專利名稱：電路裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路裝置及其制造方法，特別是要求散熱性能的電路裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
參照圖10說明現(xiàn)有的混合集成電路裝置的結(jié)構(gòu)(例如特開平6-177295號公報(第4頁、圖1))。圖10(A)是混合集成電路裝置100的立體圖，圖10(B)是圖10(A)的X-X′線剖面圖。
現(xiàn)有的混合集成電路裝置100具有下面的結(jié)構(gòu)，即，由下述的結(jié)構(gòu)構(gòu)成混合集成電路裝置100矩形的基板106、設(shè)于基板106的表面的絕緣層107、形成在該絕緣層107上的導(dǎo)電圖案108、固著在導(dǎo)電圖案108上的電路元件104，電氣連接導(dǎo)電圖案104和導(dǎo)電圖案108的金屬細(xì)線105、與導(dǎo)電圖案108電氣連接的引線101。混合集成電路裝置100整體由密封樹脂102密封。
但是，在上述這樣的混合集成電路裝置100中，由于在絕緣層107的表面形成電氣回路，所以電路元件104和基板106由絕緣層107熱分離。因此，從電路元件104散出的熱的散熱性能存在問題。通過薄化該絕緣層107，可提高散熱性能，但是為確保耐壓性能有必要使絕緣層107形成為規(guī)定厚度以上。具體地，絕緣層107的厚度有必要是數(shù)百μm左右。另一方面，為提高絕緣層107自身的熱阻，填充了無機(jī)填充劑，但是借助絕緣層107散熱是有限的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而研發(fā)的，其目的在于提供一種能夠確保規(guī)定的耐壓性能并且散熱性能優(yōu)越的電路裝置及其制造方法。
本發(fā)明的電路裝置具有電路基板、在電路基板的表面的絕緣層、形成在所述絕緣層表面的導(dǎo)電圖案和與該導(dǎo)電圖案電氣連接的電路元件，局部突出并埋入所述絕緣層的突出部設(shè)于所述電路基板上。
優(yōu)選地，上述電路裝置中，所述突出部和所述導(dǎo)電圖案直接接觸。
優(yōu)選地，上述電路裝置中，所述突出部和所述導(dǎo)電圖案間設(shè)有所述絕緣層。
優(yōu)選地，上述電路裝置中，與配有所述電路元件的所述導(dǎo)電圖案的下方對應(yīng)的所述電路基板的表面設(shè)有所述突出部。
優(yōu)選地，上述電路裝置中，所述電路基板由以銅為主體的金屬構(gòu)成。
優(yōu)選地，上述電路裝置中，所述第一導(dǎo)電圖案上連接第一電路元件，所述突出部設(shè)為柱狀。
優(yōu)選地，上述電路裝置中，作為所述電路元件采用背面不具有端子的半導(dǎo)體元件，與固著有所述半導(dǎo)體元件的所述導(dǎo)電圖案的下方對應(yīng)的區(qū)域的所述電路基板的表面設(shè)有所述突出部，使固著有所述半導(dǎo)體元件的所述導(dǎo)電圖案和所述突出部直接接觸。
優(yōu)選地，上述電路裝置中，在位于所述突出部的上方的所述導(dǎo)電圖案的背面設(shè)置凸部，將所述凸部埋入所述絕緣層。
本發(fā)明的電路裝置的制造方法中，該電路裝置是在電路基板的表面隔有絕緣層而形成由導(dǎo)電圖案和電路元件構(gòu)成的電氣回路的電路裝置，該方法中，局部突出的突出部設(shè)于所述電路基板的表面，所述突出部埋入所述絕緣層。
本發(fā)明的電路裝置的制造方法具有如下工序在電路基板的表面設(shè)置局部突出的突出部的工序；隔有覆蓋所述電路基板的表面的絕緣層而在所述電路基板上粘接導(dǎo)電箔以將突出部埋入的工序；通過構(gòu)圖所述導(dǎo)電箔來形成導(dǎo)電圖案的工序；將所述導(dǎo)電圖案和電路元件電氣連接的工序。
優(yōu)選地，上述制造方法中，通過蝕刻形成所述突出部。
優(yōu)選地，上述制造方法中，所述突出部形成為柱狀。
優(yōu)選地，上述制造方法中，所述突出部的上面形成為平坦面，在所述突出部和所述導(dǎo)電圖案間設(shè)在所述絕緣層。
優(yōu)選地，上述制造方法中，所述突出部的側(cè)面形成為曲面。
根據(jù)本發(fā)明，通過將設(shè)于電路基板上的突出部埋入絕緣層，形成在絕緣層的表面上的導(dǎo)電圖案和電路基板間的距離可局部被縮短。所以，由于絕緣層而使熱阻降低，所以能夠提高散熱性。另外，通過使突出部與導(dǎo)電圖案的背面接觸，從而能夠飛速提高散熱效果。另外，導(dǎo)電圖案和突出部之間存在構(gòu)成絕緣層的樹脂的狀態(tài)下兩者靠近，可確保絕緣性的同時使兩者接近。另外，突出部形成為柱狀，從而可容易地將突出部埋入絕緣層。


圖1(A)是本發(fā)明的混合集成電路裝置的立體圖，圖1(B)是本發(fā)明的混合集成電路裝置的剖面圖；圖2是本發(fā)明的混合集成電路裝置的立體圖；圖3(A)是本發(fā)明的昆合集成電路裝置的剖面圖，圖3(B)是本發(fā)明的混合集成電路裝置的剖面圖，圖3(C)是本發(fā)明的混合集成電路裝置的剖面圖；圖4(A)是本發(fā)明的混合集成電路裝置的剖面圖，圖4(B)是本發(fā)明的混合集成電路裝置的剖面圖，4(C)是本發(fā)明的混合集成電路裝置的剖面圖；圖5(A)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，圖5(B)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，5(C)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，5(D)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，5(E)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖；圖6(A)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，圖6(B)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，6(C)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，6(D)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，6(E)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，6(F)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖；圖7(A)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，圖7(B)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，7(C)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，7(D)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，7(E)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖；圖8(A)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖，圖8(B)是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖；圖9是說明本發(fā)明的混合集成電路裝置的制造方法的剖面圖；圖10(A)是說明現(xiàn)有的混合集成電路裝置的立體圖，10(B)是說明現(xiàn)有的混合集成電路裝置的剖面圖。
具體實施例方式
參照圖1說明本發(fā)明的混合集成電路裝置10的結(jié)構(gòu)。圖1(A)是混合集成電路裝置10的立體圖，圖1(B)是圖1(A)的X-X′線剖面圖。
電路基板16從散熱的意義上講優(yōu)選由金屬或陶瓷等構(gòu)成的基板。另外，作為電路基板16的材料，金屬可以采用Al、Cu或Fe等，陶瓷可以采用Al2O3、AlN。此外也可以采用機(jī)械強(qiáng)度和散熱性優(yōu)良的材料作為電路基板16。例如采用由Al構(gòu)成的基板作為電路基板16的情況下，將電路基板16和形成在其表面上的導(dǎo)電圖案18絕緣的方法有兩個。一個是對鋁基板的表面進(jìn)行氧化鋁處理的方法。另一個是鋁基板的表面電路基板16的表面形成絕緣層17，在絕緣層17的表面形成導(dǎo)電圖案18的方法。另外，本實施例中，作為電路基板16的材料采用以銅為主體的金屬是合適的。由于銅導(dǎo)熱性優(yōu)良，所以能夠提高裝置整體的散熱性。在此，采用銅為電路基板16的材料的情況下，絕緣層17是必要的構(gòu)成要素。
突出部25是使電路基板16的表面部分地向上方突出的部分，埋入絕緣層17。突出部25的上面和導(dǎo)電圖案18的背面距離比其他區(qū)域的電路基板16的表面和導(dǎo)電圖案18的背面接近。因此，形成突出部25的區(qū)域由于絕緣層17而熱阻小，所以能夠隔著電路基板16積極地散熱。另外，突出部25的上端部可與導(dǎo)電圖案18的背面接觸，也可以不接觸。突出部25的形狀在后面詳述。另外，伴隨半導(dǎo)體元件14A等的發(fā)熱的元件的下方對應(yīng)的區(qū)域設(shè)置突出部25上合適的。通過該結(jié)構(gòu)，能夠有效地將半導(dǎo)體元件14A產(chǎn)生的熱排出外部。
電路元件14固著在導(dǎo)電圖案18上，電路元件14和導(dǎo)電圖案18構(gòu)成規(guī)定的電氣回路。作為電路元件14采用晶體管和二極管等有源元件、電容、電阻等無源元件。另外，功率類的半導(dǎo)體元件等的散熱量大的，也可以經(jīng)由由金屬構(gòu)成的散熱片固著在電路基板16上。在此，以正面朝上安裝的有源元件等經(jīng)由金屬細(xì)線15而與導(dǎo)電圖案18電氣連接。
作為第一電路元件14A的具體例子，例如LSI芯片、電容、電阻等。LSI芯片中Si芯片背面由GND或浮點區(qū)別出粘接劑。GND的情況下，電路元件14由焊料或?qū)щ姼喙讨?，另外，與接合區(qū)的連接因正裝或倒裝，采用金屬細(xì)線，或焊料等。另外，作為半導(dǎo)體元件14A可采用控制大電流的功率類的晶體管例如功率MOS(Metal-Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極晶體管)、晶閘管等。另外功率類IC也適合。近年來，由于芯片也是尺寸變小、薄型化、高功能化，所以產(chǎn)生的熱量增大。例如控制計算機(jī)的CPU等就是一例。
導(dǎo)電圖案18由銅等金屬構(gòu)成，與基板16絕緣形成。另外，引線11導(dǎo)出的一邊形成由導(dǎo)電圖案18構(gòu)成的焊盤。引線除了如所說明在一邊側(cè)導(dǎo)出，也可以是至少從一邊側(cè)導(dǎo)出的。另外，導(dǎo)電圖案18以絕緣層17為粘接劑粘接在電路基板16的表面。
絕緣層17形成在電路基板16的整個表面上，具有使導(dǎo)電圖案18的背面和電路基板16的表面粘接的功能。另外，絕緣層17是將氧化鋁等無機(jī)填充劑高度填充在樹脂中而得的，熱傳遞性優(yōu)良。導(dǎo)電圖案18的下端和電路基板16的表面間的距離可因其耐壓而厚度變化，但是最好大體是從50μm到數(shù)百μm左右以上。
引線11固著在設(shè)于電路基板16的周邊部上的焊盤上，具有例如與外部進(jìn)行輸入輸出的功能。在此，在一邊上設(shè)有多個引線11。引線11和焊盤間的粘接介由焊料(焊錫)等導(dǎo)電性粘接劑進(jìn)行。
密封樹脂12由采用熱固性樹脂的傳遞模制或采用熱塑性樹脂的注入模制形成。在此形成密封電路基板16及其表面形成的電氣回路的密封樹脂12，電路基板16的背面從密封樹脂12露出。另外，模制的密封以外的密封方法也可適用于本實施例的混合集成電路裝置，例如可適用利用樹脂的接合的密封、殼材料的密封、等公知的密封方法。參照圖1(B)，為使從搭載在電路基板16的表面上的電路元件14產(chǎn)生的熱適宜地排出外部，電路基板16的背面從密封樹脂12露出外部。另外，為提高裝置整體的耐濕性，也可包括電路基板16的背面地由密封樹脂12密封整體。
參照圖2的立體圖，說明電路基體16的表面上形成的導(dǎo)電圖案18的具體的形狀的一例。該圖中，省略密封整體的樹脂。
參照該圖，導(dǎo)電圖案18形成有安裝電路元件14的接合焊盤的部分、固著引線11的焊盤18A、連結(jié)各焊盤的配線部等。本實施例中，可在半導(dǎo)體元件14A的下方所對應(yīng)的區(qū)域的電路基板16上形成突起部25。另外，如果其他的電路元件14的散熱性成為問題，也可在與其他的元件的下方對應(yīng)的區(qū)域的電路基板16的表面上形成突起部25。
參照圖3，詳細(xì)說明設(shè)有突出部25的部位。圖3(A)～(C)，表示突起部25的形狀。
參照圖3(A)，突出部25形成在與半導(dǎo)體元件14A對應(yīng)的區(qū)域的、電路基板16的表面。并且，突出部25的上端部和導(dǎo)電圖案18的背面離開。另外，突出部25和導(dǎo)電圖案18間存在形成絕緣層17的樹脂。即，導(dǎo)電圖案18和電路基板16不導(dǎo)通。由該結(jié)構(gòu)，從半導(dǎo)體元件14A產(chǎn)生的熱經(jīng)突出部25散出外部，同時能夠確保搭載半導(dǎo)體元件14A的導(dǎo)電圖案18和電路基板16間的絕緣。在此，作為半導(dǎo)體元件14A可采用背面具有電極的元件。具體地，在背面具有漏極的功率晶體管可用作半導(dǎo)體元件14A。突出部25的上面形成平坦面，從而能夠抑制突出部25和導(dǎo)電圖案18接觸。
突出部25的上端部和導(dǎo)電圖案18的背面間的距離優(yōu)選在能夠確保耐壓性的范圍內(nèi)接近。另外，使兩者的距離比絕緣層17所含的填充劑大，從而在突出部25和導(dǎo)電圖案18間存在填充劑，而能夠提高散熱性。
參照圖3(B)，突出部25的最上部抵接在搭載有半導(dǎo)體元件14A的上部的導(dǎo)電圖案18的背面。突出部25直接與搭載在上部的導(dǎo)電圖案18的背面，從而從半導(dǎo)體元件14A產(chǎn)生的熱能夠進(jìn)一步積極地排出外部。這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，背面不具有電極的半導(dǎo)體元件可作為半導(dǎo)體元件14A采用。進(jìn)而也可隔著突出部25將電路基板16與接地電位連接。另外，同圖所示的狀態(tài)下，通過隔著絕緣性的粘接性進(jìn)行半導(dǎo)體元件14A的固著，也可使半導(dǎo)體元件14A和電路基板16絕緣。
參照圖3(C)，形成多個柱狀的突出部25，使突出部25的上端部和導(dǎo)電圖案18的背面直接接觸。在此，各突出部25具有上端被切掉的圓錐狀的形狀。該形狀可通過采用蝕刻劑的濕蝕刻來得到。進(jìn)而，在一個導(dǎo)電圖案18的下方形成有多個突出部25。這樣，通過將突出部25形成為柱狀，從而能夠容易地將突出部25埋入絕緣層。另外突出部25的上端部和導(dǎo)電圖案18的接觸能夠可靠進(jìn)行。
參照圖4，詳細(xì)說明設(shè)有突出部25的部位。參照圖4(A)～(C)，各實施例的突起部25和導(dǎo)電圖案18的相關(guān)結(jié)構(gòu)。這些圖中，在搭載半導(dǎo)體元件14A的導(dǎo)電圖案18的背面設(shè)有凸部22。
參照圖4(A)，在搭載半導(dǎo)體元件14A的導(dǎo)電圖案18上形成向下方突出埋入絕緣層17的凸部22。在對應(yīng)凸部22的位置的電路基板16的表面上形成有突出部25。并且，通過使凸部22和突出部25接近，從而從半導(dǎo)體元件14A產(chǎn)生的熱能夠有效地排出外部。
對導(dǎo)電圖案18局部地埋入絕緣層17的優(yōu)點進(jìn)行說明。首先，導(dǎo)電圖案18的下面接近電路基板16的表面，所以裝置內(nèi)部產(chǎn)生的熱可隔著導(dǎo)電圖案18和絕緣層17排出外部。本實施例中，使用高度填充填充劑的絕緣層17。另外，為提高散熱性，在確保耐壓性的范圍內(nèi)使絕緣層17薄的比較好。因此，通過將導(dǎo)電圖案18部分地埋入絕緣層17的結(jié)構(gòu)，能夠縮短第導(dǎo)電圖案18和電路基板16間的距離。這有助于提高裝置整體的散熱性。
進(jìn)而，將導(dǎo)電圖案18埋入絕緣層17，能夠增大導(dǎo)電圖案18的背面和絕緣層17接觸的面積。因此，能夠進(jìn)一步提高散熱性。背面的凸部例如若是立方體，則實質(zhì)上除了上面以外的四面與絕緣層17抵接。這樣能夠提高散熱性，所以也能夠?qū)崿F(xiàn)省略散熱片的結(jié)構(gòu)。另外，導(dǎo)電圖案18部分地埋入絕緣層17，從而能夠提高兩者的粘接性。因此，導(dǎo)電圖案18的剝離強(qiáng)度能夠提高。由于其他區(qū)域的導(dǎo)電圖案18不埋入絕緣層17，所以能夠確保電路基板16的距離長，能夠抑制大的寄生電容的生產(chǎn)。因此，即使高頻電氣信號通過導(dǎo)電圖案18，也能夠防止寄生電容產(chǎn)生的信號的劣化等。
參照圖4(B)，在此，凸部22的下面和突出部25的上面直接抵接。因此，搭載半導(dǎo)體元件14A的導(dǎo)電圖案18與電路基板16導(dǎo)通。由于導(dǎo)電圖案18上設(shè)有凸部22，從而可減小突出部25突出的量。
參照圖4(C)，在此，形成柱狀的突出部25，突出部25的上端部與凸部22的下面抵接。
下面，參照圖5及其以后的

上述的混合集成電路裝置的制造方法。首先，參照圖5說明圖3(A)和圖3(B)所示的具有剖面形狀的導(dǎo)電圖案18的制造方法。
參照圖5(A)準(zhǔn)備電路基板16，在其表面構(gòu)圖抗蝕劑21。作為電路基板16的材料可采用以銅為主材料的、Fe-Ni或以Al為主材料的材料。為對表面形成的圖案進(jìn)行機(jī)械性的支承，電路基板16的厚度在1～2mm左右的范圍內(nèi)選擇。另外，作為電路基板16的材料采用銅的情況下，由于銅是導(dǎo)熱性極其優(yōu)良的材料，所以能夠提高散熱的效果。在此，抗蝕劑21覆蓋規(guī)定形成突出部25的區(qū)域的電路基板16的表面。
參照圖4(B)，其次，以抗蝕劑21為蝕刻掩模進(jìn)行濕蝕刻。由該蝕刻對不由抗蝕劑21覆蓋的區(qū)域的電路基板16的表面進(jìn)行蝕刻。并且，抗蝕劑21覆蓋的區(qū)域形成作為突出部25向上方突出的形狀。具體地，突出部25突出的高度是數(shù)十μm～數(shù)百微米左右。本工序結(jié)束后將抗蝕劑21剝離。
參照圖5(C)和5(D)，隔著絕緣層17將電路基板16和導(dǎo)電箔20粘接。具體地，將導(dǎo)電箔20粘接在電路基板16上以使突出部25埋入絕緣層17。該粘接以真空沖壓進(jìn)行，則能夠防止因?qū)щ姴?0和絕緣層17間的空氣導(dǎo)致出現(xiàn)的空腔。另外，各向同性蝕刻形成的突出部25的側(cè)面成為平滑的曲面。因此，導(dǎo)電箔20壓入絕緣層17時，沿該曲面有樹脂侵入，未填充部分消失。因此，通過這樣的突出部25的側(cè)面形狀也能夠抑制空腔的產(chǎn)生。另外，通過將突出部25埋入絕緣層17能夠提高電路基板16和絕緣層17的粘接強(qiáng)度。
另外，參照圖5(E)和圖5(F)，其次，隔著抗蝕劑21進(jìn)行蝕刻，從而形成導(dǎo)電圖案18。該蝕刻結(jié)束后剝離抗蝕劑21。
參照圖6說明圖3(C)所示的結(jié)構(gòu)的制造方法。在此的導(dǎo)電圖案18的形成方法與參照圖5所說明的形成方法基本相同，所以以不同的地方為中心進(jìn)行說明。
首先，參照圖6(A)和6(B)，通過對電路基板16的表面由抗蝕劑21覆蓋后再進(jìn)行蝕刻，從而形成突出部25。在此，離散性地形成抗蝕劑21而進(jìn)行蝕刻，從而在形成多個柱狀的突出部25。另外，由蝕刻形成的各個突出部25的側(cè)面是彎曲面。
其次，參照圖6(C)，隔著絕緣層將電路基板16和導(dǎo)電箔20密接。本實施例中，突出部25形成柱狀，所以存在容易將突出部25埋入絕緣層17的優(yōu)點。另外，各突出部25的上面的面積小，所以容易貫通絕緣層17，能夠使突出部25的上端部接觸導(dǎo)電箔20的背面。但是，突出部25的上端部也可以以不接觸導(dǎo)電箔20的背面的程度埋入突出部25。
參照圖6(E)和6(F)，在導(dǎo)電箔20的表面涂敷抗蝕劑21后進(jìn)行抗蝕劑21的構(gòu)圖以形成導(dǎo)電圖案18。并且通過進(jìn)行蝕刻得到各導(dǎo)電圖案18。
參照圖7，說明圖4所示的結(jié)構(gòu)的混合集成電路裝置的制造方法。
首先，參照圖7(A)和7(B)，電路基板16的表面部分地由抗蝕劑21覆蓋后，通過進(jìn)行蝕刻而形成突出部25。
其次，參照圖7(C)和7(D)，隔著絕緣層17使導(dǎo)電箔20和電路基板16密接。在此，導(dǎo)電箔20的下面形成凸部22，以該凸部22埋入絕緣層17的方式使導(dǎo)電箔20與電路基板16密接。在此，設(shè)有凸部22的位置與設(shè)于電路基板16上的突出部25對應(yīng)。進(jìn)行密接后，導(dǎo)電箔20的凸部22和突出部25可以不接觸。另外，這種情況下，凸部22的突出量和突出部25的突出量之和與絕緣層17的厚度相等是合適的。另外，凸部22的下端和突出部25的上端可以離開絕緣。
其次，參照圖7(E)和7(F)，在導(dǎo)電箔20的表面構(gòu)圖抗蝕劑21形成所希望的圖案后進(jìn)行蝕刻。由此，形成導(dǎo)電圖案18。
下面詳細(xì)說明進(jìn)行導(dǎo)電圖案18的構(gòu)圖后的工序。
參照圖8(A)，首先，隔著焊錫和導(dǎo)電膏等將電路元件14固著在導(dǎo)電圖案(島區(qū)域)18。在此，形成一個混合集成電路裝置的多個單元24形成在一張電路基板16上，可一并地進(jìn)行小片接合和引線接合。在此有源元件是倒裝的，但也可根據(jù)需要進(jìn)行倒裝。另外，伴隨發(fā)熱的電路元件14A固著在下方形成突出部25的導(dǎo)電圖案18上。半導(dǎo)體元件14A的背面與外部導(dǎo)通的情況下，可隔著導(dǎo)電性的粘接劑進(jìn)行半導(dǎo)體元件14A的固著。另外，半導(dǎo)體元件14A的背面不與外部導(dǎo)通的情況下，隔著絕緣性的粘接劑進(jìn)行半導(dǎo)體元件14A的固著。
參照圖8(B)，隔著金屬細(xì)線15進(jìn)行半導(dǎo)體元件14A和導(dǎo)電圖案18的電連接。
上述工序結(jié)束后，進(jìn)行各單元24的分離。各單元的分離可通過采用沖壓機(jī)的沖切、劃線、折曲等實現(xiàn)。之后各單元的電路基板16上固著引線11。
參照圖9，進(jìn)行各電路基板16的樹脂密封。在此，利用采用熱固性樹脂的傳遞模制進(jìn)行密封。即，上模型30A和下模型30B構(gòu)成的模型30收納電路基板16后，通過將兩模型抵接，而固定引線11。并且，通過將型腔31內(nèi)封入樹脂，從而進(jìn)行樹脂密封的工序。以上的工序中，制得圖1所示的混合集成電路裝置。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置，其特征在于，具有電路基板、形成在電路基板的表面的絕緣層、形成在所述絕緣層表面的導(dǎo)電圖案和與該導(dǎo)電圖案電氣連接的電路元件，局部突出并埋入所述絕緣層的突出部設(shè)于所述電路基板的表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述突出部和所述導(dǎo)電圖案直接接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述突出部和所述導(dǎo)電圖案間設(shè)有所述絕緣層。
4.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，與配有所述電路元件的所述導(dǎo)電圖案的下方對應(yīng)的所述電路基板的表面設(shè)有所述突出部。
5.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述電路基板由以銅為主體的金屬構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述突出部設(shè)置為柱狀。
7.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，作為所述電路元件采用背面不具有端子的半導(dǎo)體元件，與固著有所述半導(dǎo)體元件的所述導(dǎo)電圖案的下方對應(yīng)的區(qū)域的所述電路基板的表面設(shè)有所述突出部，使固著有所述半導(dǎo)體元件的所述導(dǎo)電圖案和所述突出部直接接觸。
8.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在位于所述突出部的上方的所述導(dǎo)電圖案的背面設(shè)置凸部，將所述凸部埋入所述絕緣層。
9.一種電路裝置的制造方法，該電路裝置是在電路基板的表面隔有絕緣層而形成由導(dǎo)電圖案和電路元件構(gòu)成的電氣回路的電路裝置，其特征在于，局部突出的突出部設(shè)于所述電路基板的表面，所述突出部埋入所述絕緣層。
10.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，具有如下工序在電路基板的表面設(shè)置局部突出的突出部的工序；隔有覆蓋所述電路基板的表面的絕緣層而在所述電路基板上粘接導(dǎo)電箔以將突出部埋入的工序；通過構(gòu)圖所述導(dǎo)電箔來形成導(dǎo)電圖案的工序；將所述導(dǎo)電圖案和電路元件電氣連接的工序。
11.如權(quán)利要求9或10所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，通過蝕刻形成所述突出部。
12.如權(quán)利要求9或10所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述突出部形成為柱狀。
13.如權(quán)利要求9或10所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述突出部的上面形成為平坦面，在所述突出部和所述導(dǎo)電圖案間設(shè)在所述絕緣層。
14.如權(quán)利要求9或10所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述突出部的側(cè)面形成為曲面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電路裝置及其制造方法，其散熱性優(yōu)良。該混合集成電路裝置(10)具有電路基板(16)、形成在電路基板(16)的表面上的絕緣層(17)、形成在絕緣層(17)的表面上的導(dǎo)電圖案(18)和與導(dǎo)電圖案(18)電氣連接的電路元件(14)，形成局部突出而埋入絕緣層(17)的突出部(25)設(shè)于電路基板(16)的表面上的結(jié)構(gòu)。因此，裝置內(nèi)部產(chǎn)生的熱能夠更加積極地經(jīng)由突出部(25)排出外部。
文檔編號H01L23/12GK1926928SQ20058000639
公開日2007年3月7日 申請日期2005年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者高草木貞道, 五十嵐優(yōu)助, 根津元一, 草部隆也 申請人:三洋電機(jī)株式會社