專利名稱：：可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板及其制法，特別是關(guān)于一種可在顯露出電性連接墊的半導(dǎo)體封裝基板上，利用電鍍或模板印刷方式形成預(yù)焊錫凸塊的基板結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
：自從IBM公司在1960年早期引入覆晶封裝(Flipchippackage)技術(shù)以來，與打線(Wirebond)技術(shù)相比，覆晶技術(shù)的特點在于半導(dǎo)體芯片與基板間的電性連接是通過焊錫凸塊，而不是一般的金線。這種覆晶技術(shù)的優(yōu)點在于可提高封裝密度以及降低封裝組件的尺寸。同時，這種覆晶技術(shù)不需使用較長的金屬線，故可提高電性方面的性能。有鑒于此，業(yè)界在陶瓷基板上使用高溫焊錫，即所謂控制崩解的芯片連接技術(shù)(Control-collapsechipconnection，C4)，已有多年。近年來，由于高密度、高速度以及低成本的半導(dǎo)體組件需求的增加，同時因應(yīng)電子產(chǎn)品的體積逐漸縮小的趨勢，將覆晶組件設(shè)置于低成本的有機電路板(例如，印刷電路板或基板)，并以環(huán)氧樹脂底膠(Underfillresin)填充在芯片下方，以減少硅芯片與有機電路板結(jié)構(gòu)之間因熱膨脹差異所產(chǎn)生的熱應(yīng)力，已呈現(xiàn)爆炸性的成長。在現(xiàn)行的覆晶技術(shù)中，半導(dǎo)體集成電路(IC)芯片的表面上配置有電性的電極焊墊(Electrodepads)，有機電路板也具有相對應(yīng)的電性連接墊，在該芯片以及電路板之間可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置焊錫凸塊或其它導(dǎo)電粘著材料。該芯片是以電性接觸面朝下的方式設(shè)置在該電路板上，其特點在于，該焊錫凸塊或?qū)щ娬持牧咸峁┰撔酒约半娐钒彘g的電性輸入/輸出(I/O)以及機械性的連接。請參閱圖1A及圖1B，這是一種現(xiàn)有的覆晶組件，如圖中所示，數(shù)個金屬凸塊11是形成在芯片13的電極焊墊12上，以及數(shù)個由焊料所制成的預(yù)焊錫凸塊14是形成在有機電路板16的電性連接墊15上。在足以使該預(yù)焊錫凸塊14熔融的回焊溫度條件下，借由將預(yù)焊錫凸塊14回焊至相對應(yīng)的金屬凸塊11即可形成焊錫結(jié)17。就焊錫凸塊焊錫結(jié)(Solderbumpjoint)而言，可進(jìn)一步在該芯片以及該電路板間之間隙中填入底膠材料18，以抑制該芯片13以及該電路板16間的熱膨脹差并降低該焊錫結(jié)的應(yīng)力。請參閱圖2，這是一種現(xiàn)有的用于覆晶封裝件的有機電路板2，該電路板具有電性連接墊21，且該有機電路板2的絕緣層22可由有機材料、混纖維的有機材料或混顆粒的有機材料等(例如，環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺(Polyimide)、雙馬來酰來胺/三嗪基(Bismaleimidetriazine-based)樹脂、氰酸酯(Cyanateester)或其玻璃纖維(Glassfiber)的復(fù)合材料等)所制成。該電性連接墊21典型地是由金屬材料(例如，銅)所形成。一般的金屬阻障層23是包括形成在該電性連接墊21上的鎳粘著層以及形成在鎳粘著層上的金保護(hù)層。該阻障層也可由金、鎳、鈀、銀、錫、鎳/鈀、鉻/鈦、鈀/金或鎳/鈀/金等，借由電鍍(Electroplating)、非化學(xué)電鍍(Electrolessplating)或物理氣相沉積(Physicalvapordeposition)等方法形成。之后在該電路板2的表面上涂覆有機絕緣保護(hù)層24，例如綠漆等，以保護(hù)形成在該電路板表面上的電路層并提供絕緣特性。如圖2所示，該電性連接墊21是外露于絕緣保護(hù)層24中，且該電性連接墊21上形成有預(yù)焊錫凸塊25以供后續(xù)形成覆晶焊錫結(jié)；而目前業(yè)界主要是借由模板印刷技術(shù)在該電性連接墊21上沉積焊錫以形成預(yù)焊錫凸塊，其中該模板印刷技術(shù)較常見的模板板材為鋼板。然而，在實際操作上，由于現(xiàn)今通訊、網(wǎng)絡(luò)及計算機等各式便攜式(Portable)產(chǎn)品的大幅成長，可縮小IC面積且具有高密度與多接腳化特性的球柵陣列式(BGA)、覆晶式(Flipchip)、芯片尺寸封裝(CSP，Chipsizepackage)與多芯片模塊(MCM，Multichipmodule)等封裝件已日漸成為封裝市場上的主流，并常與微處理器、芯片組、繪圖芯片與ASIC等高效能芯片搭配，以發(fā)揮更高速的運算功能。這些結(jié)構(gòu)勢必縮小線路寬度與電性連接墊尺寸，當(dāng)電性連接墊間隙26持續(xù)縮減時，因為該電性連接墊間絕緣保護(hù)層24的存在，將遮擋住部分的電性連接墊21面積，使外露出該絕緣保護(hù)層24的電性連接墊21尺寸更形縮小，造成后續(xù)形成預(yù)焊錫凸塊的對位產(chǎn)生問題，同時也因該絕緣保護(hù)層24所占的空間與其形成的高度影響，使模板印刷技術(shù)中的模板開孔尺寸勢必隨之縮減，不僅因模板開模不易而造成該模板的制造成本提高，更因該模板的開孔孔距細(xì)微而難以令預(yù)焊錫材料穿過，造成制程技術(shù)上的瓶頸。況且，由于該絕緣保護(hù)層24遮擋住部分的電性連接墊21面積，且其所占的空間與其形成的高度影響，將導(dǎo)致預(yù)焊錫材料使用量增加與封裝基板的相對厚度增加，造成制程費用的增加與不利半導(dǎo)體裝置的輕薄短小化。另外，還有以電鍍方式在絕緣保護(hù)層24的開口區(qū)域形成預(yù)焊錫，也因預(yù)焊錫材料形成在電性連接墊上的接觸面積受限制，所形成的預(yù)焊錫結(jié)合力強度欠佳，未能通過預(yù)焊錫的可靠度測試。因此，鑒于上述問題，如何避免形成預(yù)焊錫材料的對位精度不足、結(jié)合力強度不佳與模板印刷技術(shù)制程良率過低等問題，有效在一集成電路封裝基板上形成預(yù)焊錫的結(jié)構(gòu)，實已成目前亟欲解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的主要目的在提供一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板及其制法，它是在一表面形成有多個電性連接墊的半導(dǎo)體封裝基板上，覆蓋一有機絕緣保護(hù)層，并進(jìn)行薄化以完整顯露該電性連接墊的上表面，使該電性連接墊具有較大面積以供形成預(yù)焊錫材料。本發(fā)明的再一目的是提供一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板及其制法，借由增加電性連接墊與沉積預(yù)焊錫材料的接觸面積，有利于提升預(yù)焊錫結(jié)合力強度。本發(fā)明的另一目的是提供一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板及其制法，能夠避免因電性連接墊間絕緣保護(hù)層的存在，使外露出該絕緣保護(hù)層的電性連接墊尺寸縮小，造成后續(xù)形成凸塊的對位問題的產(chǎn)生，與預(yù)焊錫材料不易沉積在該電性連接墊上等問題。為達(dá)成上述及其它目的，本發(fā)明的一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其主要步驟包括提供至少一表面形成有多個電性連接墊的封裝基板；在該封裝基板表面上形成有機絕緣保護(hù)層；以及進(jìn)行薄化該有機絕緣保護(hù)層的厚度，使該有機絕緣保護(hù)層顯露出電性連接墊的上表面。后續(xù)即可在該有機絕緣保護(hù)層與電性連接墊的表面上依序形成導(dǎo)電膜與阻層，并使該阻層形成有多個開孔，以顯露出該電性連接墊表面的導(dǎo)電膜，接著對該封裝基板進(jìn)行電鍍制程，以在該電性連接墊上沉積預(yù)焊錫材料；也或直接利用模板印刷(Stencilprinting)方式，在該電性連接墊上沉積預(yù)焊錫材料，并可借由回焊制程以在該電性連接墊上形成預(yù)焊錫凸塊。通過上述制程，本發(fā)明也一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板，其主要包括一半導(dǎo)體封裝基板，其至少一表面形成有多個電性連接墊；以及一有機絕緣保護(hù)層，是形成在該封裝基板表面，該有機保護(hù)絕緣層與電性連接墊周緣緊密接合，以顯露出該電性連接墊的上表面。其中該電性連接墊的上表面是可供后續(xù)利用電鍍或印刷方式形成有預(yù)焊錫材料?，F(xiàn)有方法是利用在集成電路封裝基板的表面上形成有絕緣保護(hù)層，就遮住部分電性連接墊，使其產(chǎn)生了不利的影響，本發(fā)明使有機絕緣保護(hù)層顯露出電性連接墊上表面，使電性連接墊具有較大面積以供形成預(yù)焊錫材料，避免因該絕緣保護(hù)層的形成所導(dǎo)致占用集成電路與電性連接墊空間及其形成高度的影響，使預(yù)焊錫材料使用量增加與電路封裝基板的相對厚度增加，造成制程費用的提高與不利半導(dǎo)體裝置的輕薄短小化，可借由增加電性連接墊與沉積預(yù)焊錫材料的接觸面積，有利于提升預(yù)焊錫結(jié)合力強度。圖1A及圖1B顯示一種現(xiàn)有覆晶組件的制程剖面示意圖；圖2顯示現(xiàn)有具有絕緣保護(hù)層與預(yù)焊錫凸塊的電路板剖面示意圖；圖3A及圖3I顯示本發(fā)明的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法剖面示意圖；圖4A至圖4E顯示本發(fā)明的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法另一實施形態(tài)的剖面示意圖；圖5A及圖5B顯示在半導(dǎo)體封裝基板上接合半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖6A及圖6B顯示在半導(dǎo)體封裝基板上接合具有金屬凸塊的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖7A及圖7B顯示在半導(dǎo)體封裝基板上同時接合形成覆晶焊錫結(jié)以及板對板的焊錫結(jié)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；以及圖8是顯示形成覆晶構(gòu)裝的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)剖面示意圖。具體實施例方式實施例以下即配合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明中可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板及其制法實施例。此處須注意的一點是，這些附圖均為簡化的示意圖，其僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成，且所顯示之構(gòu)成并非以實際實施時的數(shù)目、形狀、及尺寸比例繪制，其實際實施時的數(shù)目、形狀及尺寸比例為一種選擇性的設(shè)計，且其構(gòu)成布局形態(tài)可能更為復(fù)雜。如圖3A至圖3I所示，詳細(xì)說明本發(fā)明的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法的實施例剖面示意圖。請參閱圖3A，首先提供一半導(dǎo)體封裝基板3，該封裝基板3的表面已形成有多個電性連接墊32。當(dāng)然該基板表面也可同時形成有多個導(dǎo)電線路31供與該電性連接墊32連接。有關(guān)封裝基板形成電性連接墊與導(dǎo)電線路的制程技術(shù)繁多，它們是業(yè)界所周知的制程技術(shù)，其非本案技術(shù)特點，故不再重復(fù)說明。請參閱圖3B，接著在該形成有電性連接墊32的封裝基板3表面上利用印刷、旋涂或貼合等方式，形成一有機絕緣保護(hù)層33，該有機絕緣保護(hù)層可以是拒焊劑層，例如綠漆。請參閱圖3C，進(jìn)行薄化該有機絕緣保護(hù)層33的厚度，借以顯露出該電性連接墊32的上表面，它可借由研磨等技術(shù)，去除部分該有機絕緣保護(hù)層33，以露出該電性連接墊32的上表面，使該有機保護(hù)絕緣層33與電性連接墊32的周緣緊密接合，并完整顯露出該電性連接墊32的上表面，如此即構(gòu)成本發(fā)明的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板。請參閱圖3D，若該基板表面同時形成有電性連接墊32與導(dǎo)電線路31時，還在該封裝基板3表面利用印刷、旋涂或貼合等方式，涂覆有一絕緣膜34，該絕緣膜34可以是有機或無機的抗氧化膜，并利用曝光、顯影等圖案化制程，使該絕緣膜34覆蓋住該導(dǎo)電線路31，令該電性連接墊32的上表面顯露在該封裝基板3的表面。如果該封裝基板3在最外層表面并未形成有導(dǎo)電線路31，即無形成絕緣膜34覆蓋的必要(如圖3D′所示)。當(dāng)然，該導(dǎo)電線路31也可不必形成絕緣膜34加以覆蓋(如圖3D″所示)，而在后續(xù)電鍍預(yù)焊錫制程中，直接以阻層覆蓋也可。請參閱圖3E，還可在該封裝基板3表面上形成導(dǎo)電膜35；該導(dǎo)電膜35主要作為后述進(jìn)行電鍍預(yù)焊錫所需的電流傳導(dǎo)路徑，其可由金屬、合金或沉積多層金屬層所構(gòu)成，如選自銅、錫、鎳、鉻、鈦、銅-鉻合金或錫-鉛合金所構(gòu)成群組的任一個組成。借由物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、無電鍍或化學(xué)沉淀，例如濺鍍(Sputtering)、蒸鍍(Evaporation)、電弧蒸氣沉積(Arcvapordeposition)、離子束濺鍍(Ionbeamsputtering)、激光熔散沉積(Laserablationdeposition)或電漿促進(jìn)化學(xué)氣相沉積方式形成在該電路板表面。如圖3E所示，它是以導(dǎo)電膜35覆在表面具有電性連接墊32與導(dǎo)電線路31的封裝基板，且該導(dǎo)電線路31是先在其表面覆蓋有一層絕緣膜34。另如圖3E′所示，它是當(dāng)封裝基板3最外層表面并未形有導(dǎo)電線路時，即該基板表面未覆蓋有絕緣膜，而是直接形成導(dǎo)電膜35在基板表面上。至于圖3E″所示的是，將導(dǎo)電膜35直接覆在表面具有電性連接墊32與導(dǎo)電線路31的封裝基板，而該導(dǎo)電線路31表面可不必覆蓋有一層絕緣膜34。以下附圖，將以該基板表面具有導(dǎo)電線路與電性連接墊，且該導(dǎo)電線路上形成有一絕緣膜(對應(yīng)圖3E)為例加以說明，相對該基板表面僅具有電性連接墊的(對應(yīng)圖3E′)，以及該基板表面具有導(dǎo)電線路與電性連接墊的，且該導(dǎo)電線路上未形成有一絕緣膜(對應(yīng)圖3E″)，其制程步驟大致相同，主要差異僅在于基板表面的導(dǎo)電線路上形成有絕緣膜34。請參閱圖3F，接著在該封裝基板3表面的導(dǎo)電膜35上圖案化形成有一阻層36，使該阻層36形成有多個開孔360，以顯露出該電性連接墊32表面的導(dǎo)電膜35。該阻層36可以是一例如干膜或液態(tài)光阻等光阻層(Photoresist)，它是利用印刷、旋涂或貼合等方式，形成在該封裝基板3表面，再借由曝光、顯影等方式加以圖案化，也可以借由激光技術(shù)形成該開孔360。請參閱圖3G，接著對該封裝基板3進(jìn)行電鍍(Electroplating)制程，借由該導(dǎo)電膜35的具導(dǎo)電特性，在進(jìn)行電鍍時可作為電流傳導(dǎo)路徑，以在該阻層開孔360中的電性連接墊32上，電鍍形成有預(yù)焊錫材料，借由電鍍方式減少下列問題的產(chǎn)生在模板印刷技術(shù)中，當(dāng)電性連接墊尺寸以及間距的縮小時，該模板的開孔必須隨之變小，造成該模板開模不易與制造成本提高；因該模板的開孔孔距細(xì)微而難以令預(yù)焊錫材料穿過；模板擦拭清潔所導(dǎo)致制程技術(shù)上的瓶頸與不便等問題。這可充分應(yīng)用在具有微小線路與電性連接墊間距的封裝基板上。其中，該預(yù)焊錫材料可以選自鉛、錫、銀、銅、鉍、銻、鋅、鎳、鋯、鎂、銦、碲以及鎵組群元素的混合物所構(gòu)成的合金。請參閱圖3H，當(dāng)該電性連接墊32的外露表面完成電鍍預(yù)焊錫材料后，先移除該阻層36，接著，再將現(xiàn)有被該阻層36覆蓋的導(dǎo)電膜35移除。其中，在該電性連接墊32上所電鍍完成的預(yù)焊錫材料可以是一導(dǎo)電柱37形式，后續(xù)用以電性導(dǎo)接覆晶式半導(dǎo)體芯片的電極焊墊。請參閱圖3I，也可在足以使該電鍍沉積的預(yù)焊錫材料熔融的溫度條件下，進(jìn)行回焊(Reflow-Soldering)制程，使該預(yù)焊錫材料經(jīng)回焊，在該電性連接墊32上形成預(yù)焊錫凸塊38，后續(xù)與半導(dǎo)體芯片的金屬凸塊相接合形成焊錫結(jié)。圖4A至圖4E詳細(xì)說明本發(fā)明的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法的另一實施形態(tài)，它是利用模板印刷方式，在顯露于基板表面的電性連接墊上沉積焊錫材料。請參閱圖4A，首先提供一半導(dǎo)體封裝基板3，該封裝基板3的表面已形成有多個電性連接墊32。當(dāng)然該基板表面也可同時形成有多個導(dǎo)電線路31供與該電性連接墊32連接。請參閱圖4B，接著在該形成有電性連接墊32的封裝基板3表面上利用印刷、旋涂或貼合等方式，形成有一有機絕緣保護(hù)層33，該有機絕緣保護(hù)層可以是拒焊劑層，例如綠漆。請參閱圖4C，進(jìn)行薄化該有機絕緣保護(hù)層33的厚度，借以顯露出該電性連接墊32的上表面，使該有機保護(hù)絕緣層33與電性連接墊32的周緣緊密接合，并完整顯露出該電性連接墊32的上表面。請參閱圖4D，若該基板表面同時形成有電性連接墊32與導(dǎo)電線路31時，還在該封裝基板3表面涂覆有一絕緣膜34，該絕緣膜34可以是有機或無機的抗氧化膜，并利用曝光、顯影等圖案化制程，使該絕緣膜34覆蓋住該導(dǎo)電線路31，令該電性連接墊32的上表面顯露在該封裝基板3的表面。如果該封裝基板3在最外層表面并未形成有導(dǎo)電線路31，即無形成絕緣膜34覆蓋的必要(如圖3D′所示)。當(dāng)然，該導(dǎo)電線路31也可不必形成絕緣膜34加以覆蓋(如圖3D″所示)。在本實施例附圖中，是以基板表面形成有導(dǎo)電線路與電性連接墊，且該導(dǎo)電線路上形成有一絕緣膜加以說明的。請參閱圖4E，之后，可借由模板印刷技術(shù)，在該基板3表面的電性連接墊32上沉積有焊錫材料，并在足以使該沉積的焊錫材料熔融的回焊溫度條件下，進(jìn)行回焊(Reflow-soldering)的制程，使該焊錫材料經(jīng)回焊，在該電性連接墊32上形成焊錫凸塊35。由于該絕緣膜34的厚度僅約為2至5微米，不僅未覆蓋在該電性連接墊周圍，同時該絕緣膜34的厚度，也不會影響后續(xù)在該基板3的表面利用模板印刷，在該電性連接墊32上沉積焊錫材料的可實施性，以減少對位問題的產(chǎn)生。當(dāng)然，若該基板表面未形成有該絕緣膜，也無這些問題，可有效提供模板印刷技術(shù)在該具有較大接觸面積的電性連接墊32上，形成預(yù)焊錫凸塊35。上述模板印刷技術(shù)較常見的模板板材為鋼板。以下配合附圖加以說明本發(fā)明的應(yīng)用實施例，其中，通過本發(fā)明的制法所形成的具預(yù)焊錫結(jié)構(gòu)的封裝基板3，在一應(yīng)用實施例中，該封裝基板3的電性連接墊32上所形成的導(dǎo)電柱37，是可應(yīng)用接合在一具電極焊墊的半導(dǎo)體芯片。如圖5A及圖5B所示，提供一具有數(shù)個電極焊墊42的半導(dǎo)體芯片41，以該半導(dǎo)體芯片41的電極焊墊42分別相對應(yīng)于該封裝基板3的導(dǎo)電柱37的位置，將該半導(dǎo)體芯片41設(shè)置并電性導(dǎo)接在該封裝基板3上。根據(jù)本發(fā)明，該封裝基板3的另一實施例是可應(yīng)用接合在具有金屬凸塊的半導(dǎo)體芯片。如圖6A所示，半導(dǎo)體芯片51具有多個電極焊墊52形成在該半導(dǎo)體芯片51的作用表面，該電極焊墊52上具有數(shù)個金屬凸塊53，且該半導(dǎo)體芯片51是以該金屬凸塊53分別相對應(yīng)在該封裝基板3的預(yù)焊錫凸塊38位置的方式，設(shè)置在該封裝基板3上。然后，如圖6B所示，使該預(yù)焊錫凸塊38回焊至該金屬凸塊53上，以在該半導(dǎo)體芯片51以及該封裝基板3之間形成覆晶焊錫結(jié)54。該半導(dǎo)體芯片51上的金屬凸塊53可由金屬、合金或沉積數(shù)種金屬所構(gòu)成，例如焊錫凸塊、金凸塊、銅凸塊或以焊錫帽(SolderCaps)覆蓋的銅柱等；且該金屬凸塊可以是任何形狀，例如釘柱狀凸塊、球形凸塊、柱狀凸塊或其它形狀的凸塊。根據(jù)本發(fā)明，該封裝基板3的再一應(yīng)用實施例也可用在同時形成覆晶焊錫結(jié)以及板對板的焊錫結(jié)。如圖7A所示，制備一電路板6，該電路板6可以是有機或陶瓷電路板，并將芯片62設(shè)置在該電路板6適當(dāng)?shù)奈恢?；在該電路?上，將數(shù)個電性連接墊61形成在該芯片62的周緣，其中，多個金屬凸塊64、65是分別形成在該電路板6的該電性連接墊61以及該芯片62的電極焊墊63上。然后，將該電路板6借由使其金屬凸塊64、65朝向形成在該封裝基板3上的預(yù)焊錫凸塊38的方式，接置在該封裝基板3上。如圖7B所示，使該金屬凸塊64、65分別回焊至相對應(yīng)的預(yù)焊錫凸塊38，以在該芯片62以及該封裝基板3之間形成覆晶焊錫結(jié)66，并在該電路板6以及該封裝基板3之間形成板對板的焊錫結(jié)67。在本發(fā)明的另一應(yīng)用實施例中，該封裝基板3也可作為制造覆晶構(gòu)裝70的半導(dǎo)體封裝基板。請參照圖8，該基板分別在其上、下表面形成多個電性連接墊，并借由上述方法，在該基板上表面的電性連接墊上形成多個預(yù)焊錫凸塊38，且該基板下表面的電性連接墊上植接有數(shù)個焊球39。將一半導(dǎo)體芯片71以覆晶方式設(shè)置在該封裝基板3，這種覆晶的設(shè)置方式是使形成在該芯片71的電極焊墊72上的金屬凸塊73，焊接至形成在該封裝基板3的該預(yù)焊錫凸塊38，并以底膠材料74填充在該芯片71以及該封裝基板3之間的間隙中，以形成該覆晶構(gòu)裝70。由于本發(fā)明的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板及其制法中，是將有機絕緣保護(hù)層顯露出電性連接墊上表面，使該電性連接墊具有較大面積以供形成預(yù)焊錫材料，避免因該絕緣保護(hù)層的形成，導(dǎo)致占用集成電路與電性連接墊空間及其形成高度的影響，使預(yù)焊錫材料使用量增加與電路封裝基板的相對厚度增加，造成制程費用的提高與不利半導(dǎo)體裝置的輕薄短小化，并可借由增加電性連接墊與沉積預(yù)焊錫材料的接觸面積，而有利于提升預(yù)焊錫結(jié)合力強度。本發(fā)明的電性連接墊，也可應(yīng)用在一般電路板中的凸塊焊墊、預(yù)焊錫焊墊或焊球墊等，現(xiàn)有附圖僅以部分電性連接墊表示，實際上該電性連接墊以及預(yù)焊錫的數(shù)目，是依實際制程所需而加以設(shè)計并分布在封裝基板的表面，且該制程可實施在封裝基板的單一側(cè)面或雙側(cè)面上。且上述實施例僅是例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。權(quán)利要求1.一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該制法包括提供至少一表面形成有多個電性連接墊的封裝基板；在該封裝基板表面上形成有機絕緣保護(hù)層；以及薄化該有機絕緣保護(hù)層的厚度，使該有機絕緣保護(hù)層顯露出電性連接墊的上表面。2.如權(quán)利要求1所述的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該制法還可在該電性連接墊上沉積有預(yù)焊錫材料。3.如權(quán)利要求2所述的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該焊錫材料是以印刷方式沉積在該電性連接墊上。4.一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該制法包括提供至少一表面形成有多個電性連接墊的封裝基板；在該封裝基板表面上形成有機絕緣保護(hù)層，并進(jìn)行薄化該有機絕緣保護(hù)層的厚度，使該有機絕緣保護(hù)層顯露出電性連接墊與導(dǎo)電線路的上表面；在該封裝基板表面上依序形成導(dǎo)電膜與阻層，并使該阻層形成有多個開孔，以顯露出該電性連接墊表面的導(dǎo)電膜；以及進(jìn)行電鍍制程，以在該電性連接墊上沉積有預(yù)焊錫材料。5.如權(quán)利要求4所述的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該制法還包括在該電性連接墊的外露表面完成電鍍預(yù)焊錫材料后，移除該阻層及其所覆蓋的導(dǎo)電膜。6.如權(quán)利要求4所述的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該封裝基板表面還包括有導(dǎo)電線路。7.如權(quán)利要求6所述的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該制法在該導(dǎo)電線路上形成導(dǎo)電膜前，可利用印刷、旋涂及貼合的任一方式，涂覆一絕緣膜在該基板表面，再借由圖案化制程，使該絕緣膜覆蓋住該導(dǎo)電線路表面。8.如權(quán)利要求4所述的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該電鍍完成的預(yù)焊錫材料可以是一導(dǎo)電柱形式。9.如權(quán)利要求4所述的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板制法，其特征在于，該電鍍完成的預(yù)焊錫材料可借由回焊制程，以形成預(yù)焊錫凸塊。10.一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該基板包括一封裝基板，其至少一表面形成有多個電性連接墊；以及一有機絕緣保護(hù)層，是形成在該封裝基板表面，該有機保護(hù)絕緣層與電性連接墊周緣緊密接合，并完整顯露出該電性連接墊的上表面。11.如權(quán)利要求10所述的可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該電性連接墊上表面是可供后續(xù)借由電鍍及模板印刷的其中一個方式形成有預(yù)焊錫材料。全文摘要一種可供形成預(yù)焊錫材料的半導(dǎo)體封裝基板及其制法，主要是提供至少一表面形成有多個電性連接墊的封裝基板，接著在該封裝基板表面上形成有機絕緣保護(hù)層，并進(jìn)行薄化使該有機絕緣保護(hù)層顯露出電性連接墊的上表面，之后，可在該有機絕緣保護(hù)層及電性連接墊表面上依序形成導(dǎo)電膜與阻層，并使該阻層形成有多個開孔，以顯露出該電性連接墊表面的導(dǎo)電膜，再對該封裝基板進(jìn)行電鍍制程，也或直接利用模板印刷方式，以在該電性連接墊上沉積預(yù)焊錫材料，本發(fā)明可提升預(yù)焊錫結(jié)合力強度，可避免因電性連接墊尺寸縮小造成的對位問題以及預(yù)焊錫材料不易沉積在該電性連接墊上等問題。文檔編號H01L21/02GK1624887SQ200310117149公開日2005年6月8日申請日期2003年12月2日優(yōu)先權(quán)日2003年12月2日發(fā)明者胡竹青,許詩濱申請人:全懋精密科技股份有限公司