專利名稱：晶邊清洗的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶邊清洗(edge bevel rinse)的方法，尤指一種利用光學投影方式在晶片上形成參考圖案，由此精準控制化學藥劑的噴注位置，進而去除晶邊區(qū)的感光材料層的方法。
背景技術：
在半導體與微機電工藝中，光刻工藝扮演著相當重要的角色。由于半導體元件或微機電元件的復雜度系反應在光刻工藝的次數(shù)上，因此光刻工藝對于相關元件的成品率影響甚巨。
光刻工藝主要包含有三個步驟，亦即光致抗蝕劑涂布、曝光與顯影，其中光致抗蝕劑涂布為光刻工藝的第一步，因此光致抗蝕劑涂布的優(yōu)劣直接影響后續(xù)工藝的成品率。對于光致抗蝕劑涂布工藝而言，涂布在晶片上的光致抗蝕劑層必須具備均勻的厚度，而以現(xiàn)有技術而言一般采用旋轉涂布來完成光致抗蝕劑涂布。所謂旋轉涂布是將晶片固定于旋轉涂布機臺的旋轉軸上，在晶片處于旋轉的狀況下進行光致抗蝕劑的涂布，由此利用離心力使光致抗蝕劑均勻分布于晶片的表面。利用旋轉涂布方式形成的光致抗蝕劑層雖在晶片的中央?yún)^(qū)具有均勻的厚度，但于晶片的晶邊區(qū)卻會產生光致抗蝕劑堆積的現(xiàn)象，此類光致抗蝕劑堆積一般稱為珠狀殘余物(edge bead)。晶片區(qū)的光致抗蝕劑堆積除了對后續(xù)工藝有負面影響之外，更有可能造成機臺污染等問題，因此一般在光致抗蝕劑涂布后，會進行晶邊清洗工藝去除位于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層。
請參考圖1。圖1為公知利用半自動涂布機臺進行晶邊清洗的方法示意圖。如圖1所示，在進行晶邊清洗之前，晶片10固定于半自動涂布機臺20的承座22上，其中承座22裝設于旋轉軸24上，由此在進行工藝時晶片10可依一定速度旋轉。當晶片10完成光致抗蝕劑涂布工藝時，晶片10的表面會形成光致抗蝕劑層12。如前所述，晶片10區(qū)分為中央?yún)^(qū)與晶邊區(qū)，而位于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層12由于具有光致抗蝕劑堆積的問題，因此必須利用噴注化學藥劑的方式使晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層12溶解，進而利用旋轉產生的離心力將光致抗蝕劑層12甩除。如圖1所示，公知進行晶邊清洗的方法以人力采取手動方式，利用噴注器26將化學藥劑噴注于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層12上，使溶解的光致抗蝕劑層12通過旋轉晶片10的離心力脫離晶片10的晶邊區(qū)。然而，根據(jù)公知晶邊清洗的方法，中央?yún)^(qū)與晶邊區(qū)并無可觀察的界面，故操作噴注器26的操作員并無任何參考基準，而純粹根據(jù)經(jīng)驗將化學藥劑噴注于晶邊區(qū)，因此往往無法準確地將化學藥劑噴注于晶邊區(qū)內。在此狀況下，晶邊清洗工藝常因操作員經(jīng)驗不足或目視判斷偏差而造成光致抗蝕劑層12的清洗不足或過度，導致晶邊清洗工藝成品率偏低。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種晶邊清洗的方法，以有效提升晶邊清洗工藝的成品率。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種晶邊清洗的方法。首先，提供晶片，該晶片的表面包含有涂布材料層。接著利用光學投影方式將光線投影于該晶片上以形成參考圖案，且該參考圖案在該晶片的表面定義出中央?yún)^(qū)，以及環(huán)繞該中央?yún)^(qū)的晶邊區(qū)。隨后根據(jù)該參考圖案，去除位于該晶邊區(qū)內的該涂布材料層。
為了能更近一步了解本發(fā)明的特征及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為公知利用半自動涂布機臺進行晶邊清洗的方法示意圖。
圖2至圖4為本發(fā)明晶邊清洗的方法示意圖。
附圖標記說明10晶片 12光致抗蝕劑層20半自動涂布機臺22承座24旋轉軸26噴注器50晶片 52涂布材料層54中央?yún)^(qū)56晶邊區(qū)
60半自動涂布機臺62承座64旋轉軸66光學投影裝置68光線 70光點72光游標74噴注器具體實施方式
請參考圖2至圖4。圖2至圖4為本發(fā)明晶邊清洗的方法示意圖，其中圖2為本發(fā)明的優(yōu)選實施例利用半自動涂布機臺進行晶邊清洗的方法示意圖，而圖3與圖4則為進行晶邊清洗的晶片的上視圖。如圖2所示，將一表面已涂布有涂布材料層52的晶片50固定于半自動涂布機臺60的承座62上，其中承座62裝設于旋轉軸64上，由此在進行工藝時晶片50可依一定速度旋轉。值得說明的是在本實施例中，涂布材料層52為光致抗蝕劑層，然本發(fā)明的晶邊清洗方法并未局限于用于清洗光致抗蝕劑層，而可應用于任何需進行晶邊清洗的涂布材料，例如樹脂材料。
根據(jù)本發(fā)明的方法，半自動涂布機臺60上設置有光學投影裝置66，例如配置有菲涅爾透鏡(Fresnel lens)的鏡片組，而在進行晶邊清洗工藝之際，光學投影裝置66會產生投射至晶片50的表面的具有特定波長的光線68，以產生參考圖案。值得說明的是由于本實施例以清洗光致抗蝕劑層為例，因此光線68的波長需位于無法使光致抗蝕劑層感光的波長范圍內，以避免光致抗蝕劑層產生感光情形，此外，光學投影裝置66所發(fā)射的光線68可為線性光線或放射光線。
如圖3所示，光線68在晶片50的表面投影出的參考圖案可為光點70、光游標尺72，或為任何可作為定位參考的圖案，同時通過此參考圖案可在晶片50的表面精確地定義出中央?yún)^(qū)54與晶邊區(qū)56。請再參考圖4，并一并參考圖2，當晶片50的表面形成可供定位的參考圖案后，操作員可依據(jù)光點70或光游標尺72明確得知晶邊區(qū)56的確實位置，并利用噴注器74將化學藥劑噴注于晶邊區(qū)56上。當化學藥劑噴注于晶邊區(qū)56后，即會溶解涂布材料層52，而溶解的涂布材料層52即可通過旋轉產生的離心力自晶邊區(qū)56的表面被甩除，達到晶邊清洗的作用。
由上述可知，本發(fā)明晶邊清洗的方法利用光學投影方式在晶片的表面投射參考圖案由此明確地定義出晶邊區(qū)的位置，故使得操作員可明確得知晶邊區(qū)的位置，并據(jù)此準確地將化學藥清噴注于晶邊區(qū)內，進而提升晶邊清洗工藝的成品率。綜上所述，本發(fā)明晶邊清洗的方法具有步驟簡單、成本低廉、控制精確的優(yōu)點。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權利要求所做的等同變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種晶邊清洗的方法，包含有提供晶片，所述晶片的表面包含有涂布材料層；利用光學投影方式將光線投影于所述晶片上以形成參考圖案，且所述參考圖案在所述晶片的表面定義出中央?yún)^(qū)，以及環(huán)繞所述中央?yún)^(qū)的晶邊區(qū)；以及根據(jù)所述參考圖案，去除位于所述晶邊區(qū)內的所述涂布材料層。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述涂布材料層包含有光致抗蝕劑層。
3.如權利要求2所述的方法，其中所述光線具有波長，且所述波長位于無法使所述光致抗蝕劑層感光的波長范圍內。
4.如權利要求1所述的方法，其中去除位于所述晶邊區(qū)的所述涂布材料層的步驟包含有根據(jù)所述參考圖案將清洗藥劑噴注于所述晶邊區(qū)，使所述涂布材料層溶解；以及旋轉所述晶片使所述涂布材料層自所述晶邊區(qū)甩除。
5.如權利要求1所述的方法，其中所述參考圖案為光點。
6.如權利要求1所述的方法，其中所述參考圖案為光游標尺。
7.一種晶邊清洗的方法，包含有提供晶片，所述晶片的表面包含有涂布材料層；利用光學投影方式將光線投影于所述晶片上以形成參考圖案，且所述參考圖案在所述晶片的表面定義出中央?yún)^(qū)，以及環(huán)繞所述中央?yún)^(qū)的晶邊區(qū)；旋轉所述晶片；根據(jù)所述參考圖案，以手動方式將清洗藥劑噴注于所述晶邊區(qū)，使所述涂布材料層溶解，并使所述涂布材料層自所述晶邊區(qū)甩除。
8.如權利要求7所述的方法，其中所述涂布材料層包含有光致抗蝕劑層。
9.如權利要求8所述的方法，其中所述光線具有波長，且所述波長位于無法使所述光致抗蝕劑層感光的波長范圍內。
10.如權利要求7所述的方法，其中所述參考圖案為光點。
11.如權利要求7所述的方法，其中所述參考圖案為光游標尺。
全文摘要
本發(fā)明公開一種晶邊清洗的方法。首先，提供晶片，該晶片的表面包含有涂布材料層。接著利用光學投影方式將光線投影于該晶片上以形成參考圖案，且該參考圖案在該晶片的表面定義出中央?yún)^(qū)，以及環(huán)繞該中央?yún)^(qū)的晶邊區(qū)。隨后根據(jù)該參考圖案，去除位于該晶邊區(qū)內的該涂布材料層。
文檔編號H01L21/02GK101030045SQ20061005496
公開日2007年9月5日 申請日期2006年2月27日 優(yōu)先權日2006年2月27日
發(fā)明者黃世民, 楊世培 申請人:探微科技股份有限公司