專利名稱：自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鑲嵌柵極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般系關(guān)于半導(dǎo)體組件，并且尤其系關(guān)于具有自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的鑲嵌柵極的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)組件及制作該組件方法。
背景技術(shù)：
組件尺寸的縮小已經(jīng)成為驅(qū)動(dòng)集成電路在效能上改善及在成本上縮減的主要因素。由于結(jié)合柵極氧化物厚度及源極/漏極(source/drain，S/D)接合面深度的限制，現(xiàn)有塊體金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件縮小至0.1微米制程階段以下可能是困難的，盡管并非不可能。新的組件結(jié)構(gòu)及新的材料因此可能需要以改善場(chǎng)效應(yīng)晶體管效能。
雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為可成功存在平面化的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的可能組件代表。在雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，使用兩個(gè)柵極控制該溝道明顯抑制短溝道效應(yīng)。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為包含形成在垂直鰭內(nèi)的溝道的雙柵極結(jié)構(gòu)。雖然是雙柵極結(jié)構(gòu)，該鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管在布局及制造技術(shù)中類似于既存的平面化金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。相較于其它雙柵極結(jié)構(gòu)，該鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管亦提供溝道長(zhǎng)度的范圍、互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體兼容性及大封裝密度。

發(fā)明內(nèi)容
符合本發(fā)明的原理實(shí)現(xiàn)系提供包含具有自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的柵極掩模所形成的鑲嵌柵極的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管裝置及用于制造這些裝置的方法。
在符合本發(fā)明的原理的其中一項(xiàng)目的中，用于形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的方法包含在襯底上圖案化鰭(310)區(qū)域、源極區(qū)域及漏極區(qū)域、在該鰭(310)區(qū)域內(nèi)形成鰭(310)及在該鰭(310)區(qū)域內(nèi)形成掩模。該方法更包含蝕刻該掩模以暴露該金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)域、在該溝道區(qū)域內(nèi)蝕刻該鰭(310)以薄化該鰭(310)的寬度、在該鰭上方形成柵極及形成接觸至該柵極、該源極及該漏極區(qū)域。
在符合本發(fā)明的原理的另一個(gè)目的中，用于形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法包含在襯底上形成鰭(310)；在該襯底上形成掩模；蝕刻該掩模以暴露該金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)域；在該溝道區(qū)域內(nèi)薄化該鰭(310)的寬度；以及在該鰭之上形成柵極，其中該柵極在該鰭的每一端上延伸。
在符合本發(fā)明的原理的再一項(xiàng)目的中，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管包含具有形成在襯底上寬度大約100埃至400埃的鰭(310)、形成在該鰭的側(cè)邊表面的柵電介質(zhì)及形成遮蓋該鰭的柵電極。


以下為表示本發(fā)明的實(shí)施例的圖式的簡(jiǎn)單說明。
圖1說明依據(jù)符合本發(fā)明原理的實(shí)施例的用于制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的例示性的程序；圖2A至圖6C說明依據(jù)在圖1中所描述的程序制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的例示上視及橫截面圖；圖7A至圖7C說明依據(jù)符合本發(fā)明原理的另一項(xiàng)實(shí)現(xiàn)用于形成間隔物的制程；圖8A至圖8C說明用于去除鰭(310)側(cè)壁損害的例示性的制程；以及圖9說明用于改善鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件的遷移率的例示性的制程。
具體實(shí)施例方式
下文符合本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)的詳細(xì)描述參考附加圖式。在不同的圖式中的該相同的圖標(biāo)標(biāo)號(hào)將定義相同或類似的組件。而且，下文詳細(xì)描述并非限定本發(fā)明。取而代之，本發(fā)明的范疇藉由該附加的權(quán)利要求書及本身的等同所定義。
符合本發(fā)明原理的實(shí)現(xiàn)提供包含自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的鑲嵌柵極的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件及用于制造這些組件的方法。此類鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件具有某些優(yōu)點(diǎn)。例如，僅有該鰭(310)的主動(dòng)區(qū)域是在該最小溝道長(zhǎng)度處，該最小溝道長(zhǎng)度減少源極/漏極電阻。該柵極亦自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)于該最小溝道區(qū)域，該最小溝道區(qū)域顯著地減少該組件的寄生的源極/漏極電阻。在傳統(tǒng)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管方法中，為了柵極至鰭(310)產(chǎn)生的遮蓋公差，該狹窄溝道通常為明顯地較長(zhǎng)于該柵極長(zhǎng)度。而且，該柵極圖案化是在平面襯底上完成(例如，拋光的鑲嵌材料)，由于先進(jìn)的微影技術(shù)傾向極低的聚焦深度，該平面襯底會(huì)增加的微影余隙。而且，因?yàn)楣庾柰坎际窃谄教贡砻嫔希捎谠谛螒B(tài)表面(意即CD Swing)上光阻厚度改變而造成的臨界尺寸變動(dòng)可以避免。例示性的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管圖1說明依據(jù)符合本發(fā)明的原理實(shí)現(xiàn)用于制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的例示性程序。圖2A至圖6C說明依據(jù)圖1所描述的程序所制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管例示性上視及橫截面圖。
參考圖1及圖2A至2C，加工程序可以開始于半導(dǎo)體組件200。如同在圖2A及圖2B的橫截面圖所顯示，半導(dǎo)體組件200可以包含絕緣層硅(silicon on insulator，SOI)結(jié)構(gòu)，該絕緣層硅結(jié)構(gòu)包含硅襯底210、掩埋氧化物層220及在該掩埋氧化物層220上的硅層230。掩埋氧化物層220及硅層230可以習(xí)知方式形成在襯底210之上。掩埋氧化物層220的厚度可例如從約1,000埃至6,000埃硅層230的厚度可例如約400埃至1,500埃的范圍。由于增加的厚度導(dǎo)致增加該組件的厚度(意即更多的電流沿著該鰭(310)的側(cè)壁流動(dòng)并且因此具有較高的驅(qū)動(dòng)電流(在金屬氧化物半導(dǎo)體效晶體管中I∝W/L))，該硅材厚度可以盡可能地厚。在習(xí)知的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管裝置中通常很難使用厚的硅材厚度，由于該使用亦導(dǎo)致在該柵極微影步驟中的較大的階梯差及較差的微影余隙。
可被了解的是硅層230是使用于形成該鰭。在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，襯底210及硅層230可以包含其它半導(dǎo)體材料，諸如鍺，或者半導(dǎo)體材料的組合，諸如硅一鍺。掩埋氧化物層220可以包含氧化硅或其它形式的介電材料。
氮化硅或其它形式的材料可以形成在硅層230之上并且可以負(fù)責(zé)作為用于后續(xù)加工的底部抗反射涂布(bottom antireflective coating，BARC)240，如同在圖2A及2B所示。底部抗反射涂布層240的厚度可以從大約150埃至350埃的范圍。光阻250或類似的物質(zhì)可以沉積及圖案化以促使較大的鰭(310)區(qū)域及該源極與漏極區(qū)域(步驟110)的形成，如同在圖2A至圖2C中所顯示。光阻250可以沉積至范圍約1,000埃至4,000埃的厚度。圖2C顯示圖2A及2B的半導(dǎo)體組件200之上視圖。在圖2A中該橫截面采取沿著在圖2C中的線段X并且在圖2B中的橫截面為采取沿著在圖2C中的線段Y。
硅層230可以經(jīng)由蝕刻以形成鰭(310)310(步驟120)，如同在圖3A及3B中所顯示。例如，并未位在光阻250下方的硅層230部分可被蝕刻至掩埋氧化物層220終止蝕刻。光阻250接著可以去除。鰭(310)310的寬度，如同在圖3B中所顯示，可以從大約500埃至800埃的范圍。
鑲嵌掩模可以形成在鰭(310)310(步驟130)的區(qū)域內(nèi)，如同在圖3A至3C所示。例如，鑲嵌材料320，諸如氧化硅、氮化硅、氫氧碳化硅(SiCOH)等等，可以沉積在半導(dǎo)體組件200的上方至范圍從大約800埃至2,200埃的厚度(以涵括鰭(310)310及底部抗反射涂布240)并且接著使用已知技術(shù)拋光，如同在圖3A及3B所示。鑲嵌材料320可以負(fù)責(zé)作為用于后續(xù)加工的底部抗反射涂布。鑲嵌材料320接著可以使用柵極掩模而蝕刻以暴露出溝道區(qū)域330于該柵極開孔內(nèi)，如同在圖3A至3C中所顯示。溝道區(qū)域330的寬度，如同在圖3C所示，范圍可以從大約300埃至500埃。使用以暴露出溝道區(qū)域330的柵極掩?？梢允褂脤?duì)于熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)的人士已知的先進(jìn)的微影及圖案化技術(shù)而產(chǎn)生。
鰭(310)310的寬度接著可以縮減(步驟140)，如同在圖4A至4C所示?？梢允褂靡粋€(gè)或一個(gè)以上的蝕刻技術(shù)以在溝道區(qū)域330內(nèi)側(cè)向蝕刻鰭(310)310。例如，可使用熱氧化并且接續(xù)稀釋氫氟酸浸泡。其它形式的蝕刻可以交替地使用。例如，硅可以在下行氟電漿下蝕刻，其中在氟類型下該硅蝕刻對(duì)于氧化物的化學(xué)選擇性是非常高的，或者在溴化氫下依據(jù)電漿化學(xué)的側(cè)向硅蝕刻可以使用。
所去除的硅材的量每一側(cè)范圍可以從大約100埃至200埃，如同在圖4B所示。鰭(310)310的最終寬度范圍可以從大約100埃至400埃。底部抗反射涂布240符合本發(fā)明的原理在實(shí)現(xiàn)上可能殘留，如同在圖4B所示。在其它實(shí)現(xiàn)中，底部抗反射涂布240可以去除。圖4C說明鰭(310)310在溝道區(qū)域330內(nèi)已經(jīng)變薄后的半導(dǎo)體組件200的上視圖。
柵極接著可以形成(步驟150)，如同在圖5A至5C中所示。例如，柵極介電材料510可以使用已知的技術(shù)而沉積或熱生長(zhǎng)在該鰭(310)310的側(cè)向表面上，如同在圖5B所示。柵極介電材料510可以包含習(xí)知的介電材料，諸如氧化物(例如二氧化硅)、氮氧化硅或高介電常(高K值)材料，諸如HfO2。在其它實(shí)現(xiàn)中，氮化硅或其它材料可以使用以形成該柵電介質(zhì)。柵極介電材料510可以形成范圍從大約10埃至20埃的厚度。
柵電極材料520接著可以在半導(dǎo)體組件200的上方沉積及拋光，如同在圖5A及圖5B所示。柵電極材料520可以拋光(例如經(jīng)由化學(xué)機(jī)械拋光(chemical-mechanical polishing，CMP))以去除在鑲嵌材料320上方的任何的柵極材料，如同在圖5A及圖5B中所示。許多材料可以使用于柵電極材料520。例如，柵電極材料520可以包含多晶硅或其它形式的傳導(dǎo)材料，諸如鍺或硅及鍺的組合，或者諸如鎢、氮化鎢、氮化鉭、氮化鈦等的金屬。柵電極材料520可以形成范圍從大約700埃至2,100埃的厚度，如同在圖5B所示，該厚度可以大約于鑲嵌材料320(某些鑲嵌材料320可能因?yàn)閽伖舛鴵p失)的厚度。圖5C顯示在柵電極520形成后半導(dǎo)體200的上視圖。在圖5C中該虛線表示鰭(310)310的變薄的部分。柵極介電層510為了簡(jiǎn)化起見并無顯示于圖5C中。
源極、漏極及柵極接觸接著可形成(步驟160)，如同在圖6A至圖6C中所示。例如在其中一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，較大的接觸區(qū)域可在該柵極的兩側(cè)的鰭(310)310的上方開孔，如同在圖6A中所示。源極及漏極接觸區(qū)域610及620可以藉由蝕刻穿越位在鰭(310)310上方的鑲嵌材料320的額外的部分并且亦去除底部抗反射涂布240而開孔。柵極接觸區(qū)域630亦可以形成在柵電極520之上。對(duì)于這些接觸區(qū)域610至630成為大于鰭(310)310及該源極/漏極的實(shí)際尺寸是可能的。
硅化物，諸如硅化鈷(CoSi2)或硅化鎳(NiSi)，接著可以在這些開孔內(nèi)產(chǎn)生。該硅化鈷或硅化鎳硅化物只在具有多晶硅(意即柵極)或硅(意即源極/漏極)及所有鰭(310)區(qū)域(寬的鰭)為暴露的處而產(chǎn)生。只要在當(dāng)藉由該現(xiàn)今工業(yè)所使用的典型的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)硅化技術(shù)完成時(shí)，該未反應(yīng)的鈷或鎳(任何未具有硅之處)可以底切蝕刻去除。
在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，鑲嵌材料320及底部抗反射涂布240可以從鰭(310)310的頂部及該源極/漏極而去除。接著，側(cè)壁間隔物可以形成在該柵極及鰭(310)310的側(cè)壁上。接著，硅化金屬，諸如鈷或鎳，可以沉積以在任何該頂部處暴露出具有硅或多晶硅的位置形成自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的硅化物(意即在該柵極之上及該暴露的鰭(310)溝道之上)。
因此，該最終的半導(dǎo)體組件200可以包含形成在鰭(310)310的兩端上的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的鑲嵌柵極。在該溝道區(qū)域內(nèi)的鰭(310)310是變薄的，如同在圖6C中的虛線所示。
依據(jù)符合本發(fā)明的原理的另一項(xiàng)實(shí)現(xiàn)，間隔物可以用于該鑲嵌柵極的轉(zhuǎn)移而形成以使得該柵極長(zhǎng)度較小。圖7A至7C說明依據(jù)符合本發(fā)明的原理的另一項(xiàng)實(shí)現(xiàn)的用于形成間隔物的例示性的程序。如同在圖7A至7C中所說明，硬質(zhì)掩模710可以開孔(圖7A)、間隔物720可以形成(圖7B)及該鑲嵌柵極的轉(zhuǎn)移可以在該開孔內(nèi)執(zhí)行(圖7C)。為了形成小的柵極長(zhǎng)度組件，在該鑲嵌柵極開孔內(nèi)部的該間隔物形成可以使小的間隔的圖案化變得容易(如同上文所提及)。該間隔物技術(shù)比單獨(dú)地藉由光學(xué)微影收縮所能獲得的間隔物能夠形成更小的間隔物。
在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，鑲嵌柵極收縮技術(shù)，諸如在共同申請(qǐng)中所描述的技術(shù)，一般指定的申請(qǐng)案名稱為“使用反向清除及氧化物拋光的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極形成”(序號(hào)10/459,589)(目錄號(hào)H1122)，申請(qǐng)日為2003年6月12目、“使用虛設(shè)柵極反向清除的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極形成”(序號(hào)10/320,536)(目錄號(hào)H1121)，申請(qǐng)日為2002年12月17日及“在較大的形態(tài)表面上用于蝕刻鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的蝕刻終止層”(序號(hào)10/632,989)(目錄號(hào)H1172)，申請(qǐng)日2003年08月04日，該申請(qǐng)案在此參照并入。
在再一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，金屬柵電極可以取代上文所描述的該多晶硅鑲嵌制程而使用。
其它實(shí)現(xiàn)在該技藝中需要去除在加工期間可能在鰭(310)的側(cè)邊表面(意即側(cè)壁)上產(chǎn)生的受損。圖8A至圖8C說明用于去除鰭(310)側(cè)壁受損的例示性的程序。半導(dǎo)體組件800可以包含形成在襯底830之上的鰭(310)層810及遮蓋層820，如同在圖8A所示。鰭(310)層810可以包含半導(dǎo)體材料，諸如硅或鍺，或者半導(dǎo)體材料的組合。遮蓋層820例如可以包含氮化硅材料或在該制造程序期間能夠保護(hù)鰭(310)層810的某些種類的材料。
鰭(310)層810及遮蓋層820可以使用習(xí)知的干蝕刻技術(shù)而蝕刻以形成鰭(310)840，如同在圖8B所示。習(xí)知的濕式蝕刻技術(shù)接著可以使用以去除鰭(310)側(cè)壁受損，如同在圖8C所示。在該濕式蝕刻期間，鰭(310)840的寬度每一側(cè)可以薄化接近20埃至40埃。由于當(dāng)濕式蝕刻時(shí)很難獲得硅對(duì)二氧化硅的良好的選擇性，硅的濕式蝕刻亦可以造成某些埋藏的氧化物損失。
在該技術(shù)中對(duì)于改善鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件的遷移率亦有需求。圖9說明用于改善鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件的遷移率的例示性的程序。晶粒接著材料可以形成在封裝上，如同在圖9所示。該晶粒接著材料可以經(jīng)由選擇以在該鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力(應(yīng)變)。晶粒接著可以連接至該晶粒接著材料，如同在圖9所示。在該硅材鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道內(nèi)所產(chǎn)生的張應(yīng)力可能造成增加的電洞遷移率，該電洞遷移率能顯著地幫助改善P型金屬氧化物半導(dǎo)體鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管效能。該晶粒接著材料及制程可以使得在該硅層內(nèi)的該殘留應(yīng)力是張應(yīng)力。例如，若在該(熱的)晶粒連接/焊接/凸塊制程之該封裝材料收縮并未如同硅層快速，則當(dāng)冷卻至較低的溫度時(shí)該硅層可以處于張應(yīng)力狀態(tài)。
結(jié)論符合本發(fā)明原理的實(shí)現(xiàn)提供包含具有自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的柵極掩模所形成的鑲嵌柵極的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件及用于制造這些組件的方法。這些鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管組件具有某些優(yōu)點(diǎn)。例如，僅該鰭(310)的主動(dòng)區(qū)域是在該最小溝道長(zhǎng)度處、該柵極是自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)于該最小溝道及該柵極圖案化是在平面的襯底上執(zhí)行(例如拋光的鑲嵌材料)。
本發(fā)明的例示性的實(shí)施例的前文描述提供說明及圖式描述，但是并非意在限定本發(fā)明于所詳盡揭示的該明確的形式。依據(jù)上文的教導(dǎo)，可能的修正及變化是可能的可藉由上述教導(dǎo)或可以從本發(fā)明的實(shí)施中獲得。
例如，在上文的描述中，各種特定的細(xì)節(jié)在此提出，諸如特定的材料、結(jié)構(gòu)、化學(xué)成分、制程等等，以提供符合本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)的全部的了解。然而，這些實(shí)現(xiàn)及其它實(shí)現(xiàn)可以實(shí)施而不需訴諸在此所特別提出的細(xì)節(jié)。在其它例子中，已知的加工結(jié)構(gòu)并未作詳細(xì)描述，藉以避免模糊本發(fā)明的呈現(xiàn)。在實(shí)施本發(fā)明中，習(xí)知的沉積、光學(xué)微影及蝕刻技術(shù)可以使用，并且因此，此類技術(shù)的細(xì)節(jié)并未在此詳細(xì)提出。
雖然一系列步驟參考圖1已經(jīng)作描述，該步驟的順序可以在符合本發(fā)明的其它實(shí)現(xiàn)中作改變。再者，非關(guān)聯(lián)的步驟可以平行地實(shí)現(xiàn)。
在本申請(qǐng)案的描述中所使用的組件、步驟或知識(shí)對(duì)于本發(fā)明不應(yīng)該解釋為關(guān)鍵或必要的，除非明顯地在此提及。而且，如同在此所使用的，該冠詞“a”是意在包含一個(gè)或一個(gè)以上的項(xiàng)目。其中意指僅一個(gè)(one)項(xiàng)目時(shí)，將使用該名詞“一個(gè)(one)”或類似的用語。本發(fā)明的范疇是藉由該權(quán)利要求書及宣稱的等同物所定義。
權(quán)利要求
1.一種用于形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)(200)的方法，包括下列步驟形成鰭(310)于襯底上；形成掩模(320)于該襯底上；蝕刻該掩模(320)以暴露出該MOSFET(200)的溝道區(qū)域(330)；薄化在該溝道區(qū)域(330)內(nèi)的該鰭(310)的寬度；以及形成柵極于該鰭(310)的上方，該柵極延伸于該鰭(310)的每一端上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括圖案化鰭區(qū)域、源極區(qū)域及漏極區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括形成硅化物材料于該襯底上；以及經(jīng)由該硅化物材料形成柵極接觸、源極接觸及漏極接觸。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該形成掩模的步驟包含沉積鑲嵌材料于該襯底上。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該形成柵極的步驟包含蝕刻該鑲嵌材料以形成柵極區(qū)域，形成柵電介質(zhì)(510)于該鰭(310)的側(cè)表面上，以及沉積柵電極材料(520)以至少部分地填充該柵極區(qū)域。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該薄化鰭(310)的寬度的步驟包含從該鰭(310)寬度的每一端去除大約100埃至200埃。
7.一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)(200)，其特征為鰭(310)，形成于襯底上并且具有大約100埃至400埃的寬度；柵電介質(zhì)(510)，形成在該鰭(310)的側(cè)表面上；以及柵電極(520)，形成遮蓋該鰭(310)。
8.如權(quán)利要求7所述的MOSFET(200)，其中該柵電極(520)包括形成在該鰭(310)的第一及第二各端上的第一及第二柵極區(qū)域，該第一及第二柵極區(qū)域彼此對(duì)準(zhǔn)；以及其中該MOSFET(200)進(jìn)一步包括源極區(qū)域；以及漏極區(qū)域。
9.一種用于形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)(200)的方法，包括下列步驟圖案化鰭區(qū)域、源極區(qū)域及漏極區(qū)域于襯底上；形成鰭(310)于該鰭區(qū)域內(nèi)；形成掩模(320)于該鰭區(qū)域內(nèi)；蝕刻該掩模(320)以暴露出該MOSFET(200)的溝道區(qū)域(330)；蝕刻該鰭(310)以薄化在該溝道區(qū)域(330)內(nèi)的該鰭(310)的寬度；形成柵極于該鰭(310)的上方；以及形成接觸(610-630)至該柵極、該源極區(qū)域及該漏極區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該形成掩模(320)的步驟包含沉積鑲嵌材料(320)于該襯底的上方。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該形成柵極的步驟包含蝕刻該鑲嵌材料(320)以形成柵極區(qū)域，形成柵電介質(zhì)(510)于該鰭(310)的側(cè)表面上，以及沉積柵電極材料(520)以至少部分地填充該柵極區(qū)域。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該蝕刻鰭(310)的步驟包含從該鰭(310)寬度的每一端去除大約100埃至200埃。
全文摘要
一種用于形成金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)(200)的方法包含形成鰭區(qū)域、源極區(qū)域及漏極區(qū)域于襯底上、形成鰭(310)于該鰭區(qū)域內(nèi)及形成掩模(320)于該鰭區(qū)域內(nèi)。該方法更包含蝕刻該掩模(320)以暴露出該金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(200)的溝道區(qū)域(330)、蝕刻該鰭(310)以薄化在該溝道區(qū)域(330)內(nèi)的該鰭(310)的寬度、形成柵極于該鰭(310)的上方及形成接觸至該柵極、該源極區(qū)域及該漏極區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1883041SQ200480033715
公開日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月4日
發(fā)明者C·E·塔貝里, S·S·艾哈邁德, M·S·拜諾斯基, S·達(dá)克希納-墨菲, Z·克里沃卡皮奇, 汪海宏, C-Y·楊, 俞斌 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司