專利名稱：晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板，特別是涉及一種在基板側(cè)面配置有導(dǎo)電體使基板上下兩面電性連接的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板(CHIPPACKAGE AND SUBSTRATE)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今信息世代的社會(huì)下，電子產(chǎn)品已經(jīng)變成人們不可或缺的日常用品，而電子產(chǎn)品的核心就是晶片，電子產(chǎn)品通過(guò)晶片可以進(jìn)行邏輯運(yùn)算或是資料(數(shù)據(jù))記憶。一般電源在輸出之后，會(huì)經(jīng)過(guò)高功率電源模組(模塊)，藉以控制電流的方向，并作為開關(guān)的功能。由于高功率電源模組會(huì)承受從電源端傳送過(guò)來(lái)的大電流或是大電壓的負(fù)載，因此高功率電源模組一般會(huì)產(chǎn)生大量的熱，必須要通過(guò)散熱片的設(shè)計(jì)，使得由高功率電源模組所產(chǎn)生的熱量可以快速地散到外界。
在早先的高功率電源模組(power module)的封裝結(jié)構(gòu)中，會(huì)在絕緣基板的兩面分別配置導(dǎo)線架與散熱片，而導(dǎo)線架(lead frame)與散熱片(heatsink)之間是為電性隔離的。晶片是配置在導(dǎo)線架上，通過(guò)打線的方式可以使晶片與導(dǎo)線架電性連接。晶片所產(chǎn)生的熱可以經(jīng)由導(dǎo)線架、絕緣基板及散熱片散逸到外界。在此封裝結(jié)構(gòu)中，散熱片是僅只有散熱的功能，而就制程上而言，由于導(dǎo)線架與散熱片之間是為電性隔離，因此電鍍制具必須要使用至少兩個(gè)電極頭分別連接散熱片及導(dǎo)線架，才能進(jìn)行焊錫電鍍的作業(yè)，如此會(huì)增加制程的復(fù)雜性。
在新的應(yīng)用上，可以使散熱片與導(dǎo)線架電性連接作為接地平面，藉以穩(wěn)定接地端電壓值。就制程上而言，電極端只需連接導(dǎo)線架，便可以完成散熱片及導(dǎo)線架的焊錫電鍍的作業(yè)。故此種高功率電源模組可以提供較高的電性效能，且可以增加電鍍的便利性。而散熱片與導(dǎo)線架電性連接的方法則如下所述請(qǐng)參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)和高功率電源模組的導(dǎo)線架、絕緣基板及散熱片組裝后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。一般而言，現(xiàn)有的高功率電源模組封裝結(jié)構(gòu)，包括絕緣基板110、導(dǎo)線架120及散熱片130，導(dǎo)線架120是接合在絕緣基板110的上表面112上，而散熱片130是接合在絕緣基板110的下表面114上，絕緣基板110具有多個(gè)導(dǎo)通孔116，而導(dǎo)通孔116內(nèi)填入有金屬材料140，藉以使散熱片130與導(dǎo)線架120電性連接。
在高功率電源模組封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)用上，絕緣基板110一般是低熱阻性的材質(zhì)，比如是氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)等的陶瓷材質(zhì)。因此若要形成導(dǎo)通孔116于此種絕緣基板110中，可行的方法一般只有激光鉆孔的方法或是孔洞預(yù)先成形的方法，但是此兩種方法均有缺點(diǎn)。
就激光鉆孔的方法而言，其形成導(dǎo)通孔116所需的時(shí)間甚長(zhǎng)，且鉆孔處會(huì)有火山口現(xiàn)象及熔渣噴濺現(xiàn)象，造成有多個(gè)凸起塊凸起于絕緣基板110上。因此，在鉆孔完成之后，還需要利用表面研磨的方式，磨去這些凸起塊，并且即使在表面研磨處理之后，仍然會(huì)存在有一些凹痕在基板110的表面上，該凹痕會(huì)對(duì)基板110的信賴度有不良的影響。接著，利用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或電鍍等的薄膜制程、或利用網(wǎng)板印刷方式的厚膜制程，形成金屬材料140于導(dǎo)通孔116中，如此導(dǎo)線架120便可以通過(guò)位在導(dǎo)通孔116內(nèi)的金屬材料140電性連接于散熱片130。整個(gè)過(guò)程除了制程時(shí)間長(zhǎng)之外，成本也高。
另外，就孔洞預(yù)先成形的方法而言，是在基板制作的生胚(green tape)階段，利用沖孔的方式，形成多個(gè)孔洞貫穿生胚，最后再進(jìn)行燒結(jié)(cofire)生胚的過(guò)程，此時(shí)在生胚階段所形成的孔洞會(huì)形成貫穿基板110的導(dǎo)通孔116。接著，便可以利用前述的薄膜制程或厚膜制程，填入金屬材料140于導(dǎo)通孔116中，如此導(dǎo)線架120便可以通過(guò)位在導(dǎo)通孔116內(nèi)的金屬材料140電性連接于散熱片130。此種方法在大量生產(chǎn)時(shí)成本確實(shí)低廉，但是如果應(yīng)用在產(chǎn)量較低的產(chǎn)品上或是產(chǎn)品在實(shí)驗(yàn)階段時(shí)，由于沖孔的模具制作費(fèi)用昂貴，因此其費(fèi)用在平攤到每一基板110之后，基板110的單位成本便會(huì)大幅提高，不符合成本效益。再者，受到基板110燒結(jié)的收縮率的影響，會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通孔116的精度不穩(wěn)定，因而影響后續(xù)制程的優(yōu)良率。
由此可見，上述現(xiàn)有的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板仍存在有缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決現(xiàn)有的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板的缺陷，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。
有鑒于上述現(xiàn)有的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服上述現(xiàn)有的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板存在的缺陷，而提供一種新型的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其中在基板側(cè)面配置有導(dǎo)電體，可以使基板上下兩面電性連接，如此可以省去制作導(dǎo)通孔的制程，而可以大幅縮減制程時(shí)間及制作成本，并且亦具有甚佳的電性效能，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其至少包括一基板，具有一側(cè)面、一第一表面及對(duì)應(yīng)的一第二表面，且該基板具有一第一金屬層、一第二金屬層及一導(dǎo)電體，該第一金屬層位于該基板的該第一表面上，該第二金屬層位于該基板的該第二表面上，該導(dǎo)電體位于該基板的該側(cè)面上，該第一金屬層通過(guò)該導(dǎo)電體電性連接于該第二金屬層；一導(dǎo)線架，位于該基板的該第一表面上，該導(dǎo)線架是與該第一金屬層電性連接；一第一晶片，該第一晶片具有一第一主動(dòng)表面及對(duì)應(yīng)的一第一背面，該第一晶片是以該第一背面接合于該導(dǎo)線架上及該基板的該第一表面上，二者擇一，且該第一晶片具有多個(gè)第一接墊，位于該第一主動(dòng)表面上；多條第一打線導(dǎo)線，分別連接于該第一晶片的該些第一接墊及該導(dǎo)線架；一散熱片，位于該基板的該第二表面上，并與該第二金屬層電性連接；以及一封裝材料，包覆該第一晶片、該些第一打線導(dǎo)線及該導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架的部分區(qū)域是暴露于該封裝材料外。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的導(dǎo)電體包括一銅層。
前述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的導(dǎo)電體的厚度是介于0.1微米到5微米之間。
前述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的導(dǎo)電體是由導(dǎo)電膠所構(gòu)成。
前述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其中是由下列至少一種方式形成該導(dǎo)電體，該些方式包括濺鍍、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積、電鍍及涂抹。
前述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其還包括一第二晶片及復(fù)數(shù)條第二打線導(dǎo)線，該第二晶片是接合于該導(dǎo)線架上及該基板的該第一表面上，二者擇一，該些第二打線導(dǎo)線分別連接于該第二晶片及該導(dǎo)線架，該封裝材料還包覆該第二晶片及該些第二打線導(dǎo)線。
前述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其還包括復(fù)數(shù)條第三打線導(dǎo)線，連接于該第一晶片及該第二晶片。
前述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的基板具有一絕緣層，該絕緣層的材質(zhì)是為陶瓷。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種基板，具有一側(cè)面、一第一表面及對(duì)應(yīng)的一第二表面，該基板包括一第一金屬層，位于該基板的該第一表面上；一第二金屬層，位于該基板的該第二表面上；以及一導(dǎo)電體，位于該基板的該側(cè)面上，該第一金屬層通過(guò)該導(dǎo)電體電性連接于該第二金屬層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的基板，其中所述的導(dǎo)電體包括一銅層。
前述的基板，其中所述的導(dǎo)電體的厚度是介于0.1微米到5微米之間。
前述的基板，其中所述的導(dǎo)電體是由導(dǎo)電膠所構(gòu)成。
前述的基板，其中是由下列至少一種方式形成該導(dǎo)電體，該些方式包括濺鍍、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積、電鍍及涂抹。
前述的基板，其還包括一絕緣層，該絕緣層的材質(zhì)是為陶瓷。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其至少包括基板、導(dǎo)線架、晶片、打線導(dǎo)線、散熱片及封裝材料?；寰哂械谝唤饘賹?、第二金屬層及導(dǎo)電體，第一金屬層位于基板的第一表面上，第二金屬層位于基板的第二表面上，導(dǎo)電體位于基板的側(cè)面上，第一金屬層通過(guò)導(dǎo)電體電性連接于第二金屬層。導(dǎo)線架位于基板的第一表面上，導(dǎo)線架是與第一金屬層電性連接。晶片是以其背面接合于導(dǎo)線架上或是接合于基板的第一表面上，且晶片具有多個(gè)接墊，位于主動(dòng)表面上。多條打線導(dǎo)線分別連接于晶片的接墊及導(dǎo)線架，散熱片是位于基板的第二表面上，并與第二金屬層電性連接，封裝材料是包覆晶片、打線導(dǎo)線及導(dǎo)線架，其中導(dǎo)線架的部分區(qū)域是暴露于封裝材料外。
依照本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，其中導(dǎo)電體比如是由鈦層及銅層所構(gòu)成的雙層金屬層結(jié)構(gòu)、或是由鈦鎢合金層及銅層所構(gòu)成的雙層金屬層結(jié)構(gòu)、或是由鎳層、鉻層及銅層所構(gòu)成的三層金屬層結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電體的厚度比如是介于0.1微米到5微米之間。另外，導(dǎo)電體亦可以是由導(dǎo)電膠所構(gòu)成。此外，基板具有絕緣層，而絕緣層的材質(zhì)比如為陶瓷。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明由于在基板側(cè)面配置有導(dǎo)電體，藉以使基板上下兩面電性連接，如此可以省去制作導(dǎo)通孔的制程，故可以大幅縮減制程時(shí)間及制作成本，并且亦具有甚佳的電性效能。另外，就焊錫電鍍制程而言，電極端只需連接導(dǎo)線架，便可以完成散熱片及導(dǎo)線架的焊錫電鍍作業(yè)，故具有甚佳的電鍍便利性。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板，其在基板側(cè)面配置有導(dǎo)電體，可使基板上下兩面電性連接，如此可以省去制作導(dǎo)通孔的制程，而可大幅縮減制程時(shí)間及制作成本，并且亦具有甚佳的電性效能，從而更加適于實(shí)用。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有較大進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知的高功率電源模組的導(dǎo)線架、絕緣基板及散熱片組裝后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖2是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的高功率電源模組的晶片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的基板側(cè)面區(qū)域的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
110絕緣基板 112上表面114下表面116導(dǎo)通孔120導(dǎo)線架130散熱片140金屬材料200晶片(芯片)封裝結(jié)構(gòu)210基板212絕緣層213上表面214金屬層215下表面216金屬層217側(cè)面218導(dǎo)電體218a金屬層218b金屬層 220導(dǎo)線架222引腳 224晶片座230晶片 232主動(dòng)表面234背面 236接墊240晶片 242主動(dòng)表面244背面 246接墊250散熱片252底面260封裝材料 272打線導(dǎo)線274打線導(dǎo)線 276打線導(dǎo)線d導(dǎo)電體的厚度具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板其具體結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
請(qǐng)參閱圖2所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的高功率電源模組的晶片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。一般而言，該高功率電源模組的晶片封裝結(jié)構(gòu)200，包括基板210、導(dǎo)線架220、晶片230、240、散熱片250、封裝材料260及打線導(dǎo)線272、274、276。
該基板210，比如是由絕緣層212、金屬層214、216以及導(dǎo)電體218所構(gòu)成，其中金屬層214是位于絕緣層212的上表面213上，金屬層216是位于絕緣層212的下表面215上，導(dǎo)電體218是位于絕緣層212的側(cè)面217上，金屬層214、216是通過(guò)導(dǎo)電體218相互電性連接。在較佳的情況下，絕緣層212是為低熱阻性的材質(zhì)，比如是氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)等的陶瓷材料。在較佳的情況下，金屬層214、216及導(dǎo)電體218要包括導(dǎo)電性良好的金屬層，比如是銅層。
請(qǐng)參閱圖3所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的基板側(cè)面區(qū)域的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電體218比如是由兩層金屬層218a、218b堆疊而成，其中位在內(nèi)層的金屬層218a的材質(zhì)比如是鈦或鈦鎢合金，而位在外層的金屬層218b的材質(zhì)比如是銅。就形成導(dǎo)電體的制程而言，可以先利用濺鍍、蒸鍍或化學(xué)氣相沉積的方式，形成種子層，比如是金屬層218a，接著再利用電鍍的方式，形成較厚的金屬層218b于種子層218a上。在較佳的情況下，導(dǎo)電體218的厚度d比如是介于0.1微米到5微米之間。
然而本發(fā)明的應(yīng)用并不限于此，導(dǎo)電體亦可以是由三層或是更多層的金屬層所構(gòu)成。舉例而言，導(dǎo)電體由內(nèi)而外的金屬層順序比如分別是由鎳層、鉻層及銅層堆疊而成?；蛘?，導(dǎo)電體亦可以是單層金屬層的結(jié)構(gòu)。
或者，導(dǎo)電體亦可以是導(dǎo)電膠，比如是為銀膠。就制程而言，比如是先將滾輪沾上導(dǎo)電膠，接著再將沾上導(dǎo)電膠的滾輪涂抹絕緣層的側(cè)面，如此導(dǎo)電膠便可以殘留于絕緣層的側(cè)面上，之后再經(jīng)過(guò)烘烤等步驟，導(dǎo)電膠便會(huì)固化而形成導(dǎo)電體。
請(qǐng)參閱圖2所示，導(dǎo)線架220是位于基板210的上表面213上，并與金屬層214電性連接。一般而言，導(dǎo)線架220包括有多個(gè)引腳222及晶片座224，引腳222及晶片座224比如可以是利用表面黏著技術(shù)(Surface MountTechnology，SMT)或是利用導(dǎo)電膠接合于金屬層214上。
晶片230是以其背面234并利用導(dǎo)電膠、非導(dǎo)電膠或焊料(圖中未示)接合于導(dǎo)線架220的晶片座224上，且晶片230具有多個(gè)接墊236，位于晶片230的主動(dòng)表面232上；而晶片240是以其背面244并利用導(dǎo)電膠、非導(dǎo)電膠或焊料(圖中未示)接合于基板210的金屬層214上，晶片240具有多個(gè)接墊246，位于晶片240的主動(dòng)表面242上。
利用打線的方式，會(huì)形成多條打線導(dǎo)線272分別連接于晶片230的接墊236及導(dǎo)線架220的引腳222，形成多條打線導(dǎo)線274分別連接于晶片240的接墊246及導(dǎo)線架220的引腳222，及形成多條打線導(dǎo)線276分別連接于晶片230的接墊236及晶片240的接墊246。
散熱片250是位于基板210的下表面215上，并且與金屬層216電性連接，其中散熱片250比如可以是利用表面黏著技術(shù)(SMT)或是利用導(dǎo)電膠接合于金屬層216上。通過(guò)金屬層214、216及導(dǎo)電體218，導(dǎo)線架220可以與散熱片250電性連接，而散熱片250比如是與接地端電性連接，藉以減緩接地端電壓值的變動(dòng)。其中，散熱片250的材質(zhì)比如是銅或鋁。
封裝材料260是包覆晶片230、240、打線導(dǎo)線272、274、276、導(dǎo)線架220、基板210及散熱片250，其中導(dǎo)線架220的引腳222是暴露于封裝材料260外，藉以與一外部線路(圖中未示)電性連接，而散熱片250的底面252比如是暴露于封裝材料260外，可以與一散熱結(jié)構(gòu)(圖中未示)連接，藉以提高晶片封裝模組200的散熱效率。
經(jīng)由上述可知，在本發(fā)明中，由于在基板側(cè)面配置有導(dǎo)電體，藉以使基板上下兩面電性連接，如此可以省去制作導(dǎo)通孔的制程，故可以大幅縮減制程時(shí)間及制作成本，并且亦具有甚佳的電性效能。另外，就焊錫電鍍制程而言，電極端只需連接導(dǎo)線架，便可以完成散熱片及導(dǎo)線架的焊錫電鍍作業(yè)，故具有甚佳的電鍍便利性。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的結(jié)構(gòu)及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括一基板，具有一側(cè)面、一第一表面及對(duì)應(yīng)的一第二表面，且該基板具有一第一金屬層、一第二金屬層及一導(dǎo)電體，該第一金屬層位于該基板的該第一表面上，該第二金屬層位于該基板的該第二表面上，該導(dǎo)電體位于該基板的該側(cè)面上，該第一金屬層通過(guò)該導(dǎo)電體電性連接于該第二金屬層；一導(dǎo)線架，位于該基板的該第一表面上，該導(dǎo)線架是與該第一金屬層電性連接；一第一晶片，該第一晶片具有一第一主動(dòng)表面及對(duì)應(yīng)的一第一背面，該第一晶片是以該第一背面接合于該導(dǎo)線架上及該基板的該第一表面上，二者擇一，且該第一晶片具有多個(gè)第一接墊，位于該第一主動(dòng)表面上；多條第一打線導(dǎo)線，分別連接于該第一晶片的該些第一接墊及該導(dǎo)線架；一散熱片，位于該基板的該第二表面上，并與該第二金屬層電性連接；以及一封裝材料，包覆該第一晶片、該些第一打線導(dǎo)線及該導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架的部分區(qū)域是暴露于該封裝材料外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的導(dǎo)電體包括一銅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的導(dǎo)電體的厚度是介于0.1微米到5微米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的導(dǎo)電體是由導(dǎo)電膠所構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中是由下列至少一種方式形成該導(dǎo)電體，該些方式包括濺鍍、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積、電鍍及涂抹結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其還包括一第二晶片及復(fù)數(shù)條第二打線導(dǎo)線，該第二晶片是接合于該導(dǎo)線架上及該基板的該第一表面上，二者擇一，該些第二打線導(dǎo)線分別連接于該第二晶片及該導(dǎo)線架，該封裝材料還包覆該第二晶片及該些第二打線導(dǎo)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其還包括復(fù)數(shù)條第三打線導(dǎo)線，連接于該第一晶片及該第二晶片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的基板具有一絕緣層，該絕緣層的材質(zhì)是為陶瓷。
9.一種基板，具有一側(cè)面、一第一表面及對(duì)應(yīng)的一第二表面，其特征在于該基板包括一第一金屬層，位于該基板的該第一表面上；一第二金屬層，位于該基板的該第二表面上；以及一導(dǎo)電體，位于該基板的該側(cè)面上，該第一金屬層通過(guò)該導(dǎo)電體電性連接于該第二金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于其中所述的導(dǎo)電體包括一銅層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于其中所述的導(dǎo)電體的厚度是介于0.1微米到5微米之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于其中所述的導(dǎo)電體是由導(dǎo)電膠所構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于其中是由下列至少一種方式形成該導(dǎo)電體，該些結(jié)構(gòu)方式包括濺鍍、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積、電鍍及涂抹。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于其還包括一絕緣層，該絕緣層的材質(zhì)是為陶瓷。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種晶片封裝結(jié)構(gòu)及其基板，該晶片封裝結(jié)構(gòu)至少包括基板、導(dǎo)線架、晶片、打線導(dǎo)線、散熱片及封裝材料；基板具有第一金屬層、第二金屬層及導(dǎo)電體，第一金屬層位于基板第一表面上，第二金屬層位于基板第二表面上，導(dǎo)電體位于基板側(cè)面上，第一金屬層通過(guò)導(dǎo)電體電性連接于第二金屬層。導(dǎo)線架位于基板第一表面上，并與第一金屬層電性連接；晶片以其背面接合于導(dǎo)線架上或接合于基板第一表面上，打線導(dǎo)線連接于晶片及導(dǎo)線架，散熱片位于基板第二表面上，并與第二金屬層電性連接，封裝材料包覆晶片、打線導(dǎo)線及導(dǎo)線架。其在基板側(cè)面配置有導(dǎo)電體，可使基板上下兩面電性連接，可省去制作導(dǎo)通孔制程，可大幅縮減制程時(shí)間及制作成本，并且亦具有甚佳電性效能。
文檔編號(hào)H01L23/34GK1617331SQ20031010356
公開日2005年5月18日 申請(qǐng)日期2003年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月10日
發(fā)明者陳大容, 林哲弘, 廖慶雄, 徐振杰 申請(qǐng)人:乾坤科技股份有限公司