專利名稱：主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其是涉及一種主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置通常可根據(jù)其驅(qū)動(dòng)方式的不同分為被動(dòng)矩陣型和主動(dòng)矩陣型，其中，由于主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置具有響應(yīng)速度快、色彩多樣和對比度高等優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)前液晶顯示裝置主流之一。
在現(xiàn)有技術(shù)中，主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置根據(jù)其對光線的利用方式可分為反射式、穿透式和半穿透半反射式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置。雖然其利用光線的方式不同，但均采用薄膜晶體管作為像素電極的控制單元，實(shí)現(xiàn)主動(dòng)顯示。
通常，主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置的像素單元包括多條沿縱向平行排列的數(shù)據(jù)線、多條沿橫向平行排列的柵極線、多個(gè)薄膜晶體管和像素電極。該數(shù)據(jù)線和柵極線縱橫排列，形成多個(gè)像素電極區(qū)，該像素電極區(qū)用來放置像素電極。該薄膜晶體管包括源極電極、柵極電極及漏極電極，分別與數(shù)據(jù)線、柵極線及像素電極相連接，用來驅(qū)動(dòng)像素電極，實(shí)現(xiàn)顯示。該像素電極分別和數(shù)據(jù)線、柵極線均存在一定的重疊部分，即，像素電極部分覆蓋該數(shù)據(jù)線和柵極線。
一種反射式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，如公告于2003年1月21日的美國專利第6,509,943號(hào)所示，一種半穿透半反射式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，如公告于2003年9月2日的美國專利第6,614,496號(hào)所示，由于數(shù)據(jù)線、柵極線通常為導(dǎo)電金屬，如鋁、銀等，其存在未被像素電極覆蓋的區(qū)域。因此，當(dāng)外界光線進(jìn)入液晶顯示裝置時(shí)，將在該未被覆蓋的區(qū)域發(fā)生反射，使得液晶顯示裝置顯示的對比度降低。
為改善由于數(shù)據(jù)線或柵極線反射外界光線所引起的對比度降低的問題，通常在彩色濾光片上對應(yīng)數(shù)據(jù)線或柵極線的區(qū)域設(shè)置黑色矩陣對光線進(jìn)行阻擋。但是，該黑色矩陣結(jié)構(gòu)在改善對比度的同時(shí)會(huì)降低液晶顯示裝置的開口率。

發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置對比度較低的不足，本發(fā)明提供一種對比度較高的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其包括一次像素單元，該次像素單元包括兩條相鄰且沿縱向排列的數(shù)據(jù)線、兩條相鄰且沿橫向排列的柵極線、一像素電極和一薄膜晶體管。該兩條數(shù)據(jù)線和兩條柵極線形成一次像素電極區(qū)，該像素電極設(shè)置在該次像素電極區(qū)。該薄膜晶體管具有一源極電極、一柵極電極及一漏極電極，分別與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線、柵極線和像素電極相連接。其中，該數(shù)據(jù)線、柵極線是一種抗反射膜。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)由于本發(fā)明的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置采用抗反射膜作為其數(shù)據(jù)線和柵極線，可防止光束反射，增加顯示對比度，同時(shí)，可省去彩色濾光片上黑色矩陣的設(shè)計(jì)，簡化彩色濾光片的結(jié)構(gòu)和制程。

圖1是本發(fā)明主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的一次像素單元的平面示意圖。
圖2是圖1中數(shù)據(jù)線和柵極線所采用的一種抗反射膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是圖1中數(shù)據(jù)線和柵極線所采用的另一種抗反射膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本發(fā)明主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的一次像素單元的平面示意圖。
具體實(shí)施方式請參閱圖1，是本發(fā)明主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的一次像素單元的平面示意圖，該主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置是一反射式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置。該次像素單元1包括兩條相鄰且沿縱向排列的數(shù)據(jù)線11、12，兩條相鄰且沿橫向排列的柵極線13、14，一像素電極15和一薄膜晶體管(未標(biāo)示)。
該數(shù)據(jù)線11、12和該柵極線13、14之間形成一次像素電極區(qū)，該像素電極15是一反射電極，其設(shè)置在該像素電極區(qū)，并部分覆蓋相應(yīng)的數(shù)據(jù)線11、12和該柵極線13、14，如圖1中陰影部分所示。當(dāng)然，該像素電極15也可以僅設(shè)置在像素電極區(qū)內(nèi)而不覆蓋相應(yīng)的數(shù)據(jù)線11、12和該柵極線13、14。該薄膜晶體管具有一源極電極16、一柵極電極17和一漏極電極18，其中，該源極電極16和數(shù)據(jù)線11相連接用來接受顯示數(shù)據(jù)，該柵極電極17和柵極線13相連接用來控制薄膜晶體管的開關(guān)狀態(tài)，該漏極電極18和像素電極15相連接可以將來自數(shù)據(jù)線11的顯示數(shù)據(jù)傳送給像素電極15，實(shí)現(xiàn)顯示。
請參閱圖2，是圖1中數(shù)據(jù)線11、12和柵極線13、14所采用的一種抗反射膜(Anti-reflective Film)2的結(jié)構(gòu)示意圖。該抗反射膜2是一種多層膜，由鉻金屬膜21、氧化鉻薄膜22和氮化鉻薄膜23依次層疊而成，該鉻金屬膜21是可導(dǎo)電層。該抗反射膜2利用反射光束的干涉相消原理實(shí)現(xiàn)抗反射的目的。該數(shù)據(jù)線11、12和柵極線13、14采用該抗反射膜2可以防止入射光束的反射，從而避免反射光束影響反射式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置的對比度，進(jìn)而可省去彩色濾光片上數(shù)據(jù)線11、12和柵極線13、14相對應(yīng)的黑色矩陣的設(shè)計(jì)，簡化彩色濾光片的結(jié)構(gòu)和制程。
該抗反射膜2也可以采用鉻金屬膜21、氮化鉻薄膜23和氧化鉻薄膜22依次層疊而成的結(jié)構(gòu)，達(dá)到抗反射的目的。
請參閱圖3，是圖1中數(shù)據(jù)線11、12和柵極線13、14所采用的另一種抗反射膜的結(jié)構(gòu)示意圖。該抗反射膜3是一多層周期性介電薄膜，其包括一鉻金屬膜31、依次周期性設(shè)置在該鉻金屬膜31上的氧化鉻薄膜32和氮化鉻薄膜33。相較于圖2中的抗反射膜2，抗反射膜3由于采用周期性設(shè)計(jì)，可獲得更好的抗反射效果。
該抗反射膜3也可以采用鉻金屬膜31、依次周期性設(shè)置在鉻金屬膜31上的氮化鉻薄膜33和氧化鉻薄膜32的層疊結(jié)構(gòu)，達(dá)到抗反射的目的。
上述的兩種抗反射膜中，該鉻金屬膜可以采用導(dǎo)電金屬膜，如鋁膜、銀膜代替。
請參閱圖4，是本發(fā)明主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的一次像素單元的平面示意圖，該主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置是一種半穿透半反射式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置。相較于圖1中的次像素單元1，本實(shí)施方式的次像素單元4具大體相似的結(jié)構(gòu)，其差別在于，該像素電極45是一半穿透半反射層。該像素電極45包括一反射區(qū)451和一穿透區(qū)452，可分別實(shí)現(xiàn)反射和穿透的功能。該次像素單元4的數(shù)據(jù)線41、42和柵極線43、44也采用圖2及圖3中所示的抗反射膜2、3的設(shè)計(jì)，因此可獲得較高的對比度，同時(shí)可省去彩色濾光片上數(shù)據(jù)線41、42和柵極線43、44相對應(yīng)的黑色矩陣的設(shè)計(jì)，簡化彩色濾光片的結(jié)構(gòu)和制程。
當(dāng)然，穿透式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置的數(shù)據(jù)線和柵極線也可以采用相同的抗反射膜設(shè)計(jì)達(dá)到提高對比度、簡化彩色濾光片結(jié)構(gòu)和制程的目的，其像素電極是一透明電極。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其包括一次像素單元，該次像素單元包括兩條相鄰且沿縱向排列的數(shù)據(jù)線、兩條相鄰且沿橫向排列的柵極線、一像素電極和一薄膜晶體管，該兩條數(shù)據(jù)線和兩條柵極線形成一次像素電極區(qū)，該像素電極設(shè)置在該次像素電極區(qū)，該薄膜晶體管具有一源極電極、一柵極電極及一漏極電極，分別與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線、柵極線和像素電極相連接，其特征在于該數(shù)據(jù)線、柵極線是一種抗反射膜。
2.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該像素電極部分覆蓋數(shù)據(jù)線和柵極線的邊緣。
3.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該抗反射膜是一種多層膜，由鉻金屬膜、氧化鉻薄膜和氮化鉻薄膜依次層疊而成。
4.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該抗反射膜是一種多層膜，由鉻金屬膜、氮化鉻薄膜和氧化鉻薄膜依次層疊而成。
5.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該抗反射膜是一種多層周期性介電薄膜，其包括一鉻金屬膜、依次周期性設(shè)置在該鉻金屬膜上的氧化鉻薄膜和氮化鉻薄膜。
6.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該抗反射膜是一種多層周期性介電薄膜，其包括一鉻金屬膜、依次周期性設(shè)置在該鉻金屬膜上的氮化鉻薄膜和氧化鉻薄膜。
7.如權(quán)利要求3-6任意一項(xiàng)所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該鉻金屬膜可以采用鋁膜或銀膜代替。
8.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置是一種反射式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，該像素電極是一反射電極。
9.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置是一種半穿透半反射式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，該像素電極具一反射區(qū)和一穿透區(qū)。
10.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于該主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置是一種穿透式主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，該像素電極是一透明電極。
全文摘要
一種主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，其包括一次像素單元，該次像素單元包括兩條相鄰且沿縱向排列的數(shù)據(jù)線、兩條相鄰且沿橫向排列的柵極線、一像素電極和一薄膜晶體管。該兩條數(shù)據(jù)線和兩條柵極線形成一次像素電極區(qū)，該像素電極設(shè)置在該次像素電極區(qū)。該薄膜晶體管具有一源極電極、一柵極電極及一漏極電極，分別與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線、柵極線和像素電極相連接。其中，該數(shù)據(jù)線、柵極線是一種抗反射膜。該抗反射膜作為其數(shù)據(jù)線和柵極線，可防止光束反射，增加顯示對比度，同時(shí)，可省去彩色濾光片上黑色矩陣的設(shè)計(jì)，簡化彩色濾光片的結(jié)構(gòu)和制程。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1664664SQ20041002642
公開日2005年9月7日 申請日期2004年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月3日
發(fā)明者賴建廷 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司