專利名稱：半導體器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機EL(電致發(fā)光electroluminescence)元件、發(fā)光二極管或電容元件等半導體元件的密封結構。
背景技術：
有機EL面板(panel)具備主要包含有機材料的發(fā)光層的有機EL元件，由于當有機EL元件暴露于水分、氧等環(huán)境下則劣化，因此應該與外界空氣隔斷，覆蓋整個有機EL元件形成密封的保護膜(鈍化膜)。為了提高密封性能，上述保護膜一般是細密的，包含對于雜質的透過阻止性能高的膜。
當在該保護膜上有裂縫或針孔等缺陷時，則通過該缺陷透過的水分或氧等雜質促進元件構成材料的氧化等，使有機EL元件劣化。由于這種劣化導致發(fā)光面中的黑點(不發(fā)光點)的發(fā)生及其擴大、元件的短壽命化以及成品率降低，因此如何防止保護膜缺陷的發(fā)生以及當缺陷發(fā)生時如何修補該缺陷是重要的問題。為解決這樣的問題的密封技術已經(jīng)在例如專利文獻1(日本特開2002-134270號公報)、專利文獻2(日本特開2002-164164號公報)、專利文獻3(日本特開平6-96858號公報)、專利文獻4(日本特開平10-312883號公報)、專利文獻5(日本特開2002-260846號公報)以及專利文獻6(日本特開2002-329720號公報)中揭示。
另外，檢測出在制造工序中發(fā)生的保護膜缺陷的技術，對于為了實現(xiàn)成品率的提高而修補缺陷也是重要的。雖然可以用目視或圖像處理檢測產(chǎn)生在保護膜上的缺陷，但目視或圖像處理很難正確地檢測出非預期的缺陷或不在保護膜表面上顯現(xiàn)的缺陷等，在檢測精度上有限制。
鑒于以上等狀況，本發(fā)明的主要目的是提供一種半導體器件及其制造方法，該半導體器件具有高精度地檢測出產(chǎn)生在密封有機EL元件等半導體元件的保護膜上的缺陷的密封結構。

發(fā)明內容
為了達到上述目的，本發(fā)明的半導體器件，具備基板、形成在上述基板上的半導體元件、以及密封上述半導體元件的保護膜，其特征在于具備與上述保護膜的背面相接的第1導電層、與上述保護膜的表面相接的第2導電層。
另外，本發(fā)明的檢測出密封形成在基板上的半導體元件的保護膜的缺陷的半導體器件的制造方法，特征在于具備以下工序(a)形成第1導電層的工序、(b)在上述第1導電層上形成覆蓋上述半導體元件的保護膜的工序、(c)在上述保護膜上形成第2導電層的工序、(d)測定上述第1導電層和上述第2導電層之間的電傳導，根據(jù)該測定結果檢測出上述保護膜的缺陷的工序。


圖1是概略地表示本發(fā)明的第1實施例的有機EL面板的剖面圖。
圖2是概略地表示構成有機EL元件的有機功能層的一個例子的剖面圖。
圖3是概略地表示第1實施例的有機EL面板的剖面圖。
圖4是概略地表示保護膜的缺陷被修補的有機EL面板的剖面圖。
圖5是概略地表示本發(fā)明的第2實施例的有機EL面板的平面圖。
圖6是概略地表示第2實施例的有機EL面板的平面圖。
圖7A以及圖7B是說明第2實施例的缺陷檢測處理的曲線圖。
圖8是概略地表示本發(fā)明的第3實施例的有機EL面板的平面圖。
圖9是概略地表示第3實施例的有機EL面板的平面圖。
圖10是概略地表示本發(fā)明的第4實施例的有機EL面板的剖面圖。
圖11是概略地表示第4實施例的有機EL面板的平面圖。
圖12是概略地表示保護膜的缺陷被修補的有機EL面板的剖面圖。
具催實施方式以下，對本發(fā)明的各種實施例進行說明。
1.第1實施例圖1是概略地表示本發(fā)明的第1實施例的有機EL面板(半導體器件)1的剖面圖。該有機EL面板1具備絕緣基板10和形成在該絕緣基板10上的由第1電極層11、有機功能層12、以及第2電極層13構成的有機EL元件(半導體元件)14。作為絕緣基板10例如能夠使用玻璃基板、或者以聚碳酸酯等為基材的可撓性的塑料基板。
另外，在有機EL元件14上按照電絕緣性的絕緣膜15、第1導電層16、保護膜(鈍化膜)17、以及第2導電層18的順序層疊它們構成有機EL面板1。第1導電層16被形成為與保護膜17的背面(內側的面)相接，第2導電層18被形成為與保護膜17的表面(外側的面)相接。
保護膜17由阻止水分或氧等雜質向有機EL元件14中滲透的單層或者多層的膜構成，夾在第1導電層16和第2導電層18之間，且形成與第1導電層16、第2導電層18之間電絕緣。作為保護膜17的構成材料可列舉例如氧化硅(SiO2)等金屬氧化物、氮化硅等金屬氮化物、氮氧化硅(SiON)等金屬氮氧化物、或者聚酰亞胺類樹脂等有機絕緣材料。能夠通過真空蒸鍍法、旋轉涂敷法、濺射法、等離子體CVD(Chemical Vapor Deposition，化學蒸鍍)法、激光CVD法、熱CVD法、離子鍍法、或者旋轉涂敷法等制造方法，淀積這樣的膜材料形成保護膜17。
特別地，為了提高和第1導電層16的密合性，形成針孔少的保護膜17，最好采用離子鍍法或CVD法。另外，為了均勻地且以一定厚度形成針孔少且致密的膜，最好使用聚對二甲苯、聚一氯對二甲苯、聚二氯對二甲苯、或者聚一溴對二甲苯等聚對位二甲苯類樹脂，通過CVD法形成保護膜17。
進一步，從提高防濕性能的角度看，保護膜17最好包含具有氧化鈣、氧化鋇等堿金屬氧化物、或者具有異氰酸酯基的有機物等水分吸收膜。
作為第1導電層16和第2導電層18的構成材料，可列舉從鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、鈀(Pd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)以及鎳(Ni)等金屬材料中選擇出的一種或者兩種以上構成的合金，或者ITO(氧化銦錫，Indium Tin Oxide)、IZO(氧化銦鋅，Indium Zinc Oxide)或氧化錫等透明導電材料，或者聚噻吩或聚苯胺等導電性高分子材料。特別地，從精度良好地實行下述保護膜17的缺陷檢測的角度看，最好選擇具有高導電率的金屬材料或透明導電材料。
如圖1所示，第1導電層16延長到有機EL元件14的形成區(qū)域外的絕緣基板10的周邊部上，該周邊部上的第1導電層16與第1電極端子19A接連且電連接。該第1電極端子19A具有缺陷檢測用的金屬制探針(probe)20A能接觸的表面積。另外，第2導電層18延長到有機EL元件14的形成區(qū)域外的絕緣基板10的周邊部上，該周邊部上的第2導電層18與第1電極端子19B接連且電連接。該電極端子19B也具有缺陷檢測用的金屬制探針(probe)20B能接觸的表面積。第1以及第2探針20A、20B與實施缺陷檢測處理的檢測器21接連。對缺陷檢測處理以后說明。
絕緣膜15只要是將有機EL元件14與第1導電層16電絕緣的膜即可，對絕緣膜15的構成材料及其制造方法沒有特別限制。但是，在絕緣膜15的成膜工序中最好選擇對下方的元件結構帶來的損傷盡可能小的膜材料。另外，能夠通過濺射法、真空蒸鍍法、CVD法、旋轉涂敷法或絲網(wǎng)印刷法等制造方法形成絕緣膜15。
在圖中未明示構成有機EL元件14的第1電極層11和第2電極層13的電極圖形，第1電極層11和第2電極層13也可以相互正交地形成為帶狀。從空穴注入有機功能層12的角度看，第1電極層11最好由具有較大功函數(shù)的陽極材料構成。例如，通過在絕緣基板10上利用真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法或汽相成膜法等淀積ITO(氧化銦錫，Indium Tin Oxide)、IZO(氧化銦鋅，Indium Zinc Oxide)、或氧化錫等導電性金屬氧化物的陽極材料，以抗蝕劑為掩模構圖，能形成第1電極層11。另外，從電子注入有機功能層12的角度看，第2電極層13最好由具有較小功函數(shù)且化學性比較穩(wěn)定的陰極材料構成。例如，通過在有機功能層12上利用真空蒸鍍法等成膜MgAg合金、鎂、鋁或鋁合金等陰極材料并進行構圖，能形成第2電極層13。
而且，在本實施例中，分別說明了第1電極層11作為向有機功能層12注入空穴的陽極，第2電極層13作為向有機功能層12注入電子的陰極，但取而代之，也可以第1電極層11作為陰極，第2電極層13作為陽極。
其次，圖2是概略地表示有機功能層12的一個例子的剖面圖。參照圖2，在絕緣基板10上的第1電極層11上，按照空穴注入層30、空穴傳輸層31、發(fā)光層32以及電子注入層33的順序層疊它們構成有機功能層12。在電子注入層33上形成第2電極層13。當通過來自外部的電壓，空穴從第1電極層11被注入，電子從第2電極層13被注入時，空穴和電子在有機功能層12中移動，以規(guī)定的概率在發(fā)光層32中再結合(復合)。再結合的能量通過構成發(fā)光層32的有機分子的單重激發(fā)態(tài)以及三重激發(fā)態(tài)中兩者之一或兩者釋放，發(fā)出熒光或磷光、或者熒光和磷光兩種。作為空穴注入層30以及空穴傳輸層31的構成材料，能夠采用銅酞菁以及TPD(三苯胺的二聚體)、或者聚噻吩以及聚苯胺。另外，作為構成發(fā)光層32的發(fā)光材料，可列舉Alq3(喹啉醇鋁衍生物)、BAlq1(喹啉醇鋁衍生物)、DPVBi(二苯乙烯基芳烯衍生物)、EM2(惡二唑衍生物)、BMA-nT(低聚噻吩衍生物，n是正整數(shù))等。然后，作為電子注入層33的構成材料可列舉Li2O(氧化鋰)等。
而且，上述有機功能層12是4層元件，但取而代之，有機功能層12也可以只是由發(fā)光層32構成的單層元件，或者由發(fā)光層32、空穴傳輸層31、空穴注入層30構成的3層元件。
另外，圖1所示的構成要素以外，有機EL面板1也可以包含未圖示的隔斷有機EL元件14的多個隔膜、以及包含TFT(薄膜晶體管)和電容器等的驅動電路的構成要素。
對具有以上構成的有機EL面板1的制造方法的步驟進行如下概要地說明。
參照圖1，首先，通過在絕緣基板10上順序地形成第1電極層11、有機功能層12以及第2電極層13，在絕緣基板10上的元件形成區(qū)域形成有機EL元件14。接著，在有機EL元件14上使用金屬氮化膜等絕緣材料形成絕緣膜15。
其后，以覆蓋有機EL元件14以及絕緣膜15的方式，通過蒸鍍法或濺射法等淀積鋁等金屬材料并進行構圖。其結果，形成電極端子19A和第1導電層16。接著，以覆蓋第1導電層16的方式，通過CVD法，用淀積氮化硅等絕緣材料形成保護膜17。進一步，以覆蓋該保護膜17的方式，通過蒸鍍法或濺射法等淀積鋁等金屬材料并進行構圖，形成第2導電層18和電極端子19B。
其后，實施保護膜17的缺陷檢測處理。具體地，如圖1所示，使一個探針20A接觸電極端子19A，使另一個探針20B接觸電極端子19B。這樣的狀態(tài)下，檢測器21給予電極端子19A、19B電位差，測定電極端子19A、19B之間的電阻率等電傳導，根據(jù)該測定結果檢測保護膜17的缺陷。如圖3所示當保護膜17上有缺陷40時，第1導電層16和第2導電層18經(jīng)由該缺陷40電導通，另一方面，如圖1所示當保護膜17上無缺陷時，第1導電層16和第2導電層18幾乎無電導通，兩層間的電傳導度低，兩層間的電阻率高。因而，當檢測器21判斷在電極端子19A、19B之間產(chǎn)生電傳導時，判定保護膜17上有缺陷，另一方面，當判斷在電極端子19A、19B之間不產(chǎn)生電傳導時，判定保護膜17上無缺陷。例如，當測定的電阻率超過預先設定的值時，則能夠判定保護膜17上無針孔等缺陷，當上述電阻率在設定的值以下時，則能夠判定保護膜17上有缺陷。該缺陷有無的判定結果被顯示在LED等顯示器上。
通過這樣的缺陷檢測處理，可以高精度地檢測保護膜17上的缺陷。另外，通過在有機EL面板1的制造工序中加入上述缺陷檢測處理，能夠早期地發(fā)現(xiàn)不良品，因此可以提供可靠性高的有機EL面板1。
當通過上述缺陷檢測處理檢測出保護膜17的缺陷時，在接下來的修補工序中，至少使缺陷部位附近的第2導電層18的凹凸狀的表面平坦化后，在缺陷部位附近的第2導電層18上淀積阻擋性高的絕緣材料，成膜如圖4所示的修補層(patch layer)41。具體地，通過利用CVD法等干處理形成聚對二甲苯等樹脂膜，或是利用濕處理涂敷光固化性或熱固化性的樹脂并使其固化，來平坦化缺陷部位附近的凹凸狀的表面，其后，能夠在該平坦化的表面上淀積氮化硅等阻擋性高的絕緣材料。
而且，也可以跨越整個有機EL面板1的元件形成區(qū)域來形成上述修補層41，或者，也可以以僅局部地覆蓋缺陷部位附近的第2導電層18的表面來形成修補層41的膜。例如，能夠在真空蒸鍍法或濺射法等成膜工序中，在有機EL面板1的前面配有設置了孔或噴嘴的遮蔽板，以該遮蔽板為掩模(mask)，只在缺陷部位附近的區(qū)域局部地淀積膜材料。
通過上述修補工序，能夠提供如圖4所示的修補了保護膜17的缺陷40的有機EL面板1A，因此成品率提高，能提供預防有機EL元件的劣化且壽命長的有機EL面板1。
而且，形成上述修補層41后，為了進一步提高密封性能和加強機械的強度，也可以設置密封整個有機EL面板1A的密封部件。具體地，也可以在惰性氣體的環(huán)境下，以帶著干燥劑的金屬制材料為密封部件，通過紫外線固化性樹脂等粘接劑與絕緣基板10接合。
2.第2實施例接著，對本發(fā)明的第2實施例進行說明。圖5是概略地表示第2實施例的有機EL面板(半導體器件)1的平面圖。在圖5中，被賦予了與圖1所示符號相同的構成要素，與上述第1實施例的構成要素結構相同、且用相同制造方法制造，因此省略其詳細說明。
參照圖5，在絕緣基板10上的元件形成區(qū)域形成有機EL元件14(未圖示)，順序地成膜第1導電層16、保護膜17以及第2導電層18以覆蓋整個該元件形成區(qū)域。在元件形成區(qū)域外的絕緣基板10的一個周邊部上，一個電極端子19A在沿著該周邊部的X方向上形成為帶狀，在元件形成區(qū)域外的絕緣基板10的另一個周邊部上，另一個電極端子19B在沿著該周邊部的Y方向，即正交于X方向的方向上形成為帶狀。
當測定第1導電層16和第2導電層18之間的電傳導時，如圖6所示，首先，使一個探針20A接觸電極端子19A表面的測定點P1。接著，使另一個探針20B接觸電極端子19B的表面的同時，使探針20B從電極端子19B的一端向另一端朝Y方向掃描。在該探針20B掃描的期間，檢測器21測定表示探針20A和20B之間的電傳導的量(例如，電阻率)關于Y方向的分布，且將其記錄在內部存儲器(未圖示)中。接著，對新測定點P2重復實施以上的測定處理。
其后，對全部的測定點P1，P2，…，PN(N為2以上的正整數(shù))的測定處理結束后，檢測器21讀出存儲在內部存儲器中的電傳導的分布并分析它們，檢測出保護膜17的缺陷并且確定缺陷部位。圖7A以及圖7B是分別概要地表示對某測定點PK(K是1～N的整數(shù))的電阻率的分布曲線的一個例子的曲線圖。對于測定點PK，當保護膜17上無缺陷時，如圖7A的曲線圖所示，電阻率的分布具有大體上固定的值，另一方面，對于測定點PK，當保護膜17上有一個缺陷時，如圖7B的曲線圖所示，電阻率的分布在對應于缺陷部位的位置YD上形成峰值。檢測器21通過在測定的電傳導分布中，檢測出圖7所示的峰值等異常，能夠檢測出保護膜17的缺陷。
另外，如圖6所示，在保護膜17上存在缺陷40時，由于對應于2個探針20A，20B的位置，在測定的電傳導分布上出現(xiàn)圖7所示的異常，因此檢測器21可以確定該缺陷40的位置。其后，通過至少在該缺陷部位附近的第2導電層18的表面上局部地成膜修補層41，來修補缺陷40。
如上所述，在第2實施例中，由于能夠確定保護膜17的缺陷部位，因此根據(jù)保護膜17中的缺陷的位置以及個數(shù)，可以迅速且容易地判斷修補層41的成膜范圍或有無修補。
3.第3實施例接著，對本發(fā)明的第3實施例進行說明。圖8是概略地表示第3實施例的有機EL面板(半導體器件)2的平面圖。在圖8中，被賦予了與圖1所示符號相同的構成要素，與上述第1實施例的構成要素結構相同、且用相同制造方法制造，因此省略其詳細說明。
參照圖8，在絕緣基板10上的元件形成區(qū)域形成有機EL元件14(未圖示)，順序地成膜第1導電層16、保護膜17以及第2導電層18以覆蓋整個該元件形成區(qū)域。第1導電層16以及第2導電層18相互交叉地形成為帶狀(strip)。第1導電層16由在沿著絕緣基板10的一個周邊部的X方向上以規(guī)定間隔排列且在垂直于X方向的Y方向延伸的多個帶狀導電片161，162，…，16M構成，第2導電層18由在沿著絕緣基板10的另一個周邊部的Y方向上以規(guī)定間隔排列且在X方向延伸的多個帶狀導電片181，182，…，18N構成。
另外，在元件形成區(qū)域外的絕緣基板10的一個周邊部上形成連續(xù)地與第1導電層16連接的電極端子19A，在另一個周邊部上形成連續(xù)地與第2導電層18連接的電極端子19B。一個電極端子19A由在沿著絕緣基板10的一個周邊部的X方向上排列的多個電極片19A1，19A2，…，19AM構成，電極片19A1，19A2，…，19AM分別與帶狀導電片161，162，…，16M接連。另一個電極端子19B由在沿著另一個周邊部的Y方向上排列的多個電極片19B1，19B2，…，19BN構成，電極片19B1，19B2，…，19BN分別與帶狀導電片181，182，…，18N接連。
當測定第1導電層16和第2導電層18之間的電傳導時，如圖9所示，首先，使一個探針20A接觸電極片19A1的表面。接著，在使另一個探針20B接觸電極片19B1的表面的狀態(tài)下，檢測器21測定表示探針20A和20B之間的電傳導的量(例如，電阻率)且把它與探針20A，20B的位置相關聯(lián)地記錄在內部存儲器(未圖示)中。接著，使另一個探針20B電極片19B2的表面移動并接觸。在這樣的狀態(tài)下，測定表示的電傳導的量且把它與探針20A，20B的位置相關聯(lián)地記錄在上述內部存儲器中。這樣，測定在X方向上排列的電極片19A1，19A2，…，19AM和在Y方向上排列的電極片19B1，19B2，…，19BN的全部組合M×N個的電傳導，并在內部存儲器中存儲該測定結果。
其后，檢測器21讀出存儲在內部存儲器的M×N個測定量并分析它們，檢測出保護膜17的缺陷并且確定缺陷部位。具體地，當保護膜17上有缺陷40時，由于在該缺陷部位交叉2個電極片19AP，19BQ(P是1～M的整數(shù)；Q是1～N的整數(shù))導電，或是兩個電極片19AP，19BQ之間的電阻率變低，因此當從測定量檢測出這樣的情況下，檢測器21能夠判定在2個電極片19AP，19BQ的交叉的區(qū)域上包含保護膜17的缺陷40，并確定缺陷部位。檢測出保護膜17的缺陷40后，至少在該缺陷部位附近的第2導電層18的表面上通過局部地形成修補層41來修補缺陷40。
如上所述，在第3實施例中與上述第2實施例相同，由于能夠確定保護膜17的缺陷部位，因此根據(jù)保護膜17中缺陷的位置以及個數(shù)，可以迅速且容易地決定修補層41的成膜范圍或有無修補。另外，與第2實施例相比，可以更容易地確定缺陷部位。
4.第4實施例接著，對本發(fā)明的第4實施例進行說明。圖10是概略地表示第4實施例的有機EL面板(半導體器件)3的剖面圖。在圖10中，被賦予了與圖1所示符號相同的構成要素，與上述第1實施例的構成要素結構相同、且用相同制造方法制造，因此省略其詳細說明。
該有機EL面板3具備絕緣基板10和由在該絕緣基板10上形成的第1電極層11、有機功能層12、以及第2電極層13A構成的有機EL元件(半導體元件)14A。第2電極層13A形成有機EL元件14A的最外層。進一步，有機EL面板3在有機EL元件14A上順序地形成保護膜(鈍化膜)17和導電層18。
保護膜17被形成為夾在第2電極層13A和導電層18之間，且與第2電極層13A、導電層18之間電絕緣。這樣，在缺陷檢測中使用有機EL元件14A的第2電極層13A，這一點，本實施例的結構與上述第1實施例的結構不同。
如圖10所示，第2電極層13A延長到有機EL元件14A的形成區(qū)域外的絕緣基板10的周邊部上，該周邊部上的第2電極層13A與第1電極端子50A接連且電連接。該電極端子50A具有檢測用的探針20A能接觸的表面積。另外，導電層18延長到有機EL元件14A的形成區(qū)域外的絕緣基板10的另一個周邊部上，該周邊部上的導電層18與第2電極端子50B接連且電連接。該電極端子50B具有檢測用的探針20B能接觸的表面積。
圖11是概略地表示上述有機EL面板3的平面圖。參照圖11，在絕緣基板10上的元件形成區(qū)域形成有機EL元件14A(未圖示)，沿著絕緣基板10的表面，第2電極層13A形成為帶狀并構成帶狀的導電膜13A1，13A2，…，13AM。這些導電膜13A1，13A2，…，13AM分別地延伸到絕緣基板10的周邊部上與多個電極片50A1，50A2，…，50AM接連。第1電極端子50A由這些電極片50A1，50A2，…，50AM構成。另外，在電極端子50A上順序地形成保護膜17以及導電層18。
而且，在圖11所示的例中，導電層18跨越整個元件形成區(qū)域連續(xù)地形成。取而代之，導電層18也可以與帶狀的導電膜13A1，13A2，…，13AM交叉地形成為帶狀。另外，在圖11所示的例中第2電極層13A形成為帶狀，但取而代之，第2電極層13A也可以跨越整個元件形成區(qū)域連續(xù)地形成。
對具有以上構成的有機EL面板3的制造方法的步驟進行如下概要說明。
參照圖10，首先，在絕緣基板10上順序地成膜第1電極層11以及有機功能層12，接著，在有機功能層12上淀積導電材料并構圖，成膜電極端子50A和導電層18。其后，淀積氮化硅等絕緣材料形成保護膜17以覆蓋第1導電層16。進一步，以覆蓋該保護膜17的方式，通過蒸鍍法或濺射法等淀積鋁等金屬材料并構圖，成膜導電層18和電極端子50B。
其后，實施測定第2電極層13A和電極端子50A之間的電傳導且分析它們的缺陷檢測處理，但由于該缺陷檢測處理方法與上述第1～第3實施例的缺陷檢測法大致相同，故省略其詳細說明。
當如圖12所示在保護膜17上有缺陷51時，檢測器21對與電極端子50A相接觸的探針20A和與電極端子50B相接觸的探針20B之間的電阻率等，檢測出異常。這樣的情況下，在接下來的修補工序中，以至少覆蓋缺陷部位附近的導電層18的表面的方式，在導電層18上淀積金屬氮化物等絕緣材料來成膜修補層(補丁層)52。其結果，如圖12所示，能夠提供修補了保護膜17的缺陷51的有機EL面板3A。
而且，形成上述修補層52后，為了進一步提高密封性能和加強機械的強度，也可以設置密封整個有機EL面板3A的密封部件。具體地，也可以在惰性氣體的環(huán)境下，以帶著干燥劑的金屬制材料為密封部件，通過紫外線固化性樹脂等粘接劑與絕緣基板10結合。
通過以上說明，在第4實施例中，由于檢測將構成有機EL元件14A的第2電極層13A兼用作保護膜17的缺陷，因此可以提供空間效率高的有機EL面板，由于減少制造工序數(shù)，故可以抑制制造成本。
以上對本發(fā)明的第1～第4的實施例進行了說明。上述的各實施例的密封結構以及制造方法不僅可以適用于有機EL元件，也可以適用于激光二極管或電容元件等需要保護膜的所有半導體元件。
權利要求
1.一種半導體器件，具備基板、形成在上述基板上的半導體元件、以及密封上述半導體元件的保護膜，其特征在于具備與上述保護膜的背面相接的第1導電層；以及與上述保護膜的表面相接的第2導電層。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還具備形成在上述半導體元件上的電絕緣性的絕緣膜，上述第1導電層形成在上述絕緣膜上。
3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，上述半導體元件包含形成最外層的電極層，作為上述第1導電層。
4.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，上述第1導電層以及上述第2導電層中的至少一方形成為帶狀。
5.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，上述第1導電層以及上述第2導電層相互交叉地形成為帶狀。
6.如權利要求1至5中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，具備與上述第1導電層連接的第1電極端子和與上述第2導電層連接的第2電極端子。
7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，上述第1以及第2電極端子設置在上述半導體元件的形成區(qū)域外的上述基板的周邊部上。
8.如權利要求6或7所述的半導體器件，其特征在于，上述第1電極端子以及上述第2電極端子中的至少一方，由沿著上述基板的周邊部以規(guī)定間隔排列的多個電極片構成。
9.如權利要求1至權利要求8中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，上述半導體元件由電致發(fā)光元件構成。
10.一種檢測對在基板上形成的半導體元件進行密封的保護膜的缺陷的半導體器件的制造方法，其特征在于具備以下工序，(a)形成第1導電層的工序；(b)在上述第1導電層上形成覆蓋上述半導體元件的保護膜的工序；(c)在上述保護膜上形成第2導電層的工序；以及(d)測定上述第1導電層和上述第2導電層之間的電傳導，根據(jù)該測定結果檢測出上述保護膜的缺陷的工序。
11.如權利要求10所述半導體器件的制造方法，其特征在于，還具備在上述工序(d)中檢測出上述保護膜的缺陷后，至少形成對上述保護膜的缺陷部位附近的上述第2導電層的表面進行覆蓋的修補層的工序。
12.如權利要求10或11所述半導體器件的制造方法，其特征在于，還具備在上述半導體元件上形成電絕緣性的絕緣膜的工序，在上述工序(a)中，上述第1導電層形成在上述絕緣膜上。
13.如權利要求10或11所述半導體器件的制造方法，其特征在于，上述半導體元件包含形成最外層的電極層，作為上述第1導電層。
14.如權利要求10至13中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在上述工序(a)中，上述第1導電層形成為帶狀。
15.如權利要求10至14中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在上述工序(c)中，上述第2導電層形成為帶狀。
16.如權利要求10至13中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在上述工序(a)以及(c)中，包括將上述第1導電層以及上述第2導電層相互交叉地形成為帶狀的工序。
17.如權利要求10至16中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，上述工序(a)包含形成與上述第1導電層連接的第1電極端子的工序，上述工序(c)包含形成與上述第2導電層連接的第2電極端子的工序。
18.如權利要求17所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，上述工序(d)包含在使第1探針接觸上述第1電極端子以及上述第2電極端子中的一方的表面，而使第2探針邊接觸上述第1電極端子以及上述第2電極端子中的另一方的表面邊掃描時，測定上述第1以及第2探針間的電傳導，根據(jù)該測定結果確定上述保護膜的缺陷部位的工序。
19.如權利要求17所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，上述工序(d)包含在使第1探針接觸上述第1電極端子以及上述第2電極端子中的一方的表面，而使第2探針順序接觸上述第1電極端子以及上述第2電極端子中的另一方的表面上的規(guī)定的多個點時，測定上述第1以及第2探針間的電傳導，根據(jù)該測定結果確定上述保護膜的缺陷部位的工序。
20.如權利要求17至19中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在上述工序(a)以及(c)中，上述第1以及第2電極端子分別設置在上述半導體元件的形成區(qū)域外的上述基板的周邊部上。
21.如權利要求17至20中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，上述工序(a)包含沿著上述基板的周邊部以規(guī)定間隔排列地形成多個電極片，作為上述第1電極端子的工序。
22.如權利要求17至21中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，上述工序(c)包含沿著上述基板的周邊部以規(guī)定間隔排列地形成多個電極片，作為上述第2電極端子的工序。
23.如權利要求10至22中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，上述半導體元件由電致發(fā)光元件構成。
全文摘要
本發(fā)明提供具有能高精度地檢測出保護膜上生成的缺陷的密封結構的半導體器件及其制造方法。半導體器件(1)具有基板(10)、基板上形成的半導體元件(14)和密封半導體元件(14)的保護膜(17)，而且具有與保護膜(17)的背面相接的第1導電層(16)和與保護膜(17)的表面相接的第2導電層(18)。
文檔編號H01L23/58GK1934700SQ20058000886
公開日2007年3月21日 申請日期2005年1月19日 優(yōu)先權日2004年1月21日
發(fā)明者永山健一 申請人:先鋒株式會社