專利名稱：樹脂密封型半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有多列外部端子的Land Grid Array(LGA)型樹脂密封半導(dǎo)體裝置。


圖11是現(xiàn)有QFN型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖12是用于現(xiàn)有QFN型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的引線架的俯視圖。如圖12所示、用于現(xiàn)有的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的引線架具備矩形墊板101、懸掛引線108和多個(gè)內(nèi)引線103；墊板101配置在框架主體的框體107開口區(qū)域的中央部位置，懸掛引線108一端與墊板101的各角部相連接、另一端與框體107相連接、支持著墊板101，多個(gè)內(nèi)部引線103的前端與墊板101的各邊相對(duì)。而且，現(xiàn)有的QFN型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置(組件)由引線架的墊板101、懸掛引線108及內(nèi)引線103、粘接在引線架墊板101上的半導(dǎo)體芯片102、將半導(dǎo)體芯片102的電極與內(nèi)引線103的一部分電氣連接起來(lái)的金屬細(xì)線104、將半導(dǎo)體芯片102、內(nèi)部引線103、金屬細(xì)線104、懸掛引線108及墊板101密封在引線架上側(cè)面上的密封樹脂105等各部分構(gòu)成。但是，墊板101的背面、內(nèi)引線103的背面及外側(cè)面都沒有覆蓋密封樹脂105，暴露在組件的背面或者側(cè)面。而且，暴露出來(lái)的內(nèi)引線103的背面部或者外側(cè)面部起到外部端子106的功能。
此外，在圖12中是將引線架中搭載一個(gè)半導(dǎo)體芯片的區(qū)域作為一個(gè)單元表示的，引線架全體是由多個(gè)圖12所示單元上下左右連續(xù)設(shè)置構(gòu)成的。
其次，說(shuō)明現(xiàn)有QFN型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖13(a)～(d)示出現(xiàn)有的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造工程、是沿圖12的XIII-XIII線的剖面圖。
首先，是圖13(a)所示工程，準(zhǔn)備如圖12所示的、具有能搭載半導(dǎo)體芯片的墊板101、支持墊板101的懸掛引線(圖中未示出)、前端與墊板101各邊相對(duì)的多個(gè)內(nèi)引線103的引線架(參照?qǐng)D11)。
其次，是圖13(b)所示工程，用粘接劑將半導(dǎo)體芯片102的背面和墊板101的上面粘接起來(lái)，將半導(dǎo)體芯片102搭載在引線架的墊板101上。
再次，是圖13(c)所示工程，用金屬細(xì)線104將半導(dǎo)體芯片102和內(nèi)引線103上面的鍵合用區(qū)域相互電氣連接。
而且，在圖13(d)所示工程中，在使板材(圖中未示出)與密封用金屬模上?；蛘呦履Ｕ掣降臓顟B(tài)下、將搭載了多個(gè)半導(dǎo)體芯片狀態(tài)的引線架設(shè)置在密封用金屬模上、進(jìn)行樹脂密封，將半導(dǎo)體芯片102、內(nèi)引線103、金屬細(xì)線104、懸掛引線108及墊板101密封在引線架上面?zhèn)鹊拿芊鈽渲?05內(nèi)。這時(shí)，墊板101、內(nèi)引線103的背面沒被密封樹脂105覆蓋、暴露出來(lái)。而且，沿著密封樹脂105的側(cè)面切斷引線架，使各個(gè)組件分離。在這個(gè)組件(樹脂密封型半導(dǎo)體裝置)中、內(nèi)部引線103的背面部及外方側(cè)面部起到外部端子106的功能。
上述現(xiàn)有QFN型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置作為小型的薄型半導(dǎo)體裝置雖然具有劃時(shí)代的結(jié)構(gòu)，但是，為了適應(yīng)搭載的半導(dǎo)體芯片引線數(shù)的增加和小型化、還有改善的余地。因此，近年來(lái)在進(jìn)一步小型化的同時(shí)、為了增加外部端子的數(shù)目，提出了在組件背面配置2列外部端子的LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的方案。
圖14(a)～(c)順序示出提出的LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的頂視圖、背面圖和沿XIVc-XIVc線的剖面圖。圖15是用于LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的引線架的俯視圖。如圖15所示，用于現(xiàn)有樹脂密封半導(dǎo)體裝置的引線架具備矩形墊板101、懸掛引線108、多個(gè)第1內(nèi)引線103a和第2內(nèi)引線103b。墊板101配置在作為框架主體的框體107的開口區(qū)域的中央部位置，懸掛引線108的一端與墊板101的各角部相連接、另一端與框體107相連接、支持著墊板101，多個(gè)第1內(nèi)引線103a的前端與墊板101的各邊相對(duì)，第2內(nèi)引線103b的前端延伸的比第1內(nèi)引線103a更靠近墊板101。
如圖14(a)～(c)所示，LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置(組件)具備粘接在墊板101上的半導(dǎo)體芯片102，第1、第2內(nèi)引線103a、103b，將半導(dǎo)體芯片102和第1、第2內(nèi)引線103a、103b分別電氣連接的金屬細(xì)線104，將半導(dǎo)體芯片102、各內(nèi)引線103a、103b、金屬細(xì)線104、懸掛引線(圖中未示出)及墊板101密封在引線架上面一側(cè)的密封樹脂105。但是，墊板101的背面、第1內(nèi)引線103a的外方側(cè)面及背面、第2內(nèi)引線103b的外方側(cè)面及前端部背面沒有被密封樹脂105覆蓋，暴露在組件的側(cè)面或者背面。而且，在組件的背面及側(cè)面上配列著作為第1外部端子106a的第1內(nèi)引線103a的背面和外方側(cè)面，進(jìn)一步、在第1外部端子106a的內(nèi)側(cè)配置著作為第2外部端子106b的第2內(nèi)引線103b的背面。此外，第2內(nèi)引線103b中除前端部外的部分的下部由半腐蝕加工除去，在這部分上第2內(nèi)引線103b的厚度減薄了。
此外，在圖15中，雖然將引線架內(nèi)搭載1個(gè)半導(dǎo)體芯片的區(qū)域作為一個(gè)單元示出，但是引線架全體是由多個(gè)圖15所示單元上下左右連續(xù)設(shè)置構(gòu)成的。
其次，說(shuō)明LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖16(a)～(d)示出樹脂密封型半導(dǎo)體裝置制造工程沿圖15的XVI-XVI線的剖面圖。
首先，是圖16(a)所示工程，具備墊板101、第1內(nèi)引線103a、第2內(nèi)引線103b的引線架(參照?qǐng)D15)，墊板101能搭載半導(dǎo)體芯片，第1內(nèi)引線103a的前端與墊片101的各邊相對(duì)，第2內(nèi)引線103b的前端延伸的比第1內(nèi)引線103a更接近墊板101。
其次，是圖16(b)所示工程，用粘接劑粘接把半導(dǎo)體芯片102搭載在引線架的墊板101上。
再次，是圖16(c)所示的工程，用各個(gè)金屬細(xì)線104將半導(dǎo)體芯片102和第1、第2內(nèi)引線103a、103b的各鍵合區(qū)域相互電氣連接。
而且，在圖16(d)所示工程中，在使板材(圖中未示出)與密封用金屬模的上?；蛳履Ｕ掣降臓顟B(tài)下，將搭載了多個(gè)半導(dǎo)體芯片的引線架設(shè)置在密封用金屬模上、進(jìn)行樹脂密封，將半導(dǎo)體芯片102、各內(nèi)引線103a、103b、金屬細(xì)線104、懸掛引線108及墊板101密封在引線架上面一側(cè)的密封樹脂105內(nèi)。這時(shí)，墊板101的背面、第1內(nèi)引線103a的背面及外方側(cè)面、第2內(nèi)引線103b前端部的背面及外方側(cè)面沒有被密封樹脂105覆蓋、暴露出來(lái)。而且，沿密封樹脂105的側(cè)面將引線架切斷，使各個(gè)組件分離。在該組件(樹脂密封型半導(dǎo)體裝置)中，第1內(nèi)引線103a的背面部及外方側(cè)面部作為第1外部端子106a沿組件的邊排列，在第1外部端子106a的里面、第2內(nèi)引線103b的前端部和背面作為第2外部端子106b排列著。
例如，在制造具備3列以上多列外部端子的LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置時(shí)，為了制造工程的高效率化、在制造工程中采用將搭載各個(gè)芯片的多個(gè)單元設(shè)置在1枚引線架上，用環(huán)氧樹脂等密封樹脂在引線架全面上都樹脂密封后，用切片機(jī)等的旋轉(zhuǎn)刀片按各芯片為單位切削，分離成各個(gè)組件(樹脂密封型半導(dǎo)體裝置)。在用旋轉(zhuǎn)刀片分割這種被總體密封的引線架的過(guò)程中，在引線和密封樹脂的界面上，有可能產(chǎn)生剝離，招致產(chǎn)品可靠性下降。還有，即使在用旋轉(zhuǎn)刀片分割后的各個(gè)組件(樹脂密封型半導(dǎo)體裝置)中，當(dāng)在該樹脂密封型半導(dǎo)體裝置上施加應(yīng)力時(shí)，在引線和密封樹脂的界面上也有可能發(fā)生剝離，因而招致產(chǎn)品可靠性下降。
本發(fā)明的目的是提供具有在背面配置3列以上的多列接合區(qū)(外部端子)的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置具備墊板、搭載在所述墊板上的半導(dǎo)體芯片、具有設(shè)在上面上的第1焊接區(qū)和設(shè)在下面上的第1接合區(qū)的第1引線、具有設(shè)在上面上的第2焊接區(qū)和設(shè)在下面上的第2接合區(qū)的第2引線、具有設(shè)在上面的第3焊接區(qū)和設(shè)在下面上的第3接合區(qū)的第3引線、將所述半體芯片的各一部分與所述各引線的各焊接區(qū)連接起來(lái)的金屬細(xì)線、將所述半導(dǎo)體芯片、所述各引線、所述金屬細(xì)線及所述墊板密封起來(lái)的密封樹脂；所述第1引線和第3引線相互分離，一方面所述第1引線的一端從所述密封樹脂暴露出來(lái)，另一方面所述第3引線的兩端存在于密封樹脂內(nèi)。
由此，因?yàn)榈?引線和第3引線電氣分離，至少第1、第2、第3接合區(qū)能夠作為外部端子使用。如第3引線那樣，由于設(shè)置將兩端部埋設(shè)在密封樹脂內(nèi)的引線，不增加暴露出密封樹脂側(cè)面的引線數(shù)目也能增加外部端子的數(shù)目，因而能夠容易得到具有3列以上多列配置外部端子的半導(dǎo)體裝置。
由于至少所述第2引線具有從平面看寬度比其他部分窄的蜂腰狀部，在峰腰狀部、由于引線—密封樹脂間的接觸面積擴(kuò)展，在引線—密封樹脂間即使產(chǎn)生剝離，也能抑制其剝離的進(jìn)行。
所述各引線內(nèi)所述各焊接區(qū)周圍區(qū)域的厚度比所述各焊接區(qū)部分薄，在所述各焊接區(qū)和它的周圍區(qū)域之間存在臺(tái)階高度差，由此也能得到抑制引線—密封樹脂間剝離進(jìn)行的作用。
所述第1、第2及第3接合區(qū)最好從密封樹脂的下面露出、從平面看成3列配置。
所述第2引線和所述第1及第3引線最好沿框體主體開口區(qū)域的邊緣交互配置。
本發(fā)明的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置制造方法包含以下工程(a)準(zhǔn)備引線架的工程，引線架至少包含具有多個(gè)開口區(qū)域的框架主體，在所述框架主體的各開口區(qū)域內(nèi)各自配設(shè)墊板及引線群；所述引線群具有第1引線、第2引線和第3引線，第1引線具有設(shè)在上面上的第1焊接區(qū)以及設(shè)在下面上的第1接合區(qū)，第2引線具有設(shè)在上面上的第2焊接區(qū)及設(shè)在下面上的第2接合區(qū)，第3引線具有設(shè)在上面上的第3焊接區(qū)及設(shè)在下面上的第3接合區(qū)、并與所述第1引線連接；(b)在所述引線架的下面上貼付密封板的工程；(c)在所述各開口區(qū)域的各墊板上搭載半導(dǎo)體芯片的工程；(d)用金屬細(xì)線將所述各半導(dǎo)體芯片的各一部分與所述第1～第3焊接區(qū)電氣連接起來(lái)的工程；(e)用密封樹脂將所述各開口區(qū)域的所述各半導(dǎo)體芯片、所述各引線、所述各金屬細(xì)線及所述各墊板密封，形成密封體的工程；(f)除去所述密封板的工程；(g)將在所述工程(e)得到的密封體全體分割成各個(gè)樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的工程；(h)在所述工程(b)后所述工程(e)前，將所述第1引線和第3引線間的連接部切斷，使所述第1引線和第3引線電氣分離的工程。
采用這種方法，由于是將在引線架形成狀態(tài)下連接的第1、第3引線在后面分離，即使不增加與引線架開口區(qū)域邊緣部連接的引線數(shù)，也能很容易形成3列或3列以上多列配置的外部端子。因此，能夠容易得到具有3列以上多列配置外端子的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
在所述工程(a)中，由于至少在所述第2引線上、在所述第2焊接區(qū)和所述框架主體之間的區(qū)域上設(shè)有俯視比其他部分寬度窄的蜂腰狀部，由此、能夠得到可靠性高的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
在所述工程(a)中，由于在所述各引線的所述各焊接區(qū)的周圍區(qū)域和所述各焊接區(qū)部分間設(shè)有臺(tái)階高度差，更能得到可靠性高的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
在所述工程(a)中，最好將所述第2引線和所述第1及第3引線沿框架主體開口區(qū)域的邊緣交互配置。
在所述工程(g)中，能夠用旋轉(zhuǎn)刀片切斷密封體。
圖2是沿II-II線的剖面圖。
圖3(a)、(b)依次是顯示本實(shí)施方式的引線架主要部分的俯視圖及沿IIIb-IIIb線的剖面圖。
圖4(a)～(c)依次是本發(fā)明實(shí)施方式的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的頂視圖、沿IV-IV線的剖面圖及仰視圖。
圖5(a)、(b)示出本發(fā)明實(shí)施方式中的準(zhǔn)備引線架工程的俯視圖及沿V-V線的剖面圖。
圖6(a)、(b)示出本發(fā)明實(shí)施方式中切斷第1、第3引線間連接部工程的俯視圖及沿VI-VI線的剖面圖。
圖7(a)、(b)示出本發(fā)明實(shí)施方式中的粘片工程的俯視圖及沿VII-VII線的剖面圖。
圖8(a)、(b)示出本發(fā)明實(shí)施方式中的引線鍵合工程的俯視圖及沿VIII-VIII線的剖面圖。
圖9(a)、(b)示出本發(fā)明實(shí)施方式中的樹脂密封工程的俯視圖及沿IX-IX線的剖面圖。
圖10(a)、(b)示出本發(fā)明實(shí)施方式中的切片工程的俯視圖及沿X-X線的剖面圖。
圖11是現(xiàn)有的QFN型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖12是用于現(xiàn)有的QFN型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的引線架的俯視圖。
圖13(a)～(d)示出現(xiàn)有的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置制造工程沿圖12的XIII-XIII線的剖面圖。顯示現(xiàn)有的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖。
圖14(a)～(c)依次是提案的LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的頂視圖、背面圖及沿XIVc-XIVc線的剖面圖。
圖15是用于提案的LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的引線架的俯視圖。
圖16(a)～(d)示出樹脂密封型半導(dǎo)體裝置制造工程沿圖15的XVI-XVI線的剖面圖。符號(hào)說(shuō)明11-框架主體；12-墊板；13-懸掛引線；14-第1引線；14a-第1焊接區(qū)；14b-第1接合區(qū)；14c-臺(tái)階高度差部；15-第2引線；15a-第2焊接區(qū)；15b-第2接合區(qū)；15c-臺(tái)階高度差部；16-第3引線；16a-第3焊接區(qū)；16b-第3接合區(qū)；16c-臺(tái)階高度差部；17-蜂腰狀部；19-突出部；20-半導(dǎo)體芯片；21-金屬細(xì)線；22-密封樹脂；23-樹脂密封型半導(dǎo)體裝置；30-密封板；31-穿孔器。
如圖1所示，本實(shí)施方式的引線架具備由以銅(Cu)為主成分的金屬板構(gòu)成的框架主體11(框)、框架主體11具備多個(gè)開口區(qū)域以搭載各個(gè)半導(dǎo)體芯片。為了方便在圖1中僅僅示出引線架的1個(gè)開口區(qū)域的結(jié)構(gòu)。而且，在各開口區(qū)域上設(shè)有半導(dǎo)體芯片搭載用的墊板12、懸掛引線13和引線群，在懸掛引線13的前端部支持墊板12的各角部、在基端部與框架主體11相連接，引線群的前端部與墊板12的各邊相對(duì)、它的基端部與框架主體11相連接。框架主體11、墊板12、懸掛引線13及引線群由一枚金屬板形成。
而且，引線群至少包含第1、第2、第3引線14、15、16三類引線。在第1引線14的上面上設(shè)有第1焊接區(qū)14a，在它的下面上設(shè)有與第1焊接區(qū)14a相對(duì)的第1接合區(qū)14b。在第2引線15的上面上設(shè)有第2焊接區(qū)15a，在它的下面上設(shè)有與第2焊接區(qū)15a相對(duì)的第2接合區(qū)15b。在第3引線16的上面上設(shè)有第3焊接區(qū)16a，在它的下面上設(shè)有與第3焊接區(qū)16a相對(duì)的第3接合區(qū)16b。
還有，如圖2所示，各引線14、15、16中除焊接區(qū)14a、15a、16a及接合區(qū)14b、15b、16b以外的部分通過(guò)壓力加工構(gòu)成減薄的按壓區(qū)域Rpres。而且，各焊接區(qū)14a、15a、16a具有突出在減薄的按壓區(qū)域Rpres上方的臺(tái)階高度差部14c、15c、16c。進(jìn)一步、如后所述、各接合區(qū)14b、15b、16b當(dāng)俯視僅僅看它的下端部時(shí)，是3列并列的，各接合區(qū)14b、15b、16b在樹脂密封型半導(dǎo)體裝置(組件)形成的狀態(tài)下是起到外部端子功能的部分。
框架主體11的厚度t0(參照?qǐng)D2)是150μm～200μm左右，各引線14、15、16從各焊接區(qū)的上面開始到各接合區(qū)下面的厚度是相同的。而且，各引線14、15、16中焊接區(qū)及接合區(qū)以外的按壓區(qū)域Rpres的厚度t1(參照?qǐng)D2)是80μm～120μm左右，各焊接區(qū)14a、15a、16a從按壓區(qū)Rpres的突出量h1例如是5μm～50μm左右，各接合區(qū)14b、15b、16b從按壓區(qū)Rpres的突出量h2例如是50μm～120μm左右。
這里，本實(shí)施方式的第1特征是在引線架形成的狀態(tài)下第1引線14和第3引線16是互相連接的，但兩者間的連接部Rcnct的厚度比框架主體的厚度薄，使在后面的工程中二者能夠互相分離。第1、第3引線14、16間連接部Rcnct的厚度例如是70μm左右，它的寬度是100μm左右。而且，圖1所示的連接區(qū)域Rcnct中的虛線部分在后面的工程中被穿通，使第1、第3引線14、16相互電氣分離。
而且，本實(shí)施方式引線架的第1引線14和第3引線16能夠在把引線架貼付到密封板后、進(jìn)行粘片或引線鍵合前相互分離，或者、在粘片和引線鍵合后、把引線架自身粘付在密封板上后、樹脂密封工程前相互分離。這樣，由于能夠在后工程中將第1、第3引線分離，即使不增加與引線架主體開口部的邊緣部連接的引線數(shù)目，也能夠增加成為外部端子的接合區(qū)的數(shù)目，因此，能夠得到對(duì)形成具有3列以上多列配置外部端子的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置有用的引線架。
作為使第1、第3引線14、16分離的處理，在將引線架貼附在密封板上的狀態(tài)下、用穿孔器穿通第1、第3引線14、16間連接部Rcnct的情況下，必須用不使引線架全體從密封板上剝下的力來(lái)穿通連接部Rcnct。而且，像本實(shí)施方式那樣以銅為主成分的引線架的情況下進(jìn)行這樣的處理，連接部Rcnct的寬度最好在40μm～100μm范圍，厚度最好在80μm～120μm范圍。
還有，本實(shí)施方式的第2個(gè)特征是第2引線15在第2接合區(qū)15b的近旁具有寬度細(xì)的蜂腰狀部17。該蜂腰狀部17的寬度是40μm～100μm左右。
進(jìn)一步，圖中雖然沒顯示、在懸掛引線13的他端部附近設(shè)有面積比作為外部端子的接合區(qū)面積大的增強(qiáng)接合區(qū)，在樹脂密封形成樹脂密封型半導(dǎo)體裝置時(shí)，在它背面的各角部增強(qiáng)接合區(qū)暴露出來(lái)，在向母板安裝時(shí)，該結(jié)構(gòu)能夠提高二次安裝的可靠性。
還有，墊板12的中央部設(shè)有由按壓等方法形成的比其他部分向上方突出的突出部19，將半導(dǎo)體芯片搭載在這個(gè)突出部19上。
還有，因?yàn)閴|板12的上面內(nèi)具有向上方突出的突出部19，當(dāng)搭載半導(dǎo)體芯片時(shí)，就以點(diǎn)絞接結(jié)構(gòu)支持半導(dǎo)體芯片。而且，由于半導(dǎo)體芯片被向上方抬高、半導(dǎo)體芯片的下方也能夠配置外部端子。還有，在用樹脂密封時(shí)，因?yàn)樵诎雽?dǎo)體芯片的背面和墊板12之間和突出部19的下方也能夠存在密封樹脂，就能夠提高可靠性。
進(jìn)一步，本實(shí)施方式的引線架全面形成金屬電鍍層。本實(shí)施方式的引線架在以銅(Cu)為主成分的基材上，設(shè)有鎳層(Ni)、鈀層(Pd)、金層(Au)疊層構(gòu)成的三層金屬電鍍層。
對(duì)于形成了這樣電鍍層的引線，由按壓加工在焊接區(qū)上形成臺(tái)階高度差部14c、15c、16c，由按壓改變各部分的壓力，在臺(tái)階高度差部14c、15c、16c周邊的按壓區(qū)域Rpres和它的內(nèi)側(cè)區(qū)域(含焊接區(qū)14a、15a、16a的區(qū)域)的電鍍層的組成變化。特別是，在最表面部存在與密封樹脂粘附性好的金屬的比例變小，而與密封樹脂粘附性不太好的鈀層、鎳層的比例變多的危險(xiǎn)。還有，在引線上施加按壓加工(Press)時(shí)，存在被按壓部分電鍍層表面的凹凸消失、引起粘附性退化的危險(xiǎn)。但是，如果僅僅按壓焊接區(qū)14a、15a、16a周邊區(qū)域的按壓區(qū)域Rpres形成臺(tái)階高度差部14c、15c、16c，在臺(tái)階高度差部14c、15c、16c的內(nèi)側(cè)區(qū)域并設(shè)施加按壓力，電鍍層的組成不變化，樹脂粘附性能夠維持電鍍層自身所有的原來(lái)的粘附性。因此，在密封樹脂和引線的界面發(fā)生剝離，即使剝離進(jìn)行到臺(tái)階高度差部14c、15c、16c，也不會(huì)進(jìn)行到臺(tái)階高度差部14c、15c、16c的內(nèi)側(cè)區(qū)域，能使剝離停止。
就是說(shuō)，在各引線14～16上施加按壓加工形成臺(tái)階高度差部14c～16c時(shí)，僅僅在各引線14～16的焊接區(qū)14a～16a的周圍部分施壓，在包含焊接區(qū)14a～16a的內(nèi)側(cè)區(qū)域不施加按壓力，采用與引線14～16的臺(tái)階高度差部14c～16c的內(nèi)側(cè)區(qū)域相對(duì)應(yīng)部分成為空洞的按壓金屬膜進(jìn)行按壓，能夠僅僅在引線的焊接區(qū)14a～16a的周圍區(qū)域按壓，這樣能夠維持焊接區(qū)14a～16a的樹脂粘附性。
就是說(shuō)，本實(shí)施方式的引線架的引線14～16的焊接區(qū)14a～16a從周圍部分被按壓變薄的按壓區(qū)域Rpres突出出來(lái)，與按壓區(qū)域Rpres之間形成臺(tái)階高度差部14c～16c。因此，焊接區(qū)14a～16a具有電鍍層本來(lái)的樹脂粘附性。
本實(shí)施方式引線架的金屬電鍍層是由鎳層(Ni)、鈀層(Pd)、金層(Au)分別疊層的結(jié)構(gòu)，此外，作為金屬電鍍層也可以是鍍銀、鍍金、鍍錫等的金屬鍍層。
采用本實(shí)施方式、因?yàn)槭窃诎磯杭庸で皩?duì)引線架實(shí)施電鍍，與按壓加工后實(shí)施電鍍的情況相比，在引線架的表面上電鍍液的流動(dòng)狀態(tài)更均勻，這是它的優(yōu)點(diǎn)。
還有，如圖3(b)所示，在第1引線14、第2引線15、第3引線16中，它的剖面形狀是錐形的，樹脂密封時(shí)焊接區(qū)的下面(背面)從密封樹脂面中暴露出來(lái)構(gòu)成外部端子的部位。
進(jìn)一步，第2引線15由于具有蜂腰狀部17，用這種引線架制造樹脂密封型半導(dǎo)體裝置時(shí)或在制造以后，在各引線14～16上施加應(yīng)力，即使在各引線14～16和密封樹脂的界面發(fā)生剝離，第2引線15和密封樹脂的接觸面積擴(kuò)大。因此，能夠緩和熱應(yīng)力及機(jī)械應(yīng)力，使進(jìn)行中的剝離停止下來(lái)。而且，當(dāng)剝離要進(jìn)一步向樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部進(jìn)行時(shí)，由于第2引線15的寬度從蜂腰狀部17起擴(kuò)大下去，為了在該部分上剝離進(jìn)一步向內(nèi)部進(jìn)行下去，需要比迄今為止更大的應(yīng)力，能夠抑制從蜂腰狀部向內(nèi)部的剝離。因此，由于在第2引線15上設(shè)置了蜂腰狀部17能夠?qū)崿F(xiàn)抗剝離性強(qiáng)的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
進(jìn)一步，在各引線14～16的上面上設(shè)置的焊接區(qū)14a～16a的周圍區(qū)域，因?yàn)樾纬闪伺_(tái)階高度差部14c～16c，臺(tái)階高度差部14c～16c發(fā)揮了作為停止各引線14～16和密封樹脂界面的剝離進(jìn)行的基點(diǎn)的功能。因此，由臺(tái)階高度差部14c～16c與第2引線15的蜂腰狀部17相結(jié)合，能夠發(fā)揮相乘的抑制密封樹脂—引線間剝離進(jìn)行的效果。—樹脂密封型半導(dǎo)體裝置—其次，說(shuō)明使用本實(shí)施方式引線架的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
圖4(a)～(c)依次是本實(shí)施方式樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的頂視圖、沿IV-IV線的剖面圖及仰視圖。在圖4(a)中，用虛線示出密封在密封樹脂中的各個(gè)部件。
如圖4(a)～(c)所示，本實(shí)施方式的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置由矩形墊板12、懸掛引線13、半導(dǎo)體芯片20、引線群、金屬細(xì)線21和密封樹脂22所構(gòu)成，懸掛引線13支持墊板12，用粘接劑把半導(dǎo)體芯片20的下面粘接到墊板12的上面上、并以這種狀態(tài)搭載在墊板12上，引線群由與墊板12各邊相對(duì)的第1～第3引線14～16所構(gòu)成，金屬細(xì)線21將半導(dǎo)體芯片20的電極和各引線群中的各引線14～16的焊接區(qū)14a～16a分別電氣連接起來(lái)，密封樹脂22將半導(dǎo)體芯片20、各引線14～16、金屬細(xì)線21、懸掛引線13及墊板12密封在引線架的上側(cè)面上。但是，墊板12的背面、各引線14～16的背面?zhèn)鹊慕雍蠀^(qū)14b～16b、第1、第2引線14、15的外方側(cè)面沒有被密封樹脂22覆蓋，暴露在組件(樹脂密封型半導(dǎo)體裝置)的背面上。而且，暴露出的各引線14～16的接合區(qū)14b～16b起到外部端子的功能。
各引線14～16的構(gòu)造與上述引線架構(gòu)造說(shuō)明中的敘述一樣。就是說(shuō)，引線群至少包含第1、第2、第3引線14、15、16三類引線。在第1引線14的上面上設(shè)有與金屬細(xì)線21連接的第1焊接區(qū)14a，在它的下面上設(shè)有從密封樹脂22暴露出來(lái)成為外部端子的第1接合區(qū)14b。在第2引線15的上面上設(shè)有與金屬細(xì)線21連接的第2焊接區(qū)15a，在它的下面上設(shè)有從密封樹脂22暴露出來(lái)成為外部端子的第2接合區(qū)15b。在第3引線16的上面上設(shè)有與金屬細(xì)線21連接的第3焊接區(qū)16a，在它的下面上設(shè)有從密封樹脂22暴露出來(lái)成為外部端子的第3接合區(qū)16b。
而且，第1引線14與第3引線16相互間電氣分離，物理上也分離。但是，第1引線14的一部分和第3引線16的一部分即使用極細(xì)的細(xì)線連系起來(lái)，因?yàn)殡姷淖杩箻O大信號(hào)實(shí)質(zhì)上被遮斷，這種情況下，二者是電氣分離的。另一方面，在處理高頻信號(hào)樹脂密封型半導(dǎo)體裝置中，二者最好分離以達(dá)到第1引線14和第3引線16間不發(fā)生竄擾的程度。而且，與第1引線14的一端在組件的側(cè)面從密封樹脂22暴露出來(lái)不同，第3引線16的兩端都不延伸到組件的側(cè)面上、埋設(shè)在密封樹脂22內(nèi)。這樣，像第3引線那樣，由于設(shè)有兩端都埋設(shè)在密封樹脂內(nèi)的引線，即使不增加延伸到密封樹脂側(cè)面的引線的數(shù)目，也能夠增加成為外部端子的接合區(qū)的數(shù)目，這樣就能夠容易得到具有3列以上多列配置外部端子的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
還有，第2引線15在第2接合區(qū)15b的近旁，有寬度很細(xì)的蜂腰狀部17。該蜂腰狀部的寬度在40μm～100μm左右。
而且，第1～第3焊接區(qū)14a～16a從變薄的按壓區(qū)域Rpres的上方突出出來(lái)，各按壓部Rpres和焊接區(qū)14a～16a之間分別存在臺(tái)階高度差部14c～16c。
還有，第1～3接合區(qū)14b～16b哪一個(gè)都是在密封樹脂22的下面區(qū)域平面配置構(gòu)成3列。(參加圖4(c))。就是說(shuō)，本實(shí)施方式的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置是具有3列外部端子的LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
因?yàn)楸緦?shí)施方式的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置用上述的引線架構(gòu)成，如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，能夠發(fā)揮以下的效果。
首先，因?yàn)樵谛纬梢€架時(shí)，連系著的第1、第3引線14、16在以后的工程中分離、即使縮小引線之間的橫向尺寸，也能容易的設(shè)置多列的接合區(qū)。例如，代替第2引線15，如果設(shè)置的引線在后面工程能被分成2個(gè)引線，就能得到具有4列配置外部端子的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
進(jìn)一步，因?yàn)榈?引線15具有蜂腰狀部17，在用這種引線架制造樹脂密封型半導(dǎo)體裝置時(shí)或者在制造后，向各引線14～16施加應(yīng)力，即使在各引線14～16和密封樹脂22的界面上發(fā)生剝離，因?yàn)樵诜溲鼱畈?7處第2引線15的寬度變窄，第2引線15和密封樹脂的接觸面積擴(kuò)大。因此，能夠緩和熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力，能夠使進(jìn)行中的剝離停止。而且，當(dāng)剝離要進(jìn)一步向樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部進(jìn)行時(shí)，因?yàn)榈?引線15的寬度從蜂腰狀部17開始就擴(kuò)大了，在這部分剝離要進(jìn)一步向內(nèi)部進(jìn)行的話，需要比迄今為止更大的應(yīng)力，這樣就能抑制剝離由蜂腰狀部17向內(nèi)部進(jìn)行。因此，由于在第2引線15上設(shè)有蜂腰狀部17，就能實(shí)現(xiàn)抗剝離性強(qiáng)的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
進(jìn)一步，因?yàn)樵O(shè)在各引線14～16上面上的焊接區(qū)14a～16a的周圍區(qū)域上形成了臺(tái)階高度差部14c～16c，臺(tái)階高度差部14c～16c發(fā)揮著作為停止各引線14～16和密封樹脂22界面的剝離進(jìn)行的基點(diǎn)的功能。因此，由臺(tái)階高度差部14c～16c與第2引線15的蜂腰狀部17相結(jié)合，能夠相乘的發(fā)揮停止密封樹脂—引線間剝離進(jìn)行的效果。
其次，參照?qǐng)D5(a)、(b)～圖10(a)、(b)，說(shuō)明本實(shí)施方式的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置制造方法。
圖5(a)、(b)示出準(zhǔn)備引線架工程的俯視圖及沿V-V線的剖面圖。首先，是圖5(a)、(b)所示工程，準(zhǔn)備引線架。就是說(shuō)，要準(zhǔn)備具有以下各部分的引線架由含銅(Cu)為主成分的金屬板構(gòu)成的框架主體11(框)、配置在引線架開口區(qū)域上的搭載半導(dǎo)體芯片用的墊板12、前端部支持著墊板12各角部在他端部與框架11連接的懸掛引線13、前端部對(duì)向墊板12的各邊，基端部與框架主體11連接的引線群。在引線群中的第1引線14的上面上設(shè)有第1焊接區(qū)14a，在它的下面上設(shè)有與第1焊接區(qū)14a相對(duì)的第1接合區(qū)14b。在第2引線15的上面上設(shè)有第2焊接區(qū)15a，在它的下面上設(shè)有與第2焊接區(qū)15a相對(duì)的第2接合區(qū)15b。在第3引線16的上面上設(shè)有第3焊接區(qū)16a，在它的下面上設(shè)有與第3焊接區(qū)16a相對(duì)的第3接合區(qū)16b。
還有，各引線14、15、16中焊接區(qū)14a、15a、16a及接合區(qū)14b、15b、16b以外的部分由按壓加工形成變薄的按壓區(qū)域Rpres。而且，各焊接區(qū)14a、15a、16a具有從變薄的按壓區(qū)域Rpres上方突出出來(lái)的臺(tái)階高度差部14c、15c、16c。
此外，第1引線14和第3引線16在形成引線架時(shí)是相互連系著的，兩者間的連接部Rcnct的厚度應(yīng)變薄，以使在后面的工程中二者能夠分離。
在圖5(a)、(b)中，顯示出將引線架中搭載1個(gè)半導(dǎo)體芯片的區(qū)域作為一個(gè)單元，引線架全體由多個(gè)圖5(a)、(b)所示的單元上下左右連續(xù)設(shè)置構(gòu)成。
圖6(a)、(b)示出切斷第1、第3引線間連接部工程的俯視圖及沿VI-VI線的剖面圖。在圖6(a)、(b)所示工程中，將密封板30貼附在引線架的下面上，在引線架的各開口區(qū)域，用穿孔器31將第1引線14和第3引線16間的各連接部Rcnct穿通，使第1、第3引線14、16相互電氣分離。這時(shí)，密封板30由聚酰亞胺和粘接劑構(gòu)成，厚度為5μm～100μm左右。
圖7(a)、(b)示出粘片工程的俯視圖及沿VII-VII線的剖面圖。在圖7(a)、(b)所示的工程中，保持將引線架貼附在密封板30上的狀態(tài)，將墊板12突出部的上面和半導(dǎo)體芯片20的下面用粘接劑粘接，將半導(dǎo)體芯片20搭載在墊板12上。這時(shí)，由于在墊板12上設(shè)置了突出部19，在突出部19的側(cè)方，半導(dǎo)體芯片20的下面和墊板12之間產(chǎn)生了間隙。
圖8(a)、(b)示出引線鍵合工程的俯視圖及沿VIII-VIII線的剖面圖。而且，在圖(a)、(b)所示工程中，繼續(xù)保持將引線架貼附在密封板30上的狀態(tài)，用各自的金屬細(xì)線21將搭載在墊板12上的半導(dǎo)體芯片20的電極和引線架的第1～第3焊接區(qū)14a～16a電氣連接起來(lái)。
圖9(a)、(b)示出樹脂密封工程的俯視圖及沿IX-IX線的剖面圖。在圖9(a)、(b)所示工程中，繼續(xù)保持將引線架貼附在密封板30上的狀態(tài)、用密封樹脂22將引線架的上面區(qū)域全面的密封。在圖9(a)中，用虛線示出了密封在密封樹脂22中的各部件。還有，在圖9(a)、(b)中，用點(diǎn)劃線示出了在以后的工程中切斷多個(gè)樹脂密封型半導(dǎo)體裝置(組件)時(shí)的切斷線(dicing line)。
圖10(a)、(b)示出切斷工程的俯視圖及沿X-X線的剖面圖。在圖10(a)、(b)所示工程中，在除去貼附在引線架下面的密封板30后，沿引線架的第1、第2引線14、15及懸掛引線13和框架主體11之間的連接部稍靠?jī)?nèi)側(cè)的地方用旋轉(zhuǎn)刀片切斷，得到各個(gè)樹脂密封型半導(dǎo)體裝置23(參照?qǐng)D4(a)、(b))。
采用本實(shí)施方式的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置制造方法，由于引線架的第2引線15具有蜂腰狀部17，在用這種引線架制造樹脂密封型半導(dǎo)體裝置時(shí)，特別是在用旋轉(zhuǎn)刀片切斷情況時(shí)，在各引線上施加應(yīng)力，即使在各引線14、15、16和密封樹脂22的界面發(fā)生剝離，因?yàn)榈?引線15的寬度在蜂腰部17處變窄了，與密封樹脂的接觸面積擴(kuò)大了，因此能夠緩和熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力，能使進(jìn)行中的剝離停止下來(lái)。進(jìn)一步，要使剝離在樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部進(jìn)行下去時(shí)，由于從蜂腰狀部17開始第2引線15的寬度就擴(kuò)大了，為使剝離進(jìn)一步向內(nèi)部進(jìn)行，需要比迄今為止更大的應(yīng)力，由此，至少?gòu)慕M件的側(cè)面開始延伸的一個(gè)引線8a(或者一類引線)上設(shè)置蜂腰狀部，能夠用蜂腰狀部抑制剝離的進(jìn)行。在本實(shí)施方式中，雖然僅僅在第2引線15上設(shè)置了細(xì)的蜂腰狀部，也可以在與組件側(cè)面相連的第1引線14的中途上設(shè)置細(xì)的蜂腰狀部。
進(jìn)一步，由于在各引線14、15、16的上面的焊接區(qū)14a、15a、16a和它的周圍之間存在臺(tái)階高度差部14c、15c、16c，它成為停止各引線14、15、16和密封樹脂22的界面的剝離的基點(diǎn)，它與第2引線15的蜂腰狀部17一起能以相乘的效果明顯的抑制剝離的進(jìn)行。
由此，在本實(shí)施方式的引線架和使用該引線架的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置及其制造方法中，由于在引線架的第2引線15上設(shè)置了細(xì)的蜂腰狀部17，它能夠使在樹脂密封后成批成形切斷工程中因施加在引線上的應(yīng)力而發(fā)生的引線—密封樹脂間的剝離停止，能夠?qū)崿F(xiàn)高可靠性的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
還有，由于在引線架形成狀態(tài)下，連接著的第1、第3引線14、16在后續(xù)工程中被分離，即使不增加與引線架開口區(qū)域的邊緣部連接的引線數(shù)目，也能夠容易設(shè)置3列或者3列以上多列配置的外部端子。
就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中就外部端子3列配置構(gòu)成的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置做了說(shuō)明，但是，如上述實(shí)施方式那樣，對(duì)在引線架形成狀態(tài)下連系在一起多個(gè)部分間的連接部、在密封板上用穿孔器將它穿通，就能夠容易的形成具有4列以上多列配置外部端子的樹脂密封導(dǎo)型半導(dǎo)體裝置。
還有，在具有4列以上多列配置外部端子的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造工程中，為了從引線架分割成一個(gè)個(gè)樹脂密封型半導(dǎo)體裝置(組件)，在具有用切割機(jī)等的旋轉(zhuǎn)刀片將引線架和密封樹脂一起切斷工程的制造方法中，切割時(shí)在引線—密封樹脂間容易產(chǎn)生剝離，在這種情況下，至少在一根引線上設(shè)置象第2引線15的蜂腰狀部17那樣的變細(xì)的蜂腰狀部，就能夠抑制剝離的進(jìn)行，能夠?qū)崿F(xiàn)高可靠性LGA型樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
進(jìn)一步，在圖1所示引線架中，也可以事先將第2引線15或者第3引線16中的幾根引線連接到墊板12上，當(dāng)用穿孔器穿通第1、第3引線間的連接部Rcnct時(shí)，將連接在墊板12上的部分穿通。這種情況下，即使沒有懸掛引線13，在引線架形成狀態(tài)下，事先將墊板12連接到框架主體11上，隨后，也能夠使墊板12和各引線15或者16分離。發(fā)明的效果采用本發(fā)明的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置能夠提供具有3列以上多列配置外部端子的、高可靠性的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種樹脂密封型半導(dǎo)體裝置，其特征在于它具備墊板、半導(dǎo)體芯片、第1引線、第2引線、第3引線、金屬細(xì)線和密封樹脂，半導(dǎo)體芯片搭載在所述墊板上，第1引線具有設(shè)在上面上的第1焊接區(qū)和設(shè)在下面上的第1接合區(qū)，第2引線具有設(shè)在上面上的第2焊接區(qū)和設(shè)在下面上的第2接合區(qū)，第3引線具有設(shè)在上面上的第3焊接區(qū)和設(shè)在下面上的第3接合區(qū)，金屬細(xì)線將所述半導(dǎo)體芯片的各一部和所述各引線的各焊接區(qū)連接起來(lái)，密封樹脂將所述半導(dǎo)體芯片、所述各引線、所述金屬細(xì)線及所述墊板密封起來(lái)；所述第1引線和第3引線相互分離，一方面所述第1引線的一端從所述密封樹脂暴露出來(lái)，而所述第3引線的兩端存在于密封樹脂內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置，其特征在于至少所述第2引線具有俯視寬度比其他部分狹窄的蜂腰狀部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述各引線中所述各焊接區(qū)周圍區(qū)域的厚度比所述各焊接區(qū)部分薄，在所述各焊接區(qū)和它周圍的區(qū)域間存在臺(tái)階高度差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第1、第2及第3接合區(qū)從密封樹脂的下方露出，俯視呈3列配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一權(quán)利要求所述的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第2引線和所述第1及第3引線沿著框架主體開口區(qū)域的邊緣交互配置。
6.一種樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于它包含以下工程(a)準(zhǔn)備引線架工程，在工程(a)中準(zhǔn)備的引線架具備具有多個(gè)開口區(qū)域的框架主體和分別配設(shè)在所述框架主體中各開口區(qū)域內(nèi)的墊板及引線群，所述引線群至少包含具有設(shè)在上面上的第1焊接區(qū)及設(shè)在下面上的第1接合區(qū)的第1引線，具有設(shè)在上面上的第2焊接區(qū)及設(shè)在下面上的第2接合區(qū)的第2引線，具有設(shè)在上面上的第3焊接區(qū)及設(shè)在下面上的第3接合區(qū)、與所述第1引線連接的第3引線；(b)將密封板貼付到所述引線架的下面上的工程；(c)在所述各開口區(qū)域的墊板上分別搭截半導(dǎo)體芯片的工程；(d)用金屬細(xì)線將所述各半導(dǎo)體芯片各一部和所述各第1～第3焊接區(qū)相互電氣連接的工程；(e)用密封樹脂將所述各開口區(qū)域的所述各半導(dǎo)體芯片、所述各引線、所述各金屬細(xì)線及所述各墊板密封起來(lái)，形成密封體的工程；(f)去除所述密封板的工程；(g)將在所述工程(e)中得到的密封體全體分割成一個(gè)個(gè)樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的工程；(h)在所述工程(b)后所述工程(e)前、由切斷所述第1引線和第3引線間的連接部，使所述第1引線和第3引線電氣分離的工程。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述工程(a)中，至少在所述第2引線上、在所述第2焊接區(qū)和所述框架主體之間的區(qū)域上，設(shè)置有俯視寬度比其它部分窄的蜂腰狀部。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述工程(a)中，在所述各引線的所述各焊接區(qū)的周圍區(qū)域和所述各焊接區(qū)部分之間設(shè)有臺(tái)階高度差。
9.根據(jù)權(quán)利要求6～8中任一權(quán)利要求所述的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述工程(a)中，所述第2引線和所述第1及第3引線沿框架主體開口區(qū)域邊緣交互配置。
10.根據(jù)權(quán)利要求6～8中任一權(quán)利要求所述的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在所述工程(g)中，用旋轉(zhuǎn)刀片切斷密封體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有3列以上多列配置外部端子的、高可靠性樹脂密封型半導(dǎo)體裝置及其制造方法。樹脂密封型半導(dǎo)體裝置具備墊板(12)、懸掛引線(13)、搭載在墊板(12)上的半導(dǎo)體芯片(20)、引線群。引線群至少包含第1、第2、第3引線(14)、(15)、(16)三類引線。在引線架形成狀態(tài)下第1引線(14)和第3引線(16)是相互連接的,在以后的工程中相互分離。還設(shè)置了將半導(dǎo)體芯片(20)的電極和各引線的焊接區(qū)連接的金屬細(xì)線(21),將半導(dǎo)體芯片、各引線、金屬細(xì)線等密封起來(lái)的密封樹脂(22)。各引線的接合部(14b)～(16b)從密封樹脂中暴露出來(lái)、起到外部端子的功能。
文檔編號(hào)H01L23/31GK1374697SQ02106498
公開日2002年10月16日 申請(qǐng)日期2002年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月1日
發(fā)明者南尾匡紀(jì), 野村徹, 川合文彥 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社