專利名稱：用于硅上液晶器件的鋁化學機械拋光回蝕的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及集成電路以及制造電子器件的集成電路加工方法。更具體地說，本發(fā)明涉及用于制造用作顯示器的硅上液晶(LCOS)器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明一般地涉及集成電路以及制造電子器件的集成電路加工方法。更具體地說，本發(fā)明提供了一種用于制造用作顯示器的硅上液晶(LCOS)器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。但是應當認識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。
近年來，電子顯示技術(shù)已經(jīng)得到迅速發(fā)展。在早期的傳統(tǒng)電視中，陰極射線管技術(shù)(通常稱作CRT)將選定的像素輸出到一個玻璃屏幕上。這些電視機最初輸出黑白移動圖像。很快彩色電視機取代了全部或絕大多數(shù)黑白電視機。盡管CRT極為成功，但是CRT通常很笨重，很難作到很大并且還有其它的局限。
CRT很快被液晶平板顯示器取代或至少部分取代。這些液晶平板顯示器(通常稱作LCD)使用耦合到液晶材料和彩色過濾器的晶體管元件陣列來輸出彩色移動圖像。許多計算機終端和較小的顯示設(shè)備經(jīng)常使用LCD輸出視頻、文本和其它視覺特征。令人遺憾的是，液晶平板通常具有低成品率并且很難按比例做到很大尺寸。這些LCD通常不適于用作經(jīng)常為電視等所需要的大顯示器。
因此，已經(jīng)開發(fā)了投影顯示單元。這些投影顯示單元除了別的以外還包括配對(counterpart)液晶顯示器，其將光從選定的像素通過透鏡輸出到大顯示器上以產(chǎn)生移動圖像、文本和其它視覺圖像。另一種技術(shù)稱作“數(shù)字光處理(Digital Light Processing，DLP)”，是美國德州儀器公司(TI)的商業(yè)名稱。DLP通常被用來稱為“微鏡(micro-mirror)”。DLP依靠數(shù)十萬個微小的鏡子，這些微小的鏡子排成800行，每行有600個鏡子。每個鏡子都裝有轉(zhuǎn)軸。一個制動器被安裝到每個轉(zhuǎn)軸上。該制動器通常具有靜電能，它能夠以高頻傾斜每個鏡子。活動的鏡子可以調(diào)制光，經(jīng)調(diào)制的光可以通過透鏡進行傳輸，并且隨后顯示在顯示屏上。盡管DLP已經(jīng)很成功，但它通常很難制造并且成品率很低等。
另一種技術(shù)稱作LCOS。LCOS使用施加到反光鏡襯底的液晶。隨著液晶“打開”或“關(guān)閉”，光被反射或阻擋以對光進行調(diào)制，進而產(chǎn)生顯示圖像。與傳統(tǒng)的透射式LCD相比，反射式LCOS顯示器允許更多的光通過光學系統(tǒng)，從而提供了較高的光照度。通常，至少有三個LCOS芯片，每個芯片對應于紅色、綠色和藍色通道的光。然而，LCOS具有很多局限。僅僅作為示例，LCOS通常很難制造。此外，LCOS需要至少三個芯片，這使得放映機又大又重并導致高成本。
一般而言，反應離子刻蝕(RIE)被用于圖案化鋁膜并形成鋁鏡。這種傳統(tǒng)的工藝流程有很多缺點。首先，由于氧化物沉積和回蝕的不一致性，它將導致晶圓中央和邊緣之間的不一致性。其次，使用傳統(tǒng)工藝，表面缺陷級別通常很高。這樣的缺陷包括凹點、缺失AL和劃痕。再者，AL表面粗糙度很高，一般等于或大于20埃Rms，這限制了AL鏡的反射。
從上面可以看出，需要一種改進的技術(shù)，用于加工半導體器件。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了用于制造電子器件的集成電路加工技術(shù)。更具體的說，本發(fā)明提供了一種用于制造用作顯示器的硅上液晶(LCOS)器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。但是應當認識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。
在一個具體實施例中，本發(fā)明提供了一種制造LCOS器件的方法。所述方法包括提供一個具有表面區(qū)域的襯底(例如，硅晶圓)。所述方法包括形成一個覆蓋在所述襯底的所述表面區(qū)域之上的中間電介質(zhì)層。所述方法圖案化所述中間電介質(zhì)層以形成復數(shù)個凹陷區(qū)域。每個所述凹陷區(qū)域?qū)贚COS器件的一個像素。每個所述凹陷區(qū)域都由為每個所述凹陷區(qū)域定義邊界的電介質(zhì)材料的一部分來進行隔離。每個所述邊界區(qū)域形成圍繞每個凹陷區(qū)域的外圍區(qū)域。所述方法在每個所述凹陷區(qū)域中沉積鋁材料，以填充每個所述凹陷區(qū)域并覆蓋所述邊界區(qū)域的暴露部分。所述方法形成覆蓋在所述鋁材料上的光掩模，并圖案化所述光掩模以暴露出對應于所述凹陷區(qū)域的區(qū)域并保護對應于所述邊界區(qū)域的區(qū)域。所述方法去除所述鋁材料的暴露區(qū)域，同時使用所述光掩模保護對應于所述邊界區(qū)域的區(qū)域。所述方法繼續(xù)所述去除步驟，直到所述鋁材料已被去除至所述邊界區(qū)域的上部區(qū)域附近。然后，所述方法剝離所述圖案化的光掩模以暴露出凸出的鋁材料，所述凸出的鋁材料圍繞所述圖案化的鋁材料。所述方法在使用邊界區(qū)域作為刻蝕停止層的同時，微接觸(touch-up)拋光所述凸出的鋁材料和所述圖案化的鋁材料的多個部分，以平坦化所述圖案化的鋁材料和所述邊界區(qū)域形成的上部表面區(qū)域。
通過本發(fā)明，實現(xiàn)了許多優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)的優(yōu)點。例如，本技術(shù)易于使用依賴于傳統(tǒng)技術(shù)的工藝。在一些實施例中，本方法提高了每個晶圓上的芯片的器件成品率。此外，本方法提供了與傳統(tǒng)工藝相兼容的工藝，而基本不用對現(xiàn)有的設(shè)備或工藝進行改動。本發(fā)明優(yōu)選地提供了用作顯示器的LCOS器件的改進的鏡面或電極結(jié)構(gòu)。這樣的電極結(jié)構(gòu)使用微接觸拋光技術(shù)來提供改進的鏡面。根據(jù)實施例，可以實現(xiàn)一個或多個這些優(yōu)點。在本說明書的下文中，將詳細描述這些以及其它的優(yōu)點。
參考下文詳細的描述和附圖，可以更全面地理解本發(fā)明的各種其它目的、特征和優(yōu)點。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的LCOS器件的簡化橫截面示圖；圖2-5是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造LCOS器件的方法的簡化橫截面示圖。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明，提供了用于制造電子器件的集成電路加工技術(shù)。更具體的說，本發(fā)明提供了一種用于制造用作顯示器的硅上液晶(LCOS)器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。但是應當認識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。
如所示，圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的LCOS器件100的簡化橫截面示圖。該示圖僅僅是一個示例，而不應作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限制。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能看出許多變化、修改和替換。如所示，LCOS器件100具有一個半導體襯底101，例如硅晶圓。形成一個MOS器件層103覆蓋在半導體襯底上。MOS器件層優(yōu)選地具有復數(shù)個MOS器件。每個MOS器件具有一個用作電極的接觸區(qū)域107和一個用作電位的接觸區(qū)域105。形成一個平坦化的中間電介質(zhì)層111覆蓋在MOS器件層上。LCOS器件還具有在中間電介質(zhì)層的一部分中的復數(shù)個凹陷區(qū)域，并且還具有一個金屬層(例如，鋁)來填充每個凹陷區(qū)域以形成對應于每個凹陷區(qū)域的復數(shù)個電極區(qū)域113。每個電極區(qū)域通過互連結(jié)構(gòu)109分別耦合到復數(shù)個MOS器件中的至少一個MOS器件。互連結(jié)構(gòu)109可以是插塞(plug)或其它類似結(jié)構(gòu)。形成一個保護層覆蓋在復數(shù)個電極區(qū)域中的每個的表面區(qū)域上，以保護該表面區(qū)域。在每個表面區(qū)域上都有一個精加工鏡面116。該精加工鏡面優(yōu)選地基本沒有缺陷，并且具有高反射率級別且表面粗糙度小于等于5埃，更為優(yōu)選地化學機械拋光工藝是具有一定條件的微接觸拋光工藝。每個電極可以具有范圍從約2000埃到約4000埃的厚度，并且可以是其它量級。每個電極代表LCOS器件的像素陣列中的一個像素。圖中還示出了覆蓋在電極之上的液晶薄膜115。LCOS器件還具有一個透明電極層(例如，銦錫氧化物)117和一個上覆的玻璃板119用于密封所述多層結(jié)構(gòu)。在本說明書及下文中可以找到對操作LCOS器件的方法的細節(jié)描述。
在本發(fā)明中，使用了鋁金屬鑲嵌(damascene)工藝，其中使用CMP來拋光被沉積到溝槽中的鋁或鋁合金，去除超過邊界的鋁。
為了操作LCOS器件，光120穿過玻璃覆層、通過透明電極而到達液晶薄膜。當電極沒有加偏壓時，液晶薄膜必須處于不工作(off)狀態(tài)，其不允許光穿過。更確切地說，光被阻擋并且不能從電極的鏡面反射回來。當電極通過MOS器件加以偏壓時，液晶薄膜處于工作(on)狀態(tài)，其允許光穿過121。光從電極的表面反射并且穿過處于工作狀態(tài)的液晶薄膜。鏡面優(yōu)選地基本沒有缺陷。因此入射光的至少93％穿過121 LCOS器件而離開。在本說明書及下文中可以找到對制造LCOS器件的方法的細節(jié)描述。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，用于制造LCOS器件的電極結(jié)構(gòu)的方法可以簡要描述如下1.提供一個襯底；2.形成一個覆蓋在所述襯底之上的晶體管元件層；3.形成一個覆蓋在所述晶體管元件層之上的中間電介質(zhì)層；4.圖案化所述中間電介質(zhì)層以形成復數(shù)個凹陷區(qū)域，每個所述凹陷區(qū)域?qū)贚COS器件的一個像素，每個所述凹陷區(qū)域都由為每個所述凹陷區(qū)域定義邊界的電介質(zhì)材料的一部分來進行隔離，每個所述邊界區(qū)域形成圍繞每個凹陷區(qū)域的外圍區(qū)域；5.在每個所述凹陷區(qū)域中沉積鋁材料，以填充每個所述凹陷區(qū)域并覆蓋所述邊界區(qū)域的暴露部分；6.形成覆蓋在所述鋁材料上的光掩模；7.圖案化所述光掩模以暴露出對應于所述凹陷區(qū)域的區(qū)域并保護對應于所述邊界區(qū)域的區(qū)域；8.去除所述鋁材料的暴露區(qū)域，同時使用所述光掩模保護對應于所述邊界區(qū)域的區(qū)域；9.繼續(xù)所述去除步驟，直到所述鋁材料已被去除至所述邊界區(qū)域的上部區(qū)域附近；10.剝離所述圖案化的光掩模以暴露出凸出的鋁材料，所述凸出的鋁材料圍繞所述圖案化的鋁材料；11.在使用邊界區(qū)域作為刻蝕停止層的同時，微接觸拋光所述凸出的鋁材料和所述圖案化的鋁材料的多個部分，12.平坦化所述圖案化的鋁材料和所述邊界區(qū)域形成的上部表面區(qū)域；以及13.執(zhí)行其它所需步驟。
上面的步驟序列提供了根據(jù)本發(fā)明的實施例的一種方法。如所示，本方法使用的步驟組合包括形成用于LCOS器件的電極結(jié)構(gòu)的方法。在不脫離這里的權(quán)利要求的范圍的條件下，可以做出其它替換，如增加步驟，去除一個或多個步驟或者以不同的次序規(guī)定一個或多個步驟。在本說明書以及下文的詳細描述中可以發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的其它細節(jié)。
圖2至圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于形成LCOS器件的方法。這些示圖僅僅作為示例，而不應作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限制。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能看出許多變化、替換和修改。參考圖2，所述方法始于提供一個半導體襯底203，例如，硅晶圓。所述方法包括形成一個覆蓋在襯底上的晶體管層。晶體管層優(yōu)選地具有復數(shù)個MOS器件，每個MOS器件具有一個第一接觸區(qū)域和一個第二接觸區(qū)域。所述方法還包括形成一個中間電介質(zhì)層205覆蓋在晶體管層上。該電介質(zhì)層可以由BPSG、FSG、氧化物、HDP(高密度等離子體)和它們的任意組合等形成。該電介質(zhì)層優(yōu)選地使用化學氣相沉積工藝來形成。所述方法隨后平坦化中間電介質(zhì)層以形成平坦化表面區(qū)域。電介質(zhì)層可選地已進行了平坦化。
再次參考圖2，所述方法包括對中間電介質(zhì)的上部表面進行掩模。所述方法圖案化所述中間電介質(zhì)以形成凹陷區(qū)域207。每個凹陷區(qū)域被邊界區(qū)域209所分隔。每個邊界區(qū)域小于預定測量結(jié)果201。預定測量結(jié)果優(yōu)選地小于1微米，但也可以是其它數(shù)值。根據(jù)實施例，每個凹陷區(qū)域具有深度為0.1微米到0.5微米且寬度約為2微米或更大。
參考圖3，所述方法包括形成一個阻擋金屬層(未示出)覆蓋在凹陷區(qū)域和邊界區(qū)域上。阻擋金屬層可以由諸如氮化鈦、鈦/氮化鈦等任何適當?shù)牟牧闲纬?。所述方法包括形成一個金屬層(例如，鋁)301覆蓋在所述阻擋金屬層上。諸如鋁的金屬層是濺射而成的。金屬層具有一個表面，所述表面基本平坦但是具有某些缺陷，例如表面粗糙度和其它缺陷。在一個具體實施例中，使用濺射工藝，金屬層具有預定粗糙度20?；蚋蟆Ｃ總€電極區(qū)域分別耦合到復數(shù)個MOS器件中的每個MOS器件。如所示，鋁層略微高于303邊界區(qū)域。當然，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能看出其它變化、修改和替換。
在一個具體實施例中，所述方法在鋁層的選定區(qū)域之上形成圖案化的光掩模。參考圖4，所述方法形成一個覆蓋在鋁材料上的光掩模，并且圖案化401所述光掩模以暴露對應于凹陷區(qū)域的區(qū)域并保護對應于邊界區(qū)域的區(qū)域。所述方法去除鋁材料的暴露區(qū)域，同時使用光掩模保護對應于邊界區(qū)域的區(qū)域。所述方法優(yōu)選地使用濕法或干法刻蝕技術(shù)。在一個具體實施例中，所述方法使用干法刻蝕工藝。該刻蝕技術(shù)繼續(xù)所述去除步驟，直到鋁材料已被去除至邊界區(qū)域的上部區(qū)域附近405。這里，邊界區(qū)域的上部區(qū)域在已刻蝕表面405的1000埃之內(nèi)。根據(jù)一個具體實施例，已刻蝕表面優(yōu)選地略微高出上部區(qū)域約500埃。如所示，對應于使用光掩模所保護區(qū)域的區(qū)域比已刻蝕表面高。
根據(jù)一個具體實施例，所述方法隨后執(zhí)行化學機械平坦化工藝501，以去除鋁材料的較高區(qū)域或凸出區(qū)域，并將鋁層與邊界區(qū)域的上部表面平齊。這里，所述方法剝離所述圖案化的光掩模以暴露凸出的鋁材料，所述凸出的鋁材料圍繞所述圖案化的鋁材料。所述方法在使用邊界區(qū)域作為拋光停止層的同時，微接觸拋光所述凸出的鋁材料和所述圖案化的鋁材料的多個部分，以平坦化所述圖案化的鋁材料和邊界區(qū)域形成的上部表面區(qū)域。下壓力為1到3psi，板速率為20-70RPM。
所述方法還包括形成一個保護層覆蓋在復數(shù)個電極區(qū)域的每個的表面區(qū)域之上，以保護每個電極區(qū)域的具有精加工鏡面的表面區(qū)域。在完成的LCOS器件中，優(yōu)選地至少有91％的光從所述精加工鏡面反射回來?？梢酝ㄟ^使用氧化流體例如雙氧水、BTA、臭氧/水混合物等處理裸露的鋁層表面來形成保護層。所述氧化流體充分清潔并形成一個鈍化層覆蓋在裸露的鋁層之上。根據(jù)實施例，還可以有其它的變化、修改和替換。
為了完成LCOS器件，所述方法形成一個含有液晶材料的夾層。這里，形成的液晶薄膜覆蓋在電極之上。形成一個透明電極結(jié)構(gòu)覆蓋在液晶薄膜之上。所述方法形成一個玻璃板覆蓋在透明電極上。這個夾層結(jié)構(gòu)通常作為一個配件而形成，其稍后安置在LCOS器件的電極的表面之上。當然，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能看出許多變化、替換和修改。
還應當理解，這里所描述的示例和實施例只是為了說明的目的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)上述實施例對本發(fā)明進行各種修改和變化。這些修改和變化都在本申請的精神和范圍內(nèi)，并且也在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造硅上液晶顯示器件的方法，所述方法包括提供一個具有表面區(qū)域的襯底；形成一個覆蓋在所述襯底的所述表面區(qū)域之上的中間電介質(zhì)層；圖案化所述中間電介質(zhì)層以形成復數(shù)個凹陷區(qū)域，每個所述凹陷區(qū)域?qū)诠枭弦壕骷囊粋€像素，每個所述凹陷區(qū)域都由為每個所述凹陷區(qū)域定義邊界的電介質(zhì)材料的一部分來進行隔離，每個所述邊界區(qū)域形成圍繞每個凹陷區(qū)域的外圍區(qū)域；在每個所述凹陷區(qū)域中沉積鋁材料或鋁合金材料，以填充每個所述凹陷區(qū)域并覆蓋所述邊界區(qū)域的暴露部分；形成覆蓋在所述鋁材料上的光掩模；圖案化所述光掩模以暴露出對應于所述凹陷區(qū)域的區(qū)域并保護對應于所述邊界區(qū)域的區(qū)域；使用刻蝕工藝去除所述鋁材料的暴露區(qū)域，同時使用所述光掩模保護對應于所述邊界區(qū)域的所述區(qū)域；繼續(xù)使用所述刻蝕工藝的所述去除步驟，直到所述鋁材料已被去除至所述邊界區(qū)域的上部區(qū)域附近；剝離所述圖案化的光掩模以暴露出凸出的鋁材料，所述凸出的鋁材料圍繞所述圖案化的鋁材料；以及在使用所述邊界區(qū)域作為刻蝕停止層的同時，微接觸拋光所述凸出的鋁材料和所述圖案化的鋁材料的多個部分，以平坦化所述圖案化的鋁材料和所述邊界區(qū)域形成的上部表面區(qū)域；其中每個所述邊界區(qū)域的特征在于厚度為約1微米或更小。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鋁或鋁合金是濺射而成的。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述上部區(qū)域附近距離所述邊界區(qū)域的所述上部區(qū)域約500到1000埃。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述邊界區(qū)域包括0.1微米到約2微米的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中每個所述邊界區(qū)域包括0.1微米到1.5微米的高度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括微接觸拋光所述圖案化的鋁，以在所述邊界區(qū)域內(nèi)的圖案化鋁的每個部分上形成精加工鏡面。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述中間電介質(zhì)層選自摻雜氧化物、無摻雜氧化物、硼磷玻璃、磷硅玻璃和高密度等離子體氧化物。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在保持所述圖案化的鋁材料的同時，暴露所述邊界區(qū)域。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述邊界區(qū)域的特征在于寬度小于1微米。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述微接觸拋光基本避免了所述圖案化的鋁上的任何凹坑或劃痕，并且提高了鋁表面的反射率并降低了表面粗糙度。
11.一種用于制造硅上液晶顯示器件的方法，所述方法包括提供一個具有表面區(qū)域的襯底；形成一個覆蓋在所述襯底的所述表面區(qū)域之上的中間電介質(zhì)層；圖案化所述中間電介質(zhì)層以形成復數(shù)個凹陷區(qū)域，每個所述凹陷區(qū)域?qū)诠枭弦壕骷囊粋€像素，每個所述凹陷區(qū)域都由為每個所述凹陷區(qū)域定義邊界的電介質(zhì)材料的一部分來進行隔離，每個所述邊界區(qū)域形成圍繞每個凹陷區(qū)域的外圍區(qū)域；在每個所述凹陷區(qū)域中沉積鋁材料，以填充每個所述凹陷區(qū)域并覆蓋所述邊界區(qū)域的暴露部分；形成覆蓋在所述鋁材料上的光掩模；圖案化所述光掩模以暴露出對應于所述凹陷區(qū)域的區(qū)域并保護對應于所述邊界區(qū)域的區(qū)域；去除所述鋁材料的暴露區(qū)域，同時使用所述光掩模保護對應于所述邊界區(qū)域的所述區(qū)域；繼續(xù)所述去除步驟，直到所述鋁材料已被去除至所述邊界區(qū)域的上部區(qū)域附近；剝離所述圖案化的光掩模以暴露出凸出的鋁材料，所述凸出的鋁材料圍繞所述圖案化的鋁材料；以及在使用所述邊界區(qū)域作為刻蝕停止層的同時，微接觸拋光所述凸出的鋁材料和所述圖案化的鋁材料的多個部分，以平坦化所述圖案化的鋁材料和所述邊界區(qū)域形成的上部表面區(qū)域。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述鋁或鋁合金是濺射而成的。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述上部區(qū)域附近距離所述邊界區(qū)域的所述上部區(qū)域約500到1000埃。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述邊界區(qū)域包括0.1微米到約2微米的寬度。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中每個所述邊界區(qū)域包括0.1微米到1.5微米的高度。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括微接觸拋光所述圖案化的鋁，以在所述邊界區(qū)域內(nèi)的圖案化鋁的每個部分上形成精加工鏡面。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述中間電介質(zhì)層選自摻雜氧化物、無摻雜氧化物、硼磷玻璃、磷硅玻璃和高密度等離子體氧化物。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在保持所述圖案化的鋁材料的同時，暴露所述邊界區(qū)域。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述邊界區(qū)域的特征在于寬度小于1微米。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述微接觸拋光基本避免了所述圖案化的鋁上的任何凹坑或劃痕。
全文摘要
一種制造LCOS器件的方法。包括提供一個具有表面區(qū)域的襯底，形成一個覆蓋在表面區(qū)域上的中間電介質(zhì)層，圖案化中間電介質(zhì)層以形成復數(shù)個凹陷區(qū)域，每個凹陷區(qū)域?qū)贚COS器件的一個像素，在每個凹陷區(qū)域中沉積鋁材料或鋁合金材料，形成覆蓋在鋁材料上的光掩模，圖案化光掩模以暴露出對應于凹陷區(qū)域的區(qū)域并保護對應于凹陷區(qū)域的邊界區(qū)域的區(qū)域，去除鋁材料的暴露區(qū)域直到鋁材料已被去除至邊界區(qū)域的上部區(qū)域附近，然后剝離圖案化的光掩模以暴露出圍繞圖案化的凸出的鋁材料。所述方法在使用邊界區(qū)域作為刻蝕停止層的同時，微接觸拋光凸出的鋁材料和圖案化的鋁材料的多個部分，以平坦化圖案化的鋁材料和邊界區(qū)域形成的上部表面區(qū)域。
文檔編號H01L21/00GK1749814SQ20041006651
公開日2006年3月22日 申請日期2004年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月15日
發(fā)明者俞昌 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司