專利名稱：一種制造高壓lcd驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝，尤其涉及一種制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝。
背景技術(shù)：
目前高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件前道注入工藝，包括高壓P阱注入、高壓N阱注入、淺槽隔離結(jié)構(gòu)的制備、高壓DDD-P注入、高壓DDD-B注入、低壓N阱注入、低壓P阱注入等步驟，即在現(xiàn)有制程中，制備柵氧之前，高壓、低壓阱和高壓DDD注入等過程需要6次光刻。因而減少前道注入過程的光刻次數(shù)，可以減少工藝步驟，降低成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明工藝包括高壓P阱注入、高壓N阱注入、淺槽隔離結(jié)構(gòu)的制備、高壓DDD-P注入與低壓N阱注入、高壓DDD-B注入與低壓P阱注入，用高壓N阱光刻和高壓DDD-B完成高壓PMOS器件的制備，用高壓P阱光刻和高壓DDD-P完成高壓NMOS器件的制備；其中高壓DDD-P注入與低壓N阱注入同時(shí)進(jìn)行，進(jìn)行一次光刻；高壓DDD-B注入與低壓P阱注入同時(shí)進(jìn)行，進(jìn)行一次光刻；高壓DDD-P注入與低壓N阱注入和高壓DDD-B注入與低壓P阱注入使用兩塊光刻板。
本發(fā)明由于將高壓DDD-P與低壓N阱分別注入改為高壓DDD-P與低壓N阱同時(shí)注入，并將高壓DDD-B與低壓P阱分別注入改為高壓DDD-B與低壓P阱同時(shí)注入，減少了工藝步驟，降低了工藝成本。


圖1是目前常用的高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件前道注入工藝流程圖；圖2是本發(fā)明的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
如圖1所示，目前常用的高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件前道注入工藝流程包括高壓P阱注入、高壓N阱注入、淺槽隔離結(jié)構(gòu)的制備、高壓DDD-P注入、高壓DDD-B注入、低壓N阱注入、低壓P阱注入等步驟，需要6次光刻。
如圖2所示，本發(fā)明針對(duì)前面所訴現(xiàn)有工藝流程的一些問題點(diǎn)，提出如下解決方案在硅片投入后，采用一定厚度的二氧化硅作為保護(hù)阻擋層，接著是淺槽隔離結(jié)構(gòu)的制備，高壓P阱注入和高壓N阱注入過程。然后光刻限定需要高壓DDD-P與低壓N阱注入的區(qū)域進(jìn)行一定濃度和能量的注入，去膠后再通過光刻限定需要高壓DDD-B與低壓P阱注入的區(qū)域進(jìn)行一定濃度和能量的注入(高壓DDD-B/P注入，是高壓器件特有的結(jié)構(gòu))。
與原工藝相比，本發(fā)明工藝有如下改進(jìn)1.原工藝中需用4塊掩膜板高壓DDD-P注入、高壓DDD-B注入、低壓N阱注入與低壓P阱注入，本發(fā)明工藝需要調(diào)整為兩塊高壓DDD-P注入與低壓N阱同時(shí)注入，高壓DDD-B注入與低壓P阱同時(shí)注入。
2.原工藝中高壓DDD-P注入改為高壓DDD-P與低壓N阱同時(shí)注入。
3.原工藝中高壓DDD-B注入改為高壓DDD-B與低壓P阱同時(shí)注入。
DDD或者低壓阱同時(shí)注入于相對(duì)應(yīng)的高壓區(qū)場(chǎng)氧下起到增強(qiáng)器件分離的作用。綜上所述，通過本發(fā)明的工藝步驟，減少了2次光刻，完成高壓PMOS和NMOS器件的前道制備，降低了成本。
必須強(qiáng)調(diào)，本發(fā)明方法雖然是以淺槽隔離工藝為例，給出了此種用于制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝的集成方法，但這種方法同樣適用于以局部硅氧化(Local Oxidation of Silicon，LOCOS)為場(chǎng)氧的工藝。
權(quán)利要求
1.一種制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝，其特征在于，包括高壓P阱注入、高壓N阱注入、淺槽隔離結(jié)構(gòu)的制備、高壓DDD-P注入與低壓N阱注入、高壓DDD-B注入與低壓P阱注入，用高壓N阱光刻和高壓DDD-B完成高壓PMOS器件的制備，用高壓P阱光刻和高壓DDD-P完成高壓NMOS器件的制備；其中所述高壓DDD-P注入與低壓N阱注入同時(shí)進(jìn)行，進(jìn)行一次光刻；高壓DDD-B注入與低壓P阱注入同時(shí)進(jìn)行，進(jìn)行一次光刻；所述高壓DDD-P注入與低壓N阱注入和高壓DDD-B注入與低壓P阱注入使用兩塊光刻板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝，其特征是，還包括注入到高壓區(qū)場(chǎng)氧下，用于器件分離的結(jié)構(gòu)可與DDD或者低壓阱同時(shí)制備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝，所述淺槽隔離結(jié)構(gòu)可以用局部硅氧化為場(chǎng)氧結(jié)構(gòu)代替。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝，包括高壓P阱注入、高壓N阱注入、淺槽隔離結(jié)構(gòu)的制備、高壓DDD－P注入與低壓N阱注入、高壓DDD－B注入與低壓P阱注入，用高壓N阱光刻和高壓DDD－B完成高壓PMOS器件的制備，用高壓P阱光刻和高壓DDD－P完成高壓NMOS器件的制備；其中高壓DDD－P注入與低壓N阱注入同時(shí)進(jìn)行，進(jìn)行一次光刻；高壓DDD－B注入與低壓P阱注入同時(shí)進(jìn)行，進(jìn)行一次光刻；高壓DDD－P注入與低壓N阱注入和高壓DDD－B注入與低壓P阱注入使用兩塊光刻板。本發(fā)明將高壓DDD－P與低壓N阱分別注入改為高壓DDD－P與低壓N阱同時(shí)注入，并將高壓DDD－B與低壓P阱分別注入改為高壓DDD－B與低壓P阱同時(shí)注入，減少了工藝步驟，降低了工藝成本。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1905156SQ200510028178
公開日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2005年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月27日
發(fā)明者鄭萍, 金炎, 俞波 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司