專利名稱：用源極側(cè)硼注入的非易失性存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及制造如EEPROMs之類閃存組件的改進(jìn)方法，更具體地說，本發(fā)明涉及源極和漏極具有不同縮小的短通道效應(yīng)的非易失性閃存組件。
現(xiàn)有技術(shù)

圖1b代表現(xiàn)有技術(shù)圖1a中在核心區(qū)域11內(nèi)一個(gè)典型存儲(chǔ)單元14的局部剖視圖。該單元14通常在基底內(nèi)部或P阱16內(nèi)包括源極14b、漏極14a和通道15，而堆棧柵極結(jié)構(gòu)14c則覆蓋在通道15之上。堆棧柵極結(jié)構(gòu)14c又包括長在P阱16表面上的薄柵極介電層17a(通常稱之為隧道氧化層)。堆棧柵極結(jié)構(gòu)14c也包括一個(gè)多晶硅浮置柵極17b，該浮置柵極覆蓋在隧道氧化層17a之上，而內(nèi)多晶(interpoly)介電層17c則在浮置柵極17b之上。該內(nèi)多晶介電層17c通常是一個(gè)多層結(jié)構(gòu)的絕緣體，例如一個(gè)氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層，其有兩層氧化層，在該兩層氧化層之間，以三明治的方式夾有一層氮化層。最后，有一個(gè)多晶硅控制柵極17d覆蓋在內(nèi)多晶介電層17c之上。每一個(gè)堆棧柵極結(jié)構(gòu)14c都耦合至一條字符線(WL0、WL1、…、WLn)之上，而每一個(gè)漏極選擇晶體管的漏極部份都耦合至一條位線(BL0、BL1、…、BLn)之上。根據(jù)堆棧柵極結(jié)構(gòu)14c在通道15內(nèi)所建立的電場，單元14的通道15會(huì)使電流在源極14b和漏極14a之間導(dǎo)通。利用外圍譯碼器和控制電路，每一個(gè)存儲(chǔ)單元14可以被尋址而進(jìn)行編程、取讀或拭除的功能。
于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，一直有一種趨勢，即追求更高的組件密度，以增加電流速度和信息存儲(chǔ)密度。為了達(dá)到這些高密度，于是就有一種持續(xù)的需求，即致力于將位于半導(dǎo)體晶圓上的組件的尺寸按比例縮小。所謂的按比例縮小即按比例縮小組件結(jié)構(gòu)和電路尺寸以制造更小的組件，而這些縮小的參數(shù)系根據(jù)其原來較大而未縮小的組件而來。為達(dá)到縮小，就需要愈來愈小的特征尺寸，包括柵極長度之類的寬度和間距等特征尺寸。
對(duì)于小尺寸特征的需求，在閃存方面，有許多需要注意的地方，特別是關(guān)于保持品質(zhì)的一致性和可靠性。例如，當(dāng)特征尺寸縮小后，如縮小柵極的長度，尺寸(如柵極長度)的變化度就相對(duì)地增加。也就是當(dāng)尺寸縮小時(shí)，會(huì)變得比較困難去保持對(duì)關(guān)鍵尺寸的控制。當(dāng)柵極長度縮小時(shí)，短通道效應(yīng)的發(fā)生機(jī)率就會(huì)增加。在某些例子當(dāng)中，氮化隧道氧化物層也會(huì)增加短通道效應(yīng)。
當(dāng)源極和漏極之間的長度縮小時(shí)，短通道效應(yīng)就會(huì)發(fā)生。短通道效應(yīng)包括Vt滑落(Vt是臨界電壓)、漏極引發(fā)能障降低(DIBL)、以及多余欄漏。DIBL的發(fā)生多是在短通道組件中，由漏極電壓的引入所引起。換言之。漏極電壓會(huì)引起表面電壓的降低。
從前面所述的問題及關(guān)注的要點(diǎn)來看，雖然增加積體程度，然而在改善閃存的層面上卻不能滿足，特別是對(duì)有因縮小而有短通道效應(yīng)的次0.18微米閃存而言。
本發(fā)明一方面涉及一種制造閃存單元的方法，該方法包括下列步驟提供一個(gè)在其上有閃存單元的基底；在該基底上生長一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)源極掩模，該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口；經(jīng)由自對(duì)準(zhǔn)源極掩模上與源極線相對(duì)應(yīng)的開口，在基底內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)；從基底上移除該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模；在基底上生長一層MDD掩模，該MDD掩模會(huì)覆蓋在源極線上，而且有對(duì)應(yīng)至漏極線的開口；以及注入第二類中等劑量漏極注入子，以在毗鄰閃存的基底內(nèi)，形成一個(gè)漏極區(qū)域。
本發(fā)明另一方面涉及一種制造閃存單元的方法，該方法包括下列步驟提供一個(gè)在其上有閃存單元的基底；在該基底上生長一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)源極掩模，該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口；經(jīng)由自對(duì)準(zhǔn)源極掩模上與源極線相對(duì)應(yīng)的開口，在基底內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)，以在毗鄰閃存的基底內(nèi)，形成一個(gè)源極區(qū)域，其中在注入的過程當(dāng)中，源極雜質(zhì)的注入能量大約從10keV到大約40keV，而劑量大約從1×1013atoms/cm2到大約5×1014atoms/cm2；從基底上移除該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模；在基底上生長一層第二掩模，該第二掩模具有對(duì)應(yīng)至漏極線的開口；注入第二類中等劑量漏極注入子，以在毗鄰閃存的基底內(nèi)，形成一個(gè)漏極區(qū)域，其中中等劑量漏極注入子的注入能量大約從30keV到大約60keV，而劑量大約從5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2；從基底上清除第二掩模；以及加熱該基底，加熱的溫度大約從300℃至1,100℃。
本發(fā)明另一方面還涉及一種制造閃存單元的方法，該方法包括下列步驟提供一個(gè)其上有閃存單元的基底；在該基底上生長一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)源極掩模，該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口；經(jīng)由自對(duì)準(zhǔn)源極掩模上與源極線相對(duì)應(yīng)的開口，在基底內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)，其中源極的注入能量大約從10keV到大約40keV，而劑量大約從1×1013atoms/cm2到大約5×1014atoms/cm2；從基底上移除該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模；在基底上生長一層第二掩模，該第二掩模有對(duì)應(yīng)至漏極線的開口；注入第二類中等劑量漏極注入子，以在毗鄰閃存的基底內(nèi)，形成一個(gè)漏極區(qū)域，其中中等劑量漏極注入子的注入能量大約從30keV到大約60keV，而劑量大約從5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2；在惰性氣體氣氛中加熱該基底，加熱的溫度大約從400℃至1,200℃。
發(fā)明的詳細(xì)說明本發(fā)明的內(nèi)容包括制造具有不同通道摻雜用于源極和漏極的非易失性閃存組件，據(jù)此而提供具有降低短通道效應(yīng)的非易失性閃存組件。根據(jù)本發(fā)明的說明，當(dāng)制造非易失性閃存組件時(shí)，在源極側(cè)邊注入加熱步驟之后的側(cè)邊擴(kuò)散是非必要的。在本發(fā)明中所參考圖標(biāo)中的標(biāo)示數(shù)字，也同樣地在通篇的文字說明中引用。
配合所附的圖2至7，其中的標(biāo)示數(shù)字，也同樣在通篇的文字說明引用，如此可以對(duì)本發(fā)明獲得最佳方式的了解。
配合所附的圖2至7，將要展示的是改良的半導(dǎo)體制造過程的流程圖，用以詳細(xì)介紹如何制作所述閃存組件。本制造過程將會(huì)強(qiáng)調(diào)基底核心區(qū)域內(nèi)的動(dòng)作，該區(qū)域也是堆棧存儲(chǔ)單元和選擇柵極晶體管依序放置的地方。再進(jìn)一步說明，該基底包含兩區(qū)域，也就是外圍區(qū)域和核心區(qū)域；基底的核心區(qū)域包含兩塊面積，也就是堆棧存儲(chǔ)單元面積。
參考圖2，圖中展示的基底30有一個(gè)堆棧存儲(chǔ)單元32和淺溝道隔離區(qū)域41。該堆棧存儲(chǔ)單元32是放置在基底30中核心區(qū)域的堆棧存儲(chǔ)單元面積內(nèi)，而淺溝道隔離區(qū)域41包含一個(gè)如二氧化硅或氮化硅的類的絕緣物質(zhì)?；?0有一個(gè)堆棧存儲(chǔ)單元32，而其預(yù)備的方式將于下文中說明，但是其它任何合適的步驟也是可以使用的。
通常基底30是一個(gè)硅基底，其上可選擇地伴隨不同的組件、區(qū)域及/或?qū)拥?；包括金屬層、阻擋層、介電層、組件結(jié)構(gòu)、如有源硅區(qū)域或面積之類的有源區(qū)域、包含P阱、N阱、額外的多晶硅柵極、字線、源極區(qū)域、漏極區(qū)域、位線、基極、射極、集極、導(dǎo)體線、導(dǎo)體栓(conductiveplug)等等的有源組件和無源組件。有第一氧化層40加在至少一部份的基底30上，或在整個(gè)基底30之上，而可用來覆蓋的方法如干氧化、濕氧化、快速熱氧化、或化學(xué)氣相沉積化(CVD)。
可選擇地利用氮化過程而將第一氧化層40氮化。于某些情況下，引入氮化的第一氧化層40會(huì)造成短通道效應(yīng)。本發(fā)明的目的是將這些效應(yīng)最小化，因此能使氮化的第一氧化層40應(yīng)用于閃存組件中(氮化隧道氧化層)。該氮化的第一氧化層40也會(huì)達(dá)到改善隧道氧化可靠度。
利用任何合適的方法生成一層第一多晶層42，這些合適的方法比如在該第一氧化層40上實(shí)施原位置摻雜步驟。第一多晶層42可以是多晶硅，或者是摻雜無結(jié)晶狀的硅。多晶硅系用CVD技術(shù)而生成，而摻雜無結(jié)晶狀的硅則是用原位置摻雜過程所生成。第一摻雜無結(jié)晶狀的硅層42(也標(biāo)示成Poly 1)然后形成堆棧存儲(chǔ)單元的浮置柵極。生成該薄第一摻雜無結(jié)晶狀的硅層所加入摻雜子可以是磷或砷當(dāng)中至少的一項(xiàng)。
利用任何合適的方法，在Poly 1層42的至少一部份上生成介電層44，該介電層最好是有三層的ONO多層介電層，也就是一層氧化層44a，一層氮化層44b，以及另外一層氧化層44c。該介電層然后會(huì)形成堆棧存儲(chǔ)單元32的內(nèi)多晶介電層。
利用任何合適的方法，在基底的至少一部份上生成第二多晶層46，該第二多晶層46然后形成堆棧存儲(chǔ)單元(也標(biāo)示成Poly 2)的控制柵極。該第二多晶層46由多晶硅或者是摻雜無結(jié)晶狀的硅所制成。
雖然未于圖中表明，利用任何合適的方法，可以在Poly 2層的至少一部份上生成額外的層。例如，硅化鈷或硅化鎢層就可以在Poly 2層46的至少一部份上生成，而硅氮氧化合物層就可以在硅化鎢層上生成。
不同適合的掩模和蝕刻步驟用來在結(jié)構(gòu)(柵極出定義)的核心區(qū)域的堆棧存儲(chǔ)單元面積之內(nèi)形成存儲(chǔ)單元。有一個(gè)或多個(gè)光刻膠和/或硬掩模和/或部份形成的堆棧存儲(chǔ)單元(未于圖中展示)用來當(dāng)做掩模。蝕刻通常是以一層一層的方式進(jìn)行，以使蝕刻的選擇率達(dá)到最大。例如，對(duì)Poly 2層的蝕刻所使用化學(xué)蝕刻方法和對(duì)氧化物層的蝕刻的化學(xué)方法即不同。雖然圖中只展示一個(gè)堆棧存儲(chǔ)單元32，但在該結(jié)構(gòu)的核心區(qū)域內(nèi)可形成多個(gè)堆棧存儲(chǔ)單元。在處理之前，該結(jié)構(gòu)也可以選擇性地進(jìn)行清洗。該堆棧存儲(chǔ)單元32(以及圖7中的SONOS形式的存儲(chǔ)單元)可以有一個(gè)大約為0.18微米或者更小的寬度。
參考圖3，所展示的是在該結(jié)構(gòu)上制造一個(gè)掩模，因此留下一條曝光的Vss線。
形成該掩模48包括利用位于該結(jié)構(gòu)上的光刻膠或硬掩模而制造出有線路圖案的自對(duì)準(zhǔn)源極(SAS)掩模，因此會(huì)留下源極線開口50以做為后續(xù)的過程之用。換言之，掩模48在基底30上有開口50，而經(jīng)過該開口，可以接著生成源極線。
在掩模成形之后，有一個(gè)如硼之類的源極雜質(zhì)經(jīng)由掩模48的開口50，注入到暴露的源極線(到基底30的暴露部份)，因此形成源極邊注入52。該源極雜質(zhì)可以部份擴(kuò)散至Poly 1或浮置柵極的底下。源極雜質(zhì)可以是p型態(tài)或n型態(tài)，但最佳的方式是p型態(tài)。
于一個(gè)實(shí)施例中，源極雜質(zhì)的注入能量大約從10keV到大約40keV，而劑量大約從1×1013原子/平方厘米(atoms/cm2)到大約5×1014atoms/cm2。在另一個(gè)實(shí)施例中，源極雜質(zhì)的注入能量大約從15keV到大約30keV，而劑量大約從5×1013atoms/cm2到大約2×1014atoms/em2。又在另一個(gè)實(shí)施例中，源極雜質(zhì)的注入能量大約從15keV到大約25keV，而劑量大約從5×1013atoms/cm2到大約2×1014atoms/cm2?？捎昧状媾鹱⑷牖虺俗⑷肱鹬庠僮⑷肓?使用相同的能量和劑量程度)。
參考圖4，在源極雜質(zhì)的注入過程之后將掩模48移除，然后選擇性地清洗該結(jié)構(gòu)。值得注意的是，用熱處理來加速硼52在柵極(Poly 1柵極42)底下的擴(kuò)散過程并不是必要的。
參考圖5，有一個(gè)掩模54在該結(jié)構(gòu)上生成，而留下存儲(chǔ)單元32的暴露漏極區(qū)域，一個(gè)中等劑量漏極(MDD)注入過程被施行以形成漏極58區(qū)域。形成掩模54的過程包括利用位于該結(jié)構(gòu)上的光刻膠或硬掩模而制造出有線路圖案的MDD掩模，然后留下漏極區(qū)域開口56，以做為后續(xù)過程之用。換言之，掩模54在基底30之上有開口56，而經(jīng)過該開口，可以接著生成漏極。該MDD掩模覆蓋整個(gè)外圍區(qū)域和部份的核心區(qū)域，也即不和漏極區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域。換言之，MDD掩模覆蓋在源極線之上。
MDD注入可以使一個(gè)重度接面(heavy junction)的生成變得容易。雜質(zhì)可以是p型態(tài)或n型態(tài)，但最佳的方式是p型態(tài)。特別的情況為，雜質(zhì)最好是n+注入子，如砷或磷。MDD注入雜質(zhì)最好是和源極雜質(zhì)的型態(tài)相反；也就是，當(dāng)源極雜質(zhì)是p型態(tài)時(shí)，MDD注入是n型態(tài)，而當(dāng)源極雜質(zhì)是n型態(tài)時(shí)，MDD注入是p型態(tài)。在其中的一個(gè)實(shí)施例中，MDD注入子的注入能量是大約從30keV到大約60keV的能量，而劑量大約從5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2。在另一個(gè)實(shí)施例中，MDD注入子的注入能量是大約從35keV到大約55keV的能量，而劑量大約從1×1014atoms/cm2到大約1×1015atoms/cm2。
參考圖6，在MDD漏極側(cè)邊注入之后的工藝過程是移除掩模54，以及選擇性地清洗該結(jié)構(gòu)。可以施行在柵極(在Poly 1柵極42)之下加快硼52和MDD注入擴(kuò)散過程的熱處理。在一個(gè)實(shí)施例中，該熱處理過程包括在惰性氣體氣氛中對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱，加熱的溫度從大約400℃到大約1,200℃，加熱的時(shí)間大約從1秒鐘至5分鐘。惰性氣體包括氮體、氦體、氖氣、氬氣、氪氣、和氙氣。在另一個(gè)實(shí)施例中，該熱處理過程包括在對(duì)該結(jié)構(gòu)加熱時(shí)，加熱的溫度大約從500℃至大約1,100℃，而加熱的時(shí)間大約是10秒鐘至3分鐘。又在另一個(gè)實(shí)施例中，該熱處理包括在對(duì)該結(jié)構(gòu)加熱時(shí)，加熱的溫度大約從600℃至大約1,000℃，而加熱的時(shí)間大約是15秒鐘至2分鐘。
本發(fā)明也可以應(yīng)用到SONOS(硅、氧化物、氮化物、氧化物、硅)型態(tài)存儲(chǔ)組件。參考圖7，所展示的是一個(gè)SONOS型態(tài)存儲(chǔ)組件33，該組件有根據(jù)本發(fā)明而形成的源極側(cè)邊硼注入52和MDD漏極側(cè)注入58。該SONOS型態(tài)存儲(chǔ)組件33的處理過程和圖2至6中的堆棧存儲(chǔ)單元32一樣，因此之故，圖7類似于圖6。本發(fā)明也可以應(yīng)用到NAND和NOR型態(tài)存儲(chǔ)器的架構(gòu)。
雖然未以圖載明，但是事實(shí)上施行了一系列的掩模和蝕刻步驟(例如自對(duì)準(zhǔn)蝕刻步驟)，以在核心區(qū)域中形成選擇性柵極晶體管，在外圍區(qū)域形成高電壓晶體管和低電壓晶體管，也形成字符線、接點(diǎn)、內(nèi)接點(diǎn)、一層壓縮的氧化層，如原硅酸四乙脂(teraethylorthosilicate(TEOS))、硼磷原硅酸四乙脂(borophosphotetraethylorthosilicate(BPTEOS))、磷硅酸玻璃(phosphosilicate glass(PSG))、或硼磷硅酸玻璃(borophosphosilicate glass(BPSG))等等。這些步驟可以配合本發(fā)明而在存儲(chǔ)單元形成的當(dāng)中，和/或在存儲(chǔ)單元形成之后實(shí)施，而這些步驟已于本領(lǐng)域的專業(yè)人士所熟知。
雖然本發(fā)明是以一些特定的較佳實(shí)施例為例說明，然而應(yīng)當(dāng)可以理解的，對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)人士而言，他們經(jīng)過閱讀本發(fā)明的說明和所附圖標(biāo)，而且也了了解本發(fā)明的內(nèi)容后，他們是可以對(duì)本發(fā)明做一等效的變動(dòng)和修改的。特別對(duì)前面敘述的組件(組合、組件、電路等等)的不同功能，所有用來描述這些組件的術(shù)語(包括所謂的方法)指的是任何可以具有前述組件特定功能的組件(也就是功能的等效性)，這些功能等效的組件，雖然在結(jié)構(gòu)上和本發(fā)明實(shí)施例中所揭露的結(jié)構(gòu)不相同，卻具有等效的特定功能。除此之外，本發(fā)明所揭露實(shí)施例中的特點(diǎn)，也可以和另一實(shí)施例的一個(gè)或數(shù)個(gè)功能特點(diǎn)一起結(jié)合，以便依照需求或特定的應(yīng)用形成優(yōu)點(diǎn)。
工業(yè)應(yīng)用本發(fā)明的方法可用在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造領(lǐng)域中，而且可以特別應(yīng)用在非易失性閃存組件，如EEPROM等的制造上。
權(quán)利要求
1.一種制造閃存單元(32)的方法，該方法包含提供一個(gè)在其上有閃存單元(32)的基底(30)；在該基底(30)上生長一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)，該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口(50)；經(jīng)由自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)上與源極線(52)相對(duì)應(yīng)的開口(50)，在基底(30)內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)；從該基底(30)上移除該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)；在該基底(30)上生成一個(gè)MDD掩模(54)，該MDD掩模(54)覆蓋在源極線(52)之上，而且有對(duì)應(yīng)至漏極線的開口(56)；以及注入第二類中等劑量漏極注入子，在毗鄰閃存單元(32)的基底(30)內(nèi)，形成漏極區(qū)域(58)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在注入中等劑量漏極注入之后，對(duì)該基底(30)進(jìn)行熱處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該源極雜質(zhì)包含硼和磷中的至少一種，而源極雜質(zhì)的注入能量大約從15keV到大約30keV，而劑量大約從5×1013atoms/cm2到大約2×1014atoms/cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中的中等劑量漏極注入包含砷和磷中的至少一種，而中等劑量漏極注入的注入能量大約從30keV到大約60keV，而劑量大約從5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該閃存單元(32)包含第一多晶層(42)、一層在第一多晶層(42)之上的ONO多層介電層(44)、以及一層在ONO多層介電層(44)之上的第二多晶層(46)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該閃存單元(33)包含一層ONO電荷捕獲層(44)，和一層在ONO電荷捕獲層(44)之上的多晶層(58)。
7.一種制造閃存單元(32)的方法，該方法包含提供一個(gè)在其上有閃存單元(32)的基底(30)；在該基底(30)上生長一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)，該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口(50)；經(jīng)由自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)上與源極線相對(duì)應(yīng)的開口(50)，在基底(30)內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)，以在毗鄰閃存單元(32)的基底(30)內(nèi)形成源極區(qū)(52)，其中源極雜質(zhì)的注入能量大約從10keV到大約40keV，而劑量大約從1×1013atoms/cm2到大約5×1014atoms/cm2；從該基底(30)上移除該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)；在該基底上生長第二掩模(54)，該第二掩模(54)有對(duì)應(yīng)至漏極線的開口(56)；注入第二類中等劑量漏極注入子，以在毗鄰閃存單元(32)的基底(30)內(nèi)，形成一個(gè)漏極區(qū)域(58)，其中該中等劑量的漏極注入子的注入能量大約從30keV到大約60keV，而劑量大約從5×1013atoms/cm2到大約5×1015atoms/cm2；從基底(30)中移除第二掩模(54)；以及加熱該基底(30)，加熱溫度大約從300℃至1,100℃。
8.一種制造閃存單元(32)的方法，該方法包含提供一個(gè)在其上有閃存單元(32)的基底(30)；在該基底(30)上生長一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)，該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口(50)；經(jīng)由自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)上與源極線相對(duì)應(yīng)的開口(50)，在基底(30)內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)，其中源極雜質(zhì)的注入能量大約從10keV到大約40keV，而劑量大約從1×1013atoms/cm2到大約5×1014atoms/cm2；從基底上移除該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)；在基底上生長一層第二掩模(54)，該第二掩模(54)有對(duì)應(yīng)至漏極線的開口(56)；注入第二類中等劑量漏極注入子，在毗鄰閃存單元(32)的基底(30)內(nèi)，形成漏極區(qū)域(58)，其中該中等劑量的漏極注入子的注入能量大約從30keV到大約60keV，而劑量大約從5×1013atoms/em2到大約5×1015atoms/cm2；以及在惰性氣體氣氛中加熱該基底(30)，加熱溫度大約從400℃至1,200℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該閃存單元(32)包含氮化隧道氧化層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該閃存單元是一個(gè)SONOS型態(tài)的存儲(chǔ)單元(33)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造閃存單元(32)的方法，包括下列步驟提供一個(gè)在其上有閃存單元(32)的基底(30)；在該基底(30)上生長一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)，該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)會(huì)根據(jù)源極線而有相對(duì)應(yīng)的開口(50)；經(jīng)由自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)上與源極線相對(duì)應(yīng)的開口(50)，在基底(30)內(nèi)注入第一類的源極雜質(zhì)(52)；從基底(30)上移除該自對(duì)準(zhǔn)源極掩模(48)；在基底(30)上生長一層MDD掩模(54)，該MDD掩模(54)會(huì)覆蓋在源極線(52)上，而且有對(duì)應(yīng)至漏極線的開口(56)；以及注入第二類中等劑量漏極注入子，而在毗鄰閃存單元(32)的基底(30)內(nèi)，形成漏極區(qū)域(58)。
文檔編號(hào)H01L27/115GK1468447SQ01817027
公開日2004年1月14日 申請(qǐng)日期2001年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月30日
發(fā)明者S·哈達(dá), M·W·蘭道夫, 何月松, T·圖爾蓋特, 張稷, 黃雅之, S 哈達(dá), 蘭道夫, 翹 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司