專利名稱：靜電型繼電器和用該繼電器的用于通信的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由靜電引力驅(qū)動可動接點開閉接點的靜電型繼電器和用該繼電器的用于通信的裝置。特別是涉及利用微機械加工技術(shù)制作的小型的靜電微繼電器。
背景技術(shù)：
作為靜電微繼電器，我們至今已經(jīng)知道在論文“Micro Machined Relayfor High Frequency”(Y.Komura，et al.)中揭示的繼電器。圖1是表示這種靜電微繼電器構(gòu)造的分解斜視圖。又，圖2的截面圖是模式地表示該構(gòu)造的圖。這種靜電微繼電器大致可分成固定基片1和可動基片2兩部分。在固定基片1上，在基片3上形成2條信號線5，6，各條信號線5，6的端部隔開一個小間隙地相對，分別形成固定接點5S，6S。又，在2條信號線5，6的兩側(cè)分別設(shè)置固定電極4A，4B。在可動基片2上，在大致中央處形成的可動接點11的兩側(cè)通過彈性支持部分10A，10B形成可動電極9A，9B，在各可動電極9A，9B上通過彈性彎曲部分8A，8B設(shè)置拉樁7A，7B。通過將拉樁7A，7B固定在固定基片1上將可動基片2彈性地支持在固定基片1的上方，可動電極9A，9B與固定電極4A，4B相對，又，可動接點11跨在兩個固定接點5S，6S之間那樣地與它們相對。
在這種靜電微繼電器中，在固定電極4A，4B和可動電極9A，9B之間加上電壓發(fā)生靜電引力，將可動基片2吸引到固定基片1一側(cè)，使可動接點11與兩個固定接點5S，6S接觸，從而使固定接點5S，6S之間閉合，使2條信號線5，6電連接起來。而且，通過除去電壓使靜電引力消失，由于彈性力使可動電極9A，9B恢復(fù)到原來形狀，離開兩個固定電極4A，4B，從而截斷信號線5，6的電連接。
作為繼電器的重要特性之一，是插入損失。所謂插入損失特性是表示接點閉合時在信號線之間存在何種程度的信號損失的特性，提高插入損失特性意味著降低信號損失。
插入損失特性主要是由信號線具有的電阻，接點的接觸電阻決定。信號線的電阻主要由信號線的線寬，線長，材質(zhì)決定。接點的接觸電阻由固定接點與可動接點的接觸力，接點材料決定。
為了減少這種插入損失，在上述靜電微繼電器中，在接點閉合時進行下述那樣的動作。固定電極4A，4B和可動電極9A，9B之間加上電壓時在固定電極4A，4B和可動電極9A，9B之間發(fā)生靜電引力，首先彈性彎曲部分8A，8B彎曲，使可動電極9A，9B接近固定電極4A，4B，將可動接點11吸引到固定接點5S，6S。這時，因為可動電極9A，9B和固定電極4A，4B之間的距離與開始狀態(tài)比較變窄了，所以以更大的靜電引力進行吸引，使彈性支持部分10A，10B彎曲，通過絕緣層使可動接點11與固定接點5S，6S接觸。因為彈性支持部分10A，10B的彈性力比彈性彎曲部分8A，8B大，所以可動接點11以大的載重壓接在固定接點5S，6S上。
這樣，靜電微繼電器，因為具有大的接點間的接觸力，所以接點的接觸電阻降低，插入損失降低。又，通過用金(Au)等低電阻材料制作信號線，固定接點和可動接點，能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的插入損失特性。
又，上述那樣的靜電微繼電器的安裝形態(tài)，如圖3所示，為了使固定電極4A，4B，可動電極9A，9B，固定接點5S，6S，可動接點11等與各引線架12導(dǎo)通，通過焊接線13與各引線架12進行連接后，密封在模制組件內(nèi)。
但是，在上述那樣的構(gòu)造和安裝形態(tài)的靜電微繼電器的中，存在著因為是用引線架12和焊接線13的安裝形態(tài)，所以在安裝形態(tài)中與芯片形態(tài)比較安裝面積變大，因為信號線加長，所以插入損失變大，高頻特性惡化那樣的問題。
在上述那樣的靜電微繼電器中，如果要進一步減小它的插入損失，則通過使靜電微繼電器小型化，縮短信號線長度，減小信號線的電阻，能夠進一步減小繼電器的插入損失。
但是，如果使靜電微繼電器小型化，則因為可動電極和固定電極的電極面積也變小，所以在電極間起作用的靜電引力變小，接點間的接觸力下降。結(jié)果，接點間的接觸電阻增大，插入損失也隨之增加。
這樣，在已有那樣構(gòu)造的靜電微繼電器中，因為信號線的電阻和接點間的接觸力之間存在折衷關(guān)系，所以使靜電微繼電器小型化不一定與改善靜電微繼電器的插入損失有關(guān)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供與尺寸和接點間的接觸電阻無關(guān)能夠減小插入損失的靜電型繼電器。又，提供不會使接點的可靠性惡化但能夠減小插入損失的靜電型繼電器。進一步，提供用該繼電器的用于通信的裝置。
與本發(fā)明有關(guān)的靜電型繼電器的特征是在依靠在固定基片上形成的固定電極和與該固定電極相對的被彈性地支持的可動基片的可動電極之間發(fā)生的靜電引力驅(qū)動可動電極，使設(shè)置在上述固定基片上的多個固定接點和設(shè)置在上述可動基片上的可動接點接觸的靜電型繼電器中，具有在上述固定接點和上述可動接點之間的外側(cè)與連接上述固定接點和上述可動接點的連接線交叉的部分，使用通過與上述固定基片或上述可動基片接合，形成至少將上述固定接點和上述可動接點密封起來的密封部分的第3基片，和備有在不損壞上述密封部分的密封狀態(tài)的位置上，使在與上述固定接點連接的信號線中，至少一條信號線從上述固定基片的基片表面貫通到基片背面的貫通部分。
如果根據(jù)與本發(fā)明有關(guān)的靜電型繼電器，則因為使信號線貫通從固定基片的基片表面貫通到基片背面的貫通部分，所以能夠?qū)⑴渚€給貫通部分的信號線導(dǎo)向固定基片的下面。因此，與用接線架等的繼電器比較，能夠使靜電型繼電器小型化。又，因為能夠縮短信號線長度，所以能夠減小靜電型繼電器的插入損失，能夠得到良好的高頻特性。
所以，如果根據(jù)與本發(fā)明有關(guān)的靜電型繼電器，則即便靜電型繼電器的尺寸相同，由于縮短了信號線長度，信號線的電阻減小，能夠減小插入損失。又，如果根據(jù)這種靜電型繼電器，則能夠不增加接點間的接觸電阻，減小信號線的電阻，可以提高靜電型繼電器的插入損失特性。
又，如果根據(jù)本發(fā)明的靜電型繼電器，則因為用第3基片將固定接點和可動接點密封起來，所以通過設(shè)定固定基片和可動基片等接合時的周圍氣氛，能夠?qū)υ诠潭ń狱c和可動接點的間隙內(nèi)的氣氛(氣體種類，真空度)進行控制。進一步，因為通過將固定接點和可動接點密封起來加以保護，所以能夠防止由于從外部混入雜質(zhì)和腐蝕性氣體等的惡化作用，從而能夠提高繼電器的可靠性和壽命。
在本發(fā)明的實施形態(tài)中，使在與上述固定接點連接的信號線中，至少一條信號線從上述固定基片的基片表面貫通到基片背面，并且通過在該開口部分周邊上形成的金屬層與可動基片或第3基片接合，對使該信號線貫通的貫通孔的可動基片接合一側(cè)的開口部分實現(xiàn)密閉密封。在這個實施形態(tài)中，因為用貫通孔作為配置信號線的貫通部分，所以提高了設(shè)置貫通部分位置的自由度。進一步，如果根據(jù)這個實施形態(tài)，因為減少了在固定基片上形成的信號線的數(shù)目，所以能夠在不增大靜電型繼電器尺寸的情況下，增大固定電極和可動電極的面積。因為由此而來的在固定電極和可動電極之間起作用的靜電引力增大，所以可動接點和固定接點的接觸壓力增大，能夠減小靜電型繼電器的插入損失。又，通過增大固定電極和可動電極，可以降低可動基片的驅(qū)動電壓。
在本發(fā)明的其它實施形態(tài)中，也可以使在從上述固定基片的基片表面貫通到基片背面的上述信號線中，至少一條信號線對固定基片垂直地形成。如果使設(shè)置在固定基片上的信號線中，至少一條信號線對固定基片垂直地形成，則因為這條信號線的長度最短，所以能夠使提高插入損失特性的效果達到最大。
在本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)中，具有設(shè)置在固定基片上的配線，并且使與上述固定電極連接的信號線以外的配線中，至少一條配線從固定基片的基片表面貫通到基片背面，并且通過在該開口部分周邊上形成的金屬層與可動基片或第3基片接合，使該配線貫通的貫通孔的可動基片接合一側(cè)的開口部分實現(xiàn)密閉密封。如果根據(jù)這種實施形態(tài)，則因為減小了在固定基片上的配線面積，所以能夠減小靜電型繼電器的面積。又，因為通過將固定接點和可動接點密封起來加以保護，所以能夠防止由于從外部混入雜質(zhì)和腐蝕性氣體等的惡化作用，從而能夠提高繼電器的可靠性和壽命。
在本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)中，使在上述固定基片上形成的信號線或配線中，至少一組信號線或配線之間形成至少一條用于高頻的接地線。如果根據(jù)這種實施形態(tài)，則因為通過由用于高頻的接地線連接信號線或配線，能夠抑制信號線或配線之間的電容耦合，所以提高了靜電型繼電器的絕緣特性。
此外，所謂的絕緣特性指的是在接點打開時在信號線之間的信號泄漏存在到何等程度，提高絕緣特性意味著減少信號的泄漏。
在與本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)有關(guān)的靜電型繼電器中，在上述固定基片上形成的貫通孔內(nèi)形成信號線或配線中的至少一條信號線或配線，在這些信號線或配線中的至少一部分信號線或配線中，形成只在貫通孔的一部分內(nèi)的信號線或配線。如果根據(jù)這種實施形態(tài)，則即便在信號線或配線相對的情形中，通過部分地除去這部分的信號線或配線，也能夠抑制信號線或配線之間的電容耦合，從而能夠提高靜電型繼電器的絕緣特性。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，在位于在上述固定基片上形成的信號線或配線中，至少一條信號線或配線的基片背面一側(cè)的端部上設(shè)置突起。如果根據(jù)這個實施形態(tài)，則因為 在固定基片背面一側(cè)設(shè)置突起，所以可以通過突起將靜電型繼電器直接安裝在電路基片上。又，因為沒有必要在固定基片上形成引線接合點，所以可以實現(xiàn)元件小型化。總之，可以實現(xiàn)安裝的高密度化。進一步，因為不用引線，所以可以提高插入損失特性。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則可以將上述開口部分設(shè)置在與上述可動電極或上述可動接點電極相對的固定基片上的區(qū)域外側(cè)。如果根據(jù)這個實施形態(tài)，則因為開口部分與可動電極或可動接點不重合，所以用于堵塞該開口部分的材料對可動電極和可動接點不產(chǎn)生干擾，能夠提高選擇用于堵塞開口部分的材料的自由度。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則可以通過在與上述固定基片接合的一側(cè)上形成的凸部將第3基片與上述固定基片接合起來。如果根據(jù)這個實施形態(tài)，則因為備有用于將第3基片與固定基片接合起來的凸部，所以可以將可動接點和固定接點收藏在圍繞凸部的凹部內(nèi)進行密封，從而能夠?qū)崿F(xiàn)簡單的密封構(gòu)造。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則將上述開口部分的至少一個以上設(shè)置在與第3基片的上述凸部相對的位置上。如果根據(jù)這個實施形態(tài)，則因為能夠用設(shè)置在第3基片的凸部堵塞開口部分，所以能夠減少材料數(shù)目，容易組裝靜電型繼電器，也能夠使成本降低。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則因為將上述貫通部分設(shè)置在上述固定基片的外圍部分，所以容易進行貫通部分的加工。特別是，如果貫通部分形成在上述固定基片的外周面上具有開口的凹形狀，則使貫通部分的加工變得更加容易。例如，即便當(dāng)固定基片是由玻璃基片等構(gòu)成時，也能夠通過噴沙加工等設(shè)置貫通部分。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則因為對于上述固定基片的基片平面垂直地形成上述貫通部分，所以能夠使提高插入損失特性的效果達到最大。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則因為上述第3基片與上述固定基片接合，將上述貫通部分設(shè)置在固定基片上在固定基片和第3基片的接合區(qū)域的外側(cè)近旁，所以不會由于貫通部分損害固定基片和第3基片之間的密封構(gòu)造。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則因為使上述固定基片上形成的配線中，至少一條配線與上述貫通部分連接，所以能夠不僅縮短信號線長度而且也能夠縮短配線長度，增強抗噪聲能力，穩(wěn)定可動電極的動作。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則因為在上述固定基片的背面設(shè)置電極膜，通過在固定基片的背面形成隙縫使該背面電極膜與多個區(qū)域絕緣分離，所以與分別制作背面電極膜的情形比較，能夠使背面電極膜的制作工序簡略化。
如果根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)，則因為在上述固定基片的背面，設(shè)置與在上述固定基片上形成的信號線或配線中，至少一條信號線或配線導(dǎo)通的突起，所以能夠通過突起將靜電型繼電器安裝在表面上，為了進行安裝不需要引線架等。
根據(jù)與本發(fā)明有關(guān)的另外的其它實施形態(tài)，上述固定基片和上述可動基片是由單晶硅制作的。當(dāng)固定基片和可動基片都由單晶硅制作時，幾乎全部靜電型繼電器的制造工序都可以用半導(dǎo)體加工工序來處理，這是非常有利的。
本發(fā)明的靜電型繼電器，因為插入損失小，高頻特性卓越，所以特別適合作為切換天線或內(nèi)部電路的發(fā)射接收信號的切換元件用于通信用裝置中。
此外，能夠在可能的范圍內(nèi)任意地組合本發(fā)明的以上說明的構(gòu)成要素。


圖1是表示已有的靜電微繼電器構(gòu)造的分解斜視圖。
圖2是模式地表示圖1所示的靜電微繼電器構(gòu)造的截面圖。
圖3是說明圖1所示的靜電微繼電器的安裝形態(tài)的概略圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施形態(tài)的靜電微繼電器的分解斜視圖。
圖5是表示沿圖4的X-X線的截面的截面圖。
圖6是從背面一側(cè)看用于圖4的靜電微繼電器的固定基片的斜視圖。
圖7是從背面一側(cè)看用于圖4的靜電微繼電器的間隙的斜視圖。
圖8(a)(b)(c)是用于說明圖4所示的靜電微繼電器動作的概略截面圖。
圖9(a)(b)(c)(d)(e)是說明制造可動基片的中間制品的工序的概略圖。
圖10(a)(b)(c)(d)(e)是說明固定基片制造工序的概略圖。
圖11(a)(b)是說明間隙制造工序的概略圖。
圖12(a)(b)(c)(d)(e)是說明將圖9～圖11中制造的可動基片，固定基片和間隙組合起來制造靜電微繼電器的工序的概略圖。
圖13是表示根據(jù)本發(fā)明的其它實施形態(tài)的靜電微繼電器構(gòu)造的階段截面圖。
圖14是表示根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)的靜電微繼電器構(gòu)造的分解斜視圖。
圖15是表示圖14所示的靜電微繼電器的概略截面圖。
圖16是表示用于圖14的靜電微繼電器的固定基片的背面一側(cè)的斜視圖。
圖17是表示用于圖14的靜電微繼電器的可動基片的斜視圖。
圖18(a)(b)(c)是說明圖14的靜電微繼電器動作的概略圖。
圖19(a)～(e)是說明用于圖14的靜電微繼電器的可動基片的制作工序的概略圖。
圖20(a)(b)(c)(d)(e)是說明用于圖14的靜電微繼電器的固定基片的制作工序的概略圖。
圖21(a)(b)是說明用于圖14的靜電微繼電器的間隙的制作工序的概略圖。
圖22(a)(b)(c)(d)(e)是說明將圖19，圖20，圖21中制作的可動基片，固定基片和間隙組合起來制造靜電微繼電器的工序的概略圖。
圖23是表示根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)的靜電微繼電器構(gòu)造的分解斜視圖。
圖24是用于圖23的靜電微繼電器的可動基片的背面圖。
圖25是圖23所示的靜電微繼電器的截面圖。
圖26是表示將本發(fā)明的靜電微繼電器用作在便攜式電話等的無線電通信終端的切換開關(guān)的樣子的圖。
圖27是表示將本發(fā)明的靜電微繼電器用于無線電通信基站的例子的圖。
具體實施例方式
下面我們參照附圖詳細地說明與本發(fā)明有關(guān)的優(yōu)先實施形態(tài)。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施形態(tài)的靜電微繼電器構(gòu)造的分解斜視圖。圖5是表示沿圖4的X-X線的階段截面圖。這個靜電微繼電器主要由固定基片20，可動基片40和間隙50構(gòu)成，將可動基片40安裝在固定基片20的上面進行一體化，將固定基片20的上面和可動基片40密封在固定基片20和間隙50之間。圖6是從這個固定基片20的背面一側(cè)看的斜視圖，圖7是從間隙50的里面一側(cè)看的斜視圖。
如圖4所示，上述固定基片20是在表面被熱氧化的硅基片21的上面分別設(shè)置固定電極22和一組固定接點(23A，24A)的基片。固定電極22的表面被絕緣膜25覆蓋。又，在固定基片20上，形成由在硅基片21上鉆出的貫通孔26，27，28，29的內(nèi)面上形成的金屬膜構(gòu)成的信號線23，24和配線30，31(貫通孔配線)，在硅基片21的上面在各信號線23，24和配線30，31的邊緣上形成接合面23A，24A，30A，31A。在硅基片21的下面，如圖6所示，設(shè)置與各信號線23，24和配線30，31導(dǎo)通的接合面23B，24B，30B，31B，進一步，設(shè)置與各接合面23B，24B，30B，31B導(dǎo)通的連接突起32，33，34，35。固定電極22，與接合面30A導(dǎo)通，通過配線30和接合面30B與連接突起部分34連接。又，突起23A，24A成為固定基片20的固定接點(以下，將突起23A，24A稱為固定接點23A，24A)，固定接點23A，24A通過信號線23，24與突起32，33連接。
上述可動基片40是通過加工硅基片制作的，通過彈性彎曲部分42A，42B由拉樁41A，41B彈性地支持大致成矩形板狀的可動電極43，在可動電43的內(nèi)側(cè)鉆出的開口部分44上，通過彈性支持部分45A，45B彈性地支持可動接點部分46。彈性彎曲部分42A，42B是由沿可動基片40兩側(cè)邊緣部分設(shè)置的隙縫49形成的，從彈性彎曲部分42A，42B的端部，拉樁41A，41B分別向下面一側(cè)突出。彈性支持部分45A，45B和可動接點部分46是由設(shè)置在可動電極43的中央部分兩側(cè)的開口部分44形成的。彈性支持部分45A，45B是與可動電極43和可動接點部分46連接的窄幅的梁，接點閉合時，為了得到比彈性彎曲部分42A，42B更大的彈性力那樣地構(gòu)成。可動接點部分46是在由彈性支持部分45A，45B直接支持的平坦部分(硅基片部分)46A的下面通過絕緣膜47設(shè)置由金屬構(gòu)成的可動接點48的部分。
如下地將可動基片40安裝在固定基片20的上方。分別將向下面一側(cè)突出的拉樁41A，41B固定在固定基片20上面的2個地方，通過拉樁41A，41B可將可動電極43以懸浮狀態(tài)支持在固定基片20上方。這時，無論哪一方的拉樁41A都與固定基片20的接合面31A的上部接合，將貫通孔29氣密地密封起來。因此，可動電極43通過配線31與設(shè)置在背面的連接突起35電連接。另一方的拉樁41B在與固定電極22等絕緣的位置上與硅基片21的上面接合。
在這樣地將可動基片40安裝在固定基片20上的狀態(tài)中，可動電極43通過絕緣膜25與固定電極22相對，當(dāng)通過連接突起34，35和配線30，31在兩電極22，43之間加上電壓時，由于在固定電極22和可動電極43之間發(fā)生的靜電引力將可動電極43吸引到固定電極22?？蓜咏狱c48與兩固定接點23A，24A相對，通過與兩固定接點23A，24A接觸使固定接點23A，24A之間閉合，與信號線23，24電連接。但是，可動接點48為了不干擾后面所述的固定接點密封部分53，54，不向貫通孔26，27伸出，只與接合面部分接觸。
上述間隙50是由硼硅酸玻璃等的玻璃基片制作的，如圖7所示，在下面形成凹部分51。間隙50的下面外周上形成間隙密封部分52，在它的內(nèi)側(cè)設(shè)置固定接點密封部分53，54，在各固定接點密封部分53，54的下面設(shè)置金屬膜53A，54A。將間隙密封部分52氣密地固定在固定基片20的外周部分上面，同時間隙密封部分52將設(shè)置了接合面30A的貫通孔28氣密地密封起來。又，將固定接點密封部分53，54，堵塞設(shè)置了固定接點23A，24A的貫通孔26，27那樣地氣密地固定在固定接點23A，24A的上面?？蓜踊?0的拉樁41A因為堵塞了接合面31A的貫通孔29，所以將固定基片20上面的固定電極22和可動基片40等氣密地密封在固定基片20和間隙50之間，保護它們不受塵埃和腐蝕性氣體等的侵害。
下面，我們參照圖8說明這種靜電微繼電器的動作。在固定電極22和可動電極43之間不加電壓的狀態(tài)中，如圖8(a)所示，固定基片20和可動基片40保持平行，可動接點48離開固定接點23A，24A。
然后，當(dāng)從連接突起34，35將電壓加到可動電極43和固定電極22之間時，在兩電極22，43之間發(fā)生靜電引力。結(jié)果，如圖8(b)所示，可動電極43反抗彈性彎曲部分42A，42B的彈性力接近固定電極22，可動接點48與固定接點23A，24A接觸。
如圖8(c)所示，可動接點48與固定接點23A，24A接觸后，可動電極43直到與固定電極22上的絕緣膜25接觸前繼續(xù)移動。因此，可動接點48通過作用的與彈性支持部分45A，45B的彎曲量對應(yīng)的彈性力提高了對固定接點23A，24A的接觸壓力，不會發(fā)生接觸不緊的情形。所以，接點閉合時，能夠得到所要的接觸可靠性。
然后，當(dāng)除去所加電壓時，由于彈性彎曲部分42A，42B和彈性支持部分45A，45B兩者的彈性力，可動電極43離開固定電極22。因此，確實地實施了這個離開動作。此后，只依靠彈性彎曲部分42A，42B的彈性力使可動電極43繼續(xù)向上移動，可動接點48離開固定接點23A，24A回復(fù)到最初的狀態(tài)。
下面，我們參照圖9～圖10說明具有上述構(gòu)成的靜電微繼電器的制造方法。首先，按照圖9制作可動基片40的中間制品。即，如圖9(a)所示，準(zhǔn)備好從下層開始由Si層61，SiO2層(氧化膜)62和Si層63構(gòu)成的SOI(Silicon On Insulator，在絕緣體上的硅)圓片64。接著，為了在Si層61的下面形成拉樁41A，41B，例如，掩蔽硅氧化膜65，將TMAH用作刻蝕液對Si層61的下面進行濕刻蝕，如圖9(b)所示，形成向下面一側(cè)突出的拉樁41A，41B。然后，如圖9(c)所示，對硅層61的下面進行熱氧化形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜47后，使一方的拉樁41A的下面從絕緣膜47露出來，在這個露出面上注入P(磷)形成導(dǎo)電層。接著，如圖9(d)所示，對另一方的拉樁41B的下面進行開口后，將Au等的金屬膜66設(shè)置在拉樁41A，41B的下面，同時在Si層61的下面大致中央部分，在絕緣膜47上形成Au等的可動接點48。此后，當(dāng)通過刻蝕除去絕緣膜47時，為了覆蓋在可動接點48上不對可動接點48下面的絕緣膜47進行刻蝕而保留下來，能夠形成絕緣膜47和可動接點48的兩層構(gòu)造。
下面，我們按照圖10制作固定基片20。即，準(zhǔn)備好如圖10(a)所示的硅基片21，通過在硅基片21上實施浸蝕，在4個地方形成貫通孔26，27，28，29。如圖10(b)所示，對硅基片21進行熱氧化在表面上形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜67。此后，從絕緣膜67上開始堆積電極金屬，通過對這個電極金屬進行形成圖案的處理，如圖10(c)所示，在固定電極形成位置上分別形成固定電極22。同樣地，用光刻法如圖10(d)所示在貫通孔26，27，28，29的邊緣上用Au等形成固定接點23A，24A和接合面30A，31A。然后，如圖10(e)所示，用絕緣膜25覆蓋固定電極22的表面，完成固定基片20。
又，我們按照圖11制作間隙50。為此，在準(zhǔn)備好的如圖11(a)所示的玻璃基片68的下面形成固定接點密封部分53，54。例如，用Cr作為掩模用HF作為刻蝕液對玻璃基片68從下面一側(cè)進行濕刻蝕，在玻璃基片68的下面形成凹部51。通過凹部51，將間隙密封部分52設(shè)置在下面的外周部分，同時在下面一側(cè)形成突出的固定接點密封部分53，54。然后，在固定接點密封部分53，54的下面形成Au等金屬膜53A，54A，完成如圖11(b)那樣的間隙50。
然后，如圖12(a)所示，在固定基片20上通過Au/Au接合等使上述SOI圓片64的拉樁41A，41B實現(xiàn)接合一體化。然后，如圖12(b)所示，用TMAH，KOH等堿性刻蝕液對SOI圓片64的上面進行刻蝕，一直刻蝕到達到SiO2層62，露出SiO2層62為止。結(jié)果，在固定基片20上方，除了拉樁41A，41B外還形成厚度薄的Si層61。
接著，用氟素系刻蝕液除去Si層61上的氧化膜62，露出成為可動電極43的Si層61后，用RIE等的干刻蝕進行成型刻蝕，除去周圍不要的部分，同時通過設(shè)置隙縫49和開口部分44，形成彈性彎曲部分42A，42B，彈性支持部分45A，45B和可動接點部分46，如圖10(c)所示，在固定基片20上完成可動基片40。
接著，如圖12(d)所示，在與可動基片40一體化接合的固定基片20上覆蓋間隙50，用Au/Au接合等使固定接點密封部分53，54與固定接點23A，24A實現(xiàn)接合一體化，同時使間隙密封部分52與固定基片20的上面外周部分和接合面30A實現(xiàn)接合一體化。然后，在貫通孔26，27，28，29內(nèi)形成信號線23，24和配線30，31，在固定基片20的下面形成接合面23B，24B，30B，31B和連接突起32，33，34，35，完成如圖12(e)那樣的靜電微繼電器。
如從以上說明可以看到的那樣，如果根據(jù)本發(fā)明的靜電微繼電器，則因為使信號線23，24從硅基片21的表面到背面貫通，所以能夠縮短信號線長度，從而能夠減小靜電微繼電器的插入損失。特別是，因為信號線23，24對基片平面垂直地形成，所以能夠使提高插入損失特性的效果達到最大。又，因為將貫通孔26，27，28，29的開口部分接合起來，通過將固定接點23A，24A和可動接點48密封起來加以保護，所以能夠提高靜電微繼電器的可靠性和壽命。
又，用于驅(qū)動可動電極43的配線31和用于使固定電極接地的配線30也從硅基片21的表面貫通到背面，所以在固定基片20上面不形成信號線23，24和配線30，31，能夠只將固定電極22的面積增大與此相當(dāng)?shù)某潭?，從而可以降低?qū)動電壓。
又，在本發(fā)明的靜電微繼電器中，因為將與信號線23，24和配線30，31導(dǎo)通的突起32，33，34，35設(shè)置在固定基片20的背面一側(cè)，所以能夠?qū)㈧o電微繼電器直接安裝在電路基片上。即，不需要與電路基片連接的焊接線，可以得到更良好的插入損失特特性。進一步，由于不需要連接焊接線的線焊接點和組件引線架等，可以使靜電微繼電器和它的安裝形態(tài)小型化。
進一步，通過用單晶硅構(gòu)成固定基片20和可動基片40，能夠全部用半導(dǎo)體加工工序?qū)λ鼈冞M行處理，從而可以抑制尺寸精度的誤差。又，因為單晶硅的耐疲勞性，耐蠕變性很高，所以可以提高壽命特性。而且，因為用單晶硅構(gòu)成固定基片20，所以通過用DRIE和(110)圓片的濕刻蝕，幾乎不存在與基片厚度的依賴關(guān)系，可以在硅基片21上形成貫通孔26，27，28，29。
下面，我們說明本發(fā)明的其它實施形態(tài)。圖13是表示根據(jù)本發(fā)明的其它實施形態(tài)的靜電微繼電器構(gòu)造的截面圖(在與圖4的X-X線截面相當(dāng)?shù)碾A段截面圖中的截面圖)。在這個實施形態(tài)中，與固定電極22導(dǎo)通的信號線23，24之間形成用于高頻的接地線69，以便抑制信號線23，24之間的電容耦合。這樣，通過抑制信號線23，24之間的電容耦合，可以得到良好的絕緣特性。又，在這個實施形態(tài)中，不在貫通孔26，27，28，29的全部周長上形成信號線23，24或配線30，31，也可以不在貫通孔26，27，28，29的一部分，即相互接近一側(cè)的半個部分上形成信號線23，24或配線30，31。因此，能夠抑制信號線23，24或配線30，31之間的電容耦合，可以得到良好的絕緣特性。
此外，在上述各實施形態(tài)中，當(dāng)使可動基片40與固定基片20接合時，和當(dāng)使間隙50與和可動基片40一體化的固定基片20接合時，也可以用Au/Si接合，或陽極接合，或硅·熔融·焊接。
又，作為形成固定基片20的硅基片21的替代品，也可以用玻璃基片。因為玻璃是絕緣體，所以能夠抑制配線30，31之間的電容耦合。
下面，我們說明與本發(fā)明有關(guān)的另外的其它實施形態(tài)。圖14是表示根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)的靜電微繼電器構(gòu)造的分解斜視圖。圖15是這個靜電微繼電器處于組合狀態(tài)的截面圖。這個靜電微繼電器主要由固定基片120，可動基片140和間隙150構(gòu)成，將可動基片140安裝在固定基片120的上面進行一體化，將固定基片120的上面和可動基片140密封在固定基片120和間隙150之間。圖16是從固定基片的背面一側(cè)看的斜視圖，圖17是可動基片140的斜視圖。
固定基片120是在玻璃基片121的上面分別設(shè)置固定電極122和一組固定接點136，137的基片。固定電極122的周圍由絕緣體125圍成少一豎的口字狀，該絕緣體125比固定電極122高從固定電極122的表面向上突出。又，位于固定接點136，137的兩側(cè)的固定電極122通過固定接點136，137之間的間隙連接。又，在固定基片120上，形成在玻璃基片121的側(cè)面和角部形成的貫通孔126，127，128，129的內(nèi)面上形成的由金屬膜構(gòu)成的信號線123，124和配線130，131，在玻璃基片121的上面在各條信號線123，124和配線130，131的邊緣上形成接合面123A，124A，130A，131A。此外，接合面123A及124A，接合面130A和接合面131A相互電絕緣。
在玻璃基片121的下面，如圖16所示，設(shè)置相互絕緣分離的電極膜123B，124B，130B，131B。在各電極膜123B，124B，130B，131B上，各條信號線123，124和配線130，131導(dǎo)通，進一步，在各電極膜123B，124B，130B，131B上，設(shè)置連接突起132，133，134，135。固定電極122，與接合面130A導(dǎo)通，通過配線130和電極膜130B與連接突起134連接。又，固定基片120的固定接點136，137與接合面123A，124A導(dǎo)通，分別通過信號線123，124和電極膜123B，124B與連接突起132，133連接。
上述可動基片140是通過對具有大致矩形形狀的硅基片進行加工制作而成的，如圖17所示，通過彈性彎曲部分142A，142B由拉樁141A，141B彈性地支持一組大致成矩形板狀的可動電極143。彈性彎曲部分142A，142B是由沿可動基片140的兩側(cè)邊緣部分設(shè)置的隙縫149形成的，各拉樁141A，141B從彈性彎曲部分142A，142B的端部向下面一側(cè)突出。在可動電極143之間形成彈性支持部分145A，145B和可動接點部分146。彈性支持部分145A，145B是與可動電極143和可動接點部分146連接的窄幅的梁，接點閉合時，為了得到比彈性彎曲部分142A，142B更大的彈性力那樣地構(gòu)成。可動接點部分146是在由彈性支持部分145A，145B直接支持的平坦部分(硅基片部分)146A的下面通過絕緣膜47設(shè)置由金屬構(gòu)成的可動接點148的部分。
如下地將可動基片140安裝在固定基片120上。分別將向下面一側(cè)突出的拉樁141A，141B固定在固定基片120上面的2個地方，通過拉樁141A，141B將可動電極143以懸浮狀態(tài)支持在固定基片120上方。這時，一方的拉樁141A與固定基片120的接合面131A的上部接合。因此，可動電極143通過配線131與設(shè)置在背面的連接突起135電連接。另一方的拉樁141B與玻璃基片121的上面接合。
在這樣地將可動基片140安裝在固定基片120上的狀態(tài)中，可動電極143與固定電極122和絕緣體125相對，當(dāng)通過連接突起134，135和配線130，131在兩電極122，143之間加上電壓時，由于在固定電極122和可動電極143之間發(fā)生的靜電引力，將可動電極143吸引到固定電極122?？蓜咏狱c148與兩固定接點136，137相對，通過與兩固定接點136，137接觸使固定接點136，137之間閉合，與信號線123，124電連接。
上述間隙150是由硼硅酸玻璃等的玻璃基片制作的，如圖15所示，在下面形成凹部151。在間隙150的外周上遍及全周地設(shè)置圍繞凹部151的間隙密封部分152。將間隙密封部分152氣密地固定在固定基片120的外周部分上面。因此，將在固定基片120的上面的固定接點136，137和可動基片140等氣密地密封在固定基片120和間隙150之間，保護它們不受塵埃和腐蝕性氣體等的侵害。
下面，我們參照圖18說明這種靜電微繼電器的動作。在固定電極122和可動電極143之間不加電壓的狀態(tài)中，如圖18(a)所示，固定基片120和可動基片140保持平行，可動接點148離開固定接點136，137。
然后，當(dāng)從連接突起134，135將電壓加到可動電極143和固定電極122之間時，在兩電極122，143之間發(fā)生的靜電引力。結(jié)果，如圖18(b)所示，可動電極143反抗彈性彎曲部分142A，142B的彈性力接近固定電極122，可動接點148與固定接點136，137接觸。
如圖18(c)所示，可動接點148與固定接點136，137接觸后，可動接點148直到與固定電極122周圍的絕緣體125接觸前繼續(xù)移動。因此，可動接點148通過作用的與彈性支持部分145A，145B的彎曲量對應(yīng)的彈性力提高了對固定接點136，137的接觸壓力，不會發(fā)生接觸不緊的情形。所以，接點閉合時，能夠得到所要的接觸可靠性。
然后，當(dāng)除去所加電壓時，由于彈性彎曲部分142A，142B和彈性支持部分145A，145B的兩者的彈性力，可動電極143離開固定電極122。因此，確實地實施了這個離開動作。此后，只依靠彈性彎曲部分142A，142B的彈性力，可動電極143繼續(xù)向上移動，可動接點148離開固定接點136，137回復(fù)到最初的狀態(tài)。
下面，我們參照圖19～圖22說明具有上述構(gòu)成的靜電微繼電器的制造方法。首先，按照圖19制作可動基片140的中間制品。即，如圖19(a)所示，準(zhǔn)備好從下層開始由Si層161，SiO2層(氧化膜)162和Si層163構(gòu)成的SOI(Silicon On Insulator，在絕緣體上的硅)圓片164。接著，為了在Si層161的下面形成拉樁141A，141B，例如，掩蔽硅氧化膜165，將TMAH用作刻蝕液對Si層161的下面進行濕刻蝕，如圖19(b)所示，形成向下面一側(cè)突出的拉樁141A，141B。然后，如圖19(c)所示，對硅層161的下面進行熱氧化形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜147后，使一方的拉樁141B的下面從絕緣膜147露出來，在這個露出面上注入P(磷)形成導(dǎo)電層144。接著，如圖19(d)所示，對另一方的拉樁141A的下面進行開口后，將Au等的金屬膜166設(shè)置在拉樁141B的下面，同時在Si層161的下面大致中央部分，在絕緣膜147上形成Au等的可動接點148。此后，當(dāng)通過刻蝕除去絕緣膜147時，為了覆蓋在可動接點148上不對可動接點148下面的絕緣膜147進行刻蝕而保留下來，能夠形成絕緣膜147和可動接點148的兩層構(gòu)造。
下面，我們按照圖20制作固定基片120。即，準(zhǔn)備好如圖20(a)所示的玻璃基片121，通過對玻璃基片121實施噴沙加工，如圖20(b)所示，在兩側(cè)面和角部的總共4個地方形成貫通溝126，127，128，129。接著，如圖20(c)所示，在玻璃基片121的表面，背面上通過濺射，蒸涂，電鍍等形成電極膜138，139。同時，通過在貫通溝126，127，128，129的內(nèi)面上通過濺射，蒸涂，電鍍等形成電極膜，形成信號線123，124，配線130，131。此后，如圖20(d)所示通過在玻璃基片121的表面上對電極膜138進行形成圖案的處理，形成固定接點136，137，固定電極122和接合面123A，124A，130A，131A，并如圖20(e)所示，在固定電極122的周圍形成絕緣體125。
又，我們按照圖21制作間隙150。為此，準(zhǔn)備好如圖21(a)所示的玻璃基片168，例如，用Cr作為掩模用HF作為刻蝕液對玻璃基片168從下面一側(cè)進行濕刻蝕，在玻璃基片168的下面形成凹部151，同時在它的周圍形成間隙密封部分152。
然后，如圖22(a)所示，在固定基片120的上面放置上述SOI圓片164，使拉樁141A，141B與固定基片120的接合面131A和玻璃基片121接合起來實現(xiàn)一體化。然后，用TMAH，KOH等的堿性刻蝕液對SOI圓片164的上面進行刻蝕，一直刻蝕到達到SiO2層162露出SiO2層162。結(jié)果，在固定基片120上方，除了拉樁141A，141B外還形成厚度薄的Si層161。
接著，用氟素系刻蝕液除去Si層161上的氧化膜162，如圖22(b)所示，露出成為可動電極143的Si層161后，用RIE等的干刻蝕進行成型刻蝕，除去周圍不要的部分，同時通過對隙縫149等進行加工，形成彈性彎曲部分142A，142B，彈性支持部分145A，145B和可動接點146，如圖22(c)所示，在固定基片120上面完成可動基片140。
接著，如圖22(d)所示，在與可動基片140一體化接合的固定基片120上面覆蓋間隙150，用玻璃料接合使間隙密封部分152與固定基片120的上面外周部分接合實現(xiàn)一體化。然后，如圖22(e)所示，在固定基片120的背面上形成連接突起132，133，134，135，在固定基片120的背面上切入用于分離電極膜的隙縫153，通過分離背面的電極膜139，形成電極膜123B，124B，130B，131B，完成靜電微繼電器。
如果根據(jù)這樣的靜電微繼電器，則與第1實施形態(tài)相同，能夠縮短信號線長度，能夠減小靜電微繼電器的插入損失，提高高頻特性。特別是，因為信號線123，124對基片平面垂直地形成，所以能夠使提高插入損失特性的效果達到最大。又，因為將貫通孔126，127，128，129，設(shè)置在固定基片120的外周部分，位于由間隙150構(gòu)成的密封空間外面，所以通過將固定接點136，137和可動接點148密封起來加以保護，能夠提高靜電微繼電器的可靠性和壽命。
又，在本發(fā)明的靜電微繼電器中，因為將與信號線123，124和配線130，131導(dǎo)通的突起132，133，134，135設(shè)置在固定基片120的背面一側(cè)，所以能夠?qū)㈧o電微繼電器直接安裝在電路基片上。即，不需要與電路基片連接的焊接線，可以得到更良好的插入損失特特性。進一步，由于不需要連接焊接線的線焊接點和組件引線架等，可以使靜電微繼電器和它的安裝形態(tài)小型化。因此，通過實現(xiàn)大幅度減小安裝面積和大幅度減小傳輸線路長度，能夠?qū)崿F(xiàn)極其卓越的高頻特性(低插入損失)。
此外，當(dāng)使上述可動基片140與上述固定基片120接合時，也可以用Au/Au等的金屬接合，也可以用陽極接合法。又，作為形成上述固定基片120的玻璃基片121的替代品，也可以用硅基片和陶瓷基片。又，當(dāng)固定基片120由硅基片形成時，也可以用各向異性的刻蝕和干刻蝕形成貫通溝。進一步，當(dāng)從硅圓片制作固定基片時，也可以通過將在硅圓片上形成的貫通孔一分為二或一分為四得到貫通溝。
下面，我們說明與本發(fā)明有關(guān)的另外的其它實施形態(tài)。圖23是表示根據(jù)本發(fā)明的另外的其它實施形態(tài)的靜電微繼電器的分解斜視圖。用于這個靜電微繼電器的固定基片120與用于第3實施形態(tài)的靜電微繼電器(圖14)的相同。圖24是用于這個靜電微繼電器的可動基片171的下面圖。這個可動基片171是通過對具有大致矩形形狀的硅基片和不銹鋼薄片等進行加工制作而成的，在兩個端部通過隙縫149形成4個彈性彎曲部分142A，142B。又，在兩側(cè)，設(shè)置為了容易使可動基片171變形的長孔173。進一步，可以通過絕緣膜147在設(shè)置在可動基片171上的可動電極143的下面中央部分上設(shè)置可動接點148。
而且，這個可動基片171具有，如圖25所示，使彈性彎曲部分142A，142B的前端部172A，172B與間隙150的凹部151的頂面接合并固定在頂面上，當(dāng)可動電極143和固定電極122之間作用著電磁吸引力時，通過使彈性彎曲部分142A，142B彎曲，使可動電極143和可動接點148向下方移動，可動接點148與固定接點136，137接觸的構(gòu)造。
本發(fā)明的靜電微繼電器能夠用于各種裝置，特別是通信用裝置中。例如，能夠用作便攜式電話，無線電通信終端的發(fā)射接收裝置，分集天線，內(nèi)外天線，多頻帶等的各切換元件。如果用于這些用途，則因為與至今正在使用的MMIC開關(guān)等比較能夠減小插入損失，所以能夠沿長通信終端的電池壽命。又，如果用作設(shè)置在便攜式電話等的無線電通信基站的天線裝置的各種切換元件，則與至今正在使用的電磁繼電器等比較能夠使切換元件變小，從而能夠使基站變小。
圖26表示將本發(fā)明的靜電微繼電器用作在便攜式電話等的無線電通信終端181的切換開關(guān)的樣子。作為一種開關(guān)，將本發(fā)明的靜電微繼電器用作切換發(fā)射側(cè)電路182和接收側(cè)電路183的發(fā)射接收開關(guān)184，又，將本發(fā)明的靜電微繼電器用作切換主天線185和分集天線186的分集開關(guān)187。此外，雖然圖中未畫出，但是也可以將本發(fā)明的靜電微繼電器用作切換主天線和外部天線的天線開關(guān)。
圖27表示將本發(fā)明的靜電微繼電器用于無線電通信基站188的例子。在這個例子中，通過用本發(fā)明的靜電微繼電器的切換元件(開關(guān))192，可以切換并連接天線189和通常情況下使用的功率放大器190及非常情況下使用的功率放大器191，當(dāng)發(fā)生故障等的異常情況時，能夠迅速地從通常用的功率放大器190切換到非常情況下使用的功率放大器191。
本發(fā)明的靜電型繼電器可以用作，例如，便攜式電話，無線電通信終端的發(fā)射接收裝置，分集天線，內(nèi)外天線，多頻帶等的切換元件。又，也可以將本發(fā)明的靜電型繼電器用作設(shè)置在便攜式電話等的無線電通信基站的天線裝置中的切換元件。
權(quán)利要求
1.靜電型繼電器，它的特征是依靠在固定基片上形成的固定電極和與該固定電極相對的被彈性地支持的可動基片的可動電極之間發(fā)生的靜電引力，驅(qū)動可動電極，使設(shè)置在上述固定基片上的多個固定接點和設(shè)置在上述可動基片上的可動接點接觸脫離的靜電型繼電器中，具有在上述固定接點和上述可動接點之間的外側(cè)與連接上述固定接點和上述可動接點的連接線交叉的部分，使用通過與上述固定基片或上述可動基片接合，形成至少將上述固定接點和上述可動接點密封起來的密封部分的第3基片，和備有在不損壞上述密封部分的密封狀態(tài)的位置上，使在與上述固定接點連接的信號線中，至少一條信號線從上述固定基片的基片表面貫通到基片背面的貫通部分。
2.權(quán)利要求項1記載的靜電型繼電器，它的特征是使與上述固定接點連接的信號線中，至少一條信號線從上述固定基片的基片表面貫通到基片背面，并且使該信號線貫通的貫通孔的可動基片接合一側(cè)的開口部分，通過在該開口部分周邊形成的金屬層與可動基片或第3基片接合實施密閉密封。
3.權(quán)利要求項2記載的靜電型繼電器，它的特征是使與從上述固定基片的基片表面貫通到基片背面的上述信號線中，至少一條信號線對固定基片垂直地形成。
4.權(quán)利要求項2記載的靜電型繼電器，它的特征是具有設(shè)置在上述固定基片上的配線，并且使在與上述固定電極連接的信號線以外的配線中，至少一條配線從固定基片的基片表面貫通到基片背面，并且使該配線貫通的貫通孔的可動基片接合一側(cè)的開口部分，通過在該開口部分周邊形成的金屬層與可動基片或第3基片接合實施密閉密封。
5.權(quán)利要求項2或4記載的靜電型繼電器，它的特征是在形成在上述固定基片上的信號線或配線中，至少一組信號線或配線之間形成至少一條用于高頻的接地線。
6.權(quán)利要求項2或4記載的靜電型繼電器，它的特征是形成在上述固定基片上形成的貫通孔內(nèi)的信號線或配線中，至少一組信號線或配線，在這組信號線或配線中的至少一部分信號線或配線中，只在貫通孔的一部分上形成信號線或配線。
7.權(quán)利要求項2或4記載的靜電型繼電器，它的特征是在位于在上述固定基片上形成的信號線或配線中，至少一條信號線或配線的基片背面一側(cè)的端部上設(shè)置突起。
8.權(quán)利要求項2記載的靜電型繼電器，它的特征將上述開口部分設(shè)置在與上述可動電極或上述可動接點相對的固定基片上的區(qū)域外側(cè)。
9.權(quán)利要求項2記載的靜電型繼電器，它的特征是上述第3基片通過在與上述固定基片接合一側(cè)上形成的凸部與上述固定基片接合。
10.權(quán)利要求項9記載的靜電型繼電器，它的特征是將上述開口部分中的至少一個以上設(shè)置在與第3基片的上述凸部相對的位置上。
11.權(quán)利要求項1記載的靜電型繼電器，它的特征是將上述貫通部分設(shè)置在上述固定基片的外周部分。
12.權(quán)利要求項11記載的靜電型繼電器，它的特征是上述貫通部分為在上述固定基片的外周面上具有開口的凹形狀。
13.權(quán)利要求項11記載的靜電型繼電器，它的特征是上述貫通部分是對上述固定基片的基片平面垂直地形成的。
14.權(quán)利要求項11記載的靜電型繼電器，它的特征是上述第3基片與上述固定基片接合，在固定基片上在固定基片和第3基片接合區(qū)域外側(cè)近旁設(shè)置上述貫通部分。
15.權(quán)利要求項11記載的靜電型繼電器，它的特征是使在上述固定基片上形成的配線中，至少一條配線與上述貫通部分連接。
16.權(quán)利要求項11記載的靜電型繼電器，它的特征是在上述固定基片的背面設(shè)置電極膜，通過在固定基片的背面形成的隙縫使該背面電極膜與多個區(qū)域絕緣分離。
17.權(quán)利要求項11記載的靜電型繼電器，它的特征是在上述固定基片的背面，設(shè)置與在上述固定基片上形成的信號線或配線中，至少一條信號線或配線導(dǎo)通的突起。
18.權(quán)利要求項11記載的靜電型繼電器，它的特征是上述固定基片和上述可動基片是由單晶硅制作而成的。
19.用于通信的裝置，它的特征是在備有切換天線或內(nèi)部電路的發(fā)射接收信號的切換元件的用于通信的裝置中，將權(quán)利要求項1記載的靜電型繼電器用作上述切換元件。
全文摘要
在硅基片(21)的上面設(shè)置固定接點(23A,24A),從表面到背面貫通Si基片(21)那樣地設(shè)置與固定接點(23A,24A)導(dǎo)通的信號線(23,24),在Si基片(21)的背面,設(shè)置與信號線(23,24)導(dǎo)通的突起(32,33)。在固定接點(23A,24A)的兩側(cè)設(shè)置固定電極(22),從表面到背面貫通Si基片(21)那樣地設(shè)置與固定電極(22)導(dǎo)通的配線(30,31),在硅基片(21)的背面設(shè)置與配線(30,31)導(dǎo)通的突起(34,35)。將使信號線(23,24)貫通的硅基片(21)的貫通孔(26,27)和使配線(30,31)貫通的硅基片(21)的貫通孔(28,29)通過可動基片(40)或間隙(50)密閉密封起來。
文檔編號H01H59/00GK1366694SQ01801031
公開日2002年8月28日 申請日期2001年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月21日
發(fā)明者藤井充, 坂田稔, 積知范, 佐藤正武 申請人:歐姆龍株式會社