專利名稱：低k電介質(zhì)蝕刻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的形成。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶片處理期間，使用已知的構(gòu)圖和蝕刻工藝在晶片中限定半導(dǎo)體器件的特征。在這些工藝中，光致抗蝕劑(PR)材料沉積在晶片上，然后被暴露在被標(biāo)線片(reticle)過濾的光下。標(biāo)線片通常是玻璃板，該玻璃板用阻止光穿過標(biāo)線片傳播的示例特征幾何尺寸進(jìn)行構(gòu)圖。
在穿過標(biāo)線片后，光接觸光致抗蝕劑材料的表面。光改變了光致抗蝕劑材料的化學(xué)成分，以使得顯影劑能夠除去光致抗蝕劑材料的一部分。在正光致抗蝕劑材料的情況下，除去暴露過的區(qū)域，在負(fù)光致抗蝕劑材料的情況下，除去未暴露的區(qū)域。其后，蝕刻晶片以從不再被光致抗蝕劑材料保護(hù)的區(qū)域除去下層材料，以及由此在晶片中限定所需特征。
已知有各代的光致抗蝕劑。需要193nm光致抗蝕劑和157nm光致抗蝕劑和更小代的光致抗蝕劑以提供更小的器件尺寸和增大的器件密度。193nm和157nm光致抗蝕劑可以比以前代的光致抗蝕劑更軟并且可以更像聚合物，并且特別地更像低k電介質(zhì)聚合物，其可以減小低k電介質(zhì)相對于光致抗蝕劑的蝕刻選擇性。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)前述以及根據(jù)本發(fā)明的目的，提供一種在光致抗蝕劑掩模下蝕刻電介質(zhì)層的方法。在蝕刻室內(nèi)提供具有在光致抗蝕劑掩模下沉積的電介質(zhì)層的晶片。包括CF4和H2的蝕刻氣體被提供到蝕刻室中，其中CF4具有流速并且H2具有流速，并且H2的流速大于CF4的流速。等離子體從蝕刻氣體形成。使用從蝕刻氣體形成的等離子體通過蝕刻掩模把特征蝕刻到電介質(zhì)層中。
在本發(fā)明的另一方面，提供一種在有機(jī)材料掩模下蝕刻蝕刻層的方法。在蝕刻室中提供具有在有機(jī)材料掩模下沉積的蝕刻層的晶片。包括CF4和H2的蝕刻氣體被提供到蝕刻室，其中CF4具有流速并且H2具有流速，其中H2的流速大于CF4的流速。等離子體從蝕刻氣體形成。使用從蝕刻氣體形成的等離子體通過蝕刻掩模把特征蝕刻到蝕刻層中。
在下面本發(fā)明的詳細(xì)描述中結(jié)合附圖將更詳細(xì)地描述本發(fā)明的這些和其它特征。


在附圖的圖片中通過示例的方式、而不是通過限制的方式描述了本發(fā)明，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相似的元件，其中圖1是可以在本發(fā)明實(shí)施例中使用的工藝的高水平流程圖。
圖2A-C是在本發(fā)明工藝的多個步驟期間的晶片截面圖。
圖3是可以用于被本發(fā)明采用的沉積層、蝕刻和剝離的等離子體處理室300的示意圖。
圖4A和4B說明了適于執(zhí)行在本發(fā)明實(shí)施例中使用的控制器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
圖5A和5B是使用本發(fā)明蝕刻來蝕刻的層的截面圖。
具體實(shí)施例方式
將參考幾個在附圖中描述的優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明。在下面的說明中，為了提供對本發(fā)明透徹的理解，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員很清楚本發(fā)明可以在沒有某些或全部的這些細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。在其它示例中，為了不使本發(fā)明含糊不清，沒有描述公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供相對于具有高選擇性的197nm或更小代光致抗蝕劑能夠選擇性地蝕刻電介質(zhì)層、特別是低k電介質(zhì)層的蝕刻工藝。該選擇性可以達(dá)到無限大。
為了幫助理解，圖1是可以在本發(fā)明實(shí)施例中使用的工藝的高水平流程圖。具有在光致抗蝕劑掩模下沉積的電介質(zhì)層的晶片放置在處理室內(nèi)(步驟104)。提供包括CH4和H2的蝕刻氣體給蝕刻室(步驟108)。蝕刻氣體具有比蝕刻氣體的CF4的流速更大的H2流速。等離子體從蝕刻氣體形成(步驟112)。使用從蝕刻氣體形成的等離子體通過蝕刻掩模把特征蝕刻到電介質(zhì)層中(步驟116)。
示例在形成溝槽的本發(fā)明工藝的示例中，具有在光致抗蝕劑掩模下沉積的電介質(zhì)層的晶片被放置到處理室中(步驟104)。在本發(fā)明示例中，圖2A是具有電介質(zhì)層208的晶片204的截面圖，該電介質(zhì)層208沉積在底部抗反射涂層(BARC)210下面，該底部抗反時涂層(BARC)210沉積在光致抗蝕劑掩模212下面。優(yōu)選地，電介質(zhì)層208是具有k＜3.0的低k電介質(zhì)。另外，形成光致抗蝕劑掩模212的光致抗蝕劑是193nm或更小代的光致抗蝕劑，從而使得光致抗蝕劑不大于193nm代的光致抗蝕劑。由于本發(fā)明蝕刻的高選擇性，光致抗蝕劑掩?？梢跃哂行∮?000的應(yīng)用厚度216。在這個示例中，低k電介質(zhì)材料是有機(jī)硅酸鹽玻璃，例如珊瑚、黑金剛石、或Aurora。
圖3是可以用于可以在示例中使用的沉積層、蝕刻和剝離的等離子體處理室300的示意圖。等離子體處理室300包括限制環(huán)302、上電極304、下電極308、氣體源310和排氣泵320。在等離子處理室300內(nèi)，晶片204位于下電極308之上。下電極308包括用于支撐晶片204的適當(dāng)?shù)囊r底卡緊機(jī)制(例如靜電、機(jī)械固定等)。反應(yīng)器頂部328包括直接與下電極308相對設(shè)置的上電極304。上電極304、下電極308和限制環(huán)302限定了封閉的等離子體體積。氣體由氣體源310提供給封閉的等離子體體積并由排氣泵320通過限制環(huán)302和排氣口從封閉的等離子體體積排出。第一RF源344電連接到上電極304。第二RF源348電連接到下電極308。室壁352包圍限制環(huán)302、上電極304和下電極308。第一RF源344和第二RF源348都可以包括27MHz的電源和2MHz的電源。RF源和電極的連接可以有不同的組合。在由Fremont、Califomia的LAM Research CorporationTM制造的2300FlexTM或Exelan HPT或2300TMExelan的情況下，其可以用在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，27MHz和2MHz的電源都組成連接到下電極的第二RF電源348，而上電極接地?？刂破?35可控地連接到RF源344、348、排氣泵320和氣體源310。
圖4A和4B說明了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)800，其適用于執(zhí)行在本發(fā)明實(shí)施例中使用的控制器335。圖4A示出了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的一種可能的外觀。當(dāng)然，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以具有從集成電路、印刷電路板和小手持器件到巨型超級計(jì)算機(jī)的許多外觀。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)800包括監(jiān)視器802、顯示器804、外殼806、盤驅(qū)動器808、鍵盤810和鼠標(biāo)812。盤814是用于傳輸數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)800和從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)800傳輸數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。
圖4B是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)800的塊圖的示例。連接到系統(tǒng)總線820的是多種子系統(tǒng)。處理器822(也稱為中央處理單元，或CPU)耦合到包括存儲器824的存儲器件。存儲器824包括隨機(jī)存取存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)。如本領(lǐng)域所公知的，ROM用于單向地傳輸數(shù)據(jù)和指令到CPU，而RAM通常用于以雙向方式傳輸數(shù)據(jù)和指令。這些類型的存儲器都可以包括下面描述的任何適當(dāng)?shù)挠?jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。固定盤826也雙向地耦合到CPU822；其提供附加的數(shù)據(jù)存儲容量并也可以包括下述的任何一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。固定盤826可以用于存儲程序、數(shù)據(jù)等并典型的可以是比主存儲器更慢的輔助存儲介質(zhì)(例如硬盤)。應(yīng)當(dāng)理解在適當(dāng)?shù)那闆r下，在固定盤826內(nèi)保留的信息可以以標(biāo)準(zhǔn)方式并入為存儲器824中的虛擬存儲器?？梢苿颖P814可以采用下述的任何一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的形式。
CPU822也耦合到多個輸入/輸出設(shè)備，例如顯示器804、鍵盤810、鼠標(biāo)812和揚(yáng)聲器830。通常，輸入/輸出設(shè)備可以下述中的任何一種視頻顯示器、跟蹤球、鼠標(biāo)、鍵盤、擴(kuò)音器、觸敏屏、轉(zhuǎn)換器卡讀取器、磁性或紙帶讀取器、書寫板、指示筆、聲音或手寫識另器、生物測定讀取器或其它計(jì)算器。可選地，CPU822可以使用網(wǎng)絡(luò)接口840耦合到另一計(jì)算機(jī)或電信網(wǎng)絡(luò)。利用這樣的網(wǎng)絡(luò)接口，可以預(yù)期在進(jìn)行上述方法步驟期間CPU可以接收來自網(wǎng)絡(luò)的信息、或可以輸出信息到網(wǎng)絡(luò)。而且，本發(fā)明的方法實(shí)施例可以單獨(dú)在CPU822上執(zhí)行或可以通過網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行，例如結(jié)合共享一部分處理的遠(yuǎn)程CPU的因特網(wǎng)。
另外，本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步涉及包括在其上具有用于執(zhí)行各種計(jì)算機(jī)執(zhí)行操作的計(jì)算機(jī)代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的計(jì)算機(jī)存儲產(chǎn)品。介質(zhì)和計(jì)算機(jī)代碼可以是那些為了本發(fā)明目的專門設(shè)計(jì)和構(gòu)造的代碼，或者它們可以是對于計(jì)算機(jī)軟件領(lǐng)域的技術(shù)人員公知和可獲得的類型的代碼。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括、但不局限于磁性介質(zhì)，例如硬盤、軟盤和磁帶；光學(xué)介質(zhì)，例如CD-ROM和全息裝置；磁光介質(zhì)，例如光磁軟盤；和專門設(shè)置以存儲和執(zhí)行程序代碼的硬件裝置，例如專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)和ROM和RAM裝置。計(jì)算機(jī)代碼的示例包括例如由編譯器產(chǎn)生的機(jī)器碼和包含使用解譯器通過計(jì)算機(jī)執(zhí)行的更高級代碼的文件。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)也可以是通過以載波體現(xiàn)的計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)信號傳輸和表示通過處理器執(zhí)行的指令序列的機(jī)算計(jì)代碼。
在這個示例中，在電介質(zhì)層的蝕刻之前，底部抗反時涂層(BARC)210形成開口。如圖2B所示，BARC210的開口將光致抗蝕劑掩模的厚度減小到殘留的光致抗蝕劑掩模厚度218。光致抗蝕劑掩?？梢跃哂行∮?000的殘留掩模厚度。在這個示例中，BARC開口經(jīng)受在室300中保持100mTorr的壓力的工藝。在27MHz200瓦的電源和在2MHz 0瓦的電源被提供。100sccm CF4的BARC開口氣體被提供。BARC開口工藝持續(xù)49秒。圖5A是在BARC已經(jīng)被開口后和在主蝕刻之前在光致抗蝕劑掩模和BARC層504下設(shè)置的電介質(zhì)層的截面圖。光致抗蝕劑和BARC具有大約182nm的光致抗蝕劑和BARC厚度508。
然后從氣體源310提供包括CF4和H2的蝕刻氣體(步驟108)。在這個示例中，蝕刻氣體提供60sccm CF4、70sccm H2和300sccm Ar的流量。從蝕刻氣體產(chǎn)生等離子體(步驟112)。在這個示例中，室的壓力維持在80mTorr。600瓦提供在27MHz，200瓦提供在2MHz。從蝕刻氣體形成的等離子體用于在電介質(zhì)層208中蝕刻特征(步驟116)。這個工藝維持60秒以蝕刻2681特征深度。這個示例不會產(chǎn)生光致抗蝕劑的損失，而是在電介質(zhì)層中蝕刻特征的同時，添加聚合物到光致抗蝕劑，，其由此提供電介質(zhì)到無限制的光致抗蝕劑蝕刻選擇性。圖2C是在完成在電介質(zhì)層208中蝕刻特征222之后，晶片204的截面圖。應(yīng)當(dāng)注意組合的殘留光致抗蝕劑掩模和在蝕刻期間添加的聚合物的厚度220大于在蝕刻前的殘留的光致抗蝕劑掩模厚度218。圖5B是在主蝕刻以后，使用上述蝕刻參數(shù)在光致抗蝕劑掩模和BARC層504下設(shè)置的電介質(zhì)層的截面圖。光致抗蝕劑和BARC具有大約229nm的光致抗蝕劑和BARC厚度512。因此，添加的聚合物在蝕刻工藝期間增加了光致抗蝕劑的厚度。
然后剝離光致抗蝕劑掩模。
可以使用這樣的創(chuàng)造性工藝以提供無限的選擇性。本發(fā)明的工藝能夠在蝕刻時增加光致抗蝕劑的厚度。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，可以使用其它的有機(jī)層作為蝕刻掩模代替193nm或更高代的光致抗蝕劑掩模。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在蝕刻前的殘留有機(jī)層或光致抗蝕劑層可以小于2000。更優(yōu)選地，在蝕刻前的殘留有機(jī)層或光致抗蝕劑層小于1000。最優(yōu)選地，在蝕刻前的殘留有機(jī)層或光致抗蝕劑層小于500。通過允許使用更高代的光致抗蝕劑的更薄的光致抗蝕劑掩模，可以減小臨界尺寸，這是因?yàn)楦叽墓庵驴刮g劑的更薄的光致抗蝕劑掩模提供更高的分辨率。
優(yōu)選H2的流速大于CF4的流速。更優(yōu)選地H2(x)的流速大于CF4(y)的流速并且小于CF4流速的五倍(5y)，因此5y＞x＞y。更優(yōu)選地，H2(x)的流速在CF4的流速的五倍(5y)和CF4的流速的三倍(3y)之間，或在CF4的流速的兩倍(2y)和CF4的流速(y)之間，因此5y＞x＞3y或2y＞x＞y。
對于60sccm CF4的流速，優(yōu)選H2的流速在60sccm和120sccm之間，提供H2對CF4的流速比為約1∶1到2∶1之間。最優(yōu)選的流速是80sccm H2。對于35sccm CF4的流速，優(yōu)選H2的流速在100到175sccm H2之間，提供H2對CF4的流速比在約3∶1到5∶1之間。其它最優(yōu)選的流速為120sccm H2。
對于蝕刻低K電介質(zhì)，上述方法可以外加使用N2氣體?？梢约拥缴鲜龇椒ǖ腘2的優(yōu)選流速是5sccm到40sccm N2。最優(yōu)選的流速是約20sccm N2。
在使用N2的方法的示例中，在主蝕刻期間，在室內(nèi)保持90mTorr的壓力。主要包括40sccm CF4、50sccm H2、20sccm N2和100sccm Ar的蝕刻氣體被提供到室中。在27MHz提供800瓦，在2MHz提供400瓦。該方法提供掩模厚度增加、并且不會發(fā)現(xiàn)條紋(側(cè)壁聚合物沉積)和特征具有非常垂直的輪廓的蝕刻。
優(yōu)選更高頻電源(即27MHz電源)的功率范圍是在200W-1500W之間，對于更低頻的電源(即2MHz電源)的功率范圍在0W-1000W之間。更優(yōu)選對于更高頻電源的功率范圍在500W-1200W之間，對于更低頻的電源在200W-800W之間。最優(yōu)選對于更高頻電源的功率范圍在800W-1000W之間，對于更低頻的電源在300W-600W之間。使用上述蝕刻低k的功率范圍的方法的另一示例提供90mTorr的壓力，具有1000W的高頻功率和400W的低頻功率。
在不被理論束縛的情況下，應(yīng)該相信CF4是為每個碳原子的蝕刻提供四個氟原子的強(qiáng)蝕刻劑。作為結(jié)果，添加H2以保護(hù)光致抗蝕劑。應(yīng)該相信這樣的組合會導(dǎo)致蝕刻停止。意外地發(fā)現(xiàn)這樣的組合不會導(dǎo)致蝕刻停止。
在其它實(shí)施例中，當(dāng)?shù)蚹電介質(zhì)被蝕刻時，N2可以以5-40sccm之間的流速添加到蝕刻氣體中。應(yīng)該相信N2提供在用于有機(jī)硅酸鹽玻璃(OSG)例如珊瑚(由CA、San Jose的Novellus制造，黑金剛石，由CA、Santa Clara的Applied Material制造)和Aurora(由東京的ASM Japan KK制造)的低k電介質(zhì)蝕刻期間清除碳的蝕刻氣體，其導(dǎo)致較少聚合物的形成。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的工藝提供高于1微米每分鐘的蝕刻率。本發(fā)明的蝕刻工藝已經(jīng)發(fā)現(xiàn)提供高達(dá)約13微米每分鐘的蝕刻率。以更高的功率甚至可以得到更高的蝕刻率。
太快的蝕刻率可能太難以控制?？梢蕴砑託逡詼p緩蝕刻率。這允許通過控制氬的流量來更多的控制蝕刻率。
優(yōu)選使用本發(fā)明蝕刻氣體的蝕刻時間大于10秒。更優(yōu)選的該蝕刻時間大于20秒。
意外地發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的工藝減少條紋。相信由于該工藝不僅僅沉積在PR上，而且也沉積側(cè)壁聚合物的薄層，因此條紋得以減少。相信側(cè)壁聚合物用于減少條紋的形成。
本發(fā)明可以用于各種應(yīng)用，例如通孔的形成、溝槽的形成、和氮化硅硬掩模的開口。硬掩模可以在低k電介質(zhì)之上。本發(fā)明工藝因此可以允許將薄的光致抗蝕劑掩模用于對硬掩模開口和蝕刻電介質(zhì)層，特別是低k電介質(zhì)層。
盡管根據(jù)幾個優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是存在落入本發(fā)明范圍內(nèi)的修改、置換和各種替換等效物。也應(yīng)當(dāng)理解存在很多替換方式來實(shí)施本發(fā)明的方法和設(shè)備。因此下面所附的權(quán)利要求被解釋為包括所有這樣的修改、置換和各種替換等效物，只要它們落入在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于在光致抗蝕劑掩模下蝕刻電介質(zhì)層的方法，包括提供具有在光致抗蝕劑掩模下設(shè)置的電介質(zhì)層的晶片到蝕刻室內(nèi)；提供包括CF4和H2的蝕刻氣體到蝕刻室內(nèi)，其中CF4具有流速并且H2具有流速，其中H2的流速大于CF4的流速；從蝕刻氣體形成等離子體；和使用從蝕刻氣體形成的等離子體通過蝕刻掩模蝕刻特征到電介質(zhì)層中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中光致抗蝕劑掩模在蝕刻特征前具有小于2000的厚度。
3.如權(quán)利要求1-2的任意一個所述的方法，光致抗蝕劑不大于193nm代的光致抗蝕劑。
4.如權(quán)利要求1-3的任意一個所述的方法，其中蝕刻特征到電介質(zhì)層在蝕刻期間在光致抗蝕劑掩模上添加聚合物，以使得掩模的厚度增加以便相對于光致抗蝕劑掩模為蝕刻電介質(zhì)層提供無限的蝕刻選擇性。
5.如權(quán)利要求1-4的任意一個所述的方法，其中H2的流速小于CF4流速的五倍。
6.如權(quán)利要求1-5的任意一個所述的方法，其中光致抗蝕劑掩模在蝕刻特征之前具有小于500的厚度。
7.如權(quán)利要求1-6的任意一個所述的方法，其中H2的流速大于CF4流速的三倍。
8.如權(quán)利要求1-7的任意一個所述的方法，其中蝕刻氣體進(jìn)一步包括N2。
9.如權(quán)利要求1-8的任意一個所述的方法，其中電介質(zhì)層是低k電介質(zhì)層。
10.如權(quán)利要求8-9的任意一個所述的方法，其中N2具有5-40sccm之間的流速。
11.如權(quán)利要求1-10的任意一個所述的方法，其中蝕刻提供大于1微米每分鐘的蝕刻速度。
12.如權(quán)利要求1-11的任意一個所述的方法，其中蝕刻氣體進(jìn)一步包括氬。
13.如權(quán)利要求1-12的任意一個所述的方法，其中蝕刻特征進(jìn)行超過20秒鐘。
14.如權(quán)利要求1-13的任意一個所述的方法，其中H2的流速小于CF4流速的二倍。
15.如權(quán)利要求1-14的任意一個所述的方法，其中蝕刻特征到電介質(zhì)層進(jìn)一步沉積聚合物到特征的側(cè)壁上，其減少條紋。
16.一種由權(quán)利要求1-15的任意一個的方法形成的半導(dǎo)體器件。
17.一種用于實(shí)施權(quán)利要求1-15的任意一個的方法的設(shè)備。
18.一種用于在有機(jī)材料掩模下蝕刻蝕刻層的方法，包括提供具有在有機(jī)材料掩模下設(shè)置的蝕刻層的晶片到蝕刻室內(nèi)；提供包括CF4和H2的蝕刻氣體到蝕刻室內(nèi)，其中CF4具有流速并且H2具有流速，其中H2的流速大于CF4的流速；從蝕刻氣體形成等離子體；和使用從蝕刻氣體形成的等離子體通過有機(jī)材料掩模蝕刻特征到蝕刻層中。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中有機(jī)材料掩模在蝕刻特征前具有小于2000的厚度。
20.如權(quán)利要求18-19的任意一個所述的方法，其中蝕刻特征到蝕刻層在蝕刻期間在有機(jī)材料掩模上添加聚合物，以使得掩模的厚度增加以便相對于有機(jī)材料掩模為蝕刻蝕刻層提供無限的蝕刻選擇性。
21.如權(quán)利要求18-20的任意一個所述的方法，其中H2的流速小于CF4流速的五倍。
22.如權(quán)利要求18-21的任意一個所述的方法，其中有機(jī)材料掩模在蝕刻特征之前具有小于500的厚度。
23.如權(quán)利要求18-22的任意一個所述的方法，其中H2的流速大于CF4流速的三倍。
24.如權(quán)利要求18-23的任意一個所述的方法，其中蝕刻氣體進(jìn)一步包括N2。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中N2具有5-40sccm之間的流速。
26.如權(quán)利要求18-25的任意一個所述的方法，其中電介質(zhì)層是低k電介質(zhì)層。
27.如權(quán)利要求18-26的任意一個所述的方法，其中蝕刻提供大于1微米每分鐘的蝕刻率。
28.如權(quán)利要求18-27的任意一個所述的方法，其中蝕刻特征進(jìn)行超過20秒鐘。
29.如權(quán)利要求18-28的任意一個所述的方法，其中H2的流速小于CF4流速的二倍。
30.如權(quán)利要求18-29的任意一個所述的方法，其中蝕刻特征到電介質(zhì)層進(jìn)一步沉積聚合物到特征的側(cè)壁上，其減少條紋。
全文摘要
提供一種用于在光致抗蝕劑掩模下蝕刻電介質(zhì)層的方法。提供具有在光致抗蝕劑掩模下設(shè)置的電介質(zhì)層的晶片到蝕刻室內(nèi)。提供包括CF
文檔編號H01L21/02GK101027760SQ200580023927
公開日2007年8月29日 申請日期2005年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月16日
發(fā)明者S·S·康, Z·黃, S·M·R·薩德賈迪 申請人:蘭姆研究有限公司