專利名稱：雙板有機電致發(fā)光器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明的實施例涉及有機電致發(fā)光器件，更具體地說，涉及雙板有機電致發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術：
在平板顯示器件的領域中，由于有機電致發(fā)光器件(此后稱為“有機EL器件”)是自發(fā)光顯示器件，所以與液晶顯示(LCD)器件相比，它們具有寬視角和大對比度。此外，由于有機EL器件不需要任何背光組件，所以它們能夠實現輕重量并具有薄外形。此外，有機EL器件比LCD器件的功耗低。
可以在低DC驅動電壓來驅動有機EL器件，并且有機EL器件具有高響應速度。由于有機EL器件的所有部件都由固體材料形成，所以EL器件對外部碰撞有抵抗力。有機EL器件也可以在很寬的溫度范圍內使用，并且仍然可以廉價地制造。例如，可以使用淀積和封裝設備來制造有機EL器件。因此，有機EL器件的制造方法非常簡單。
在按使用設置在各像素區(qū)的薄膜晶體管作為各像素的開關器件的有源矩陣型來驅動有機EL器件的情況下，即使施加低電流也能獲得均勻的亮度。因此，有機EL器件具有功耗低、清晰度高以及畫面尺寸大的優(yōu)點。有機EL器件通過使用諸如電子和空穴的載流子來激發(fā)熒光材料從而顯示視頻圖像。
另一方面，也可以采用不具有薄膜晶體管來進行像素開關的無源矩陣型來驅動有機EL器件。然而，無源矩陣型有機EL器件具有技術局限性，例如功耗增大以及壽命縮短。因此，已經進行了與有源矩陣型有機EL器件相關聯的各種研究，以制造滿足高清晰度大畫面顯示的需求的下一代顯示器件。
基于發(fā)光層設置在下基板上還是上基板上，有機EL器件可以分為底部發(fā)光型和頂部發(fā)光型。在頂部發(fā)光有機EL器件被實現為有源矩陣型的情況下，各個薄膜晶體管設置在下基板上，發(fā)光層設置在上基板上。具有此結構的有機EL器件常常稱為“雙板有機電致發(fā)光器件(DOD)”。
圖1是例示出現有技術的雙板有機電致發(fā)光器件的結構的剖面圖。如圖1所示，DOD包括被形成為彼此間隔開的第一基板10和第二基板20?，F有技術的DOD還包括薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列具有分別形成在第一基板10上的與子像素對應的區(qū)域中的多個薄膜晶體管(TFT)?，F有技術的DOD還包括有機電致發(fā)光二極管，其形成在第二基板20上；和密封圖案30，其形成在第一基板10和第二基板20的邊緣上。為了向各個有機電致發(fā)光二極管提供電流，形成有導電間隔物17和透明電極16以將第二電極25連接到相關聯子像素的TFT。
在各個子像素中，有機電致發(fā)光二極管包括用作公共電極的第一電極21、以及第一電極21上的位于相鄰子像素之間的邊界處的阻擋脊(barrier rib)26。有機電致發(fā)光二極管還包括有機電致發(fā)光層22、23和24，所述有機電致發(fā)光層22、23和24順序地與第二電極25一起設置在由相關聯阻擋脊26限定的區(qū)域中(即，設置在相關聯子像素中)，同時形成為與其他子像素的有機電致發(fā)光層和第二電極相分離的圖案的形式。
有機電致發(fā)光層包括按順序層疊的第一載流子傳輸層22、發(fā)光層23以及第二載流子傳輸層24。第一載流子傳輸層22和第二載流子傳輸層24用于向發(fā)光層23注入并傳輸電子或者空穴。第一載流子傳輸層22和第二載流子傳輸層24的結構取決于陽極和陰極的設置。例如，發(fā)光層23可以由高分子量的材料形成，第一載流子傳輸層22和第二載流子傳輸層24可以分別定義為陽極和陰極。在此情況下，接觸第一電極21的第一載流子傳輸層22具有其中空穴注入層和空穴傳輸層順序層疊在第一電極21上的結構。此外，接觸第二電極25的第二載流子傳輸層24具有其中電子注入層和電子傳輸層順序層疊在第二電極25上的結構。
第一載流子傳輸層22和第二載流子傳輸層24以及發(fā)光層23可以由低分子量的材料或者高分子量的材料形成。當使用低分子量的材料時，通過汽相淀積法來形成這些層22、23和24。當使用高分子量的材料時，通過噴墨法來形成這些層22、23和24。
導電間隔物17的主要功能不是保持單元間隙。相反，與液晶顯示(LCD)器件的常規(guī)間隔物不同，導電間隔物17的功能是電連接兩個基板。因此，導電間隔物17在兩個基板之間限定的空間內具有特定的三維形狀。
連接到相關聯有機電致發(fā)光二極管的各個TFT是驅動薄膜晶體管。TFT包括柵極11，其形成在第一基板10上的預定部分處；半導體層13，形成為島形以覆蓋柵極11；以及源極14a和漏極14b，它們形成在半導體層13的相對側。在各個子像素中，在第一基板10的整個上表面上在柵極11與半導體層13之間形成有柵絕緣膜12。在柵絕緣膜12(包括源極14a和漏極14b)上形成有鈍化膜15。漏極14b通過設置在鈍化膜15中的孔而電連接到形成在鈍化膜15上的透明電極16。導電間隔物17接觸透明電極16的頂部。
導電間隔物17用于將設置在第一基板10上的相關聯子像素處的TFT的漏極14b電連接到設置在第二基板20上的第二電極25。導電間隔物17是由有機絕緣材料等形成的鍍金屬柱狀間隔物。當第一基板10的對應于子像素的部分與第二基板20的對應部分相接合時，導電間隔物17使得電流可以在相關聯子像素中的漏極14b與第二電極25之間流動。
導電間隔物17的外部由導電金屬材料形成。在此情況下，使用延展度高的金屬。此外，該金屬應該具有低電阻率。
第一電極21由透明材料制成。第二電極25由遮光金屬層形成。第一電極21與第二電極25之間的空間填充有惰性氣體或者絕緣液體。
雖然在圖1中未示出，但是在第一基板10上形成有存儲電容器、掃描線、與掃描線交叉的信號線和電源線。
DOD包括形成在由具有高電阻率的透明材料制成的第一電極21上的具有網格結構的總線。該總線用于防止第一電極21中的電壓降。以下將參照圖2和3對此進行說明。
圖2是例示出現有技術的雙板有機電致發(fā)光器件的總線的平面圖。圖3是例示出圖2的一個單位像素中的總線和阻擋脊的平面圖。參照圖2和圖3，如圖2所示，現有技術的DOD還包括在第一電極21上的除了像素區(qū)之外的區(qū)域中的形成為網格形式的總線50。第一電極21由透明材料制成以防止孔徑比縮小。然而，當向第一電極21施加電壓時，由于透明電極材料的高電阻率，在顯示區(qū)域的中央部分可能發(fā)生所施加電壓的下降。為了防止這種電壓降，在現有技術的DOD中進一步設置具有低電阻率的總線50。
阻擋脊55恰形成在總線50的外部(即，除了像素區(qū)之外的區(qū)域)，并且還具有底切結構地在總線50上突出，以限定要形成有機電致發(fā)光層的區(qū)域。在電致發(fā)光層上形成第二電極的過程中，這種底切結構使得阻擋脊55可以防止第二電極與總線之間的短路。換言之，阻擋脊55的底切結構保持第二電極與總線之間的絕緣分離。
圖4是例示出其中在由圖3中的有圓圈標號指示的區(qū)域中阻擋脊的底切崩塌的狀態(tài)的SEM圖。圖5是例示出圖3中的除了有圓圈標號指示的區(qū)域之外的其他區(qū)域中的阻擋脊的底切的正常狀態(tài)的SEM圖。如圖4所示，阻擋脊的底切的角部(如有圓圈標號所示)部分地與總線交疊。在這些區(qū)域中，阻擋脊的底部不在總線上，并且阻擋脊具有與總線交疊的凸起。因此，厚度很小的底切的凸起可能向總線崩塌。
另一方面，在底切的其余部分中，由于阻擋脊形成在總線的外側部分上，所以其位于總線沒有臺階的區(qū)域中，如圖5所示。因此，在此區(qū)域中，阻擋脊底切的凸起不與下方的總線相接觸。如圖4所示，當阻擋脊的凸起向總線崩塌時，第二電極不僅形成在有機發(fā)光層(包括阻擋脊)上，而且形成在總線的與崩塌的底切相接觸的部分上。因此，第一電極和第一電極會發(fā)生短路。由此，無法在發(fā)生了底切崩塌的區(qū)域中實現正常操作。
當阻擋脊具有底切結構時，阻擋脊的底切的角部(例如由有圓圈標號指示的區(qū)域)形成在總線上。因此，厚度很小的底切的凸起可能向總線崩塌。在此情況下，第二電極不是形成在包括阻擋脊的有機發(fā)光層上，而是形成總線的與崩塌的底切相接觸的部分上。因此，第一電極和第二電極會短路。由此，在總線上已發(fā)生底切崩塌的區(qū)域中無法實現正常操作。具體來說，存在底切結構的區(qū)域與總線的臺階相交叉，凸起可以比位于不存在與總線交叉的臺階的其他區(qū)域中的底切凸起大三倍。底切的較大凸起變得較細，從而可能發(fā)生底切崩塌。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的實施例旨在提供一種雙板有機電致發(fā)光器件及其制造方法，其本質上消除了由于現有技術的局限和缺點而導致的一個或者更多個問題。
本發(fā)明的目的是提供一種防止底切向總線崩塌的雙板有機電致發(fā)光器件及其制造方法。
本發(fā)明的其他優(yōu)點、目的以及特征的一部分將在隨后的說明中進行闡述，而一部分在由本領域普通技術人員研究了下面的內容后會變得清楚，或者可以通過實施本發(fā)明而獲得。本發(fā)明的上述目的和其他優(yōu)點可以由在說明書及其權利要求書以及附圖中具體指出的結構而實現并獲得。
為了實現這些目的和其他優(yōu)點，并且根據本文中所具體體現和廣泛描述的發(fā)明宗旨，一種雙板有機電致發(fā)光器件包括具有多個像素區(qū)的第一基板和第二基板，其中第一基板和第二基板彼此面對；薄膜晶體管，其位于第一基板上的各個像素區(qū)中；第二基板上的第一電極；總線，其位于第一電極上除了像素區(qū)之外的區(qū)域中，使得總線在各個像素區(qū)的各個角部具有圓形形狀；阻擋脊，其位于總線的外側部分以包圍各個像素區(qū)；有機電致發(fā)光層，其在各個像素區(qū)中位于第一電極上；第二電極，其在各個像素區(qū)中形成在阻擋脊和有機電致發(fā)光層上；以及連接圖案，其連接薄膜晶體管和第二電極。
在另一方面，一種雙板有機電致發(fā)光器件的制造方法包括如下步驟在第一基板上限定多個像素區(qū)；在第一基板上的各個像素區(qū)中形成薄膜晶體管；在第二基板的整個表面上淀積第一電極；在第一基板上的除了像素區(qū)之外的區(qū)域上形成總線，使得總線在各個像素區(qū)的各個角部具有圓形形狀；在總線的外側部分形成阻擋脊以包圍各個像素區(qū)；在各個像素區(qū)中在第一電極上形成有機電致發(fā)光層；在各個像素區(qū)中在阻擋脊和有機電致發(fā)光層上形成第二電極；以及在第一基板和第二基板的外部形成密封圖案，并在薄膜晶體管與第二電極之間按使得第二電極電連接到薄膜晶體管的方式插入導電間隔物以接合第一基板和第二基板。
應當理解，上文對本發(fā)明的概述與下文對本發(fā)明的詳述都是示例性和解釋性的，旨在提供對如權利要求所述發(fā)明的進一步解釋。


附圖被包括進來以提供對本發(fā)明的進一步的理解并被并入且構成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且與說明一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是例示出現有技術的雙板有機電致發(fā)光器件的結構的剖面圖；圖2是例示出現有技術的雙板有機電致發(fā)光器件的總線的平面圖；圖3是例示出圖2的一個單位像素中的總線和阻擋脊的平面圖；圖4是例示出其中在圖3的由有圓圈標號指示的區(qū)域中阻擋脊的底切發(fā)生崩塌的狀態(tài)的SEM圖；圖5是例示出在圖3的除了由有圓圈標號指示的區(qū)域之外的區(qū)域中阻擋脊的底切的正常狀態(tài)的SEM圖；圖6是例示出根據本發(fā)明實施例的雙板有機電致發(fā)光器件的上基板的平面圖；圖7是沿著圖6的線I-I’截取的剖面圖；圖8是例示出根據本發(fā)明實施例的雙板有機電致發(fā)光器件的總線的平面圖；圖9是例示出一個單位像素中的總線和阻擋脊的平面圖；圖10A到10F是例示出根據本發(fā)明實施例的雙板有機電致發(fā)光器件的制造方法的剖面圖；圖11是例示出在圖9的由有圓圈標號指示的區(qū)域中的阻擋脊的底切的SEM圖；以及圖12是例示出在圖9的除了由有圓圈標號指示的區(qū)域之外的區(qū)域中的阻擋脊的底切的SEM圖。
具體實施例方式
現在詳細描述與雙板有機電致發(fā)光器件(DOD)和雙板有機電致發(fā)光器件的制造方法相關聯的本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其示例在附圖中示出。只要可能，就在所有附圖中使用相同的附圖標記來表示相同或相似的部分。
圖6是例示出根據本發(fā)明實施例的雙板有機電致發(fā)光器件的上基板的平面圖。圖7是沿著圖6的線I-I’截取的剖面圖。如圖6和7所示，雙板有機電致發(fā)光器件的上基板(即第二基板)401限定了排列成矩陣形式的多個像素區(qū)P。在包括像素區(qū)P的上基板401的整個上表面上形成有第一電極層402。第一電極層402是向各個像素區(qū)的有機發(fā)光層406注入空穴的空穴注入電極。
在第一電極層402上形成有多個阻擋脊405。各個阻擋脊405是第一電極層402，使其包圍各個像素區(qū)并分離相鄰的像素區(qū)P。由于阻擋脊405彼此間隔開，所以在相鄰的阻擋脊405之間存在特定的空間409。各個像素區(qū)P形成為角部為圓形的拉長矩形的形式?？偩€403形成在除了像素區(qū)P之外的區(qū)域的阻擋脊405中。與現有技術的網格結構相比，總線403具有角部朝向像素區(qū)P變圓的蜂窩形狀。
阻擋脊405形成在總線403的邊界上，外伸部(overhang)進一步與總線403交疊。更具體地說，各個阻擋脊405具有底切(所述底切被定義為部分地去除了其內下部的結構)，所述底切在總線403上方的外部部分內具有凸起415。與阻擋脊405整體形成的凸起415向相鄰阻擋脊405之間的空間409突起。因此，阻擋脊405的凸起415形成“”形橫截面。由于相鄰阻擋脊405的凸起415按使其彼此面對的方式朝著相關聯空間409突出，所以空間409部分地被凸起415遮蔽。
第一電極402是透明電極。第一電極402由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或者氧化銦錫鋅(ITZO)制成?？偩€403由導電率較高(具體地說，高于第一電極402的導電率)的遮光金屬制成。遮光金屬可以包括鈦(Ti)、鉬(Mo)、鈣(Ca)、鉀(K)、鎂(Mg)、鋇(Ba)、銅(Cu)以及鋁(Al)中的至少一種。
在各個空間409中，在總線403的邊緣與各個凸起415之間的相關空間409內形成有啞層404。各個空間409中的彼此面對的啞層404之間的距離大于彼此面對的凸起415之間的距離。就是說，由凸起415遮蔽的總線403的面積大于由啞層404遮蔽的總線403的面積。換言之，與啞層404在總線403上的覆蓋相比，凸起415向總線403的中央部分突出得更多。于是，凸起415形成在啞層404的臺階上。啞層404使得能夠用更均勻和穩(wěn)定的底切結構來形成阻擋脊405。在稍后的刻蝕過程中可以完全去除啞層404。另選的是，如圖6和7所示，可以在刻蝕劑沒有到達的區(qū)域內保留啞層404。
在各個像素區(qū)P中，在第一電極402上形成有機發(fā)光層406。在有機發(fā)光層406上分別形成第二電極407。作為電子注入電極，第二電極407用于將電子注入各個有機發(fā)光層406。第一載流子傳輸層和第二載流子傳輸層(未示出)分別設置在有機發(fā)光層406的上部和下部。第一載流子傳輸層和第二載流子傳輸層用于從第一電極402和第二電極407向有機發(fā)光層406注入并傳輸電子和空穴。
由于形成在啞層404與凸起415之間的臺階，使得相鄰像素區(qū)中的第二電極407不連接在其各個啞層404與其各個凸起415之間。因此，第二電極407以彼此分離的方式形成在各個像素區(qū)中。如圖7所示，由于阻擋脊405的臺階而使得層407a與相關聯的第二電極407分離。
雖然未示出，但根據本發(fā)明的DOD進一步包括面對第二基板401(上基板)的第一基板(下基板)。在面對上基板401的下基板上限定有多個像素區(qū)。下基板在各個像素區(qū)中包括TFT(開關器件或者驅動器件)。上基板401和下基板通過密封劑接合在一起。設置在下基板上的驅動器件的漏極與上基板401上的相關聯第二電極層407相接觸。
在各個像素區(qū)上，TFT包括形成在下基板的預定部分上的柵極；被形成為覆蓋柵極的柵絕緣膜；柵絕緣膜上的半導體層；以及分別形成在半導體層的相對側的源極和漏極。漏極通過連接圖案連接到相關聯的第二電極407，從而漏極將由TFT驅動的信號施加到第二電極407。另一連接圖案包括電連接到TFT的像素電極(透明電極)。導電間隔物連接到像素電極，并且支承相關聯的第二電極407。
圖8是例示出根據本發(fā)明實施例的雙板有機電致發(fā)光器件的總線的平面圖。圖9是例示出一個單位像素中的總線和阻擋脊的平面圖。如圖9所示，DOD的總線403在除了像素區(qū)以外的區(qū)域中呈蜂窩形狀。更具體地說，總線403按角部為圓形的拉長矩形的形式形成在第一電極402上。
阻擋脊405按具有位于總線403的外部邊緣上的側壁以及位于總線403的內部上方的凸起的方式形成在總線403上。阻擋脊405形成在不存在臺階的水平總線403上。于是，能夠防止由于總線403的臺階而導致阻擋脊405的底切崩塌。
圖10A到10F是例示出根據本發(fā)明實施例的雙板有機電致發(fā)光器件的制造方法的剖面圖。
形成包括排列為矩形形狀的多個像素區(qū)P的基板401。如圖10A所示，在包括像素區(qū)P的上基板401的整個表面上淀積氧化銦錫(ITO)(透明導電金屬)，以形成第一電極層402。
接著，如圖10B所示，在包括第一電極層402的基板401的整個表面上淀積諸如銅的具有高導電率的金屬。通過光刻和刻蝕處理對得到的結構進行構圖，以在第一電極層402上形成總線403。在第一電極層402上的除了像素區(qū)P之外的區(qū)域上形成總線403?？偩€403具有網格形狀。
如圖10C所示，在包括總線403的基板401的上表面上淀積二氧化硅(SiO2)。通過光刻和刻蝕處理對得到的結構進行構圖，以形成啞層404。此時，將各個啞層404形成為與總線403部分地交疊。就是說，將啞層404形成為具有比相關聯總線403的寬度小的寬度。
隨后，如圖10D所示，在包括啞層404的上基板401的整個表面上淀積聚酰亞胺。通過光刻和刻蝕處理對得到的結構進行構圖，以在第一電極402上形成阻擋脊405。同時，從各個阻擋脊405的一側形成突出的凸起415。在第一電極層402上形成各個阻擋脊405以使其包圍相關聯像素區(qū)P。將從阻擋脊405的側面突出的凸起415形成為覆蓋啞層404的邊緣，以使得各個啞層404的僅僅中央部分暴露出來。如上所述，將阻擋脊405形成為包圍總線403。
接著，使用相關聯的凸起415作為掩模對各個啞層404的露出的中央部分進行刻蝕處理。額外地執(zhí)行刻蝕以使得從凸起415將啞層404底切。在完成了刻蝕處理之后，在彼此面對的相鄰阻擋脊405之間形成暴露第一電極層402的空間409。
使用等離子氣體通過干法刻蝕執(zhí)行刻蝕處理。啞層404由氮化硅材料制成。因此，當使用等離子氣體對啞層404進行刻蝕處理時，從凸起415下方起對啞層404進行底切。還將用于對啞層404進行刻蝕的等離子氣體施加到第一電極402、總線403以及阻擋脊405的表面，從而對第一電極層402、總線403和阻擋脊405的表面進行親水處理。由此，可以同時進行刻蝕和表面處理工藝。
接著，如圖10E所示，使用噴墨涂敷器(未示出)將發(fā)光溶液涂敷到各個像素區(qū)P中的第一電極402，以形成有機發(fā)光層406。發(fā)光溶液的顏色為紅色(R)、綠色(G)或者藍色(B)。各個有機發(fā)光層406包括分別設置在其上部和下部的第一載流子傳輸層和第二載流子傳輸層(未示出)。第一載流子傳輸層和第二載流子傳輸層用于向有機發(fā)光層406注入并傳輸第一電極402和第二電極407的空穴和電子。
由于通過等離子體對第一電極層402的表面進行了親水處理，所以改善了第一電極層402與發(fā)光溶液之間的粘著性。此外，由于通過等離子體對各個阻擋脊405的表面進行了疏水處理，所以減小了阻擋脊405的表面與發(fā)光溶液之間的粘著性以及總線403的表面與發(fā)光溶液之間的粘著性。因此，在各個像素區(qū)P中，可以僅在第一電極層402上選擇性地形成有機發(fā)光層406。
如圖10F所示，在包括發(fā)光層406的上基板401的整個上表面上淀積諸如鈦(Ti)、鉬(Mo)、鈣(Ca)、鉀(K)、鎂(Mg)、鋇(Ba)、銅(Cu)以及鋁(Al)的金屬，以形成作為陰極電極的第二電極層407。相鄰像素區(qū)P中的第二電極407不相連接。就是說，由于形成在各啞層404與各凸起415之間的臺階，由形成在彼此面對的相鄰阻擋脊405之間的空間409而使得各個第二電極407不相連接。因此，各個像素區(qū)P包括獨立的第二電極層407。
圖11是例示出在圖9的由有圓圈標號指示的區(qū)域中的阻擋脊的底切的SEM圖，圖12是例示出在圖9的除了由有圓圈標號指示的區(qū)域之外的區(qū)域中的阻擋脊的底切的SEM圖。如圖11和12所示，在各個像素區(qū)的角部以及其余部分中，阻擋脊形成在總線上。更具體地說，阻擋脊位于沒有交叉臺階的水平表面上。由此，阻擋脊的凸起沒有增加。因此，由于底切的凸起的厚度的減小，所以本發(fā)明實施例中的凸起不會向總線崩塌。因此，能夠防止由于凸起崩塌而導致第一電極與第二電極之間短路。
本領域的技術人員很清楚，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，對實施例進行各種修改和變型。因此，如果本發(fā)明的修改和變型落在所附權利要求及其等同物的范圍內，則本發(fā)明的實施例亦涵蓋這些修改和變型。
權利要求
1.一種雙板有機電致發(fā)光器件，所述雙板有機電致發(fā)光器件包括具有多個像素區(qū)的第一基板和第二基板，其中第一基板和第二基板彼此面對；第一基板上的各個像素區(qū)中的薄膜晶體管；第二基板上的第一電極；總線，其位于第一電極上的除了像素區(qū)之外的區(qū)域中，使得總線在各個像素區(qū)的各個角部具有圓形形狀；位于總線的外側部分上以包圍各個像素區(qū)的阻擋脊；在各個像素區(qū)中位于第一電極上的有機電致發(fā)光層；在各個像素區(qū)中形成在阻擋脊和有機電致發(fā)光層上的第二電極；以及連接薄膜晶體管和第二電極的連接圖案。
2.根據權利要求1所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，阻擋脊具有包括在總線上方突出的凸起的底切結構。
3.根據權利要求2所述的雙板有機電致發(fā)光器件，該雙板有機電致發(fā)光器件還包括位于總線上的啞層，其中凸起與啞層交疊。
4.根據權利要求1所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，總線包圍像素區(qū)。
5.根據權利要求1所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，總線呈圓角的拉長矩形形狀。
6.根據權利要求1所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，總線呈蜂窩形狀。
7.根據權利要求1所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，連接圖案包括電連接到薄膜晶體管的像素電極；以及連接第二電極和像素電極的導電間隔物。
8.根據權利要求1所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，第一電極是透明電極。
9.根據權利要求8所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，第一電極是氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化銦錫鋅中的一種。
10.根據權利要求1所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，總線由遮光金屬制成。
11.根據權利要求10所述的雙板有機電致發(fā)光器件，其中，遮光金屬是鈦、鉬、鈣、鉀、鎂、鋇、銅和鋁中的一種。
12.一種雙板有機電致發(fā)光器件的制造方法，所述制造方法包括以下步驟在第一基板上限定多個像素區(qū)；在第一基板上的各個像素區(qū)中形成薄膜晶體管；在第二基板的整個表面上淀積第一電極；在第一基板上的除了像素區(qū)之外的區(qū)域中形成總線，使得總線在各個像素區(qū)的各個角部具有圓形形狀；在總線的外側部分形成阻擋脊以包圍各個像素區(qū)；在各個像素區(qū)中在第一電極上形成有機電致發(fā)光層；在各個像素區(qū)中在阻擋脊和有機電致發(fā)光層上形成第二電極；以及在第一基板和第二基板的外部形成密封圖案，并在薄膜晶體管與第二電極之間按使得第二電極電連接到薄膜晶體管的方式插入導電間隔物以接合第一基板和第二基板。
13.根據權利要求12所述的制造方法，其中，阻擋脊具有在總線上方突出的底切結構。
14.根據權利要求12所述的制造方法，其中，總線具有蜂窩形狀。
15.根據權利要求12所述的制造方法，其中，形成阻擋脊的步驟包括以下步驟在總線上形成啞層；按使得阻擋脊與總線的外部和啞層交疊的方式形成阻擋脊；以及選擇性地去除相鄰阻擋脊之間的啞層。
16.根據權利要求12所述的制造方法，其中，第一電極是透明電極。
17.根據權利要求16所述的制造方法，其中，第一電極由氧化銦錫、氧化銦鋅、和氧化銦錫鋅中的一種制成。
18.根據權利要求12所述的制造方法，其中，總線由遮光金屬制成。
19.根據權利要求18所述的制造方法，其中，遮光金屬包括鈦、鉬、鉀、鈣、鎂、鋇、銅和鋁中的至少一種。
20.根據權利要求12所述的制造方法，其中，總線呈圓角的拉長矩形形狀。
全文摘要
本發(fā)明提供雙板有機電致發(fā)光器件及其制造方法。雙板有機電致發(fā)光器件包括具有多個像素區(qū)的第一基板和第二基板，其中第一基板和第二基板彼此面對；第一基板上的各個像素區(qū)中的薄膜晶體管；第二基板上的第一電極；總線，其位于第一電極上的除了像素區(qū)之外的區(qū)域中，使得總線在各個像素區(qū)的各個角部具有圓形形狀；位于總線的外側部分上以包圍各個像素區(qū)的阻擋脊；在各個像素區(qū)中位于第一電極上的有機電致發(fā)光層；在各個像素區(qū)中形成在阻擋脊和有機電致發(fā)光層上的第二電極；以及連接薄膜晶體管和第二電極的連接圖案。
文檔編號H01L21/02GK1992333SQ20061015663
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月29日 優(yōu)先權日2005年12月30日
發(fā)明者李在允, 李晙碩, 金英美 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社