專利名稱：濾掉不需要的較高階頻率諧波和改進邊頻響應(yīng)的介質(zhì)濾波器的制作方法
背景技術(shù)：
人們已知使用兩個或者多個同軸介質(zhì)陶瓷諧振器耦合在一起，以制造用于移動和便攜式無線發(fā)電射和接收裝置(例如微波通信裝置)的濾波器。同樣，兩個或者多個再入式介質(zhì)陶瓷諧振器能被耦合在一起，以形成這樣一種濾波器。在濾波器中的這些諧振器是設(shè)計成正好諧振一個頻率和這個頻率是作為諧振器的諧振頻率而知的。圖1展示使用三個四分之一波長同軸介質(zhì)陶瓷諧振器耦合在一起的三極濾波器實例。在圖1中展示的耦合方法是通過在這些諧振器之間提供孔徑或者IRIS的耦合諧振器的已知技術(shù)。IRIS是在允許諧振頻率從一個諧振器通過到另一個諧振器的電場和磁場的這些諧振器之間的通道。濾波器包括輸入和輸出。通常輸入是來自無線電信號發(fā)生器的射頻信號。濾波器僅允許這些諧振器的諧振頻率和它的諧波通過濾波器和到輸出上。所使用的諧波器的數(shù)量決定通過信號的特性，例如，帶寬、插入損耗、邊頻響應(yīng)和寄生頻響應(yīng)。這類濾波器的缺點是這些諧振器不只允許設(shè)計頻率的一階諧波得以通過，而且同樣允許其設(shè)計頻率的其他關(guān)聯(lián)的較高階諧波通過濾波器。都知道這些較高階諧波是與其他電子器件相干涉的。
本發(fā)明的一個目的是一種濾波器，以阻止更高階設(shè)計頻率諧波的通過。
本發(fā)明的另一個目的是提供耦合諧振器的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種濾波器和制造該濾波器的方法，用以除去與電流濾波器相關(guān)的不需要的頻率諧波。該濾波是由多個諧振器構(gòu)成，使得該濾波器在設(shè)計頻率下諧振。從而，至少有兩個諧振器耦合在輸入與輸出之間，并且至少一個諧振器其設(shè)計不同于其他諧振器的設(shè)計，從而不同設(shè)計的諧振器在與其它諧振器的設(shè)計頻率相同的設(shè)計頻率下諧振，并且以比其他諧振器更高階的諧波頻率下諧振。本發(fā)明還提供了一些提高對濾波器的邊緣響應(yīng)以及濾波器的其它響應(yīng)性能的方法。提高濾波器的性能的一種途徑是，與其它的諧振器相比，是使濾波器中的至少一個諧振器的取向反向。另一種途徑是在濾波器的頂部和底部表面上通過采用電極耦合，來使取向電反向。


圖1是按照以往技術(shù)使用同軸諧振器的三極濾波器的剖面簡圖。
圖2是按照以往技術(shù)三個不同的再入式(re-entrant)諧振器的剖面簡圖。
圖3是設(shè)計用于同一諧振頻率的同軸介質(zhì)陶瓷諧振器和再入式介質(zhì)陶瓷諧振器的曲線圖。
圖4是按照本發(fā)明采用IRIS耦合采用同軸和再入式諧振器的三極濾波器的剖面簡圖。
圖5是按照本發(fā)明使用IRIS耦合的使用同軸式和再入式諧振器所耦合的四極濾波器的剖面簡圖。
圖6是按照本發(fā)明為改進邊頻響應(yīng)的圖4的三極濾波器加上兩個同軸式諧振器的剖面簡圖。
圖7是按照本發(fā)明采用用于天線的電極耦合的雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖8是按照本發(fā)明用于天線的電極耦合的另一種雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖9是按照本發(fā)明使用用于天線的電極耦合的另一種雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖10是按照本發(fā)明使用用于天線的電極耦合的另一種雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖11是按照本發(fā)明使用用于天線的電極耦合的另一種雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖12是按照本發(fā)明使用用于天線的電極耦合的另一種雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖13是按照本發(fā)明在濾波器的諧振器之間使用電極耦合的雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖14是按照本發(fā)明在濾波器的諧振器之間使用電極耦合的雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖15是按照本發(fā)明在濾波器的諧振器之間使用電極耦合的另一種雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖16是按照本發(fā)明在濾波器的諧振器之間使用電極耦合的雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖17是圖16的底視簡圖。
圖18是按照本發(fā)明在濾波器的諧振器之間使用電極耦合的另一種雙工器濾波器的剖面簡圖。
圖19是圖18的底視簡圖。
圖20是按照本發(fā)明在濾波器的頂部處諧振器之間使用電極耦合的再入式諧振器的剖面簡圖。
圖21是圖20的頂視簡圖。
圖22是按照本發(fā)明在濾波器的頂部處諧振器之間使用電極耦合的再入式諧振器的另一種濾波器的剖面簡圖。
圖23是圖22的頂視簡圖。
圖24是按照本發(fā)明在濾波器的頂部處諧振器之間使用電極耦合的再入式諧振器的另一種濾波器的剖面簡圖。
圖25是圖24的頂視簡圖。
圖26是按照本發(fā)明在濾波器的頂部和底部處諧振器之間使用電極耦合的再入式諧振器的濾波器的剖面簡圖。
圖27是圖26的頂視簡圖。
圖28是圖26的底頂簡圖。
圖29是圖26的三維頂視圖。
圖30是圖26的三維底視圖。
圖31是按照本發(fā)明在濾波器的頂部和底部處諧振器之間使用電極耦合的再入式諧振器的濾波器的剖面簡圖。
圖32是圖31的頂視簡圖。
圖33是圖31的底視簡圖。
圖34是圖31的三維頂視圖。
圖35是圖31的三維底視圖。
圖36是按照本發(fā)明在濾波器的頂部和底部處諧振器之間使用電極耦合的再入式諧振器的濾波器的剖面簡圖。
圖37是圖36的頂視簡圖。
圖38是圖36的底視簡圖。
圖39是圖36的三維頂視圖。
圖40是圖36的三維底視圖。
圖41是按照本發(fā)明在末端處為改進邊頻響應(yīng)采用同軸式諧振器并在濾波器的頂部和底部處諧振器之間使用電極耦合的再入式諧振器的濾波器的頂視簡圖。
圖42是圖41的底視簡圖。
圖43是圖41的三維頂視簡圖。
圖44是圖41的三維底視簡圖。
圖45是按照本發(fā)明在濾波器的頂部和底部處這些諧振器之間使用電極耦合和在末端處為改進邊頻響應(yīng)用同軸式諧振器的圖27的濾波器的頂視簡圖。
圖46是圖45的底視簡圖。
圖47是圖45的三維頂視簡圖。
圖48是圖45的三維底視簡圖。
圖49是按照本發(fā)明在濾波器的頂部和底部處這些諧振器之間使用電極耦合的同軸式和再入式諧振器的濾波器的頂視簡圖。
圖50是圖49的底視簡圖。
圖51是圖49的三維頂視圖。
圖52是圖49的三維底視圖。
圖53是按照本發(fā)明在濾波器的頂部和底部處這些諧振器之間使用電極耦合的濾波器，為改進邊頻響應(yīng)在末端處用同軸式諧振器的同軸式和再入式諧振器的濾波器頂視簡圖。
圖54是圖53的底視簡圖。
圖55是圖53的三維頂視簡圖。
圖56是圖53的三維底視簡圖。
圖57是按照本發(fā)明在濾波器的頂部和底部處這些諧振器之間使用電極耦合的濾波器，同軸式和再入式諧振器的雙工器濾波器頂視簡圖。
圖58是圖57的底視簡圖。
圖59是圖57的三維頂視簡圖。
圖60是圖57的三維底視簡圖。
圖61是按照本發(fā)明在濾波器的頂部和底部處這些諧振器之間使用電極耦合的濾波器，在末端處為改進邊頻響應(yīng)用同軸式諧振器的同軸式和再入式諧振器的雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖62是圖61的底視簡圖。
圖63是圖61的三維頂視簡圖。
圖64是圖61的三維底視簡圖。
圖65是按照本發(fā)明作為基線使用的三極濾波器的剖面簡圖。
圖66是按照本發(fā)明的圖65的濾波器的濾波響應(yīng)曲線圖。
圖67是按照本發(fā)明的圖65濾波器的寄生頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖68是按照本發(fā)明在圖65中示出的同軸式諧振器#1的頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖69是按照本發(fā)明在圖65中示出的同軸式諧振器#2的頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖70是按照本發(fā)明在圖65中示出的同軸式諧振器#3的頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖71是按照本發(fā)明的再入式諧振器頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖72是按照本發(fā)明類似于圖65的三極濾波器的剖面簡圖，其中，#2同軸式諧振器是用圖71所示的再入式諧振器代替的。
圖73是按照本發(fā)明在圖72中示出的濾波器的頻率響應(yīng)曲線圖。
圖74是按照本發(fā)明類似于圖65的三極濾波器的剖面簡圖，其中，#2同軸式諧振器是相反方向的。
圖75是按照本發(fā)明類似于圖72的三極濾波器的剖面簡圖，其中，#2再入式諧振器是相反方向的。
圖76是按照本發(fā)明在圖74中示出的濾波器頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖77是按照本發(fā)明在圖75中示出的濾波器頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖78是按照本發(fā)明在濾波器中使用電極耦合到相反諧振器方向的濾波器剖面簡圖。
圖79是圖78的頂視圖。
圖80是圖78的底視圖。
圖81是圖78的三維頂視圖。
圖82是圖78的三維底視圖。
圖83是按照本發(fā)明在濾波器中使用電極耦合到相反諧振器方向的濾波器剖面簡圖。
圖84是圖83的底視圖。
圖85是圖83的頂視圖。
圖86是圖83的三維頂視圖。
圖87是圖83的三維底視圖。
圖88是按照本發(fā)明在濾波器中使用電極耦合到相反諧振器方向的濾波器，在末端處為改進邊頻響應(yīng)用同軸式諧振器的同軸式諧振器的濾波器的頂視簡圖。
圖89是圖88的底視簡圖。
圖90是圖88的三維頂視圖。
圖91是圖88的三維底視圖。
圖92按照本發(fā)明在濾波器中濾波器使用電極耦合到相反諧振器方向，同軸式諧振器的雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖93是圖92的底視簡圖。
圖94是圖92的三維頂視圖。
圖95是圖92的三維底視圖。
圖96是典型濾波器的頻率響應(yīng)曲線圖。
圖97是橢圓函數(shù)濾波器的簡圖。
圖98a是正向耦合的諧振器簡圖。
圖98b是負向耦合的諧振器簡圖。
圖99是按照本發(fā)明高級介質(zhì)濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖100是按照本發(fā)明另一種高級介質(zhì)濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖101是在圖99中示出的濾波器特性曲線圖。
圖102是按照本發(fā)明單塊高級介質(zhì)濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖103是按照本發(fā)明另一種單塊高級介質(zhì)濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖104是在高級介質(zhì)濾波器中提供弱耦合的另一個方法的簡圖。
圖105是在高級介質(zhì)濾波器中提供弱耦合的另一個方法的簡圖。
圖106是僅展示陡峭的截止衰減率的實例曲線圖。
圖107a是按照本發(fā)明的三極高級介質(zhì)濾波器的透視簡圖。
圖107b是圖107a的三極高級介質(zhì)濾波器的正面簡圖。
圖10c是圖107a的三極高級介質(zhì)濾波器的磁場簡圖。
圖108a是按照本發(fā)明的三極高級介質(zhì)濾波器的透視簡圖。
圖108b是圖108a的三極高級介質(zhì)濾波器的正面簡圖。
圖108c是圖108a的三極高級介質(zhì)濾波器磁場的簡圖。
圖109是在圖107中示出的濾波器類型的濾波特性曲線圖。
圖110是在圖107中示出的濾波器類型的濾波特性的另一個曲線圖。
圖111是在圖108中示出的濾波器類型的濾波特性曲線圖。
圖112是在圖108中示出的濾波器類型的濾波特性的另一個曲線圖。
圖113是按照本發(fā)明的三極單塊高級介質(zhì)濾波器的透視和頂視簡圖。
圖114是按照本發(fā)明的另一個三極單塊高級介質(zhì)濾波器的透視和頂視簡圖。
圖115是按照本發(fā)明的另一個三極單塊高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖116是按照本發(fā)明的另一個三極單塊高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖117是按照本發(fā)明的另一個三極單塊高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖118是按照本發(fā)明兩個四極高級介質(zhì)濾波器形成雙工器濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖119是按照本發(fā)明另一種兩個四極高級介質(zhì)濾波器形成雙工器濾波器的頂部和底部透視圖。
圖120是按照本發(fā)明另一種兩個四極高級介質(zhì)濾波器形成雙工器濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖121是按照本發(fā)明另一種兩個四極高級介質(zhì)濾波器形成雙工器濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖122是按照本發(fā)明兩個三極高級介質(zhì)濾波器形成雙工器濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖123是按照本發(fā)明另一種兩個三極高級介質(zhì)濾波器形成雙工器濾波器的頂部和底部透視簡圖。
圖124a是按照本發(fā)明另一種兩個三極高級介質(zhì)濾波器形成雙工器濾波器的透視簡圖。
圖124b-e是按照本發(fā)明兩個三極高級介質(zhì)濾波器形成雙工器濾波器的不同型式的頂視簡圖。
圖125a-e是使用高級介質(zhì)濾波器可以被使用的雙工器的不同天線，TX和RX耦合配置的簡圖。
圖126是按照本發(fā)明有帶阻諧振器的三極高級介質(zhì)濾波器的透視簡圖。
圖127是按照本發(fā)明的圖126所示的三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖128是按照本發(fā)明的圖126所示的濾波器的濾波響應(yīng)曲線圖。
圖129是按照本發(fā)明的圖126的濾波器寄生頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖130是按照本發(fā)明的另一種有帶阻諧振器的三極高級介抽濾波器的頂視簡圖。
圖131是按照本發(fā)明的中一種有帶阻諧振器的三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖132是按照本發(fā)明的圖130的濾波器寄生頻率響應(yīng)的曲線圖。
圖133是按照本發(fā)明的有帶阻諧振器的單塊三極高級介質(zhì)濾波器的透視簡圖。
圖134是按照本發(fā)明的圖133的三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖135是按照本發(fā)明的圖133的三極高級介質(zhì)濾波器的底視簡圖。
圖136是按照本發(fā)明的另一個單塊三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖137是按照本發(fā)明的圖136的三極高級介質(zhì)濾波器的底視簡圖。
圖138是按照本發(fā)明的另一種單塊三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖139是按照本發(fā)明的圖138的三極高級介質(zhì)濾波器的底視簡圖。
圖140是按照本發(fā)明的另一種有帶阻諧振器的單塊三極高級介質(zhì)濾波器的透視簡圖。
圖141是按照本發(fā)明的圖140的三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖142是按照本發(fā)明的圖140的三極高級介質(zhì)濾波器的底視簡圖。
圖143是按照本發(fā)明的另一種有帶阻諧振器的單塊三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖144是按照本發(fā)明的另一種有帶阻諧振器的單塊三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖145是按照本發(fā)明的另一種有帶阻諧振器的單塊三極高級介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖146是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的雙工器濾波器的透視簡圖。
圖147是按照本發(fā)明的圖146的雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖148是按照本發(fā)明的圖146的雙工器濾波器的底視簡圖。
圖149是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖150是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖151是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖152是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖153是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的透視簡圖。
圖154是按照本發(fā)明的圖153的雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖155是按照本發(fā)明的圖153的雙工器濾波器的底視簡圖。
圖156是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖157是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖158是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖159是按照本發(fā)明的有兩個單塊三極高級介質(zhì)濾波器各包括帶阻諧振器的另一種雙工器濾波器的頂視簡圖。
圖160是按照本發(fā)明的在三個諧振器配置和帶阻諧振器之間具有使用橢圓函數(shù)理論、帶阻諧振器和附加諧振器的三諧振器配置的介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖161是按照本發(fā)明的圖160所示的介質(zhì)濾波器的頂視簡圖，其中，在三諧振器配置中有三個同軸式諧振器。
圖162是按照本發(fā)明的圖160的介質(zhì)濾波器的頂視簡圖，其中，在三諧振器配置中有二個同軸式諧振器和一個再入式諧振器。
圖163是按照本發(fā)明的圖160的介質(zhì)濾波器的頂視簡圖，其中，在三諧振器配置中有二個同軸式諧振器和一個再入式諧振器。
圖164是按照本發(fā)明的圖160的介質(zhì)濾波器作為單塊而制造的頂視簡圖。
圖165是按照本發(fā)明的在三諧振器配置與帶阻諧振器之間使用橢圓函數(shù)理論、帶阻諧振器和兩個附加諧振器的具有三諧振器配置的介質(zhì)濾波器的頂視簡圖。
圖166是按照本發(fā)明的在三諧振器配置與帶阻諧振器之間使用橢圓函數(shù)理論、帶阻諧振器和附加諧振器的具有三諧振器配置的介質(zhì)雙工器濾波器的頂視簡圖。以及圖167是在圖162中所示的濾波器型號的輸出寄生頻率響應(yīng)的曲線圖。
具體實施例方式
本發(fā)明是涉及以往技術(shù)的電流濾波器除去不需要的頻率諧波的一種濾波器及其制造方法。本發(fā)明提供改進濾波器的邊頻響應(yīng)以及濾波器的其他響應(yīng)性能的方法。本發(fā)明同樣是耦合諧振器的方法。同軸式介質(zhì)陶瓷諧振器是被設(shè)計成根據(jù)圖1中展示的方程式來諧振頻率。圖2展示與它們的關(guān)聯(lián)的諧振頻率設(shè)計公式一起的介質(zhì)陶瓷諧振器的三個其他不同設(shè)計實例。圖2的這些諧振器有時是稱之為再入式介質(zhì)陶瓷諧振器。圖3展示用于相同諧振頻率而設(shè)計的同軸式介質(zhì)陶瓷諧振器和再入式介質(zhì)諧振器的曲線圖。如由圖3所示，對于同軸式和再入式諧振器的較高階諧波頻率是不同的。特別設(shè)計的諧振器將只允許設(shè)計頻率和與諧振器關(guān)聯(lián)的較高階諧波頻率以通過到濾波器中的下一個諧振器。因為較高階諧波頻率不是相同的，如在圖3的曲線圖所示，同軸式介質(zhì)陶瓷諧振器的諧振頻率將不能通過作為相同諧振頻率而設(shè)計的再入式介質(zhì)陶瓷諧振器。同樣是真實的再入式介質(zhì)陶瓷諧振器的較高階諧波頻率將通不過作為相同諧振頻率而設(shè)計的同軸式介質(zhì)陶瓷諧振器。還有，再入式介質(zhì)陶瓷諧振器的較高階諧波頻率將通不過具有不同諧振頻率設(shè)計公式的不同的再入式介質(zhì)陶瓷諧振器，仍然用于相同諧振頻率而設(shè)計的。因此，由不類型介質(zhì)陶瓷諧振器制造濾波器，這樣諧振期望的頻率的相同一階諧波提供給濾波器只輸出期望頻率的一階諧波。
以下是使用上述揭示的不同濾波器配置的實例。全部實例使用在圖1中展示的同軸式介質(zhì)陶瓷諧振器和在圖2中展示的再入式介質(zhì)陶瓷諧振器，其中兩個諧振器諧振相同的諧波頻率。這些實例圖解地描述了濾波器的同軸式和再入式諧振器以及并不是諧振器或者濾波器的特殊例子。展示的這些例子用同軸式和再入式諧振器的其他組合可以被互換的，只要它們?nèi)慷贾C振相同一階諧波頻率就行了。如實例所展示的濾波器配置可以是由個別的這些諧振器的組合制成，以作為濾波器的作用或者由單塊材料形成的多個諧振器以作為濾波器的作用。圖4展示位于同軸式諧振器的側(cè)面有兩個再入式諧振器的三極濾波器。注意在再入式諧振器與輸入、輸出電極之間使用電極耦合，但是圖1展示在同軸式諧振器中的電子探針用于輸入和輸出。這簡化了濾波器到電路板的表面安裝。圖5展示四極配置。圖6展示圖4的三極配置由兩個同軸式諧振器位于側(cè)面以改進濾波器的邊頻響應(yīng)。被加入到濾波器末端的這些諧振器以改進邊頻響應(yīng)是被稱之為帶阻諧振器。圖7展示具有發(fā)送側(cè)的雙工器濾波器，這樣通往天線用于從裝置到被連接的濾波器的輸出，并有接收側(cè)用通往天線用于輸入到同樣裝置。在圖7中，天線有一個電極耦合到濾波器的兩個諧振器。圖8～12展示其他天線耦合方法。圖8展示天線有一個電極耦合到一個諧振器。圖9展示來源于一個天線的二個電極，其中每個電極是耦合到諧振器。圖10展示具有在兩個諧振器之間連接一個電極的天線，這個電極正以新的方式耦合到兩個其他電極，其中這些電極是各自耦合到諧振器。圖11展示圖10的特寫圖。圖12展示有大型電極的天線，該電極耦合到二個諧振器。
圖13～64展示耦合諧振器的方法，類似于圖10的天線耦合。在圖13～64中，使用電極耦合，其中電場和磁場從電極轉(zhuǎn)移到電極通過諧振器的介質(zhì)材料而不是通過IRIS能道。這允許所制造的濾波器由陶瓷或者其他材料的整體單塊制造。圖13～14展示雙工器濾波器，但是用不同天線耦合配置。圖15展示用于改進邊頻響應(yīng)的有帶阻諧振器的雙工器。圖16～17展示圖13～15的應(yīng)用該方法的剖面圖和底視圖，以形成來自整體單個陶瓷塊的濾波器，仍包括再入式諧振器和同軸式諧振器兩者。這里同軸式諧振器的這些電極是裝到介質(zhì)材料，為其他電極所共有，稱為再入式諧振器的電極。這里，電場和磁場從一個電極轉(zhuǎn)移到中一個電極。圖18～圖19展示圖16～17用附加諧振器以改進邊頻響應(yīng)的型式。圖20～25展示再入式諧振器使用全部電極安裝到整體單塊陶瓷的頂部表面。圖26～44展示在再入式諧振器的整體陶瓷單塊上頂部和底部兩面電極的組合。圖45～48分別展示圖27用兩個同軸式諧振器位于側(cè)面的三極配置的頂部、底部和三維視圖，為改進濾波器的邊頻響應(yīng)。圖49～64展示用頂部和底部電極的再入式諧振器和同軸式諧振器的混合式的整體單塊陶瓷。
為改進濾波器的寄生頻率響應(yīng)使用不同諧振器型號和相反的諧振器方向，這些方法敘述如下。圖65展示三極帶通濾波器AAA，作為基線響應(yīng)使用。AAA濾波器是在市場現(xiàn)有的介質(zhì)濾波器之后進行模型制造。注意全部三個“A”諧振器，#1、#2、#3是用于AAA濾波器相同方向定向的。選擇三個“A”諧振器并調(diào)整以制作圖66的帶通響應(yīng)。在圖67中展示AAA濾波器的寄生頻率響應(yīng)。在圖68～70中展示AAA濾波器的三個諧振器、#1、#2、#3的各個單獨的頻率響應(yīng)。注意在1.5GHz和4.5GHz附近分別有一階和三階諧波。在一階諧振峰之上的寄生頻率響應(yīng)以及其他等等是由于在同軸諧振器中的較較階模式，例如TE-模式是眾所周知的。較高階模式可能僅存在在諧振器的截止頻率之上。作為測試目的，截止頻率被選擇為相等于1.9GHz，這樣在1.9GHz以上的大多數(shù)寄生頻率響應(yīng)可以作為較高階模式解釋，對于帶通濾波器高階模式是不需要的。圖67是基線數(shù)據(jù)，使用不同諧振器類型的其他濾波器響應(yīng)和相反的諧振器定向方法將與圖67比較。同樣，如在圖71中所示，使用有頻率響應(yīng)的再入式諧振器。
在數(shù)據(jù)中諧振峰出現(xiàn)在方向的對面，因為單個諧振器耦合到網(wǎng)絡(luò)分析儀，它以傳統(tǒng)方法制作樣品支架，如在圖72中所示，用具有在圖71中展示的頻率響應(yīng)的再入式諧振器代替圖66的中心#2諧振器來制造ABA帶通濾波器。在圖73中展示的ABA濾波器的頻率響應(yīng)重疊圖67的基線數(shù)據(jù)。通過用再入式諧振器代替中央同軸諧振器，改進了寄生頻率響應(yīng)，較高頻率的超寬范圍不會在一階諧振峰附近有害地影響主要濾波器特性。
除了上述混合諧振器的方法之外，為減少介質(zhì)濾波器的寄生頻率響應(yīng)，相反諧振器定向的一個新的耦合技術(shù)同樣改進濾波器特性。諧振器的定向是由沒有電極涂層的諧振器的頂部所規(guī)定的。圖74～75展示新的耦合方法，它是在AAA和ABA濾波器中的中央諧振器上方被倒裝的，如在圖65和72中分別所示。如從圖65和72中可見，這些諧振器是用全部頂部定向的，而沒能電極指向上。圖74展示濾波器A[A]A和圖75展示濾波器A[B]A，其中每個濾波器的中間諧振器是用頂部指向下來定向的。在AAA，ABA，A[A]A和A[B]A濾波器的全部使用相同的IRIS耦合。在圖76中展示的A[A]A濾波器特性重疊AAA濾波器響應(yīng)的特性。在圖77中展示的A[B]A濾波器的濾波特性重疊AAA濾波器響應(yīng)的特性。如從圖76～77所見，在頻率響應(yīng)方面有所改進，即達到在1.5GHz附近一階諧振峰沒有影響主要濾波器特性。當(dāng)與濾波器的外部這些諧振器的磁場相比較時，堅信來源于具有對面的磁場中央諧振器的這些改進。圖74～75的這些濾波器可由單塊材料制造的。在濾波器中諧振器相反定向的方法可以應(yīng)用到任何數(shù)量的POLE(極)濾波器制造，例如四極、五極以及直至第n-極。
當(dāng)使用電極耦合時，諧振器的相反定向的另一個方法是這些電極的定位以提供諧振器定向的電學(xué)相反。圖78和83分別展示使用電極耦合的單塊材料制造的三極濾波器10和四極濾波器12的簡圖。在圖78和83中，作為例子使用同軸式諧振器，但是可以使用其他類型諧振器和諧振器類型組合。圖79、80、81和82分別展示圖78的頂視圖、底視圖和三維視圖。圖84、85、86和87分別展示圖83的頂視圖、底視圖和三維視圖。如同大多數(shù)濾波器，在濾波器10和12兩者上有外部電極涂層14，它類似于接地的作用。每個濾波器10、12的頂視圖展示耦合電極16，它在每個諧振器之間提供電極耦合。每個濾波器10，12的底視圖展示輸入/輸出電極18，耦合電極20和接地電極22。接地電極22復(fù)蓋被相反的諧振器或諸諧振器的底部。輸入/輸出電極18和耦合電極20在濾波器和諧振器的輸入/輸出之間提供耦合，耦合電極20被裝到諧振器處。如在圖78～87中所示，在這些諧振器之間的諧振器接地這樣接收信號的輸入和輸出，通過濾波器變換諧振信號的電場方向。如上所述，電場方向的這種變換是類似于在濾波器中諧振器的定向倒置。作為其他例子，使用電極的定位來使用諧振器的倒置，圖88～91和92～95分別展示有兩個帶阻諧振器的四極濾波器和六極雙工器濾波器的視圖。圖49～64展示用再入式諧振器和有頂部和底部電極的同軸式諧振器的混合式的整體單塊陶瓷。圖49的帶通濾波器和圖57～61的雙工器濾波器通過定位耦合電極同樣包括方向相反的諧振器，類似于在圖78～95中所示的由全部同軸型諧振器制造的這些濾波器。
本發(fā)明的另一種實施方式是在過渡帶中有陡的截止特性的高級介質(zhì)濾波器，而沒有共用濾波器的附加帶阻諧振器。同樣高級介質(zhì)濾波器具有改進的寄生頻率響應(yīng)，應(yīng)歸因于在本發(fā)明的其他實施方式中上述提出的諧振器配置和耦合方法。都知道過渡帶處在介質(zhì)濾波器在每端處具有帶阻諧振器的通頻帶的末端與阻帶的開始之間。正如上述討論，使用附加的諧振器，以改進邊頻頻率響應(yīng)，即，在介質(zhì)濾波器的過渡帶中陡的截止特性。圖96展示曲線圖，由于在雙工器濾波器中這些諧振器的配置，其中每個Tx和Rx帶通的僅有一側(cè)有改進的邊頻頻率響應(yīng)。如在圖96中所繪制的，濾波器典型地具有頻率響應(yīng)，對于濾波器的兩個過渡帶，兩個帶阻濾波器是需要去獲得陡的截止頻率響應(yīng)。本發(fā)明的高級介質(zhì)濾波器將除去用于附加諧振器為執(zhí)行帶阻功能的需要。
眾所周知橢圓函數(shù)濾波器顯示在過渡帶中的截止響應(yīng)的較高速率。使用橢圓函數(shù)濾波器的這個理論，建立高級介質(zhì)濾波器的實際方法是引入負向耦合，“-k(ij)”，在輸入與輸出諧振器之間，如在圖97中所示。圖97展示有關(guān)4極濾波器的簡圖和圖98展示正向耦合諧振器(圖98a)和負向耦合諧振器(圖98b)的比較?？紤]輸入和輸出諧振器的耦合情況，引入介質(zhì)濾波器的耦合的和配置的耦合情況，引入介質(zhì)濾波器的耦合的和配置的諧振器的新方法，必需條件之一構(gòu)成橢圓函數(shù)濾波器理論工作。橢圓函數(shù)濾波器理論的其他必需條件是在輸入諧振器與輸出諧振器之間具有負向耦合。
圖99展示四極型式的高級介質(zhì)濾波器，其中輸入諧振器#1和輸出諧振器#4是位于相互緊跟著并耦合在一起。當(dāng)與在濾波器中的其他諧振器之間的耦合相比較時，輸入和輸出諧振器的耦合通常需要弱耦合。圖99展示#1和#4諧振器以相反方向相互用于在它們之間的必需的負耦合。制作濾波器如在圖99中所示，不僅獲得橢圓函數(shù)濾波器理論“-k(1，4)”，而且同樣可能降低不需要的較高階諧振，正如在本發(fā)明的其他實施方式中所討論的。圖100展示圖99的濾波器，同時#2諧振器是再入型，以進一步改進濾波器的寄生頻率響應(yīng)。圖99～圖100的兩者濾波器使用IRIS耦合，其中在#1與#4諧振器之間的較弱的耦合可以由使用較小的IRIS開孔來完成的。圖101展示在圖99中展示的濾波器特性，其中清楚地展示在通帶的兩個末端上有高速率的截止衰減。
圖99～100的四極濾波器是作為在圖102～103中單塊成形的濾波器展示的。圖102展示全部同軸式諧振器的濾波器，圖103的濾波器包括有關(guān)#2諧振器再入型的使用。在圖102～103的這些諧振器之間的耦合是由導(dǎo)電電導(dǎo)來完成的，如同在本發(fā)明的其他實施方式中所討論的。其中，在#1與#4諧振器之間的較弱的耦合可以由增加在#1與#4諧振器的電極之間的距離來完成的，正如比較在耦合濾波器的其他諧振器的這些電極之間的距離一樣。當(dāng)與#1諧振器相比較時，#4諧振器的倒置是由定向輸出的輸入對面(圖102)或者由在本發(fā)明的其他實施方式中上述討論過程使用電極耦合的方法(圖103)來完成的。圖104a～b和圖105a～b展示由使用感應(yīng)耦合槽在#1與#4諧振器之間提供必需的弱耦合的另一個選擇方法。感應(yīng)耦合槽是在兩個耦合的諧振器之間的小槽。感應(yīng)耦合槽可以是十分有用的，因為它可以位于在#1與#4諧振器之間的任何位置，例如，在頂部或者底部或者側(cè)面表面。
圖101展示在圖99～100和102～103中所展示的濾波器通帶類型兩側(cè)截止衰減高速率。然而作為某些應(yīng)用，如在圖106中所示，一種愿望通帶濾波器僅展示一種陡峭的截止衰減率。圖106的濾波器特性可以是用圖107(a-c)～108(ac)的三極高級介質(zhì)濾波器來達到的。圖107～108展示由k(1，2)、k(2，3)和k(1，3)的IRIS耦合的三個分立的介質(zhì)濾波器制成的高級介質(zhì)濾波器。在圖107和108的濾波器之間的主要差別是全部三個諧振器在圖107中相同方向定向的，#2諧振器是在相對于在圖108中#1和#3諧振器為相反方向定向的。對于本發(fā)明的高級介質(zhì)濾波器應(yīng)該注意的主要區(qū)別是關(guān)聯(lián)這些諧振器具有奇數(shù)的特性。當(dāng)有奇數(shù)的這些諧振器的高級介質(zhì)濾波器時，為在圖107～108C中所示，對于在濾波器中的奇數(shù)諧振器，在第一個與最后的諧振器之間的磁性耦合自動地變成負的。實際上，對于有奇數(shù)諧振器的全部濾波器，或者輸入或者輸出諧振器的倒過來將打破期望的負耦合。然而為了降低不需要的較高階模式諧波，在輸入與輸出諧振器之間的任何這些諧振器會被倒過來，正如在本發(fā)明的其他實施方式中上述所討論的。圖108a-c展示這樣一種情況，其中#2諧振器是被倒過來的。圖107的濾波器特性是在圖109～110中展示的，圖108的濾波器特性是在圖111～112中展示的。如在圖108112中所示，可以清楚地看到在通帶的一側(cè)處證明高截止衰減率。同樣，用于特殊響應(yīng)，不同種類的這些諧振器可以被混合，如在本發(fā)明的其他實施方式中上述討論的。
在圖113～117中展示單塊三極高級介質(zhì)濾波器，其中圖115～117展示不同諧振器類型組合。同樣，圖115～117展示稍不同形狀的#2諧振器，它可以改進k(1，2)和k(2，3)的耦合以及濾波器的粉末壓制。在這些諧振器之間的耦合可以由如在圖113～117中所示的這些電極來實現(xiàn)。當(dāng)然如在圖104～105中所示，使用感應(yīng)耦合槽的輸入和輸出諧振器的感應(yīng)耦合可以被用于這些濾波器，取代電極耦合方法。
用于發(fā)送Tx和接收Rx的雙工器濾波器可以由上述敘述的兩個高級介質(zhì)濾波器來制造的。圖118～121展示由圖102～105的兩個四極高級介質(zhì)濾波器制造的雙工器濾波器。在圖118和121中使用感應(yīng)耦合槽而在圖119～121中使用導(dǎo)電電極，這樣可以完成用于Tx和Rx帶通濾波器的“-k(1，4)”的弱的負耦合。天線的電極是位于相同的平面，但是在圖118～119的Tx和Rx電極的其他側(cè)面上。為了獲得負耦合和降低較高階模式諧波，在Tx和Rx帶通濾波器中#4諧振器是倒裝的，需要這樣。用在它們之間引入接地電極(圖118，120)或者用物理分離(圖119，121)來完成在Tx和Rx濾波器的兩個#2諧振器之間的分離或者隔離(絕緣)。圖118～119展示的雙工器是用全部同軸型諧振器制造的，而圖120～121展示的雙工器用再入型#1諧振器，其中#1諧振器對于Tx和Rx兩者是倒過來的。
如上述所述，對于某些應(yīng)用可能僅需要一側(cè)的通帶的高截止衰減率。圖122～123展示雙工器由圖113～114展示的兩個濾波器設(shè)計制造的。注意天線的電極，Tx和Rx是不只位于相同平面，但是同樣相同側(cè)面。這是因為這些雙工器是由具有奇數(shù)諧振器的兩個濾波器制造的。在圖122～124展示的耦合諧振器使用電極耦合方法，包括“-k(1，3)”耦合。當(dāng)然感應(yīng)槽耦合可以用于“-k(1，3)”的弱的負耦合。圖124a展示在圖115～117中展示的使用兩個濾波器設(shè)計的雙工器透視圖，圖124b展示不同諧振器類型和耦合配置。圖125a～e展示不同的天線，Tx和Rx耦合配置可以與全部上述敘述過的雙工器一起使用，使用本發(fā)明的高級介質(zhì)濾波器。
上述已討論過，有奇數(shù)諧振器的高級介質(zhì)濾波器展示僅在通帶的過渡帶一側(cè)的陡的截止頻率響應(yīng)。如果在通帶的過渡帶兩側(cè)期望截止衰減高速率的話，這會考慮為這樣奇數(shù)的高級濾波器的缺點。奇數(shù)的高級濾波器的一個優(yōu)點是不需要將最后諧振器倒過來，最后諧振器耦合到第一個諧振器以在第一個與最后的諧振器之間獲得負耦合。奇數(shù)的高級濾波器的另一個優(yōu)點是可以用這樣的方式來設(shè)計，以改進粉末壓制和濾波器的耦合，如在圖115、116、117和124中所示。
用將帶阻諧振器耦合到奇數(shù)的高級濾波器的第一個諧振器的方法，可能在帶通濾波器的通帶的過渡帶兩側(cè)處，奇數(shù)的高級濾波器顯示陡的截止衰減率時，這允許使用具有奇數(shù)的高級濾波器優(yōu)點的濾波器。對于高級介質(zhì)濾波器的大量生產(chǎn)和高成品率，這可能是重要的考慮。
圖107展示三極高級介質(zhì)濾波器作為奇數(shù)的高級濾波器的實例。圖106展示圖107的濾波器的典型的頻率響應(yīng)。圖126是三維視圖。圖127是用帶阻諧振器耦合到奇數(shù)的高級濾波器的第一個諧振器的三極奇數(shù)的高級濾波器的頂視圖。在圖126～127中展示的濾波器是由單獨的諧振器制成的。圖128展示在圖126～127中展示的濾波器的通帶頻率響應(yīng)，它顯示在通帶過渡帶的兩側(cè)處陡的截止特性。圖129展示在圖126～127中展示的濾波器的輸出寄生頻率響應(yīng)。圖130展示有帶阻諧振器的三極奇數(shù)的高級濾波器，其中#2同軸諧振器方向是相反的。圖131展示有帶阻諧振器的三極奇數(shù)的高級濾波器，其中#2諧振器是具有相反定向的再入式諧振器。圖132展示圖130的濾波器的輸出寄生頻率響應(yīng)。比較圖129和132展示圖130的濾波器顯示改進的輸出寄生頻率響應(yīng)如同圖126～127的濾波器比較。
圖133～135展示包括附加的帶阻諧振器的三極高級介質(zhì)濾波器的單塊型式的三維圖、頂視圖、底視圖。圖136～137和138～139是與一個帶阻諧振器一道，由同軸式和再入式諧振器組合制成單塊三極高級介質(zhì)濾波器的其他例子。圖140～142，143，144和145展法具有#2諧振器改進形狀的附加帶阻諧振器的單塊三極高級介質(zhì)濾波器。在圖140～142，143，144和145展示的#2諧振器改進形狀考慮到改進耦合和粉末壓制工藝的結(jié)合。
圖146～圖148展示在圖133～135中展示的類型由兩個帶通濾波器制成的，單塊雙工器濾波器的三維視圖、頂視圖和底視圖。圖149～152展示按照圖136～139由兩個帶通濾波器制成的單塊雙工器濾波器的耦合方法和各種型式諧振器組合的頂視圖。圖153～155展示在圖140～142中展示的由兩個帶通濾波器的類型的單塊介質(zhì)雙工器濾波器的三維視圖、頂視圖和底視圖。圖156～159展示按照圖143～145的由兩個帶通濾波器制成的各種型式雙工器配置的頂視圖。
圖107和108同樣展示使用橢圓函數(shù)理論的三個諧振器配置。三個諧振器配置是耦合的，其中#1諧振器耦合到#2諧振器，#2諧振器是耦合到#1和#2諧振器兩者。如在上述討論過的，使用三個諧振器配置，在濾波器的輸入與輸出之間至少一個諧振器必須諧振比在濾波器中其他諧振器還要高的不同的所期望頻率的高階諧振，仍諧振期望頻率的相同一階諧波。當(dāng)使用圖107的這樣三個諧振器配置作為濾波器時，圖106展示典型的頻率響應(yīng)。圖126是三維視圖，圖127是用帶阻諧振器耦合到#1諧振器的三個諧振器配置，以形成濾波器。在圖形中展示的I/O代表電連接，可以作為或者輸入或者輸出的作用。圖128展示在圖126～127中所示的濾波器的帶通頻率響應(yīng)，它在通帶的過渡帶兩側(cè)處顯示陡的截止特性。圖129展示在圖126～127中所示的濾波器的輸出寄生頻率響應(yīng)。圖130展示有帶阻諧振器耦合到#1諧振器的三個諧振器配置以形成濾波器，其中#2同軸比諧振器方向相反的。圖131展示圖130的濾波器，其中#2諧振器是有相反定向的再入式諧振器。圖132展示圖130濾波器的輸出寄生頻率響應(yīng)。比較圖129和132展示圖130的濾波器顯示改進的輸出寄生頻率響應(yīng)，如同圖126～127的濾波器相比較。圖133～135展示單塊濾波器的三維視圖、頂視圖和底視圖，它包括有帶阻諧振器耦合到#1諧振器的三個諧振器配置。圖136～137和138～139是使用三個諧振器配置耦合到帶阻諧振器的單塊的其他實例，它是由同軸式和再入式諧振器組合制成的。圖140～142，143，144和145展示有帶阻諧振器耦合到#1諧振器的三個諧振器配置以形成濾波器的實例，其中#2諧振器有改進的形狀。在圖140～142，143，144和145中展示的#2諧振器的改進形狀考慮到改進耦合和粉末壓制工藝的結(jié)合。
圖146～148展示單塊雙工器濾波器的三維視圖、頂視圖和底視圖，它是由在圖133～135中展示由按照圖136～139的由兩個帶通濾波器制造的單塊雙工器濾波器的耦合方法和各種型式諧振器組合的頂視圖。圖153～155展示單塊介質(zhì)雙工器濾波器的三維視圖、頂視圖和底視圖，它是由在圖140～142中所示型式由兩個帶通濾波器制成。圖156～159展示按照圖143～145由兩個帶通濾波器制成的各種型式雙工器配置的頂視圖。
圖160展示有三個諧振器配置的濾波器，它包括在#1諧振器與帶阻諧振器之間耦合的附加的#4諧振器，其中輸入/輸出是連接到#4諧振器。圖161～163展示在圖160中所示的濾波器類型某些可能配置。圖161展示有全部同軸式諧振器的三個諧振器配置。圖162展示三個諧振器有用于#1和#3諧振器的同軸式諧振器，用于#2諧振器的再入式諧振器。圖163展示三個諧振器配置，用于#2和#3諧振器的同軸式諧振器，用于#1諧振器的再入式諧振器。圖164展示圖160的濾波器在配置中作為單塊濾波器。圖165展示有三個諧振器配置的濾波器，包括附加的#4諧振器和在#1諧振器與帶阻諧振器之間耦合的#5諧振器，其中輸入/輸出連接到#5諧振器。圖166展示在圖165中所示的兩個濾波器類型，裝配為雙工器配置。在帶阻諧振器與三個諧振器配置之間加入的附加諧振器在通過濾波器的信號中提供較深的衰減等級。這是在圖132與167的比較中所展示的，其中圖167展示圖162濾波器的輸出寄生頻率響應(yīng)。一個或者多個附加諧振器可以是這些諧振器之一，它諧振不同的較高階諧波，然而其他諧振器在濾波器的輸入和輸出之間。
正當(dāng)本發(fā)明的不同實施方式在此詳細討論時，它將由這些熟練技術(shù)來評價，對實施方式的各種改型和選擇會是看作為揭示全面教導(dǎo)的發(fā)展。因此，只在專門配置說明的，并不限于本發(fā)明的范圍，即給予任何和全部等效的全幅度。
權(quán)利要求
1.一種介質(zhì)濾波器，它由諧振器組成，使得所述濾波器在一設(shè)計頻率下諧振，其特征在于，所述濾波器包含一種三諧振器配置，它包括按照橢圓耦合方式與#2諧振器耦合的#1諧振器，與所述#1諧振器耦合的#3諧振器，并且所述#3還與所述#2諧振器耦合，#1、#2和#3諧振器之一個；與所述#1諧振器相連的第一個電連接器；與所述#3諧振器相連的第二個電連接器；與所述#1諧振器耦合的帶阻諧振器；并且其中，在第一和第二電連接器之間至少一個所述諧振器的設(shè)計與其他所述諧振器的設(shè)計不同，使得不同設(shè)計的所述諧振器與所述其它的諧振器在相同的設(shè)計頻率下諧振，并且在比其他所述諧振器更高階的諧波頻率下諧振。
2.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，與#1與#2諧振器之間的耦合和#2與#3諧振器之間的耦合相比，所述#1和#3諧振器的所述耦合是弱耦合。
3.如權(quán)利要求2所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述弱耦合是感應(yīng)耦合槽。
4.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述三諧振器配置中的至少一個諧振器其設(shè)計不同于其他所述諧振器。
5.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，與所述#1和#3諧振器相比，所述#2諧振器取向相反。
6.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，在所述濾波器的頂部和底部表面上使用電極耦合，所述#2諧振器電方向相反。
7.如權(quán)利要求6所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述濾波器由單塊介質(zhì)材料形成，并且包括頂部、底部和側(cè)面；所述側(cè)面由電極涂層所復(fù)蓋和互連，用作接地；每個所述諧振器包括耦合電極，使每個諧振器之間的電極耦合；所述#1諧振器包括用于電連接的電極；所述#3諧振器包括用于電連接的電極。
8.如權(quán)利要求6所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述濾波器由單塊介質(zhì)材料形成，并包括頂部、底部和側(cè)面；所述側(cè)面由電極涂層所覆蓋和互連，用作接地；每個所述諧振器包括耦合電極，使在每個諧振器之間電極耦合起來；所述#1諧振器包括用于電連接的電極；所述#3諧振器包括用于電連接的電極；并且用于電連接的所述電極的定位、耦合電極、接地電極涂層用來使所述#2電極取向電反向。
9.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，在所述帶阻諧振器與所述#1諧振器之間耦合的至少一個附加諧振器；所述第一個電連接器的連接被移動并連接到至少一個附加諧振器，即直接耦合到所述帶阻諧振器。
10.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，在所述帶阻諧振器與所述#1諧振器之間耦合的至少兩個附加的諧振器；移去所述第一個電連接器的連接并連接到所述至少兩個附加諧振器的所述諧振器，即直接耦合到所述帶阻諧振器。
11.一種用于某一裝置的雙工器介質(zhì)濾波器，其特征在于，它包含；用于所述濾波器的天線連接，即經(jīng)過所述濾波器用作對于某一裝置的輸入和輸出；輸出連接，用作從所述裝置到所述濾波器的連接；輸入連接，用作從所述濾波器到所述裝置的連接；第一三諧振器配置，設(shè)置在所述輸入與天線連接之間耦合在一起，所述第一三諧振器配置設(shè)置包括按照橢圓耦合方式與#2諧振器耦合的#1諧振器，與所述#1諧振器耦合的#3諧振器，并且所述#3諧振器還與所述#2諧振器耦合，所述第一三諧振器配置設(shè)置包括與所述#1諧振器的帶阻諧振器，其中，在所述輸入與天線連接之間的至少一個所述諧振器其設(shè)計與其他所述諧振器的設(shè)計不同，從而不同設(shè)計下的所述諧振器以與所述其它諧振器相同設(shè)計頻率進行諧振，并且以比所述其他諧振器還要高階的不同的諧波頻率進行諧振；第二三諧振器配置，設(shè)置在所述輸出與天線連接之間耦合在一起，包括按照橢圓耦合方式與#2諧振器耦合的#1諧振器，與所述#1諧振器耦合的#3諧振器，并且所述#3諧振器還耦合所述#2諧振器，所述第一三諧振配置設(shè)置包括與所述#1諧振器耦合的帶阻諧振器，其中，在所述輸出與天線連接之間的至少一個所述諧振器其設(shè)計不同于其它所述諧振器的設(shè)計，使得所述不同設(shè)計的諧振器以與所述其它諧振器相同的設(shè)計頻率進行諧振，并且以比所述其他諧振器的還要高階的不同的諧波頻率進行諧振。
12.如權(quán)利要求11所述的雙工器介電濾波器，其特征在于，與所述諧振器#1和#2之間的以及諧振器#2和#3之間的所述耦合相比，所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的所述#1與#3諧振器之間的所述耦合是弱耦合。
13.如權(quán)利要求12所述的雙工器器介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的所述弱耦合是感應(yīng)耦合槽。
14.如權(quán)利要求11所述的雙工器器介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的所述#2諧振器其設(shè)計不同于所述#1和#3諧振器的設(shè)計。
15.如權(quán)利要求11所述的雙工器器介質(zhì)濾波器，其特征在于，與所述#1和#3諧振器相比，所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的所述#2諧振器在定向上是反向的。
16.如權(quán)利要求11所述的雙工器器介質(zhì)濾波器，其特征在于，采用在所述濾波器的頂部和底部表面上的電極耦合，使所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的所述#2諧振器在電學(xué)上是取向反向的。
17.如權(quán)利要求16所述的雙工器器介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述濾波器由單塊介質(zhì)材料形成，并包括頂部、底部和側(cè)面；所述側(cè)面由用作接地的電極涂層所互連和覆蓋；所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的每個所述諧振器包括耦合電極，使得能夠在每個諧振器之間進行電極耦合；并且所述#1諧振器包括用于電連接的電極；并且所述#3諧振器包括用于電連接的電極。
18.如權(quán)利要求16所述的雙工器介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述濾波器是由單塊介質(zhì)材料形成的，并包括頂部、底部和側(cè)面；其中，所述側(cè)面由用作接地的電極涂層所互連和覆蓋；所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的每個所述諧振器包括在每個諧振器之間允許電極耦合的耦合電極；并且所述#1諧振器包括用于電連接的電極；所述#3諧振器包括用于電連接的電極；所述用于電連接的電極的定位、耦合電極、接地電極涂層用來使所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的所述#2諧振器的取向電反向。
19.如權(quán)利要求11所述的雙工器介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的所述#1諧振器與所述帶阻諧振器之間至少有一個附加的諧振器；所述輸入連接連接到所述至少一個附加諧振器，而所述至少一個附加諧振器直接耦合到所述第一三諧振器配置設(shè)置的所述帶阻諧振器；其中，移去所述輸出連接，并連接到所述至少一個附加的諧振器，而所述至少一個附加的諧振器直接耦合到所述第二三諧振器配置設(shè)置的所述帶阻諧振器。
20.如權(quán)利要求11所述的雙工器介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述第一和第二三諧振器配置設(shè)置的所述#1諧振器和所述帶阻諧振器之間至少有二個耦合的附加諧振器；并且所述輸入連接連接到所述至少兩個附加諧振器的所述諧振器，所述至少兩個附加的諧振器直接耦合到所述第一三諧振器配置設(shè)置的所述帶阻諧振器；并且移去所述輸出連接，并連接到所述至少兩個附加諧振器的所述諧振器，所述至少兩個附加諧振器直接耦合到所述第二三諧振器配置設(shè)置的所述帶阻諧振器。
全文摘要
一種濾波器及其制造方法。涉及有關(guān)電流濾波器除去不需要的頻率諧波。該濾波器由多個諧振器(#1、#2、#3)構(gòu)成，以致濾波器諧振設(shè)計頻率。其中，至少兩個諧振器在輸入(I/O)與輸出(I/O)之間是耦合在一起的，至少一個諧振器是由其他諧振器的不同設(shè)計構(gòu)成的，以致不同設(shè)計的諧振器諧振作為其他諧振器的相同設(shè)計頻率并諧振比其他諧振器還要高階的不同的諧振頻率。本發(fā)明同樣提供改進濾波器的邊頻響應(yīng)以及該濾波器的其他響應(yīng)性能。
文檔編號H01P1/212GK1471744SQ01817769
公開日2004年1月28日 申請日期2001年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月26日
發(fā)明者蔣西君 申請人:蔣西君