專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展要求越來(lái)越高集成度的同時(shí)，對(duì)線寬及工藝的要求也越來(lái)越苛刻。在向小線寬技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)的同時(shí)，IC業(yè)界選用銅和低K材料作為減小0.13um及其以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的互連電阻電容(RC)延遲的關(guān)鍵解決方法，相對(duì)于鋁金屬工藝中蝕刻去除鋁的過(guò)程，銅具有易擴(kuò)散、難刻蝕等特點(diǎn)，業(yè)界引入了雙鑲嵌工藝(Dual Damascene)，其特點(diǎn)就是先在帶有器件的襯底上形成中間介質(zhì)層并刻蝕出溝槽和通孔，然后淀積銅進(jìn)入刻蝕好的圖形中，并應(yīng)用平坦化方法除去多余的銅。
通常情況下在半導(dǎo)體器件后段頂層金屬制作中，其工藝步驟一般為在形成帶有金屬圖形的襯底上，淀積刻蝕停止層，中間介質(zhì)層，銅擴(kuò)散阻止層，銅淀積層，然后化學(xué)機(jī)械研磨。因此，相應(yīng)的開發(fā)與雙鑲嵌工藝兼容的介質(zhì)材料如刻蝕停止層，中間介質(zhì)層材料就成為迫切需要。銅和低K材料的工藝整合是具有挑戰(zhàn)性的。
相對(duì)于介電常數(shù)比較大的SIN(K～7.8)和SION(K～7)，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用介電常數(shù)小的SIC(K～5)作為刻蝕停止層，采用化學(xué)氣相淀積方法淀積氟硅玻璃(FSG)作為中間介質(zhì)層并在工藝中用高濃度的氟來(lái)減小其介電常數(shù)。但是高濃度的氟常常是不穩(wěn)定的，會(huì)向兩邊的介質(zhì)層或金屬層擴(kuò)散從而破壞其交界面的粘附性。專利申請(qǐng)?zhí)枮?9110641的中國(guó)專利公開了一種通過(guò)在FSG上表面形成防止氟物質(zhì)穿過(guò)其中的氧氮化硅的方法來(lái)解決FSG擴(kuò)散至上層金屬表面腐蝕金屬并破壞FSG與金屬的交界面粘附的問(wèn)題，但是，高濃度氟對(duì)下層刻蝕停止層的破壞導(dǎo)致FSG與刻蝕停止層的粘附性變差并在頂層金屬沉積后產(chǎn)生剝離的問(wèn)題成為工藝人員關(guān)注的問(wèn)題。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕停止層上直接覆蓋中間介質(zhì)層的示意圖。如圖1所示，在有金屬圖案110的襯底100上覆蓋有刻蝕停止層120和中間介質(zhì)層130，溝槽150和通孔140形成于中間介質(zhì)層130上并在溝槽150和通孔140中填有金屬，例如銅。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕停止層和其上層的中間介質(zhì)層剝離的示意圖。如圖2所示，在銅制程中，非導(dǎo)電介質(zhì)材料和其金屬層與其它輔助介電層的粘附不免會(huì)有問(wèn)題，由于中間介質(zhì)層130和刻蝕停止層120粘附性不好產(chǎn)生剝離現(xiàn)象發(fā)生，剝離現(xiàn)象可發(fā)生在該器件生產(chǎn)過(guò)程中或器件生產(chǎn)完成后在對(duì)鈍化層與外引線(packaging wire bonding)粘附強(qiáng)度可靠性測(cè)試的時(shí)候。在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生剝離，會(huì)導(dǎo)致后層金屬層翹起，影響其電連接并最終導(dǎo)致器件電性失??；如果在生產(chǎn)過(guò)程中沒有剝離，也會(huì)由于其粘附性能差而導(dǎo)致器件的壽命變短。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，以解決頂層金屬中間介質(zhì)層與其下層刻蝕停止層粘附性差并產(chǎn)生剝離的問(wèn)題。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包括襯底；在襯底上形成的介質(zhì)層和形成于所述介質(zhì)層中的金屬圖案層；在所述介質(zhì)層和金屬圖案層上形成的刻蝕停止層；在所述刻蝕停止層上形成的阻擋層；在所述阻擋層上形成的中間介質(zhì)層；所述中間介質(zhì)層上具有溝槽和通孔，在所述溝槽和通孔中依次填充有金屬阻擋層，金屬種子層和互連金屬層。
所述的刻蝕停止層的厚度為100?！?00埃。
所述的阻擋層的厚度為200?！?00埃。
所述的刻蝕停止層至少為氧化硅、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、碳氮氧化合物(SiOC)、摻氮碳化硅中的一種或其組合。
所述的阻擋層至少為氧化硅、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、碳氮氧化合物(SiOC)、摻氮碳化硅中的一種或其組合。
所述的中間介質(zhì)層至少為氟硅玻璃(FSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、氧化硅、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)中的一種或其組合。
所述的中間介質(zhì)層上的溝槽的深度小于通孔的深度。
所述的金屬阻擋層為鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈷(Co)、鉑(Pt)、鈦鎢(TiW)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)中的一種或其組合。
所述的金屬種子層為銅、鋁、鎢、金或銀。
所述的互連金屬層包括銅或鋁。
所述的通孔位于金屬圖案上方相對(duì)應(yīng)的位置。
所述的通孔中的互連金屬層通過(guò)所述的金屬種子層和金屬阻擋層與所述的襯底上的所述的金屬圖案電連接。
相應(yīng)地，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，在襯底上形成介質(zhì)層和金屬圖案層；在所述介質(zhì)層和金屬圖案層上形成刻蝕停止層；在所述刻蝕停止層上形成一個(gè)阻擋層；在所述阻擋層上形成中間介質(zhì)層；刻蝕所述中間介質(zhì)層、阻擋層和刻蝕停止層形成通孔以露出所述金屬圖案，并在所述中間介質(zhì)層形成溝槽；在所述溝槽和通孔中依次填充金屬種子層、金屬阻擋層和互連金屬層。
所述刻蝕停止層和阻擋層的形成方法包括物理氣相沉積(PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)。
所述化學(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PE CVD)、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)。
所述刻蝕停止層的厚度為100埃～300埃。
所述阻擋層的厚度為200埃～600埃。
所述中間介質(zhì)層的形成方法包括物理氣相沉積，化學(xué)氣相沉積。
所述金屬阻擋層利用物理氣相沉積或電鍍方法形成。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過(guò)在刻蝕停止層和中間介質(zhì)層之間插入阻擋層，阻止了中間介質(zhì)層中的氟向刻蝕停止層與中間介質(zhì)層的擴(kuò)散，從而減少了由于自由的氟擴(kuò)散帶來(lái)了對(duì)兩層交界面的腐蝕和破壞，有助于增加上下兩層在交界面的粘附；另外，由于沉積過(guò)程中離子轟擊對(duì)化學(xué)鍵的破壞和重組，會(huì)在沉積的介質(zhì)膜中產(chǎn)生很高的應(yīng)力，高的膜應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致開裂和分層，阻擋層SiN由于離子轟擊破壞Si-N鍵，因而會(huì)有高的壓應(yīng)力，因而有助于平衡中間介質(zhì)層材料氟硅玻璃(FSG)的張應(yīng)力，從而減小了由于應(yīng)力對(duì)于層與層之間的粘附的影響，增加了其粘附力。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕停止層上直接覆蓋中間介質(zhì)層的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕停止層和其上層的中間介質(zhì)層剝離的示意圖；圖3為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)剖面圖；圖4為本發(fā)明半導(dǎo)體器件制造方法的工藝流程圖；圖5至圖10為說(shuō)明本發(fā)明半導(dǎo)體器件制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
圖3為本發(fā)明半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)剖面圖。如圖3所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)襯底100和形成于所述襯底100上介質(zhì)層105中的金屬圖案層110，金屬圖案層110通過(guò)在介質(zhì)層105上旋涂光致抗蝕劑(Photoresist)曝光顯影并刻蝕而形成。在所述介質(zhì)層105和金屬圖案層110上形成有刻蝕停止層120，厚度為100?！?00埃，其材料可以是氧化硅，碳化硅(SiC)，氮化硅(SiN)，碳氮氧化合物(SiOC)，摻氮碳化硅中的一個(gè)或其組合?？涛g停止層的作用是為了防止在刻蝕本層材料時(shí)不會(huì)破壞其下層圖形?？涛g停止層120作為其上層的材料刻蝕的終點(diǎn)停止層，能夠保護(hù)其下層的金屬圖案110不會(huì)被刻蝕而形成缺陷。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件在刻蝕停止層120上覆蓋有厚度為200?！?00埃阻擋層125，選用的材料可以是氧化硅、碳化硅(SiC)，氮化硅(SiN)，碳氮氧化合物(SiOC)，摻氮碳化硅中的一個(gè)或其組合。在阻擋層125上沉積有低介電常數(shù)材料的中間介質(zhì)層130，與互連金屬如銅匹配減小其寄生電容和互聯(lián)金屬電阻造成的電阻電容(RC)延遲，可選的材料包括氟硅玻璃(FSG)，磷硅玻璃(PSG)，硼硅玻璃(BSG)，硼磷硅玻璃(BPSG)。
中間介質(zhì)層130上有通過(guò)涂布光致抗蝕劑，曝光顯影把掩模板的圖形轉(zhuǎn)移到中間介質(zhì)層130上而形成的通孔140和溝槽150，溝槽150的深度小于通孔140的深度，兩者是否連接取決于器件決定的電連接的需要。在通孔140和溝槽150中依次覆蓋有金屬阻擋層160，金屬種子層170，互連金屬層180，金屬阻擋層包括鈦(Ti)，鎢(W)，鉭(Ta)，鉬(Mo)，鈷(Co)，鉑(Pt)，鈦鎢(TiW)，氮化鈦(TiN)，氮化鉭(TaN)中的一種或其組合，金屬種子層包括銅、鋁、鎢、金、或銀，互連金屬層包括銅或鋁。通孔140底部與襯底100上的金屬圖案110相連。
沉積的阻擋層125可以增加中間介質(zhì)層130和刻蝕停止層120的粘附性，例如，阻擋層125材料為SiN，中間介質(zhì)層130材料對(duì)于頂層金屬一般選用氟硅玻璃(FSG)，F(xiàn)SG中的氟具有很強(qiáng)的擴(kuò)散效應(yīng)，由于為了減小介質(zhì)層材料介電常數(shù)從而減小其寄生電容與互連金屬電阻的電阻電容(RC)延遲，在沉積FSG是往往選用高濃度的氟，高濃度的氟是不穩(wěn)定的，其會(huì)向上下層擴(kuò)散，氟對(duì)交界面的腐蝕會(huì)減小其粘附性，會(huì)造成層與層的剝離，SiN是很好的氟的阻擋層，N的含量越高，氟的擴(kuò)散越少發(fā)生，引入阻擋層材料可以有效阻擋其擴(kuò)散，減小其對(duì)表面的腐蝕，增加了粘附性能。
另外，沉積的低介電常數(shù)材料FSG會(huì)有張應(yīng)力，介質(zhì)膜中的高的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致分層，沉積阻擋層材料SiN采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，沉積過(guò)程中高速離子對(duì)SiN中離子鍵的破壞會(huì)使沉積的SiN膜有很高的壓應(yīng)力(Compressive stress)，有助于平衡FSG中的張應(yīng)力對(duì)其下層膜的影響從而減小應(yīng)力帶來(lái)的分層現(xiàn)象。
圖4為本發(fā)明半導(dǎo)體器件制造方法的工藝流程圖。如圖4所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法。首先，在具有金屬圖案110的襯底100上覆蓋刻蝕停止層120(S210)；然后，在刻蝕停止層120上通過(guò)氣相沉積淀積阻擋層125(S220)；接著，在阻擋層125上覆蓋中間介質(zhì)層130(S230)；通過(guò)光刻、刻蝕在中間介質(zhì)層130上形成通孔140和溝槽150，并打開通孔140底部的阻擋層125和刻蝕停止層120，使通孔140底部露出襯底100上的金屬圖案110(S240)；最后，在通孔140和溝槽150中覆蓋金屬阻擋層160(S250)；在金屬阻擋層160上覆蓋金屬種子層170(S260)；在金屬種子層170上填充互連金屬層180(S270)。
圖5至圖10為說(shuō)明本發(fā)明半導(dǎo)體器件制造方法的剖面圖。下面結(jié)合圖5至圖10詳細(xì)描述實(shí)現(xiàn)該方法的工藝步驟。如圖5所示，本發(fā)明在襯底100首先形成一個(gè)介質(zhì)層105和通過(guò)光刻、刻蝕并沉積金屬，例如銅，形成的金屬圖案110。
接著，如圖6所示，在襯底100和金屬圖案110上沉積一刻蝕停止層120，沉積的方法可以是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。優(yōu)選的，沉積的厚度為100埃至300埃，沉積的材料可以是摻氮碳化硅，硅的氧化物，碳化硅(SiC)，氮化硅(SiN)，碳氮氧化合物(SiOC)中的一個(gè)或其組合。該刻蝕停止層120作為保護(hù)下層金屬圖案110在上層刻蝕時(shí)不受損傷的阻擋材料并可以作為下層金屬的擴(kuò)散阻擋層，以阻擋下層金屬圖案中的金屬如銅不會(huì)擴(kuò)散至上層中。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知銅作為后段的互連金屬具有很強(qiáng)的擴(kuò)散效應(yīng)，因而刻蝕停止層也有作為阻擋下層金屬擴(kuò)散的作用。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法在刻蝕停止層120上不是直接積淀上層介質(zhì)層來(lái)完成對(duì)非導(dǎo)電介電層的沉積，而是在沉積刻蝕停止層120后，在刻蝕停止層120上通過(guò)物理氣相淀積(PVD)或化學(xué)氣相淀積沉積一層阻擋層125，該阻擋層125的厚度為200埃～600埃，該阻擋層的材料可以是高密度和高應(yīng)力的氮化硅(SiN)或其他有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料、金屬，或者至少包括硅的氧化物、碳化硅(SiC)，碳氮氧化合物(SiOC)中的一個(gè)或其組合。在完成阻擋層125的沉積后，在其上沉積中間介質(zhì)層130，由于中間介質(zhì)層需選用介電常數(shù)小的材料，本實(shí)施例中優(yōu)選的使用化學(xué)氣相沉積的方法淀積氟硅玻璃(FSG)，其中，通常氟的濃度高，其介電常數(shù)會(huì)小，本實(shí)施例中使其介電常數(shù)約為3.7。其它可選的材料包括氟硅玻璃(FSG)，磷硅玻璃(PSG)，硼硅玻璃(BSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)。沉積的阻擋層125可阻止中間介質(zhì)層130中氟的擴(kuò)散并減小FSG的張應(yīng)力影響，增加了刻蝕停止層120和中間介質(zhì)層130的粘附性能，減小了兩層之間分層、剝離等缺陷。
完成在帶有金屬圖案的襯底上沉積刻蝕停止層120、阻擋層125和中間介質(zhì)層130后，如圖7所示，在中間介質(zhì)層上涂布光致抗蝕劑135通過(guò)曝光顯影形成圖案136，定義連接孔，露出下層的中間介質(zhì)層130，圖案136的位置與襯底100上金屬圖案110的位置相對(duì)應(yīng)。然后，如圖8所示，刻蝕該中間介質(zhì)層130，在刻蝕過(guò)程中光致抗蝕劑作為刻蝕的阻擋層保護(hù)其下層的中間介質(zhì)層130的被光致抗蝕劑覆蓋位置，中間介質(zhì)層130連接孔位置由于露出所以會(huì)被刻蝕，通過(guò)干法或濕法刻蝕，在中間介質(zhì)層130上形成通孔140?？涛g在露出中間介質(zhì)層130下層阻擋層125時(shí)停止，可以看出，阻擋層125也作為中間介質(zhì)層130的刻蝕停止層。通過(guò)灰化(Ashing)和清洗(strip)去除光致抗蝕劑135，就形成了在中間介質(zhì)層130上的通孔140。如圖9所示，用和上述相同的方法在中間介質(zhì)層130上形成溝槽150，溝槽150的深度小于通孔140的深度，也即溝槽150的底部不會(huì)露出中間介質(zhì)層130下層的阻擋層125，溝槽150是否跟通孔140相連取決于溝槽150和通孔140沉積的金屬的電連接需要。然后繼續(xù)刻蝕并清洗除去通孔140下面阻擋層130和刻蝕停止層125，使襯底上的金屬圖案110可以通過(guò)通孔140露出。
如圖10所示，在形成的溝槽150和通孔140中填入金屬，如銅，由于銅離子的擴(kuò)散效應(yīng)，如果不對(duì)其進(jìn)行相應(yīng)的處理，填入到通孔140和溝槽150中的銅就會(huì)擴(kuò)散至其相鄰的介質(zhì)層如中間介質(zhì)層130，就會(huì)改變介質(zhì)層的絕緣效果并引入其他的寄生效應(yīng)，影響器件的性能。因而有必要對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚?，通常?huì)先淀積擴(kuò)散阻擋層(Diffusion Barrier)，在所述的通孔140和溝槽150種通過(guò)合適的方法如物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積淀積一層金屬阻擋層160，其材料可以是氮化鈦(TiN)，鈦(Ti)，鎢(W)，鉭(Ta)，鉬(Mo)，鈷(Co)，鉑(Pt)，鈦鎢(TiW)，氮化鉭(TiN)中的一種或其組合。加入金屬阻擋層160可以很好的阻止金屬銅對(duì)介質(zhì)層的擴(kuò)散，并可增強(qiáng)金屬銅和其介質(zhì)層的粘附性。在金屬阻擋層160上積淀金屬種子層(Metal seed)170和互連金屬層180，其淀積可以是物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或電鍍。淀積的金屬層的厚度至少填滿整個(gè)通孔140和溝槽150。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包括襯底；在襯底上形成的介質(zhì)層和形成于所述介質(zhì)層中的金屬圖案層；在所述介質(zhì)層和金屬圖案層上形成的刻蝕停止層；在所述刻蝕停止層上形成的阻擋層；在所述阻擋層上形成的中間介質(zhì)層；所述中間介質(zhì)層上具有溝槽和通孔，在所述溝槽和通孔中依次填充有金屬阻擋層，金屬種子層和互連金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的刻蝕停止層的厚度為100?！?00埃。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的阻擋層的厚度為200?！?00埃。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的刻蝕停止層至少為氧化硅、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、碳氮氧化合物(SiOC)、摻氮碳化硅中的一種或其組合。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的阻擋層至少為氧化硅、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、碳氮氧化合物(SiOC)、摻氮碳化硅中的一種或其組合。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的中間介質(zhì)層至少為氟硅玻璃(FSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、氧化硅、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)中的一種或其組合。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的中間介質(zhì)層上的溝槽的深度小于通孔的深度。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的金屬阻擋層為鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈷(Co)、鉑(Pt)、鈦鎢(TiW)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)中的一種或其組合。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的金屬種子層為銅、鋁、鎢、金或銀。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的互連金屬層包括銅或鋁。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的通孔位于金屬圖案上方相對(duì)應(yīng)的位置。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于所述的通孔中的互連金屬層通過(guò)所述的金屬種子層和金屬阻擋層與所述的襯底上的所述的金屬圖案電連接。
13.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括提供一半導(dǎo)體襯底，在襯底上形成介質(zhì)層和金屬圖案層；在所述介質(zhì)層和金屬圖案層上形成刻蝕停止層；在所述刻蝕停止層上形成一個(gè)阻擋層；在所述阻擋層上形成中間介質(zhì)層；刻蝕所述中間介質(zhì)層、阻擋層和刻蝕停止層形成通孔以露出所述金屬圖案，并在所述中間介質(zhì)層形成溝槽；在所述溝槽和通孔中依次填充金屬種子層、金屬阻擋層和互連金屬層。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述刻蝕停止層和阻擋層的形成方法包括物理氣相沉積(PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述化學(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PE CVD)、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述刻蝕停止層的厚度為100?！?00埃。
17.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述阻擋層的厚度為200?！?00埃。
18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述中間介質(zhì)層的形成方法包括物理氣相沉積，化學(xué)氣相沉積。
19.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述金屬阻擋層利用物理氣相沉積或電鍍方法形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件具有一個(gè)頂層的金屬層以及一個(gè)通過(guò)中間介質(zhì)層通孔電連接至頂層金屬層的下層金屬層。本發(fā)明的制造方法為先在具有金屬圖案的襯底上覆蓋刻蝕停止層，其厚度為100～300埃，在刻蝕停止層上覆蓋厚度約為刻蝕停止層2倍的阻擋層，在阻擋層上覆蓋中間介質(zhì)層并通過(guò)光刻刻蝕出沉積頂層金屬所需的溝槽和通孔，其中阻擋層的存在避免了刻蝕停止層與中間介質(zhì)層剝離現(xiàn)象的發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101064295SQ20061002632
公開日2007年10月31日 申請(qǐng)日期2006年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月30日
發(fā)明者張弓, 陳玉文, 卑多慧, 孫智江 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司