū)域，則所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域可以是高濃度p型擴(kuò)散區(qū)域。所述焊盤(pán)可以是輸入焊盤(pán)、輸出焊盤(pán)或輸入/輸出焊盤(pán)。
同時(shí)，如果通過(guò)鑲嵌工藝形成的金屬層進(jìn)一步形成在所述金屬接觸部分的下部，則可以在所述金屬接觸部分的下部進(jìn)一步形成鎢接觸部分。
根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體器件中的焊盤(pán)的下部連接結(jié)構(gòu)。所述半導(dǎo)體器件中的焊盤(pán)的下部連接結(jié)構(gòu)包括含有第一導(dǎo)電有源區(qū)域和第二導(dǎo)電有源區(qū)域的保護(hù)器件，所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域具有形成在襯底的阱區(qū)中的延伸的柵極框架形狀，所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域在所述柵極框架的敞開(kāi)區(qū)域內(nèi)與所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域隔離。所述下部連接結(jié)構(gòu)還包括含有第一圖案和矩形形狀的第二圖案的第一金屬層，所述第一圖案具有與所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域上所述延伸的柵極框架形狀交疊的形狀，所述第二圖案與同一層上的所述第一圖案一起形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并且與所述第一圖案的敞開(kāi)區(qū)域之內(nèi)的所述第一圖案的單元柵極框架隔離，對(duì)應(yīng)于所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域。此外，所述下部連接結(jié)構(gòu)還包括形成在所述第一金屬層上的第二金屬層；從上側(cè)覆蓋所述保護(hù)器件的焊盤(pán)，所述焊盤(pán)形成在所述第二金屬層上并連接到外部連接引腳；接觸單元，其含有將所述焊盤(pán)與所述第二金屬層電連接的第二通路接觸部分以及將所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域的垂直上部的所述第一金屬層的第二圖案與所述第二金屬層電連接的第一通路接觸部分，以及與所述第一通路接觸部分垂直交疊的金屬接觸部分，其將所述第一金屬層的第二圖案與所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域電連接。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了一種含有靜電放電保護(hù)二極管的半導(dǎo)體器件中輸入/輸出焊盤(pán)的下部電連接結(jié)構(gòu)，其中第一和第二有源區(qū)域接合。所述下部電連接結(jié)構(gòu)包括多個(gè)電源保護(hù)二極管和多個(gè)信號(hào)保護(hù)二極管，所述電源保護(hù)二極管連接到電源電壓或接地電壓之一并形成在所述輸入/輸出焊盤(pán)的下面基本中心的部分中，所述信號(hào)保護(hù)二極管連接到所述輸入/輸出焊盤(pán)并形成在所述輸入/輸出焊盤(pán)的下部邊緣區(qū)域中。所述結(jié)構(gòu)還包括至少一個(gè)通路接觸，用于所述第二有源區(qū)域上的信號(hào)保護(hù)二極管的第二有源區(qū)域與所述輸入/輸出焊盤(pán)之間的垂直連接。
在本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例中，靜電耐壓性增大，由此可以改善保護(hù)二極管的靜電放電保護(hù)。此外，到保護(hù)器件的連接部分的負(fù)載集中被平和并分散，由此改善抵抗靜電的耐壓性并可以進(jìn)一步提供具有抵抗引線鍵合力的耐久性的接觸連接結(jié)構(gòu)。


通過(guò)結(jié)合附圖的以下描述，能夠更詳細(xì)的理解本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中圖1示出了施加到普通半導(dǎo)體集成電路中的焊盤(pán)的有線的保護(hù)器件；圖2(1)到(4)示出了在普通半導(dǎo)體集成電路中的各種靜電放電應(yīng)力模式；圖3是示出在襯底上形成圖1的保護(hù)器件的普通實(shí)例的示意性截面圖；圖4示出了其中形成了圖1所示的焊盤(pán)和保護(hù)器件的區(qū)域；圖5是示出根據(jù)常規(guī)技術(shù)的保護(hù)器件中金屬層的圖案和金屬接觸的布局的平面圖；圖6示出了在圖5的常規(guī)布局結(jié)構(gòu)中，在其上集中產(chǎn)生靜電放電擊穿的部分；圖7是對(duì)于圖5的常規(guī)布局結(jié)構(gòu)中圖1所示的保護(hù)器件的有源區(qū)域的布局圖；圖8是沿常規(guī)技術(shù)的圖7的線X-X’得到的截面圖，以示出焊盤(pán)與有源區(qū)域之間的電連接；圖9示出了焊盤(pán)的下部連接結(jié)構(gòu)以表示根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的靜電放電保護(hù)器件與鍵合焊盤(pán)之間的電連接結(jié)構(gòu)；圖10是沿圖9的線Y-Y’得到的截面圖；圖11是沿圖9的線X-X’得到的截面圖；圖12示出了保護(hù)器件的有源區(qū)域的布局圖以得到圖9的布局圖；圖13示出了形成在圖12的襯底上的第一金屬層的布局圖案以提供圖9的布局圖；圖14示出了在保護(hù)器件形成區(qū)域中圖13所示的鑲嵌金屬層或第一金屬層的布局圖案；以及圖15是根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的從圖10的截面結(jié)構(gòu)放大的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照附圖更充分的描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同形式實(shí)施，而不應(yīng)解釋為僅限于在此闡述的示例性實(shí)施例。而且，提供這些實(shí)施例是為了使本公開(kāi)透徹和完全，并將本發(fā)明的范圍充分告知本領(lǐng)域技術(shù)人員。
以下，將參照?qǐng)D9至15詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中在所有不同的圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，本發(fā)明可以通過(guò)許多不同類型實(shí)施而不限于以下描述的示例性實(shí)施例。以下各個(gè)實(shí)施例本質(zhì)上是示例性的。
僅為了更透徹的理解本發(fā)明的示例性實(shí)施例的目的，首先參照?qǐng)D4至8描述根據(jù)常規(guī)技術(shù)的焊盤(pán)與保護(hù)二極管之間的連接結(jié)構(gòu)。
圖4示出了其中形成了圖1所示的焊盤(pán)和保護(hù)器件的區(qū)域。圖5是示出根據(jù)常規(guī)技術(shù)的保護(hù)器件的金屬層的圖案和金屬接觸的布局的平面圖。圖6示出了在圖5的常規(guī)布局結(jié)構(gòu)中，在其上集中產(chǎn)生靜電放電擊穿的部分。圖7是在圖5的常規(guī)布局結(jié)構(gòu)中，對(duì)于圖1所示的保護(hù)器件的有源區(qū)域的布局圖。圖8是沿常規(guī)技術(shù)的圖7的線X-X’得到的截面圖，以示出焊盤(pán)與有源區(qū)域之間的電連接。
參照?qǐng)D4，對(duì)應(yīng)于例如引腳的外部連接端形成焊盤(pán)區(qū)域20。并且，在焊盤(pán)區(qū)域20中存在其上形成有保護(hù)二極管的器件形成區(qū)域10。在垂直結(jié)構(gòu)中，形成焊盤(pán)區(qū)域20，使其從器件形成區(qū)域10的上側(cè)完全覆蓋器件形成區(qū)域10。在焊盤(pán)區(qū)域20的邊緣上，金屬層形成區(qū)域30和32形成為與焊盤(pán)區(qū)域20的一部分交疊。在金屬層形成區(qū)域30和32中，形成通路接觸(viacontact)以達(dá)到圖3的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，雖然在常規(guī)的布局結(jié)構(gòu)中，在焊盤(pán)區(qū)域20的下部設(shè)置保護(hù)二極管以得到保護(hù)二極管的一端與焊盤(pán)之間的連接，但使用了金屬層形成區(qū)域30和32。當(dāng)在金屬層形成區(qū)域30和32中形成通路接觸時(shí)，通常從焊盤(pán)區(qū)域20中心部分內(nèi)的垂直下部產(chǎn)生的鍵合力不會(huì)顯著損壞通路接觸。
同時(shí)，在圖4中，可以將器件形成區(qū)域10分成三個(gè)區(qū)域11、12和13。例如，可以在區(qū)域A1中形成多個(gè)圖1所示的p型二極管4，并且可以在區(qū)域A3中形成多個(gè)圖1所示的n型二極管6。在區(qū)域A2中，可以形成連接到與圖1的焊盤(pán)2不同的焊盤(pán)的多個(gè)p型或n型二極管。
例如在圖4的區(qū)域A1中，如果形成了多個(gè)圖1的p型二極管4，則如圖5所示設(shè)置垂直連接到保護(hù)二極管有源區(qū)域的第一金屬層的常規(guī)圖案。
參照?qǐng)D5，以雙虛線和相同的附圖標(biāo)記示出圖4所示的焊盤(pán)區(qū)域20。圖5的區(qū)域10、30和32對(duì)應(yīng)于圖4的區(qū)域并且各區(qū)域表示器件形成區(qū)域和金屬層形成區(qū)域。在圖5中，圖中方向彼此相對(duì)的斜線的區(qū)域30和32表示在器件形成區(qū)域10中呈手指咬合形狀的第一金屬層M1(圖8的附圖標(biāo)記82)。附圖標(biāo)記MC表示金屬接觸。設(shè)置在金屬接觸之下的保護(hù)二極管的有源區(qū)域之一通過(guò)金屬接觸電連接到可被稱為金屬第一層的第一金屬層。形成在金屬層形成區(qū)域30中的金屬接觸MC將圖3的P+區(qū)域62與第一金屬層M1-2電連接。形成在金屬層形成區(qū)域32中的金屬接觸MC將圖3的N+區(qū)域64與第一金屬層M1-1電連接。在區(qū)域M2-1和M2-3中，通過(guò)后續(xù)工藝形成圖8所示的通路接觸V1。
像圖5所示的圖案中那樣，在第一金屬層在器件形成區(qū)域10中具有手指咬合形狀的情況下，可能發(fā)生靜電擊穿，如圖6所示。
圖6示出了產(chǎn)生的靜電放電擊穿集中在圖5的常規(guī)布局結(jié)構(gòu)中的部分。例如，在以附圖標(biāo)記P1、P2和P3示出的部分上產(chǎn)生了靜電所致的電流集中，因而金屬層有可能斷開(kāi)。也就是說(shuō)，在常規(guī)技術(shù)中，第一金屬層在器件形成區(qū)域10中具有手指咬合形狀的結(jié)構(gòu)。因此，在作為手指部分的具有附圖標(biāo)記P1、P2和P3的保護(hù)器件連接部分中的耐壓性變?nèi)酰沟媒饘賹涌梢匀菀椎財(cái)嚅_(kāi)。因而，靜電放電保護(hù)二極管4可能喪失保護(hù)功能。
圖7示出了在圖5的常規(guī)布局結(jié)構(gòu)中圖1所示的保護(hù)器件的有源區(qū)域的布局圖。參照?qǐng)D7，形成在圖6的金屬層形成區(qū)域30中的金屬接觸MC將圖3的P+區(qū)域62與第一金屬層M1-2電連接。此外，形成在圖6的金屬層形成區(qū)域32中的金屬接觸MC將圖3的N+區(qū)域64、65與第一金屬層M1-1電連接。圖8示出了在焊盤(pán)2和作為擴(kuò)散區(qū)域的第二有源區(qū)域P+之間的垂直電連接?？梢岳斫獾氖菆D8是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)沿圖7的線X-X’得到的截面圖。第三金屬層88可以是焊盤(pán)層，并且第二金屬層84通過(guò)形成在金屬間介電層86之內(nèi)的第二通路接觸V2連接到第三金屬層88。
參照?qǐng)D8，與保護(hù)二極管的形成區(qū)域10的阱區(qū)60分離，在襯底50的上部上設(shè)置形成于第一金屬層82上的通路接觸V1。
也就是說(shuō)，在常規(guī)技術(shù)中，圖4所示的金屬層形成區(qū)域30和32均需要，以在器件形成區(qū)域10之外形成通路接觸，而這又可能變成阻止半導(dǎo)體器件的布局尺寸減小的因素。
如上所述，在常規(guī)技術(shù)中，第一金屬層M1在保護(hù)器件的形成區(qū)域10中具有手指咬合的形狀，由此可能降低靜電放電保護(hù)二極管的耐壓性。此外，在常規(guī)技術(shù)中，與保護(hù)器件的形成區(qū)域偏離而形成通路接觸。因此，可能難以減小半導(dǎo)體器件的布局尺寸。
以下將參照根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖9至15描述為解決常規(guī)技術(shù)的上述困難的接觸結(jié)構(gòu)。由于在保護(hù)器件的形成區(qū)域之內(nèi)的通路接觸，根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的接觸結(jié)構(gòu)具有抵抗引線鍵合力的耐久性，并且還能夠改善靜電放電保護(hù)器件的靜電耐壓特性。
圖9示出了在集中于第一金屬層M1的布局圖中焊盤(pán)的下部連接結(jié)構(gòu)，以表示根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的靜電放電保護(hù)器件與鍵合焊盤(pán)之間的電連接結(jié)構(gòu)。如圖9所示，第一金屬層M1的圖案與常規(guī)技術(shù)的圖7的大大的不同。
圖9的結(jié)構(gòu)設(shè)置為圖12和13的組合布局結(jié)構(gòu)。以附圖標(biāo)記M1-1示出的第一圖案具有對(duì)應(yīng)于保護(hù)二極管區(qū)域10中的第一導(dǎo)電有源區(qū)域N+延伸的圖14的柵極框架形狀M1-1。以附圖標(biāo)記M1-2示出的第二圖案具有對(duì)于第一圖案M1-1的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并具有矩形形狀，如通過(guò)圖14的a1-a2-a3-a4連接的方形。第二圖案還與第一圖案M1-1的敞開(kāi)區(qū)域中第一圖案的單元柵極框架隔離，對(duì)應(yīng)于二極管區(qū)域10的第二導(dǎo)電有源區(qū)域P+。第一圖案的單元柵極框架是通過(guò)圖14的A1-A2-A3-A4連接的方形框架。換言之，圖9所示的接觸VM表明了金屬接觸MC與通路接觸V1交疊，如圖10所示。
構(gòu)成二極管區(qū)域10的有源區(qū)域之一、例如P+區(qū)域與焊盤(pán)2(圖10中的附圖標(biāo)記88)之間的電連接由設(shè)置為接觸VM的接觸插塞負(fù)責(zé)。接觸插塞位于二極管區(qū)域10中。因此，在這種情況下，無(wú)需圖4的區(qū)域30。
如圖10所示，由組合接觸VM構(gòu)成的接觸插塞單元可以包括通路接觸部分V1和金屬接觸部分MC。通路接觸部分V1將連接到焊盤(pán)88并位于焊盤(pán)下部的上部金屬層84與位于上部金屬層84下部的下部金屬層82電連接。金屬接觸部分MC將下部金屬層82與有源區(qū)域62電連接并位于通路接觸部分V1的垂直下部，與通路接觸部分V1交疊。圖9的附圖標(biāo)記M2CA表示將形成圖10的通路接觸V2的區(qū)域。
圖10是沿圖9的線Y-Y’得到的截面圖，圖11是沿圖9的線X-X’得到的截面圖。圖12示出了保護(hù)器件的有源區(qū)域的布局圖以得到圖9的布局圖。圖13示出了形成在圖12的襯底上的第一金屬層的布局圖案。在本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例中，第一金屬層的圖案與設(shè)置在第一金屬層下部的保護(hù)器件的有源區(qū)域具有實(shí)質(zhì)上相同的形狀，并與其交疊。第一、第二和第三金屬層M1、M2和M3可以由具有良好電導(dǎo)率的金屬制成，例如鋁材料。
圖14示出了在保護(hù)器件形成區(qū)域中圖13所示的鑲嵌金屬層或第一金屬層的布局圖案，并且第一圖案M1-1和第二圖案M1-2具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)此處命名為延伸的柵極框架與矩形形狀的組合結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵摻M合結(jié)構(gòu)具有網(wǎng)的形狀。柵極框架由多個(gè)相鄰的單元柵極框架形成，所述單元柵極框架具有第一圖案，如通過(guò)圖14所示的A1-A2-A3-A4連接的方形框架，并且此處命名為柵極框架，因?yàn)槠渚拖耖T(mén)框。其中各個(gè)單元柵極框架彼此隔離的第一金屬層的第二圖案M1-2形成為與第二有源區(qū)域P+區(qū)域的布局幾乎相同地交疊，所述第一金屬層的第二圖案M1-2基本具有矩形形狀，如通過(guò)圖14所示的a1-a2-a3-a4連接的方形。
圖15是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的從圖10的截面結(jié)構(gòu)放大的截面圖。在圖15中，有源區(qū)域62通過(guò)鎢接觸WC連接到金屬第零層M0(圖15的附圖標(biāo)記81)，金屬第零層81通過(guò)金屬接觸MC連接到金屬第一層M1(圖15中的附圖標(biāo)記82)。金屬第一層M1通過(guò)通路接觸V1連接到金屬第二層M2(圖15的附圖標(biāo)記84)，金屬第二層84通過(guò)第二通路接觸V2連接到作為焊盤(pán)層的金屬第三層M3(圖15中的附圖標(biāo)記88)。根據(jù)某些示例性實(shí)施例，可以在金屬第零層M0與金屬第一層M1之間進(jìn)一步形成金屬第零最初層MOP?？梢岳帽热珂u的金屬通過(guò)金屬鑲嵌工藝來(lái)形成金屬第零層M0和金屬第零最初層MOP。適于形成詳細(xì)圖案的金屬鑲嵌工藝的細(xì)節(jié)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的，由此在以下描述中將省略。
與具有手指咬合結(jié)構(gòu)的常規(guī)金屬層結(jié)構(gòu)相反，根據(jù)本發(fā)明某些示例性實(shí)施例的金屬層的結(jié)構(gòu)可以通過(guò)改變光刻工藝中的掩模圖案來(lái)實(shí)現(xiàn)。
再回來(lái)參照?qǐng)D10和11以示意性的示出靜電放電保護(hù)器件與焊盤(pán)之間的連接方法，通過(guò)公知的離子注入方法將第一導(dǎo)電類型的離子注入到作為半導(dǎo)體襯底的襯底50中然后通過(guò)執(zhí)行擴(kuò)散工藝，來(lái)形成N型阱60。此外，在淺溝槽隔離邊界上N型阱60的外圍形成P型阱。通過(guò)以高濃度注入第二導(dǎo)電類型的離子然后通過(guò)執(zhí)行擴(kuò)散工藝來(lái)形成p型擴(kuò)散區(qū)域62。通過(guò)以高濃度注入第一導(dǎo)電類型的離子然后通過(guò)執(zhí)行擴(kuò)散工藝來(lái)形成N型擴(kuò)散區(qū)域64和65。在沉積例如氧化物層的第一絕緣層80之后，形成接觸孔，然后用金屬填充接觸孔。接著，執(zhí)行金屬接觸MC形成工藝以制造接觸插塞。在形成金屬接觸MC之后，在金屬接觸MC和第一絕緣層80上沉積例如鋁的材料的第一金屬層82。然后，對(duì)于第一金屬層82執(zhí)行利用比如光致抗蝕劑的光敏層的光刻工藝，并執(zhí)行金屬層蝕刻工藝，由此形成圖13所示的第一圖案M1-1和第二圖案M1-2。第一圖案M1-1與第二圖案M1-2一起具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在第一圖案M1-1和第二圖案M1-2上沉積第二絕緣層83。接著，形成通路接觸孔并執(zhí)行用于形成通路接觸插塞的通路接觸V1的形成工藝。在這種情況下，通路接觸V1形成在圖9所示的接觸VM的位置，由此形成在金屬接觸MC的垂直上部交疊的通路接觸V1。同時(shí)，參照?qǐng)D11，與圖10所示的金屬接觸MC的形成一起形成金屬接觸MCb。并且與通路接觸V1的形成一起形成通路接觸V1b。通路接觸V1b形成在圖9所示的區(qū)域32中，同時(shí)，通路接觸V1形成在二極管區(qū)域10的有源區(qū)域62中。盡管通路接觸和金屬接觸在圖中分別表示為一個(gè)接觸插塞，但本發(fā)明的示例性實(shí)施例并不限于此，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的是，也可以在多個(gè)接觸孔中形成多個(gè)接觸插塞。
在通路接觸V1、V1b和第三絕緣層83上沉積例如鋁的材料構(gòu)成的第二金屬層。在通過(guò)光蝕刻工藝將第二金屬層84構(gòu)圖為預(yù)定形狀之后，在其上沉積第四絕緣層86。以網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)形成第四絕緣層86的內(nèi)部，使得第二通路接觸V2執(zhí)行有效的功率分散。
第二通路接觸V2的上部被第三金屬層88覆蓋，然后被鈍化層90覆蓋。緊接在焊盤(pán)的鍵合工藝之前，敞開(kāi)覆蓋第三金屬層88的鈍化層90，并且敞開(kāi)的區(qū)域?qū)?yīng)于焊盤(pán)形成區(qū)域20。在焊盤(pán)鍵合時(shí)，鍵合力集中到圖4所示的區(qū)域12的下部。因此，設(shè)置了保護(hù)器件并在與區(qū)域12分離的區(qū)域11、13上形成了通路接觸，由此減小了來(lái)自鍵合力的損害。換言之，沒(méi)有圖6所示的區(qū)域30，提供了具有抵抗引線鍵合力的耐久性的接觸結(jié)構(gòu)。圖13的尺寸a1顯著大于圖6所示的連接部分P1、P2、P3的尺寸，因此，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，電流通過(guò)的截面區(qū)域相對(duì)較大。線的負(fù)載被分散，并且在靜電流入時(shí)，電流分散到各個(gè)有源區(qū)域而沒(méi)有集中到特定部分的電流，由此能夠獲得超過(guò)約800V的耐壓特性而沒(méi)有擊穿。
此外，在如圖13的金屬層的圖案形成中，與常規(guī)技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，臨界尺寸的變化較小，因此示例性實(shí)施例的圖案是更加有利于光刻的工藝，由此與常規(guī)技術(shù)相比，導(dǎo)致了更可靠的電路布局和增大的產(chǎn)品生產(chǎn)率。
金屬第一層M1可以用于形成存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域中的位線。根據(jù)本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例，引腳ESD保護(hù)電路是擴(kuò)散二極管型，但ESD保護(hù)電路也可以作為MOS型使用。
因此，在本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例中，得到了從保護(hù)二極管的擴(kuò)散區(qū)域到焊盤(pán)的垂直的直接接觸，由此可以使二極管的放電功能變得更大，從而能夠顯著增大ESD電平。
在將所述保護(hù)電路應(yīng)用于例如SRAM的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置時(shí)，根據(jù)某些示例性實(shí)施例，存儲(chǔ)單元可以是例如由六個(gè)晶體管構(gòu)成的完全CMOSSRAM(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)單元。當(dāng)SRAM單元的單元節(jié)距(pitch)進(jìn)一步減小以接近目前光刻工藝的分辨率極限時(shí)，所述六個(gè)晶體管可以分開(kāi)并設(shè)置在不同的層上而沒(méi)有同一層的布局。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例，靜電耐壓性增大因此改善了保護(hù)二極管的靜電放電保護(hù)。此外，分散了到保護(hù)器件連接部分的負(fù)載的集中，由此改善了抵抗靜電的耐壓特性并提供了具有抵抗引線鍵合力的耐久性的接觸結(jié)構(gòu)。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，需進(jìn)一步注意的是，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在不偏離由所附權(quán)利要求的范圍和界限所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以進(jìn)行各種修改。
本申請(qǐng)要求于2006年3月17日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2006-0024790的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容在此引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括含有多個(gè)保護(hù)二極管的二極管區(qū)域；與所述二極管區(qū)域的上部交疊的焊盤(pán)區(qū)域，所述焊盤(pán)區(qū)域含有對(duì)應(yīng)于外部連接端安裝的焊盤(pán)；接觸插塞單元，所述接觸插塞單元將構(gòu)成所述二極管區(qū)域的多個(gè)有源區(qū)域中的至少一個(gè)與所述二極管區(qū)域內(nèi)的焊盤(pán)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述接觸插塞單元包括通路接觸部分，其將上部金屬層和下部金屬層電連接，所述上部金屬層連接到所述焊盤(pán)并位于所述焊盤(pán)的下部，并且所述下部金屬層位于所述上部金屬層的下部；以及金屬接觸部分，其將所述下部金屬層與所述有源區(qū)域電連接并交疊地位于所述通路接觸部分的垂直下部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中所述下部金屬層包括第一圖案，所述第一圖案具有對(duì)應(yīng)于所述二極管區(qū)域的第一導(dǎo)電有源區(qū)域延伸的柵極框架形狀；以及矩形形狀的第二圖案，所述第二圖案與所述第一圖案一起形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并且與所述第一圖案敞開(kāi)區(qū)域之內(nèi)的所述第一圖案的單元柵極框架隔離，對(duì)應(yīng)于所述二極管區(qū)域的第二導(dǎo)電有源區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述二極管區(qū)域的第一導(dǎo)電有源區(qū)域具有與所述二極管區(qū)域之內(nèi)的所述第一圖案基本相同的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述二極管區(qū)域的第二導(dǎo)電有源區(qū)域具有與所述二極管區(qū)域之內(nèi)的第二圖案基本相同的形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述外部連接端是用于傳輸信號(hào)的引腳。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述保護(hù)二極管是p型二極管，以排放正靜電從而在正電壓的靜電流入所述焊盤(pán)時(shí)保護(hù)內(nèi)部電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述保護(hù)二極管是n型二極管，以排放負(fù)靜電從而在負(fù)電壓的靜電流入所述焊盤(pán)時(shí)保護(hù)內(nèi)部電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述多個(gè)有源區(qū)域之一通過(guò)所述二極管區(qū)域外部的電源連接金屬接觸連接到電源線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中所述電源線是用于接收電源電壓或接地電壓的線。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述通路接觸部分和所述金屬接觸部分分別含有多個(gè)單元通路接觸和多個(gè)單元金屬接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中當(dāng)所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域是高濃度n型擴(kuò)散區(qū)域時(shí)，所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域是高濃度p型擴(kuò)散區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述焊盤(pán)包括輸入焊盤(pán)、輸出焊盤(pán)或輸入/輸出焊盤(pán)之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，還包括所述金屬接觸部分下部的鎢接觸部分以及通過(guò)鑲嵌工藝形成在所述金屬接觸部分的下部的金屬層。
15.一種半導(dǎo)體器件中的焊盤(pán)的下部連接結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括含有第一導(dǎo)電有源區(qū)域和第二導(dǎo)電有源區(qū)域的保護(hù)器件，所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域具有在形成于襯底上的阱區(qū)中的延伸的柵極框架形狀，所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域與所述柵極框架的敞開(kāi)區(qū)域內(nèi)的所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域隔離；含有第一圖案和矩形形狀的第二圖案的第一金屬層，所述第一圖案具有與所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域上所述延伸的柵極框架形狀交疊的形狀，所述第二圖案與同一層上的所述第一圖案一起形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并且與所述第一圖案的敞開(kāi)區(qū)域之內(nèi)的所述第一圖案的單元柵極框架隔離，對(duì)應(yīng)于所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域；形成在所述第一金屬層上的第二金屬層；焊盤(pán)，其從上側(cè)覆蓋所述保護(hù)器件，形成在所述第二金屬層上并連接到外部連接引腳；以及接觸單元，其含有將所述焊盤(pán)與所述第二金屬層電連接的第二通路接觸部分，將所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域的垂直上部的所述第一金屬層的第二圖案與所述第二金屬層電連接的第一通路接觸部分，以及與所述第一通路接觸部分垂直交疊的金屬接觸部分，所述金屬接觸部分將所述第一金屬層的第二圖案與所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其中連接到所述第一金屬層的第一圖案的金屬接觸形成在所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域上，通路接觸形成在所述保護(hù)器件所在的區(qū)域外部。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其中所述外部連接引腳傳輸信號(hào)或電源電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中所述保護(hù)器件是p型二極管，并適于在正電壓的靜電流到所述焊盤(pán)時(shí)將正靜電排放到電源線，從而保護(hù)內(nèi)部電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中所述保護(hù)器件是n型二極管，并適于在負(fù)電壓的靜電流到所述焊盤(pán)時(shí)將負(fù)靜電排放到地，從而保護(hù)內(nèi)部電路。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，其中所述通路接觸部分和所述金屬接觸部分分別含有多個(gè)單元通路接觸和多個(gè)單元金屬接觸。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)所述第一導(dǎo)電有源區(qū)域是高濃度n型擴(kuò)散區(qū)域時(shí)，所述第二導(dǎo)電有源區(qū)域是高濃度p型擴(kuò)散區(qū)域。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中所述焊盤(pán)包括輸入焊盤(pán)、輸出焊盤(pán)或輸入/輸出焊盤(pán)之一。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，還包括所述金屬接觸部分下部的鎢接觸部分以及通過(guò)鑲嵌工藝形成在所述金屬接觸部分下部的金屬層。
24.一種用于半導(dǎo)體集成電路中的鍵合焊盤(pán)與保護(hù)器件之間的電連接結(jié)構(gòu)，其包括連接到外部連接端的輸入/輸出焊盤(pán)，所述外部連接端通過(guò)有源區(qū)域中的接觸插塞單元垂直直線地連接到所述保護(hù)器件的有源區(qū)域，所述保護(hù)器件設(shè)置成在所述輸入/輸出焊盤(pán)的下部與所述保護(hù)器件之間插入絕緣層以保護(hù)內(nèi)部電路器件免受靜電影響。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的結(jié)構(gòu)，其中所述接觸插塞單元包括彼此垂直交疊的通路接觸與金屬接觸。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的結(jié)構(gòu)，其中在所述絕緣層的內(nèi)部，疊置有含有所述金屬接觸的金屬接觸層、第一金屬層、含有所述通路接觸的通路接觸層以及第二金屬層。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的結(jié)構(gòu)，其中所述外部連接端是用于傳輸信號(hào)的引腳。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的結(jié)構(gòu)，其中所述保護(hù)器件是p型二極管，所述p型二極管適于在正電壓的靜電流到所述輸入/輸出焊盤(pán)時(shí)將正靜電排放到輸出電源線，從而保護(hù)內(nèi)部電路。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的結(jié)構(gòu)，其中所述有源區(qū)域包括高濃度p型擴(kuò)散區(qū)域或n型擴(kuò)散區(qū)域之一。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的結(jié)構(gòu)，還包括所述金屬接觸部分下部的鎢接觸部分以及通過(guò)鑲嵌工藝形成在所述金屬接觸部分下部的金屬層。
31.一種將半導(dǎo)體集成電路中的鍵合焊盤(pán)與保護(hù)器件電連接的方法，所述方法包括利用接觸插塞通過(guò)絕緣層將所述鍵合焊盤(pán)的下部與第一有源區(qū)域的上部垂直連接，并將用于靜電放電的所述保護(hù)器件的第一有源區(qū)域與位于器件形成區(qū)域的上部的所述鍵合焊盤(pán)電連接，在所述器件形成區(qū)域形成有多個(gè)保護(hù)器件。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中在所述保護(hù)器件的所述第一有源區(qū)域上，彼此交疊地形成金屬接觸和通路接觸，并且在所述保護(hù)器件的第二有源區(qū)域上，形成金屬接觸。
33.一種用于半導(dǎo)體器件中的靜電放電保護(hù)電路，該電路包括多個(gè)焊盤(pán)，所述多個(gè)焊盤(pán)電連接在各個(gè)相應(yīng)的外部連接端與所述半導(dǎo)體器件的內(nèi)部電路之間并位于焊盤(pán)敞開(kāi)區(qū)域中；連接在所述焊盤(pán)與電源電壓之間的多個(gè)p型保護(hù)二極管，所述p型保護(hù)二極管形成為第一區(qū)域內(nèi)的第二擴(kuò)散區(qū)域，所述第一區(qū)域設(shè)置在所述多個(gè)焊盤(pán)的每個(gè)下部中；以及連接在所述焊盤(pán)與接地電壓之間的多個(gè)n型保護(hù)二極管，所述n型保護(hù)二極管形成為第二區(qū)域內(nèi)的第一擴(kuò)散區(qū)域，所述第二區(qū)域在所述每個(gè)下部的第一區(qū)域附近。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的電路，其中所述保護(hù)電路含有接觸結(jié)構(gòu)，在將所述第一擴(kuò)散區(qū)域或所述第二擴(kuò)散區(qū)域之一電連接到所述焊盤(pán)時(shí)，所述接觸結(jié)構(gòu)通過(guò)設(shè)置在所述焊盤(pán)下部的金屬層和鋁層直接連接到擴(kuò)散區(qū)域。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的電路，其中當(dāng)所述半導(dǎo)體器件是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器時(shí)，所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元由六個(gè)單元晶體管構(gòu)成，并且所述六個(gè)單元晶體管形成在同一層或不同的層上。
36.一種含有靜電放電保護(hù)二極管的半導(dǎo)體器件中輸入/輸出焊盤(pán)的下部電連接結(jié)構(gòu)，其中第一和第二有源區(qū)域接合，所述結(jié)構(gòu)包括多個(gè)電源保護(hù)二極管，所述電源保護(hù)二極管連接到電源電壓或接地電壓之一并形成在所述輸入/輸出焊盤(pán)的下面基本中心的部分中；以及多個(gè)信號(hào)保護(hù)二極管，所述信號(hào)保護(hù)二極管連接到所述輸入/輸出焊盤(pán)并形成在所述輸入/輸出焊盤(pán)的下部邊緣區(qū)域中，至少一個(gè)通路接觸，用于所述第二有源區(qū)域上所述信號(hào)保護(hù)二極管的第二有源區(qū)域與所述輸入/輸出焊盤(pán)之間的垂直連接。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，包括含有多個(gè)保護(hù)二極管的二極管區(qū)域以及與所述二極管區(qū)域的上部交疊的焊盤(pán)區(qū)域。所述焊盤(pán)區(qū)域具有對(duì)應(yīng)于外部連接端安裝的焊盤(pán)。所述半導(dǎo)體器件還包括接觸插塞單元，其將構(gòu)成所述二極管區(qū)域的多個(gè)有源區(qū)域中的至少一個(gè)與所述二極管區(qū)域內(nèi)的焊盤(pán)連接。
文檔編號(hào)H01L23/52GK101038912SQ20071008577
公開(kāi)日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2007年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月17日
發(fā)明者梁香子 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社