專利名稱：擴張照射面積的發(fā)光二極體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極體，特別是一種擴張光源照射面積的發(fā)光二極體。
背景技術(shù)：
按，照明光源的發(fā)展以來，其中，使用最為頻繁的光源，莫過于采用鎢絲燈泡所形成的點光源，然由于鎢絲燈泡的消耗功率較大，為此，各國產(chǎn)、學(xué)、研界專家學(xué)者莫不積極研究，以改善鎢絲燈泡所產(chǎn)生的缺失，為此，發(fā)光二極體(Light EmittingDiode；LED)即在此需求下因應(yīng)而生，以卓然成為新式點光源。
發(fā)光二極體是半導(dǎo)體材料制成的光電元件，也是一種微小的固態(tài)光源，其是可將電能轉(zhuǎn)換為光，不但體積小、壽命長、驅(qū)動電壓低、反應(yīng)速率快與耐震性特佳，且能配合各種應(yīng)用裝置的輕、薄及小型化的需求。事實上，發(fā)光二極體目前已廣泛地使用在我們?nèi)粘Ｉ钪茉?，如各種室內(nèi)照明、鍵盤功能鍵的訊號指示燈、汽車煞車燈、戶外電子資訊看板或交通號志等。
發(fā)光二極體雖具上述所提及的各項優(yōu)點，但請參閱圖1A，其是習(xí)知的表面粘著型發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，其是揭露一表面粘著型(SMD)發(fā)光二極體10’，由于該表面粘著型發(fā)光二極體10’的一發(fā)光二極體晶片20’做為光源，且因發(fā)光二極體是點光源而導(dǎo)致投射角度較為窄小，所以光源30’常以線性方向前進而僅集中于中間部分，導(dǎo)致其周圍呈現(xiàn)黑暗狀，以致于無法擴張發(fā)光二極體10’的光源照射面積，其所形成的范圍是如圖1B所示。此外，當(dāng)使用發(fā)光二極體所制成的照明設(shè)備，欲產(chǎn)生較佳的光源照明范圍與照明效果時，由于發(fā)光二極體光源照射面積較為窄小，則勢必需于照明設(shè)備內(nèi)安裝更多發(fā)光二極體，如此一來，反而造成照明設(shè)備的成本增加。
此外，現(xiàn)今習(xí)知發(fā)光二極體僅利用光源的折射、反射與調(diào)整焦距或焦平面改善發(fā)光二極體為點光源的缺失，以增加發(fā)光二極體的照射面積，然而利用折射、反射與調(diào)整焦距或焦平面于增加照射面積于改善背光的光平面均勻度的效能有限，而且成本昂貴。
因此，如何提出一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，以改善傳統(tǒng)無法擴張發(fā)光二極體的光源成為面光源的照射面積的缺點，又可達成降低成本的目的，長久以來一直是使用者殷切盼望及本發(fā)明念茲在茲者，而本發(fā)明人基于多年從事于照射面積的發(fā)光二極體改良，可解決上述的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，其是提供擴張照射面積的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的，在于提供一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，其是適用于各類型封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體。
本發(fā)明提供一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，其是設(shè)置一遮蔽層于一發(fā)光二極體晶片的一出射面的上方，且該遮蔽層的長度是大于、小于或等于發(fā)光二極體晶片的出射面的長度，藉此，發(fā)光二極體晶片所發(fā)出的光源是透過遮蔽層產(chǎn)生繞射，以讓采用不同封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體可擴張其照射面積。另外，遮蔽層更蝕刻至少一個穿孔，或經(jīng)由金屬粒子摻雜透光粒子印刷至發(fā)光二極體晶片之上，以讓發(fā)光二極體晶片的光源可藉由穿孔或透光粒子形成的單狹縫、雙狹縫或多狹縫通過遮蔽層，以產(chǎn)生新的波前并改進原本繞射時產(chǎn)生近場陰影的限制，讓光源可于近場形成擴張照射面積，而使本發(fā)明的發(fā)光二極體可成為一直下式背光源。


圖1A是習(xí)知表面粘著型發(fā)光二極體的示意圖；圖1B是習(xí)知發(fā)光二極體照明范圍的示意圖；圖2是本發(fā)明的一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖3是本發(fā)明的一較佳實施例的遮蔽層產(chǎn)生繞射的示意圖；圖4是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖5是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖6是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖7是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖8是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；
圖9是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖10是本發(fā)明的另一較佳實施例的遮蔽層產(chǎn)生繞射的示意圖；圖11是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖12是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖13是本發(fā)明的另一較佳實施例的遮蔽層產(chǎn)生繞射的示意圖；圖14是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖15是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖16是本發(fā)明的另一較佳實施例的遮蔽層產(chǎn)生繞射的示意圖；圖17是本發(fā)明的另一較佳實施例的透光粒子的示意圖；圖18是本發(fā)明的另一較佳實施例的透光粒子的示意圖；圖19是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的示意圖；圖20A是本發(fā)明的發(fā)光二極體照明范圍的示意圖；圖20B是本發(fā)明的發(fā)光二極體照明范圍的示意圖；圖20C是本發(fā)明的發(fā)光二極體照明范圍的示意圖。
圖號說明10’表面粘著型發(fā)光二極體 20’發(fā)光二極體晶片30’光源 10發(fā)光二極體晶片12出射面 14導(dǎo)線16表面粘著型內(nèi)部電極 18封裝體
20遮蔽層 22穿孔30第一波前 32第二波前34光源 40遮蔽層42金屬粒子44透光粒子 50發(fā)光二極體
具體實施例方式為使審查員對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達成的功效更有進一步的了解與認(rèn)識，謹(jǐn)佐以較佳的實施例圖及配合詳細的說明，說明如后基于習(xí)知技術(shù)無法擴張發(fā)光二極體的光源照射面積，而需加設(shè)更多發(fā)光二極體，以致照明設(shè)備增加成本，故，本發(fā)明提供一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，以解決上述提及的問題。
本發(fā)明是用于擴張發(fā)光二極體的光源照射面積，以下是以表面粘著型(SMD)發(fā)光二極體、燈泡型(LAMP)發(fā)光二極體以及印刷電路板型(PCB)發(fā)光二極體為例作為說明，本發(fā)明并不拘限于前述提及的封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體，本發(fā)明是可適用于各類型封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體，以使發(fā)光二極體從點光源的照射面積轉(zhuǎn)換成面光源的照射面積。
請參閱圖2，是本發(fā)明的一較佳實施例的發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明的發(fā)光二極體是包含有一發(fā)光二極體晶片10，以及一遮蔽層20，其可為設(shè)置于發(fā)光二極體晶片10的一出射面12的上方。其中，遮蔽層20的長度是大于發(fā)光二極體晶片10的出射面12的長度，當(dāng)發(fā)光二極體晶片10發(fā)出光源至遮蔽層20時，將會產(chǎn)生光源繞射(Diffraction)的第一波前30，以藉由形狀如球面般的第一波前30經(jīng)傳導(dǎo)一段距離后交會形成擴張的照射面積，達到擴張發(fā)光二極體光源的照射面積的目的，且藉由第一波前30交會導(dǎo)致第一波前30的干涉產(chǎn)生，以使發(fā)光二極體光源的照明亮度均勻，如圖3所示。在此實施例中，本發(fā)明是以遮蔽層20大于發(fā)光二極體晶片10的出射面12的長度為例，另外，遮蔽層20的長度亦可等于或小于發(fā)光二極體晶片10的出射面12的長度。
請參閱圖4，是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖2與圖4的不同是圖2的遮蔽層20設(shè)置于封裝體18內(nèi)部的發(fā)光二極體晶片10之上，圖4的遮蔽層20設(shè)置于封裝體18的上方。本發(fā)明的發(fā)光二極體晶片10是設(shè)置于封裝體18內(nèi)，且遮蔽層20設(shè)置于封裝體18的上方，亦即發(fā)光二極體晶片10的上方。如此發(fā)光二極體晶片10經(jīng)由遮蔽層20產(chǎn)生范圍更大的光源照射面積，其是發(fā)光二極體晶片10所發(fā)出的光源經(jīng)由遮蔽層20產(chǎn)生角度更大的光源照射面積，即第一波前30所繞射通過與干涉形成的范圍。
上述的遮蔽層20的材料是可選自于金、銀、銅、鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鋅、氧化鉛、氧化鋇、氧化鋁、鈦酸鋇、鋁酸鹽、硅酸鹽、鋁酸鍶、鈦酸鹽、硅酸鋁、硫化鋅及上述的組合的其中之一。因此，當(dāng)一導(dǎo)線14與一SMD電極16產(chǎn)生電性連接時，由于遮蔽層20的材料是導(dǎo)電材料，所以發(fā)光二極體晶片10可藉由遮蔽層20經(jīng)導(dǎo)電形成一導(dǎo)電層，以使光源于遮蔽層20與SMD電極16之間產(chǎn)生如同鏡子般的全反射，以及產(chǎn)生繞射的第一波前30，如此藉由第一波前30經(jīng)一段距離后交會形成面光源的照明范圍，并藉由第一波前30交會產(chǎn)生的干涉使亮度均勻。
請同時參閱圖5至圖8，圖5與圖6為本發(fā)明運用于燈泡型發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7與圖8為本發(fā)明運用于印刷電路板型發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明為設(shè)置遮蔽層20至一燈泡型發(fā)光二極體的發(fā)光二極體晶片10的出射面12的上方，或為設(shè)置遮蔽層20至一印刷電路板型發(fā)光二極體的發(fā)光二極體晶片10的出射面12的上方，當(dāng)發(fā)光二極體晶片10發(fā)出光源時，將經(jīng)由遮蔽層20產(chǎn)生繞射的第一波前30，以擴張燈泡型發(fā)光二極體或印刷電路板型發(fā)光二極體的光源照射面積，即第一波前30所繞射通過與形成干涉的范圍。
請參閱圖9，是本發(fā)明的另一較佳實施例的發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖2與圖9的不同是圖2的遮蔽層20設(shè)置于發(fā)光二極體晶片10的出射面12上，圖9的遮蔽層20更包含一穿孔22，其是采用蝕刻制程所形成。本發(fā)明的遮蔽層20更可設(shè)置一個穿孔22，以讓發(fā)光二極體晶片10所發(fā)出的光源經(jīng)由遮蔽層20的穿孔22產(chǎn)生單狹縫繞射的第二波前32，藉此，遮蔽層20由于設(shè)置穿孔22而產(chǎn)生第二波前32于穿孔之上22，所以第二波前32與第一波前30使光源擴張照射面積的距離變短，即光源可在更近的距離內(nèi)形成擴張照射面積。第一波前30與第二波前32所形成的擴張照射面積是如圖10所示，發(fā)光二極體晶片10的兩側(cè)產(chǎn)生第一波前30，遮蔽層20之上經(jīng)由穿孔22形成的單狹縫產(chǎn)生第二波前32，并藉由第二波前32與第一波前30形成的干涉使亮度均勻。
包含一個穿孔22的遮蔽層20更可設(shè)置于封裝體18之上，以經(jīng)由穿孔22形成的單狹縫產(chǎn)生第二波前32搭配第一波前30構(gòu)成亮度均勻的擴張照射面積，如圖11所示。其中遮蔽層20的材料可為選自于金、銀、銅、鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鋅、氧化鉛、氧化鋇、氧化鋁、鈦酸鋇、鋁酸鹽、硅酸鹽、鋁酸鍶、鈦酸鹽、硅酸鋁、硫化鋅及上述的組合的其中之一。
另外，遮蔽層20更可設(shè)置復(fù)數(shù)個穿孔22于遮蔽層20，其是如圖12與圖14所示，圖12的遮蔽層20是設(shè)置于發(fā)光二極體晶片10的出射面12，其中發(fā)光二極體光源經(jīng)遮蔽層20產(chǎn)生第一波前30，以及復(fù)數(shù)個穿孔22形成的多狹縫產(chǎn)生繞射的第二波前32，以讓第一波前30與第二波前32的交互干涉形成擴張照射面積，其是如圖13所示，第一波前30搭配第二波前32是于靠近發(fā)光二極體晶片10的空間形成大照射面積。圖14的遮蔽層20是設(shè)置于封裝體18之上，以藉由復(fù)數(shù)個穿孔22的多狹縫繞射產(chǎn)生第二波前32。由于遮蔽層20的材料可為選自于金、銀、銅、鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鋅、氧化鉛、氧化鋇、氧化鋁、鈦酸鋇、鋁酸鹽、硅酸鹽、鋁酸鍶、鈦酸鹽、硅酸鋁、硫化鋅及上述的組合的其中之一。所以復(fù)數(shù)個穿孔22可藉由蝕刻制程或印刷涂布的制程形成于遮蔽層20，以讓穿孔22的設(shè)置可藉由蝕刻制程或印刷涂布的制程精確地量產(chǎn)。
請參閱圖15，是本發(fā)明的一較佳實施例的發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖12與圖15的不同是圖2的遮蔽層20藉由蝕刻制程形成復(fù)數(shù)個穿孔22，圖15的遮蔽層40藉由網(wǎng)版印刷形成，其是利用金屬粒子42摻雜透光粒子44經(jīng)由網(wǎng)版印刷，以形成包含金屬粒子42與透光粒子44的遮蔽層40，且發(fā)光二極體光源經(jīng)通過由透光粒子44產(chǎn)生第二波前32。本發(fā)明的發(fā)光二極體更可采用網(wǎng)版印刷，以讓復(fù)數(shù)個金屬粒子42摻雜透光粒子44形成遮蔽層40。且遮蔽層40更藉由透光粒子44供發(fā)光二極體晶片10形成的光源通過遮蔽層40，以藉由透光粒子44形成的多狹縫產(chǎn)生第二波前32。遮蔽層40所產(chǎn)生的第一波前30與透光粒子44所產(chǎn)生的第二波前32使光源于近場形成擴張照射面積，更進一步藉由第一波前30與第二波前32的交互干涉使亮度均勻，如圖16所示。
上述的發(fā)光二極體光源通過多狹縫后每一個峽縫都會產(chǎn)生一個新的波前，每一個波前的會變成各個獨立的球形波，波與波之間又會彼此產(chǎn)生干涉。波前的干涉現(xiàn)象包含有建設(shè)性干涉，其中建設(shè)性干涉是產(chǎn)生亮紋，以用于補償原光源繞射后于近場的陰影部分，使成為一亮度均勻的直下式背光源。
其中透光粒子44的材料是可選自于金屬氧化物、硫化物、螢光粉及上述的組合的其中之一，且形狀是球形或不規(guī)則形，如圖17與圖18所示，其中圖17的光源34通過球形的透光粒子44而交集于透光粒子44的曲面，以使光源34通過透光粒子44后擴散而形成如同狹縫繞射般的波前。圖18的光源34通過不規(guī)則形的透光粒子44的每一點產(chǎn)生不同方向的出射光，以藉由光源擴散形成如同狹縫繞射般的波前。另外，遮蔽層40除了可印刷在發(fā)光二極體晶片10的出射面12上之外，遮蔽層40更可印刷在封裝體18的上方，以藉由遮蔽層40產(chǎn)生第一波前30，以及透光粒子44產(chǎn)生光源擴散的第二波前32，其如圖19所示。
以下是對發(fā)光二極體成為直下式背光源時，其所形成的照明范圍進行說明。
請一并參閱圖20A至圖20C，是本發(fā)明的發(fā)光二極體照明范圍的示意圖。如圖所示，本發(fā)明的發(fā)光二極體50由于遮蔽層設(shè)置穿孔或透光粒子的數(shù)量多寡而分別形成三種照明范圍。按圖20A所示，第一種照明范圍是因為發(fā)光二極體50的遮蔽層設(shè)置數(shù)量少的穿孔或透光粒子，所以中間部分略微凹陷而形成山谷形狀的照明范圍。按圖20B所示，第二種照明范圍是因為發(fā)光二極體50的遮蔽層設(shè)置數(shù)量恰當(dāng)?shù)拇┛谆蛲腹饬Ｗ?，所以中間部分平坦而形成高原形狀的照明范圍。按圖20C所示，第三種照明范圍是因為發(fā)光二極體50的遮蔽層設(shè)置數(shù)量太多的穿孔或透光粒子，所以中間部分明顯禿出而形成山丘形狀的照明范圍。
此外，第一波前30與第二波前32形成的干涉現(xiàn)象是提供均勻亮度的光源，以讓本發(fā)明的擴張照射面積的發(fā)光二極體更可藉由光繞射與干涉形成較低成本的面光源，以做為低成本的直下式背光源。
綜上所述，本發(fā)明是一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，其是藉由發(fā)光二極體晶片與遮蔽層的配合，以透過遮蔽層產(chǎn)生光源繞射，擴張發(fā)光二極體的照射面積。遮蔽層更可設(shè)置至少一個穿孔或者透光粒子，以讓光源通過穿孔或透光粒子所形成的單狹縫、雙狹縫或多狹縫而形成新的點光源產(chǎn)生繞射的波前，因此形成擴張照射面積于發(fā)光二極體光源的近場中，并藉由繞射的波前形成干涉使亮度均勻，以做為直下式背光源。此外，本發(fā)明是可供不同封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體擴張光源照射面積并均勻光源的亮度，且可減少照明設(shè)備內(nèi)發(fā)光二極體的數(shù)量，以達成節(jié)省成本的目的。
以上所述，僅為本發(fā)明一較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，故凡依本發(fā)明申請專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，包含有一發(fā)光二極體晶片；一遮蔽層，其是設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一出射面的上方；其中該遮蔽層的長度是可大于該發(fā)光二極體晶片的該出射面的長度。
2.如申請專利范圍第1項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是可設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一封裝體的上方。
3.如申請專利范圍第1項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該發(fā)光二極體晶片是可采用燈泡型(LAMP)、印刷電路板(PCB)、正面發(fā)光型、側(cè)面發(fā)光型或表面粘著型(SMD)等封裝結(jié)構(gòu)。
4.如申請專利范圍第1項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層可為一導(dǎo)電材質(zhì)。
5.如申請專利范圍第4項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該導(dǎo)電材質(zhì)可選自于金、銀、銅、鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鋅、氧化鉛、氧化鋇、氧化鋁、鈦酸鋇、鋁酸鹽、硅酸鹽、鋁酸鍶、鈦酸鹽、硅酸鋁、硫化鋅及上述的組合的其中之一。
6.如申請專利范圍第1項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層上設(shè)置至少一穿孔或至少一縫隙。
7.如申請專利范圍第6項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是可采用蝕刻制程或印刷涂布的制程，以設(shè)置該至少一穿孔或該至少一縫隙。
8.如申請專利范圍第1項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是為復(fù)數(shù)個金屬粒子摻雜至少一個透光粒子。
9.如申請專利范圍第8項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該透光粒子的材料是可選自于金屬氧化物、硫化物、螢光粉及上述的組合的其中之一。
10.如申請專利范圍第8項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該透光粒子可呈球形或不規(guī)則狀。
11.如申請專利范圍第8項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層所采用的制程是可包含蝕刻制程、網(wǎng)版印刷、平版印刷、凸版印刷、凹版印刷或轉(zhuǎn)印。
12.一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，包含有一發(fā)光二極體晶片；一遮蔽層，其是設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一出射面的上方；其中該遮蔽層的長度是可小于該發(fā)光二極體晶片的該出射面的長度。
13.如申請專利范圍第12項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是可設(shè)置于該發(fā)光二極體晶片的一封裝體的上方。
14.如申請專利范圍第12項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該發(fā)光二極體晶片是可采用燈泡型(LAMP)、印刷電路板(PCB)、正面發(fā)光型、側(cè)面發(fā)光型或表面粘著型(SMD)等封裝結(jié)構(gòu)。
15.如申請專利范圍第12項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是可為一導(dǎo)電材質(zhì)。
16.如申請專利范圍第15項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該導(dǎo)電材質(zhì)是可選自于金、銀、銅、鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鋅、氧化鉛、氧化鋇、氧化鋁、鈦酸鋇、鋁酸鹽、硅酸鹽、鋁酸鍶、鈦酸鹽、硅酸鋁、硫化鋅及上述的組合的其中之一。
17.如申請專利范圍第12項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層上設(shè)置至少一穿孔或至少一縫隙。
18.如申請專利范圍第17項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層可采用蝕刻制程或印刷涂布的制程，以設(shè)置該至少一穿孔或該至少一縫隙。
19.如申請專利范圍第12項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是可為復(fù)數(shù)個金屬粒子摻雜至少一個透光粒子。
20.如申請專利范圍第19項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該透光粒子的材料是可選自于金屬氧化物、硫化物、螢光粉及上述的組合的其中之一。
21.如申請專利范圍第19項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該透光粒子是可呈球形或不規(guī)則狀。
22.如申請專利范圍第19項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層所采用的制程是可為包含蝕刻制程或網(wǎng)版印刷。
23.一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，包含有一發(fā)光二極體晶片；一遮蔽層，其是設(shè)于該發(fā)光二極體晶片的一出射面的上方；其中該遮蔽層的長度是可等于該發(fā)光二極體晶片的該出射面的長度。
24.如申請專利范圍第23項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是可設(shè)置于該發(fā)光二極體晶片的一封裝體的上方。
25.如申請專利范圍第23項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該發(fā)光二極體晶片是可采用燈泡型(LAMP)、印刷電路板(PCB)、正面發(fā)光型、側(cè)面發(fā)光型或表面粘著型(SMD)等封裝結(jié)構(gòu)。
26.如申請專利范圍第23項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是可為一導(dǎo)電材質(zhì)。
27.如申請專利范圍第26項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該導(dǎo)電材質(zhì)是可選自于金、銀、銅、鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鋅、氧化鉛、氧化鋇、氧化鋁、鈦酸鋇、鋁酸鹽、硅酸鹽、鋁酸鍶、鈦酸鹽、硅酸鋁、硫化鋅及上述的組合的其中之一。
28.如申請專利范圍第23項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層上設(shè)置至少一穿孔或至少一縫隙。
29.如申請專利范圍第28項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層可采用蝕刻制程或印刷涂布的制程，以設(shè)置該至少一穿孔或該至少一縫隙。
30.如申請專利范圍第23項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層是可為復(fù)數(shù)個金屬粒子摻雜至少一個透光粒子。
31.如申請專利范圍第30項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該透光粒子是可呈球形或不規(guī)則狀。
32.如申請專利范圍第30項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該透光粒子的材料是可選自于金屬氧化物、硫化物、螢光粉及上述的組合的其中之一。
33.如申請專利范圍第30項所述的擴張照射面積的發(fā)光二極體，其特征在于，該遮蔽層所采用的制程是可為包含蝕刻制程或網(wǎng)版印刷。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種擴張照射面積的發(fā)光二極體，其是揭露一發(fā)光二極體晶片以及一遮蔽層，其中，遮蔽層是設(shè)置于發(fā)光二極體晶片的一出射面的上方，且遮蔽層的長度是大于、等于或小于發(fā)光二極體晶片的出射面的長度，藉此，發(fā)光二極體晶片所發(fā)出的光源可經(jīng)由遮蔽層產(chǎn)生繞射，以擴張發(fā)光二極體的照射面積而取得范圍更大、亮度更均勻的照明。
文檔編號H01L33/00GK101051658SQ20061007267
公開日2007年10月10日 申請日期2006年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月7日
發(fā)明者黃福國 申請人:穩(wěn)態(tài)科技股份有限公司