專利名稱：電容器結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種電容器(capacitor)結(jié)構(gòu)，尤指一種應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示面板(thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)時(shí)可以通過增加電容值(capacitance)以增加開口率(aperture ratio)并進(jìn)而提高顯示面板對(duì)比(contrast)的電容器結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今的平面顯示器產(chǎn)品中，液晶顯示面板(liquid crystal display，LCD)可謂其中最為熱門的一項(xiàng)技術(shù)，舉凡日常生活中常見的手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、攝影機(jī)、筆記型電腦以至于監(jiān)視器均是利用此項(xiàng)技術(shù)所制造的商品。隨著人們對(duì)于顯示器視覺感受要求的提高，加上新技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不斷的擴(kuò)展，更高畫質(zhì)、高解析度、高亮度且具低價(jià)位的平面顯示器便成為未來顯示技術(shù)發(fā)展的趨勢，也造就了新的顯示技術(shù)發(fā)展的原動(dòng)力。而平面顯示器中的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板(low temperature polysilicon thin filmtransistor liquid crystal display，LTPS-TFTLCD)，其是為薄膜晶體管液晶顯示面板的一種，除了具有符合主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)(actively drive)潮流的特性外，它的技術(shù)也正是一個(gè)可以達(dá)到上述目標(biāo)的重要技術(shù)突破。尤其是具有將金屬氧化物半導(dǎo)體以及低溫多晶硅薄膜晶體管整合于同一制造過程技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，使系統(tǒng)面板(system on panel，SOP)的目標(biāo)得以被實(shí)現(xiàn)，因此成為各家廠商所積極研究發(fā)展的對(duì)象。
所謂的薄膜晶體管液晶顯示面板，即是利用薄膜晶體管(TFT)來作為主動(dòng)陣列(activematrix)的驅(qū)動(dòng)開關(guān)，以控制對(duì)畫素電極(未顯示)充電，通過將畫素中填充于液晶單元(未顯示)內(nèi)的液晶分子(未顯示)旋轉(zhuǎn)至預(yù)期的角度，來控制光的穿透度。請參考圖1，圖1為一TFT-LCD中一畫素20的等效電路示意圖。如圖1所示，一畫素20具有一液晶單元LC連接至一共通電極CE(common counter electrode)與一薄膜晶體管(TFT)22。其中，薄膜晶體管22的一柵極(gate electrode)24是連接一掃描線(scan line)G0，一漏極(drainelectrode)26是連接一信號(hào)線(signal line)D0，一源極(source electrode)28則與液晶單元LC的畫素電極(pixel electrode，未顯示)相連接。此外，畫素20還具有一儲(chǔ)存電容(storage capacitor)SC電性連接液晶單元LC與一掃描線G1。由于電容器具有視電壓改變的大小而充電或放電，進(jìn)而增加或減少電荷的特性，因此儲(chǔ)存電容SC除了可以減少漏電流對(duì)液晶單元LC電壓的影響之外，亦同時(shí)協(xié)助液晶單元LC儲(chǔ)存電荷，以增加畫素開啟作用的時(shí)間。
請參考圖2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)的一薄膜晶體管液晶顯示面板30的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管液晶顯示面板30是具有一基板32，基板32是為一由透光的材質(zhì)所構(gòu)成的絕緣基板，且通常是為一玻璃基板、一石英基板或是一塑料基板。而基板32的表面另具有一像素陣列區(qū)域(pixel array area)33以及一周邊電路區(qū)域34。此外，像素陣列區(qū)域33之中另具有一薄膜晶體管區(qū)域35用以設(shè)置一薄膜晶體管38、一電容區(qū)域36用以設(shè)置一儲(chǔ)存電容42以及一開口區(qū)域(aperture region)37。而薄膜晶體管38的柵極44是由低溫多晶硅材質(zhì)所構(gòu)成，因此薄膜晶體管38是一低溫多晶硅薄膜晶體管。
儲(chǔ)存電容42是具有一第一絕緣層46設(shè)置于基板32之上，一第一金屬層48設(shè)置于第一絕緣層46之上，一第二絕緣層52設(shè)置于第一金屬層48之上，一第二金屬層54設(shè)置于第二絕緣層52之上，一第三絕緣層56設(shè)置于第二金屬層54之上，一有機(jī)層(organic coating layer)58設(shè)置于第三絕緣層56之上，有機(jī)層58與第三絕緣層56之中具有一接觸孔(contact hole)62，且接觸孔62暴露出部分的第二金屬層54，一透明導(dǎo)電層(transparent conductivelayer)64設(shè)置于有機(jī)層58的表面，并延伸至接觸孔62之內(nèi)與第二金屬層54相接觸。
第一絕緣層46以及第二絕緣層52是為一氧化硅層，第一金屬層48以及第二金屬層54可能為一鎢層或是一鉻層，第三絕緣層56是為一氮化硅層，有機(jī)層58是為一利用旋涂(spin coating)方式所形成的有機(jī)材料層，而透明導(dǎo)電層64是為一氧化銦錫層(indium tin oxide layer，ITO layer)或是一氧化銦鋅層(indium zinc oxide layer，IZO layer)。同時(shí)，第一金屬層48是用來作為儲(chǔ)存電容42的下極板(bottom electrode plate)，第二金屬層54是用來作為儲(chǔ)存電容42的上極板(top electrode plate)，第二絕緣層52是用來作為儲(chǔ)存電容42的電容介電層(capacitor dielectric layer)。
然而現(xiàn)有應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示面板30的電容器，卻具有一項(xiàng)難以突破的限制，即任一電容器的電容值(capacitance)是直接反映出其儲(chǔ)存電荷的能力。當(dāng)電容器的電極板面積愈大時(shí)，其電容值也愈大，換句話說，電容器所儲(chǔ)存的電量與電極板面積成正比。而具有大面積電極的電容器雖然能儲(chǔ)存較多的電荷以增加畫素開啟作用的時(shí)間，卻會(huì)占用較大的面積，進(jìn)而減少畫素的開口率。如此一來，不僅液晶顯示面板所能達(dá)到的最大亮度有限，整體的對(duì)比也因而下降，同時(shí)基于畫素開口率不足的限制，往往在設(shè)計(jì)或是生產(chǎn)產(chǎn)品時(shí)需要做特殊的處理或考慮，最后造成成本提高，使產(chǎn)品不具有競爭力。
因此，如何能發(fā)展出一種新的電容器結(jié)構(gòu)，其應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示面板作為儲(chǔ)存電容時(shí)不僅能以較小的面積儲(chǔ)存一定電量的電荷，以提升面板的對(duì)比，對(duì)制作時(shí)又不需變更現(xiàn)有的制造過程，使產(chǎn)品更具有競爭力，便成為十分重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電容器結(jié)構(gòu)，尤指一種應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示面板時(shí)可以通過增加電容值以增加開口率并進(jìn)而提高顯示面板對(duì)比的電容器結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，是提供一種電容器結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括一基板，一第一導(dǎo)電層設(shè)置于該基板之上，一第一絕緣層設(shè)置于該第一導(dǎo)電層之上，一第二導(dǎo)電層設(shè)置于部分的該第一絕緣層之上，一第二絕緣層設(shè)置于該第二導(dǎo)電層以及該第一絕緣層之上，一第三導(dǎo)電層設(shè)置于部分的該第二絕緣層之上，一第三絕緣層設(shè)置于該第三導(dǎo)電層以及該第二絕緣層之上，以及一第四導(dǎo)電層設(shè)置于該第三絕緣層之上，其中該第三、第四導(dǎo)電層分別經(jīng)由至少一與該第二導(dǎo)電層相鄰的第一接觸孔、至少一第二接觸孔被電性連接至該第一、第二導(dǎo)電層。
由于本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)是利用現(xiàn)有技術(shù)中常用的四層導(dǎo)電層來作為四層電極板，以形成三個(gè)上下堆疊的電容，進(jìn)而取代原本由兩層極板所構(gòu)成的平面式電容。并且此三個(gè)電容是為互相并聯(lián)，其等效電容的電容值是等于三個(gè)電容的電容值的和，因此本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)只需現(xiàn)有技術(shù)中電容器面積的約三分之一，即可儲(chǔ)存相同的電量。如此一來，不僅畫素的開口率得以被增加，液晶顯示面板所能達(dá)到的最大亮度亦相應(yīng)增加，現(xiàn)有技術(shù)中整體對(duì)比不足的現(xiàn)象將可以被改善。另外，本發(fā)明的電容器中是利用現(xiàn)有技術(shù)中既有的四層導(dǎo)電層，應(yīng)用本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器或是其他產(chǎn)品時(shí)，并沒有因?yàn)樘厥馓幚砘蚩紤]而增加的成本，因此產(chǎn)品非常具有競爭力。


圖1為一TFT-LCD中一畫素的等效電路示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的一薄膜晶體管液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的一薄膜晶體管液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3的儲(chǔ)存電容的等效電路示意圖。
附圖標(biāo)記說明20畫素22薄膜晶體管24柵極26漏極28源極30、100薄膜晶體管液晶顯示面板32、102基板 33、103像素陣列區(qū)域34、104周邊電路區(qū)域 35、105薄膜晶體管區(qū)域36、106電容區(qū)域 37、107開口區(qū)域38、108薄膜晶體管 42、112儲(chǔ)存電容44、114柵極 46、118第一絕緣層48第一金屬層 52、124第二絕緣層54第二金屬層 56、128第三絕緣層58、142有機(jī)層 62接觸孔64透明導(dǎo)電層 116第一導(dǎo)電層122第二導(dǎo)電層 126第三導(dǎo)電層132第四導(dǎo)電層 134第一接觸孔136第二接觸孔 138第五導(dǎo)電層144漏極
具體實(shí)施例方式
請參考圖3，圖3為本發(fā)明的一薄膜晶體管液晶顯示面板100的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本發(fā)明的薄膜晶體管液晶顯示面板100具有一基板102，基板102是為一由透光的材質(zhì)所構(gòu)成的絕緣基板，且通常是一玻璃基板、一石英基板或是一塑料基板?；?02的表面具有一像素陣列區(qū)域103以及一周邊電路區(qū)域104，而像素陣列區(qū)域103之中另具有一薄膜晶體管區(qū)域105用以設(shè)置一薄膜晶體管108，一電容區(qū)域106用以設(shè)置一儲(chǔ)存電容112，以及一開口區(qū)域107。由于薄膜晶體管108的柵極114是由低溫多晶硅材料所構(gòu)成，因此薄膜晶體管107是為一低溫多晶硅薄膜晶體管。
儲(chǔ)存電容112具有一第一導(dǎo)電層116設(shè)置于基板102之上，一第一絕緣層118設(shè)置于第一導(dǎo)電層116之上，一第二導(dǎo)電層122設(shè)置于部分的第一絕緣層118之上，一第二絕緣層124設(shè)置于第二導(dǎo)電層122以及第一絕緣層118之上，一第三導(dǎo)電層126設(shè)置于部分的第二絕緣層124之上，一第三絕緣層128設(shè)置于第三導(dǎo)電層126以及第二絕緣層124之上，以及一第四導(dǎo)電層132設(shè)置于第三絕緣層128之上。其中，第三導(dǎo)電層126是經(jīng)由至少一第一接觸孔134被電性連接至第一導(dǎo)電層116，且第一接觸孔134是與第二導(dǎo)電層122相鄰，同時(shí)第四導(dǎo)電層132是經(jīng)由至少一第二接觸孔136被電性連接至第二導(dǎo)電層122。
第一導(dǎo)電層116、第一絕緣層118以及第二導(dǎo)電層122是構(gòu)成一第一電容，第二導(dǎo)電層122、第二絕緣層124以及第三導(dǎo)電層126是構(gòu)成一第二電容，第三導(dǎo)電層126、第三絕緣層128以及第四導(dǎo)電層132是構(gòu)成一第三電容。第一導(dǎo)電層126是為一多晶硅層(polyslicon layer)，第一絕緣層是具有一氧化硅層(silicon oxide layer，SiOxlayer，其中0＜x＜2.0)，一氮化硅層(silicon nitride layer，SiNylayer，其中0＜y＜1.33)或是一氮氧化硅層(siliconoxynitride layer，SiOxNylayer，其中0＜x＜2.0，0＜y＜1.33)。第二導(dǎo)電層122以及第三導(dǎo)電層126是分別為一金屬層、一合金層或是一金屬多層膜層(metal multi-layer)。且金屬層是具有一鎢層、一鉻層(Cr layer)、一鈦層、一鋁層、一鈮層(Nb layer)或是一鉬層(Mo layer)；合金屬是具有一釹化鋁層(AlNd layer)；金屬多層膜層是具有一鈦鋁鈦層(Ti/Al/Ti layer)、一鉬鋁鉬層(Mo/Al/Mo layer)或是一鉻鋁層(Cr/Al layer)。
第二絕緣層124以及第三絕緣層128是分別具有一氧化硅層、一氮化硅層或是一氮氧化硅層。第四導(dǎo)電層132是具有一氧化銦錫層或是一氧化銦鋅層。第一接觸孔134是設(shè)置于第一絕緣層118以及第二絕緣層124之中，且第一接觸孔134暴露出部分的第一導(dǎo)電層116，第二接觸孔136是設(shè)置于第二絕緣層124之中，且第二接觸孔136暴露出部分的第二導(dǎo)電層122。
第三導(dǎo)電層126是延伸至第一接觸孔134之內(nèi)，并與第一導(dǎo)電層116相接觸，以電性連接第一導(dǎo)電層116以及第三導(dǎo)電層126。另外，基板102之上另具有一第五導(dǎo)電層138設(shè)置于第二接觸孔136之內(nèi)，以將第四導(dǎo)電層132電性連接至第二導(dǎo)電層122。第三導(dǎo)電層126與第五導(dǎo)電層138是經(jīng)由圖案化同一金屬層所形成，且第三導(dǎo)電層126與第五導(dǎo)電層138并不相連，因此，第一電容、第二電容與第三電容并沒有所謂短路的問題。
值得一提的是，第四導(dǎo)電層132是延伸至整個(gè)開口區(qū)域107、整個(gè)薄膜晶體管區(qū)域105以及整個(gè)周邊電路區(qū)域104，并且通過一設(shè)置于基板102上的有機(jī)層142與基板102上的其他結(jié)構(gòu)，如薄膜晶體管、金屬層或是導(dǎo)電層電隔絕(electrically isolated)，且延伸至薄膜晶體管區(qū)域105的第四導(dǎo)電層132是用來作為液晶單元(未顯示)的畫素電極(pixel electrode，未顯示)。同時(shí)，有機(jī)層142是一利用旋涂(spin coating)方式所形成的有機(jī)材料層。另外，第五導(dǎo)電層138是延伸至薄膜晶體管區(qū)域105之內(nèi)，以將第四導(dǎo)電層132電性連接至薄膜晶體管108的一漏極144。事實(shí)上，第五導(dǎo)電層138是為一信號(hào)線(signal line，未顯示)，其是與連接至柵極114的一掃描線(scan line，未顯示)一起用來控制薄膜晶體管108的開啟與關(guān)閉，進(jìn)而控制對(duì)畫素電極(未顯示)的充電，以將填充于液晶顯示(未顯示)內(nèi)的液晶分子(未顯示)旋轉(zhuǎn)至預(yù)期的角度。
請參考圖4，圖4為圖3的儲(chǔ)存電容112的等效電路示意圖。如圖4所示，圖3的儲(chǔ)存電容112是為圖3中第一電容、第二電容以及第三電容并聯(lián)的等效電容(equivalent capacitor)。也就是說，第一電容的上極板(topelectrode plate)、電容介電層(capacitor dilectric layer)與下極板(bottomelectrode plate)是分別為第二導(dǎo)電層122、第一絕緣層(未顯示)與第一導(dǎo)電層116，第二電容的上極板、電容介電板與下極板是分別為第二導(dǎo)電層122、第二絕緣層(未顯示)與第三導(dǎo)電層126，而第三電容的上極板、電容介電層與下極板是分別為第四導(dǎo)電層132、第三絕緣層(未顯示)與第三導(dǎo)電層126。第二導(dǎo)電層122與第四導(dǎo)電層132是儲(chǔ)存電容122的正電極(亦可為負(fù)電極)，并由第五導(dǎo)電層138經(jīng)第二接觸孔136將第二導(dǎo)電層122與第四導(dǎo)電層132連結(jié)在一起；而第一導(dǎo)電層116與第三導(dǎo)電層126是為儲(chǔ)存電容112的負(fù)電極(亦可為正電極)，并由第三導(dǎo)電層126經(jīng)第一接觸孔134將第一導(dǎo)電層116與第三導(dǎo)電層126連結(jié)在一起。因此儲(chǔ)存電容112的電容值(CST)是等于第一電容的電容值(C1)、第二電容的電容值(C2)與第三電容的電容值(C3)之和。
此外，本發(fā)明的電容器并不限于被設(shè)置于液晶顯示器的陣列基板(arraysubstrate)上的像素陣列區(qū)域之內(nèi)，其亦可以被設(shè)置于液晶顯示器的陣列基板上的周邊電路區(qū)域之內(nèi)，只是在前一種情形之下，其是用來作為儲(chǔ)存電容，而在后一種情形之下，其是因應(yīng)電路設(shè)計(jì)需要的其它電容。同時(shí)，本發(fā)明的電容器并不限于被應(yīng)用在薄膜晶體管液晶顯示面板，或是本發(fā)明實(shí)施例中的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板，事實(shí)上，本發(fā)明的電容器亦可以被應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極體(OLED)、場發(fā)射顯示器(FED)或是其他利用薄膜晶體管來主動(dòng)驅(qū)動(dòng)的顯示器。
由于本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)，是利用現(xiàn)有技術(shù)中的四層導(dǎo)電層作為四層電極板，以形成三個(gè)上下堆疊的電容，來取代原本由兩層極板所構(gòu)成的平面式電容。在三個(gè)電容是互相并聯(lián)的情況下，儲(chǔ)存電容的電容值是等于三個(gè)電容的電容值之和，如此一來，本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)只需現(xiàn)有技術(shù)中電容器面積的約三分之一，即可儲(chǔ)存相同的電量，不僅明顯增加畫素的開口率，液晶顯示面板所能達(dá)到的最大亮度亦相應(yīng)增加，以改善現(xiàn)有技術(shù)中整體對(duì)比不足的現(xiàn)象。同時(shí)，本發(fā)明的電容器中是利用現(xiàn)有技術(shù)中既有的四層導(dǎo)電層，應(yīng)用本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)于低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器或是其他產(chǎn)品時(shí)，并沒有因?yàn)樘厥馓幚砘蚩紤]而增加的成本，因此產(chǎn)品非常具有競爭力。
相較于現(xiàn)有的電容器結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)是利用現(xiàn)有技術(shù)中的四層導(dǎo)電層作為四層電極板，以形成三個(gè)上下堆疊的電容，來取代原本由兩層極板所構(gòu)成的平面式電容。由于此三個(gè)電容是為互相并聯(lián)，其等效電容的電容值是等于三個(gè)電容的電容值之和，因此，本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)只需現(xiàn)有技術(shù)中電容器面積的約三分之一，即可儲(chǔ)存相同的電量。如此一來，不僅畫素的開口率得以被提高，液晶顯示面板所能達(dá)到的最大亮度亦相應(yīng)增加，現(xiàn)有技術(shù)中整體對(duì)比不足的現(xiàn)象將可以被改善。并且，本發(fā)明電容器中的四層電極板，純粹是利用現(xiàn)有技術(shù)中既有的四層導(dǎo)電層，因此制作本發(fā)明的電容器結(jié)構(gòu)時(shí)完全不需變更現(xiàn)有制造過程，只需稍微修改像素陣列區(qū)域的布局與制作時(shí)所使用的光罩，并沒有額外的因特殊處理或考慮所招致的成本，使本發(fā)明電容器結(jié)構(gòu)具有相當(dāng)?shù)膶?shí)用性。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種電容器結(jié)構(gòu)，該電容器結(jié)構(gòu)包括一基板；一第一導(dǎo)電層設(shè)置于該基板之上；一第一絕緣層設(shè)置于該第一導(dǎo)電層之上；一第二導(dǎo)電層設(shè)置于部分的該第一絕緣層之上；一第二絕緣層設(shè)置于該第二導(dǎo)電層以及該第一絕緣層之上；一第三導(dǎo)電層設(shè)置于部分該第二絕緣層之上，該第三導(dǎo)電層是經(jīng)由至少一第一接觸孔被電性連接至該第一導(dǎo)電層，且該第一接觸孔是與該第二導(dǎo)電層相鄰；一第三絕緣層設(shè)置于該第三導(dǎo)電層以及該第二絕緣層之上；以及一第四導(dǎo)電層設(shè)置于該第三絕緣層之上，且該第四導(dǎo)電層是經(jīng)由至少一第二接觸孔以及一第五導(dǎo)電層連接至該第二導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該絕緣基板具有一玻璃基板、一石英基板或是一塑料基板。
3.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第一導(dǎo)電層是為一多晶硅層(polysilicon layer)。
4.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第一絕緣層是具有一氧化硅層(silicon oxide layer，SiOxlayer，其中0＜x＜2.0)，一氮化硅層(siliconnitride layer，SiNylayer，其中0＜y＜1.33)或是一氮氧化硅層(siliconoxynitride layer，SiOxNylayer，其中0＜x＜2.0，0＜y＜1.33)。
5.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第二導(dǎo)電層以及該第三導(dǎo)電層是分別為一金屬層、一合金層或一金屬多層膜層。
6.如權(quán)利要求5所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該金屬層是具有一鎢層(Wlayer)、一鉻層(cr layer)、一鈦層(Ti layer)、一鋁層(Al layer)、一鈮層(Nb layer)或是一鉬層(Mo layer)；該合金層是具有一釹化鋁層(AlNd layer)；該金屬多層膜層是具有一鈦鋁鈦層(Ti/Al/Ti layer)、一鉬鋁鉬層(Mo/Al/Mo layer)或是一鉻鋁層(Cr/Al layer)。
7.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第五導(dǎo)電層是設(shè)置于該第二接觸孔之內(nèi)，用以電性連接該第四導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求7所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第三導(dǎo)電層以及該第五導(dǎo)電層是互不相連(not connected)。
9.如權(quán)利要求7所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該基板是為一液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)的陣列基板(array substrate)，該基板的表面上是具有一像素陣列區(qū)域(pixel array area)，且該第四導(dǎo)電層是經(jīng)由該第五導(dǎo)電層被電性連接至該像素陣列區(qū)域內(nèi)的一薄膜晶體管。
10.如權(quán)利要求9所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該電容器結(jié)構(gòu)是設(shè)置于該基板的該像素陣列區(qū)域之內(nèi)，以用來作為一儲(chǔ)存電容(storage capacitor)。
11.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該基板是為一液晶顯示器的陣列基板，該基板的表面上是包含一周邊電路區(qū)域(periphery circuit area)，且該電容器是設(shè)置于該基板表面上的該周邊電路區(qū)域之內(nèi)。
12.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第二絕緣層是具有一氧化硅層(silicon oxide layer，SiOxlayer，其中0＜x＜2.0)，一氮化硅層(siliconnitride layer，SiNylayer，其中0＜y＜1.33)或是一氮氧化硅層(siliconoxynitride layer，SiOxNylayer，其中0＜x＜2.0，0＜y＜1.33)。
13.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一接觸孔是設(shè)置于該第一絕緣層以及該第二絕緣層之中，且該第一接觸孔暴露出部分的該第一導(dǎo)電層。
14.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中該第三絕緣層是具有一氧化硅層(silicon oxide layer，SiOxlayer，其中0＜x＜2.0)，一氮化硅層(siliconnitride layer，SiNylayer，其中0＜y＜1.33)或是一氮氧化硅層(siliconoxynitride layer，SiOxNylayer，其中0＜x＜2.0，0＜y＜1.33)。
15.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第四絕緣層是具有一氧化銦錫層(indium tin oxide layer，ITO layer)或是一氧化銦鋅層(indium zincoxide layer，IZO layer)。
16.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第二接觸孔是設(shè)置于該第二絕緣層之中，且該第二接觸孔暴露出部分的該第二導(dǎo)電層。
17.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第一導(dǎo)電層、該第一絕緣層以及該第二導(dǎo)電層是構(gòu)成一第一電容，該第二導(dǎo)電層、該第二絕緣層以及該第三導(dǎo)電層是構(gòu)成一第二電容，該第三導(dǎo)電層、該第三絕緣層以及該第四導(dǎo)電層是構(gòu)成一第三電容。
18.如權(quán)利要求17所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該第二導(dǎo)電層與該第四導(dǎo)電層是為該電容器的正電極，并由該第五導(dǎo)電層經(jīng)該第二接觸孔將該第二導(dǎo)電層與該第四導(dǎo)電層連結(jié)在一起；而該第一導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層是為該電容器的負(fù)電極，并由該第三導(dǎo)電層經(jīng)該第一接觸孔將該第一導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層連結(jié)在一起。
19.如權(quán)利要求17所述的電容器結(jié)構(gòu)，是利用多層導(dǎo)電層作為多層電極板，以形成兩個(gè)以上的堆疊電容。
20.如權(quán)利要求17所述的電容器結(jié)構(gòu)，其中，該電容器的電容值是等于該第一電容器以及該第二電容器以及該第三電容器并聯(lián)的等效電容的電容值。
全文摘要
一種電容器結(jié)構(gòu)，其具有第一導(dǎo)電層、第一絕緣層依序設(shè)置于基板之上，第二導(dǎo)電層設(shè)置于部分的第一絕緣層之上，第二絕緣層設(shè)置于第二導(dǎo)電層、第一絕緣層之上，第三導(dǎo)電層設(shè)置于部分的第二絕緣層之上，第三絕緣層設(shè)置于第三導(dǎo)電層、第二絕緣層之上，以及第四導(dǎo)電層設(shè)置于第三絕緣層之上，第三、第四導(dǎo)電層分別經(jīng)由至少一與第二導(dǎo)電層相鄰的第一接觸孔、至少一第二接觸孔被電性連接至第一、第二導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1567072SQ03147450
公開日2005年1月19日 申請日期2003年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月10日
發(fā)明者張志清, 葉光兆 申請人:友達(dá)光電股份有限公司