專利名稱：可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，特別涉及一種可令導(dǎo)線架隱置于晶片下并縮小導(dǎo)線架體積的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電路板的板面空間如何充分的利用，是電路板設(shè)計(jì)布局的要項(xiàng)之一，尤其在現(xiàn)今資訊電子等相關(guān)產(chǎn)品均要求多功能合一的設(shè)計(jì)趨勢(shì)下，如何在有限的電路板空間，裝置最多功能性電晶體，即為技術(shù)有待克服的瓶頸；其次，現(xiàn)今電子相關(guān)產(chǎn)品，尤其是個(gè)人隨身用品，例如個(gè)人移動(dòng)秘書(PDA)、筆記本電腦(Note Book)、多功能隨身碟、平板電腦、準(zhǔn)系統(tǒng)或移動(dòng)電話等，均一再為了提供使用者攜帶方便性，而朝向精巧化體積及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，相對(duì)的限制電路板裝置空間，因此，除了在縮小電路板面積外，其它相關(guān)電子元件也需在結(jié)構(gòu)上改進(jìn)。
如圖9、圖10所示，為習(xí)知半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)示意圖，可知習(xí)見半導(dǎo)體封裝10是在一晶片20下設(shè)置有一導(dǎo)線架30，并于外部以一封膠體40構(gòu)成密封，藉此利用導(dǎo)線架30作為晶片20與電路板連接的媒介，但其中該導(dǎo)線架30形成有多數(shù)排列狀引指301凸伸于半導(dǎo)體封裝10兩側(cè)下方，除了致使導(dǎo)線架30整個(gè)結(jié)構(gòu)體積無法縮減外，更增加其電阻值，因此，在現(xiàn)今要求電路板及電子元件均需朝向精巧及高速率設(shè)計(jì)趨勢(shì)下，習(xí)見導(dǎo)線架30結(jié)構(gòu)形態(tài)，無法滿足需求。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是要解決上述導(dǎo)線架存在體積過大的問題，而提供一種可克服上述缺點(diǎn)的可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型具有復(fù)數(shù)引指單元結(jié)構(gòu)，以提供晶片可貼置的架體，其特征在于各引指是以沖壓形成至少一上置平面的塊體，于塊體下端面沖設(shè)有至少一內(nèi)導(dǎo)接平面，以及該內(nèi)導(dǎo)接平面相鄰處至少一向下的隆凸塊，并以隆凸塊的下端面作為可與外界接通的外導(dǎo)接平面；藉此即形成各引指的上置平面可供置放晶片，而可于內(nèi)導(dǎo)接平面處連接至少一金屬導(dǎo)線至晶片，并可利用隆凸塊的外導(dǎo)接平面與其它設(shè)備導(dǎo)接的引指結(jié)構(gòu)，而利用隆凸塊的端面與電路板進(jìn)行焊接，以獲得導(dǎo)線架隱置及縮減空間的效果。
所述的引指可應(yīng)用一金屬塊(片)體由上向下沖制出所述的內(nèi)導(dǎo)接平面、隆凸塊及外導(dǎo)接平面結(jié)構(gòu)，而形成相同功能的結(jié)構(gòu)形態(tài)。
所述的引指可應(yīng)用金屬片(塊)呈對(duì)折狀沖彎，形成隆凸塊貼覆于下面內(nèi)導(dǎo)接平面相鄰側(cè)的結(jié)構(gòu)，以及隆凸塊的端面的外導(dǎo)接平面，而形成相同功能的結(jié)構(gòu)形態(tài)。
所述的引指可選用金屬片(塊)的上端選定側(cè)處，向下沖制成一凹陷部，以形成隆凸塊、外導(dǎo)接平面及內(nèi)導(dǎo)接平面結(jié)構(gòu)。
所述的引指可選用金屬片(塊)擠制出下端一隆凸塊結(jié)構(gòu)，并形成所述的外導(dǎo)接平面及內(nèi)導(dǎo)接平面。所述的隆凸塊與內(nèi)導(dǎo)接平面相鄰之端，另形成向下彎折具有一凸塊，以該凸塊下端面作為外導(dǎo)接平面；所述的隆凸塊彎折后可與內(nèi)導(dǎo)接平面具有一間隔空間。


圖1為本實(shí)用新型的導(dǎo)線架實(shí)施為四排引指的示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的導(dǎo)線架實(shí)施為二排引指的示意圖。
圖3為本實(shí)用新型的引指由上而下沖制結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4為本實(shí)用新型的引指沖彎對(duì)折形成結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5為本實(shí)用新型的引指另沖彎有凸塊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6為本實(shí)用新型的引指沖彎對(duì)折形成結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7為本實(shí)用新型的引指由上而下沖制結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖8為本實(shí)用新型的引指擠制出結(jié)構(gòu)特征的示意圖。
圖9為習(xí)見半導(dǎo)體封裝組成狀態(tài)的立體示意圖。
圖10為習(xí)見半導(dǎo)體封裝組成狀態(tài)的剖視示意圖。。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1、圖2所示，本實(shí)用新型是針對(duì)導(dǎo)線架1(或稱花架)的復(fù)數(shù)引指11(或稱接腳等)的單元結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，藉此提供晶片20可貼置于引指11上面，進(jìn)而使導(dǎo)線架1可獲得隱置及縮小空間體積的效果，其特征在于，如圖1、圖2所示，導(dǎo)線架1是依據(jù)實(shí)際制造需求而構(gòu)成有二排、四排或其它排列數(shù)目及位置的復(fù)數(shù)金屬材質(zhì)引指11單元，其中各引指11是以沖壓方式形成具有一上置平面12的塊體，如圖3所示，以提供晶片20置放或接觸；于該塊體下端面沖設(shè)有至少一可與晶片20以金屬導(dǎo)線50接通的內(nèi)導(dǎo)接平面13，以及該內(nèi)導(dǎo)接平面13相鄰處至少一向下的隆凸塊14，并以隆凸塊14的下端面作為可與外界接通的外導(dǎo)接平面15；藉此即形成各引指11的上置平面12可共同提供置放至少一晶元20，而可于內(nèi)導(dǎo)接平面13處連接至少一金屬導(dǎo)線50至晶片20(打線)，并可利用隆凸塊14之端面的外導(dǎo)接平面15與其它設(shè)備導(dǎo)接的引指11結(jié)構(gòu)，而利用隆凸塊14的端面與電路板進(jìn)行焊接，以獲得導(dǎo)線架1隱置及縮小空間的效果。
請(qǐng)參閱圖3所示，本實(shí)用新型的引指11結(jié)構(gòu)特征的形成，是可應(yīng)用一金屬塊體，直接由上向下沖制出所述的內(nèi)導(dǎo)接平面13，以及其相鄰處至少一隆凸塊14與外導(dǎo)接平面15結(jié)構(gòu)，藉此依實(shí)際需求而形成二排或四排狀排列，既組成可供晶片20貼置于上的結(jié)構(gòu)功能；如圖4所示，所述的引指可應(yīng)用金屬片(塊)呈對(duì)折狀沖彎，以形成至少一隆凸塊14a貼覆于下面內(nèi)導(dǎo)接平面13a相鄰側(cè)的結(jié)構(gòu)，并以該隆凸塊14a的端面作為外導(dǎo)接平面15a，而形成相同功能的結(jié)構(gòu)形態(tài)；如圖5所示，藉上述金屬片(塊)呈對(duì)折狀沖彎的技術(shù)，可使隆凸塊14a與內(nèi)導(dǎo)接平面13a相鄰之端，另形成向下彎折具有一凸塊141a，以該凸塊141a下端面作為外導(dǎo)接平面15a；但本實(shí)用新型應(yīng)用沖彎的方式，并不以隆凸塊14a貼覆于內(nèi)導(dǎo)接平面13a的結(jié)構(gòu)為限，如圖6所示，該彎折形成的隆凸塊14b可與內(nèi)導(dǎo)接平面13b具有一間隔空間，以提供組成的導(dǎo)線架1具有充足的高度，并利用該隆凸塊14b下端面作為所述的外導(dǎo)接平面15b；又如圖7所示，本實(shí)用新型可選用金屬片(塊)的上端選定側(cè)處，向下沖制成一凹陷部16c，以同步形成一隆凸塊14c，并具有下端面的外導(dǎo)接平面15c及相鄰側(cè)的內(nèi)導(dǎo)接平面13c結(jié)構(gòu)；另外，如圖8所示，本實(shí)用新型可選用金屬片(塊)擠制出下端一隆凸塊14d結(jié)構(gòu)，以進(jìn)一步形成下端面的外導(dǎo)接平面15d及相鄰側(cè)的內(nèi)導(dǎo)接平面13等結(jié)構(gòu)特征。
所述的引指11具有至少一上置平面12、內(nèi)導(dǎo)接平面13、隆凸塊14以及外導(dǎo)接平面15等結(jié)構(gòu)特征，并不限于特定技術(shù)手段，凡是足以形成相同結(jié)構(gòu)功能的形成方式及結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型均可加以利用實(shí)施；同理，所述的內(nèi)導(dǎo)接平面13、隆凸塊14以及外導(dǎo)接平面15，也不限于設(shè)有一個(gè)或附圖所示的位置，而能依據(jù)實(shí)際需求而設(shè)有二個(gè)隆凸塊14以及外導(dǎo)接平面15或更多個(gè)，或變更該隆凸塊14以及外導(dǎo)接平面15的空間位置，使其與另一引指形成錯(cuò)開排列狀，以達(dá)成防止焊錫相互沾粘及防止發(fā)生電子干擾(EMI)的效果。
本實(shí)用新型因?qū)Ь€架1是于各引指下端形成有與晶片20可打線的內(nèi)導(dǎo)接平面13，以及可與電路板等設(shè)備連接的外導(dǎo)接平面15，因此，在置放晶片20于導(dǎo)線架1的上置平面12后，足可使該導(dǎo)線架1隱置于晶片20下方，所以，不論否進(jìn)一步使用封膠體40進(jìn)行封裝，均可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線架1體積縮小的效果，從而使組成后的半導(dǎo)體封裝10更臻精巧，故能藉此符合電子產(chǎn)品縮小的需求，而供電子相關(guān)產(chǎn)業(yè)利用，尤其因本實(shí)用新型能縮短習(xí)見導(dǎo)線架的引指長度，故可降低電阻值，而增加其實(shí)際傳輸?shù)乃俾省?br> 權(quán)利要求1.一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，其是具有復(fù)數(shù)引指單元結(jié)構(gòu)，以提供晶片可貼置的架體，其特征在于各引指是以沖壓形成至少一上置平面的塊體，于塊體下端面沖設(shè)有至少一內(nèi)導(dǎo)接平面，以及該內(nèi)導(dǎo)接平面相鄰處至少一向下的隆凸塊，并以隆凸塊的下端面作為可與外界接通的外導(dǎo)接平面；藉此即形成各引指的上置平面可供置放晶片，而于內(nèi)導(dǎo)接平面處連接至少一金屬導(dǎo)線至晶片，并可利用隆凸塊的外導(dǎo)接平面與其它設(shè)備導(dǎo)接的引指結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的引指應(yīng)用一金屬塊體或片體由上向下沖制出內(nèi)導(dǎo)接平面、隆凸塊及外導(dǎo)接平面結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的引指應(yīng)用金屬片或塊呈對(duì)折狀沖彎，形成隆凸塊貼覆于下面內(nèi)導(dǎo)接平面相鄰側(cè)的結(jié)構(gòu)，以及隆凸塊的端面的外導(dǎo)接平面結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的隆凸塊與內(nèi)導(dǎo)接平面相鄰之端，另形成向下彎折具有一凸塊，以該凸塊下端面作為外導(dǎo)接平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的隆凸塊彎折后與內(nèi)導(dǎo)接平面具有一間隔空間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的引指選用金屬片或塊的上端選定側(cè)處，向下沖制成一凹陷部，以形成隆凸塊、外導(dǎo)接平面及內(nèi)導(dǎo)接平面結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的引指選用金屬片或塊擠制出下端一隆凸塊結(jié)構(gòu)，并形成外導(dǎo)接平面及內(nèi)導(dǎo)接平面。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種可隱置的晶片導(dǎo)線架單元結(jié)構(gòu)，其是具有復(fù)數(shù)引指單元結(jié)構(gòu)，以提供晶片可貼置的架體，其特征在于，各引指是以沖壓形成至少一上置平面的塊體，于塊體下端面沖設(shè)有至少一內(nèi)導(dǎo)接平面，以及該內(nèi)導(dǎo)接平面相鄰處至少一向下的隆凸塊，并以隆凸塊的下端面作為可與外界接通的外導(dǎo)接平面；藉此即形成各引指的上置平面可供置放晶片，而于內(nèi)導(dǎo)接平面處連接至少一金屬導(dǎo)線至晶片，并可利用隆凸塊的外導(dǎo)接平面與其它設(shè)備導(dǎo)接的引指結(jié)構(gòu)，而利用隆凸塊的端面與電路板進(jìn)行焊接，以獲得導(dǎo)線架隱置及縮減空間的效果。
文檔編號(hào)H01L23/495GK2704117SQ20042006403
公開日2005年6月8日 申請(qǐng)日期2004年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月12日
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