專利名稱：：晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別是有關(guān)于一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
：近幾年來，隨著攜帶式(portable)電子產(chǎn)品、手持式通訊以及消費性電子產(chǎn)品的成長性已凌駕于傳統(tǒng)個人計算機(PC)產(chǎn)品之上，電子組件不斷地朝向高容量、窄線寬的高密度化、高頻、低耗能、多功能整合方向發(fā)展。而在集成電路(integratedcircuit,IC)封裝技術(shù)方面，為配合高輸入/輸出(I/O)數(shù)、高散熱以及封裝尺寸縮小化的要求下，使得晶粒級封裝(chipscalepackage,CSP)、晶圓級封裝(waferlevelpackage)等高階封裝技術(shù)需求不斷升高。有別于傳統(tǒng)以單一芯片(die)為加工標(biāo)的的封裝技術(shù)，晶圓級封裝以晶圓(wafer)為封裝處理的對象，其主要目的在簡化芯片的封裝制程，以節(jié)省時間及成本。在晶圓上的集成電路制作完成以后，便可直接對整片晶圓進(jìn)行封裝制程，其后再進(jìn)行晶圓切割(wafersaw)的動作，以分別形成多個芯片封裝體。制作完成的芯片封裝體可安裝于載板上。在使芯片與載板接合時，現(xiàn)有技術(shù)是在芯片的焊墊上形成凸塊，并以導(dǎo)電膠填充于芯片封裝體的凸塊與載板的接墊之間。導(dǎo)電膠可將芯片封裝體固定在載板上，并使芯片封裝體與載板電性連接。然而，在芯片封裝體與載板接合的過程中，由于凸塊的推擠，導(dǎo)電膠中的導(dǎo)電粒子可能會滑動，而發(fā)生壓合不破的現(xiàn)象。如此，會降低凸塊與接墊間的電性連接的可靠度，進(jìn)而降低芯片封裝體與載板之間的電性連接的可靠度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，可提高芯片封裝體與載板之間電性連接的可靠度。為解決上述問題，本發(fā)明提出一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟。首先，提供一晶圓，其中晶圓具有多個焊墊以及一保護(hù)層，而保護(hù)層具有多個第一開口以將焊墊暴露。接下來，進(jìn)行一凸塊制程，并于各焊墊上分別形成一凸塊。之后，于各凸塊的一頂面上分別形成一凹槽。本發(fā)明由于在凸塊的頂面上形成凹槽，因此，在以導(dǎo)電膠連接芯片封裝體與載板時，凹槽可固定導(dǎo)電膠中的導(dǎo)電粒子，而使導(dǎo)電粒子不會因凸塊與載板之間的擠壓而滑動。如此，可提高凸塊與載板的接墊間的電性連接的可靠度。為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作詳細(xì)說明，其中圖1A至圖1H為本發(fā)明一實施例的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法流程圖。圖2為圖1H的實施例中芯片封裝體與載板連接示意圖。圖3為本發(fā)明一實施例中凸塊的俯視圖。圖4為本發(fā)明另一實施例中凸塊的俯視圖。圖5為本發(fā)明又一實施例中凸塊的俯視圖。圖6為本發(fā)明再一實施例中凸塊的俯視圖。主要組件符號說明50:第一罩幕60:圖案化罩幕62:第二開口70:載板72:接墊80:導(dǎo)電膠82:導(dǎo)電粒子100:晶圓100':晶圓級封裝結(jié)構(gòu)100a:芯片封裝體110:焊墊120:保護(hù)層122:第一開口130、130a、130b、130c、130d:凸塊132:頂面134:凹槽136:溝渠136a:第一溝渠136b:第二溝渠140:球底金屬層140':金屬層138:凹陷具體實施例方式圖1A至圖1H為本發(fā)明一實施例的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法流程圖。請參照圖1A至圖1H，本發(fā)明的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列步驟。首先，請參照圖1A，提供一晶圓IOO，其中晶圓IOO上具有多個焊墊110以及一保護(hù)層120，而保護(hù)層120具有多個第一開口122以暴露出一部分的焊墊110。接下來，請參照圖1B至圖1D，進(jìn)行一凸塊制程，以于各焊墊110由第一開口122暴露的部分上分別形成一凸塊130。上述凸塊制程可包括以下步驟。首先，請參照圖1B，于各焊墊110上形成一球底金屬層140(見圖1H)。在本實施例中，上述形成球底金屬層140的形成，可在晶圓IOO表面形成一全面覆蓋的金屬層140'，而在后續(xù)步驟中再將金屬層140'圖案化以形成球底金屬層140。之后，如圖1C以及圖1D所示，于各球底金屬層140上形成一凸塊130。形成凸塊130的方式例如可用一第一罩幕50覆蓋部分金屬層140'，并暴露出焊墊IIO上方的金屬層140'，如圖1C所示。然后，如圖1D所示，進(jìn)行電鍍以在由第一罩幕50暴露出的金屬層140'上形成凸塊130，其中凸塊130例如為金凸塊。接下來，請參照圖1E至圖1G，于各凸塊130的一頂面132上分別形成一凹槽134。在本實施例中，上述形成凹槽134的方法可包括以下步驟。首先，如圖1E所示，在凸塊130以及第一罩幕50上形成一圖案化罩幕60，其中圖案化罩幕60具有多個第二開口62，暴露出凸塊130的一部分區(qū)域。接下來，如圖1F所示，借由圖案化罩幕60移除第二開口62所暴露出的部分凸塊130，以于各凸塊130的頂面132上分別形成一凹槽134。之后，如圖1G所示，移除圖案化罩幕60。之后，請參照圖1H，以凸塊130做為罩幕將金屬層140'圖案化，以形成球底金屬層140。至此，大致完成晶圓級封裝結(jié)構(gòu)100'的制作。圖2為圖1H的實施例中芯片封裝體與載板連接示意圖。請參照圖1H及圖2，在完成上述步驟后，可再對晶圓級封裝結(jié)構(gòu)100'進(jìn)行一切割步驟，以將晶圓級封裝結(jié)構(gòu)100'切割成多個芯片封裝體100a，并將芯片封裝體100a安裝至一載板70上，且在載板70的接墊72與凸塊130之間填入導(dǎo)電膠80，使芯片封裝體100a與載板70電性連接。由于在本發(fā)明的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法中，在各凸塊130的頂面132上形成有一凹槽134，而凹槽134可固定導(dǎo)電膠80中的導(dǎo)電粒子82，因此在將本發(fā)明的芯片封裝體100a與載板70接合時，不易因?qū)щ娏Ｗ?2滑動而發(fā)生壓合不破的現(xiàn)象。如此，可提高芯片封裝體100a與載板70之間電性連接的可靠度。值得注意的是，上述凹槽134具可有多種實施方式，以下以具有溝渠的凹槽以及具有凹陷的凹槽為例說明。圖3為本發(fā)明一實施例中凸塊的俯視圖。請參照圖2及圖3，在本實施例中，凸塊130a的凹槽134可以具有多個溝渠136，而溝渠136的深度以及截面積可配合導(dǎo)電膠80的導(dǎo)電粒子82的大小來設(shè)計，以使溝渠136可固定并壓破導(dǎo)電粒子82。在本實施例中，溝渠136的深度例如介于0至20微米之間，而溝渠136的截面積則介于0至30平方微米之間。另外，溝渠136可以平行排列，如圖3中所示，也可交錯排列。圖4為本發(fā)明另一實施例中凸塊的俯視圖。請參照圖4，在本實施例中，凸塊130b的溝渠136還包括多個第一溝渠136a與多個第二溝渠136b，而第一溝渠136a的延伸方向與第二溝渠136b的延伸方向交錯。7圖5為本發(fā)明又一實施例中凸塊的俯視圖。請參照圖5，在本實施例中，凸塊130c的凹槽134可包括多個凹陷138，其中凹陷138的深度以及截面積可配合導(dǎo)電膠(見圖2)的導(dǎo)電粒子(見圖2)的大小來設(shè)計，以使凹陷138可固定并壓破導(dǎo)電粒子。在本實施例中，凹陷138的深度介于0至20微米之間，而凹陷138的截面積介于0至30平方微米之間。另外，凹陷138可呈陣列排列，如圖5中所示，也可呈不規(guī)則排列。圖6為本發(fā)明再一實施例中凸塊的俯視圖。請參照圖6，在本實施例中，凸塊130d的凹陷138呈不規(guī)則排列。綜上所述，由于本發(fā)明的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法在各凸塊的頂面上形成一凹槽，而凹槽可固定導(dǎo)電膠中的導(dǎo)電粒子，因此在將本發(fā)明的芯片封裝體與載板接合時，不易因?qū)щ娏Ｗ踊瑒佣l(fā)生壓合不破的現(xiàn)象。如此，可提高芯片封裝體與載板之間電性連接的可靠度。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于包括提供一晶圓，該晶圓具有多個焊墊以及一保護(hù)層，其中該保護(hù)層具有多個第一開口以將該些焊墊暴露；進(jìn)行一凸塊制程，以于各該焊墊上分別形成一凸塊；以及于各該凸塊的一頂面上分別形成一凹槽。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該凸塊制程包括于各該焊墊上形成一球底金屬層；以及于各該球底金屬層上形成一凸塊。3.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該些凸塊的材質(zhì)包括金。4.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該些凹槽的方法包括在該些凸塊以及該保護(hù)層上形成一圖案化罩幕，該圖案化罩幕具有多個第二開口，暴露出該些凸塊的一部分區(qū)域；借由該圖案化罩幕移除該些第二開口所暴露出的該些凸塊，以于各該凸塊的該頂面上分別形成該凹槽；以及移除該圖案化罩幕。5.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，各該凹槽包括多個溝渠。6.如權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該些溝渠的深度介于0至20微米之間。7.如權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該些溝渠的截面積介于0至30平方微米之間。8.如權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該些溝渠平行排列。9.如權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該些溝渠還包括多個第一溝渠與多個第二溝渠，而該些第一溝渠的延伸方向與該些第二溝渠的延伸方向交錯。10.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，各該凹槽包括多個凹陷。全文摘要本發(fā)明涉及一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟。首先，提供一晶圓，其中晶圓具有多個焊墊以及一保護(hù)層，而保護(hù)層具有多個第一開口以將焊墊暴露。接下來，進(jìn)行一凸塊制程，并于各焊墊上分別形成一凸塊。之后，于各凸塊的一頂面上分別形成一凹槽。因此，在以導(dǎo)電膠連接芯片封裝體與載板時，凹槽可固定導(dǎo)電膠中的導(dǎo)電粒子，而使導(dǎo)電粒子不會因凸塊與載板之間的擠壓而滑動。文檔編號H01L21/02GK101431037SQ200710047828公開日2009年5月13日申請日期2007年11月6日優(yōu)先權(quán)日2007年11月6日發(fā)明者賴金榜,俊馬申請人:宏茂微電子(上海)有限公司