專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體器件制造方法，特別涉及在動態(tài)隨機存取存儲器(以下簡稱DRAM)的源區(qū)隔離層腐蝕后附加軟腐蝕以除去等離子體損傷和改善刷新時間的方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的集成度越來越高，集成電路制造工藝水平的不斷提高，集成電路的構(gòu)圖線寬變得越來越小，硅(Si)襯底表面的缺陷對寬度極小的構(gòu)圖線的連續(xù)性影響也越來越大，因而對半導(dǎo)體器件的電性能的影響也越來越明顯。特別是在硅襯底表面由等離子體損傷所造成的晶格缺陷對DRAM產(chǎn)品的電性能損壞也越來越大，甚至?xí)?dǎo)致整個DRAM產(chǎn)品或整個集成電路失效。
正如中國專利局1999年5月19日公開的，公開號為CN-1216862A，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體存儲器及其制造方法”中所述的，在DRAM半導(dǎo)體存儲器中，在硅襯底上形成有多個有源區(qū)(AA)，在相鄰的有源區(qū)之間設(shè)置絕緣隔離層(Insulation Spacer)，使相鄰的源區(qū)電隔離。
相鄰源區(qū)之間設(shè)置的電絕緣隔離層通常在Lam Exelan機臺上進行蝕刻，由于所用的Exelan雙頻率等離子體源的特性，導(dǎo)致等離子體對Si襯底表面的損傷，導(dǎo)致具有源區(qū)絕緣隔離層的DARM產(chǎn)品的合格率降低。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述的現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點，本發(fā)明的目的是，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，在有源區(qū)蝕刻后，加一附加的軟腐蝕，通過腐蝕劑與Si襯底之間的化學(xué)反應(yīng)，消除Si襯底表面上由等離子體損傷造成的晶格缺陷。從而保證構(gòu)成電性能合格的DRAM產(chǎn)品，改善DRAM產(chǎn)品的刷新時間，提高DRAM產(chǎn)品發(fā)生產(chǎn)合格率。
按本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟步驟1在Si襯底上由擴散爐來生長焊盤氧化層，其厚度是110；步驟2然后再由擴散爐來生長氮化硅(Si3N4)(1000～1300)；步驟3在要形成隔離層的絕緣膜上加光刻膠(PR)，用具有隔離層圖形的掩模進行曝光和顯影；步驟4有源區(qū)蝕刻(RIE等離子體腐蝕)；步驟5附加軟腐蝕，軟腐蝕是一種物理和化學(xué)腐蝕，在微波等離子體(頻率為2.45GHz)下，用CF4/O2的混合氣體作為腐蝕劑，去除由等離子體損傷造成的晶格缺陷，CF4/O2混合氣體的流速比是CF4∶O2＝1∶(3～5)，優(yōu)選的CF4/O2混合氣體的流速比是CF4∶O2＝1∶4；步驟6剝離光刻膠(PR)；步驟7用去離子水清洗，除去光刻膠。
形成按照本發(fā)明方法形成的相鄰源區(qū)之間的電絕緣隔離層。


附圖是按照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的相鄰源區(qū)之間的電絕緣隔離層的形成方法的工藝流程圖。
具體實施例方式
按照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟步驟1在Si襯底上由擴散爐來生長焊盤氧化層(Pad-ox)，其厚度為110。
步驟2然后再由擴散爐來生長氮化硅(Si3N4)(其厚度為1000～1300)。
步驟3在要形成隔離層的絕緣膜上加光刻膠(PR)，用具有隔離層圖形的掩模進行曝光和顯影步驟4有源區(qū)蝕刻(RIE等離子體腐蝕)；步驟5附加軟腐蝕，軟腐蝕是一種物理和化學(xué)腐蝕，在微波等離子體(頻率為2.45GHz)下，用CF4/O2的混合氣體作為腐蝕劑，去除由等離子體損傷造成的晶格缺陷，CF4/O2混合氣體的流速比是CF4∶O2＝1∶(3～5)，優(yōu)選的CF4/O2混合氣體的流速比是CF4∶O2＝1∶4。
步驟6剝離光刻膠(PR)；步驟7用去離子水清洗，除去光刻膠。
形成按照本發(fā)明方法形成的相鄰源區(qū)之間的電絕緣隔離層。
用本發(fā)明方法，在形成源區(qū)隔離層后，進行附加的軟腐蝕，通過作為腐蝕劑的CF4/O2的混合氣體與Si襯底表面的化學(xué)反應(yīng)，消除了Si襯底表面上由等離子體損傷造成的晶格缺陷，從而保證構(gòu)成電性能合格的DRAM產(chǎn)品，改善DRAM產(chǎn)品的刷新時間，提高DRAM產(chǎn)品發(fā)生產(chǎn)合格率。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護的范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟步驟1在Si襯底上由擴散爐來生長焊盤氧化層(Pad-ox)，步驟2然后再由擴散爐來生長氮化硅(Si3N4)，步驟3在要形成隔離層的絕緣膜上加光刻膠(PR)，用具有隔離層圖形的掩模進行曝光和顯影，步驟4有源區(qū)蝕刻(RIE等離子體腐蝕)，步驟5附加軟腐蝕，軟腐蝕是一種物理和化學(xué)腐蝕，在微波等離子體下，用CF4/O2的混合氣體作為腐蝕劑，去除由等離子體損傷造成的晶格缺陷。步驟6剝離光刻膠(PR)；步驟7用去離子水清洗，除去光刻膠。形成按照本發(fā)明方法形成的相鄰源區(qū)之間的電絕緣隔離層。
2.按照權(quán)利要求1的方法，其特征是，微波頻率為2.45GHz。
3.按照權(quán)利要求1的方法，其特征是，步驟5中，CF4/O2混合氣體的流速比是CF4∶O2＝1∶(3～5)。
4.按照權(quán)利要求3的方法，其特征是，步驟5中，CF4/O2混合氣體的流速比是CF4∶O2＝1∶4。
5.按照權(quán)利要求1的方法，其特征是，步驟1中，焊盤氧化層的厚度為110。
6.按照權(quán)利要求1的方法，其特征是，步驟2中，氮化硅(Si3N4)的厚度為1000～1300。
全文摘要
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體器件的制造方法，特別是DRAM的制造方法，在源掐區(qū)絕緣隔離層腐蝕后加了附加的軟腐蝕，在微波頻率為2.45GHz的微波狀態(tài)下用CF
文檔編號H01L21/02GK1725465SQ20041005307
公開日2006年1月25日 申請日期2004年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月22日
發(fā)明者吳長明, 蔣曉鈞, 黃光瑜, 徐立 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司