專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平面顯示器件，尤其涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法。雖然本發(fā)明適用于廣泛的應(yīng)用范圍，但是它尤其適用于有效保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光器件免遭氧氣或濕氣的影響。
背景技術(shù)：
隨著由于信息通信和計(jì)算機(jī)的發(fā)展引起的高技術(shù)信息時(shí)代的到來，廣泛地使用許多顯示器件。陰極射線管(CRT)通過電子槍發(fā)射電子使熒光體發(fā)光(例如電視)，是用于臺式計(jì)算機(jī)的顯示器，并且每年大約需要一億個(gè)陰極射線管。用于筆記本電腦的液晶顯示(LCD)器件還用于監(jiān)視器或數(shù)碼相機(jī)。LCD器件不是自發(fā)光器件，它通過背后照明的光再現(xiàn)圖像。但是CRT和EL(電致發(fā)光)器件是自發(fā)光型的。特別地，根據(jù)用于發(fā)光層的熒光化合物，EL器件分為有機(jī)EL型和無機(jī)EL型。
而且，無機(jī)EL器件還分為發(fā)散型(dispersion type)和薄膜型(thinfilm type)，因?yàn)樵跓晒怏w中的電子位于高電場之下，其都被加速。因此，在發(fā)射中心產(chǎn)生碰撞。目前使用的無機(jī)EL幾乎都是通過交變電流工作的，并且其亮度取決于電壓和頻率。同時(shí)，有機(jī)EL器件從外部注入電子和空穴，并通過電子和空穴再復(fù)合的能量發(fā)光。
因?yàn)橛袡C(jī)EL器件是自發(fā)光型器件，當(dāng)作為顯示器應(yīng)用時(shí)，有機(jī)EL器件具有比LCD器件更寬廣的視角，更高的對比度和更優(yōu)良的可見度。而且，因?yàn)椴恍枰澈笳彰?，有機(jī)EL器件可以制造成細(xì)小和輕便的尺寸。有機(jī)EL器件可以用直流低電壓工作，因此由于快響應(yīng)速度，可以顯示活動圖像。最近，因?yàn)樗枪腆w并具有強(qiáng)的抗振性，有機(jī)EL器件在用于IMT-2000顯示器方面成為焦點(diǎn)，并且具有寬廣的工作溫度范圍。尤其是在有機(jī)EL器件中，電流僅施加到需要發(fā)光的像素上。因此，與LCD器件相比，有機(jī)EL器件無論什么顯示內(nèi)容都具有非常低的功率消耗，而LCD器件常常必須在整個(gè)表面上打開背后照明。
有機(jī)EL顯示器件具有在透明基板(例如玻璃基板)上彼此面對的陰極和陽極。通過在陰極和陽極之間施加電壓，從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射光。此時(shí)，由具有優(yōu)良導(dǎo)電性和光透射率的銦錫氧化物(ITO)形成陽極，使得從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的光可以很好地透過并且可以容易地提供空穴。而且，由具有低功函數(shù)的金屬形成陰極，使得可以容易地提供電子。
因此，如果分別向陽極和陰極施加(+)電壓和(-)電壓，那么自陽極注入的空穴和自陰極注入的電子在有機(jī)發(fā)光層中再復(fù)合，由此發(fā)光。
同時(shí)，有機(jī)發(fā)光器件具有以矩陣形式排列的多個(gè)單元像素，并且通過設(shè)置在每個(gè)單元像素的薄膜晶體管來選擇性地驅(qū)動單元像素的有機(jī)發(fā)光層，由此顯示圖像。
有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光層由空穴傳輸層、電子傳輸層以及在空穴傳輸層和電子傳輸層之間形成的有機(jī)發(fā)光層構(gòu)成。此時(shí)，有機(jī)層對空氣中的濕氣、氧氣和溫度非常敏感，并且如果接觸到濕氣和氧氣，該結(jié)構(gòu)改變，由此降低發(fā)光效率。
因此，執(zhí)行用于形成封裝板的封裝工藝以使有機(jī)發(fā)光器件與濕氣和氧氣隔離。
圖1和2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)EL顯示器件的結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)EL顯示器件包括薄膜晶體管TFT、有機(jī)電致發(fā)光器件和電容器(Cst)。
更具體地說，薄膜晶體管TFT包括有源層120、柵極130、在有源層120的兩邊形成的源和漏區(qū)123B和123A上的源和漏極160和150、和在柵極130和有源層120之間形成的用于它們在之間絕緣的柵絕緣層123。并且，在玻璃基板100的整個(gè)表面上形成阻擋層101以防止外來物質(zhì)從基板100粘附到TFT，在TFT上形成包括源/漏極160和150的鈍化層128和第二和第三夾層127和129。
電致發(fā)光器件包括電連接到TFT漏極150上的透明電極170；在透明電極170上形成并具有空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的有機(jī)發(fā)光層172；和在有機(jī)發(fā)光層172上形成的不透明電極175。
電容器Cst包括電源線140、多晶硅層121和在電源線140和多晶硅層121之間的第一夾層125。而且，在其上形成有TFT、有機(jī)發(fā)光器件和電容器的基板的外緣形成密封劑108，并通過密封劑108，把封裝板107安裝到基板100上。
封裝板107防御濕氣和氧氣從外部滲透進(jìn)入有機(jī)EL器件，并具有通過在其中的半透膜105安裝的吸收劑106。
BaO、CaCO3、CaO、InO、沸石、硅膠、礬土等吸收劑106暴露于濕氣，并通過化學(xué)反應(yīng)除去濕氣。環(huán)氧樹脂的密封劑108密封玻璃基板100和封裝板107。
而且，如圖1所示，作為封裝板，可以使用金屬板107。作為替換，如圖2所示，可以使用玻璃基板111a。在使用金屬板107作為封裝板的情況下，如果在其中必須安裝吸收劑的金屬板區(qū)域變寬，那么難于平坦地形成金屬板。而且，為了平坦地形成金屬板，金屬板必須變厚，并且如果金屬板的厚度增加，器件將變得沉重且龐大。
而且，在使用玻璃基板作為封裝板的情況下，為了安裝吸收劑，玻璃基板必須被向內(nèi)部方向凹入地切割。但是，由于其機(jī)械強(qiáng)度限制了玻璃基板的切割深度，因此安裝吸收劑是不適宜的。而且，為了提高機(jī)械強(qiáng)度，在使用厚玻璃基板的情況下，有機(jī)EL顯示器件的重量和尺寸增加。
為了解決上述問題并減少生產(chǎn)成本，已經(jīng)研究了一種氣密的密封方法，其中使用鈍化層作為封裝板。作為封裝板使用的鈍化層必須是透明的、抗?jié)竦?、耐熱的，并且?yīng)力很低。而且，必須在低溫形成鈍化層。為了滿足這些特性，使用無機(jī)層、有機(jī)層和混合層之一作為封裝板。但是，在無機(jī)層的情況下，薄膜的形成速度很慢，由此降低了生產(chǎn)率。而且，因?yàn)閼?yīng)力很高，它隨著層變厚而增加。因此，層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)改變，使得濕氣可能滲透進(jìn)入層中。
而且，在有機(jī)層的情況下，即使有機(jī)層具有層形成簡單和低應(yīng)力的優(yōu)點(diǎn)，在層形成之后還可能存在濕氣。因此，在僅使用有機(jī)層時(shí)，完全的濕氣防御是困難的。
而且，這種單層具有針孔，通過針孔會滲透濕氣和氧氣。
因此，在現(xiàn)有技術(shù)中使用其中淀積了有機(jī)層和無機(jī)層的混合結(jié)構(gòu)。
圖3示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的應(yīng)用了混合結(jié)構(gòu)鈍化層的有機(jī)EL顯示器件。
如圖3所示，通過把有機(jī)層和無機(jī)層結(jié)合來形成常規(guī)封裝層180。在應(yīng)用混合結(jié)構(gòu)的情況下，在每層形成的針孔181是錯(cuò)開的，使得濕氣和氧氣的滲透路徑加長以保持有機(jī)發(fā)光器件的使用壽命。
但是，由于有機(jī)層和無機(jī)層的混合使得難于維持薄膜的應(yīng)力平衡，所以這種混合結(jié)構(gòu)不能完全防御濕氣滲透，并且由于應(yīng)力而引起基板彎曲。彎曲的基板引起在基板上形成的線(例如柵線、數(shù)據(jù)線、電源線等)斷開。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷引起的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的另一目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法，其可以有效地使有機(jī)電致發(fā)光器件與氧氣或濕氣隔絕。
以下說明將闡述發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，并且它們可以由說明中得知，或可以由發(fā)明的實(shí)踐得出。由在說明書和權(quán)利要求及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)將實(shí)現(xiàn)和獲得發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)及根據(jù)本發(fā)明的目的，如所實(shí)施和廣義說明的，一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括在基板上的多個(gè)像素；連接到每個(gè)像素的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光器件；在有機(jī)電致發(fā)光器件上的封裝層，其中封裝層包括具有相反應(yīng)力的第一和第二無機(jī)層，和在第一和第二無機(jī)層之間的第一有機(jī)層。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括在基板上的多個(gè)像素；連接到每個(gè)像素的薄膜晶體管，薄膜晶體管具有柵極、有源層和源/漏極；電容器，具有連接到源極的電源線、多晶硅層、和在源極和多晶硅層之間的絕緣層；有機(jī)電致發(fā)光器件，具有連接到漏極的第一電極、在第一電極上方的第二電極和在第一和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層；在第二電極上的第一有機(jī)層；在第一有機(jī)層上的第一無機(jī)層；在第一無機(jī)層上由一個(gè)或多個(gè)層形成的第二有機(jī)層；在第二有機(jī)層上并由與第一無機(jī)層相同的材料形成的第二無機(jī)層，其中第一和第二無機(jī)層具有相反的應(yīng)力；和在第二無機(jī)層上由一個(gè)或多個(gè)層形成的第三有機(jī)層。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法包括在透明基板上形成具有有源層、源/漏極和柵極的薄膜晶體管，和具有存儲下電極、層間絕緣層和電源線的存儲電容器；形成暴露部分源極、漏極和電源線的鈍化層；在鈍化層上形成具有第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極的有機(jī)電致發(fā)光器件；在第二電極上形成第一有機(jī)層；在第一有機(jī)層上形成第一無機(jī)層；在第一無機(jī)層上形成由一個(gè)或多個(gè)層形成的第二有機(jī)層；在第二有機(jī)層上形成第二無機(jī)層，第二無機(jī)層由與第一無機(jī)層相同的材料形成，其中第一和第二無機(jī)層具有相反的應(yīng)力；和在第二無機(jī)層上形成由一個(gè)或多個(gè)層形成的第三有機(jī)層。
可以理解前述的概要說明和以下的詳細(xì)說明都是示范性和解釋性的，并且期望它們提供權(quán)利要求所述發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


包括附圖以用于提供對發(fā)明的進(jìn)一步理解，并引入附圖來構(gòu)成該申請的一部分，說明發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用來闡釋發(fā)明的原理。
附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)使用金屬板作為封裝板進(jìn)行封裝的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的剖面圖；圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)使用玻璃板作為封裝板進(jìn)行封裝的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的剖面圖；圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)使用其中交替淀積有機(jī)層和無機(jī)層的封裝板的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的剖面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的剖面圖；圖5說明當(dāng)由單一無機(jī)層形成封裝層時(shí)具有由于無機(jī)層應(yīng)力引起的拉應(yīng)力的基板；圖6說明當(dāng)由單一無機(jī)層形成封裝層時(shí)具有由于無機(jī)層應(yīng)力引起的壓應(yīng)力的基板；圖7說明在形成SiNx時(shí)根據(jù)H2流入量的應(yīng)力變化的曲線圖；圖8A至8E是說明根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造工藝剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖中的例子詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。可能任何之處，所有附圖中相同的參考標(biāo)號將指相同或類似的部分。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的剖面圖。
如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器件包括在基板200上的薄膜晶體管TFT、電容器Cst、有機(jī)EL器件和封裝層300。
薄膜晶體管TFT包括由多晶硅形成的有源層220；在有源層220的兩側(cè)用具有高濃度的n型雜質(zhì)(例如P或As)或p型雜質(zhì)B摻雜的源和漏區(qū)223B和223A；在有源層220上的柵絕緣層223上形成的柵極230；和連接到源/漏區(qū)223B和223A的源/漏極260和250。在包括柵極230和阻擋層201的基板200上形成暴露源/漏區(qū)223B和223A的第一和第二夾層225和227。
電容器Cst由在形成有源層220的同時(shí)形成的多晶硅層221、在多晶硅層221上形成的電源線240和位于多晶硅層和電源線240之間的第一夾層225構(gòu)成。而且，在薄膜晶體管TFT和電容器Cst上形成鈍化層228。
有機(jī)EL器件由在鈍化層228上形成并電連接到薄膜晶體管TFT的數(shù)據(jù)電極250的第一電極270、在第一電極上形成的并具有空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的有機(jī)發(fā)光層272、和在其上并在整個(gè)基板表面上形成的第二電極275構(gòu)成。在有機(jī)發(fā)光層272和第二電極275之間可以插入薄膜(未示出)例如LiF或LiO2層，以易于把電子引入發(fā)光層272。這里，第一電極270是陽極，并且第二電極275是用做公共電極的陰極。第一電極270由ITO和IZO之一形成，且第二電極275由Al、Ca和Mg之一形成。
通過第一至第四有機(jī)層280、284、286和290以及第一和第二無機(jī)層282和288在第二電極275的整個(gè)表面上形成封裝層300。特別地，由有機(jī)層形成接觸外面的封裝層300的最上層290，以有效地吸收外部沖擊并增加與隨后形成的偏振膜的粘合性。
而且，封裝層300中分別在第一有機(jī)層284和第二有機(jī)層286的下部和上部形成的第一和第二無機(jī)層282和288是由相同材料形成的并具有相反的應(yīng)力。因此，無機(jī)層282和288的應(yīng)力可以抵消，由此防止基板由封裝層300的應(yīng)力產(chǎn)生彎曲。以下將更為詳細(xì)地解釋。
通常，根據(jù)材料的特性，應(yīng)力包括拉應(yīng)力和壓應(yīng)力。圖5和圖6說明基板通過在其上形成的無機(jī)層受到拉應(yīng)力和壓應(yīng)力的實(shí)例。
如圖5和6所示，如果在基板320上形成的無機(jī)層310是由與下基板320不同的材料形成的，根據(jù)上層310的特性，下基板320趨于具有拉應(yīng)力(參照圖5)或壓應(yīng)力(參照圖6)。但是，如果在同一基板上把具有相反應(yīng)力的層結(jié)合到一起，施加到彼此相反方向上的應(yīng)力將削弱，使得抵消施加到基板上的應(yīng)力。
因此，在本發(fā)明中，在第二和第三有機(jī)層284和286的下部和上部分別形成具有相反應(yīng)力的第一和第二無機(jī)層282和288，由此抵消施加到基板上的應(yīng)力。
第一和第二無機(jī)層282和288由例如SiNx、SiOx、SiOxNx、Al2O3和TiO2的材料形成，并且每個(gè)應(yīng)力的特性由形成這些層的條件確定。
例如，在用SiNx形成無機(jī)層的情況下，控制H2的流入量以改變應(yīng)力的特性。
圖7說明在形成SiNx層時(shí)根據(jù)H2流入量的應(yīng)力改變的曲線圖。
如所示的，隨著H2流入量的增加，SiNx層的應(yīng)力特性從壓應(yīng)力改變?yōu)槔瓚?yīng)力。而且，在形成封裝層的第一和第二無機(jī)層282和288的同時(shí)，通過控制H2的流入量，在有機(jī)層上和下可以形成具有相反應(yīng)力的無機(jī)層。
而且，在本發(fā)明中(參照圖4)，由第四有機(jī)層290形成封裝層300的最上層，其可以比無機(jī)層更為有效地吸收外部沖擊。
即使在第一和第二無機(jī)層282和288之間形成的第二和第三有機(jī)層284和286分別由單層形成，它們還可以由多于兩層的層形成。
此后，將參照圖8A至8E說明根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造工藝。
如圖8A所示，在透明基板200的整個(gè)表面上淀積氧化硅層以形成阻擋層201。形成阻擋層201以防止雜質(zhì)滲透進(jìn)入薄膜晶體管。
接著，在阻擋層201上構(gòu)圖半導(dǎo)體層，由此同時(shí)形成薄膜晶體管的有源層220和電容器的下電極221。有源層220是多晶硅層，其可以通過在非晶硅上執(zhí)行激光加熱處理來形成。
接著，如圖8B所示，在有源層220的中心區(qū)域形成柵絕緣層223，并且在其上淀積金屬層并構(gòu)圖，由此形成薄膜晶體管的柵極230。
隨后，通過使用柵極230作為掩模在有源層220的邊緣注入雜質(zhì)離子，由此形成源和漏區(qū)223B和223A。
接著，如圖8C所示，在柵極230、薄膜晶體管的源和漏區(qū)230B和223A和電容器Cst的下電極221的整個(gè)表面上形成第一層間絕緣層225。接著，對應(yīng)于下電極221在第一層間絕緣層225上形成電源線240，由此形成電容器Cst。
隨后，在包括電源線240的第一層間絕緣層225上形成第二層間絕緣層227，并接著選擇性地蝕刻第一和第二層間絕緣層225和227，使得暴露部分電源線240、源和漏區(qū)223B和223A。
接著，形成漏極250以連接到漏區(qū)223A，并且形成源極260以從暴露的源區(qū)223B延伸到電源線240。
接著，在圖8C所示的整個(gè)表面上淀積有機(jī)材料(例如BCB或丙烯(acryl))或無機(jī)材料(例如SiNx和SiOx)以形成鈍化層228，并接著選擇性地蝕刻，使得暴露連接到漏區(qū)223A的漏極250的一部分。
接著，如圖8D所示，形成有機(jī)發(fā)光器件的陽極270以連接到漏極250，并接著連接到第三層間絕緣層229。接著，在陽極270上依次淀積空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層以形成有機(jī)發(fā)光層272。接著，在包括有機(jī)發(fā)光層272的基板上方形成陰極275。此時(shí)，在有機(jī)發(fā)光層272和第二電極275之間可以插入LiF層或LiO2層(未示出)。
接著，如圖8E所示，在陰極275的整個(gè)表面上形成第一有機(jī)材料280，例如BCB或丙烯，并接著在其上形成第一無機(jī)層282，例如SiNx、SiOx、SiOxNy、Al2O3和TiO2。
接著，在第一無機(jī)層282上形成第一和第三有機(jī)層284和286中的至少一個(gè)，并接著形成由與第一無機(jī)層282相同的材料形成的第二無機(jī)層288。第一和第二無機(jī)層282和288具有相反的應(yīng)力。此時(shí)，如果第一無機(jī)層282具有拉應(yīng)力，則第二無機(jī)層288具有壓應(yīng)力，反之亦然。這里，第一和第二無機(jī)層282和288的應(yīng)力特性可以通過形成這些層時(shí)的條件確定。
隨后，在第二無機(jī)層288上形成有機(jī)層290，由此形成包括有機(jī)層280、284、286和290以及無機(jī)層282和288的封裝層300。
如上所述，在本發(fā)明中，在由無機(jī)層和有機(jī)層形成的封裝層中，在有機(jī)層的上部和下部插入具有相反應(yīng)力的無機(jī)層，由此防止當(dāng)由封裝層引起基板彎曲時(shí)產(chǎn)生的不良影響。
總之，根據(jù)本發(fā)明，在通過有機(jī)層和無機(jī)層結(jié)合作為封裝層的密封結(jié)構(gòu)中，在有機(jī)層的上部和下部形成具有相反應(yīng)力的無機(jī)層，使得防止由封裝層的應(yīng)力引起的基板彎曲。因此，可以最小化來自外部的濕氣和氧氣，并可以防止在基板上形成的線被切斷。
而且，通過形成有機(jī)層作為最外層，可以有效地吸收外部沖擊。
不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員對有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法顯然可以進(jìn)行各種改進(jìn)和修改。因此，本發(fā)明覆蓋本發(fā)明的改進(jìn)和修改，只要它們落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括在基板上的多個(gè)像素；連接到每個(gè)像素的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光器件；在有機(jī)電致發(fā)光器件上的封裝層，其中封裝層包括具有相反應(yīng)力的第一和第二無機(jī)層，和在第一和第二無機(jī)層之間的第一有機(jī)層。
2.權(quán)利要求1的器件，其中由相同的材料形成第一和第二無機(jī)層。
3.權(quán)利要求1的器件，其中由SiNx、SiOx、SiOxNy、Al2O3和TiO2之一形成第一和第二無機(jī)層。
4.權(quán)利要求1的器件，其中第一無機(jī)層具有相對于基板的壓應(yīng)力，并且第二無機(jī)層具有相對于基板的拉應(yīng)力。
5.權(quán)利要求1的器件，其中第一無機(jī)層具有相對于基板的拉應(yīng)力，并且第二無機(jī)層具有相對于基板的壓應(yīng)力。
6.權(quán)利要求1的器件，其中還包括在第二無機(jī)層上的第二有機(jī)層。
7.權(quán)利要求6的器件，其中第二有機(jī)層由BCB和丙烯之一形成。
8.權(quán)利要求1的器件，其中第一有機(jī)層由一個(gè)或多個(gè)層形成。
9.權(quán)利要求1的器件，其中有機(jī)電致發(fā)光器件包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。
10.權(quán)利要求9的器件，還包括在第二電極和有機(jī)發(fā)光層之間的LiF層和LiO2層之一。
11.權(quán)利要求9的器件，其中第一電極由透明材料形成。
12.權(quán)利要求11的器件，其中透明材料由銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)之一形成。
13.權(quán)利要求9的器件，其中第二電極由不透明的材料形成。
14.權(quán)利要求13的器件，其中不透明的材料由Al、Ca和Mg之一形成。
15.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括在基板上的多個(gè)像素；連接到每個(gè)像素的薄膜晶體管，薄膜晶體管具有柵極、有源層和源/漏極；電容器，具有連接到源極的電源線、多晶硅層、和在源極和多晶硅層之間的絕緣層；有機(jī)電致發(fā)光器件，具有連接到漏極的第一電極、在第一電極上方的第二電極和在第一和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層；在第二電極上的第一有機(jī)層；在第一有機(jī)層上的第一無機(jī)層；在第一無機(jī)層上由一個(gè)或多個(gè)層形成的第二有機(jī)層；在第二有機(jī)層上并由與第一無機(jī)層相同的材料形成的第二無機(jī)層，其中第一和第二無機(jī)層具有相反的應(yīng)力；和在第二無機(jī)層上由一個(gè)或多個(gè)層形成的第三有機(jī)層。
16.權(quán)利要求15的器件，其中第一無機(jī)層具有相對于基板的壓應(yīng)力，并且第二無機(jī)層具有相對于基板的拉應(yīng)力。
17.權(quán)利要求15的器件，其中第一無機(jī)層具有相對于基板的拉應(yīng)力，并且第二無機(jī)層具有相對于基板的壓應(yīng)力。
18.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制造方法，包括在透明基板上形成具有有源層、源/漏極和柵極的薄膜晶體管，和具有存儲下電極、層間絕緣層和電源線的存儲電容器；形成暴露部分源極、漏極和電源線的鈍化層；在鈍化層上形成具有第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極的有機(jī)電致發(fā)光器件；在第二電極上形成第一有機(jī)層；在第一有機(jī)層上形成第一無機(jī)層；在第一無機(jī)層上形成由一個(gè)或多個(gè)層形成的第二有機(jī)層；在第二有機(jī)層上形成第二無機(jī)層，第二無機(jī)層由與第一無機(jī)層相同的材料形成，其中第一和第二無機(jī)層具有相反的應(yīng)力；和在第二無機(jī)層上形成由一個(gè)或多個(gè)層形成的第三有機(jī)層。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法。有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括在基板上的多個(gè)像素；連接到每個(gè)像素的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光器件；在有機(jī)電致發(fā)光器件上的封裝層，其中封裝層包括具有相反應(yīng)力的第一和第二無機(jī)層，和在第一和第二無機(jī)層之間的第一有機(jī)層。
文檔編號H01L27/32GK1487779SQ0315596
公開日2004年4月7日 申請日期2003年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月31日
發(fā)明者樸宰用 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司