專利名稱：自發(fā)光面板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及自發(fā)光面板的制造方法。
背景技術：
以往，已有如下的自發(fā)光面板，該自發(fā)光面板具有自發(fā)光元件，具有對置的一對電極和被夾持在該一對電極間的發(fā)光層；支撐自發(fā)光元件的支撐基板；通過發(fā)光層與支撐基板對置的密封基材；以及密封材料，被設置在支撐基板和密封基材之間以將自發(fā)光元件密封，并在被填充于支撐基板和密封基材之間的狀態(tài)下使支撐基板與密封基材相粘合。
作為該種自發(fā)光面板的密封，例如有使用薄板(薄膜)狀的密封材料將自發(fā)光元件密封的密封方法。在該密封方法中，為了將自發(fā)光元件密封，在將薄板狀的密封材料粘合在支撐基板上之后，使粘合有密封材料的支撐基板與密封基材粘合成一體化。另外，也可以使粘合有密封材料的密封基材與支撐基板相粘合。
通過在自發(fā)光元件的密封中使用薄板(薄膜)狀的密封材料，與使用液體狀的樹脂將發(fā)光層密封的密封法(例如，參照專利文獻1。)的情況相比，可使工序簡化。在使用該薄板(薄膜)狀的密封材料的密封法中，使用例如由熱固性樹脂形成的密封材料，通過加熱該密封材料，使自發(fā)光元件和密封基材通過密封材料一體化。
專利文獻1特開2002-216950號公報然而，在使用薄板(薄膜)狀的密封材料來密封自發(fā)光元件的情況下，作為一例可列舉出如下的問題，即由于密封材料是保持薄板狀或薄膜狀這樣的固定形狀的固體，因而當密封材料或支撐基板的粘合面有凹凸時，在粘合的密封材料與支撐基板之間會產生氣泡。
并且，作為一例可列舉出如下的問題，即當在一體化時為了使密封材料固化而對其加熱時，形成密封材料的材料中含有的溶劑和水或反應生成氣體等氣化，在密封材料與支撐基板或自發(fā)光元件之間產生氣泡。將密封材料粘貼在密封基材上的情況也一樣，存在著在密封材料與支撐基板之間殘留有氣泡這樣的問題。并且，上述氣化后的溶劑、水、反應生成氣體等可能成為自發(fā)光元件的劣化因素等。
并且，作為一例可列舉出如下的問題，即當在密封材料與自發(fā)光元件之間產生這種氣泡時，氣泡內所含的溶劑和水分給發(fā)光層帶來不良影響，使自發(fā)光面板的發(fā)光性能下降。在將密封材料粘貼在密封基材上的情況下也同樣發(fā)生上述各種問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的第1方面的自發(fā)光面板的制造方法，該自發(fā)光面板具有支撐基板；自發(fā)光元件，其具有形成在支撐基板上的、相對置的一對電極以及被夾持在該一對電極間的發(fā)光層；密封基材，其通過前述自發(fā)光元件與前述支撐基板相對置；以及密封材料，其被設置在前述支撐基板與前述密封基材之間，將前述自發(fā)光元件密封，其特征在于，該自發(fā)光面板的制造方法包含第1粘合工序，將前述密封材料與前述支撐基板粘合，以便將前述自發(fā)光元件密封；第2粘合工序，在減壓狀態(tài)下將在前述第1粘合工序中粘合了前述密封材料的支撐基板與前述密封基材通過前述密封材料粘合；以及一體化工序，使在前述第2粘合工序中被粘合的前述支撐基板和前述密封基材通過前述密封材料而一體化。
本發(fā)明第2方面的自發(fā)光面板的制造方法，該自發(fā)光面板具有支撐基板；自發(fā)光元件，其具有形成在支撐基板上的、相對置的一對電極以及被夾持在該一對電極間的發(fā)光層；密封基材，其通過前述自發(fā)光元件與前述支撐基板對置；以及密封材料，其被設置在前述支撐基板與前述密封基材之間，將前述自發(fā)光元件密封，其特征在于，該自發(fā)光面板的制造方法包含第1粘合工序，將前述密封材料與前述密封基材粘合；第2粘合工序，在減壓狀態(tài)下將在前述第1粘合工序中粘合了前述密封材料的密封基材與前述支撐基板通過前述密封材料粘合，以便將前述自發(fā)光元件密封；以及一體化工序，使在前述第2粘合工序中被粘合的前述支撐基板與前述密封基材通過前述密封材料而一體化。


圖1是示出本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的結構的一例的側視圖。
圖2-1是示出本發(fā)明的實施方式的第1粘合工序的側視圖。
圖2-2是示出本發(fā)明的實施方式的第2粘合工序的側視圖。
圖2-3是示出本發(fā)明的實施方式的一體化工序的側視圖。
圖3-1是示出本發(fā)明的實施例的自發(fā)光元件形成工序的側視圖。
圖3-2是示出本發(fā)明的實施例的第1粘合工序的側視圖。
圖3-3是示出本發(fā)明的實施例的第2粘合工序的側視圖。
圖3-4是示出本發(fā)明的實施例的一體化工序的側視圖。
圖4是示出本實施例的自發(fā)光面板的制造方法可采用的多個工序的工序圖。
圖5-1是在使密封基材相對于支撐基板傾斜的狀態(tài)下進行粘合時的側視圖。
圖5-2是示出使密封基材與支撐基板粘合后的狀態(tài)的側視圖。
圖5-3是示出使密封基材與支撐基板粘合后的另一狀態(tài)的側視圖。
圖6是示出特定成分氣體量隨時間變化的圖表。
符號說明100自發(fā)光面板；101一對電極；102發(fā)光層；103自發(fā)光元件；104支撐基板；105密封基材；106密封材料。
具體實施例方式
以下參照附圖，對本發(fā)明的自發(fā)光面板的制造方法的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。
(實施方式)首先，對本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的結構進行說明。圖1是示出本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板的結構的一例的側視圖。如圖1所示，自發(fā)光面板100具有具有一對電極101(101a，101b)和發(fā)光層102的自發(fā)光元件103、支撐基板104、密封基材105、以及密封材料106。
自發(fā)光元件103由對置的一對電極101以及被夾持在一對電極101間的發(fā)光層102構成。一對電極101和發(fā)光層102被設置在支撐基板104上。一對電極101被設置成沿著支撐基板104的厚度方向相對置。因此，一對電極101和發(fā)光層102在沿著支撐基板104的厚度方向而層疊的狀態(tài)下被支撐基板104所支撐。與支撐基板104的自發(fā)光元件103側相對置來配置密封基材105。
密封材料106被設置在支撐基板104和密封基材105之間，將自發(fā)光元件103密封。例如，在使用有機EL(電致發(fā)光)元件作為自發(fā)光元件103的情況下，為了保護自發(fā)光元件103不受大氣中所含的氧氣或水分的影響，有必要將該自發(fā)光元件103密封以與大氣隔離。在本實施方式中，通過使用密封基材105和密封材料106，在整面上進行粘合，而將自發(fā)光元件103密封。
通過使用固體密封材料，與使用液體(難以保持形狀的物體)將自發(fā)光元件103密封的密封法相比，可使工序簡化。本實施方式的密封材料106形成為薄板(薄膜)狀。
下面，對本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板100的制造方法進行說明。省略了圖示，在制造自發(fā)光面板100時，首先在支撐基板104上形成一對電極101中的一個電極101a。在該電極101a上形成發(fā)光層102，在發(fā)光層102上形成一對電極101中的另一電極101b，從而形成自發(fā)光元件103。
圖2-1是示出本發(fā)明的實施方式的第1粘合工序的側視圖。如圖2-1所示，以從自發(fā)光元件103的上面覆蓋該自發(fā)光元件103的方式，使用層壓裝置(laminater)等將密封材料106與形成有自發(fā)光元件103的支撐基板104粘合。
圖2-2是示出本發(fā)明的實施方式的第2粘合工序的側視圖。如圖2-2所示，在第2粘合工序中，在減壓狀態(tài)下使在第1粘合工序中粘合了密封材料106的支撐基板104和密封基材105通過密封材料106粘合。在該第2粘合工序中，對支撐基板104和密封基材105在使它們密合的方向上加壓。并且，在第2粘合工序中，將支撐基板104和密封基材105保持成使得要相互粘合的面201、202平行且相對置。然后，在使相對置的面201、202接近的方向上將支撐基板104和密封基材105粘合。
圖2-3是示出本發(fā)明的實施方式的一體化工序的側視圖。如圖2-3所示，使在第2粘合工序中被粘合的支撐基板104和密封基材105通過密封材料106一體化。該一體化工序在減壓狀態(tài)下進行。這里所說的減壓狀態(tài)是包含真空狀態(tài)在內的10～10-6Pa范圍的氣壓狀態(tài)。通常，把約10～10-2Pa范圍的氣壓狀態(tài)稱為負壓狀態(tài)，把約10-2～10-6Pa范圍的氣壓狀態(tài)稱為真空狀態(tài)。并且，在從密封材料106所排出的特定氣體成分小于等于規(guī)定量以后，也可以從減壓狀態(tài)變?yōu)榇髿鈮?。該一體化工序在減壓狀態(tài)、被設定成大氣壓的惰性氣體中、或者被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中的任何一種中，或者在將其依次組合的環(huán)境下進行。而且，在一體化工序中，也可以對支撐基板104和密封基材105在使它們密合的方向上加壓。
這樣，根據上述制造方法，在第2粘合工序中，在真空下使粘合有密封材料106的支撐基板104和密封基材105通過密封材料106粘合，從而可實現工序的簡化。并且，可防止在密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。這樣，可防止由于密封材料106和密封基材105的粘接面積的下降所引起的粘接不良或光傳導效率的下降。
并且，根據上述制造方法，在第2粘合工序中，如果對支撐基板104和密封基材105在使它們密合的方向上加壓，則可使支撐基板104和密封基材105通過密封材料106更良好地密合。并且，在第2粘合工序中，在將支撐基板104和密封基材105保持成使得要相互粘合的面201、202平行且相對置、同時在使相對置的面201、202接近的方向上將支撐基板104和密封基材105粘合的情況下，不會在粘合途中使密封材料106發(fā)生變形。這樣，可防止由于密封材料106變形而在密封材料106的表面產生凹凸，可更可靠地防止在密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。
特別是在制造大型自發(fā)光面板100的情況下，在使密封基材105彎曲的方法中，由于密封基材105為大型，因而需要大規(guī)模的粘合用裝置，然而如上所述，根據將支撐基板104和密封基材105平行粘合的制造方法，不用使密封基材105彎曲即可將支撐基板104和密封基材105粘合，因而不需要這種大規(guī)模的粘合用裝置。
另外，在使密封基材105彎曲以進行粘合的方法中，在將自發(fā)光面板100大型化的情況下，使密封基材105彎曲本身就可能使密封基材105破損，然而根據上述制造方法，由于不使密封基材105彎曲即可進行，因而即使是例如大型電視機等那樣的大型自發(fā)光面板100，也能更可靠地防止在密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。另外，作為與粘合有關的方法，不限于將支撐基板104和密封基材105平行粘合的制造方法，可使用包括使密封基材105彎曲來制造自發(fā)光面板100的方法在內的公知的各種技術。
如以上說明那樣，根據本實施方式的自發(fā)光面板100的制造方法，當在減壓狀態(tài)下進行一體化工序時，可將在熱固化時從形成密封材料106的樹脂中產生的特定氣體成分從密封材料106和支撐基板104之間或從密封材料106和密封基材105之間向外部引出，因而能夠更可靠地防止在密封材料106和支撐基板104之間或在密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。
而且，在一體化工序中，在從密封材料106排出的特定氣體成分小于等于規(guī)定量以后、從減壓狀態(tài)變?yōu)榇髿鈮旱那闆r下，可把熱良好地傳遞給密封材料106。即，雖然在減壓狀態(tài)下必須使熱源與支撐基板104或密封基材105直接接觸，然而通過設定到大氣壓來對自發(fā)光面板100周圍的氣體(空氣或惰性氣體)進行加熱，從而能夠加熱密封材料106，能夠有效地進行加熱。而且，可防止為了加熱而過度消耗能量，可抑制制造成本上升。
另外，在本實施方式中，在減壓狀態(tài)下進行上述一體化工序，然而不限于此。例如，當在被設定成大氣壓的惰性氣體中進行一體化工序時，可防止在自發(fā)光元件103被完全密封前有氧氣和水等進入而使自發(fā)光元件103的發(fā)光性能下降。并且，在本實施方式中，在減壓狀態(tài)下進行一體化工序，然而不限于此，例如，當在被設定成負壓狀態(tài)的惰性氣體中進行一體化工序時，可將在熱固化時從形成密封材料106的樹脂中產生的特定氣體成分從密封材料106和支撐基板104之間或從密封材料106和密封基材105之間向外部引出，因而能夠更可靠地防止在密封材料106和支撐基板104之間或在密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。
另外，本發(fā)明不限于上述將薄板狀的密封材料106粘合在支撐基板104上后再粘合密封基材105的工序。也可以首先將薄板狀的密封材料106粘合在密封基材105上。即，也可以使用以下的制造方法來制造自發(fā)光而板100，該制造方法的特征在于，包含第1粘合工序，將薄板狀的密封材料106粘合在密封基材105上；第2粘合工序，在減壓狀態(tài)下使粘合了密封材料106的密封基材105和支撐基板104通過密封材料106粘合；以及一體化工序，使被粘合的支撐基板104和密封基材105通過密封材料106而一體化。
這樣，在第1粘合工序中將薄板狀的密封材料粘合在密封基材上，在第2粘合工序中在減壓狀態(tài)下使該密封基材和支撐基板通過密封材料粘合，從而可通過使用固體密封材料而實現工序的簡化，同時可防止在密封材料106與支撐基板和自發(fā)光元件103之間產生氣泡。這樣，可防止由于密封材料106與支撐基板和自發(fā)光元件103的粘接面積的下降所引起的粘接不良和光傳導效率的下降。
如以上所說明的那樣，根據本發(fā)明的實施方式的自發(fā)光面板100的制造方法，通過在減壓狀態(tài)下進行容易產生氣泡的第2粘合工序，可實現由使用固體密封材料所帶來的工序的簡化。并且，可防止在自發(fā)光元件103內產生氣泡。而且，可防止各部件與密封材料106的接合不良和由于氣泡的存在所引起的光傳導效率的下降。
實施例(自發(fā)光面板的結構)下面，對本發(fā)明的實施例的自發(fā)光面板的結構進行說明。另外，由于本發(fā)明的實施例的自發(fā)光面板的外觀結構與上述圖1所示的自發(fā)光面板相同，因而這里省略圖示，使用基于圖1的符號進行說明。
首先，對本實施例中的自發(fā)光面板100具有的自發(fā)光元件103進行說明。本實施例中的自發(fā)光面板100具有的自發(fā)光元件103可列舉出施加通過例如施加電壓而產生的電場能量，從而將所施加的電場能量以光的形式放出的EL(Electro Luminescence電致發(fā)光)元件等。EL元件有無機EL元件和有機EL元件，然而在本實施例中，示出以有機EL元件作為自發(fā)光元件103的例子。
有機EL元件有時也被稱作有機EL(OEL)裝置、有機發(fā)光二極管(OLED)裝置以及電場發(fā)光光源，而在本實施例中作為有機EL元件來進行說明。有機EL元件有使用高分子材料形成的有機EL元件和使用低分子材料形成的有機EL元件。以下，在本實施例中，作為一例，對把使用低分子材料形成的有機EL元件用作自發(fā)光元件103的例子進行說明。在本實施例中，把由一對電極101以及一對電極101間的發(fā)光層102構成的元件結構稱為“有機EL元件”。
一般，有機EL元件具有在陽極(空穴注入電極)和陰極(電子注入電極)之間夾持有機層的結構。這里所指的有機層包含發(fā)光層。在有機EL元件中，通過向兩電極施加電壓，使從陽極被注入和輸送到有機層內的空穴與從陰極被注入和輸送到有機層內的電子在有機層內(發(fā)光層)重新結合，獲得在該重新結合時所產生的光。目前，由于材料開發(fā)和制造工藝的開發(fā)進展等背景，在有機層使用低分子材料的裝置作為全色顯示器已實現了產品化，而在本實施例中，不限是低分子還是高分子。
有機EL元件采用將具有各種功能的多個層層疊的結構。作為有機EL元件中的各層的層疊結構，一般是按照“下部電極(陽極)/空穴注入層/空穴輸送層/有機EL發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/上部電極(陰極)”這樣的順序來層疊的結構。另外，在本實施例中，利用電極101a實現下部電極，利用電極101b實現上部電極。
有機EL元件中的各層均可以由單一有機材料形成，也可以通過使多種材料混合而形成(混合層)，還可以使有機類或無機類的功能材料分散在高分子粘合劑中而形成。另外，作為功能材料，可列舉有電荷輸送功能、發(fā)光功能、電荷阻擋(blocking)功能、光學功能等。
有機EL元件中的各層可以包含；具有用于當使用濺鍍法在發(fā)光層102的上側形成電極101b時使發(fā)光層102不受損壞的緩沖功能、以及用于防止由發(fā)光層102的成膜工藝所產生的發(fā)光層102表面凹凸的平坦化功能的層；用于保護有機EL元件的、例如SiN或SiON的無機膜等的保護層；以及由這些層構成的多個層。
除此之外，有機EL元件還有以下各種把位于發(fā)光層102的上側的電極作為陽極、并把位于發(fā)光層102的下側的電極作為陰極的有機EL元件；使用多個層構成發(fā)光層102的有機EL元件；將發(fā)光顏色不同的多個發(fā)光層102層疊的有機EL元件(SOLEDStacked(層疊)OLED)；使未作圖示的電荷產生層介于陰極和陽極之間的有機EL元件(多光子元件)；省略了空穴輸送層等層的有機EL元件或進行多個層疊的有機EL元件；僅僅有機層1層的元件結構的有機EL元件(使各功能層連續(xù)形成、消除了層的邊界的有機EL元件)等。另外，本發(fā)明不限定有機EL元件的結構。
下面，對密封基材105進行說明。密封基材105與支撐基板104的發(fā)光層102側相對置而配置。作為形成密封基材105的材料，可以使用碳酸鈉玻璃(soda glass)、鉛玻璃、硬質玻璃等玻璃基材、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)等塑料基材、鋁、不銹鋼等金屬基材等各種材料。形成密封基材105的材料可根據自發(fā)光元件103的結構來適當選擇適宜的材料。
例如，在自發(fā)光元件103是從與支撐基板104側相反的一側發(fā)出光的頂部發(fā)光(Top Emission)結構的有機EL元件的情況下，或者是從支撐基板104側以及其相反側這兩側發(fā)出光的TOLED結構的有機EL元件的情況下，優(yōu)選使用透明性高的材料作為形成密封基材105的材料，并且使得該密封基材的厚度是具有高透射率的厚度。相反，例如在自發(fā)光元件103是從支撐基板104側發(fā)出光的底部發(fā)光(Bottom Emission)結構的有機EL元件的情況下，也可以把欠缺透明性的金屬基材等用作形成密封基材105的材料。
下面，對密封材料106進行說明。密封材料106被設置在支撐基板104和密封基材105之間。密封材料106通過使樹脂形成為薄板(薄膜)狀而形成。密封材料106優(yōu)選表面沒有凹凸(或者少)且平坦性優(yōu)異。通過使用具有優(yōu)良平坦性的密封材料，在將密封材料106粘合在支撐基板104或密封基材105上時，可防止在與支撐基板104或密封基材105密合的密合面上，在支撐基板104或密封基材105與密封材料106之間混入氣泡。
優(yōu)選將密封材料106的厚度設定成使得殘存應力極小。例如，如果在形成密封材料106時殘留有許多內部應力，則隨著時間的推移，某一部分會伸長或收縮。在使用這種密封材料106的情況下，密封材料106使自發(fā)光元件(有機EL元件)103受到應力，可能會發(fā)生以下各種問題，即由于密封材料106隨著時間推移產生變化而使自發(fā)光面板100中的各層的層疊狀態(tài)崩潰，或者密封材料106與支撐基板104或密封基材105的密合性下降而發(fā)生密封不良。即，通過把密封材料106的厚度設定成使殘存應力極小的厚度，可避免這樣的問題。而且，決定該密封材料的厚度的其它因素，也可以是設定成使得例如殘留在該密封材料中的含水量被減少到極少的厚度。
作為形成密封材料106的樹脂，可列舉出例如以聚酯丙烯酸酯(polyester acrylate)、聚醚丙烯酸酯(polyether acrylate)、環(huán)氧丙烯酸酯(epoxy acrylate)、聚氨酯丙烯酸酯(polyurethane acrylate)等各種以丙烯酸酯為主成分的光游離基聚合性樹脂，以環(huán)氧、乙烯醚等的樹脂為主成分的光陽離子聚合性樹脂，硫醇鹽(チオ一ル·エン)附加型樹脂等光固化性樹脂，聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚醚砜(polyethersulphone)、多芳基化合物(polyarylate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚氨酯(polyurethane)、丙烯酸樹脂、聚丙烯腈(polyacrylonitrile)、聚乙烯醇縮醛(polyvinyl acetal)、聚酰胺、聚酰亞胺、二丙烯鄰苯二甲酸鹽(diacryl phthalate，ジアクリルフタレ一ト)樹脂、纖維素類塑料、聚醋酸乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等，這些中的2種或3種以上的共聚合物等的熱塑性樹脂或熱固性樹脂等。
形成密封材料106的樹脂只要是在自發(fā)光面板100的制造過程中不產生(或者產生量很少)導致劣化的氣體、以及幾乎不會因周圍溫度和時間的推移而發(fā)生變形/收縮/膨脹等變化的樹脂即可，不特別限定。然而，從與支撐基板104和密封基材105的密合性和接合性良好的方面來看，作為形成密封材料106的樹脂，優(yōu)選是通過加熱進行固化的熱固性樹脂。以下，在本實施例中，對使用由通過加熱進行固化的熱固性樹脂形成的密封材料106的情況進行說明。
(自發(fā)光面板的制造方法)下面，對本發(fā)明的實施例的自發(fā)光面板100的制造方法的一例進行說明。圖3-1是示出本發(fā)明的實施例的自發(fā)光元件形成工序的側視圖。在制造自發(fā)光面板100時，首先進行在支撐基板104上形成自發(fā)光元件103的自發(fā)光元件形成工序。在自發(fā)光元件形成工序中，首先在支撐基板104上形成電極101a，在電極101a上依次層疊發(fā)光層102和電極101b。關于在支撐基板104上形成自發(fā)光元件103，由于是公知技術，因而這里省略說明。
圖3-2是示出本發(fā)明的實施例的第l粘合工序的側視圖。接著，進行使薄板狀的密封材料106與形成有自發(fā)光元件103的支撐基板104粘合，以將自發(fā)光元件103密封的第1粘合工序。在支撐基板104中粘合密封材料106的面是形成有自發(fā)光元件103的面。第1粘合工序在減壓狀態(tài)、被設定成大氣壓的惰性氣體中、或者被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中的任何一種的狀態(tài)下進行。在本實施例中，是在減壓狀態(tài)下進行。
支撐基板104和密封材料106的粘合是通過例如使支撐基板104和密封材料106重合，從寬度方向的中央部向周邊部對重合的支撐基板104和密封材料106施加壓力來進行的。此時，除了加壓之外，還可以對重合的支撐基板104和密封材料106進行加熱。第1粘合工序可使用例如日本專利特開2002-361742號公報所公開的技術來進行，而且只要是能夠防止在支撐基板104和密封材料106的密合面混入氣泡或異物的方法即可，并不特別限定于該方法。
在第1粘合工序中，對支撐基板104和密封材料106在它們各自密合的方向加壓。例如，在第1粘合工序中，使用對置的一對輥子(roller)301，使重合的支撐基板104和密封材料106通過該輥子301之間，從而對支撐基板104和密封材料106在它們各自密合的方向加壓。本實施例中的第1粘合工序在減壓狀態(tài)、被設定成大氣壓的惰性氣體中、或者被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中的任何一種的狀態(tài)下進行支撐基板104和密封材料106的粘合。
圖3-3是示出本發(fā)明的實施例的第2粘合工序的側視圖。接著進行在減壓狀態(tài)下將在第1粘合工序中粘合了密封材料106的支撐基板104和密封基材105粘合的第2粘合工序。在本實施例中，在減壓狀態(tài)下進行第2粘合工序。在該第2粘合工序中，將支撐基板104和密封基材105保持成使得相互粘合的面201、202平行且相對置，同時在使相對置的面201、202接近的方向上將支撐基板104和密封基材105粘合。
第2粘合工序中的支撐基板104和密封基材105的粘合可使用例如日本專利特開2002-216958號公報所公開的技術來進行，然而只要是能夠防止在密封材料106和密封基材105的密合面混入氣泡或異物的方法即可，并不特別限定于該方法。此外，在第2粘合工序中使密封材料106升溫。該升溫時的溫度不是高到使密封材料106發(fā)生熱固化反應左右的溫度，可以將密封材料106升溫到使密封材料106軟化到支撐基板104和密封基材105通過密封材料106在外觀上實現一體化的程度的溫度左右。
圖3-4是示出本發(fā)明的實施例的一體化工序的側視圖。接著進行使在第2粘合工序中被粘合的支撐基板104和密封基材105通過密封材料106一體化的一體化工序。
由于本實施例的密封材料106由熱固性樹脂形成，因而當在一體化工序中對密封材料106加熱時，形成密封材料106的樹脂發(fā)生熱固化反應。由于在該熱固化反應過程中，形成密封材料106的熱固性樹脂在與支撐基板104、自發(fā)光元件103以及密封基材105粘接的同時固化，因而使設置有自發(fā)光元件103的支撐基板104和密封基材105通過密封材料106一體化。通過這樣使密封材料106固化(在本實施例中為熱固化)，可消除(或減少)密封材料106隨著時間推移而產生的變化。在本實施例中，在減壓狀態(tài)下進行該一體化工序。
密封材料106的加熱方法可列舉出以下方法通過與加熱板(hotplate)等熱源接觸的密封基材105對密封材料106加熱，或者通過向密封基材105照射紅外線以使密封基材105升溫從而對密封材料106進行加熱，或者通過使用加熱器等向進行一體化工序的室內供暖來對密封材料106進行加熱等。密封材料106的加熱方法只要是能夠對密封材料106加熱使其發(fā)生熱固化反應，并能去除從形成密封材料106的材料排出的殘留揮發(fā)成分即可，并不特別限定于上述加熱方法，然而從最接近地對密封材料106加熱的方面來看，優(yōu)選上述方法中的與加熱板等熱源接觸的方法。
并且，在本實施例中的一體化工序中，在從密封材料106排出的特定氣體成分小于等于規(guī)定量以后，用惰性氣體把氣氛變?yōu)榇髿鈮骸＿@里，特定氣體成分是指在一體化工序中由于加熱致使形成密封材料106的樹脂發(fā)生熱固化反應(交聯(lián)反應)時所產生的氣體成分中、根據形成密封材料106的樹脂的種類而設定的特定分子量的氣體成分。在熱固性樹脂發(fā)生熱固化反應時所產生的氣體成分因形成密封材料106的樹脂的種類而不同，然而主要還是在該樹脂的合成時所使用的殘存溶劑和水分等氣化后的氣體成分。作為在樹脂發(fā)生熱固化反應時所產生的氣體成分的具體例子，可列舉出例如甲乙酮(methyl ethyl ketone)、甲苯、水、樹脂或添加劑的分解物等。
而且，在一體化工序中，對支撐基板104和密封基材105在使它們密合的方向上加壓(參照圖3-4)。此時，與支撐基板104和密封基材105的面方向垂直地、在支撐基板104和密封基材105的整個面上均勻地加壓。加壓時間、壓力值等可根據氣泡的產生程度等適當地進行調整，不作特別限定。
在本實施例中在減壓狀態(tài)下開始一體化工序，然而不限于此，也可以在被設定成大氣壓的惰性氣體中、或者被設定成減壓的惰性氣體中進行。而且，例如在被設定成大氣壓的惰性氣體中開始一體化工序的情況下，可以在到達熱固化溫度以后設定成減壓狀態(tài)。另一方面，例如在被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中開始一體化工序的情況下，還可以在特定氣體成分小于等于規(guī)定量以后設定成真空狀態(tài)。設定成負壓狀態(tài)或真空狀態(tài)的定時或時間等可根據氣泡的產生程度等適當地進行調整，不作特別限定。
圖4是示出本實施例的自發(fā)光面板100的制造方法可采用的多個工序的工序圖。在本實施例的自發(fā)光面板的制造方法中，可在減壓狀態(tài)、被設定成大氣壓的惰性氣體中，或者被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中的任何一種的環(huán)境下進行第1粘合工序。另一方面，在本實施例的自發(fā)光面板100的制造方法中，僅在減壓狀態(tài)下進行第2粘合工序。
在本實施例的自發(fā)光面板100的制造方法中，在減壓狀態(tài)、被設定成大氣壓的惰性氣體中，或者被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中的任何一種的環(huán)境下進行一體化工序。當在減壓狀態(tài)下進行一體化工序時，可采用以下3種過程，即一直在減壓狀態(tài)下進行處理直到最后的情況、從途中成為被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體氣氛的情況、或者成為被設定成大氣壓的惰性氣體氣氛的情況。另一方面，當在被設定成大氣壓的惰性氣體中進行一體化工序時，可采用從途中設定成將大氣壓進行了減壓的狀態(tài)即負壓狀態(tài)的情況，和從該負壓狀態(tài)成為再進行了減壓的真空狀態(tài)的情況這2種過程。并且，當在被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中進行一體化工序時，可采用之后進行減壓直至真空狀態(tài)，或者成為被設定成大氣壓的惰性氣體氣氛這樣的過程。
這樣，根據本實施例的自發(fā)光面板100的制造方法，通過第1粘合工序，使薄板狀的密封材料106和支撐基板104粘合以便將自發(fā)光元件103密封，通過第2粘合工序，在減壓狀態(tài)下使粘合了密封材料106的支撐基板104和密封基材105通過密封材料106粘合，通過一體化工序，使在第2粘合工序中被粘合的支撐基板104和密封基材105通過密封材料106一體化。通過使用這種密封法，可在實現工序簡化的同時，防止在密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。這樣，可防止由密封材料106和密封基材105的粘接面積下降所引起的粘接不良和光傳導效率的下降。
并且，在第2粘合工序中，通過對支撐基板104和密封材料106在使它們密合的方向上加壓，即使在密封材料106和密封基材105粘合后不久就在密封材料106和密封基材105之間產生了氣泡的情況下，也能將該氣泡從密封材料106和密封基材105之間向外壓出。
圖5-1是在使密封基材相對于支撐基板傾斜的狀態(tài)下進行粘合時的側視圖，圖5-2是示出將密封基材105粘合在支撐基板上后的狀態(tài)的側視圖。如圖5-1所示，作為使密封基材105相對于支撐基板104傾斜的狀態(tài)，從端部開始緩緩地進行粘合的情況下，在從一側向另一側按壓密封材料106的同時進行粘合。因此，如圖5-2所示，有時密封材料106變形從而在密封材料106的表面發(fā)生凹凸，產生氣泡501。
相比之下，在本實施例的第2粘合工序中，將支撐基板104和密封基材105保持成使得要相互粘合的面201、202平行且相對置，同時在使相對置的面201、202接近的方向上粘合支撐基板104和密封基材105。這樣，由于不會使密封材料106發(fā)生變形，因而可防止在密封材料106的表面發(fā)生凹凸，通過在減壓狀態(tài)下進行粘合能夠更可靠地防止在密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。
圖5-3是示出將密封基材與支撐基板粘合后的另一狀態(tài)的側視圖。如圖5-1所示，當在使密封基材105相對于支撐基板104傾斜的狀態(tài)下從端部開始緩緩地進行粘合時，如圖5-3所示，有時密封材料106的厚度在面板端部和中央部是不同的。如果在一個自發(fā)光面板100中密封材料106的厚度因部位而不同，則發(fā)光性能也因部位而不同，進而成為自發(fā)光面板100的質量下降的原因。
相比之下，在本實施例的第2粘合工序中，將支撐基板104和密封基材105保持成使得要相互粘合的面201、202平行且相對置，同時使在相對置的面201、202接近的方向上將支撐基板104和密封基材105粘合，從而能夠使密封材料106的厚度在自發(fā)光面板100整體上變得均勻。
另外，雖然存在為了將密封基材105從端部開始緩緩地與支撐基板104粘合而一邊使密封基材105彎曲一邊來進行的方法，然而為了使用該方法來制造大型自發(fā)光面板100，可能需要用于使大型化的密封基材105彎曲的大規(guī)模粘合用裝置，或者可能為了使大型化的密封基材105彎曲導致密封基材105破損。
相比之下，本實施例的制造方法不用使密封基材105發(fā)生彎曲就能夠將支撐基板104和密封基材105粘合，因而即使在制造例如大型電視機等的大型自發(fā)光面板100的情況下，也不需要用于使大尺寸的密封基材105彎曲的大規(guī)模粘合用裝置。并且，不用擔心為了使大尺寸的密封基材105彎曲而導致密封基材105破損，能夠制造質量良好的自發(fā)光面板100。
即，根據本實施例的自發(fā)光面板100的制造方法，不會受要制造的自發(fā)光面板100的尺寸所左右，可防止在密封材料106和密封基材105之間產生氣泡，可獲得質量良好的自發(fā)光面板100。另外，作為制造方法，不限于平行地將支撐基板104和密封基材105粘合的制造方法，可使用包括使密封基材105彎曲來制造自發(fā)光面板100的方法在內的公知的各種技術。
在本實施例中，使用由熱固性樹脂形成的密封材料106，并在一體化工序中在減壓狀態(tài)下對密封材料106進行加熱。這樣，由于能夠將在熱固化時從形成密封材料106的樹脂中產生的特定氣體成分從密封材料106和支撐基板104之間或密封材料106和密封基材105之間向外部引出，因而能夠更可靠地防止在密封材料106和支撐基板104或密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。
并且，在該一體化工序時，在從密封材料106排出的特定氣體成分小于等于規(guī)定量以后設定成大氣壓，從而可良好地對密封材料106進行傳熱。即，在減壓狀態(tài)下雖然必須使熱源與支撐基板104或密封基材105直接接觸，然而通過設定成大氣壓從而經由自發(fā)光面板100周圍的氣體(空氣或惰性氣體)來傳熱，由此可對密封材料106進行加熱，可有效地進行加熱。而且，可防止為了加熱而過度消耗能量，可抑制制造成本上升。
圖6是示出特定成分氣體量隨時間推移變化的圖表。示出了在將支撐基板104和密封基材105粘合后與熱源接觸的情況下從密封材料106排出的特定成分氣體量隨時間推移的變化。在測定特定成分氣體量隨時間推移的變化時，首先使自發(fā)光面板100的支撐基板104與被設定成40℃左右的熱源接觸。把接觸后立即排出的氣體量定義為1.0，把時間定義為0。在圖6中，示出了從時間0開始使熱源溫度上升到密封材料的固化溫度100℃左右，并保持為密封材料的固化溫度時所檢測出的氣體量隨時間推移的變化。從圖6可知，從密封材料106排出的特定成分氣體量在一定期間上升，過了作為峰值點的10分鐘后漸漸下降，在40分鐘以后成為大致恒定的量。
根據本實施例的自發(fā)光面板100的制造方法，例如在特定成分氣體量達到峰值的10分鐘或10～40分鐘期間設定成減壓狀態(tài)，從而把由于熱固化反應而從密封材料106產生的特定氣體成分排出到外部，并且在這之后設定成大氣壓，從而把來自熱源的熱有效地傳導到自發(fā)光面板100整體，可進行良好的熱固化反應。
一體化工序不限于在減壓狀態(tài)下進行，例如通過使用由熱固性樹脂形成的密封材料106，并且在一體化工序中在被設定成大氣壓的惰性氣體中對密封材料106進行加熱，可防止在自發(fā)光元件103被完全密封前有氧氣和水等進入而使得自發(fā)光元件103的發(fā)光性能下降。
同樣，一體化工序不限于在減壓狀態(tài)下進行，例如通過使用由熱固性樹脂形成的密封材料106，并且在一體化工序中在被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中對密封材料106進行加熱，可將在熱固化時從形成密封材料106的樹脂中產生的特定氣體成分從密封材料106和支撐基板104之間或密封材料106和密封基材105之間向外部引出，因而能夠更可靠地防止在密封材料106和支撐基板104之間或密封材料106和密封基材105之間產生氣泡。
并且，在一體化工序中，通過對支撐基板104和密封基材105在使它們密合的方向上加壓，即使在熱固化時從形成密封材料106的樹脂中產生的特定氣體成分從密封材料106和支撐基板104之間或密封材料106和密封基材105之間向外逸出所通過的路徑形成于固化途中的密封材料106內，由于能夠擠壓掉該路徑，因而可防止在密封材料106內殘留有特定氣體成分所通過的路徑。
此外，根據本實施例的自發(fā)光面板100的制造方法，通過在減壓狀態(tài)下進行第1粘合工序，可防止在支撐基板104和密封材料106之間產生氣泡。第1粘合工序不限于在減壓狀態(tài)下進行，例如在第1粘合工序在被設定成大氣壓的惰性氣體中進行的情況下，可防止在支撐基板104和密封材料106之間進入氧氣和水等而使得自發(fā)光元件103的發(fā)光性能下降。
此外，例如在第1粘合工序在被設定成負壓狀態(tài)的惰性氣體中進行的情況下，可防止在密封材料106和支撐基板104之間產生包括氧氣和水等的氣泡，可防止由于氣泡內所含的氧氣和水等而使得自發(fā)光元件103的發(fā)光性能劣化。
自發(fā)光面板100的制造可以一直在同一作業(yè)空間內進行，也可以針對各工序使作業(yè)空間不同，然而可能因為為了使作業(yè)空間不同而進行輸送使得異物混入等，因而優(yōu)選第1和第2粘合工序都在同一作業(yè)空間內進行，一體化工序在別的作業(yè)空間內進行。在制造自發(fā)光面板100時，例如可以在充滿惰性氣體的大氣壓下的室內將密封材料106向支撐基板104粘合后，改變同一作業(yè)空間內的壓力，從而給作業(yè)空間內加壓以強化密合等。
另外，在本實施例中，將密封材料粘合在設置有自發(fā)光元件103的支撐基板104上，然后粘合密封基材105，然而自發(fā)光面板100的制造方法不限于該工序順序，也可以將密封材料106粘合在密封基材105上后，粘合設置有自發(fā)光元件103的支撐基板104。在該情況下，通過在減壓狀態(tài)下將密封基材105和支撐基板104粘合，可獲得與上述相同的效果。
(具體例)以下，對作為本發(fā)明的具體例的自發(fā)光面板100的制造方法進行說明。另外，由于本發(fā)明的具體例的自發(fā)光面板100具有與上述圖1所示的自發(fā)光面板100相同的結構，因而省略圖示。
(具體例1)在本發(fā)明的具體例1中，使用玻璃基板作為支撐基板104。以下，對該玻璃基板使用符號104來進行說明。在制造本具體例1中的自發(fā)光面板100時，首先進行預處理工序。在預處理工序中，在玻璃基板104上采用濺鍍法形成透明且具有導電性的銦錫氧化膜(ITO)。接著，使用光刻法對形成的ITO膜實施圖形化。將實施了圖形化的基板浸入混合液中，從而蝕刻未被抗蝕劑覆蓋的部分的ITO。然后，對玻璃基板104去除抗蝕劑，得到ITO電極。接著使用正型(positive)聚酰亞胺，在ITO電極上預先對發(fā)光區(qū)域進行圖形化形成絕緣膜，同時形成開口部(ITO露出部分)。接著使用負型(negative)抗蝕劑，采用旋涂(spin coat)法在絕緣膜上成膜，進行圖形化，形成棱(rib)。然后，對帶ITO的玻璃基板進行UV(紫外)臭氧洗凈。這樣，在玻璃基板104上形成電極(陽極)101a。
接著，進行成膜工序。在成膜工序中，首先，把上述預處理工序后的玻璃基板104搬入到進行了真空排氣直至10-4Pa的真空成膜裝置內。向該玻璃基板104層疊CuPc至50nm厚度以作為空穴注入層，層疊NPD至50nm厚度以作為空穴輸送層，并且層疊藍色發(fā)光層和橙色發(fā)光層作為白色有機EL層。
在進行白色有機EL層的層疊時，首先層疊藍色發(fā)光層。在本具體例中，通過共蒸鍍使藍色發(fā)光層形成50nm厚度的膜，該藍色發(fā)光層中相對于作為主材的DPVBi按1重量％混合了作為摻雜劑的BCzVBi。并且，在本具體例中，通過共蒸鍍使橙色發(fā)光層形成50nm厚度的膜，該橙色發(fā)光層中相對于作為主材的Alq3按1重量％混合了作為摻雜劑的DCM。
而且，在成膜工序中，在白色有機EL層的上側，層疊Alq3至20nm厚度以作為電子輸送層，通過蒸鍍來層疊Al至150nm厚度以作為陰極。這樣，在電極(陽極)101a上形成作為發(fā)光層103的有機EL層。
把經過了成膜工序的玻璃基板104從處于真空的室搬送到處于真空的密封室內。另外，對于包括密封室在內的、制造自發(fā)光面板100時所使用的各裝置，由于是公知技術，因而這里省略圖示和說明。
并且，在把玻璃基板104搬送到密封室內之前，預先把密封材料106和密封基材105搬入到該密封室內。在本具體例中，使用由環(huán)氧樹脂形成的35μm厚的薄膜作為密封材料106，使用0.7mm厚的玻璃基板(密封用玻璃基板)作為密封基材105。以下，對密封用玻璃基板使用符號105來進行說明。
并且，使用層壓裝置將作為密封材料106的薄膜與密封用玻璃基板105粘合，使得在密合面內不混入氣泡。以下，對薄膜使用符號106來進行說明。另外，把層壓裝置的輥子溫度設定成90℃后進行密封用玻璃基板105和密封材料106的粘合。在將薄膜106和密封用玻璃基板105粘合后，將基板臺溫度設定成使基板溫度為40℃，并排放密封室內的N2氣體，減壓至10-2Pa。另外，在結束了減壓的階段，通過目視確認在薄膜106和密封用玻璃基板105的密合面內沒有氣泡。
在減壓狀態(tài)下使薄膜106和成膜面相對置地將密封用玻璃基板105和經過了成膜工序的玻璃基板104重合并進行一體化。另外，在一體化時，使用專用粘合裝置。該粘合裝置可使用公知的各種粘合裝置，在本具體例1中省略說明。
在一體化后，使壓力從真空上升到10Pa并升溫到90℃，在負壓狀態(tài)下僅對兩基板加壓。在結束了該加壓的階段，通過目視確認在密封用玻璃基板105和經過了成膜工序的玻璃基板104的密合面內沒有氣泡。
然后，把進行了一體化的有機EL顯示裝置搬送到設置有加熱板的加熱用室內。在搬送后，對加熱用室內進行排氣并減壓到10-4Pa的真空狀態(tài)。當到達真空狀態(tài)時，使密封用玻璃基板105與穩(wěn)定在100℃的加熱板接觸來給薄膜106加熱，充分進行薄膜106的除氣和固化。當完成了薄膜106的除氣和固化時，使自發(fā)光面板100脫離加熱板。將該自發(fā)光面板100充分冷卻，然后把自發(fā)光面板100從加熱用室搬送到密封室內。然后，把已確認了在密封室內沒有密封不良的自發(fā)光面板100取出到大氣中。
在本具體例1中，通過按上述說明來進行制造，可獲得沒有氣泡產生且發(fā)光性能良好的自發(fā)光面板100。
(具體例2)在本具體例2中，對有源面板中的具有底部發(fā)光結構的自發(fā)光面板100進行說明。另外，對于與上述具體例1相同的部分省略說明。以下的具體例也一樣。
在本發(fā)明的具體例2中，首先在玻璃基板104上采用固相生長法形成多晶硅薄膜，把該多晶硅薄膜加工成島狀，形成硅活性層。在該硅活性層上形成由SiO2形成的柵極絕緣膜和由Al形成的柵電極。然后，在硅活性層內摻入雜質以形成源極區(qū)域、溝道形成區(qū)域以及漏極區(qū)域。在這些區(qū)域上整面地形成SiO2的層間絕緣膜。然后，通過蝕刻處理對層間絕緣膜上成為有機EL發(fā)光的開口部的部分形成開口，通過濺鍍法使ITO的像素電極(下部電極)成膜。
然后，以100nm厚度形成氮化鈦膜。對其進行蝕刻處理，在源極區(qū)域和漏極區(qū)域的與ITO連接的部分同時形成由氮化鈦膜構成的阻擋金屬(barrier metal)和密合用金屬。接著，以600nm厚度形成Al膜，對該Al膜實施蝕刻處理，形成源極電極和漏極電極的Al布線。之后，形成SiO2的保護膜以便覆蓋TFT。以后，通過與具體例1相同的制造工藝，在玻璃基板104上的電極101a上面形成有機EL元件，進行密封。
在本具體例2中，通過按上述說明來進行制造，可獲得沒有氣泡產生且發(fā)光性能良好的自發(fā)光面板100。
(具體例3)在本具體例3中，對有源面板中的具有頂部發(fā)光結構的自發(fā)光面板100進行說明。
在本發(fā)明的具體例3中，除了在層間絕緣膜上層疊由Cr形成的反射層和由ITO形成的作為陽極(像素電極)的電極101a，以及作為陰極的電極101b把Al膜厚設定成2nm并采用濺鍍法使IZO層疊之外，其它與具體例2一樣進行。
在本具體例3中，通過按上述說明來進行制造，可獲得沒有氣泡產生且發(fā)光性能良好的自發(fā)光面板。
(具體例4)在本具體例4中，通過在大氣壓或負壓狀態(tài)下加熱特定時間來進行除氣，并通過提高加熱溫度、而且設定成真空狀態(tài)來進行完全除氣，并固化。具體地說，在本具體例4中，到使經過了成膜工序的玻璃基板104和密封用玻璃基板105一體化的工序為止均采用與上述具體例2相同的方法進行，把進行了一體化的玻璃基板104和密封用玻璃基板105搬送到加熱用室內，利用惰性氣體充滿室的氣氛，而且進行排氣使室內壓達到約10Pa之后，通過使密封用玻璃基板105與穩(wěn)定在90℃的加熱板面接觸來加熱薄膜106。
接著，在使加熱板溫度漸漸升溫到120℃的同時，將室內的惰性氣體排氣，使室內壓減壓到成為10-4Pa。在到達10-4Pa的真空狀態(tài)并經過足夠長時間后，使自發(fā)光面板100脫離加熱板，進行充分冷卻后搬送到密封室內。在確認了密封室內沒有密封不良后，把該自發(fā)光面板100取出到大氣中。
在本具體例4中，通過按上述說明來進行制造，可獲得沒有氣泡產生且發(fā)光性能良好的自發(fā)光面板100。
權利要求
1.一種自發(fā)光面板的制造方法，該自發(fā)光面板具有支撐基板；自發(fā)光元件，其具有形成在支撐基板上的、相對置的一對電極以及被夾持在該一對電極間的發(fā)光層；密封基材，其通過所述自發(fā)光元件與所述支撐基板相對置；以及密封材料，其被設置在所述支撐基板與所述密封基材之間，將所述自發(fā)光元件密封，其特征在于，該自發(fā)光面板的制造方法包含第1粘合工序，將所述密封材料與所述支撐基板粘合，以便將所述自發(fā)光元件密封；第2粘合工序，在減壓狀態(tài)下將在所述第1粘合工序中粘合了所述密封材料的支撐基板與所述密封基材通過所述密封材料粘合；以及一體化工序，使在所述第2粘合工序中被粘合的所述支撐基板和所述密封基材通過所述密封材料而一體化。
2.一種自發(fā)光面板的制造方法，該自發(fā)光面板具有支撐基板；自發(fā)光元件，其具有形成在支撐基板上的、相對置的一對電極以及被夾持在該一對電極間的發(fā)光層；密封基材，其通過所述自發(fā)光元件與所述支撐基板對置；以及密封材料，其被設置在所述支撐基板與所述密封基材之間，將所述自發(fā)光元件密封，其特征在于，該自發(fā)光面板的制造方法包含第1粘合工序，將所述密封材料與所述密封基材粘合；第2粘合工序，在減壓狀態(tài)下將在所述第1粘合工序中粘合了所述密封材料的密封基材與所述支撐基板通過所述密封材料粘合，以便將所述自發(fā)光元件密封；以及一體化工序，使在所述第2粘合工序中被粘合的所述支撐基板與所述密封基材通過所述密封材料而一體化。
3.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述第2粘合工序對所述支撐基板和所述密封基材在使它們密合的方向上加壓。
4.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述第2粘合工序將所述支撐基板和所述密封基材保持成使得要相互粘合的面平行且相對置，同時在使要相互粘合的所述面接近的方向上粘合所述支撐基板和所述密封基材。
5.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述密封材料由通過被加熱而固化的熱固性樹脂形成，所述一體化工序在減壓狀態(tài)下進行。
6.根據權利要求5所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述一體化工序在從所述密封材料排出的特定氣體成分小于等于規(guī)定量以后從減壓狀態(tài)設定成大氣壓。
7.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述密封材料由通過加熱進行固化的熱固性樹脂形成，所述一體化工序在被設定成大氣壓的惰性氣體中進行。
8.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述密封材料由通過加熱進行固化的熱固性樹脂形成，所述一體化工序在被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中進行。
9.根據權利要求5所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述一體化工序對所述支撐基板和所述密封材料在使它們密合的方向上加壓。
10.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述第1粘合工序在減壓狀態(tài)下進行。
11.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述第1粘合工序在被設定成大氣壓的惰性氣體中進行。
12.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述第1粘合工序在被設定成減壓狀態(tài)的惰性氣體中進行。
13.根據權利要求1或2所述的自發(fā)光面板的制造方法，所述自發(fā)光元件是有機EL元件。
全文摘要
自發(fā)光面板的制造方法。本發(fā)明實現由使用固體密封材料所帶來的工序簡化以及防止在密封材料和密封基材之間產生氣泡。本發(fā)明的自發(fā)光面板的制造方法包含第1粘合工序，將用于支撐自發(fā)光元件(103)的支撐基板(104)和薄板狀的密封材料(106)粘合，以便將自發(fā)光元件(103)密封，該自發(fā)光元件(103)具有夾持在對置的一對電極(101)間的發(fā)光層(102)；第2粘合工序，在減壓狀態(tài)下將粘合有密封材料(106)的支撐基板(104)和密封基材(105)通過密封材料(106)粘合；以及一體化工序，使被粘合的支撐基板(104)和密封基材(105)通過密封材料(106)一體化。
文檔編號H01L51/50GK1794483SQ20051013218
公開日2006年6月28日 申請日期2005年12月22日 優(yōu)先權日2004年12月22日
發(fā)明者福崎正志, 免田芳生, 堀江賢一 申請人:東北先鋒公司, 株式會社三鍵