專利名稱：半導(dǎo)電水密組成物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有半導(dǎo)電性和水密性的半導(dǎo)電水密組成物和使用該組成物的絕緣電線。
背景技術(shù)：
以往，已知的水密絕緣電線是將水密性組成物填充到導(dǎo)體單股線間的空隙里，以防止水侵入到導(dǎo)體單股線間、水在導(dǎo)體內(nèi)移動(dòng)。
而且，也有一種絕緣電線，在導(dǎo)體和絕緣體之間設(shè)置由半導(dǎo)電性組成物構(gòu)成的半導(dǎo)電層，以緩和電場(chǎng)梯度。
上述的水密絕緣電線中，為了將水密性組成物填充到導(dǎo)體單股線間，在將單股線加捻合股時(shí)，使水密性組成物構(gòu)成的帶、細(xì)繩同時(shí)進(jìn)行加捻合股，因此有作業(yè)較麻煩的缺點(diǎn)。
因此，如果能對(duì)加捻合股后的導(dǎo)體用擠壓包覆等方法將水密性組成物填充到該導(dǎo)體單股線之間，則能大大改善作業(yè)性。
如果對(duì)導(dǎo)體能用擠壓包覆等方法填充水密性組成物，并使該水密性組成物帶有半導(dǎo)電性，則能同時(shí)形成半導(dǎo)電層或內(nèi)部半導(dǎo)電層，就能進(jìn)一步改善絕緣電線的制造作業(yè)性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)而作出的，其目的是提供一種半導(dǎo)電水密組成物，它是能對(duì)加捻合股后的導(dǎo)體，用擠壓包覆等方法將水密性組成物填充到該導(dǎo)體的單股線之間，與填充作業(yè)同時(shí)地形成半導(dǎo)電層或內(nèi)部半導(dǎo)電層。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種將半導(dǎo)電水密組成物填充到導(dǎo)體的單股線之間，而且包覆在導(dǎo)體上的絕緣電線。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第1實(shí)施例提供一種半導(dǎo)電水密組成物，其中含有100重量份的基礎(chǔ)聚合物、10～30重量份的粘接性聚合物、40～80重量份的乙炔炭黑或爐黑；上述基礎(chǔ)聚合物含有乙烯-醋酸乙烯共聚物或乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。
本發(fā)明第2實(shí)施例提供一種半導(dǎo)電水密組成物，其中含有100重量份的基礎(chǔ)聚合物、10～30重量份的粘接性聚合物、5～50重量份的煙黑；上述基礎(chǔ)聚合物含有乙烯-醋酸乙烯共聚物或乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。
本發(fā)明第3實(shí)施例提供一種絕緣電線，它是將上述第1或第2實(shí)施例所述的半導(dǎo)電水密組成物填充在導(dǎo)體單股線之間、而且包覆在導(dǎo)體上而構(gòu)成。
本發(fā)明第4實(shí)施例提供一種絕緣導(dǎo)線的制法，它是將第1或第2實(shí)施例所述的半導(dǎo)電水密組成物擠壓包覆在導(dǎo)體上并填充到導(dǎo)體單股線之間，而且包覆在導(dǎo)體上。
本發(fā)明第5實(shí)施例所提供的絕緣電線是如第3實(shí)施例所述的聚乙烯絕緣電線。
本發(fā)明第6實(shí)施例所提供的絕緣電線是如第3實(shí)施例所述的交聯(lián)聚乙烯絕緣電線。
如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)電水密組成物中，由于它的熔融粘度較低，因而在擠壓包覆到導(dǎo)體上時(shí)，能完全侵入到單股線之間的空隙里，完整地填埋該空隙，形成有良好水密性的水密層。由于該半導(dǎo)電水密組成物具有對(duì)金屬的良好粘接性，因而水密層能很好地與導(dǎo)體的單股線密接，并由此產(chǎn)生高的水密性。
由于水密層與半導(dǎo)電層的形成是同時(shí)地用1次擠壓包覆作業(yè)進(jìn)行的，因而能提高作業(yè)性。
因而使本發(fā)明的絕緣電線有高度水密性，其水密層和半導(dǎo)電層的形成能一次進(jìn)行、能形成制造作業(yè)性高的產(chǎn)品。


圖1是表示本發(fā)明的絕緣電線的一個(gè)實(shí)施例的概略斷面圖。
圖2是表示本發(fā)明的絕緣電線的另一個(gè)實(shí)施例的概略斷面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是表示本發(fā)明的絕緣電纜的一個(gè)實(shí)施例的概略斷面圖。圖中的符號(hào)1表示導(dǎo)體，導(dǎo)體1是由多條銅、銅合金、鋁、鋁合金等構(gòu)成的單股線加捻合股形成的。圖面上，為了容易理解、將導(dǎo)體1的單股線之間的空隙比實(shí)際放大地表示。
在這導(dǎo)體1的各條單股線間的空隙里，填充著本發(fā)明的半導(dǎo)電水密組成物，形成水密層2；而且在導(dǎo)體1的表面上、也包覆著同樣的半導(dǎo)電水密組成物，形成厚度為0.01～2mm程度的半導(dǎo)電層3。
形成水密層2和半導(dǎo)電層3的半導(dǎo)電水密組成物是樹脂組成物，它所含的必須成分是100重量份的基礎(chǔ)聚合物、10～30重量份的粘接性聚合物、作為炭黑的40～80重量份的乙炔炭黑或爐黑或者作為炭黑的5～50重量份煙黑。
其中，基礎(chǔ)聚合物可使用乙烯-醋酸乙烯共聚體(EVA)、乙烯-乙基丙烯酸乙酯共聚體(EEA)、乙烯-甲基丙烯酸乙酯共聚體(EMA)、乙烯-甲基異丁烯酸酯共聚體(EMMA)等有極性基的1種或2種以上乙烯類共聚合物，所用的基礎(chǔ)聚合物都必需含有EVA或EEA等成分。
作為EVA，其醋酸乙烯基含量在47重量％以下；較好的是10～33重量％；最好是含19～33重量％。而且它的熔融流動(dòng)率(MFR、用JIR、K6760測(cè)定)是1～300；較好的是1～150；最好是3～100。
醋酸乙烯基含量超過47重量％的EVA，由于難制成顆粒形狀，因而沒有市售的；MFR不滿1的，不能將這組成物填充到導(dǎo)體1的單股線之間的空隙里；當(dāng)超過300時(shí)，機(jī)械強(qiáng)度降低，有延展絕緣電線時(shí)的外力破壞水密層2、半導(dǎo)電層3的問題。
為了得到上述的醋酸乙烯基的含量和MFR，可將2種以上的EVA混合。
作為EEA，其乙基丙烯酸乙酯含量在35重量％以下；最好是含13～35重量％的。而且，它的熔融流動(dòng)率(MFR、用JIS K6760測(cè)定)是1～300；較好的是1～150；最好是3～100。
乙基丙烯酸乙酯含量超過35重量％的EEA，由于從安全性方面考慮，有難于制造的問題，因而沒有市售；MFR不滿1的，不能將這組成物填充到導(dǎo)體1的單股線之間的空隙里；當(dāng)超過300時(shí)，機(jī)械強(qiáng)度降低，有延展絕緣導(dǎo)體時(shí)的外力破壞水密層2、半導(dǎo)電層3的問題。
為了得到上述的乙基丙烯酸乙酯的含量和MFR，可將2種以上的EEA混合。
因此，這種基礎(chǔ)聚合物的熔融粘度非常低，熔融時(shí)的流動(dòng)較好，用擠壓包覆時(shí)的10～30MPa的壓力就能將半導(dǎo)電水密組成物填充到單股線之間的空隙里。
作為粘接性聚合物可使用無水馬來酸、馬來酸、丙烯酸等經(jīng)不飽和羧酸改性的或接枝聚合的低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、聚丙烯、EVA、EEA或加氫脂環(huán)屬石油樹脂等1種或2種以上。
這些粘接性聚合物中的不飽和羧酸的結(jié)合量為0.5～5重量％程度。
粘接性聚合物相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100重量份的混合量為10～30重量份，混合量不滿10重量份的，粘接性提高不充分，混合量超過30重量份的早已被認(rèn)為不會(huì)增大其效果。
粘接性聚合物能提高對(duì)金屬的粘接性、能與導(dǎo)體1的單股線良好地密接，因此能使水密性提高。
本發(fā)明的半導(dǎo)電水密組成物中還能混合上述以外的聚合物。這種聚合物可例舉的有低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯等的聚烯烴類聚合物，由這些聚合物能調(diào)節(jié)半導(dǎo)電水密組成物的MFR、機(jī)械特性、熱變形溫度等熱特性。而且，也可相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100重量份、混合5～20重量份程度的吸水性聚合物，借助這種混合，在浸入水里時(shí)，可吸收水分而使半導(dǎo)電水密組成物的體積膨脹成數(shù)倍，能確實(shí)地防止水的再侵入。
用來產(chǎn)生半導(dǎo)電性的碳黑，可例舉乙炔炭黑、爐黑作為第1組。所用的乙炔炭黑、粒徑是35μm、表面積(BET)是68m2/g、DBP吸油量是175ml/100g。所用的爐黑，其粒徑是25～55μm、表面積(BET)是33～225m2/g、DBP吸油量是135～170ml/100g。
作為乙炔炭黑的具體物體，譬如有デンカ黑(商品名，電氣化學(xué)工業(yè)(株)制)等。作為爐黑的具體物體有「BP3500」(商品名，由“キャボット·スペシャルテ?！ぅ饱撺毳骸惫局?。
可例舉煙黑作為第2組碳黑。所用的煙黑的粒徑是1～50μm；表面積(BET)是700～1300m2/g；DBP吸油量是350～500ml/100g。
煙黑的具體物體有「煙黑EC」、「煙黑EC-600JD」(商品名，煙黑·國際公司制)等。
碳黑的混合量是相對(duì)于100重量份的基礎(chǔ)聚合物、用40～80重量份的乙炔炭黑和爐黑、最好取50～70重量份。不滿40重量份時(shí)，不能得到必要的導(dǎo)電性；超過80重量份時(shí)，組成物的熔融粘度增高，就難于填充。
添加少量煙黑就能得到高的導(dǎo)電性，因此相對(duì)100重量份的基礎(chǔ)聚合物，只添加5～50重量份；較好的是10～40重量份；最好是15～35重量份。不滿5重量份時(shí)，不能得到必要的導(dǎo)電性；超過50重量份時(shí)組成物的熔融粘度增高、就難于填充。
在這種半導(dǎo)電水密組成物里，除了添加上述物體之外，還可添加氧化防止劑、銅害防止劑、交聯(lián)劑等。譬如，四[亞甲基-3(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]甲烷等氧化防止劑；苯并三唑、3-(N-水楊酰基)氨基-1，2，4-三唑等銅害防止劑；二枯烯基過氧化物、乙烯基三甲氧基硅烷等交聯(lián)劑。
這種混合組成的半導(dǎo)電水密組成物中，作為組成物的MFR是1以上，最好是10以上通過將MFR取成這范圍，就能用擠壓包覆方法將其擠入而填充到導(dǎo)體1的單股線間的空隙里。
這種半導(dǎo)電水密組成物的體積電阻率為101～106Ω·cm。借助碳黑混合量的調(diào)整，能簡便地得到該范圍的導(dǎo)電性。
上述半導(dǎo)電層3的上面覆蓋絕緣體4后就構(gòu)成本實(shí)施例的絕緣電線。這種絕緣體4由聚乙烯或交聯(lián)聚乙烯構(gòu)成，它的厚度為1～30mm程度。
絕緣體4由交聯(lián)聚乙烯構(gòu)成，其中可用由化學(xué)交聯(lián)、硅烷交聯(lián)、電子射線交聯(lián)等任意一種方法形成的交聯(lián)聚乙烯?；瘜W(xué)交聯(lián)可采用添加了二枯烯基過氧化物等的有機(jī)過氧化物的低密度聚乙烯。硅烷交聯(lián)可采用在低密度聚乙烯里添加了乙烯硅烷、有機(jī)過氧化物、有機(jī)錫化合物等縮合催化劑的組成物，或在硅烷接枝物里添加縮合催化劑的組成物。
形成絕緣體4的交聯(lián)聚乙烯的交聯(lián)度，凝膠度取為40～90％，不滿40％的，耐熱性不充分；超過90％的難以進(jìn)行長時(shí)間的擠壓作業(yè)。
而且，最好在形成絕緣體4的聚乙烯、交聯(lián)聚乙烯中的任何一種中通過添加0.5～1重量％「バルカン9A-32」(商品名“キャボツト·スペシャルティ·ケミカルズィンク制)等的碳黑，提高絕緣體4的耐氣候特性。
這種絕緣電線的制造是如下所述地進(jìn)行的。
先用二軸擠壓機(jī)、混合機(jī)、密閉式混合機(jī)等將上述混合組成的半導(dǎo)電水密組成物熔融混勻，再由造粒機(jī)將其形成顆粒。
接著，用擠壓機(jī)將上述顆粒擠壓包覆在導(dǎo)體1上。這個(gè)擠壓包覆由裝著通常的十字頭模具的擠壓機(jī)進(jìn)行。
這時(shí)，由于半導(dǎo)電水密組成物是在熔融狀態(tài)、而且在10～30Mpa的高壓下、被擠壓到導(dǎo)體1上，并且組成物的熔融粘度又是如上所述地較低，因而就侵入到導(dǎo)體1的單股線間僅有的空隙里、將其填埋而構(gòu)成水密層2。與此同時(shí)，在導(dǎo)體1的外表面上也包覆半導(dǎo)電水密組成物、形成半導(dǎo)電層3。
接著，將形成絕緣體4的聚乙烯組成物擠壓包覆在上述半導(dǎo)電層3上。上述半導(dǎo)電水密組成物和聚乙烯組成物的擠壓包覆可二層同時(shí)擠壓、一起進(jìn)行。
絕緣體4是由交聯(lián)聚乙烯構(gòu)成的，接著進(jìn)行交聯(lián)。
由化學(xué)交聯(lián)形成的，借助過熱水蒸氣、加熱蒸氣等加熱進(jìn)行。由硅烷交聯(lián)形成的，借助與大氣中的水分、蒸氣、溫水等水分的接觸而進(jìn)行。由電子射線交聯(lián)形成的，借助照射5～30Mrad程度的電子射線進(jìn)行。
為了使絕緣電線的縮回特性變得良好，也可以在擠壓包覆之后，在空氣中或在溫水中漸漸冷卻。
在這樣形成的絕緣電線中，由于上述半導(dǎo)電水密組成物的熔融粘度較低，因而能完全侵入到導(dǎo)體1的單股線間、完整地填埋該空隙，形成良好的水密層2。又因?yàn)榘雽?dǎo)電水密組成物對(duì)金屬的粘接性良好，所以水密層2與單股線良好地密接。因此，該絕緣電線有高的水密性。
由于水密層2和半導(dǎo)電層3可用1次擠壓包覆作業(yè)同時(shí)形成，因而能使作業(yè)性提高。
圖2是表示本發(fā)明絕緣電纜的另一個(gè)實(shí)施例的斷面圖，它是一個(gè)所謂的CV電纜的例子。圖2中，與圖1所示的相同結(jié)構(gòu)部分都用相同的符號(hào)，并省略對(duì)它們的說明。
這個(gè)實(shí)施例的電纜是將上述的半導(dǎo)電水密組成物填充到導(dǎo)體1的單股線之間的空隙里而形成水密層2；將半導(dǎo)電水密組成物包覆在這導(dǎo)體1上而設(shè)置內(nèi)部半導(dǎo)電層3。這個(gè)內(nèi)部半導(dǎo)電層3是和上述實(shí)施例的半導(dǎo)電層3同樣的。
在內(nèi)部半導(dǎo)電層3上設(shè)置著由交聯(lián)聚乙烯構(gòu)成的絕緣體4，在這絕緣體4上設(shè)置著由半導(dǎo)電性樹脂組成物構(gòu)成的外部半導(dǎo)電層5。而且，在這外部半導(dǎo)電層5上還設(shè)置著由銅帶構(gòu)成的屏蔽層6，在這屏蔽層6上設(shè)置著由聚氧化乙烯、聚乙烯等構(gòu)成的外皮7，由此形成本實(shí)施例的CV電纜。
形成絕緣體4的交聯(lián)聚乙烯是使用由化學(xué)交聯(lián)、硅烷交聯(lián)而形成交聯(lián)的低密度聚乙烯，具體的交聯(lián)方法與前面的實(shí)施例所說的相同。形成外部半導(dǎo)電層5的半導(dǎo)電性樹脂組成物可使用適當(dāng)添加了碳黑的聚乙烯、EVA、EEA等聚合物；也可使用上述形成內(nèi)部半導(dǎo)電層3的半導(dǎo)電水密組成物。
這個(gè)實(shí)施例的電纜的制造是與上述實(shí)施例同樣地進(jìn)行，即、在導(dǎo)體1上擠壓包覆半導(dǎo)電水密組成物、以形成水密層2和內(nèi)部半導(dǎo)電層3，接著、擠壓包覆未交聯(lián)的聚乙烯組成物，以形成絕緣體4；再在其上擠壓包覆半導(dǎo)電性樹脂組成物，以形成外部半導(dǎo)電層5；由此形成電纜芯。這3次擠壓包覆作業(yè)可用3層同時(shí)擠壓的方法、在1次擠壓作業(yè)中進(jìn)行。
接著、將這電纜芯加熱或使其與水分接觸，在將絕緣體4等交聯(lián)之后，在其上卷繞銅帶條等，以形成屏蔽層6，再擠壓包覆聚氧化乙烯組成物、聚乙烯組成物等，以形成外皮7。
在這個(gè)實(shí)施例的CV電纜中、形成水密層2的半導(dǎo)電性樹脂組成物和形成內(nèi)部半導(dǎo)電層3的半導(dǎo)電水密組成物未必是同一種物質(zhì)，這時(shí)就進(jìn)行2次分別使用不同的半導(dǎo)電水密組成物的擠壓包覆。當(dāng)然，可用多層同時(shí)擠壓包覆來進(jìn)行這電纜制造。
這樣的CV電纜中，由于上述的半導(dǎo)電水密組成物的熔融粘度較低，因而能完全侵入到導(dǎo)體1的單股線之間、完整地填埋它的空隙，形成良好的水密層2。由于半導(dǎo)電水密組成物具有良好的對(duì)金屬的粘接性，因而水密層2與單股線良好地密接。由此，能使這CV電纜具有很高的水密性。
由于水密層2和半導(dǎo)電層3的形成是同時(shí)地、用1次擠壓包覆作業(yè)進(jìn)行的，因而能提高作業(yè)性。
下面，表示具體的例子。
制備了表1～3所示試驗(yàn)編號(hào)是1～22的混合組成的半導(dǎo)電水密組成物。在將銅制單股線19股捻合成的外徑為14.5mm，斷面積為120mm2的圓形導(dǎo)體上、在溫度190～210℃、壓力10～15Mpa的狀態(tài)下、擠壓包覆上述半導(dǎo)電水密組成物，形成水密層和厚度為0.1mm的半導(dǎo)電層。在其上設(shè)置由硅烷交聯(lián)的交聯(lián)聚乙烯構(gòu)成的厚度為3.7mm的絕緣體，由此制作成絕緣電線。
對(duì)這些絕緣電線的體積電阻率、水密特性A、水密特性B、密接度、引出性等進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
體積電阻率是以日本橡膠協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格(SRIS 2301導(dǎo)電性橡膠和塑料的體積電阻率試驗(yàn)方法)為準(zhǔn)，用惠斯登電橋法實(shí)施。
水密特性A是在長度為2m的絕緣電線一端的切斷開口部、加壓力為0.01MPa的水壓、24小時(shí)；將水不從電線的另一端漏出的作為合格，漏出的作為不合格。
水密特性B是除了將水壓取成0.05MPa以外，其余與水密特性A同樣地實(shí)施、評(píng)價(jià)。
密接性是使用專用試驗(yàn)夾具(格姆拉)，保持700Kg×10分鐘時(shí)間、絕緣體不破壞的作為合格，破壞的作為不合格。
引出性是使用專用試驗(yàn)夾具，導(dǎo)體和絕緣體之間的半導(dǎo)電層剝離的作為引出性良好，不能剝離的作為不良。
這些試驗(yàn)結(jié)果表示在表1～3里。
在體積電阻率的值中，例如、「3E+4」是表示3×104。
用同樣的半導(dǎo)電水密組成物、擠壓包覆在外徑為20mm、斷面積為400mm2、捻線數(shù)是61條的圓形導(dǎo)體上，形成水密層和厚度為0.1mm的內(nèi)部半導(dǎo)電層。在其上設(shè)置由硅烷交聯(lián)形成的交聯(lián)聚乙烯構(gòu)成的厚度為3mm的絕緣體；在其上依次設(shè)置厚度為0.7mm的外部半導(dǎo)電層、由銅帶條的卷繞形成的屏蔽層和厚度為2mm的由氧化乙烯樹脂構(gòu)成的外皮，由此制作成CV電纜。
對(duì)這種CV電纜的水密特征C、水密特征D進(jìn)行測(cè)定和評(píng)價(jià)。
水密特征C是以IEC254/97為準(zhǔn)，在長度為3m的電纜中央部形成長度為50mm的導(dǎo)體露出部，設(shè)置將這導(dǎo)體露出部圍住的密閉容器，將0.01MPa的水壓施加到該密閉容器內(nèi)，在室溫下進(jìn)行16小時(shí)的熱循環(huán)共10天；在90℃下進(jìn)行8小時(shí)的熱循環(huán)共10天，水不從電纜的端部漏出的為合格，漏出的為不合格。
水密特性D是除了將水密特征A中的水壓取成1MPa以外，其余都是同樣地進(jìn)行實(shí)施、評(píng)價(jià)。
其結(jié)果也合并地表示在表1～表3里。
在表1～表3中，「EVA1」表示醋酸乙烯含量為28重量％、MFR15的乙烯-醋酸乙烯共聚物；「EVA2」表示醋酸乙烯含量為28重量％、MFR400的乙烯-醋酸乙烯共聚物；「EVA3」表示醋酸乙烯含量為28重量％、MFR0.1的乙烯-醋酸乙烯共聚物。
「EEA1」是表示丙烯酸乙酯含量為25重量％、MFR25的乙烯-丙烯酸乙酯共聚物；「EEA2」是表示丙烯酸乙酯含量為25重量％、MFR275的乙烯-丙烯酸乙酯共聚物；「EEA3」是表示乙基丙烯酸乙酯含量為25重量％、MFR800的乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。
「粘接性聚合物」是表示密度為0.92g/cm3、MFR300、馬來酸改性量為1重量％的低密度聚乙烯?！敢胰蔡肌故潜硎倦姎饣瘜W(xué)(株)制「デンカ黑」(商品名)?！笭t炭」是表示“キャボット·スペシャルテ?！ぅ饱撺毳骸惫局啤窧P3500」(商品名)?！笩熖俊故潜硎緹熀凇?國際公司制「煙EC」(商品名)。
「老化防止劑」是四[亞甲基-3(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]甲烷?！窪CP」是二枯烯基過氧化物，「硅烷化合物」是乙烯基三甲氧基硅烷。
表1

表2

表3

權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)電水密組成物，其特征在于，含有100重量份的基礎(chǔ)聚合物、10～30重量份的粘接性聚合物、40～80重量份的乙炔炭黑或爐黑；上述基礎(chǔ)聚合物含有乙烯-醋酸乙烯共聚物或乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。
2.一種半導(dǎo)電水密組成物，其特征在于，含有100重量份的基礎(chǔ)聚合物、10～30重量份的粘接性聚合物、5～50重量份的煙黑；上述基礎(chǔ)聚合物含有乙烯-醋酸乙烯共聚物或乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。
3.一種絕緣電線，其特征在于，它是將上述權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)電水密組成物填充在導(dǎo)體單股線之間、而且包覆在導(dǎo)體上而構(gòu)成。
4.一種絕緣電線的制法，其特征在于，將上述權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)電水密組成物擠壓包覆在導(dǎo)體上、并填充到導(dǎo)體單股線之間，而且包覆在導(dǎo)體上。
5.如權(quán)利要求3所述的絕緣電線，其特征在于，它是聚乙烯絕緣電線。
6.如權(quán)利要求3所述的絕緣電線，其特征在于，它是交聯(lián)聚乙烯絕緣電線。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)電水密組成物，它是能對(duì)加捻合股后的導(dǎo)體，用擠壓包覆等方法、將水密性組成物填充到導(dǎo)體的單股線之間，與填充同時(shí)地形成半導(dǎo)電層或內(nèi)部半導(dǎo)電層。還提供一種將半導(dǎo)電水密組成物填充到導(dǎo)體的單股線之間，而且包覆在導(dǎo)體上的絕緣電線。將半導(dǎo)電水密組成物擠壓包覆在加捻合股后的導(dǎo)體(1)上，填充到導(dǎo)體(1)的單股線之間的空隙里，與形成水密層(2)同時(shí)地包覆到導(dǎo)體(1)的外周面上、形成半導(dǎo)電層(2)。半導(dǎo)電水密組成物中使用樹脂組成物，它的必要成分是含EVA或EEA的基礎(chǔ)聚合物100重量份、粘接性聚合物10～30重量份、作為碳黑的乙炔炭黑或爐黑40～80重量份、或作為碳黑的煙黑5～50重量份。
文檔編號(hào)H01B3/30GK1415654SQ0210742
公開日2003年5月7日 申請(qǐng)日期2002年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月2日
發(fā)明者鈴木淳, 千艘智充, 田代勉, 池田友彥, 小川達(dá)也, 英久仁夫, 清見廣和 申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉