專利名稱：雙板型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明要求2002年7月18日申請的第2002-41938號韓國專利申請的權(quán)益，該申請在此引用以供參考。
在OELD裝置的驅(qū)動方法中，使用的是不用外加薄膜晶體管(TFT)的無源矩陣驅(qū)動法。然而，由于無源型OELD裝置的分辨率有限、能耗高和工作壽命短，所以開發(fā)了有源矩陣型OELD裝置作為需要高分辨率和大顯示面積的下一代顯示裝置。
在無源矩陣型OELD裝置中，將矩陣結(jié)構(gòu)中的掃描線和信號線布置成相互垂直交叉，而在有源矩陣型OELD裝置中，在每個象素區(qū)設(shè)置了起開關(guān)作用的TFT，以便使與TFT相連的第一電極接通(ON)和斷開(OFF)，而且面對第一電極設(shè)置第二電極。
在無源矩陣型OELD裝置中，將掃描電壓連續(xù)施加到掃描線上以驅(qū)動每個象素。而且，為了獲得所需的平均亮度，應(yīng)使得每個象素在選定周期內(nèi)的瞬間亮度達(dá)到平均亮度乘以總掃描線數(shù)得出的值。因此，由于提供的電壓和電流隨掃描線總數(shù)的增加而增加，所以無源矩陣型OELD裝置因其能耗高而不適合在大顯示面積上顯示高分辨率圖像。
然而，在有源矩陣型OELD裝置中，施加到象素上的電壓存儲在存儲電容器中，因此，不管掃描線的總數(shù)量是多少，均可以在施加下一幀電壓之前保持原電壓并驅(qū)動所述裝置。因此，可以用低供電電流獲得同樣的亮度，其中有源矩陣型OELD裝置具有低能耗和在大面積顯示時的高圖像分辨率。


圖1是按照現(xiàn)有技術(shù)所述有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置中基本象素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。在圖1中，沿第一方向布置掃描線2，沿垂直于第一方向的第二方向布置信號線4和電源線6，其中信號線4和電源線6彼此相隔一定距離，由此構(gòu)成分象素區(qū)“Psub”。此外，通常稱之為尋址元件的開關(guān)TFT“Ts”與掃描線2和信號線4相連，而存儲電容器“CST”與開關(guān)TFT“Ts”和電源線6相連。通常稱之為電流源元件的驅(qū)動TFT“TD”與存儲電容器“CST”和電源線6相連，而有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“DEL”與驅(qū)動TFT“TD”相連。
有機(jī)EL二極管“DEL”的陽極和陰極之間設(shè)有有機(jī)EL層。當(dāng)向有機(jī)EL二極管“DEL”施加正向電流時，電子和空穴通過提供空穴的陽極和提供電子的陰極之間的P-N(正-負(fù))結(jié)再度結(jié)合產(chǎn)生電子空穴對。由于電子-空穴對的能量低于獨(dú)立的電子和空穴的能量，所以在重新結(jié)合的和獨(dú)立的電子-空穴對之間存在能差，而該能差的存在可導(dǎo)致發(fā)光。
按照有機(jī)EL二極管的發(fā)光方向，可將有機(jī)EL裝置分成兩種不同類型無源矩陣型和有源矩陣型。
圖2是按照現(xiàn)有技術(shù)所述底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖，其中一個象素區(qū)包括紅、綠和藍(lán)分象素區(qū)。在圖2中，第一和第二襯底10和30彼此面對并相互相隔一定距離，其中第一和第二襯底10和30的周邊部分由成形密封劑40密封到一起。在第一襯底10內(nèi)表面上的每個分象素區(qū)“Psub”上形成薄膜晶體管(TFT)“T”，而在TFT“T”上連接第一電極12。此外，在TFT“T”和第一電極12上形成包含紅、綠、藍(lán)發(fā)光材料的有機(jī)電致發(fā)光層14，并在有機(jī)電致發(fā)光層14上形成第二電極16。因此，第一和第二電極12和16向有機(jī)電致發(fā)光層14施加電場。盡管圖中未示出，但是在第二襯底30的內(nèi)表面上形成粘接劑和吸濕劑以便保護(hù)襯底不受外部潮氣影響。
在底部發(fā)光型OELD裝置中，例如，第一電極12起陽極作用并用透明導(dǎo)電材料制作，第二電極16起陰極作用并用低功函數(shù)的金屬材料制作。此外，有機(jī)電致發(fā)光層14包括處于第一電極12上方的空穴注入層14a，空穴傳輸層14b，發(fā)光層14c，和電子傳輸層14d。發(fā)光層14c的結(jié)構(gòu)在于在每個分象素區(qū)“Psub”交替設(shè)置紅、綠、藍(lán)發(fā)光材料。
圖3是按照現(xiàn)有技術(shù)所述底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中分象素區(qū)的示意性剖面圖。在圖3中，在襯底10上形成具有半導(dǎo)體層62、柵極68、源極80和漏極82的薄膜晶體管(TFT)“T”。源極80和漏極82分別與從電源線(未示出)上延出的電源電極72和有機(jī)電致(EL)二極管“DEL”相連。此外，存儲電容器“CST”包括彼此面對的電源電極72和電容電極64，在電源電極72和電容電極64之間設(shè)有絕緣層，其中電容器電極64用與半導(dǎo)體層62相同的材料制成。
在圖3中，將TFT“T”和存儲電容器“CST”統(tǒng)稱為陣列元件“A”，有機(jī)EL二極管“DEL”則包括第一和第二電極12和16，所述電極12和16彼此面對設(shè)置且在其之間設(shè)有有機(jī)EL層14。TFT“T”的源極80與存儲電容器“CST”的電源電極72相連，而TFT“T”的漏極82與有機(jī)EL二極管“DEL”的第一電極12相連。
圖4是表示現(xiàn)有技術(shù)所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置制造工藝的流程圖。按照圖4，在步驟st1中，在第一襯底上形成陣列元件，其中陣列元件包括掃描線、信號線、電源線、開關(guān)TFT、和驅(qū)動TFT。此外，信號線和電源線與掃描線交叉并彼此相互隔開一定距離，其中開關(guān)TFT設(shè)置在掃描線和信號線的交叉處而驅(qū)動TFT設(shè)置在掃描線和電源線的交叉處。
在步驟st2，在陣列元件的上方形成有機(jī)EL二極管的第一電極，其中第一電極與每個分象素區(qū)的驅(qū)動TFT相連。
在步驟st3中，在第一電極上形成有機(jī)EL二極管的發(fā)光層。如果將第一電極設(shè)計成起陽極作用，則有機(jī)EL層可由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層構(gòu)成。
在步驟st4中，在有機(jī)EL層上形成EL二極管的第二電極。第二電極形成在第一襯底整個表面的上方并起共用電極的作用。
在步驟st5中，將第一襯底與第二襯底封裝到一起，其中第二襯底可以保護(hù)第一襯底免受外部沖擊和保護(hù)有機(jī)EL層免受大氣的損害。此外，在第二襯底的內(nèi)表面上可以設(shè)置吸濕劑。
因此，通過將包含陣列元件和有機(jī)EL二極管的第一襯底與第二襯底封裝到一起便制成了有機(jī)EL裝置。由于陣列元件的產(chǎn)量與有機(jī)EL二極管的產(chǎn)量之積決定了有機(jī)EL裝置的產(chǎn)量，所以，整個工藝過程的產(chǎn)量因形成有機(jī)EL二極管的工藝而受到極大限制。例如，即使在正常生產(chǎn)陣列元件的情況下，只要不能正常生產(chǎn)有機(jī)EL二極管，就會對產(chǎn)量產(chǎn)生不利影響。
底部發(fā)光型有機(jī)EL裝置具有較高的密封穩(wěn)定性和較高的工藝靈活性。然而，由于孔徑比受到限制，所以很難把底部發(fā)光型有機(jī)EL裝置與具有高圖像分辨率的裝置結(jié)合到一起。另一方面，由于頂部發(fā)光型有機(jī)EL裝置易于設(shè)計且具有高孔徑比，所以頂部發(fā)光型有機(jī)EL裝置具有例如工作壽命長等優(yōu)點(diǎn)。然而，由于在頂部發(fā)光型EL裝置的有機(jī)EL裝置中，通常是在有機(jī)EL層上形成陰極，所以因?yàn)椴牧线x擇受到限制而導(dǎo)致光學(xué)效率降低從而降低了透射率。此外，當(dāng)用薄膜保護(hù)層來最大限度地減小透射率的降低時，將會增加大氣的滲透。
本發(fā)明的目的是，提供一種能提高產(chǎn)量、具有高圖像分辨率和高孔徑比的雙板型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明的另一個目的是，提供一種制造雙板型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，這種方法能提高產(chǎn)量、且使顯示裝置具有高圖像分辨率和高孔徑比。
本發(fā)明的另一個目的是，提供一種改善了陣列元件和有機(jī)電致發(fā)光二極管之間連接特性的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明的另一個目的是，提供一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，該方法改善了陣列元件和有機(jī)電致發(fā)光二極管之間的連接特性。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的說明中給出，其中一部分特征和優(yōu)點(diǎn)可以從說明中明顯得出或是通過對本發(fā)明的實(shí)踐而得到。通過在文字說明部分、權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了得到這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，作為概括和廣義的描述，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括彼此面對且相隔一定距離的第一和第二襯底，所述第一和第二襯底具有多個分象素區(qū)；設(shè)在第一襯底內(nèi)表面上多個分象素區(qū)中每一個分象素區(qū)上的薄膜晶體管；設(shè)在第二襯底內(nèi)表面上的第一電極；設(shè)在第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光層；設(shè)在多個分象素區(qū)中每一個分象素區(qū)內(nèi)有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極；和使薄膜晶體管與第二電極接觸的連接圖形，其中連接圖形的熔融溫度低于第二電極的熔融溫度。
按照另一方面，本發(fā)明所述制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法包括，在具有多個分象素區(qū)的第一襯底上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管對應(yīng)于多個分象素區(qū)中的每一個分象素區(qū)；在薄膜晶體管上形成鈍化層，所述鈍化層上具有用于暴露薄膜晶體管的接觸孔；在鈍化層上形成連接圖形，所述連接圖形通過接觸孔與薄膜晶體管接觸；在具有多個分象素區(qū)的第二襯底上形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)電致發(fā)光層；在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極，所述第二電極對應(yīng)于多個分象素區(qū)中的每一個分象素區(qū)；和粘合第一及第二襯底使得連接圖形與第二電極接觸，其中連接圖形的熔融溫度低于第二電極的熔融溫度。
按照另一方面，本發(fā)明所述制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法包括，在具有多個分象素區(qū)的第一襯底上形成薄膜晶體管；在薄膜晶體管上形成鈍化層，所述鈍化層上具有用于暴露薄膜晶體管的接觸孔；在鈍化層上形成可通過接觸孔與薄膜晶體管接觸的連接圖形；在具有多個分象素區(qū)的第二襯底上形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)電致發(fā)光層；在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極，將第一和第二襯底粘合使得連接圖形在第一溫度下熔融并與第二電極接觸。
很顯然，上面的一般性描述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，其意在對本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。
圖5是按照本發(fā)明所述示例性有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖。在圖5中，將第一和第二襯底110和150設(shè)置成彼此面對且相互相隔一定距離，其中第一和第二襯底110和150可以具有多個分象素區(qū)“Psub”。此外，在每個分象素區(qū)“Psub”中第一襯底110的內(nèi)表面上形成包含薄膜晶體管(TFT)“T”的陣列元件層140。盡管圖5中未示出，但是陣列元件層140可以包括柵極線、數(shù)據(jù)線、電源線和共用線。此外，柱形連接圖形132在陣列元件層140的TFT“T”上形成，并與之相連。
在第二襯底150的內(nèi)表面上依次形成第一電極152和有機(jī)電致發(fā)光(EL)層154，而在每個分象素區(qū)“Psub”的有機(jī)EL層154上形成第二電極156，其中第二電極156可以與連接圖形132接觸。此外，可以用沿第一和第二襯底110和150周邊部分形成的密封劑圖形160將第一和第二襯底110和150粘合到一起。
陣列元件層140可以包括在第一襯底110內(nèi)表面上形成的緩沖層112，在每個分象素區(qū)“Psub”的緩沖層112上形成的半導(dǎo)體層114，所述半導(dǎo)體層114具有溝道區(qū)“I”、源區(qū)“II”和漏區(qū)“III”。此外，在溝道區(qū)“I”的半導(dǎo)體層114上依次形成柵極絕緣層115和柵極116，而在柵極116上形成帶有第一和第二接觸孔118和120的第一鈍化層122。例如，第一和第二接觸孔118和120可以分別暴露源區(qū)和漏區(qū)“II”和“III”。然后，在第一鈍化層122上形成源極和漏極124和126，其中源極124可以通過第一接觸孔118與源區(qū)“II”相連，而漏極126可以通過第二接觸孔120與漏區(qū)“III”相連。
接著，在源極和漏極124和126上形成帶有第三接觸孔128的第二鈍化層130，其中第三接觸孔128可以暴露漏極126。然后，例如可以在第二鈍化層130上形成柱形連接圖形132，該圖形可以通過第三接觸孔128與漏極126相連。因此，半導(dǎo)體層114、柵極116和源極124以及漏極126可以構(gòu)成薄膜晶體管(TFT)“T”。
為了改善連接圖形132和第二電極156之間的接觸特性，連接圖形可以由熔融溫度低于有機(jī)EL裝置其他材料熔融溫度的金屬材料制成。例如，連接圖形132的熔融溫度可以低于第二電極156的熔融溫度。因此，當(dāng)將第一和第二襯底粘合到一起時，對第一和第二襯底110和150加熱的溫度范圍只使得連接圖形132選擇性熔融。由此可以提高連接圖形132和第二電極156之間的粘合性。所以，連接圖形132在與第二電極156接觸的第一部分“IV”所具有的截面面積大于與第一部分“IV”相鄰的第二部分“V”的截面面積。
當(dāng)在各襯底上形成陣列元件和有機(jī)EL二極管之后，將各襯底粘合到一起，使得連接圖形與陣列元件和有機(jī)EL二極管相接觸。在粘合襯底的工序中，使連接圖形的熔融溫度低于有機(jī)EL二極管的熔融溫度，這樣將不會使有機(jī)EL二極管受到損害而且使連接圖形得以熔融。由于熔融的連接圖形與第二電極接觸并且因表面張力而沿第二電極的表面擴(kuò)散，所以連接圖形在與第二電極接觸的第一部分上的截面面積將大于與第一部分相鄰的第二部分的截面面積。因此，可提高粘合性。
連接圖形132可以包括鎵銦(GaIn)合金、鉛錫(PbSn)合金、鉛錫銀(PbSnAg)合金、錫銦(SnIn)合金、錫銦銅(SnInCu)合金、和錫銦銀(SnInAg)合金中的至少一種。盡管圖5中未示出，但是在密封劑圖形160的內(nèi)部可以設(shè)置吸濕劑。
圖6是按照本發(fā)明所述另一個示例性有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性剖面圖。在圖6中，將第一和第二襯底210和250設(shè)置成彼此面對且相互相隔一定距離，其中第一和第二襯底210和250可以具有多個分象素區(qū)“Psub”。此外，在每個分象素區(qū)“Psub”中第一襯底210的內(nèi)表面上形成包含薄膜晶體管(TFT)“T”的陣列元件層240。盡管圖6中未示出，但是陣列元件層240可以包括柵極線、數(shù)據(jù)線、電源線和共用線。然后，在第二襯底250的內(nèi)表面上依次形成第一電極252和有機(jī)電致發(fā)光(EL)層254，而在每個分象素區(qū)“Psub”的有機(jī)EL層254上形成第二電極256。因此，圖6中的有機(jī)EL裝置可以是頂部發(fā)光型OELD裝置，其中光可以朝第一電極252發(fā)射。
在圖6中，第二圖形232可以包括半球形的第一圖形232a和覆蓋在第一圖形232a上的第二圖形232b，其中第一圖形232a的平坦表面可以面對陣列元件層240。此外，形狀與第一圖形232a相適應(yīng)的第二圖形232b可以與TFT“T”以及第二電極256相接觸。例如，第一圖形232a可以用光刻膠通過包含曝光和顯影步驟的照相平版印刷工藝而形成。而且，第二圖形232b可以用熔融溫度低于形成有機(jī)EL裝置其他材料熔融溫度的金屬材料制成。例如，第二圖形232b的熔融溫度可以低于第二電極256的熔融溫度。第二圖形232b可以包括鎵銦(GaIn)合金、鉛錫(PbSn)合金、鉛錫銀(PbSnAg)合金、錫銦(SnIn)合金、錫銦銅(SnInCu)合金、和錫銦銀(SnInAg)合金中的至少一種。
在圖6中，由于連接圖形232可以具有雙層結(jié)構(gòu)，所以能很容易地調(diào)節(jié)連接圖形232的厚度(高度)。而且，如圖6所示，第二圖形232b在與第二電極256接觸的第一部分“IV”處的截面面積大于與第一部分“IV”相鄰的第二部分“V”。
圖7A-7C是按照本發(fā)明所述制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置示例性方法的示意性剖面圖。在圖7中，在第一襯底310上形成包含半導(dǎo)體層314、柵極316、源極318和漏極320的薄膜晶體管(TFT)“T”，在TFT“T”上形成具有漏極接觸孔322的鈍化層324，其中漏極接觸孔322可以暴露漏極320。接著，在鈍化層324上形成半球形的第一圖形332a，其中第一圖形332a可以用絕緣材料例如光刻膠制作。因此，可以使光刻膠形成半球形并使第一圖形的平坦表面面對鈍化層324。此外，在未填充漏極接觸孔322的情況下，將第一圖形332a在靠近漏極接觸孔322處設(shè)置。
在圖7B中，在第一圖形332a上形成第二圖形332b，并使第二圖形332b通過漏極接觸孔322與漏極320連接。此外，第二圖形332b的結(jié)構(gòu)對應(yīng)于第一圖形332a而且用金屬材料制成，所述金屬材料的熔融溫度比形成有機(jī)電致發(fā)光(EL)裝置其他材料即，第二襯底的第二電極的熔融溫度低。第一和第二圖形332a和332b構(gòu)成連接圖形332，其中第二圖形332b可以包括鎵銦(GaIn)合金、鉛錫(PbSn)合金、鉛錫銀(PbSnAg)合金、錫銦(SnIn)合金、錫銦銅(SnInCu)合金、和錫銦銀(SnInAg)合金中的至少一種。
在圖7C中，在第二襯底350上形成第一電極352，在第一電極352上形成有機(jī)EL層354，和在有機(jī)EL層354上形成第二電極356。第一和第二電極352和356以及設(shè)在它們中間的有機(jī)EL層354構(gòu)成有機(jī)EL二極管“DEL”。盡管圖7中未示出，但是可以沿第一和第二襯底310和350中之一或兩者的周邊部分形成密封劑圖形。在將第二襯底350與第一襯底310對準(zhǔn)使第二電極356面對連接圖形332之后，用成形密封劑(未示出)將第一和第二襯底310和350粘合到一起。在襯底粘合工序中，第二電極356與連接圖形332接觸。
當(dāng)?shù)诙姌O356與連接圖形332接觸時，對第一和第二襯底310和350進(jìn)行加熱以提高第二電極356和連接圖形332之間的接觸性能。例如，通過采用真空加壓的焊接法可以使第二電極356和連接圖形332有效接觸，由此可以將第一襯底加熱到使第二圖形332b的金屬材料熔融的溫度范圍。例如，溫度范圍可以在約100℃-約160℃。由于采用焊接法可以使第二電極356與連接圖形332相接觸，所以連接圖形的第二圖形332b在與第二電極356接觸的第一部分“IV”處的截面面積大于與第一部分“IV”相鄰的第二部分“V”。因此，提高了第二電極356和連接圖形332之間的接觸性能。
本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置具有一些優(yōu)點(diǎn)。首先，提高了產(chǎn)量和生產(chǎn)管理效率，并且延長了有機(jī)EL裝置的工作壽命。第二，由于有機(jī)EL裝置是頂部發(fā)光型OELD裝置，所以很容易設(shè)計薄膜晶體管，并且可獲得高孔徑比和高圖像分辨率。第三，由于有機(jī)EL裝置具有封閉的結(jié)構(gòu)，所以可防止大氣滲入有機(jī)EL裝置。第四，由于有機(jī)EL二極管和薄膜晶體管之間的接觸性能得到改善，所以提高了可靠性。
對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，很顯然，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思或范圍的情況下，可以對本發(fā)明所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置和制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意在覆蓋那些落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，包括彼此面對且相隔一定距離的第一和第二襯底，所述第一和第二襯底具有多個分象素區(qū)；設(shè)在第一襯底內(nèi)表面上多個分象素區(qū)中每一個分象素區(qū)上的薄膜晶體管；設(shè)在第二襯底內(nèi)表面上的第一電極；設(shè)在第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光層；設(shè)在多個分象素區(qū)中每一個分象素區(qū)內(nèi)有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極；和使薄膜晶體管與第二電極接觸的連接圖形；其中連接圖形的熔融溫度低于第二電極的熔融溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，連接圖形具有與第二電極接觸的第一部分和與第一部分鄰接的第二部分，而且第一部分的截面面積大于第二部分的截面面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，第一電極包括透明材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)在連接圖形和第一襯底之間的島形緩沖圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，緩沖圖形為半球形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，緩沖圖形包括光刻膠、感光丙烯酸樹脂、和聚酰亞胺材料中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，連接電極包括鎵銦(GaIn)合金、鉛錫(PbSn)合金、鉛錫銀(PbSnAg)合金、錫銦(SnIn)合金、錫銦銅(SnInCu)合金、和錫銦銀(SnInAg)合金中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，其中薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極、源極和漏極，而且連接圖形與漏極接觸。
9.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括在具有多個分象素區(qū)的第一襯底上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管對應(yīng)于多個分象素區(qū)中的每一個分象素區(qū)；在薄膜晶體管上形成鈍化層，所述鈍化層上具有用于暴露薄膜晶體管的接觸孔；在鈍化層上形成連接圖形，所述連接圖形通過接觸孔與薄膜晶體管接觸；在具有多個分象素區(qū)的第二襯底上形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)電致發(fā)光層；在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極，所述第二電極對應(yīng)于多個分象素區(qū)中的每一個分象素區(qū)；和粘合第一及第二襯底使得連接圖形與第二電極接觸，其中連接圖形的熔融溫度低于第二電極的熔融溫度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在第一和第二襯底之間形成密封劑圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，連接圖形通過焊接與第二電極接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，焊接是在真空下進(jìn)行的。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在焊接過程中，將第一襯底加熱到約100℃-約160℃的溫度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在焊接過程中對第一和第二襯底進(jìn)行加壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，連接圖形具有與第二電極接觸的第一部分和與第一部分鄰接的第二部分，而且第一部分的截面面積大于第二部分的截面面積。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)在鈍化層和連接圖形之間的島形緩沖圖形。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，緩沖圖形為半球形。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，緩沖圖形包括光刻膠、感光丙烯酸樹脂、和聚酰亞胺材料中的一種。
19.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，連接電極包括鎵銦(GaIn)合金、鉛錫(PbSn)合金、鉛錫銀(PbSnAg)合金、錫銦(SnIn)合金、錫銦銅(SnInCu)合金、和錫銦銀(SnInAg)合金中的至少一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，連接圖形通過表面張力和擴(kuò)散與第二電極接觸。
21.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括在具有多個分象素區(qū)的第一襯底上形成薄膜晶體管；在薄膜晶體管上形成鈍化層，所述鈍化層上具有用于暴露薄膜晶體管的接觸孔；在鈍化層上形成可通過接觸孔與薄膜晶體管接觸的連接圖形；在具有多個分象素區(qū)的第二襯底上形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)電致發(fā)光層；在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極；和將第一和第二襯底粘合使得連接圖形在第一溫度下熔融并與第二電極接觸。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在第一和第二襯底之間形成密封劑圖形。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，連接圖形通過焊接與第二電極接觸。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，焊接是在真空下進(jìn)行的。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，在焊接過程中，將第一襯底加熱到約100℃-約160℃的溫度。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，在焊接過程中對第一和第二襯底進(jìn)行加壓。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，連接圖形具有與第二電極接觸的第一部分和與第一部分鄰接的第二部分，而且第一部分的截面面積大于第二部分的截面面積。
28.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在鈍化層和連接圖形之間形成島形緩沖圖形。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，緩沖圖形為半球形。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，緩沖圖形包括光刻膠、感光丙烯酸樹脂、和聚酰亞胺材料中的一種。
31.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，連接電極包括鎵銦(GaIn)合金、鉛錫(PbSn)合金、鉛錫銀(PbSnAg)合金、錫銦(SnIn)合金、錫銦銅(SnInCu)合金、和錫銦銀(SnInAg)合金中的至少一種。
32.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，連接圖形通過表面張力和擴(kuò)散與第二電極接觸。
全文摘要
本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括彼此面對且相隔一定距離的第一和第二襯底，所述第一和第二襯底具有多個分象素區(qū)，設(shè)在第一襯底內(nèi)表面上多個分象素區(qū)中每一個象素區(qū)上的薄膜晶體管，設(shè)在第二襯底內(nèi)表面上的第一電極，設(shè)在第一電極上的有機(jī)電致發(fā)光層，設(shè)在多個分象素區(qū)中每一個分象素區(qū)內(nèi)有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極，和使薄膜晶體管與第二電極接觸的連接圖形，其中連接圖形的熔融溫度低于第二電極的熔融溫度。
文檔編號H01L51/00GK1477913SQ0314592
公開日2004年2月25日 申請日期2003年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月18日
發(fā)明者樸宰用, 兪忠根, 金玉姬, 李南良, 金官洙 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社