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N型硅太陽能電池的制作方法

文檔序號:7217800閱讀:202來源:國知局
專利名稱:N型硅太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種太陽能電池,具體說是一種N型硅太陽能電池。
背景技術(shù)
目前國際上通行的是在P型硅片上以絲網(wǎng)印刷方法制造的硅太陽能電池。這種電池得到認(rèn)可的最高光電轉(zhuǎn)換率在16%左右。在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高性價(jià)比的空間非常有限。并且,近年來人們發(fā)現(xiàn)常規(guī)太陽能電池用的P型硅切克勞斯直拉單晶(CZ)材料的少數(shù)載流子壽命會(huì)在光照下衰退。因而嘗試著尋找其他性能更好的材料,如超磁直拉單晶(MCZ)、摻鎵直拉單晶等等,但這樣會(huì)提高太陽能電池的成本。
目前現(xiàn)有的N型硅太陽能電池是美國SunPower公司生產(chǎn)的N型背面點(diǎn)接觸太陽能電池。其結(jié)構(gòu)是電極、接觸金屬全部在電池背面,為實(shí)現(xiàn)金屬與背面10微米的細(xì)小擴(kuò)散區(qū)點(diǎn)陣的互聯(lián),又要防止背面金屬之間短路,因此要做多次光刻、氧化和擴(kuò)散,結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜,制作難度大,成本高。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種提供一種結(jié)構(gòu)合理,制作工藝簡單,成本較低,光電轉(zhuǎn)化率較高的N型硅太陽能電池。
本實(shí)用新型N型硅太陽能電池,以N型直拉單晶硅片(CZ)為基體,其特征是N型直拉單晶硅片的正面設(shè)有隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層,隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極;N型直拉單晶硅片的的背面設(shè)有硼擴(kuò)散制備的P型發(fā)射結(jié)層,在P型發(fā)射結(jié)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極。
本實(shí)用新型N型硅太陽能電池,結(jié)構(gòu)合理,制作工藝簡單,成本較低,光電轉(zhuǎn)化率較高。


圖1為本實(shí)用新型N型硅太陽能電池結(jié)構(gòu)(放大)局部示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例,對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
實(shí)施例如圖1所示,本實(shí)用新型N型硅太陽能電池,以N型直拉單晶硅片(CZ)為基體1,N型直拉單晶硅片的正面設(shè)有隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層2,隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極3;N型直拉單晶硅片的的背面設(shè)有硼擴(kuò)散制備的P型發(fā)射結(jié)層4,在P型發(fā)射結(jié)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極3。
本實(shí)用新型N型硅太陽能電池是按下述方法制備的將N型硅片進(jìn)行前道化學(xué)預(yù)處理,腐蝕隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層;在N型硅片背面硼擴(kuò)散制備背面的P型發(fā)射結(jié),生長氧化層;N型硅片正面PECVD淀積氧化層,絲網(wǎng)印刷正面、背面金屬電極;燒結(jié)金屬即電極金屬化。從而得到本實(shí)用新型N型硅太陽能電池。
權(quán)利要求1.一種N型硅太陽能電池,以N型直拉單晶硅片(CZ)為基體(1),其特征是N型直拉單晶硅片的正面設(shè)有隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層(2),隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極(3);N型直拉單晶硅片的的背面設(shè)有硼擴(kuò)散制備的P型發(fā)射結(jié)層(4),在P型發(fā)射結(jié)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極(3)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種N型硅太陽能電池,以N型直拉單晶硅片(CZ)為基體,其特征是N型直拉單晶硅片的正面設(shè)有隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層,隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極;N型直拉單晶硅片的的背面設(shè)有硼擴(kuò)散制備的P型發(fā)射結(jié)層,在P型發(fā)射結(jié)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極。本實(shí)用新型N型硅太陽能電池,結(jié)構(gòu)合理,制作工藝簡單,成本較低,光電轉(zhuǎn)化率較高。
文檔編號H01L31/042GK2886808SQ200620068809
公開日2007年4月4日 申請日期2006年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月24日
發(fā)明者趙建華, 王愛華, 張鳳鳴 申請人:中電電氣(南京)光伏有限公司
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