專利名稱：發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，且特別是涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于發(fā)光二極管與傳統(tǒng)燈泡比較具有絕對的優(yōu)勢，例如體積小、壽命長、低電壓/電流驅(qū)動、不易破裂、發(fā)光時(shí)無顯著的熱問題、不含水銀(沒有污染問題)、發(fā)光效率佳(省電)等特性，且近幾年來發(fā)光二極管的發(fā)光效率不斷提高，因此發(fā)光二極管在某些領(lǐng)域已漸漸取代日光燈與白熱燈泡，例如需要高速反應(yīng)的掃描儀燈源、液晶顯示器的背光源或前光源汽車的儀表板照明、交通信號燈以及一般的照明裝置等。
而且，由于含氮的III-V族化合物為寬頻帶能隙的材料，其發(fā)光波長可以從紫外光一直涵蓋至紅光，可說是幾乎涵蓋整個可見光的波段。因此，利用含氮化鎵的化合物半導(dǎo)體，如氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(GaAlN)、氮化銦鎵(GaInN)等的發(fā)光二極管元件已廣泛地應(yīng)用在各種發(fā)光模塊中。
圖1為公知發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖1，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100主要是由基板110、n型摻雜半導(dǎo)體層120、電極122、發(fā)光層130、p型摻雜半導(dǎo)體層140、歐姆接觸層150以及電極142所構(gòu)成。其中，n型摻雜半導(dǎo)體層120、發(fā)光層130、p型摻雜半導(dǎo)體層140、歐姆接觸層150以及電極142是依次設(shè)置于基板110上，且發(fā)光層130僅覆蓋住部分的n型摻雜半導(dǎo)體層120，而電極122即是設(shè)置在未被發(fā)光層130所覆蓋的n型摻雜半導(dǎo)體層120上。
請繼續(xù)參照圖1，當(dāng)n型摻雜半導(dǎo)體層120所提供的電子與p型摻雜半導(dǎo)體層140所提供的空穴在發(fā)光層130內(nèi)再結(jié)合，并因而產(chǎn)生光線102之后，一部分光線102會穿透歐姆接觸層150與基板110，而分別往發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的上、下方射出。此外，另一部分的光線102則會被基板110表面或電極142與p型摻雜半導(dǎo)體層140的界面反射，而在n型摻雜半導(dǎo)體層120至p型摻雜半導(dǎo)體層140之間橫向傳遞。此時(shí)，光線102會有部分的能量被n型摻雜半導(dǎo)體層120、p型摻雜半導(dǎo)體層140、電極122或電極142所吸收，導(dǎo)致發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100的外部量子效率降低。
為解決上述問題，日本專利特開平11-274568號公報(bào)是通過機(jī)械研磨及蝕刻等工藝，任意地粗化發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的基板表面，以使欲射入基板的光線被散射，進(jìn)而提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的外部量子效率。
然而，任意地粗化基板表面實(shí)際上并無法有效地提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的外部量子效率。一方面是因?yàn)楫?dāng)基板表面上的凹陷圖案或凸起圖案過大時(shí)，將會導(dǎo)致在此表面上生長的n型摻雜半導(dǎo)體層的結(jié)晶性降低，因而降低此發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的內(nèi)部量子效率，導(dǎo)致外部量子效率無法提高。另一方面則是因?yàn)槿我獾卮只灞砻鎸?dǎo)致橫向傳遞的光能量更容易被此粗化表面所吸收，導(dǎo)致射出發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光線衰減，因而無法達(dá)到足夠的外部量子效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其具有光子晶體的基板不但可以改善外延質(zhì)量，還可以減少沿基板表面?zhèn)鬟f的光線，以增加此發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括基板、第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層與第二電極。其中，基板具有表面以及多個位于表面上的圓柱狀光子晶體(photonic crystal)。第一型摻雜半導(dǎo)體層是設(shè)置于基板上以覆蓋這些光子晶體，發(fā)光層則是設(shè)置于部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上。第二型摻雜半導(dǎo)體層與第二電極是依次設(shè)置于發(fā)光層上，而第一電極則是設(shè)置于未覆蓋有發(fā)光層的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)例如還包括歐姆接觸層，其是設(shè)置于第二型摻雜半導(dǎo)體層與第二電極之間。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述光子晶體的直徑可以是彼此不同或相同。而且，這些光子晶體例如是凸起圖案及凹槽中之至少一種。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述光子晶體例如是在上述基板的表面上排列成m×n的矩陣，且m、n皆為正整數(shù)。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述光子晶體是排列成多列奇數(shù)列與多列偶數(shù)列，且各偶數(shù)列的光子晶體是對應(yīng)于奇數(shù)列中相鄰的第一光子晶體間的間隔。而且，在一實(shí)施例中，奇數(shù)列的光子晶體的排列間距例如是與偶數(shù)列的光子晶體的排列間距不同。此外，這些光子晶體的排列形態(tài)也可以是各奇數(shù)列的光子晶體相互對齊，而第k列的偶數(shù)列的光子晶體是對應(yīng)于奇數(shù)列與第k+1列偶數(shù)列中相鄰的光子晶體間的間隔。其中，k為正整數(shù)。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述光子晶體例如是在上述基板的表面上排列成蜂巢狀。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述光子晶體例如有一部分是在上述基板的表面上排列成蜂巢狀，并環(huán)繞另一部分的光子晶體。在一實(shí)施例中，排列成蜂巢狀的光子晶體的直徑例如是大于其余第二光子晶體的直徑。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述基板例如是藍(lán)寶石、碳化硅、尖晶石或硅基板。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述光子晶體在垂直基板的表面的方向上，其尺寸例如是介于0.2微米至3微米之間，而光子晶體的直徑例如是介于0.25微米至5微米之間。此外，相鄰的光子晶體的間距例如是介于0.5微米至10微米之間。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層與第二型摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是III-V族化合物半導(dǎo)體材料。舉例來說，這些III-V族化合物半導(dǎo)體材料例如是氮化鎵、磷化鎵或磷砷化鎵。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述第一型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層。在另一實(shí)施例中，上述第一型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層。
本發(fā)明是在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的基板表面上形成光子晶體，以改善第一型摻雜半導(dǎo)體層的外延質(zhì)量，以增加發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的內(nèi)部量子效率。此外，本發(fā)明的光子晶體還可以增加正向射出發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光能量，以提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的外部量子效率。由此可知，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有良好的發(fā)光效率。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為公知發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖2為本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖3A至圖3K分別為圖2的光子晶體在各實(shí)施例中的排列形態(tài)俯視示意圖。
主要元件標(biāo)記說明100、200發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)102光線110、210基板120n型摻雜半導(dǎo)體層122、142、222、242電極130、230發(fā)光層140p型摻雜半導(dǎo)體層150、250歐姆接觸層202表面204、204a、204b光子晶體220第一型摻雜半導(dǎo)體層240第二型摻雜半導(dǎo)體層
具體實(shí)施例方式
圖2為本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖2，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200主要是由基板210、第一型摻雜半導(dǎo)體層220、電極222、發(fā)光層230、第二型摻雜半導(dǎo)體層240與電極242所構(gòu)成。其中，基板210的材質(zhì)例如是硅、藍(lán)寶石、碳化硅或尖晶石，且基板210具有表面202及多個位于表面202上的圓柱狀光子晶體(photonic crystal)204。
承上所述，光子晶體204例如是凸起圖案或凹槽，而形成這些光子晶體204的方法例如是對基板210進(jìn)行光刻及蝕刻工藝，在其表面202上形成圓柱狀的凸起圖案或凹槽。特別的是，光子晶體204是周期性地排列在基板210的表面202上，且兩相鄰的光子晶體的間距(pitch)例如是介于0.5微米至10微米之間。
此外，光子晶體204的直徑例如是介于0.25微米至5微米之間。而且，這些光子晶體在垂直基板的表面的方向上的尺寸是介于0.2微米至3微米之間。換言之，呈凸起圖案的光子晶體的高度例如是介于0.2微米至3微米之間，呈凹槽的光子晶體的深度亦例如是介于0.2微米至3微米之間。
請繼續(xù)參照圖2，第一型摻雜半導(dǎo)體層220是設(shè)置于基板210上，以覆蓋這些光子晶體204。特別的是，第一型摻雜半導(dǎo)體層220是形成在基板210的表面202的凸起部位上，而未填入凹槽內(nèi)。值得一提的是，在形成第一型摻雜半導(dǎo)體層220的工藝中，這些周期性地排列在基板210的表面202上的光子晶體204可抑制第一型摻雜半導(dǎo)體層220的局部性的結(jié)晶缺陷，并改善其外延質(zhì)量以減少差排，進(jìn)而提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200的內(nèi)部量子效率。
請?jiān)俅螀⒄請D2，發(fā)光層230、第二型摻雜半導(dǎo)體層240與電極242是依次設(shè)置于部分的第一型摻雜半導(dǎo)體層220上，而電極222則是設(shè)置于未被發(fā)光層230所覆蓋的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層220上。在本實(shí)施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體層220例如是n型摻雜半導(dǎo)體層，而第二型摻雜半導(dǎo)體層240例如是p型摻雜半導(dǎo)體層。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，第一型摻雜半導(dǎo)體層220也可以是p型摻雜半導(dǎo)體層，此時(shí)第二型摻雜半導(dǎo)體層240則為n型摻雜半導(dǎo)體層。此外，發(fā)光層230例如是多量子阱(multi-quantumwell)層。
而且，第一型摻雜半導(dǎo)體層220、發(fā)光層230與第二型摻雜半導(dǎo)體層240例如是由III-V族化合物半導(dǎo)體材料所構(gòu)成。以本實(shí)施例來說，第一型摻雜半導(dǎo)體層220、發(fā)光層230與第二型摻雜半導(dǎo)體層240的材質(zhì)例如是氮化鎵、磷化鎵或砷磷化鎵。
另外，本實(shí)施例在電極242與第二型摻雜半導(dǎo)體層240之間還設(shè)置有歐姆接觸層250，用以改善電流在第一型摻雜半導(dǎo)體層220、發(fā)光層230與第二型摻雜半導(dǎo)體層240的傳導(dǎo)均勻性。在本實(shí)施例中，歐姆接觸層250例如是p型歐姆接觸層。
這些周期性地排列于基板210的表面202上的光子晶體204除了能夠改善第一型摻雜半導(dǎo)體層220的外延質(zhì)量外，還可以將在第一型摻雜半導(dǎo)體層220與第二型摻雜半導(dǎo)體層220之間橫向傳遞的光線導(dǎo)為正向光，以使其正向射出發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200，進(jìn)而提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)200的外部量子效率。值得注意的是，本發(fā)明的光子晶體204具有多種周期性排列形態(tài)，下文將舉例說明這些光子晶體204的排列形態(tài)。
圖3A至圖3K分別為圖2的光子晶體在各實(shí)施例中的排列形態(tài)俯視示意圖。請參照圖3A，在第一實(shí)施例中，光子晶體204例如是排列成m×n的矩陣。其中，m與n均為正整數(shù)。特別的是，這些光子晶體204的直徑可以相同也可以不同。以m×n矩陣的光子晶體204來說，奇數(shù)列的光子晶體204可以是與偶數(shù)列的光子晶體204具有不同的直徑，如圖3B所示。此外，如圖3C所示，位于m×n矩陣的(p，q)處的光子晶體204也可以是與位于(p+1，q)及(p，q+1)處的光子晶體具有不同的直徑。其中p、q均為正整數(shù)，且1≤p≤m-1，而1≤q≤n-1。
除了矩陣式的排列方式外，光子晶體204也可以排列成偶數(shù)列與奇數(shù)列在行方向上不對齊的形態(tài)。舉例來說，如圖3D所示，各奇數(shù)列的光子晶體204是在行方向上相互對齊，而偶數(shù)列的光子晶體204則是分別對應(yīng)至奇數(shù)列中兩相鄰的光子晶體204間的間隔(space)。當(dāng)然，偶數(shù)列的光子晶體204也可以是與奇數(shù)列的光子晶體204具有不同的直徑，如圖3E所示。
在圖3A至圖3E中，偶數(shù)列的光子晶體204的排列間距(pitch)是與奇數(shù)列的光子晶體204的排列間距相同，但在其它實(shí)施例中，偶數(shù)列的光子晶體204也可以與奇數(shù)列的光子晶體204具有不同的排列間距。如圖3F及圖3G所示，偶數(shù)列的光子晶體204的排列間距例如是奇數(shù)列的光子晶體的兩倍，且偶數(shù)列的光子晶體204例如是分別對應(yīng)至奇數(shù)列中兩相鄰的光子晶體204間的間隔。需要注意的是，此處所謂的間距是指各列中兩相鄰的光子晶體204的圓心距，而間隔則是指兩相鄰的光子晶體204相隔的距離。
較詳細(xì)地來說，圖3F中除了奇數(shù)列的光子晶體204在行方向上相互對齊以外，偶數(shù)列的光子晶體204在行方向上也是相互對齊的。此外，圖3G中各奇數(shù)列的光子晶體204是在行方向上相互對齊，而第k列的偶數(shù)列的光子晶體204則是對應(yīng)于奇數(shù)列及第k+1列偶數(shù)列中相鄰的光子晶體204間的間隔。更特別的是，本發(fā)明的其它實(shí)施例還可以分別在圖3F及圖3G的偶數(shù)列中，于相鄰的光子晶體204間形成直徑較小的光子晶體204a，如圖3H及圖3I所示。
除此之外，本發(fā)明的光子晶體204還可以是以蜂巢狀的排列形態(tài)排列于基板的表面上，如圖3J所示。而在另一實(shí)施例中，這些光子晶體204也可以是一部分排列成蜂巢狀，另一部分的光子晶體204b則是被這些排列成蜂巢狀的光子晶體204a所圍繞，如圖3K所示。其中，光子晶體204a的直徑例如是大于光子晶體204b的直徑。
在此需要說明的是，圖3A至圖3K僅用以說明本發(fā)明的光子晶體204可以是以任何具有周期性的排列形態(tài)排列于基板210的表面202上，其并非用以限定本發(fā)明的光子晶體204的排列方式。
以下將以表1及表2列出本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有圖3A至圖3K的光子晶體的發(fā)光功率實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，以使所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員更能清楚了解本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)與公知發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在發(fā)光效率上的差異。其中，表1是以本發(fā)明線寬465nm的發(fā)光二極管裸芯片(bare chip)做測試，表2則是在將本發(fā)明的發(fā)光二極管進(jìn)行封裝后再做測試，而輸入的測試電流均為20毫安。此外，表1及表2中的發(fā)光功率均是以公知圖1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)為基準(zhǔn)的相對值。

表1

表2由表1與表2可以清楚得知，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)與公知相比之下，具有較佳的發(fā)光效率。
綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)是在基板表面上形成有周期性排列的圓柱狀光子晶體，而使基板表面具有周期性的折射率。因此，當(dāng)發(fā)光層所發(fā)出的光線傳遞至基板表面時(shí)，會被這些光子晶體所衍射(diffraction)而往基板上方或下方射出，以減少光線在第一型摻雜半導(dǎo)體層與第二型摻雜半導(dǎo)體層之間橫向傳遞時(shí)所損耗的光能量，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的外部量子效率。
此外，在基板表面上的光子晶體還可以抑制形成于其上的第一型摻雜半導(dǎo)體層的局部結(jié)晶缺陷，并改善外延質(zhì)量以減少差排，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的內(nèi)部量子效率。由此可知，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有良好的發(fā)光效率。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是包括基板，具有表面以及多個位于該表面上的圓柱狀光子晶體；第一型摻雜半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板上以覆蓋上述光子晶體；發(fā)光層，設(shè)置于部分該第一型摻雜半導(dǎo)體層上；第二型摻雜半導(dǎo)體層，設(shè)置于該發(fā)光層上；第一電極，設(shè)置于未覆蓋有該發(fā)光層的部分該第一型摻雜半導(dǎo)體層上；以及第二電極，設(shè)置于該第二型摻雜半導(dǎo)體層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是還包括歐姆接觸層，設(shè)置于該第二型摻雜半導(dǎo)體層與該第二電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述光子晶體的直徑不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述光子晶體的直徑相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述光子晶體包括凸起圖案及凹槽中之至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述光子晶體是在該基板的該表面上排列成m×n的矩陣，且m、n皆為正整數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述光子晶體是排列成多列奇數(shù)列與多列偶數(shù)列，且各該偶數(shù)列的上述光子晶體是對應(yīng)于上述奇數(shù)列中相鄰的上述光子晶體間的間隔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述奇數(shù)列的上述光子晶體的排列間距與上述偶數(shù)列的上述光子晶體的排列間距不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述奇數(shù)列的上述光子晶體是對齊于彼此，而第k列偶數(shù)列的上述光子晶體是對應(yīng)于上述奇數(shù)列與第k+1列偶數(shù)列中相鄰的上述光子晶體間的間隔，其中k為正整數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述光子晶體是在該基板的該表面上排列成蜂巢狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是一部分上述光子晶體是在該基板的該表面上排列成蜂巢狀，并環(huán)繞另一部分上述光子晶體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是排列成蜂巢狀的上述光子晶體的直徑是大于其余上述光子晶體的直徑。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是該基板包括藍(lán)寶石、碳化硅、尖晶石或硅基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述光子晶體在垂直該基板的該表面的方向上的尺寸是介于0.2微米至3微米之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是上述光子晶體的直徑介于0.25微米至5微米之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是相鄰的上述光子晶體的間距介于0.5微米至10微米之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層、該發(fā)光層與該第二型摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括III-V族化合物半導(dǎo)體材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是該III-V族化合物半導(dǎo)體材料包括氮化鎵、磷化鎵或磷砷化鎵。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征是該第一型摻雜半導(dǎo)體層為p型摻雜半導(dǎo)體層，而該第二型摻雜半導(dǎo)體層為n型摻雜半導(dǎo)體層。
全文摘要
一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括基板、第一型摻雜半導(dǎo)體層、第一電極、發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層與第二電極。其中，基板具有表面以及多個位于表面上的圓柱狀光子晶體，而第一型摻雜半導(dǎo)體層是設(shè)置于基板上以覆蓋這些光子晶體。發(fā)光層、第二型摻雜半導(dǎo)體層與第二電極是依次設(shè)置于部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上，而第一電極則是設(shè)置于未覆蓋有發(fā)光層的部分第一型摻雜半導(dǎo)體層上。由于具有光子晶體的基板能夠改善第一型摻雜半導(dǎo)體層的外延質(zhì)量，并增加正向射出發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光能量，因此可有效提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
文檔編號H01L33/00GK1905219SQ20051008862
公開日2007年1月31日 申請日期2005年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日
發(fā)明者武良文, 蔡亞萍, 簡奉任, 張福裕, 游正璋, 溫子稷 申請人:璨圓光電股份有限公司