專利名稱：組合激光發(fā)射器和光檢測接收器的封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的涉及光傳感器。更具體地，本發(fā)明涉及用于檢測物體是否存在的反射式光傳感器。
背景技術(shù)：
光傳感器用在多種的應(yīng)用中。光傳感器特別有用的一種應(yīng)用是檢測物體是否存在。用于檢測物體是否存在的兩種類型的光傳感器為中斷式光傳感器和反射式光傳感器。
中斷式光傳感器包括位于待檢測物體的相對兩側(cè)的光發(fā)射器和光接收器。當(dāng)物體隔斷在光發(fā)射器和光接收器之間的光鏈路時，表示存在物體。當(dāng)光接收器接收到來自光發(fā)射器的光傳輸時，表示不存在物體。
反射式光傳感器包括位于待檢測物體的同一側(cè)的光發(fā)射器和光接收器。當(dāng)來自光發(fā)射器的發(fā)射光從物體的表面反射并由光接收器接收時，表示存在物體。
反射式光傳感器在多個方面優(yōu)于中斷式光傳感器。由于反射式光傳感器的光發(fā)射器和光接收器位于單一封裝內(nèi)，所以反射式光傳感器是有利的。單一封裝可免除涉及到兩個封裝的中斷式光傳感器設(shè)計的附加螺絲、支架、包裝和運(yùn)輸成本。此外，由于反射式光傳感器可處于單一封裝內(nèi)，所以其尺寸相對較小，并且更適合于更多種不同的位置。此外，一般在制造期間就已經(jīng)將反射式光傳感器的光發(fā)射器和接收器配置好，而并非由用戶現(xiàn)場配置，從而常常防止用戶不適當(dāng)?shù)呐渲谩?br> 傳統(tǒng)的反射式光傳感器一般包括安裝在傳感器殼中的并排腔內(nèi)的光發(fā)射二極管(“LED”)和光接收器(例如光電二極管或光電晶體管)。所述腔必須具有足夠的深度，以防止當(dāng)不存在物體時在LED和光接收器之間的不期望出現(xiàn)的干擾。盡管已經(jīng)在多個應(yīng)用中實施了這種典型的反射式光傳感器，但是這種反射式光傳感器還具有多種限制。
使用LED發(fā)射器的傳統(tǒng)反射式光傳感器的限制在于對從LED發(fā)出的光的聚焦效果，從而導(dǎo)致可檢測物體的距離相對較短。LED還具有在與傳統(tǒng)電燈泡類似的較寬角度的發(fā)射窗口，其投影較大未定義的角度范圍。在某些應(yīng)用中，這導(dǎo)致反射光的強(qiáng)度較低、干擾過多、分辨率較低、和檢測物體是否存在的精度較低。
此外，使用典型的光電二極管和光電晶體管的傳統(tǒng)反射式光傳感器具有較低的對比度，從而在期望光照進(jìn)行較小改變的情況下，這種傳統(tǒng)反射式光傳感器對于光照的改變并不敏感。典型的光電二極管和光電晶體管還可檢測到某些較低亮級的光干擾，而錯誤地表示物體存在。此外，典型的光電二極管和光電晶體管可以在入射光強(qiáng)度和產(chǎn)生的光電流之間為基本線性的關(guān)系的狀態(tài)下運(yùn)行。結(jié)果，典型的光電二極管和光電晶體管可以在較低光級下產(chǎn)生干擾電流信號，而提供物體是否存在的較低的精度和潛在錯誤表示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及反射式傳感器。描述了一種用于檢測物體存在的反射式光傳感器。該反射式光傳感器可包括具有第一腔和第二腔的反射式傳感器封裝，所述第一和第二腔可并排位于所述反射式傳感器封裝中。垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)可位于所述第一腔中，用于產(chǎn)生發(fā)射光。光接收器可位于所述第二腔中，并被配置為用以接收所產(chǎn)生的發(fā)射光中從該物體反射的至少一部分發(fā)射光，從而在反射的發(fā)射光大于閾值強(qiáng)度時，確定物體存在。
描述了一種反射式傳感器。該反射式傳感器可包括傳感器封裝，其包括第一腔和與所述第一腔相鄰的第二腔；激光器，位于所述第一腔中，用于產(chǎn)生發(fā)射光；和分流光電晶體管，位于所述第二腔中，用于接收從被檢測的物體反射的發(fā)射光。
描述了一種用于檢測物體存在的反射式光傳感器。所述反射式傳感器可包括由彈性塑料構(gòu)成的反射式傳感器封裝。所述反射式傳感器封裝可包括第一腔和第二腔。所述第二腔在所述反射式傳感器封裝中與所述第一腔相鄰。VCSEL可位于所述第一腔中，用于產(chǎn)生發(fā)射光。包含反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管可位于所述第二腔中，并被配置為用以接收所產(chǎn)生的發(fā)射光中從該物體反射的至少一部分發(fā)射光。所述分流光電晶體管可包含反向偏壓保護(hù)特性。所述分流光電晶體管可包括發(fā)射極；集電極；基極；二極管，包括陽極和陰極，所述陽極電連接至所述基極，所述陰極電連接至所述集電極；分流內(nèi)部電阻，電連接在所述陽極和所述發(fā)射極之間，用于創(chuàng)建PN結(jié)關(guān)系，所述PN結(jié)關(guān)系被設(shè)置為與所述二極管和所述第一電阻呈并聯(lián)的電關(guān)系；和反向偏壓保護(hù)內(nèi)部電阻，電連接在所述第一電阻和所述發(fā)射極之間。


為了進(jìn)一步闡述本發(fā)明的上述和其它優(yōu)點和特點，將參照在附圖中所示的本發(fā)明特定實施例來提供本發(fā)明的更具體的說明。應(yīng)理解的是，這些附圖僅描述本發(fā)明的典型實施例，因此不應(yīng)認(rèn)為是本發(fā)明范圍的限制。將通過使用附圖來更具體和詳細(xì)的描述和說明本發(fā)明，其中圖1示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的用于檢測物體是否存在的反射式傳感器；圖2示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的反射式傳感器的側(cè)面運(yùn)行的剖視圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一方面的分流(shunt)光電晶體管的電子示意圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一方面的分流光電晶體管的電子示意圖；圖5示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一方面的與具有相似敏感性的標(biāo)準(zhǔn)光電晶體管相比的分流光電晶體管的光電流輸出；圖6示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一方面的具有反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管的示意圖；和圖7示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一方面的具有反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管的示意圖。
具體實施例方式
參照附圖來描述本發(fā)明的原理，其中這些附圖示出用于實施本發(fā)明的示例性實施例的結(jié)構(gòu)和操作。以這種方式使用示圖和描述來呈現(xiàn)本發(fā)明不應(yīng)理解為對本發(fā)明范圍的限制。根據(jù)說明書以及權(quán)利要求，本發(fā)明的附加特點和優(yōu)點將部分地變得清楚，或者可通過本發(fā)明的實踐而得知。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的用于檢測物體是否存在的反射式傳感器100。如圖所示，反射式傳感器100包括反射式傳感器封裝110。反射式傳感器封裝110可包括位于并排位置的第一腔115和第二腔120。第一腔115可包括激光器125(例如，邊沿發(fā)射激光器或垂直腔表面發(fā)射激光器(“VCSEL”))，用于產(chǎn)生發(fā)射光。第二腔120可包括光接收器130(例如，光電二極管或光電晶體管)，用于接收從物體反射的部分發(fā)射光。
激光器125可位于第一電接觸件135上方。激光器125可電連接至第一電接觸件135和第二電接觸件140。類似地，光接收器130可位于第三電接觸件145上方，并且光接收器130可電連接至第三電接觸件145和第四電接觸件150。應(yīng)理解的是，圖1中所示的組件配置僅是一示例性實施例。在瀏覽過本說明書之后，對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員清楚的是，在本發(fā)明的范圍內(nèi)還包括其它組件配置。
例如，圖2示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的反射式傳感器200，其包括處于相對腔中的激光器(在這里為VCSEL 225)和光接收器(在這里為光電晶體管230)。該反射式傳感器200可包括由彈性塑料構(gòu)成的封裝210，具有第一腔215和第二腔220。VCSEL 225可位于第一電接觸件235上的第一腔215中。VCSEL 225可通過電接引線電連接至第一接觸件235和第二電接觸件(圖中未示出，例如，與圖1中所述的接觸件140類似)。類似地，光電晶體管230可位于第三電接觸件245上的第二腔220中。光電晶體管230可電連接至第三電接觸件245和第四電接觸件(圖中未示出，例如，與圖1中所述的接觸件150類似)。根據(jù)圖2中所示的示例性實施例，第一腔215和第二腔220可由至少局部透明樹脂材料250來填充，這種材料允許光從/至VCSEL 225和光晶體管230傳輸，同時對這些有源光器件和它們的電接引線提供保護(hù)。
在操作中，待檢測的物體260位于反射式傳感器200上方。物體260可以是任一物體，并且可以如箭頭265所示穿過VCSEL 225的發(fā)射窗口，例如在自動柜員機(jī)(“ATM”)或打印機(jī)中的一張紙的情況。VCSEL 225在物體260的方向上產(chǎn)生發(fā)射光。至少部分的發(fā)射光從物體260的表面反射，并由光電晶體管230接收。在接收到反射光時，光電晶體管230產(chǎn)生光電流輸出，該光電流輸出可發(fā)送至與光電晶體管230電連接的第四電連接器。根據(jù)不同的應(yīng)用，圖2中所示的反射式傳感器200可小到至少約3平方毫米或更大。
與傳統(tǒng)的使用LED的反射式傳感器相比，根據(jù)本發(fā)明的該示例性實施例使用VCSEL來產(chǎn)生發(fā)射光具有若干優(yōu)點。例如，VCSEL發(fā)射更集中的光，這種光允許在反射式傳感器和待檢測物體之間具有更大的距離。VCSEL的集中的發(fā)射光也可導(dǎo)致由光電晶體管接收到更集中的光。這使得傳感器可放置于通常不能使用LED的位置，例如與檢測物體較遠(yuǎn)的距離或者處于臟亂或危險環(huán)境中。此外，VCSEL發(fā)射器的集中的發(fā)射光也可使得能夠檢測某種物體，該物體具有對LED的較不集中光不會提供充足反射的表面。
VCSEL還產(chǎn)生比LED更限定的發(fā)射光。通常，VCSEL產(chǎn)生角度約為20-30度的發(fā)射窗口的發(fā)射光。另一方面，LED創(chuàng)建的發(fā)射光不具有適當(dāng)限定的發(fā)射窗口(例如，接近180度)。因此，VCSEL的發(fā)射光在VCSEL和光電晶體管之間產(chǎn)生的干擾較低。適當(dāng)限定的VCSEL發(fā)射光也導(dǎo)致來自物體的更確定的反射，從而產(chǎn)生更高分辨率和物體的更精確檢測。這種適當(dāng)限定的VCSEL發(fā)射光還可在允許更大的方向性反射的特定角度方向產(chǎn)生，更具體地，適合于特定的應(yīng)用或傳感器和待檢測物體之間的距離。
與傳統(tǒng)的邊沿反射激光器相比，在一些應(yīng)用中，根據(jù)本發(fā)明實施例的使用VCSEL還具有特定優(yōu)點。例如，VCSEL具有曲面法線發(fā)射光，并具有與易于對準(zhǔn)并封裝在本發(fā)明的示例性實施例的反射式傳感器中的光電檢測器相似的幾何形狀。VCSEL也可具有用于實現(xiàn)VCSEL的高密度陣列的低閾值電流，這對于實現(xiàn)傳感器中的VCSEL或光電檢測器陣列的本發(fā)明實施例的某些應(yīng)用來說有利。VCSEL還具有圓形的和低發(fā)散輸出波束，其可消除對于校正光的需求，并可實現(xiàn)低成本和可預(yù)測的對準(zhǔn)。VCSEL還具有較低的溫度敏感性和較低功耗的特點，具有允許根據(jù)本發(fā)明某些實施例的附加應(yīng)用和配置的潛力。
根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例，圖2中所示的光電晶體管230可以是分流(shunt)光電晶體管。圖3示出分流光電晶體管的示意圖。分流光電晶體管是一種具有內(nèi)部基極射極分流電阻的光電晶體管。分流光電晶體管包括第一電阻Rp。電阻Rp可以是內(nèi)部電阻，其可通過在部分N導(dǎo)電型半導(dǎo)體材料中摻雜P+導(dǎo)電型材料區(qū)域來形成。
參照圖4，示出另一分流光電晶體管的示意圖。光電晶體管Q1包括基極、發(fā)射極和集電極。二極管D1由N導(dǎo)電類型材料和P+導(dǎo)電型材料之間的結(jié)形成，并且當(dāng)在二極管D1上施加光時產(chǎn)生光電流S0。電阻Rp通過在部分N導(dǎo)電型半導(dǎo)體材料中摻雜P+導(dǎo)電型材料的第二區(qū)域來形成。在N導(dǎo)電型材料和P+導(dǎo)電型材料的第二區(qū)域之間的結(jié)關(guān)系(relationship)提供由二極管Dp表示的二極管關(guān)系，二極管Dp是由第一電阻Rp的結(jié)構(gòu)形成的寄生二極管。
分流光電晶體管將標(biāo)準(zhǔn)光電晶體管的所有期望特點與低光級抑制特性的附加優(yōu)點結(jié)合。當(dāng)從物體反射的來自VCSEL的光增加至閾值(“曲線拐點”)以上時，發(fā)生光電晶體管切換。當(dāng)光級超過分流光電晶體管的拐點時，分流光晶體管將用作標(biāo)準(zhǔn)光電晶體管。圖5示出與具有相似敏感性的標(biāo)準(zhǔn)光電晶體管相比的示例性分流光電晶體管的光電流輸出。圖5示出對于一種示例性分流晶體管的光電流斜度的預(yù)定限度，所述示例性分流晶體管具有以拐點0.25mW/cm2為起點的斜度。示出對于高低增益和標(biāo)準(zhǔn)晶體管的光電流斜度進(jìn)行比較。應(yīng)該注意的是，對于相同增益的光電晶體管，斜度相同。
分流光電晶體管可具有不同的拐點和光電流斜度。光電流斜度的改變?nèi)Q于由公式1所限定的光電流輸出除以光照源的改變，公式如下ILSlope＝[IL1(@H1)-IL2(@H2))]/[H1-H2](1)其中ILSlope是以mA/mW/cm2為單位的光電流斜度；IL是以mA為單位的光電流輸出；和H是以mW/cm2為單位的源強(qiáng)度。
拐點(例如，在該實例中發(fā)射源需要將IL增加50uA，但是卻基于Rp值而改變)是光電晶體管電路設(shè)計的另一參數(shù)。在拐點處的變化補(bǔ)償了內(nèi)部保護(hù)帶的光電流斜度限度，并且由公式2來限定對于電路設(shè)計的適當(dāng)公式，公式2如下IL＝ILslopemin*(HA-HKP)(2)其中
IL是以mA為單位的光電流輸出；ILslopemin是關(guān)于光電流斜度的最小限度(即4.0mA/mW/cm2)；HA是入射到用于應(yīng)用的檢測器的光源；和HKP是在典型拐點入射到檢測器的預(yù)定級光源(例如，0.25mW/cm2)。
包含分流光電晶體管的本發(fā)明示例性實施例可特別適合于存在環(huán)境光或其它低級光情況的環(huán)境。分流光電晶體管還提供高對比率，這樣可能出現(xiàn)不期望的背景反射或其它低級干擾。與LED相比，高對比率在與VCSEL的特別良好限定的發(fā)射光連接時特別有利，其在某實例中提供對于物體存在的幾乎“數(shù)字”類型的響應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例，圖2中所示的光電晶體管230可以是具有反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管。圖6中示出具有反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管的示意圖。如圖所示，光電晶體管可配置有第一電阻Rp，用作分流電阻；和第二電阻RN+，其用以保護(hù)器件以防止由反偏壓情況所引起的損壞。
現(xiàn)在參照圖7，示出具有反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管的另一示意圖。以參照圖4的上述方式來配置第一電阻Rp。此外，第二電阻RN+還可連接在晶體管Q1的發(fā)射極E和寄生二極管Dp之間。寄生二極管Dp的存在創(chuàng)建了在晶體管Q1的發(fā)射極端子和集電極端子之間的電流路徑，并且在跨接晶體管間的電壓出現(xiàn)反向的情況下寄生二極管Dp可損壞裝置。第二電阻RN+通過在寄生二極管所提供的該電流路徑中設(shè)置電阻來防止這種損壞。
為了形成分流電阻Rp，通過將N導(dǎo)電型材料與P+導(dǎo)電型材料摻雜而創(chuàng)建PN結(jié)關(guān)系，從而可產(chǎn)生損壞。這種結(jié)關(guān)系創(chuàng)建寄生二極管，其提供在分流光電晶體管的發(fā)射極和集電極端子之間的電流路徑。為了防止在反向電壓連接期間可發(fā)生的損壞，將第二電阻RN+連接在晶體管Q1的發(fā)射極和第一電阻Rp之間。第二電阻RN+與用以形成第一電阻Rp的結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致的結(jié)關(guān)系串聯(lián)，因此第二電阻RN+用于限制電流在反偏壓條件下在分流晶體管的發(fā)射極和集電極端子之間流動。
通過防止由于穿過光電晶體管的集電極和發(fā)射極的反向電壓而引起的損壞，包括具有反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管的本發(fā)明示例性實施例可建立一種更堅固的傳感器。
本發(fā)明可以以其它特定形式來實施，而沒有脫離本發(fā)明的精神或?qū)嵸|(zhì)特征。應(yīng)認(rèn)為所描述的實施例在各方面的僅是示例性的，而非限制性的。因此，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來表示，而并非由以上說明書表示。在權(quán)利要求等同物的含義和范圍內(nèi)的所有改變均包含在本發(fā)明的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種用于檢測物體存在的反射式光傳感器，包括反射式傳感器封裝，包括第一腔和第二腔，所述第一腔和第二腔并排位于所述反射式傳感器封裝內(nèi)；垂直腔表面發(fā)射激光器VCSEL，位于所述第一腔中，用于產(chǎn)生發(fā)射光；和光接收器，位于所述第二腔中，并被配置為用以接收所產(chǎn)生的發(fā)射光中從該物體反射的至少一部分發(fā)射光，從而在反射的發(fā)射光大于閾值強(qiáng)度時，確定該物體存在。
2.如權(quán)利要求1所述的反射式光傳感器，其中所述光接收器為光電晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的反射式光傳感器，其中所述光電晶體管為分流光電晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的反射式光傳感器，其中所述分流光電晶體管包括發(fā)射極；集電極；基極；二極管，包括陽極和陰極，所述陽極電連接至所述基極，所述陰極電連接至所述集電極；和第一電阻，電連接在所述陽極和所述發(fā)射極之間，用于創(chuàng)建PN結(jié)關(guān)系，所述PN結(jié)關(guān)系被設(shè)置為與所述二極管和所述第一電阻呈并聯(lián)的電關(guān)系。
5.如權(quán)利要求2所述的反射式光傳感器，其中所述光電晶體管包含在預(yù)定拐點的低光級抑制特性。
6.如權(quán)利要求2所述的反射式光傳感器，其中所述光電晶體管具有預(yù)定光電流斜度。
7.如權(quán)利要求3所述的反射式光傳感器，其中所述分流光電晶體管包含反向偏壓保護(hù)特性。
8.如權(quán)利要求2所述的反射式光傳感器，其中所述光電晶體管包括發(fā)射極；集電極；基極；二極管，包括陽極和陰極，所述陽極電連接至所述基極，所述陰極電連接至所述集電極；第一電阻，電連接在所述陽極和所述發(fā)射極之間，用于創(chuàng)建PN結(jié)關(guān)系，所述PN結(jié)關(guān)系被設(shè)置為與所述二極管和所述第一電阻呈并聯(lián)的電關(guān)系；和第二電阻，電連接在所述第一電阻和所述發(fā)射極之間。
9.如權(quán)利要求1所述的反射式光傳感器，其中所述反射式傳感器封裝由彈性塑料構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求1所述的反射式光傳感器，其中所述第一和第二腔由至少局部透明樹脂填充。
11.如權(quán)利要求1所述的反射式光傳感器，還包括第一電接觸件，電連接至所述垂直腔表面發(fā)射激光器；第二電接觸件，電連接至所述垂直腔表面發(fā)射激光器；第三電接觸件，電連接至所述光接收器；和第四電接觸件，電連接至所述光接收器。
12.一種反射式光傳感器，包括傳感器封裝，包括第一腔和與所述第一腔相鄰的第二腔；激光器，位于所述第一腔中，用于產(chǎn)生發(fā)射光；和分流光電晶體管，位于所述第二腔中，用于接收從被檢測的物體反射的發(fā)射光。
13.如權(quán)利要求12所述的反射式光傳感器，其中所述分流光電晶體管包括集電極；基極；二極管，包括陽極和陰極，所述陽極電連接至所述基極，所述陰極電連接至所述集電極；和第一電阻，電連接在所述陽極和所述發(fā)射極之間，用于創(chuàng)建PN結(jié)關(guān)系，所述PN結(jié)關(guān)系被設(shè)置為與所述二極管和所述第一電阻呈并聯(lián)的電關(guān)系。
14.如權(quán)利要求12所述的反射式光傳感器，其中所述激光器為垂直腔表面發(fā)射激光器VCSEL。
15.如權(quán)利要求12所述的反射式光傳感器，其中所述分流光電晶體管包含反向偏壓保護(hù)特性。
16.如權(quán)利要求13所述的反射式光傳感器，還包括第二電阻，電連接在所述第一電阻和所述發(fā)射極之間。
17.一種用于檢測物體存在的反射式光傳感器，包括反射式傳感器封裝，由彈性塑料構(gòu)成，包括第一腔和在所述反射式傳感器封裝中與所述第一腔相鄰的第二腔；垂直腔表面發(fā)射激光器VCSEL，位于所述第一腔中，用于產(chǎn)生發(fā)射光；包含反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管，位于所述第二腔中，并被配置為用以接收所產(chǎn)生的發(fā)射光中從該物體反射的至少一部分發(fā)射光，所述包含反向偏壓保護(hù)特性的分流光電晶體管包括發(fā)射極；集電極；基極；二極管，包括陽極和陰極，所述陽極電連接至所述基極，所述陰極電連接至所述集電極；分流內(nèi)部電阻，電連接在所述陽極和所述發(fā)射極之間，用于創(chuàng)建PN結(jié)關(guān)系，所述PN結(jié)關(guān)系被設(shè)置為與所述二極管和所述第一電阻呈并聯(lián)的電關(guān)系；和反向偏壓保護(hù)內(nèi)部電阻，電連接在所述第一電阻和所述發(fā)射極之間。
18.如權(quán)利要求17所述的反射式光傳感器，還包括第一電接觸件，電連接至所述激光器；第二電接觸件，電連接至所述激光器；第三電接觸件，電連接至所述光接收器；第四電接觸件，電連接至所述光接收器；和至少局部透明樹脂，填充至所述第一腔和所述第二腔，以能夠進(jìn)行從和至上述各有源光器件的光傳輸。
全文摘要
反射式光傳感器。用于檢測物體存在的反射式光傳感器可包括具有第一腔和第二腔的反射式傳感器封裝。所述第一和第二腔可并排位于所述傳感器封裝中。垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)可位于所述第一腔中，用于產(chǎn)生發(fā)射光。光接收器可位于所述第二腔中，并被配置為用以接收所產(chǎn)生的發(fā)射光中從該物體反射的至少一部分發(fā)射光，從而在反射的發(fā)射光大于閾值強(qiáng)度時，確定物體存在。所述光接收器可以是分流光電晶體管，以及可包括反向偏壓保護(hù)特性。
文檔編號H01L31/00GK101036234SQ200580034040
公開日2007年9月12日 申請日期2005年10月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月5日
發(fā)明者喬斯·華金·艾斯普魯 申請人:菲尼薩公司