專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別涉及具有高耐壓晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在有機(jī)EL面板、LCD驅(qū)動(dòng)器、噴墨打印機(jī)等中，通常為了使它們具有的高操作速度，注意到在同一襯底上混合安裝邏輯晶體管以及高耐壓晶體管。
下面參見圖16介紹已經(jīng)提出的具有混合安裝的邏輯晶體管以及高耐壓晶體管的半導(dǎo)體器件。圖16是已提出的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在圖16中，在圖的左側(cè)顯示出了邏輯區(qū)，在圖的右側(cè)顯示出了高耐壓區(qū)。
用于限定元件區(qū)212a、212b的元件隔離區(qū)214形成在半導(dǎo)體襯底210的表面上。在邏輯區(qū)216的元件區(qū)212a中，形成具有柵極226、源區(qū)236a和漏區(qū)236b的較低耐壓的晶體管220。源區(qū)236a具有輕摻雜源區(qū)230a和重?fù)诫s源區(qū)234a。漏區(qū)236b具有輕摻雜漏區(qū)230b和重?fù)诫s漏區(qū)234b。另一方面，在高耐壓區(qū)218的源區(qū)212b中，形成具有柵極226、源區(qū)245a和漏區(qū)245b的相對(duì)高耐壓晶體管222。源區(qū)245a具有輕摻雜源區(qū)242a和重?fù)诫s源區(qū)244a。漏區(qū)245b具有輕摻雜漏區(qū)242b和重?fù)诫s漏區(qū)244b。層間絕緣膜250形成在其上具有晶體管220、222的半導(dǎo)體襯底210上。導(dǎo)體栓254形成在層間絕緣膜250中，并分別向下到達(dá)源區(qū)236a、245a和漏區(qū)236a、245b。互連形成在層間絕緣膜250上，并連接到導(dǎo)體栓254。
其中邏輯晶體管220、以及高耐壓晶體管222混合形成在一個(gè)相同襯底上，有助于電子器件的更高的操作速度。
近年來，半導(dǎo)體器件日益微型化。然而，簡單地使半導(dǎo)體器件微型化將導(dǎo)致接觸電阻和源/漏中的薄層電阻增加。作為解決這一問題的措施通常是在柵極長度較低例如為0.35μm的邏輯晶體管中，在源/漏區(qū)上形成硅化物層，以便降低接觸電阻和源/漏中的薄層電阻。
下面參照?qǐng)D17介紹具有形成在源/漏區(qū)上的硅化物層的另一種已提出的半導(dǎo)體器件。圖17是另一種已提出的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
如圖17所示，硅化物層240分別形成在重?fù)诫s源區(qū)234a、244a和重?fù)诫s漏區(qū)234b、244b上。
圖17中所示的另一已提出的半導(dǎo)體器件，其中硅化物層240形成在源漏區(qū)上可以使半導(dǎo)體器件微型化，同時(shí)降低了接觸電阻源/漏中的薄層電阻。
專利參見文獻(xiàn)1還公開了具有形成在源/漏區(qū)上的硅化物層的半導(dǎo)體器件。
下面的參考文獻(xiàn)公開了本發(fā)明的背景技術(shù)。
日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No.平11-126900的說明書[專利參考文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No.平9-260590的說明書然而，圖16中所示的已提出的半導(dǎo)體器件不能確保高耐壓晶體管具有足夠耐壓。在專利參考文獻(xiàn)1中提出的半導(dǎo)體器件不能確保晶體管具有足夠高的耐壓。
這里，可以建議硅化物層只形成在邏輯晶體管的源/漏擴(kuò)散層上，在高耐壓晶體管中不形成硅化物層，但是絕緣膜覆蓋其源/漏擴(kuò)散層。然而，在這種情況下，難以獲得高耐壓晶體管的良好接觸，并且高耐壓晶體管中的接觸電阻和薄層電阻非常高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，即使在源/漏區(qū)上形成硅化物層的情況下，也能確保這種半導(dǎo)體器件具有足夠的耐壓。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，提供一種半導(dǎo)體器件，包括形成在半導(dǎo)體襯底上的柵極，并且襯底與柵極之間形成有絕緣膜；形成在柵極一側(cè)的源區(qū)，并具有輕摻雜源區(qū)和載流子濃度比輕摻雜源區(qū)高的重?fù)诫s源區(qū)；形成在柵極另一側(cè)的漏區(qū)，并具有輕摻雜漏區(qū)和載流子濃度比輕摻漏區(qū)高的重?fù)诫s漏區(qū)；形成在源區(qū)上的第一硅化物層；形成在漏區(qū)上的第二硅化物層；連接到第一硅化物層上的第一導(dǎo)體栓；以及連接到第二硅化物層的第二導(dǎo)體栓，重?fù)诫s漏區(qū)形成在輕摻雜漏區(qū)的除了其周邊部分以外的區(qū)域中，第二硅化物層形成在重?fù)诫s漏區(qū)的除了其周邊部分以外的區(qū)域中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體襯底上形成柵極，且襯底與柵極之間形成柵極絕緣膜；用柵極作掩模，向半導(dǎo)體襯底中注入雜質(zhì)，以便在柵極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成輕摻雜源區(qū)和在柵極另一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成輕摻雜漏區(qū)；在柵極的側(cè)壁上形成側(cè)壁絕緣膜；利用覆蓋輕摻雜漏區(qū)的周邊區(qū)域、柵極和側(cè)壁絕緣膜的第一掩模作掩模，向半導(dǎo)體襯底中注入雜質(zhì)，在柵極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成重?fù)诫s源區(qū)和在除了其周邊區(qū)域以外的輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域中形成重?fù)诫s漏區(qū)；以及利用覆蓋重?fù)诫s漏區(qū)的周邊區(qū)域形成的第二掩模，在重?fù)诫s源區(qū)上形成第一硅化物層，和在除了其周邊區(qū)域以外的重?fù)诫s漏區(qū)的區(qū)域中形成第二硅化物層。
根據(jù)本發(fā)明，在高耐壓晶體管的漏區(qū)中，在輕摻雜漏區(qū)的除了周邊區(qū)域以外的區(qū)域中形成重?fù)诫s漏區(qū)，硅化物層形成在除了周邊區(qū)域以外的重?fù)诫s漏區(qū)的區(qū)域中，導(dǎo)體栓向下形成直到除了其周邊部分以外的硅化物層的部分上，并且重?fù)诫s漏區(qū)44與元件隔離區(qū)隔開，由此當(dāng)電壓施加于漏區(qū)時(shí)，可以減輕漏區(qū)上的電場的集中。這樣，根據(jù)本發(fā)明，即使利用形成在源/漏區(qū)上的硅化物層，也能確保高耐壓晶體管具有足夠高的耐壓。而且，根據(jù)本發(fā)明，只有漏區(qū)具有上述結(jié)構(gòu)，由此可以防止源-漏電阻增加，同時(shí)可以保證高耐壓。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖2A和2B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖和平面圖。
圖3A和3B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分1)。
圖4A和4B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分2)。
圖5A和5B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分3)。
圖6A和6B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分4)。
圖7A和7B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分5)。
圖8A和8B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分6)。
圖9A和9B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分7)。
圖10A和10B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分8)。
圖11A和11B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分9)。
圖12A和12B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分10)。
圖13A和13B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分11)。
圖14A和14B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法(部分12)。
圖15是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的改型的剖視圖。
圖16是已提出的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖17是已提出的其它半導(dǎo)體器件的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照?qǐng)D1-14B介紹根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法。圖1是根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖2是根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件的剖視圖和平面圖。圖3A-14B是在制造半導(dǎo)體器件的方法步驟中根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，顯示出了制造方法。
(半導(dǎo)體器件)首先，參照?qǐng)D1-2B介紹根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件。圖1示出了在邏輯區(qū)中的晶體管以及高耐壓區(qū)中的晶體管，它們形成根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件。邏輯區(qū)示于圖1的左側(cè)，高耐壓區(qū)示于圖1的右側(cè)。圖2A和2B示出了形成根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件的高耐壓區(qū)中的晶體管。圖2A是其剖視圖，圖2B是其平面圖。
如圖1所示，在半導(dǎo)體襯底10上形成用于限定元件區(qū)12a、12b的元件隔離區(qū)14。
邏輯晶體管20形成在邏輯區(qū)16的元件區(qū)12a中。邏輯晶體管20的耐壓較低。
在高耐壓區(qū)18的元件區(qū)12b中，形成高耐壓晶體管。
然后，將介紹形成在邏輯區(qū)16中的晶體管20。
如圖1所示，柵極26在半導(dǎo)體襯底10上，并且，柵極與襯底之間形成有柵極絕緣膜24a。覆蓋膜28形成在柵極26上。
在柵極26兩側(cè)上的半導(dǎo)體襯底10中形成輕摻雜區(qū)30，具體而言，是形成輕摻雜源區(qū)30a和輕摻雜漏區(qū)30b。
在柵極26的側(cè)壁上形成側(cè)壁絕緣膜32。
在形成在柵極26的側(cè)壁上的側(cè)壁絕緣膜32的兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中，形成重?fù)诫s區(qū)34，具體地說，是形成重?fù)诫s源區(qū)34a和重?fù)诫s漏區(qū)34b。輕摻雜源區(qū)30a和重?fù)诫s源區(qū)34a形成源區(qū)36a。輕摻雜漏區(qū)30b和重?fù)诫s漏區(qū)34b形成漏區(qū)36b。
在上述側(cè)壁絕緣膜的側(cè)壁上進(jìn)一步形成側(cè)壁絕緣膜38。
分別在源區(qū)36a和漏區(qū)36b上形成硅化物層40a、40b。
這樣，構(gòu)成了在邏輯區(qū)16中的晶體管20。
下面介紹形成在高耐壓區(qū)18中的晶體管22。
柵極26形成在半導(dǎo)體襯底10上，并且，襯底與柵極之間形成有柵極絕緣膜24b。在高耐壓區(qū)中的晶體管22的柵極絕緣膜24b比邏輯區(qū)的晶體管20的柵極絕緣膜24a厚。側(cè)壁絕緣膜32形成在柵極26的側(cè)壁上。
輕摻雜源區(qū)42a和輕摻雜漏區(qū)42b形成在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中。
在柵極26兩側(cè)上的半導(dǎo)體襯底10中形成重?fù)诫s區(qū)44，具體而言，是形成重?fù)诫s源區(qū)44a和重?fù)诫s漏區(qū)44b，并且側(cè)壁絕緣膜32形成在柵極26的側(cè)壁上。輕摻雜漏區(qū)42b和重?fù)诫s漏區(qū)44b構(gòu)成漏區(qū)45b。
如圖2B所示，重?fù)诫s漏區(qū)44b形成在輕摻雜漏區(qū)42b的除了其周邊區(qū)域以外的區(qū)域中。換言之，形成被輕摻雜漏區(qū)42b包含的重?fù)诫s漏區(qū)44b。重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣與輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣隔開，這將減輕電場的集中。
重?fù)诫s源區(qū)44a形成在輕摻雜源區(qū)42a的邊緣處。換言之，重?fù)诫s源區(qū)44a不被輕摻雜源區(qū)42a包含。
在本例中，重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣與輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣隔開。這是因?yàn)榇嬖谑┘痈唠妷嚎赡軐?dǎo)致漏區(qū)絕緣擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。另一方面，不施加高電壓的源區(qū)沒有絕緣擊穿的危險(xiǎn)。重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣與輕摻雜源區(qū)42a的邊緣不必隔開。
在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣和在柵極26一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣之間的距離d1例如為3μm。另一方面，在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣與在柵極26一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)42a的邊緣之間的距離d2例如為0.1μm。就是說，在本實(shí)施例中，在柵極一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)的邊緣與在柵極一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)的邊緣之間的距離d1大于在柵極一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)的邊緣和在柵極一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)的邊緣之間的距離d2。
在本例中，在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣與在柵極26一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣之間的距離d1為3μm。然而，d1不限于3μm，可以根據(jù)需要的耐壓適當(dāng)設(shè)定。
在本例中，在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣與在柵極26一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)42a的邊緣之間的距離d2為0.1μm。然而，d2不限于0.1μm，可以根據(jù)需要的耐壓適當(dāng)設(shè)定。
在本例中，在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣與在柵極26一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣之間的距離d1大于在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣與在柵極一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)42a的邊緣之間的距離d2的原因如下。
就是說，通過在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣與在柵極26一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣之間的距離d1以及在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣與在柵極一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)42a的邊緣之間的距離d2加長，使源/漏電阻增加。不僅在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣和在柵極26一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣之間的距離d1而且在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣和在柵極一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)42a的邊緣之間的距離d2都設(shè)置得長，將使源/漏電阻升高很多。另一方面，由于耐壓不施加于源區(qū)，在柵極26一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)42a的邊緣與在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣之間的距離，和柵極26一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)42a的邊緣與柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣之間的距離不必設(shè)定得長。然后，在本例中，在漏區(qū)中，只有在柵極26一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣與在柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣之間的距離d1設(shè)定得長。這樣，根據(jù)本例，抑制了高耐壓晶體管22的源-漏電阻的增加，同時(shí)可確保具有高耐壓。
重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣與元件隔離區(qū)14的邊緣之間的距離d3例如為3μm。重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣與元件隔離區(qū)14的邊緣之間的距離d3設(shè)定為等于柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣與柵極26一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)42b的邊緣之間的距離d1。另一方面，重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣與元件隔離區(qū)14的邊緣相鄰。在本例中，重?fù)诫s漏區(qū)44b和元件隔離區(qū)14之間的距離d3大，以可以確保高耐壓晶體管22具有的高耐壓。另一方面，高電壓不施加于源區(qū)，這就不必使重?fù)诫s源區(qū)44a和元件隔離區(qū)14互相隔開。
在本例中，重?fù)诫s漏區(qū)44b和元件隔離區(qū)14之間的距離d3設(shè)定為3μm。距離d3不限于3μm，可以按需要的耐壓適當(dāng)設(shè)定距離d3的長度。
在形成在柵極26上的側(cè)壁絕緣膜32上進(jìn)一步形成側(cè)壁絕緣膜38。在漏區(qū)一側(cè)的半導(dǎo)體襯底10上形成絕緣膜38。絕緣膜38用作形成硅化物層40的掩模。絕緣膜38由一種和與側(cè)壁絕緣膜相同的絕緣膜形成。
在絕緣膜38中形成開口46，向下直到總摻雜漏區(qū)44b為止。
硅化物層40c、40d形成在半導(dǎo)體襯底10的露出表面上。硅化物層40d只形成在漏區(qū)的開口46中。如圖2B所示，硅化物層40d形成在重?fù)诫s漏區(qū)44d的除了其周邊部分以外的區(qū)域中。柵極26一側(cè)上的硅化物層40d的邊緣與柵極26一側(cè)的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣之間的距離d4例如約為1μm。
在本例中，柵極26一側(cè)上的硅化物層40d的邊緣與柵極26一側(cè)的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣之間的距離d4約為1μm，但是不限于1μm。將柵極26一側(cè)上的硅化物層40d的邊緣與柵極26一側(cè)的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣之間的距離d4設(shè)定為0.1μm以上，可以一定程度地減輕電場的集中并保證具有一定的高耐壓。當(dāng)柵極26一側(cè)上的硅化物層40d的邊緣與柵極26一側(cè)的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣之間的距離d4設(shè)定為0.5μm以上時(shí)，可以進(jìn)一步減輕電場的集中，并且相應(yīng)地可以保證高耐壓。
源區(qū)中的硅化物層40c形成在重?fù)诫s源區(qū)44a的邊緣上。這是因?yàn)椴槐販p輕不施加電壓的源區(qū)的電場集中。
這樣，構(gòu)成了高耐壓晶體管22。
在其上形成晶體管20、22的半導(dǎo)體襯底10的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜50。
接觸孔52形成在層間絕緣膜50中，并向下到達(dá)硅化物層40a-40d。導(dǎo)體栓54被掩埋在接觸孔52中。互連層56形成在其中掩埋了導(dǎo)體栓54的層間絕緣膜50上。
導(dǎo)體栓54形成在硅化物層40a-40d的除了周邊部分以外的部分中。在高耐壓晶體管22的漏區(qū)中，導(dǎo)體栓54的邊緣和硅化物層40d的邊緣之間的距離d5例如為0.3μm或以上。在本例中，導(dǎo)體栓54向下形成直達(dá)到硅化物層40d的除了周邊部分以外的部分，以便在高耐壓晶體管22的漏區(qū)中可以減輕電場的集中，并且可以保證高耐壓。
在不施加電壓的源區(qū)中，不必使硅化物層40c的邊緣和導(dǎo)體栓54的邊緣之間的距離很大。
根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的特征在于在高耐壓晶體管22的漏區(qū)中，重?fù)诫s漏區(qū)44b形成在輕摻雜漏區(qū)42b的除了其周邊部分以外的部分中，硅化物層40d形成在重?fù)诫s漏區(qū)44b的除了周邊部分以外的區(qū)域中，導(dǎo)體栓54向下形成直到硅化物層40d的除了周邊部分以外的部分，并且重?fù)诫s漏區(qū)44b與元件隔離區(qū)14隔開。
在圖16中所示的另一現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，電場集中在高耐壓晶體管的漏區(qū)上，并且不能獲得高耐壓。
與此相反，根據(jù)本例，當(dāng)高電壓施加于如上所述構(gòu)成的漏區(qū)時(shí)，可以減輕電場在漏區(qū)上的集中。這樣，根據(jù)本實(shí)施例，甚至利用形成在源/漏區(qū)上的硅化物層，就可以使高耐壓晶體管中的耐壓足夠高。此外，根據(jù)本例，只有漏區(qū)具有上述結(jié)構(gòu)，由此可以防止源-漏電阻增加同時(shí)保證高耐壓。
上述專利參考文獻(xiàn)1公開了一種半導(dǎo)體器件，其中形成雙側(cè)壁絕緣膜，硅化物層形成在重?fù)诫s源/漏區(qū)中，與柵極隔開，并且導(dǎo)體栓向下形成直到硅化物層。在專利參考文獻(xiàn)1中公開的半導(dǎo)體器件與根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件不同的地方在于，在前者中，重?fù)诫s漏區(qū)也形成在輕摻雜漏區(qū)的邊緣上，硅化物層也形成在重?fù)诫s漏區(qū)的邊緣上，并且重?fù)诫s漏區(qū)不與元件隔離區(qū)隔開。在專利參考文獻(xiàn)1中所述的半導(dǎo)體器件不能充分地減輕電場在漏區(qū)的集中，并且不能保證足夠的耐壓。
(制造半導(dǎo)體器件的方法)接著，參照?qǐng)D3A-14B介紹根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
首先，如圖3A所示，分別在其中要形成邏輯n溝道晶體管的區(qū)域16n、其中要形成邏輯p溝道晶體管的區(qū)域16p、其中要形成高耐壓區(qū)的n溝道晶體管的區(qū)域18n、以及其中要形成高耐壓區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域18p中形成掩模58。掩模58的材料例如可以是SiN。掩模58的厚度可以為例如120nm。
然后，如圖3B所示，例如通過旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜60。然后，通過光刻法形成用于打開高耐壓區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域18p的開口62。
之后，用光刻膠膜60作掩模，通過例如離子注入法在半導(dǎo)體襯底中注入n型雜質(zhì)。作為雜質(zhì)，例如可使用P(磷)。離子注入的條件例如為180keV加速電壓和6×1012cm-2劑量。由此在用于高耐壓區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域18p中的半導(dǎo)體襯底10中形成n型阱63。
接著，通過熱處理激活被注入到n型阱63中的雜質(zhì)。
然后，如圖4A所示，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜64。然后，在光刻膠膜64中形成用于打開要形成邏輯區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域16p的開口66。
然后，用光刻膠膜64作掩模，通過例如離子注入法向半導(dǎo)體襯底中注入n型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為P。離子注入的條件例如為180keV加速電壓和1.5×1013cm-2劑量。由此在用于要形成邏輯區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域16p中的半導(dǎo)體襯底10中形成n型阱68。
之后，進(jìn)行熱處理，以便激活被注入到n型阱68中的雜質(zhì)。
接著，如圖4B所示，例如通過旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜70。然后，通過光刻法在光刻膠膜70中形成開口72，向下直到半導(dǎo)體襯底10。開口72是用于形成高耐壓區(qū)的n溝道晶體管22n的溝道停止層74(見圖14B)。
然后，用光刻膠膜70作掩模，通過例如離子注入法向半導(dǎo)體襯底中注入p型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為B(硼)。離子注入的條件例如為20keV加速電壓和5×1014cm-2劑量。由此形成高耐壓區(qū)的n溝道晶體管22n的溝道停止層74。
接著，如圖5A所示，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜76。然后，通過光刻法在光刻膠膜76中形成開口78，向下直到半導(dǎo)體襯底10。開口78是用于形成高耐壓區(qū)的p溝道晶體管22p的溝道停止層80(見圖14B)。
然后，用光刻膠膜76作掩模，通過例如離子注入法向半導(dǎo)體襯底中注入n型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為P。離子注入的條件例如為60keV加速電壓和2.5×1013cm-2劑量。由此形成高耐壓區(qū)的p溝道晶體管22p的溝道停止層80。
接著，如圖5B所示，通過例如LOCOS(局部硅氧化)在半導(dǎo)體襯底10上形成元件隔離區(qū)14。
然后，除去掩模58。
接著，例如通過熱氧化在整個(gè)表面上形成例如15nm厚的SiO2膜的保護(hù)膜82。
然后，通過刻蝕整個(gè)表面除去保護(hù)膜82。
接著，如圖6A，在整個(gè)表面上形成例如90nm厚的SiO2膜的柵極絕緣膜24b。
然后，除去形成在用于其中要形成邏輯晶體管的區(qū)域16n、16p中的柵極絕緣膜24b。
接著，在整個(gè)表面上形成例如15nm厚的SiO2膜的保護(hù)膜84。
然后，如圖6B所示，例如通過旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜86。接著，在光刻膠膜86中形成開口88，用于打開其中要形成邏輯區(qū)的n溝道晶體管的區(qū)域16n。
接下來，用光刻膠膜86作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入p型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為B。離子注入的條件例如為140keV加速電壓和8×1012cm-2劑量。由此在要形成邏輯區(qū)的n溝道晶體管的區(qū)域16n中形成p型阱90。
然后，用光刻膠膜96作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入p型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為B。離子注入的條件例如為30keV加速電壓和3×1012cm-2劑量。由此在要形成邏輯區(qū)的n溝道晶體管的區(qū)域16n中形成溝道摻雜層92。溝道摻雜層92用于控制閾值電壓。
接著，如圖7A所示，例如通過旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜94。然后，通過光刻在光刻膠膜94中形成開口96，用于打開其中要形成高耐壓的n溝道晶體管的區(qū)域18n。
然后，用光刻膠膜94作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入p型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為B。離子注入的條件例如為45keV加速電壓和2×1011cm-2劑量。由此在用于要形成高耐壓區(qū)的n溝道晶體管的區(qū)域18n中形成溝道摻雜層98。
然后，如圖7B所示，例如通過旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜100。然后，在光刻膠膜100中形成開口102，用于打開其中要形成高耐壓的n溝道晶體管的區(qū)域18n。
接著，用光刻膠膜100作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入n型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為B。離子注入的條件例如為45keV加速電壓和8×1011cm-2劑量。由此在用于要形成高耐壓區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域18p中形成溝道摻雜層104。
然后，如圖8A所示，除去形成在用于要形成邏輯晶體管的區(qū)域16n、16p中的保護(hù)膜84。
之后，在用于要形成邏輯晶體管的區(qū)域16n、16p中形成例如厚度為7nm的柵極絕緣膜24a。
然后，例如通過CVD在整個(gè)表面上形成50nm厚的已摻雜的非晶硅膜106。
然后，例如通過旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜108。然后，通過光刻在光刻膠膜108中形成用于打開邏輯區(qū)16的開口110。
接著，用光刻膠膜108作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入p型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為B。離子注入的條件例如為30keV加速電壓和2×1012cm-2劑量。由此在邏輯區(qū)16中形成溝道摻雜層112。
然后，在非晶硅膜106中形成硅化鎢膜113。
接著，通過CVD法在整個(gè)表面上形成例如45nm厚的SiO2膜的覆蓋膜28。
然后，通過光刻對(duì)覆蓋膜28進(jìn)行構(gòu)圖。
接著，用覆蓋膜28作掩模，刻蝕硅化鎢膜113和已摻雜的非晶硅膜106。由此柵極26有非晶硅膜106和硅化鎢膜113形成(見圖8B)。
然后，如圖9A所示，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜114。接著，通過光刻在光刻膠膜114中形成開口116，用于打開用于在其中要形成高耐壓晶體管的區(qū)域18p、18n。
接著，用光刻膠膜114和高耐壓晶體管區(qū)的柵極26作掩模，在高耐壓晶體管的柵極兩側(cè)上形成柵極絕緣膜24b。
然后，如圖9B所示，通過例如旋涂在整個(gè)表面上形成光刻膠膜118。接著，通過光刻在光刻膠膜118中形成開口116，用于打開用于高耐壓區(qū)的n溝道晶體管的區(qū)域18n。
接著，用光刻膠膜118和柵極26作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入n型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為P(磷)。離子注入的條件例如為60-90keV加速電壓和3×1012cm-2劑量。由此在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成輕摻雜源區(qū)42a和輕摻雜漏區(qū)42b。
然后，如圖10A所示，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜。接著，通過光刻在該光刻膠膜中形成開口124，用于打開用于其中要形成高耐壓區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域18p。
接著，用光刻膠膜122和柵極26作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入n型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為B。離子注入的條件例如為45keV加速電壓和3×1012cm-2劑量。由此在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成輕摻雜源區(qū)42c和輕摻雜漏區(qū)42d。
然后，如圖10B所示，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜126。接著，通過光刻在光刻膠膜126中形成開口128，用于打開用于其中要形成邏輯區(qū)的n溝道晶體管的區(qū)域16n。
接著，用光刻膠膜126和柵極26作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入n型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為P。離子注入的條件例如為20keV加速電壓和4×1013cm-2劑量。由此在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成輕摻雜源區(qū)30a和輕摻雜漏區(qū)30b。
然后，如圖11A所示，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜130。接著，通過光刻在光刻膠膜130中形成開口132，用于打開其中要形成邏輯區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域16p。
接著，用光刻膠膜130和柵極26作掩模，通過例如離子注入向半導(dǎo)體襯底10注入p型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為BF2+。離子注入的條件例如為20keV加速電壓和1×1013cm-2劑量。由此在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成輕摻雜源區(qū)30c和輕摻雜漏區(qū)30d。
然后，通過例如CVD法形成120nm厚的SiO2絕緣膜。然后，各向異性刻蝕絕緣膜。由此在柵極26的側(cè)壁上形成側(cè)壁絕緣膜32(見圖11B)。
接著，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜134。然后，通過光刻在光刻膠膜134中形成開口136a-136c。開口136a用于形成邏輯區(qū)的p溝道晶體管20p的輕摻雜源區(qū)34c和重?fù)诫s漏區(qū)34d。開口136b用于形成高耐壓區(qū)的p溝道晶體管22p的重?fù)诫s源區(qū)44c。開口136c用于形成高耐壓區(qū)的p溝道晶體管22p的重?fù)诫s漏區(qū)44d。
然后，用光刻膠膜134作掩模，注入p型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為BF2。離子注入的條件例如為20keV加速電壓和3×1015em-2劑量。由此在邏輯區(qū)的p溝道MOS晶體管的區(qū)域16p中在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成重?fù)诫s源區(qū)34c和重?fù)诫s漏區(qū)34d。在高耐壓區(qū)的p溝道晶體管的區(qū)域18p中，在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成重?fù)诫s源區(qū)44c和重?fù)诫s漏區(qū)44d。
接著，如圖12B所示，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜138。然后，通過光刻在光刻膠膜138中形成開口140a-140c。由此對(duì)該光刻膠膜進(jìn)行構(gòu)圖，以覆蓋輕摻雜漏區(qū)42d的周邊部分。開口140a用于形成邏輯區(qū)的n溝道晶體管20n的重?fù)诫s源區(qū)34a和重?fù)诫s漏區(qū)34b。開口140b用于形成高耐壓區(qū)的n溝道晶體管的重?fù)诫s源區(qū)44a。開口140c用于形成高耐壓區(qū)的n溝道晶體管的重?fù)诫s漏區(qū)44b。
然后，用光刻膠膜138和柵極26作掩模，注入n型雜質(zhì)。雜質(zhì)例如為As(砷)。離子注入的條件例如為30keV加速電壓和1×1015cm-2劑量。由此在要形成邏輯區(qū)的n溝道晶體管的區(qū)域16n中在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成重?fù)诫s源區(qū)34a和重?fù)诫s漏區(qū)34b。在柵極26兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成重?fù)诫s源區(qū)44a和重?fù)诫s漏區(qū)44b。
接著，進(jìn)行熱處理，激活被引入重?cái)U(kuò)散層中的雜質(zhì)。
然后，通過例如低溫等離子體CVD法在整個(gè)表面上形成100nm厚的SiO2膜的絕緣膜38。
然后，如圖13A所示，通過例如旋涂法在整個(gè)表面上形成光刻膠膜142。然后，通過光刻在光刻膠膜142中形成開口144a-144d。由此對(duì)該光刻膠膜142進(jìn)行構(gòu)圖，以覆蓋輕摻雜漏區(qū)42b的周邊部分。開口144a用于打開其中要形成邏輯區(qū)的晶體管的區(qū)域16以及高耐壓區(qū)的n溝道晶體管22n的源一側(cè)區(qū)域。開口144b用于打開高耐壓區(qū)的p溝道晶體管22p的源一側(cè)區(qū)域。開口144c用于打開高耐壓區(qū)的n溝道晶體管22n的漏側(cè)硅化物層40d的區(qū)域。開口144c如此形成，以使柵極26一側(cè)上的開口144c的邊緣和柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44b的邊緣之間的距離例如為3μm。開口144d用于打開用于高耐壓的p溝道晶體管22p的漏側(cè)硅化物層40h的區(qū)域。開口144d如此形成，使得柵極26一側(cè)上的開口144d的邊緣和柵極26一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)44d的邊緣之間的距離例如為3μm。
然后，用光刻膠膜142作掩模，各向異性刻蝕絕緣膜38。在其上形成有側(cè)壁絕緣膜32的柵極的側(cè)壁上進(jìn)一步形成側(cè)壁絕緣膜38。在高耐壓區(qū)的晶體管22n、22p的漏極一側(cè)，留下側(cè)壁絕緣膜38，覆蓋重?fù)诫s漏區(qū)44b、44d和輕摻雜漏區(qū)42b、42d。留在高耐壓區(qū)的晶體管22n、22p的漏極側(cè)的絕緣膜38用作只在半導(dǎo)體襯底10的表面的要求區(qū)域中形成硅化物層40的掩模。
接著，如圖13B所示，在半導(dǎo)體襯底10的露出表面上形成例如硅化鈦的硅化物層40a-40h。
然后，如圖14a所示，例如通過CVD法在整個(gè)表面上形成700nm厚的SiO2膜的層問絕緣膜50。
接著，在層間絕緣膜50中向下直到硅化物膜40形成接觸孔52。此時(shí)，接觸孔52向下形成直到硅化物膜40的除了其周邊部分的區(qū)域。
然后，在接觸孔52中埋入導(dǎo)體栓54。
接著，例如通過PVD(物理汽相淀積)法形成500nm厚的Al膜的導(dǎo)體膜。然后，通過光刻對(duì)導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成互連56。如此形成互連56，以便連接到導(dǎo)體栓54。
這樣，就制造了根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件。
(改型)接著，參照?qǐng)D15介紹根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件的改型。圖15是根據(jù)本例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
根據(jù)本改型的半導(dǎo)體器件的特征主要在于還在柵極26上形成硅化物層40i、40j。
如圖15所示，在根據(jù)本改型的半導(dǎo)體器件中，硅化物層40i、40j形成在柵極26上。硅化物層40i、40j可以與形成硅化物層40a-h同時(shí)形成。
如上所述，硅化物層40i、40j也可以形成在柵極26上。根據(jù)本改型，電阻很低的硅化物層40i、40j可以降低柵極26的電阻。
本發(fā)明不限于上述示例，本發(fā)明可以覆蓋各種改型。
例如，在上述實(shí)施例中，本發(fā)明適用于具有邏輯晶體管以及混合形成的高耐壓晶體管的晶體管的半導(dǎo)體器件。然而，邏輯晶體管以及高耐壓區(qū)的晶體管基本上不混合。本發(fā)明可適用于例如具有高耐壓晶體管的半導(dǎo)體器件。
上述實(shí)施例采用上述結(jié)構(gòu)，只在高耐壓晶體管的漏區(qū)就能獲得高耐壓。然而，在上述結(jié)構(gòu)中，在高耐壓晶體管的源區(qū)也可獲得高耐壓。然而，當(dāng)采用上述結(jié)構(gòu)時(shí)，其中在源區(qū)也可獲得高耐壓，源-漏電阻進(jìn)一步升高。在使源-漏電阻低的情況下，優(yōu)選采用上述結(jié)構(gòu)，其中只在漏區(qū)可獲得高耐壓。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括形成在半導(dǎo)體襯底上的柵極，且其間形成有絕緣膜；形成在柵極一側(cè)的源區(qū)，并具有輕摻雜源區(qū)和載流子濃度比輕摻雜源區(qū)高的重?fù)诫s源區(qū)；形成在柵極另一側(cè)的漏區(qū)，并具有輕摻雜漏區(qū)和載流子濃度比輕摻漏區(qū)高的重?fù)诫s漏區(qū)；形成在源區(qū)上的第一硅化物層；形成在漏區(qū)上的第二硅化物層；連接到第一硅化物層上的第一導(dǎo)體栓；以及連接到第二硅化物層的第二導(dǎo)體栓，重?fù)诫s漏區(qū)形成在輕摻雜漏區(qū)的除了其周邊部分以外的區(qū)域中，第二硅化物層形成在重?fù)诫s漏區(qū)的除了其周邊部分以外的區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，第二導(dǎo)體栓向下形成直到除了其周邊部分的一部分第二硅化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，柵極一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)的邊緣與柵極一側(cè)上的輕摻雜漏區(qū)的邊緣之間的距離大于柵極一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)的邊緣與柵極一側(cè)上的輕摻雜源區(qū)的邊緣之間的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，柵極一側(cè)上的第二硅化物層的邊緣與柵極一側(cè)上的重?fù)诫s漏區(qū)的邊緣之間的距離大于柵極一側(cè)上的第一硅化物層的邊緣與柵極一側(cè)上的重?fù)诫s源區(qū)的邊緣之間的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，重?fù)诫s源區(qū)還形成在輕摻雜源區(qū)的周邊部分的一部分上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，第一硅化物層還形成在輕摻雜源區(qū)的周邊部分的一部分上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，第一導(dǎo)體栓向下形成直到第一硅化物層的除了其周邊部分的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括形成在輕摻雜漏區(qū)的周邊部分和重?fù)诫s漏區(qū)的周邊部分上的另一絕緣膜，和其中，第二硅化物層形成在重?fù)诫s區(qū)域中不形成所述另一絕緣膜的區(qū)域中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件，還包括形成在柵極側(cè)壁上的側(cè)壁絕緣膜，和其中，所述另一絕緣膜還形成在側(cè)壁絕緣膜的側(cè)壁上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，第二硅化物層的邊緣與重?fù)诫s漏區(qū)的邊緣之間的距離為0.1μm以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中，第二硅化物層的邊緣與重?fù)诫s漏區(qū)的邊緣之間的距離為0.5μm或以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括與漏區(qū)相鄰的元件隔離區(qū)，和其中，重?fù)诫s漏區(qū)與元件隔離區(qū)隔開。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件，其中，重?fù)诫s源區(qū)與元件隔離區(qū)接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件，其中，第一硅化物層與元件隔離區(qū)接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，導(dǎo)體栓的邊緣和第二硅化物層的邊緣之間的距離為0.3μm以上。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括形成在柵極上的第三硅化物層。
17.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體襯底上形成柵極，并且，襯底與柵極之間形成柵極絕緣膜；用柵極作掩模，向半導(dǎo)體襯底中注入雜質(zhì)，以便在柵極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成輕摻雜源區(qū)和在柵極另一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成輕摻雜漏區(qū)；在柵極的側(cè)壁上形成側(cè)壁絕緣膜；利用覆蓋輕摻雜漏區(qū)的周邊區(qū)域的第一掩模、柵極和側(cè)壁絕緣膜作掩模，向半導(dǎo)體襯底中注入雜質(zhì)，在柵極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成重?fù)诫s源區(qū)和在除了其周邊區(qū)域以外的輕摻雜漏區(qū)的區(qū)域中形成重?fù)诫s漏區(qū)；以及利用覆蓋重?fù)诫s漏區(qū)的周邊區(qū)域形成的第二掩模，在重?fù)诫s源區(qū)上形成第一硅化物層，和在除了其周邊區(qū)域以外的重?fù)诫s漏區(qū)的區(qū)域中形成第二硅化物層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，還包括在形成第一硅化物層和第二硅化物層的步驟之后，形成連接到第一硅化物層的第一導(dǎo)體栓和連接到第二硅化物層的第二導(dǎo)體栓的步驟，和其中，在形成第一導(dǎo)體栓和第二導(dǎo)體栓的步驟中，第二導(dǎo)體栓向下形成直到除了其周邊部分之外的一部分第二硅化物層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中，在形成第一導(dǎo)體栓和第二導(dǎo)體栓的步驟中，第一導(dǎo)體栓向下形成直到除了其周邊部分之外的一部分第一硅化物層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中，在形成第一硅化物層和第二硅化物層低的步驟中，在柵極上進(jìn)一步形成第三硅化物層。
全文摘要
半導(dǎo)體器件包括形成在半導(dǎo)體襯底10上的柵極26，有輕摻雜源區(qū)42a和重?fù)诫s源區(qū)44a的源區(qū)45a，有輕摻雜漏區(qū)42b和重?fù)诫s漏區(qū)44b的漏區(qū)45b，源區(qū)上的第一硅化物層40c，漏區(qū)上的第二硅化物層40d，連接到第一硅化物層的第一導(dǎo)體栓54和連接到第二硅化物層的第二導(dǎo)體栓54。重?fù)诫s漏區(qū)形成在輕摻雜區(qū)的除了其周邊以外的區(qū)域中，第二硅化物層形成在重?fù)诫s漏區(qū)的除了其周邊以外的區(qū)域中，這樣，當(dāng)漏區(qū)加電壓時(shí)可以減輕漏區(qū)上的電場集中。這樣，即使用形成在源/漏區(qū)的硅化物層，也可以確保高耐壓晶體管的高耐壓。而且，只有漏區(qū)具有上述結(jié)構(gòu)，能防止源－漏電阻增加，以保證高耐壓。
文檔編號(hào)H01L29/49GK1494165SQ0315856
公開日2004年5月5日 申請(qǐng)日期2003年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月19日
發(fā)明者淺田仁志, 井上浩昭, 昭 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社