專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種傳感器及其制造方法，尤其涉及一種圖像傳感器及其 制造方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器(image sensor)是將光學(xué)資訊轉(zhuǎn)換為電信號的裝置。圖像 傳感器的種類可大致分為影像管與固定攝像元件。目前，固定攝像元件包 括電荷耦合(Charged Coupled Device, CCD)型與互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo) 體(CMOS)型兩種。
CMOS圖像傳感器驅(qū)動方式簡便，可實(shí)現(xiàn)多種掃描方式，而且可將信 號處理電路制作成單一芯片，不僅可使產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)小體積，而且相容于CMOS 技術(shù)，可節(jié)省制造成本、降低電力損耗。因此，CMOS圖像傳感器可廣泛 應(yīng)用于由于低階影像產(chǎn)品如安全監(jiān)控、數(shù)字相機(jī)、玩具、手機(jī)、圖像電話 等。
然而，現(xiàn)有的CMOS圖像傳感器的彩色濾光片(color filter, CF)為有機(jī) 材料，熔點(diǎn)很低，約小于300。C,因此，彩色濾光片通常是在金屬內(nèi)連線形 成之后，才形成在保護(hù)層上方，以避免被工藝的高溫熔融。由于光線通過 彩色濾光片之后，并非直接傳遞至光電二極管，而必須經(jīng)過保護(hù)層、金屬 內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，才能被光電二極管(photodiode)所接收，因此，光線會被介電 層或保護(hù)層等膜層所吸收，其光線的穿透率低，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管圖像傳感器的感光效能不佳。另一方面，由于聚光鏡之間有間隙， 因此容易造成散射光線直接穿透間隙，甚至照射至相鄰的光感測區(qū)，因而 發(fā)生色干擾(cross-talk)現(xiàn)象，使CMOS圖像傳感器的噪聲增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種圖像傳感器及其制造方法，其可以提升光效 能并且可減緩色干擾的現(xiàn)象。
本發(fā)明提出一種圖像傳感器，其包括多個位于基底中的光電二極管摻 雜區(qū)、位于基底上方的保護(hù)層、位于基底與保護(hù)層之間的介電層以及多個 位于介電層之中且與光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)的彩色濾光片。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述彩色濾光片設(shè)置于介電層中的高度大致 相同。彩色濾光片可設(shè)置于緊鄰基底表面的介電層中、設(shè)置于緊鄰保護(hù)層 的介電層中，或是設(shè)置于介電層中未與保護(hù)層接觸且未與基底接觸之處。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述彩色濾光片設(shè)置于介電層中的高度不相 同。彩色濾光片可分別設(shè)置于介電層中緊鄰基底表面之處、緊鄰保護(hù)層之 處、和未與保護(hù)層接觸且未與基底接觸之處。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述彩色濾光片中至少有一者包括至少一第 一彩色濾光片與一第二彩色濾光片，相互對應(yīng)地分別設(shè)置于介電層中不同 高度之處。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述圖像傳感器，可還包括一抗反射層，配 置于基底與介電層之間。此外，還可包括多個微透鏡，設(shè)置于保護(hù)層上， 與光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述介電層包括一內(nèi)介電層與一金屬層間介 電層，且上述彩色濾光片位于內(nèi)介電層中、位于金屬層間介電層中或位于 內(nèi)介電層與金屬層間介電層之間。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述彩色濾光片的材質(zhì)為無機(jī)材料。
本發(fā)明提出一種圖像傳感器的制造方法。此方法是在基底中形成多個 光電二極管摻雜區(qū)，接著，在基底上形成介電層與多個與光電二極管摻雜 區(qū)相對應(yīng)的彩色濾光片。在形成介電層以及彩色濾光片之后，于介電層上 形成保護(hù)層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述在基底上形成介電層與彩色濾光片的步 驟包括在基底上形成多個與光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)的第一彩色濾光片， 接著，在第一彩色濾光片周圍形成第一介電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述圖像傳感器的制造方法，還包括在第一 介電層上形成多個與第一彩色濾光片相對應(yīng)對準(zhǔn)的第二彩色濾光片，再于 第二彩色濾光片周圍形成第二介電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述在基底上形成介電層與彩色濾光片的步 驟包括在基底上形成至少一第一彩色濾光片，其與光電二極管摻雜區(qū)之一相對應(yīng)。接著，在第一彩色濾光片的周圍形成第一介電層。然后，在第一 介電層上形成至少一第二彩色濾光片，其與光電二極管摻雜區(qū)的另一相對 應(yīng)。之后，在第一介電層上形成第二介電層，覆蓋于第二彩色濾光片周圍。 依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述在基底上形成介電層與彩色濾光片的步 驟包括在基底上形成第一介電層，并在第一介電層中形成多個與光電二極 管摻雜區(qū)相對應(yīng)的第一開口。接著，在第一開口中形成多個第一彩色濾光 片。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述圖像傳感器的制造方法，可再于基底上 形成第二介電層，并在其中形成多個與第一彩色濾光片相對應(yīng)對準(zhǔn)的第二 開口。然后，再于第二開口中形成多個第二彩色濾光片。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述在基底上形成介電層與彩色濾光片的步 驟包括在基底上形成第一介電層，并在其中形成至少一第一開口，與光電 二極管摻雜區(qū)之一相對應(yīng)。接著，在第一開口中形成一第一彩色濾光片。 之后，在基底上形成一第二介電層，并于其中形成至少一第二開口，與光 電二極管摻雜區(qū)的另一相對應(yīng)。其后，在第二開口中形成一第二彩色濾光 片。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述彩色濾光片的材質(zhì)為無機(jī)材料。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述圖像傳感器的制造方法，可在形成彩色 濾光片與介電層之前，在基底上形成一抗反射層。此外，還可在保護(hù)層上 形成多個與光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)對準(zhǔn)的微透鏡。
由于本發(fā)明圖像傳感器的彩色濾光片設(shè)置在保護(hù)層下方，因此，其可 以提升光效能并且可減緩色千擾的現(xiàn)象。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示意
圖2是依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示
意圖3是依照本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示意圖4是依照本發(fā)明再一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示
意圖5是依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示
意圖6是依照本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示
意圖7是依照本發(fā)明再一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示
意圖8是依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示
意圖9是依照本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示
意圖IOA至IOB是依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的制造方 法的部分流程剖面圖11是依照本發(fā)明另 一 實(shí)施例所繪示的 一種圖像傳感器的部分剖面示
意圖12A至12B是依照本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的另一種圖像傳感器的 制造方法的部分流程剖面圖13是依照本發(fā)明另 一 實(shí)施例所繪示的 一種圖像傳感器的部分剖面示 意圖。
主要元件符號說明
10:圖像傳感器
100、 700:基底
102、 702:抗反射層
104、 704:光電二極管摻雜區(qū)
106、 106a、 106b、 106ba、 106bb、 106bc、 106c、 706、 706a、 706b、 706c:介電層
108、 108a、 108b、 108ba、 108bb、 108c、 708、 708a、 708b、 708ba、 708bb、 708c、 708aa、 708ab、 708ba、 708bb:彩色濾光片 110、 710:保護(hù)層
112、 712:微透鏡
758a、 758aa、 758ab、 758b、 758ba、 758bb、 758c、 768a、 768b、 768c:
開口
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的圖像傳感器的彩色濾光片是設(shè)置于保護(hù)層底下的介電層之 中，因此，相對于現(xiàn)有將彩色濾光片設(shè)置于保護(hù)層上方的情形，本發(fā)明的 圖像傳感器的彩色濾光片較接近光電二極管摻雜區(qū)，故，具有較高的光線 穿透率并且可減緩色干擾的現(xiàn)象。以下特舉數(shù)個實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明 的實(shí)施型態(tài)。在以下的實(shí)施例中，彩色濾光片可以是同一種顏色的濾光片 或是不同顏色的濾光片。
請參照圖1,本發(fā)明的一實(shí)施例的圖像傳感器IO例如是一互補(bǔ)式金屬 氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器或是接觸式圖像傳感器，但不限于此。圖像傳感 器10包括光電二極管摻雜區(qū)104、介電層106、彩色濾光片108以及保護(hù) 層IIO。光電二極管摻雜區(qū)104,位于基底100之中。介電層106介于基底 IOO與保護(hù)層IIO之間。彩色濾光片108則是配置于介電層106之中。彩色 濾光片108可以是由單層膜或是多層膜所構(gòu)成。單層膜例如是一層無機(jī)膜 如氮化硅層、氮氧化硅層或是非晶硅層。多層膜例如是由多層的無機(jī)材料 堆疊而成，例如二氧化鈦與氧化硅的堆疊層或是五氧化二鉭與氧化硅的堆 疊層。
除了上述的構(gòu)件之外，在基底100與介電層106之間還可再配置一抗 反射層102。此外，在一實(shí)施例中，在保護(hù)層IIO上還設(shè)置了微透鏡112。
彩色濾光片108可以依據(jù)產(chǎn)品的需求而配置于介電層106中緊鄰該基 底IOO表面之處如標(biāo)示108a,或是配置于介電層106中緊鄰保護(hù)層110之 處如標(biāo)示108c,或是配置于介電層106中未與保護(hù)層IIO接觸且未與基底 IOO接觸之處如標(biāo)示108b。
在一實(shí)施例中，彩色濾光片108設(shè)置于介電層106中的高度不相同， 如圖1所示。在另一實(shí)施例中，彩色濾光片108設(shè)置在介電層106中的高 度則大致相同，可以是配置于介電層106中未與保護(hù)層IIO接觸且未與基 底100接觸之處(如圖2所示)，或是配置于介電層106中緊鄰該基底100 表面之處(如圖3所示)，或者是配置于介電層106中緊鄰保護(hù)層IIO之處
(如圖4所示)。
請參照圖5，在又一實(shí)施中，介電層106包括第一介電層106a與第二 介電層106b。第一介電層106a例如是內(nèi)介電層。第二介電層106b例如是 金屬層間介電層，且其可細(xì)分成第一金屬層間介電層106ba、第二金屬層間 介電層106bb、第三金屬層間介電層106bc。依照彩色濾光片與第一介電層 106a以及第二介電層106b的厚度的不同，彩色濾光片可以是位于第一介電 層106a之中，如標(biāo)示108a?；蚴?，位于第二介電層106b之中，如標(biāo)示108c。 抑或是，位于第一介電層106a與第二介電層106b之間，如標(biāo)示108b。
請參照圖5，通常，彩色濾光片的厚度可高達(dá)l-2微米，而介電層106 中的第一介電層106a的厚度小于l微米。在進(jìn)行工藝時，當(dāng)彩色濾光片與 第一介電層106a形成之后，彩色濾光片108b將凸出于第一介電層106a的 表面，使得后續(xù)形成的第二介電層106b的表面有明顯的高低起伏落差。請 參照圖6,本發(fā)明可以依據(jù)實(shí)際工藝的需要，而將圖6的彩色濾光片108b 拆成二部分108ba、 108bb，如圖6所示，或是拆成更多部分，來達(dá)到相同 的濾光效果。
中，其形成的方法可以先形成圖案化的彩色濾光片，然后再形成介電層。 也可以采用另一種方法，先在基底上形成介電層，并于介電層中形成開口， 再將彩色濾光片形成于開口之中。其具體的實(shí)施方式以以下的實(shí)施例來說明。
請參照圖7，在基底700中形成多個光電二極管摻雜區(qū)704。其形成的 方法可以在基底700上形成圖案化的光致抗蝕劑層(未繪示)，再以光致抗蝕 劑層為掩模，進(jìn)行離子注入工藝，將離子注入于基底700之中，之后，再 將光致抗蝕劑層去除。接著，在基底700上形成抗反射層702?？狗瓷鋵?702的材質(zhì)例如是氮化硅或是氮氧化硅，形成的方法例如是化學(xué)氣相沉積 法。之后，在抗反射層702上形成彩色濾光片708a。彩色濾光片708a可以 是由單層膜或是多層膜經(jīng)圖案化而形成。單層膜例如是一層無機(jī)膜如氮化
硅層、氮氧化硅層或是非晶硅層。多層膜例如是由多層的無機(jī)材料堆疊而 成的堆疊層，其中堆疊層例如二氧化鈦與氧化硅的堆疊層、五氧化二鉭與 氧化硅的堆疊層或是五氧化二鈮與氧化硅的堆疊層。在一實(shí)施例中，是在 低溫下進(jìn)行蒸鍍，以形成結(jié)構(gòu)較為松散的堆疊層，其蒸鍍的條件例如是溫度為4聶氏80度至240度；壓力為0.1毫托至IO托；通入的氣體為10至50sccm 的氣氣以及0至50sccm的氮?dú)猓浑x子源(ion source )為100至200伏特/1 至10安培。接著，蝕刻此結(jié)構(gòu)較為松散的堆疊層，以使其圖案化。之后， 再于高溫下進(jìn)行退火，以使圖案化的堆疊層的結(jié)構(gòu)變得較為致密。在一實(shí) 施例中，彩色濾光片的工藝是屬于前段工藝，則退火的溫度例如是攝氏300 度至900度左右。在另一實(shí)施例中，彩色濾光片的工藝是屬于后段工藝， 則退火的溫度例如是攝氏300度至400度左右。退火工藝所使用的氣體選 自于氮?dú)?、氮?dú)饧皻錃?、氨氣、氨氣及氫氣所組成的族群其中之一。退火 的時間為10分鐘至4小時。由于低溫下所形成的堆疊層的結(jié)構(gòu)較為松散， 而高溫下所形成的堆疊層的結(jié)構(gòu)較為致密，因此，在低溫下形成的堆疊層 的蝕刻速率較高，可用以提升工藝的產(chǎn)能。
接著，再依序形成彩色濾光片708b、 708c。彩色濾光片708b、 708c的 形成方法同樣可以采用以上所述者。之后，在基底700上形成介電層706a 與保護(hù)層710。介電層706a的材質(zhì)例如是氧化硅或是介電常數(shù)低于4的低 介電常數(shù)材料層，其形成的方法可以采用化學(xué)氣相沉積法。保護(hù)層710例 如是由氧化硅層與氮化硅層所構(gòu)成，其形成的方法可以采用化學(xué)氣相沉積 法。在一實(shí)施例中，在形成保護(hù)層710之后可再形成微透鏡712。 圖8為本發(fā)明的另一實(shí)施例的圖像傳感器的部分示意圖。 請參照圖8,上述的彩色濾光片708a、 708b、 708c是形成在大致相同 的高度上，而本實(shí)施例則是形成在不同的高度上。此圖像傳感器的制造方 法可以依照上述的方法，形成光電二極管摻雜區(qū)704、抗反射層702、彩色 濾光片708a以及介電層706a。之后，于介電層706a上形成彩色濾光片708b, 其與光電二極管摻雜區(qū)704相對應(yīng)。彩色濾光片708b的材質(zhì)與形成的方法 可以采用以上所述者。然后，在基底700上形成另一層介電層706b，此介 電層706b例如是第一層的金屬層間介電層。介電層706b的材料與形成的 方法可以采用以上所述者。然后，再于介電層706b上形成彩色濾光片708c。 彩色濾光片708c的材質(zhì)與形成的方法可以采用以上所述者。之后，在基底 700上形成另 一層介電層706c，此介電層706c例如是第二層的金屬層間介 電層。介電層706c的形成的方法可以采用以上所述者。其后，再于介電層 706c上形成保護(hù)層710。在一實(shí)施例中，在形成保護(hù)層710之后可再形成微 透鏡712。 在上述圖8的制造方法中，若是彩色濾光片708a、 708b的厚度(如虛線 所示)大于介電層706a、 706b的厚度，則后續(xù)形成的介電層706b、 706c的 表面將會有明顯的高低起伏落差。若是高低起伏落差造成光刻上的問題， 則可以依據(jù)實(shí)際工藝的需要，而將圖8的彩色濾光片708a與708b分別拆成 二部分708aa、 708ab與708ba、 708bb,如圖9所示，或是拆成更多部分， 來達(dá)到相同的濾光效果。
請參照圖9，圖像傳感器10的制造方法可以依照上述的方法來形成光 電二極管摻雜區(qū)704、抗反射層702。接著，于抗反射層702上形成彩色濾 光片708a，再形成介電層706a。之后，于介電層706a上分別形成光電二極 管摻雜區(qū)704相對應(yīng)的彩色濾光片708ab與708ba。然后，在基底700上形 成另一層介電層706b，此介電層706b例如是第一層的金屬層間介電層。介 電層706b的形成的方法可以采用以上所述者。然后，再于介電層706b上 分別形成彩色濾光片708bb與708c。彩色濾光片708aa、708ab、708ba、708bb、 708c的材質(zhì)與形成的方法可以采用以上所述者。之后，在基底700上形成 另一層介電層706c與保護(hù)層710。在一實(shí)施例中，在形成保護(hù)層710之后 可再形成微透鏡712。
上述圖像傳感器的形成方法是先形成圖案化的彩色濾光片，然后再形 成介電層。以下的實(shí)施例將說明用另一種方法，先在基底上形成介電層， 接著，在介電層中形成開口，再將彩色濾光片形成于開口之中。
圖IOA至IOB是依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的制造方 法的流程剖面圖。
請參照圖IOA，依照上述的方法，形成光電二極管摻雜區(qū)704、抗反射 層702。接著，形成介電層706a，再進(jìn)行光刻、蝕刻工藝，以在介電層706a 中形成與光電二極管摻雜區(qū)704對應(yīng)的開口 758a。
之后，請參照圖IOB，在開口 758a中形成彩色濾光片708a。其形成的 方法可以在基底700上形成彩色濾光片膜層，填入于開口 758a之中并覆蓋 于介電層706a上，之后，再回蝕刻去除覆蓋于介電層706a上者。其后，在 介電層706a中形成開口 758b,再于開口 758b中形成彩色濾光片708b。之 后，在介電層706a中形成開口 758c。然后，在開口 758c中形成彩色濾光 片708c。之后，再于基底700上形成保護(hù)層710。在一實(shí)施例中，在形成保 護(hù)層710之后可再形成微透鏡712。
在上述的方法中，若是彩色濾光片708a、 708b的厚度大于介電層的厚 度，則可將彩色濾光片分成兩個部分彩色濾光片708aa及708ab、彩色濾光 片708ba及708bb、彩色濾光片708ca及708cb來完成，如圖11所示。
請參照圖11，依照上述的方法形成光電二極管摻雜區(qū)704、抗反射層 702。之后，在介電層706a中分別形成第一部分的彩色濾光片708aa、 708ba、 708ca。然后，在基底700上形成介電層706b,再于介電層706b中分別形 成開口 768a、 768b、 768c并分別于其中形成第二部分的彩色濾光片708ab、 708bb、 708cb。之后，再于基底700上形成保護(hù)層710。
以上的實(shí)施例是以彩色濾光片的高度大致相同且是形成在單一層介電 層之中來做說明，但是，本發(fā)明并不限于此。本發(fā)明的彩色濾光片亦可以 是形成在介電層中的不同高度之處。
圖12A至12B是依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的制造方 法的流程剖面圖。
請參照圖12A,依照上述的方法，形成光電二極管摻雜區(qū)704、抗反射 層702。接著，形成介電層706a,再進(jìn)行光刻、蝕刻工藝，以在介電層706a 中形成與光電二極管摻雜區(qū)704對應(yīng)的開口 758a。
之后，請參照圖12B，在開口 758a中形成彩色濾光片708a。其形成的 方法可以在基底700上形成彩色濾光片膜層，填入于開口 758a之中并覆蓋 于介電層706a上，之后，再回蝕刻去除覆蓋于介電層706a上者。其后，形 成介電層706b,并于其中形成開口 758b。接著，在開口 758b中形成彩色 濾光片708b。之后，形成介電層706c,并于其中形成開口 758c。然后，在 開口 758c中形成彩色濾光片708c。之后，再于基底700上形成保護(hù)層710。 在一實(shí)施例中，在形成保護(hù)層710之后可再形成微透鏡712。
同樣地，在上述的方法中，若是彩色濾光片708a、 708b的厚度大于介 電層706a、 706b的厚度，則可將彩色濾光片分成兩個部分彩色濾光片708aa 及708ab、彩色濾光片708ba及708bb來完成。
請參照圖13，依照上述的方法形成光電二極管摻雜區(qū)704、抗反射層 702、介電層706a。之后，在介電層706a中形成開口 758aa并于其中形成 第一部分的彩色濾光片708aa。然后，在基底700上形成介電層706b，再于 介電層706b中形成開口 758ab并于其中形成第二部分的彩色濾光片708ab。 之后，于介電層706b中形成開口 758ba并于其中形成第一部分的彩色濾光
片708ba。之后，在基底700上形成介電層706c,再于介電層706c中形成 開口 758bb并于其中形成第二部分的彩色濾光片708bb。其后，于介電層 706c中形成開口 758c并于其中形成彩色濾光片708c。在一實(shí)施例中，在形 成保護(hù)層710之后可再形成微透鏡712。
由于本發(fā)明圖像傳感器的彩色濾光片是設(shè)置在保護(hù)層下方，因此，其 可以提升光線穿透率并且可減緩色干擾的現(xiàn)象。
權(quán)利要求
1.一種圖像傳感器，包括多個光電二極管摻雜區(qū)，位于基底中；保護(hù)層，位于該基底上方；介電層，位于該保護(hù)層與該基底之間，且覆蓋該些光電二極管摻雜區(qū)；以及多個彩色濾光片，設(shè)置于該介電層中，且與該些光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)。
2. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該彩色濾光片設(shè)置于該介電 層中的高度大致相同。
3. 如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中該彩色濾光片設(shè)置于緊鄰該 基底表面的該介電層中。
4. 如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中該些彩色濾光片設(shè)置于緊鄰 該保護(hù)層的該介電層中。
5. 如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中該些彩色濾光片設(shè)置于該介 電層中未與該保護(hù)層接觸且未與該基底接觸之處。
6. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該些彩色濾光片設(shè)置于該介 電層中的高度不相同。
7. 如權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中該些彩色濾光片分別設(shè)置于 該介電層中緊鄰該基底表面之處、緊鄰該保護(hù)層之處、和未與該保護(hù)層接 觸且未與該基底接觸之處。
8. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該些彩色濾光片中至少有一 者包括至少一第一彩色濾光片與一第二彩色濾光片，分別設(shè)置于該介電層 中不同高度之處且對應(yīng)于同 一光電二極管摻雜區(qū)。
9. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括抗反射層，配置于該基底 與該介電層之間。
10. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該介電層包括內(nèi)介電層與 金屬層間介電層，且該些彩色濾光片位于該內(nèi)介電層中、位于該金屬層間 介電層中或位于該內(nèi)介電層與該金屬層間介電層之間。
11. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該些彩色濾光片的材質(zhì)為 無機(jī)材料。
12. 如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括多個微透鏡，設(shè)置于該 保護(hù)層上與該些光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)。
13. —種圖像傳感器的制造方法，包括 在基底中形成多個光電二極管摻雜區(qū)；在該基底上形成介電層與多個彩色濾光片，其中該些彩色濾光片與該 些光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)；以及在形成該介電層以及該些彩色濾光片之后，于該介電層上形成保護(hù)層。
14. 如權(quán)利要求13所述的圖像傳感器的制造方法，其中在該基底上 形成該介電層與該些彩色濾光片的步驟包括在該基底上形成多個第一彩色濾光片，與該些光電二極管摻雜區(qū)相對 應(yīng)；以及在該些第一彩色濾光片周圍形成第一介電層。
15. 如權(quán)利要求14所述的圖像傳感器的制造方法，還包括 在該第一介電層上形成多個第二彩色濾光片，與該些第一彩色濾光片相對應(yīng)對準(zhǔn)；以及在該些第二彩色濾光片周圍形成第二介電層。
16. 如權(quán)利要求14所述的圖像傳感器的制造方法，其中在該基底上 形成該介電層與該些彩色濾光片的步驟包括在該基底上形成至少一第一彩色濾光片，與該些光電二極管摻雜區(qū)之 一相對應(yīng)；在該第一彩色濾光片的周圍形成第一介電層； 在該第一介電層上形成至少一第二彩色濾光片，與該些光電二極管摻雜區(qū)的另一相對應(yīng)；以及在該第一介電層上形成第二介電層，覆蓋于該第二彩色濾光片周圍。
17. 如權(quán)利要求13所述的圖像傳感器的制造方法，其中在該基底上 形成該介電層與該些彩色濾光片的步驟包括在該基底上形成第一介電層；在該第一介電層中形成多個第一開口，與該些光電二極管摻雜區(qū)相對 應(yīng)；以及在該些第一開口中形成多個第一彩色濾光片。
18. 如權(quán)利要求17所述的圖像傳感器的制造方法，還包括在該基底上形成第二介電層，以覆蓋該些第一彩色濾光片與該第一介電層；在該第二介電層中形成多個第二開口，與該些第一彩色濾光片相對應(yīng) 對準(zhǔn)；以及在該些第二開口中形成多個第二彩色濾光片。
19. 如權(quán)利要求13所述的圖像傳感器的制造方法，其中在該基底上 形成該介電層與該些彩色濾光片的步驟包括在該基底上形成第一介電層；在該第一介電層中形成至少一第一開口，與該些光電二極管摻雜區(qū)之 一相對應(yīng)；在該第一開口中形成第一彩色濾光片；在該基底上形成第二介電層，覆蓋該第一介電層與該第一彩色濾光片； 在該介電層中形成至少一第二開口 ，與該些光電二極管摻雜區(qū)的另一 相對應(yīng)；以及在該第二開口中形成第二彩色濾光片。
20. 如權(quán)利要求13所述的圖像傳感器的制造方法，其中該些彩色濾 光片的材質(zhì)為無機(jī)材料。
21. 如權(quán)利要求13所述的圖像傳感器的制造方法，還包括在形成該 些彩色濾光片與該介電層之前，在該基底上形成抗反射層。
22. 如權(quán)利要求13所述的圖像傳感器的制造方法，還包括在該保護(hù) 層上形成多個微透鏡，其與該些光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)對準(zhǔn)。
全文摘要
一種圖像傳感器，其包括多個位于基底中的光電二極管摻雜區(qū)、位于基底上方的保護(hù)層、位于基底與保護(hù)層之間的介電層以及多個位于介電層之中且與光電二極管摻雜區(qū)相對應(yīng)的彩色濾光片。
文檔編號H01L27/146GK101179089SQ200610143569
公開日2008年5月14日 申請日期2006年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月9日
發(fā)明者吳沂庭 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司