專利名稱：半導(dǎo)體激光裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在副載置臺上具備多個半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，例如如文獻(xiàn)1(日本公開專利公報；特開平3-145779號，
公開日；1991年6月20日)所示，開發(fā)出了可以射出2束激光的激光裝置(多束激光裝置；MB激光裝置)。
這種MB激光裝置，例如在可對CD與DVD兩者進(jìn)行再生的播放器、由2束激光對感光體露光的激光束打印機(LBP；數(shù)碼復(fù)印機等)中被使用。
另外，當(dāng)這樣的MB激光裝置，在上述播放器中使用時，2種激光束的波長不同。
另外，當(dāng)在打印機上使用時，2束激光會同時射出。因而，需要構(gòu)成為可以互相獨立(并且同時)驅(qū)動2個激光元件。
然而，在這樣的MB激光裝置中，在當(dāng)前，有單片結(jié)構(gòu)的和混合結(jié)構(gòu)。前者的結(jié)構(gòu)是將能射出2束激光的半導(dǎo)體激光裝置安裝在單一半導(dǎo)體基板上。而后者的結(jié)構(gòu)是將2個能射出1束激光的半導(dǎo)體激光裝置分別安裝在各自的半導(dǎo)體基板上。
單片結(jié)構(gòu)，通過加工同一個基板(晶圓)，形成2個激光元件。因此，因此，可提高各個激光元件間的位置精度。
然而，同時點亮2個激光元件時，即，在讓一方點亮的狀態(tài)中也將另一方點亮，在先點亮的激光元件的驅(qū)動電壓中有時會出現(xiàn)電尖峰(驅(qū)動電壓波動)(電串?dāng)_)。
圖13表示這種電串?dāng)_的說明圖。
如該圖所示，一方激光元件A處于ON狀態(tài)(點亮狀態(tài))時，如果對另一方激光元件B進(jìn)行ON/OFF切換，在元件A的驅(qū)動電壓中就會出現(xiàn)尖峰(干擾)。這樣的尖峰，通過元件A、B所搭載的基板傳來的電噪聲所引起。
另，該圖所示的Pw1、Pw2表示有關(guān)元件A、元件B的驅(qū)動電壓的脈沖幅度，各是120nsec、30nsec。另外，在該圖所示的測定中占空比是50％。
另外，在單片結(jié)構(gòu)的MB激光裝置上，如果出現(xiàn)上述電串?dāng)_，也會發(fā)生熱串?dāng)_。
圖14是該熱串?dāng)_的說明圖，表示在元件A中對于驅(qū)動電流量的激光輸出(光接收元件所接收的輸出強調(diào))與元件B的驅(qū)動電壓。
如該圖所示，元件B成為點亮狀態(tài)后，元件A的激光輸出，即使對于相同的驅(qū)動電流，也因受到元件B的發(fā)熱影響而變小(P11＞P13，P2＞P3)。
這樣的輸出降低(熱串?dāng)_)，可以認(rèn)為是在元件B振蕩時產(chǎn)生的熱通過基板傳導(dǎo)到元件B而產(chǎn)生的。
這樣，在單片結(jié)構(gòu)的MB激光裝置中，將2個元件搭載在同一個基板上引起的電、熱串?dāng)_，造成激光特性(光輸出)的變動。因此，當(dāng)這種MB激光裝置應(yīng)用在打印機上時，存在的缺點是，由于根據(jù)相鄰激光的振蕩狀態(tài)而造成印刷墨點的大小、形狀偏離規(guī)定的尺寸、形狀，從而降低了印刷品質(zhì)。
此外，圖14所示的占空比表示點亮?xí)r間與驅(qū)動電壓脈沖寬度之比值。即，如果在PW1＝1msec(fc＝1kHz)時Duty為10％，則激光元件的點亮?xí)r間是0.1msec。Duty越大點亮?xí)r間越長，光輸出越小。
為解決上述缺點的技術(shù)在文獻(xiàn)2(日本國公開特許公報；特開平6-29618號公報，
公開日；1994年2月4日)中有記載。在此文獻(xiàn)中記載著這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體激光元件，將植入了2個激光元件的基材的中心部分(元件之間的部分)利用蝕刻進(jìn)行分?jǐn)?，一直到包含活性層的中途部位?br> 在該半導(dǎo)體激光元件中，通過延長熱傳導(dǎo)度、電傳導(dǎo)度比空氣還好的半導(dǎo)體構(gòu)成的路徑(將熱和電傳遞到相鄰發(fā)光部的路徑)，減少了傳遞熱、電的基材的橫截面積。因此，能夠抑制上述串?dāng)_。
另外，對于MB激光裝置另一種結(jié)構(gòu)的混合結(jié)構(gòu)，在文獻(xiàn)3(日本國公開特許公報；特開平11-112089號公報，
公開日；1999年4月23日)有記載。
在混合結(jié)構(gòu)的MB激光裝置上，2個激光元件分別在各自的基板上形成，按照基本獨立的狀態(tài)將2個元件搭載在1個封裝上。因此，在該結(jié)構(gòu)下，各元件通過電極連接，在元件之間配置隔熱性高的空氣層。從而使一方元件振蕩時產(chǎn)生的熱難以傳遞到另一方元件上。
在該結(jié)構(gòu)下，由于各激光元件的電極獨立，因而具有可以自由進(jìn)行布線布局的優(yōu)點。
但是，在文獻(xiàn)2的元件結(jié)構(gòu)下，雖說是分?jǐn)嗟桨胪緸橹梗?個激光元件在緩沖層及基板(GaAs基板)部分依然是相連的。因此，不能將上述串?dāng)_完全除去。
另外，通常，激光元件的振蕩部靠近副載置臺側(cè)(離基板遠(yuǎn)的一側(cè))搭載在基板上。因此，由于副載置臺而可以獲得較高的散熱性。
但是，在上述單片結(jié)構(gòu)的MB激光裝置上，同一基板上有多個激光元件。這樣，必然成為共陰連接，存在無法實現(xiàn)想在共陽連接的激光驅(qū)動器下進(jìn)行驅(qū)動的情況。
在文獻(xiàn)3所述的混合結(jié)構(gòu)中，需要通過機械調(diào)整位置而將獨立的2個激光元件搭載在裝置上。為此，2個激光元件的相對的位置(相對的振蕩位置)的精度取決于機械精度。因而，這樣的精度，就無法提高到能用光刻法等半導(dǎo)體制造方法的精度進(jìn)行制造的單片結(jié)構(gòu)的程度。
即，在現(xiàn)狀的批量生成技術(shù)中，2個激光元件的相對位置精度，在單片結(jié)構(gòu)中為±2μm，在混合結(jié)構(gòu)中一般為±10μm。
所以，在數(shù)碼復(fù)印機上，元件的發(fā)光點上光軸方向的精度達(dá)到±2μm左右以上時，激光的照射部位上的墨點尺寸會變凌亂。這樣就降低了印刷品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述各問題點的發(fā)明，其目的在于提供一種在可以確保多個激光元件間的相對位置精度高的狀態(tài)下，抑制串?dāng)_影響的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法。
為達(dá)到該目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法(本制造方法)，在副載置臺上具有多個半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，包括發(fā)光點形成工藝，在單一基板上，層疊由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層結(jié)構(gòu)，形成多個發(fā)光點；裝配工藝，將具有多個發(fā)光點的所述基板搭載在副載置臺上；和基板切斷工藝，通過在發(fā)光點之間對應(yīng)的部位切斷所述基板，在副載置臺上形成包括基板和發(fā)光點的多個激光元件。
本制造方法，是制造在激光束打印機、CD/DVD播放器等的電子機器中具備的多束激光裝置(MB激光裝置)的方法。
MB激光裝置，為能夠發(fā)射出多束激光，在副載置臺上具有多個激光元件(半導(dǎo)體激光元件)。
在此，副載置臺是指用于在電子機器中的金屬制的管座(設(shè)置臺)上設(shè)置激光元件的部材，用于緩和激光元件之間的熱膨脹與金屬制管座的熱膨脹差異而產(chǎn)生的應(yīng)力。
激光元件包括基板、在其上形成的半導(dǎo)體材料的層結(jié)構(gòu)(包括發(fā)光點的層結(jié)構(gòu))。這里，發(fā)光點是激光振蕩的產(chǎn)生部分(激光的輸出部分)。
然后，本制造方法，為制造這樣的MB激光裝置，首先要在單一基板上形成多個發(fā)光點，實施發(fā)光點形成工藝。
即，在該發(fā)光點形成工藝中，通過在一個基板上層疊由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層結(jié)構(gòu)，并列形成多個發(fā)光點(在單片上形成多個發(fā)光點)。
然后，在本制造方法中，將上述那樣具有多個發(fā)光點的基板，由基板和副載置臺夾持層結(jié)構(gòu)，搭載在副載置臺上(裝配工藝)。
然后，在與發(fā)光點之間對應(yīng)的部位，將搭載在副載置臺上的基板切斷(基板切斷工藝)。這樣，在副載置臺上可以形成具備基板和發(fā)光點(含發(fā)光點的層結(jié)構(gòu))的多個激光元件。
這樣，在本制造方法中，在單一基板上(單片上)形成多個發(fā)光點后，將該基板搭載在副載置臺上。然后，通過在發(fā)光點之間分?jǐn)嗷寮捌渖厦鎸盈B的層結(jié)構(gòu)，在副載置臺上形成多個激光元件。
從而，在用本制造方法得到的半導(dǎo)體激光裝置中，能夠在單片上形成多個激光元件。因而，可以高精度保持各激光元件間相對位置(相對振蕩的位置)。
另外，在用本制造方法得到的半導(dǎo)體激光裝置中，在各激光元件之間，分?jǐn)嗷?。因而，能夠防止熱、電通過基板傳導(dǎo)。因而，與混合激光裝置同樣，使大幅度抑制激光元件之間的熱、電串?dāng)_成為可能。
在用本制造方法得到的半導(dǎo)體激光裝置中，由于激光元件的基板被分?jǐn)?，所以能夠避免通過基板傳遞的電連接。因而，激光元件不僅可以按共陰(基板側(cè)的電極與公共端子連接的布線形式)，而且可以按共陽(副載置臺側(cè)的電極與公共端子連接的布線形式)布線。
另外，根據(jù)設(shè)置激光元件的外部機器的布線方式，也可以懸浮(激光元件的電極不連接在公共端上的布線形式)連接。
本發(fā)明的其他的目的、特征及優(yōu)點，可以通過以下的表述闡明。再有，本發(fā)明的優(yōu)點也可以以下參照附圖進(jìn)行的說明而更加清楚明了。


圖1表示有關(guān)本發(fā)明一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置(MB激光裝置)的結(jié)構(gòu)圖。
圖2表示圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置上的激光元件的結(jié)構(gòu)圖。
圖3(a)、(b)表示圖2所示的激光元件的制造方法的說明圖。
圖4表示圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法的說明圖，是將具有成為激光元件的發(fā)光部的基板搭載到副載置臺上的狀態(tài)圖。
圖5表示圖1所示的半導(dǎo)體激光元件裝置的制造方法的說明圖，是切斷搭載在副載置臺上的基板的工藝說明圖。
圖6表示使用圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置的激光束打印機(數(shù)碼復(fù)印機)的引擎部分(光學(xué)系引擎)的說明圖。
圖7表示圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置上的封裝的舉例說明圖。
圖8表示有關(guān)圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置的，在副載置臺上搭載MPD的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖9表示有關(guān)圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置，用絕緣體SiC等陶瓷構(gòu)成副載置臺的情況下，監(jiān)測激光元件的輸出的時序圖。
圖10(a)～(c)表示圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置中的布線方式的說明圖。
圖11表示有關(guān)本發(fā)明另一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)說明圖。
圖12表示有關(guān)圖1所示的半導(dǎo)體激光裝置，分?jǐn)嗖壑械纳疃群桶l(fā)光點的位置寬度之間的關(guān)系的說明圖。
圖13表示在半導(dǎo)體激光裝置上發(fā)生的電串?dāng)_的說明圖。
圖14表示在半導(dǎo)體激光裝置上發(fā)生的熱串?dāng)_的說明圖。
具體實施例方式
下面說明本發(fā)明一實施方式。
本實施方式相關(guān)的半導(dǎo)體激光裝置(本激光裝置)是能同時發(fā)射出2條激光的多束激光裝置。
而且，本裝置可以在例如能夠?qū)D(compact disc)與DVD(digitalversatile disc)雙方再生的播放器、由2種激光對感光體露光的的激光束打印機(數(shù)碼復(fù)印機等)等電子機器中使用。
首先，說明本激光裝置的結(jié)構(gòu)。
圖1是本激光裝置的結(jié)構(gòu)說明圖。
如該圖所示，構(gòu)成為在絕緣性的SiC形成的副載置臺(副載置臺基板)11上搭載第一半導(dǎo)體激光元件12及第2半導(dǎo)體激光元件13。
另外，本激光裝置從在激光元件12、13中的各自的發(fā)光點(振蕩區(qū)域)14，輸出激光。
在這里，副載置臺11用于在電子機器上的金屬制的管座(設(shè)置臺；圖中未畫出)上設(shè)置本激光元件的部材。該副載置臺11具有緩和激光元件12、13的熱膨脹與金屬制副載置臺的熱膨脹不同而產(chǎn)生的應(yīng)力的作用。
圖2是激光元件12、13的結(jié)構(gòu)說明圖。
如圖2所示，激光元件12、13構(gòu)成為在基板21上形成有緩沖層22、第1包覆(n型包覆)層23、活性層24、第2包覆層(P型包覆層)25、電流塊層26、帽層(凸脊)27、接觸層28。
這里，基板21由添加了Si的GaAs(n型)形成。緩沖層22同樣由添加了Si的GaAs構(gòu)成。第1包覆層23由添加了Si的AlGaInP構(gòu)成?；钚詫?4由未摻雜GaInP構(gòu)成。第2包覆層25由添加了Zn的AlGaInP形成。電流塊層26由添加了Si的GaAs形成。帽層27由添加了Zn的GaInP形成。接觸層28由添加了Zn的GaAs形成。
另外，在接觸層28的表面上，形成有電極(p電極)29。一方面，在基板21的背面上形成有2個歐姆電極(n電極)30a、30b。歐姆電極(n電極)30a、30b分別對應(yīng)著第1半導(dǎo)體激光元件12、第2半導(dǎo)體激光元件13。
另外，就激光元件12、13所在各層的厚度來說，基板21約70μm，其上的緩沖層22至包覆層27總共有2～3μm厚，再上面的接觸層28的厚度只有約2μm。
活性層24上的包覆層27的上部的部分，形成圖1所示的發(fā)光點14。
另，激光元件12、13上，是按與圖的垂直方向，延伸同樣的層結(jié)構(gòu)。因而發(fā)光點14也是在按與圖的垂直方向上在延伸。
下面，說明本激光裝置的制造方法。
本激光裝置在制造上，首先，在基板21上，依次、外延排列緩沖層22、第1包覆層23、活性層24、第2包覆層25及帽層27。
然后，通過以氮化硅膜作為掩模的臺面蝕刻，去除第2包覆層25及帽層27的一部分。然后在去除后的部分上制作出電流塊層26。
然后，去除氮化硅膜，在整個層結(jié)構(gòu)上制作接觸層28，如圖3(a)所示那樣制作出層結(jié)構(gòu)(發(fā)光點形成工藝)。如該圖所示，在該層結(jié)構(gòu)上，因在活性層24上形成有發(fā)光點(相當(dāng)于圖1的發(fā)光點14)，所以并列形成2個帽層27。
然后，使用濕蝕刻技術(shù)，在層結(jié)構(gòu)的中央部分(帽層27的中間部分；發(fā)光點的中間部分)上，去除基材(接觸層28～第1包覆層23)，直到露出緩沖層22。這樣就形成了分?jǐn)嗖?發(fā)光點分?jǐn)喙に?。
這樣，如圖3(b)所示，可以將2個激光元件12、13所對應(yīng)2個發(fā)光部12a、13a(包含第1包覆層23～接觸層28的各層結(jié)構(gòu)，各有1個帽層27(發(fā)光點))分離形成。另，這時，可進(jìn)行將2個發(fā)光部12a、13a做成臺形狀的蝕刻。
發(fā)光部12a、13a的層結(jié)構(gòu)及到此為止的制造過程的詳細(xì)內(nèi)容，例如，上述文獻(xiàn)2所公開。
其次，基板(單片芯片)21擁有圖3(b)所示的層結(jié)構(gòu)的發(fā)光部12a、13a，將基板21如圖4所示在副載置臺11上進(jìn)行裝配(裝配工藝)。在裝配時，使用銀漿料、金錫等焊錫材料。
副載置臺11上，預(yù)先已形成了電分離的電極圖案31、32。然后，將屬于第1半導(dǎo)體激光元件12的發(fā)光部12a的電極29與電極圖案31電連接，屬于第2半導(dǎo)體激光元件13的發(fā)光部13a的電極29與另一方電極圖案32電連接，各自進(jìn)行電連接。
在各電極圖案31、32上，各自進(jìn)行金線33、34的連線工藝。
然后，在基板21的背面?zhèn)?，形成歐姆電極30a、30b，各自與金線(金屬線)35、36連線。而在歐姆電極30a、30b之間的基板21的表面(向上的面)上，要避免形成金屬電極(不形成金屬電極)。
這時，歐姆電極30a、30b是通過基板21進(jìn)行電連接。
其次，如圖5所示，用切割裝置，在2個發(fā)光部12a、13a之間大約中間點的位置，將基板21和緩沖層22切斷。該中間點就是2個發(fā)光部12a、13a的中間點(發(fā)光點14、14的中間點)M對應(yīng)的部位，即，上述將發(fā)光部12a、13a分隔開的分隔槽的形成部位。
這樣，如圖1所示，就能夠形成在副載置臺上有半導(dǎo)體激光元件12、13的本激光裝置。
如以上所述，制造本激光裝置，首先要在單一的基板21上形成多個發(fā)光點14(發(fā)光點形成工藝)。
即，在該發(fā)光部形成工藝中，通過在一個基板21上層疊半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層結(jié)構(gòu)，并排形成多個發(fā)光點14(在單片結(jié)構(gòu)上形成多個發(fā)光點14)(圖3(a))。
然后，在這樣形成發(fā)光點14后，再在基板21上的層結(jié)構(gòu)上做出將發(fā)光點14分隔開來的分隔槽，形成一個個包含發(fā)光點14的發(fā)光部12a、13a(發(fā)光點分隔工藝；圖3(b))。
然后，將這樣已有發(fā)光部12a、13a的基板21搭載在副載置臺11上(副載置臺工藝；圖4)。
然后，將搭載著副載置臺11的基板21于發(fā)光部12a、13a之間(發(fā)光點14、14之間)的中間點M的位置，即，將發(fā)光部12a、13a進(jìn)行分隔的分隔槽的延長線的位置上進(jìn)行切斷(基板切斷工藝)。
這樣，能夠在副載置臺11上形成包括基板21與發(fā)光點14(包含發(fā)光點14的發(fā)光部12a、13a)在內(nèi)的多個激光元件12、13。
在本激光裝置的制造方法中，是在單一基板21上(單片式上)形成發(fā)光點14以后，將基板搭載在副載置臺11上。然后，從發(fā)光點14之間切斷基板21和其上累積的各層結(jié)構(gòu)，使副載置臺11上形成多個激光元件12、13。
因此，本激光裝置就擁有了單片結(jié)構(gòu)上形成的多個激光元件12、13。因此，才能夠高度維持各激光元件12、13間的相對位置(相對的振蕩位置)的精度。
本激光裝置是在各激光元件12、13之間將基板21分隔開來的。因而，能夠防止通過基板21的熱、電傳導(dǎo)，使得混合結(jié)構(gòu)激光裝置也同樣能夠大幅抑制激光元件12、13間的熱、電串?dāng)_。
另，如上述所述，從中間點M分隔基板21和緩沖層22時，由于基板21的外延側(cè)(形成發(fā)光部12a、13a的側(cè))是使用濕蝕刻法做出的分隔槽，因此2個發(fā)光部12a、13a已經(jīng)預(yù)先分隔開來了。
因此，通過分隔基板21和緩沖層22，能將激光元件12、13完全分隔開。而且，即使使用了金剛石或者金屬刀具進(jìn)行切割(使用刀片切割時)中，也能夠使切片時的刀不會傷及副載置臺11，稍微具有余量。
即使使用隱形切割技術(shù)時，也不容易傷到副載置臺11上形成的電極12a、13a。
為區(qū)分出切斷發(fā)光部12a、13a的方法與切斷基板21的方法，應(yīng)用最適合切斷位置(層結(jié)構(gòu)及基板21)的切斷方法來進(jìn)行切斷。
在本激光裝置的制造中，基板21及緩沖層22的切斷位置(中間點M)在歐姆電極30a、30b之間，未形成金屬電極。因此，進(jìn)行基板21及緩沖層22的切斷時也容易切斷，而且，在切斷者目視的情況下易進(jìn)行確認(rèn)而變得容易。
另，在本激光裝置的制造中，要使用由絕緣體(SiC)形成的副載置臺11。這樣的話，可以完全避免以副載置臺11為媒介出現(xiàn)的電氣串?dāng)_。
圖6是使用了本激光裝置的激光束打印機(數(shù)碼復(fù)印機)的引擎部分(光學(xué)引擎)的說明圖。
在該圖所示的結(jié)構(gòu)中，設(shè)定了讓激光元件12、13(參照圖1)輸出紅色的激光。并且，本激光裝置成為了安裝在特定的封裝上的激光裝置40。
然后，在該結(jié)構(gòu)中，讓激光裝置40的激光元件12、13(參照圖1)輸出的2條激光偏向多角反射鏡41，通過透鏡(f-θ透鏡)42，再被鏡面43反射，使光線集中于感光體鼓44上。然后，通過旋轉(zhuǎn)多角反射鏡41，即可于感光體鼓44上掃描到激光束，從而在感光體鼓44上形成靜電潛像。
這里，只對一條激光操作感光體鼓44，從感光體鼓44一端到另一端進(jìn)行掃描的話，只會形成一個潛像線。另一方面，如果如圖所示的構(gòu)成方式，使用激光裝置40的話，就能夠同時形成2條線。
但，在該構(gòu)成中，由于使用本激光裝置，就能夠確保光束的間隔精度達(dá)到以往單片半導(dǎo)體激光裝置的同等程度。因而也容易將2條線之間的間隔設(shè)定成期望值(規(guī)定值)。
在本激光裝置上，最好能將激光元件12、13所在的發(fā)光部12a、13a之間的間隔擴大到比基板21(緩沖層22之間)還寬。
這樣的話，即使從基板21側(cè)進(jìn)行機械的切割時，也不會傷到發(fā)光點14的上下層上已有的pn接合部，防止發(fā)生漏電流。
另，雖然單一的結(jié)晶面在發(fā)光部12a、13a所在的從接觸層28到活性層24為止的側(cè)面被露出來了，但在基板21的側(cè)面來說，最好還是將沒被單一的結(jié)晶面切斷的那面露出來。
這樣的話，能夠?qū)⒎指舨鄣膫?cè)面(被分隔部分的側(cè)面；分隔槽的形成(分隔槽對著的)面)制作成半導(dǎo)體材料(形成層28～24的材料)所特定的結(jié)晶面。從而，能夠確實防止發(fā)光點14的上下層上的pn結(jié)合部被劃傷，發(fā)生漏電流。
另，在本實施方式上，分離發(fā)光部12a、13a時，使用的是濕蝕刻技術(shù)(用藥劑去除基材)。這里，使用濕蝕刻技術(shù)的話，在發(fā)光部12a、13a的側(cè)面(去除面)就會露出結(jié)晶面。
這里，分離發(fā)光部12a、13a時，也可以加水進(jìn)行切割工藝。用切割方式分離發(fā)光部12a、13a時，切割面成為非結(jié)晶面，而且，細(xì)碎的結(jié)晶面是個隨機排列著的粗糙的面。
將發(fā)光部12a、13a的分隔寬度，擴大到比基板21及緩沖層22的分隔寬度還大的過程時，可以使用干去除的方法將發(fā)光部12a、13a分隔。這時，在發(fā)光部12a、13a的側(cè)面也不會出現(xiàn)結(jié)晶面。
另，切斷基板21、緩沖層22時使用的切割工藝，除了使用通常的金屬刀具做切割，還有使用濱松光子學(xué)(株)開發(fā)的干式隱形切割技術(shù)。此技術(shù)在以下資料1里有記載。
資料1日經(jīng)出版集《光子學(xué)，非接觸的高速切斷薄型硅片的技術(shù)開發(fā)》[on line]，發(fā)表日2002年8月5日，檢索日；2002年12月27日網(wǎng)址<URLhttp//release.nikkei.co.jp/detail.cfm？relID＝28751>
該隱形切割技術(shù)，是在基板的內(nèi)部照射激光、有選擇的形成改質(zhì)層，同時形成切割線，將改質(zhì)層垂直延伸進(jìn)行分割的技術(shù)。從而，同一般的激光加工不同，不起切削屑、過熱，可清潔的切斷。
因而，該隱形切割技術(shù)，因為不需要洗凈工藝，實際的切口也只有1μm的程度，更實用。另，也可以防止碰傷在發(fā)光點14的上下層形成的pn接合部，發(fā)生漏電流。
另，可以用受激準(zhǔn)分子激光、二氧化碳?xì)怏w激光器作為光源的激光加工機，切斷基板21、緩沖層22。另，也可以使用濕蝕刻的方式切斷。
另，本激光裝置，通常被設(shè)置在具備本激光裝置的封裝上。這樣的封裝，記載在例如文獻(xiàn)4(日本國公開專利公報；特開2001-267674號，
公開日；2001年9月28日)。
下面，說明具有本激光裝置的封裝的例子。
圖7表示這種封裝的例子的說明圖。
此封裝，包括一體形成的主體201以及具有金屬散熱臺202的金屬制的管座200。在主體201設(shè)置有一端貫通的引腳221～223，用低熔點的玻璃固定。
引腳224是共同電極用的共同端子，其一端直接固定在主體201上，并與此進(jìn)行電連接。
在散熱臺202上，本激光裝置的副載置臺11由導(dǎo)電性漿料(圖中未畫出)貼合連接。
激光元件12、13的電極圖案31、32通過金屬線33、34與散熱臺202連接。
另一方面，激光元件12、13的歐姆電極30a、30b，通過用于將外部端子和激光元件進(jìn)行電連接的金線(直徑50μm)35、36，與作為封裝的外部端子的引腳221、222連接。
在形成在主體201上的凹部201b上，用導(dǎo)電性漿料(圖中未畫出)將MPD(監(jiān)測用PD)貼合連接。
該MPD240的上部電極，通過金屬線255，與引腳223的端面223a連接。
激光元件12、13的發(fā)光點14，按與圖1的紙面垂直的方向延伸，直到穿過激光元件12、13。因此，在背面?zhèn)纫泊嬖谥l(fā)光點。
然后，在圖7所示的構(gòu)成中，由MPD240檢出從背面?zhèn)劝l(fā)出的光，監(jiān)測由正面的發(fā)光點14輸出的激光光量(發(fā)光點14的正面和背面輸出的激光量雖然不相等，但是成比例關(guān)系)。
另外，當(dāng)副載置臺11是Si等半導(dǎo)體時，MPD240也可以植入到副載置臺11本身之中。
圖8是在副載置臺11上搭載MPD240的構(gòu)成說明圖。該圖是從副載置臺的上方(形成激光元件12、13的面)向下俯視的圖。在該圖中，作為MPD240表示出其發(fā)光部(在n型Si基板上擴散形成p型層的部分)。
這樣，如果作為副載置臺11使用半導(dǎo)體(用半導(dǎo)體來形成副載置臺11)、所具有的優(yōu)點是可以將監(jiān)測用的PD(監(jiān)測用的光檢測器)與激光元件12、13一體形成在副載置臺11上。
通過在上述激光元件12、13的發(fā)光點14的近旁形成監(jiān)測PD，特別是能夠同時獨立對2個激光元件12、13的光輸出進(jìn)行監(jiān)測。因此，非常適用于需要進(jìn)行這種監(jiān)測的電子機器，例如LBP(激光束打印機)。
為了提高散熱性，希望使用比Si好的絕緣體的SiC等陶瓷來構(gòu)成副載置臺11。
這時，當(dāng)想同時且獨立監(jiān)測2條激光的輸出時，例如，如圖9所示，采用在與寫入(在LBP中形成潛像)無關(guān)的時間段里，對輸出進(jìn)行監(jiān)測等的方法即可。
另外，在本激光裝置中，通過改變金線33～36與封裝的連接，即，選擇向封裝的公共端子(與外周部導(dǎo)通的部分；GND)上連接金線33、34或是金線35、36的任一個，如圖10(a)、(b)所示，可以設(shè)定成激光共陰連接(圖10(a))，或者激光共陽連接(圖10(b))中的任何一中布線形式。
如果封裝的引腳數(shù)量大于或等于5根，也可以使用懸浮連接本激光裝置。這里，懸浮連接是指，如圖10(c)所示，金線33～36中的任一個都不和公共相連的布線形式。
圖10(a)～(c)所示的MPD是上述監(jiān)測用的光檢測器。在該圖中，監(jiān)測用的光檢測器，例如被設(shè)置在副載置臺11中的沒有形成激光元件12、13的部位。
在本實施方式中，本激光裝置是具有2個激光元件12、13的構(gòu)成。但是，并不限定于此，本激光裝置也可以具有3個或3個以上的激光元件。
圖11表示具有與激光元件12、13同樣的、4個激光元件51～54的構(gòu)成說明圖。
該構(gòu)成的制造，基本上與具有2個激光元件的構(gòu)成是同樣的。
即，形成圖3(a)所示的層結(jié)構(gòu)、具有4個發(fā)光點(振蕩區(qū)域)，用濕蝕刻法等分離4個發(fā)光部(在單片上做4個激光元件)。
然后，完成將其在副載置臺11上的貼合連接后，將各發(fā)光部之間完全分離，用切割工藝將基板21及緩沖層22切斷成4段。
該構(gòu)成是將4個激光元件集成化。從而，將其用到激光打印機上時，能夠同時形成4條潛像，可以實行更加高速的打印處理。
另外，在本實施方式中，制造本激光裝置時，從圖3(a)所示的層結(jié)構(gòu)到圖3(b)所示的發(fā)光部12a、13a的形成過程中，要將層結(jié)構(gòu)的中心部分去除，直到露出緩沖層22為止，即，去除到第1包層23為止，形成分隔槽。
但是，并不限定于此，這時去除的部分(形成分隔槽的部分)，到哪一層都可以。例如，去除到露出基板21為止(到緩沖層22為止)也可以。
即，分隔槽不必一定停在緩沖層22，停在基板21的中途也沒關(guān)系。因去除而形成的臺狀部分的側(cè)面(分隔槽形成的側(cè)面)，對應(yīng)于上面來說呈54度角(作為半導(dǎo)體基板的基板21的結(jié)晶層形成面是(100)面、臺狀部分的側(cè)面是(111)面的情況)從而，如圖12所示，分隔槽的深度d加深后，分隔槽的寬度h(發(fā)光點的位置的寬度)就變寬了。所以，優(yōu)選在分隔槽的寬度不超過發(fā)光點14、14之間間隔的范圍內(nèi)，調(diào)整分隔槽的深度。
通常，緩沖層22到發(fā)光點之間的距離不到5μm。另外，因為緩沖層22的厚度也不到5μm，可以推出，即使將分隔槽挖到基板21，其深度也不過10μm。
另外，也可以省略分隔槽的形成。這時，將沒有形成分隔槽的、圖3(a)所示層結(jié)構(gòu)的基板21貼合連接在副載置臺11上。
在副載置臺11上同時切斷基板21和層結(jié)構(gòu)(切斷發(fā)光點14、14的中間點)。
在該方法中，因為不形成分隔槽，可以簡化本激光裝置的制造過程。
另外，在本實施方法中，本激光裝置的副載置臺11由絕緣性的Si形成。
但是，并不限定于此，也可以使用SiC、AlN的副載置臺11。這時，優(yōu)選采用陶瓷化的SiC、AlN。
作為副載置臺11，也可以使用導(dǎo)電性(半導(dǎo)體Si半導(dǎo)體是在室溫下電阻沒有金屬那樣低的導(dǎo)電體)的Si。這時，2個激光元件12、13的電極29、29是共通的。即使這時，也能夠較好的避免熱串?dāng)_的影響。
對2個激光元件12、13來說，熱最主要是由激光元件12、13的基材(基板21～接觸層28的部分)傳播的。因而，即使由副載置臺連接激光元件12、13，熱串?dāng)_的影響會變得非常小。
另外，在本實施方式中，在分隔形成2個發(fā)光部12a、13a時，雖然采用蝕刻將2個發(fā)光點12a、13a做成臺形，這是通過將發(fā)光部12a、13a的對向面做成傾斜(做成向基板21側(cè)變窄的傾斜)而進(jìn)行。
但是，并不限定于此，也可以采用蝕刻將發(fā)光部12a、13a的對向面做成互相平行。
發(fā)光部12a、13a的對向面的形狀，也可以做成便于后面進(jìn)行的切斷基板21、緩沖層22的切斷的形狀。
在本實施方式中，雖然是在切斷基板21、緩沖層22之前，分隔發(fā)光部12a、13a，但是，并不限定于此，也可以將如圖3(a)所示的，形成發(fā)光部12a、13a之前的結(jié)構(gòu)貼合連接在副載置臺上，用蝕刻或切割一次切斷所有的層(基板21～接觸層28)。
在切斷基板21、緩沖層22之前分隔發(fā)光部12a、13的主要理由是為了讓2個激光元件各自獨立的驅(qū)動，而實行的電隔離。
如上所述，副載置臺11由絕緣材料(Si)構(gòu)成。因而，在切斷基板21、緩沖層22時，只要是副載置臺11沒有被完全切斷的程度，被切割刀等多少劃傷的話也沒關(guān)系。
本實施方式中，本激光裝置是可以同時輸出2條激光。但是，作為本激光裝置，可以是2個和2個以上的激光元件，也可以是1條1條照射激光的裝置。
另外，在本實施方式中，是讓激光元件12、13發(fā)射出紅色的激光。但是，根據(jù)必要的用途，也可以讓激光元件12、13發(fā)射出其他顏色(紅色以外的顏色、蘭色等)的激光束在本實施方式中，本激光裝置的激光元件12、13采用AlGaInP系的半導(dǎo)體激光器。但是，激光元件12、13并不限定于此，可以是任何種類的半導(dǎo)體激光器。
在本實施方式中，本激光裝置具有金線33～36。然而，本激光裝置的布線可以是除金以外的金屬，例如由鋁(Al)構(gòu)成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置也可以表現(xiàn)為在副載置臺上具有多個半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置中，在上述多個半導(dǎo)體激光元件中的、基板的間隔比在基板上形成的包括發(fā)光部的層結(jié)構(gòu)的間隔還寬。
本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置也可以表現(xiàn)為在副載置臺上有多個半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置，在上述多個半導(dǎo)體激光元件中的基板的側(cè)面，成為不是單一結(jié)晶面的切斷面，而另一方面，在基板上形成的包含發(fā)光部的層結(jié)構(gòu)側(cè)面，是露出單一結(jié)晶面的結(jié)構(gòu)。
如以上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法(本制造方法)，是在副載置臺上具有多個半導(dǎo)體激光元件的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，包括發(fā)光點形成工藝，在單一基板上，層疊半導(dǎo)體材料形成的層結(jié)構(gòu)，形成多個發(fā)光點；裝配工藝，將具有多個發(fā)光點的上述基板搭載在副載置臺上；和基板切斷工藝，在發(fā)光點間的相應(yīng)部位切斷上述基板、在副載置臺上形成包含基板和發(fā)光點的多個激光元件。
本制造方法，是制造在激光束打印機、CD/DVD播放器等的電子機器中具備的多束激光裝置(MB激光裝置)的方法。
MB激光裝置，為能夠發(fā)射出多束激光，在副載置臺上具有多個激光元件(半導(dǎo)體激光元件)。
在此，副載置臺是指用于在電子機器中的金屬制的管座(設(shè)置臺)上設(shè)置激光元件的部材，用于緩和激光元件之間的熱膨脹與金屬制管座的熱膨脹差異而產(chǎn)生的應(yīng)力。
激光元件包括基板、在其上形成的半導(dǎo)體材料的層結(jié)構(gòu)(包括發(fā)光點的層結(jié)構(gòu))。這里，發(fā)光點是激光振蕩的產(chǎn)生部分(激光的輸出部分)。
然后，本制造方法，為制造這樣的MB激光裝置，首先要在單一基板上形成多個發(fā)光點，實施發(fā)光點形成工藝。
即，在該發(fā)光點形成工藝中，通過在一個基板上層疊由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層結(jié)構(gòu)，并列形成多個發(fā)光點(在單片上形成多個發(fā)光點)。
然后，在本制造方法中，將上述那樣具有多個發(fā)光點的基板，由基板和副載置臺夾持層結(jié)構(gòu)，搭載在副載置臺上(裝配工藝)。
然后，在與發(fā)光點之間對應(yīng)的部位，將搭載在副載置臺上的基板切斷(基板切斷工藝)。這樣，在副載置臺上可以形成具備基板和發(fā)光點(含發(fā)光點的層結(jié)構(gòu))的多個激光元件。
這樣，在本制造方法中，在單一基板上(單片上)形成多個發(fā)光點后，將該基板搭載在副載置臺上。然后，通過在發(fā)光點之間分?jǐn)嗷寮捌渖厦鎸盈B的層結(jié)構(gòu)，在副載置臺上形成多個激光元件。
從而，在用本制造方法得到的半導(dǎo)體激光裝置中，能夠在單片上形成多個激光元件。因而，可以高精度保持各激光元件間相對位置(相對振蕩的位置)。
另外，在用本制造方法得到的半導(dǎo)體激光裝置中，在各激光元件之間，分?jǐn)嗷?。因而，能夠防止熱、電通過基板傳導(dǎo)。因而，與混合激光裝置同樣，使大幅抑制激光元件之間的熱、電串?dāng)_成為可能。
在用本制造方法得到的半導(dǎo)體激光裝置中，由于激光元件的基板被分?jǐn)?，所以能夠避免通過基板傳遞的電連接。因而，激光元件不僅可以按共陰(基板側(cè)的電極與公共端子連接的布線形式)，而且可以按共陽(副載置臺側(cè)的電極與公共端子連接的布線形式)布線。
另外，根據(jù)設(shè)置激光元件的外部機器的布線方式，也可以懸浮(激光元件的電極不連接在公共端上的布線形式)連接。
在本制造方法中，優(yōu)選使用絕緣體構(gòu)成的副載置臺。這樣，能夠避免通過副載置臺為媒介的電串?dāng)_。
在本制造方法中的基板切斷工程，可能使用下面任何一種方式進(jìn)行，例如使用藥劑(腐蝕液)及掩模的濕蝕刻、使用Ar(氬)氣及掩模的干蝕刻、使用CHCl3等反應(yīng)性氣體及掩模的反應(yīng)性干蝕刻、使用金剛石或金屬刀的刀具切割、以及隱形切割(后述)。
在本制造方法中，在上述發(fā)光點形成工藝中，在基板上形成了多個發(fā)光點后，優(yōu)選在基板上的層結(jié)構(gòu)上，實施將發(fā)光點之間分?jǐn)嘈纬煞指舨鄣陌l(fā)光點分?jǐn)喙に嚒?br> 在該方法中，基板切斷工藝中，切斷與分割槽對應(yīng)的基板部位(分隔槽延長線上的部位)。
這樣，在基板切斷工藝，需要切斷副載置臺近側(cè)(層結(jié)構(gòu)側(cè))。因而，在使用刀具切割做基板切斷工藝時，可以避免由刀具將副載置臺劃傷。
另外，在該方法中，可以容易的區(qū)分出切斷層結(jié)構(gòu)的方法與切斷基板的方法。因而，能夠采取最適合切斷部位(層結(jié)構(gòu)與基板)的切斷方法進(jìn)行切斷。
關(guān)于上述分隔槽的間隔，優(yōu)選比切斷的基板的間隔還寬。即，分隔槽的寬度最好比基板切斷工藝后形成的基板間隔還寬。
這樣，即使采用機械性切割進(jìn)行基板切斷工藝，也可以防止層結(jié)構(gòu)pn接合部(形成在發(fā)光點的上下層的pn接合部)被劃傷，發(fā)生漏電流。
上述分隔槽，優(yōu)選采用濕蝕刻、反應(yīng)性干蝕刻等蝕刻方法形成。
這樣，分隔槽的側(cè)面(被分割的部分的側(cè)面)能夠成為半導(dǎo)體中的特定結(jié)晶面。因而，能夠防止從該側(cè)面發(fā)生漏電流。
由切割等形成分隔槽時，分割槽的側(cè)面不會成為特定的結(jié)晶面。這樣，從該側(cè)面有可能發(fā)生漏電流。
本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置(本激光裝置)是由上述本制造方法所制造的半導(dǎo)體激光裝置。
因而，本激光裝置中，不僅能使多個激光元件之間相對的位置(相對的振蕩的位置)的精度高，而且能避免熱、電串?dāng)_的影響。
激光元件的布線形式，可以設(shè)定為共陰、共陽、懸浮連接中的任何一個。
在本發(fā)明中，分隔槽的側(cè)面(分?jǐn)嚅_的部分的側(cè)面；形成分隔槽的(面向分隔槽的)面)能做成半導(dǎo)體材料(層28～24的材料)中的特定結(jié)晶面。
在以往的單片結(jié)構(gòu)中，在分別搭載復(fù)印機用紅色2通道激光器、DVD用2波長激光器、獨立芯片的混合結(jié)構(gòu)中，DVD用2波長激光已經(jīng)被商品化。在數(shù)碼復(fù)印機的用途中，例如在2通道，因為各激光元件有時會同時點亮，期望得到相對各通道獨立的激光特性。在單片結(jié)構(gòu)(文獻(xiàn)2)中，由于加工同一晶圓進(jìn)行元件化，各激光元件之間的位置精度良好。但是，同時點亮?xí)r，即在一方點亮?xí)r，如果另一方點亮，會發(fā)生經(jīng)由基板在驅(qū)動電壓上會出現(xiàn)尖峰(電串?dāng)_圖13)、因振蕩時的熱先傳遞到元件側(cè)，激光輸出更加激烈降低(熱串?dāng)_圖14的正中的特性成為右端的特性)等的特性變動，激光打印機、復(fù)印機的印刷質(zhì)量降低了。在圖13中PW1，PW2分別表示第1激光器、第2條激光器的脈沖幅度。圖14中占空比10％是指脈沖寬度中的點亮?xí)r間的比率。即，PW1＝1msec(fc＝1kHz)時，如果占空比為10％，則意味著激光元件的點亮?xí)r間是0.1msec。Duty越大點亮?xí)r間越長，光輸出降低就越大。
另一方面，在混合結(jié)構(gòu)(文獻(xiàn)3)中，由于分別將獨立的激光元件分別搭載在封裝上，經(jīng)由各元件的電極連接，但因為元件附近有隔熱性高的空氣層，振蕩時的熱難以向另一方的半導(dǎo)體元件傳遞。但是，因為機械性搭載獨立的元件，要象單片那樣確保各振蕩的位置之間的相互的精度，不是簡單的事?，F(xiàn)狀的批量生產(chǎn)技術(shù)中，對于單片的±2μm，混合結(jié)構(gòu)一般是±10μm。另一方面，在數(shù)碼復(fù)印機上，如果元件的發(fā)光點的前后精度在±2μm以上，照射部的大小分散偏差、關(guān)系到印刷品質(zhì)的下降。混合的情況，因為各激光元件的電極是獨立的，可以自由設(shè)置布線布局，但有這樣的問題如果是單片紅色激光的話，考慮到散熱性而采取將振蕩部設(shè)在副載置臺附近的結(jié)構(gòu)，因在GaAs基板(N型)上形成元件，必然成為共陰連接，存在無法實現(xiàn)想在共陽連接的激光驅(qū)動器下進(jìn)行驅(qū)動的情況。
在文獻(xiàn)2中，通過蝕刻直到包括已植入多個激光元件的基板的活性層的中途為止，謀求實現(xiàn)電分離及熱串?dāng)_的分離。但是，因為是在同一基板上形成，在整個端面分離激光元件，本發(fā)明會對熱串?dāng)_更有效。
另外，本發(fā)明也可以作為以下第1、第2多束半導(dǎo)體激光裝置、以及第1、第2半導(dǎo)體激光裝置的制造方法表現(xiàn)。即，第1多束半導(dǎo)體激光裝置構(gòu)成為，在多個半導(dǎo)體激光元件搭載在單一副載置臺上的多束半導(dǎo)體激光裝置中，上述多個半導(dǎo)體激光元件的外延層表面到活性層的2個元件之間的間隔，比基板部分之間的間隔還寬。
第2多束半導(dǎo)體激光裝置構(gòu)成為，在多個半導(dǎo)體激光元件搭載在單一副載置臺上的多束半導(dǎo)體激光裝置中，將多個半導(dǎo)體激光元件搭載在單一副載置臺上，該按半導(dǎo)體激光元件具有從外延層表面到活性層的側(cè)面露出單一結(jié)晶面、基板的側(cè)面露出非單一結(jié)晶面進(jìn)行切斷后的面。
第1半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，在單一(單片)半導(dǎo)體晶圓上形成的多個激光二極管元件中，預(yù)先，SiC等的散熱用基板(副載置臺)的電極和各激光元件的電極(用導(dǎo)電膠、焊料等)連接后，只分?jǐn)嗵幚矸指罴す舛O管元件之間，有多個先前沒被切斷的多個激光芯片的散熱基板搭載在激光器封裝上。
第1半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，對于激光元件振蕩部的分?jǐn)喾椒ǎ艘话愕募铀袛嗟那懈罴夹g(shù)外，以非接觸方式切斷部材[隱形切割]、或者此言基板蝕刻處理。
上述的裝置和方法中，預(yù)先按單片結(jié)構(gòu)制作多個激光元件，先與散熱用基板連接。其后，只把單片激光元件切割、分隔。即，能夠確保單片結(jié)構(gòu)的振蕩位置精度，也能夠穩(wěn)定后來分離后的串?dāng)_特性。另，為了連接每個激光元件獨立的電極、金屬線，可根據(jù)用戶要求選擇激光元件的共陰連接、共陽連接。
另，單片上制作多個激光元件，為與固定、連接散熱用基板，各激光元件間的位置精度在切割后也不改變。而且，由于切割，各元件之間成為空氣層，會使同時驅(qū)動時的串?dāng)_特性與混合結(jié)構(gòu)同樣良好。特別是紅色激光元件，比紅外激光器的散熱性差，所以本發(fā)明更有效。即形成綜合單片與混合結(jié)構(gòu)的優(yōu)點的構(gòu)造、特性。另，特別對于高輸出芯片等、更需要散熱性的激光元件更有效。再有，元件的各電極因是獨立的，在金屬細(xì)線的布局可以改變連接方法。結(jié)合激光驅(qū)動器的特性，激光元件的極性上，可以選擇共陰連接、共陽連接。
上述具體的實施方式或?qū)嵤├?，只不過用于明確本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容。因而，不能將本發(fā)明局限在這些具體例上，進(jìn)行狹義的解釋。即，本發(fā)明，在本發(fā)明的精神與權(quán)利要求范圍內(nèi)，可以實施各種變更。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，半導(dǎo)體激光裝置具備在副載置臺上搭載多個半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，包括發(fā)光點形成工藝，在單一基板上，層疊由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的層結(jié)構(gòu)，形成多個發(fā)光點；裝配工藝，將具有多個發(fā)光點的所述基板搭載在副載置臺上；和基板切斷工藝，通過在發(fā)光點之間對應(yīng)的部位切斷所述基板，在副載置臺上形成包括基板和發(fā)光點的多個激光元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，包括發(fā)光點分?jǐn)喙に?，在形成多個發(fā)光點之后，在所述層結(jié)構(gòu)上形成分?jǐn)喟l(fā)光點之間的分隔槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，讓所述分隔槽的間隔比切斷后基板的間隔寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，讓所述分隔槽的間隔越向基板越窄小。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，通過蝕刻形成所述分隔槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，讓在所述層結(jié)構(gòu)中成為分隔槽的面，成為半導(dǎo)體材料的特定結(jié)晶面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述副載置臺是絕緣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述副載置臺由陶瓷構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述副載置臺是半導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，所述基板切斷工藝，采用蝕刻、刀具切割、隱形切割中的任一種進(jìn)行。
11.一種半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于是根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項所述的制造方法所制造的半導(dǎo)體激光裝置。
12.一種激光束打印機，其特征在于，包括權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，首先，在單一基板上形成發(fā)光部，搭載在副載置臺上。然后，從發(fā)光部之間的中間位置，將搭載在副載置臺上的基板切斷。在這樣制造出來的激光裝置中，由于是在單片上形成了2個激光元件，能夠提高它們之間的相對位置精度。由于在各激光元件之間切斷基板，能夠大幅抑制通過基板傳導(dǎo)熱、電串?dāng)_的情況，因此，可以高度確保多個激光元件的相對位置精度，抑制串?dāng)_的影響。
文檔編號H01S5/00GK1538582SQ20041003531
公開日2004年10月20日 申請日期2004年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月18日
發(fā)明者岡崎淳 申請人:夏普株式會社