專利名稱：制造和/或者修復發(fā)光設備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的背景技術(shù)1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及制造和/或者修復在其中在襯底上形成的電致發(fā)光(EL)元件被密封在襯底和覆蓋元件之間的電致發(fā)光(EL)面板的方法。本發(fā)明還涉及修復通過將IC安裝到EL面板上獲得的EL模件的方法。在本說明書中，EL面板和EL模件通稱為發(fā)光設備。
2.現(xiàn)有技術(shù)的描述因為是自發(fā)光的，EL元件不需要在液晶顯示設備(LCDs)中所必需的背后照明并且因而使得容易制造更薄的顯示器。同樣的，自發(fā)光的EL元件具有高的能見度并且沒有按照視角的限制。這些就是關(guān)注使用EL元件的發(fā)光設備近幾年以電光設備的形式而替代CRTs和LCDs的原因。
除了陰極層和陽極層之外，EL元件具有包含當施加電場的時候發(fā)光(電致發(fā)光)的有機化合物的層(在下文，這個層成為EL層)。從有機化合物獲得的發(fā)光分成依據(jù)從單峰激發(fā)回到基本態(tài)的光發(fā)射(熒光)和依據(jù)從三峰激發(fā)回到基本態(tài)的光發(fā)射(磷光)。本發(fā)明的修復方法適用于使用任何一種光發(fā)射的發(fā)光設備。
在本說明書中，在陽極和陰極之間提供的所有層都是EL層。明確的，EL層包括發(fā)光層、空穴注入層、電子注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層等。EL元件的基本結(jié)構(gòu)是以陽極、發(fā)光層、陰極的順序分層的疊層板?；窘Y(jié)構(gòu)能夠修改成以陽極、空穴注入層、發(fā)光層和陰極的順序分層的疊層板，或者以陽極、空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極的順序分層的疊層板。
在本說明書中，EL元件發(fā)光表示成被驅(qū)動的EL元件。這里定義的EL元件是包括陽極、EL層和陰極的發(fā)光元件。
通常，通過形成一個電極，也就是陽極或者陰極，然后形成EL層以便于接觸電極，最后形成另一個陰極或者陽極的電極以便于接觸EL層的方式來制造EL元件。
EL層主要通過蒸發(fā)或者旋涂來形成。利用任何一個方法，制造商在形成EL層和電極之前都不怕麻煩地清洗襯底，徹底地監(jiān)控在其中進行薄膜形成的絕對無塵室中的清潔度等。
盡管有那些努力，但有時候灰塵落到電極或者其他部分上以至于在形成的EL層中開了個孔(小孔)。

圖12A顯示在其中兩個電極201和202短路的EL元件200的簡化的剖面圖。如果在EL層203中形成一個小孔，則兩個電極201和202能夠在小孔中彼此連接以至于當在EL層203上形成電極202的時候短路。在下文，具有在其中夾著發(fā)光層的兩個層彼此連接的小孔的部分被稱作缺陷部分204。
圖13A顯示不具有缺陷部分的EL元件的電壓—電流特性而圖13B顯示在缺陷部分處遭受短路的EL元件的電壓—電流特性。
比較圖13A和13B，當反偏壓電壓施加在EL元件200上的時候，在EL200中流動的電流量大于在圖13B的情況中的電流量。
這是因為不像圖13A的情況，在圖13B中兩個電極在缺陷部分204中短路并且電流流過缺陷部分204。
在缺陷部分204中發(fā)生的兩個電極201和202的短路降低了從EL層發(fā)射的光的亮度。當正偏壓電壓施加在具有缺陷部分的EL元件上的時候，在圖12B中示意性的顯示電流。
當兩個電極201和202在缺陷部分204中短路的時候，按照推測缺陷部分204具有電阻RSC并且彼此連接EL元件200的兩個電極。然后，當在缺陷部分204中流動的電流給定為ISC并且在EL層203中流動的電流給定為Idio的時候，引起從EL元件的一個電極流動的正向電流Iori滿足下列方程Iori＝ISC+Idio因此，當Iori在上述方程Iori＝ISC+Idio中是常量的時候，在EL層203中實際流動的電流Idio在具有缺陷部分的EL元件中被減少。當在缺陷部分204中的電阻小的時候增強了這種趨勢，并且由此ISC增大，從而增加了在EL元件200中整流的需要。
當在EL層203中流動的電流Idio小的時候，從EL元件200發(fā)射的光的亮度也小。換句話說，在缺陷部分中的短路導致了EL元件在使用正偏壓電壓時發(fā)出比在沒有發(fā)生短路的情況中更低亮度的光。
即使當EL層是多層的疊層板并且在發(fā)光層中形成的小孔將空穴注入層或者空穴傳輸層連接到電子注入層或者電子傳輸層的時候，結(jié)果是相同的。類似于電極短路的缺陷部分，在空穴注入層或者空穴傳輸層被連接到電子注入層或者電子傳輸層的部分接收反偏壓電流。因此，這部分也是EL元件發(fā)射低亮度光的原因。在下文，夾著發(fā)光層的兩個層在形成在發(fā)光層中的小孔中彼此連接的每個部分通稱為缺陷部分。
除降低從EL元件發(fā)射的光的亮度以外，在缺陷部分中的短路加速了圍繞缺陷部分的一部分EL層的退化，因為在缺陷部分中總是有電流。
發(fā)明綜述本發(fā)明已經(jīng)考慮到上述問題，本發(fā)明的目的是提出修復缺陷部分的方法。
本發(fā)明已經(jīng)認為，即使EL元件具有缺陷部分，當施加正偏壓電壓的時候在EL層中流動的電流的減少能夠通過增加在缺陷部分中的電阻來避免。
這樣的設計是通過將反偏壓電壓施加在EL元件上引起反偏壓電流Irev流動來增加缺陷部分中的電阻RSC的方法。
當在EL元件中引起反偏壓電流Irev流動的時候，電流的大部分流入發(fā)生短路的缺陷部分而不是流入EL層。如果大電流流過缺陷部分，在缺陷部分中的溫度升高以至于在缺陷部分中引起一些變化，包括缺陷部分的燃盡，缺陷部分的蒸發(fā)，和缺陷部分由于氧化或者碳化轉(zhuǎn)變成絕緣體。作為變化的結(jié)果，增加了電阻RSC。在本說明書中，通過反偏壓電流流入其中來增加其電阻RSC的缺陷部分被稱作變形部分。
隨著電阻RSC增加，當正偏壓電壓施加在EL元件上的時候流入變形部分的電流減少而流入EL層的電流增加，因而增加了發(fā)光的亮度。
因為具有高的電阻RSC，所以和在其中允許電流流動以至于加速了圍繞缺陷部分的一部分EL層的退化的缺陷部分相反，變形部分幾乎不允許電流在其中流動。因此，沒有加速圍繞變形部分的一部分EL層的退化。
本發(fā)明的制造和/或者修復方法不僅適用于有源矩陣發(fā)光設備而且適用于無源矩陣發(fā)光設備。下面將顯示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
依據(jù)本發(fā)明，提供了通過對EL元件依次施加第一電壓和第二電壓來制造和/或者修復發(fā)光設備的方法，特征為第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了通過逐步地將施加在EL元件上的電壓從第一電壓改變到第二電壓來制造和/修復發(fā)光設備的方法，特征為第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了制造和/或者修復具有包括陽極、EL層和陰極并且EL層與陽極接觸、陰極與EL層接觸的EL元件的發(fā)光設備的方法，特征為在陽極和陰極之間依次施加第一電壓和第二電壓，第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了制造和/或者修復具有包括陽極、EL層和陰極并且EL層與陽極接觸、陰極與EL層接觸的EL元件的發(fā)光設備的方法，特征為施加在陽極和陰極之間的電壓逐步地從第一電壓改變到第二電壓，并且第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了制造和/或者修復具有包括陽極、EL層和陰極并且EL層與陽極接觸、陰極與EL層接觸的EL元件的發(fā)光設備的方法，特征為在陽極和陰極之間依次施加第一電壓和第二電壓，因此使得反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分變得絕緣或者高阻抗，并且第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了制造和/或者修復具有包括陽極、EL層和陰極并且EL層與陽極接觸、陰極與EL層接觸的EL元件的發(fā)光設備的方法，特征為施加在陽極和陰極之間的電壓逐步地從第一電壓改變到第二電壓，因此使得反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分變得絕緣或者高阻抗，并且第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，制造和/或者修復發(fā)光設備的方法其特征在于第一電壓和第二電壓是在EL元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
依據(jù)本發(fā)明，提供了通過對EL元件依次施加第一電壓和第二電壓來制造和/或者修復發(fā)光設備的方法，特征為第一電壓是地電壓而第二電壓是反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了通過逐步地將施加在EL元件上的電壓從第一電壓改變到第二電壓來制造和/修復發(fā)光設備的方法，特征為第一電壓和第二電壓中的一個是地電壓而另一個是反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了制造和/或者修復具有包括陽極、EL層和陰極并且EL層與陽極接觸、陰極與EL層接觸的EL元件的發(fā)光設備的方法，特征為在陽極和陰極之間依次施加第一電壓和第二電壓，第一電壓是地電壓而第二電壓是反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了制造和/或者修復具有包括陽極、EL層和陰極并且EL層與陽極接觸、陰極與EL層接觸的EL元件的發(fā)光設備的方法，特征為施加在陽極和陰極之間的電壓逐步地從第一電壓改變到第二電壓，并且第一電壓和第二電壓中的一個是地電壓而另一個是反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，提供了制造和/或者修復具有包括陽極、EL層和陰極并且EL層與陽極接觸、陰極與EL層接觸的EL元件的發(fā)光設備的方法，特征為在陽極和陰極之間依次施加第一電壓和第二電壓，因此使得反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分變得絕緣或者高阻抗，并且第一電壓是地電壓而第二電壓是反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，制造和/或者修復具有包括陽極、EL層和陰極并且EL層與陽極接觸、陰極與EL層接觸的EL元件的發(fā)光設備的方法，特征為施加在陽極和陰極之間的電壓逐步地從第一電壓改變到第二電壓，因此使得反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分變得絕緣或者高阻抗，并且第一電壓和第二電壓中的一個是地電壓而另一個是反偏壓電壓。
依據(jù)本發(fā)明，制造和/或者修復發(fā)光設備的方法其特征在于反偏壓電壓是在EL元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
圖6A和6B分別是像素部分的電路圖和顯示在修復期間像素部分的操作的圖；圖7A和7B是顯示驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的圖；圖8A和8B是顯示驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的圖；圖9A和9B是顯示EL元件的結(jié)構(gòu)的圖；圖10A和10B是顯示EL元件的結(jié)構(gòu)的圖；圖11A和11H是顯示具有適用于本發(fā)明修復方法的發(fā)光設備的電氣設備的圖；圖12A和12B分別是具有缺陷部分的EL元件的剖面圖和示意性顯示當正偏壓電流在EL元件中流動的時候電流圖；圖13A和13B是顯示EL元件的電壓—電流特性的圖；圖14是顯示當反偏壓電流在其中流動的時候EL元件的電壓—電流特性的曲線圖；圖15是顯示EL元件的電壓—電流特性的圖；圖16是發(fā)光設備的剖面圖；圖17是發(fā)光設備的剖面圖；圖18是發(fā)光設備的剖面圖；和圖19A和19B是適用于本發(fā)明的修復方法的無源矩陣發(fā)光設備的圖。
地電壓GND和反偏壓電壓Vrev分別施加在EL元件上。圖1B是當分別施加地電壓GND和反偏壓電壓Vrev的時候的時間圖。注意到本發(fā)明不局限于這種實施例模式的結(jié)構(gòu)，也就是，地電壓GND和反偏壓電壓Vrev的交替施加。本發(fā)明只需要將反偏壓電壓施加到EL元件上。因此，交替施加到EL元件上的電壓的組合可以是正偏壓電壓和反偏壓電壓Vrev的組合或者是反偏壓電壓Vrev和不等于Vrev的反偏壓電壓的組合。
在這樣的實施例模式中，在給定的時間間隔中將反偏壓電壓施加到EL元件上。然而，本發(fā)明不局限于此并且可以將直接的反偏壓電壓施加到EL元件上。
在這樣的實施例模式中，反偏壓電壓逐步增加直到雪崩發(fā)生以至于導致雪崩電流流入EL元件。雪崩電流開始流入EL元件時的電壓這里稱為雪崩電壓。然而，本發(fā)明不局限于此，并且施加到EL元件上的電壓的電平能夠由設計者適當?shù)卦O定。施加到EL元件上的電壓的適當電平足夠高以便于變成缺陷部分但是沒有高到損壞EL元件或者退化它的EL層。
當電壓是直接的反偏壓電壓的時候，電壓電平也逐步增加。
可替代的，可以在給定的時間間隔中將恒定電平的反偏壓電壓施加到EL元件上或者可以施加直接的反偏壓電壓。
通過在給定的時間間隔中將反偏壓電壓施加到EL元件上，有可能防止圍繞缺陷部分的一部分EL層由于從施加反偏壓電壓所產(chǎn)生的熱而被退化。
反偏壓電壓的電平的逐步增加使得很容易找到用于修復那部分EL元件的最佳的反偏壓電壓的電平。
當將反偏壓電壓Vrev施加到EL元件上的時候，反偏壓電流Irev流入EL元件。反偏壓電流Irev滿足Irev＝Idio+ISC，其中Idio表示在EL層103中流動的電流而ISC表示在缺陷部分104中流動的電流。然而，反偏壓電流幾乎不能流入EL層并且假定Irev≈ISC。
當電流Irev流入缺陷部分104的時候，在缺陷部分104中的溫度增加以至于導致缺陷部分的燃盡、缺陷部分的蒸發(fā)、或者缺陷部分由于氧化或者碳化轉(zhuǎn)化成絕緣體，因此將缺陷部分改變成變形部分。因而增加了電阻RSC。
圖12A顯示當使用本發(fā)明的修復方法的時候在具有缺陷部分104的EL元件的電壓—電流特性中隨時間的變化。電壓—電流特征曲線隨時間朝著箭頭指示的方向移動。Vav表示雪崩電壓。依據(jù)施加反偏壓電壓，缺陷部分的電阻RSC在伴隨著流過缺陷部分的電流ISC減少的時間流逝中增加了。因此減少了流入EL元件的電流量。
圖2B示意性顯示了當正偏壓電壓施加在EL元件上的時候在EL元件中的電流。當正偏壓電壓施加在EL元件上的時候，流過缺陷部分的電流ISC的減少導致實際上流入EL層的電流Idio的增加，因此增加了放光的亮度。
本發(fā)明的方法能夠依據(jù)將正偏壓電壓施加到EL元件上來增加實際流過EL層的電流的量，即使在層形成期間由于灰塵等在EL層中形成小孔并且夾著發(fā)光層的兩個層短路，因為本方法能夠通過將缺陷部分改變成變形部分來增加發(fā)生短路的缺陷部分的電阻。因此本發(fā)明的修復方法能夠通過施加相同的電壓電平來增加發(fā)光的亮度而不管缺陷部分的存在。
因為具有高的電阻RSC，所以和在其中總是有電流流動以至于加速了圍繞缺陷部分的一部分EL層的退化的缺陷部分相反，變形部分幾乎不允許電流在其中流動。因此，沒有加速圍繞變形部分的一部分EL層的退化。
下面將介紹本發(fā)明的實施例。[實施例1]本實施例給出了在將本發(fā)明的修復方法應用到在每個像素中具有兩個薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣發(fā)光設備的情況中的描述。
圖3是在應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備中的像素的電路圖。每個像素具有源信號線Si(i表示從1到x的一個整數(shù))，電源線Vi(i表示從1到x的一個整數(shù))，和門信號線Gj(j表示從1到y(tǒng)的一個整數(shù))。
每個像素還具有開關(guān)TFT301，EL驅(qū)動TFT302，EL元件303和電容器304。
開關(guān)TFT301具有連接到門信號線Gj的柵電極。開關(guān)TFT301具有其中一個連接到源信號線Si而另一個連接到EL驅(qū)動TFT302的柵電極的源極區(qū)和漏極區(qū)。
EL驅(qū)動TFT302具有連接到電源線Vi的源極區(qū)，和連接到EL元件303的兩個電極中的一個的漏極區(qū)。EL元件303的兩個電極中的另一個，也就是沒有連接到EL驅(qū)動TFT302的漏極區(qū)的電極，連接到負電源307。
對于EL元件303的兩個電極，連接到EL驅(qū)動TFT302的漏極區(qū)的一個被稱為像素電極而連接到負電源307的另一個被稱為負電極。
在EL驅(qū)動TFT302的柵電極和電源線Vi之間形成電容器304。
圖4A顯示具有如圖3中所示的多個像素的發(fā)光設備的像素部分。像素部分306具有源信號線S1到Sx，電源線V1到Vx，門信號線G1到Gy。多個像素305在像素部分306中形成矩陣。
圖4B顯示在修復EL元件303的缺陷部分期間TFT的操作和輸入到電源線Vi和每個像素中的負電極的電壓電平。當修復EL元件303的缺陷部分的時候，每個像素中的開關(guān)TFT301和EL驅(qū)動TFT302都轉(zhuǎn)到ON。而電源線Vi的電壓保持恒定。在給定的時間間隔中改變負電極的電壓以至于給定的反偏壓電流在給定的時間間隔中流入EL元件。
EL元件的缺陷部分可以在像素部分306的所有像素305中立刻被修復。可替代的，可以一次在一行像素或者一次在一個像素上執(zhí)行修復。
本發(fā)明的方法能夠依據(jù)將正偏壓電壓施加到EL元件上來增加實際流過EL層的電流的量，即使在層形成期間由于灰塵等在EL層中形成小孔并且夾著發(fā)光層的兩個層短路，因為本方法能夠通過將缺陷部分改變成變形部分來增加發(fā)生短路的缺陷部分的電阻。因此本發(fā)明的修復方法能夠通過施加相同的電壓電平來增加發(fā)光的亮度而不管缺陷部分的存在。
因為具有高的電阻RSC，所以和在其中總是有電流流動以至于加速了圍繞缺陷部分的一部分EL層的退化的缺陷部分相反，變形部分幾乎不允許電流在其中流動。因此，沒有加速圍繞在變形部分的一部分EL層的退化。
注意到本發(fā)明的修復方法不局限于上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光設備。本發(fā)明能夠適用于任何結(jié)構(gòu)的發(fā)光設備。[實施例2]本實施例給出了在將本發(fā)明的修復方法應用到在每個像素中具有三個薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣發(fā)光設備的情況中的描述。
圖5是在應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備中的像素的電路圖。每個像素具有源信號線Si(i表示從1到x的一個整數(shù))，電源線Vi(i表示從1到x的一個整數(shù))，寫入門信號線Gaj(j表示從1到y(tǒng)的一個整數(shù))和擦除門信號線Gej(j表示從1到y(tǒng)的一個整數(shù))。
每個像素還包括開關(guān)TFT501a，擦除TFT501b，EL驅(qū)動TFT502，EL元件503，和電容器504。
開關(guān)TFT501a具有連接到寫入門信號線Gaj的柵電極。開關(guān)TFT501a具有其中一個連接到源信號線Si而另一個連接到EL驅(qū)動TFT502的柵電極的源極區(qū)和漏極區(qū)。
擦除TFT501b具有連接到擦除門信號線Gej的柵電極。擦除TFT501b具有其中一個連接到電源線Vi而另一個連接到EL驅(qū)動TFT502的柵電極的源極區(qū)和漏極區(qū)。
EL驅(qū)動TFT502具有連接到電源線Vi的源極區(qū)，和連接到EL元件503的兩個電極中的一個的漏極區(qū)。EL元件503的兩個電極中的另一個，也就是沒有連接到EL驅(qū)動TFT502的漏極區(qū)的電極，連接到負電源507。
對于EL元件503的兩個電極，連接到EL驅(qū)動TFT502的漏極區(qū)的一個被稱為像素電極而連接到負電源507的一個被稱為負電極。
在EL驅(qū)動TFT502的柵電極和電源線Vi之間形成電容器504。
圖6A顯示具有圖5所示的多個電極的發(fā)光設備的像素部分。像素部分506具有源信號線S1到Sx，電源線V1到Vx，寫入門信號線Ga1到Gay，和擦除門信號線Ge1到Gey。多個像素505形成在像素部分506中的矩陣。
圖6B顯示在修復EL元件503的缺陷部分期間TFT的操作和輸入到電源線Vi和每個像素中的負電極的電壓的電平。當修復EL元件503的缺陷部分的時候，每個像素的開關(guān)TFT501a和EL驅(qū)動TFT502都轉(zhuǎn)到ON。每個像素的擦除TFT501b轉(zhuǎn)到OFF。當電源線Vi的電壓保持恒定的時候，在給定時間間隔中改變負電極的電壓以便于給定的反偏壓電流在給定時間間隔中流入EL元件503。
EL元件503的缺陷部分可以在像素部分506的所有像素505中立刻被修復。可替代的，可以每次在一行像素上或者每次在一個像素上執(zhí)行修復。
本發(fā)明的方法能夠依據(jù)將正偏壓電壓施加到EL元件上來增加實際流過EL層的電流的量，即使在層形成期間由于灰塵等在EL層中形成小孔并且夾著發(fā)光層的兩個層短路，因為本方法能夠通過將缺陷部分改變成變形部分來增加發(fā)生短路的缺陷部分的電阻。因此本發(fā)明的修復方法能夠通過施加相同的電壓電平來增加發(fā)光的亮度而不管缺陷部分的存在。
因為具有高的電阻RSC，所以和在其中總是有電流流動以至于加速了圍繞在缺陷部分的一部分EL層的退化的缺陷部分相反，變形部分幾乎不允許電流在其中流動。因此，沒有加速圍繞變形部分的一部分EL層的退化。[實施例3]在這個實施例中，在實施例1中驅(qū)動像素部分的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)已經(jīng)在實施例1中說明了。在實施例1中驅(qū)動像素部分的源信號驅(qū)動電路和門信號驅(qū)動電路不局限于這個實施例中所示的結(jié)構(gòu)。
圖7用方框圖顯示了發(fā)光設備的驅(qū)動電路。在圖7A中，參考數(shù)字601是具有移位寄存器602、鎖存器(A)603和鎖存器(B)604的源信號線驅(qū)動電路。
時鐘信號(CLK)和啟動脈沖(SP)被輸入到源信號線驅(qū)動線路601中的移位寄存器602。移位寄存器602根據(jù)時鐘信號(CLK)和啟動信號(SP)依次生成定時信號，并且通過緩沖器(圖中沒有顯示)將定時信號連續(xù)地提供給下游電路。
注意到來自移位寄存器602的定時信號可以被像緩沖器這樣的電流緩沖放大。定時信號提供到的電線的負載電容(寄生電容)很大因為許多電路和元件連接到電線上。形成緩沖器以便于防止由于大負載電容產(chǎn)生的在定時信號的上升和下落中的遲鈍。另外，不必經(jīng)常形成緩沖器。
將緩沖放大的定時信號提供給鎖存器(A)603。鎖存器(A)603具有用于處理n位數(shù)字信號(數(shù)字信號具有圖象信息)的多個鎖存級。鎖存器(A)603與上述定時信號同時地依次寫入并且保存由源信號線驅(qū)動電路601的外部提供的N位數(shù)字信號。
注意到當鎖存器(A)603接收數(shù)字信號的時候可以將數(shù)字信號連續(xù)地輸入鎖存器(A)603的多個鎖存級。然而，本發(fā)明不局限于這個結(jié)構(gòu)?？梢詧?zhí)行所謂的分部驅(qū)動，說得更精確些，將鎖存器(A)603的多個鎖存級分成許多組，然后將數(shù)字信號同時并行輸入各自的組。注意到在這一點的組數(shù)被稱為分部數(shù)。例如，如果每個鎖存電路被組成4級，則它被稱為4分支分部驅(qū)動。
完成將數(shù)字信號寫入鎖存器(A)603的所有鎖存級中所需的時間被稱為行掃描周期。實際上，增加了行回掃時間的上述行掃描周期也被稱為行掃描周期。
在一個行掃描周期完成以后，鎖存信號被提供給鎖存器(B)604。在這個實施例中，由鎖存器(A)603寫入和保存的數(shù)字信號立即被發(fā)送到鎖存器(B)604以便由其所有的鎖存級寫入和保存。
在已經(jīng)完成將數(shù)字信號發(fā)送到鎖存器(B)604以后，根據(jù)來自移位寄存器602的定時信號重新執(zhí)行將數(shù)字信號連續(xù)寫入鎖存器(A)603。
在這個第二次一行掃描周期期間，由鎖存器(B)603寫入和保存的數(shù)字視頻信號被輸入到源信號線。
圖7B是顯示門信號線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的方框圖。
門信號驅(qū)動電路605分別具有移位寄存器606和緩沖器607。依據(jù)情況，能夠提供電平移動器。
在門信號線驅(qū)動電路605中，定時信號從移位寄存器606提供到緩沖器607，這樣被提供到相應的門信號線。一行像素部分的開關(guān)TFT的柵電極連接到每個門信號線。一行像素部分的所有開關(guān)TFT必須同時置于ON狀態(tài)，因此能夠使用在其中能夠流過大電流的緩沖器。
在使用本發(fā)明的修復方法的情況下，通過控制由門信號線驅(qū)動電路輸入到門信號的信號來使開關(guān)TFT在ON的狀態(tài)，并且通過控制從源信號線驅(qū)動電路輸入到源信號線的數(shù)字信號來使EL驅(qū)動TFT在ON的狀態(tài)。
此外，在這個實施例中，已經(jīng)說明了在實施例1中所示的像素部分的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)，但在實施例2中所示的像素部分的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)也具有相同的結(jié)構(gòu)。在實施例2中所示的像素部分具有兩個門信號線驅(qū)動電路，并且每個門信號線驅(qū)動電路分別具有在圖7B中所示的結(jié)構(gòu)。在實施例2中，每個門信號線驅(qū)動電路分別控制到寫入門信號線和到擦除門信號線的輸入信號。[實施例4]在這個實施例中所給的描述是用于驅(qū)動在實施例1中所示的發(fā)光設備的像素部分的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)。這個實施例的結(jié)構(gòu)不同于在實施例3中所描述的。用于驅(qū)動實施例1的像素部分的源信號線驅(qū)動電路和門信號線驅(qū)動電路可以不必具有在這個實施例中所示的結(jié)構(gòu)。
圖8A是依據(jù)本實施例的源信號線驅(qū)動電路611的電路圖。參考數(shù)字612表示移位寄存器；613表示電平移動器；614表示采樣電路。
時鐘信號(CLK)和啟動脈沖信號(SP)輸入到移位寄存器612中。包括圖象信息的模擬信號(模擬視頻信號)輸入到采樣電路614。
依據(jù)在移位寄存器612中時鐘信號(CLK)和啟動脈沖信號(SP)的輸入，生成定時信號并且輸入到電平移動器613。輸入到電平移動器613的定時信號被輸入具有放大的振幅的采樣電路614。
利用輸入到采樣電路614的定時信號，對也輸入到采樣電路614的模擬視頻信號采樣然后輸出到相關(guān)的源信號線。
圖8B是顯示門信號線驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)的方框圖。
門信號線驅(qū)動電路615具有移位寄存器616和緩沖器617。電路也可以具有電平移動器。
在門信號線驅(qū)動電路615中，定時信號從移位寄存器616輸入到緩沖器617，然后輸入到相關(guān)的門信號線。門信號線連接到在一行象素中的開關(guān)TFT的柵電極。因為在一行像素中的開關(guān)TFT毫無疑問是立即轉(zhuǎn)到ON，所以所用的緩沖器毫無疑問能夠流過大電流。
當使用本發(fā)明的修復方法的時候，門信號線驅(qū)動電路控制輸入到門信號線以便使開關(guān)TFT轉(zhuǎn)到ON的信號而EL驅(qū)動TFT通過從源信號線驅(qū)動電路輸入到源信號線的模擬視頻信號來轉(zhuǎn)到ON。[實施例5]本實施例描述將本發(fā)明的修復方法應用到其EL層包括多個層的EL元件上的情況。
圖9A顯示EL元件的結(jié)構(gòu)。首先，通過在由氧化銦和氧化錫(ITO)的化合物形成的陽極上旋涂到30nm厚度用是聚噻吩衍生物的PEDOT形成空穴注入層。接著，通過蒸發(fā)形成具有20nm厚度的MTDATA層和具有10nm厚度的α-NPD層作為空穴傳輸層。在空穴傳輸層上，通過蒸發(fā)到50nm的厚度由是單純化合物的自發(fā)光材料Alq3形成發(fā)光層。然后通過蒸發(fā)到400nm厚度來沉淀Yb來形成陰極以便完成EL元件。
如果在上述結(jié)構(gòu)的EL元件的發(fā)光層中開了小孔并且形成了缺陷部分，作為陰極的Yb層不需要接觸在缺陷部分中作為空穴傳輸層的α-NPD層。
當在給定時間間隔中引起反偏壓電流流入具有缺陷部分的EL元件的時候，在缺陷部分中的溫度升高以至于缺陷部分被燃盡、蒸發(fā)、或者氧化或者碳化以至于轉(zhuǎn)化成絕緣體。結(jié)果，缺陷部分變成變形部分以便于增加其中的電阻。因此沒有加速圍繞變形部分的一部分EL層的退化。
從這樣的EL元件發(fā)出的光利用了來自單純化合物的單峰激發(fā)能。
圖9B顯示了另一個EL元件的結(jié)構(gòu)。首先，通過在由氧化銦和氧化錫的化合物形成的陽極上蒸發(fā)到20nm厚度用銅酞菁形成空穴注入層。接著，通過蒸發(fā)到10nm的厚度用α-NPD形成空穴傳輸層。在空穴傳輸層上，通過蒸發(fā)到20nm的厚度由是三環(huán)化合物的自發(fā)光材料Ir(ppy)3和CBP形成發(fā)光層。通過蒸發(fā)形成具有10nm厚度的BCP層和具有40nm厚度的Alq3來在發(fā)光層上形成電子傳輸層。然后通過蒸發(fā)到400nm厚度來沉淀Yb來形成陰極以便完成EL元件。
如果在上述結(jié)構(gòu)的EL元件的發(fā)光層中開了小孔并且形成了缺陷部分，作為電子傳輸層的BCP層不需要接觸在缺陷部分中作為空穴傳輸層的α-NPD層。
當在給定時間間隔中引起反偏壓電流流入具有缺陷部分的EL元件的時候，在缺陷部分中的溫度升高以至于缺陷部分被燃盡、蒸發(fā)、或者氧化或者碳化以至于轉(zhuǎn)化成絕緣體。結(jié)果，缺陷部分變成變形部分以便于增加其中的電阻。因此沒有加速圍繞變形部分的一部分EL層的退化。
從這樣的EL元件發(fā)出的光利用了來自三環(huán)化合物的三峰激發(fā)能。
圖10A還顯示了另一個EL元件的結(jié)構(gòu)。首先通過在由氧化銦和氧化錫(ITO)的化合物形成的陽極上旋涂到30nm厚度用是聚噻吩衍生物的PEDOT形成空穴注入層。在空穴注入層，通過蒸發(fā)到50nm厚度由是單環(huán)化合物的自發(fā)光材料Alq3形成發(fā)光層。然后，通過蒸發(fā)到400nm厚度來沉淀Pb來形成陰極以便完成EL元件。
如果在上述結(jié)構(gòu)的EL元件的發(fā)光層中開了小孔并且形成了缺陷部分，作為陰極的Pb層不需要接觸在缺陷部分中作為空穴注入層的PEDOT層。
當在給定時間間隔中引起反偏壓電流流入具有缺陷部分的EL元件的時候，在缺陷部分中的溫度升高以至于缺陷部分被燃盡、蒸發(fā)、或者氧化或者碳化以至于轉(zhuǎn)化成絕緣體。結(jié)果，缺陷部分變成變形部分以便于增加其中的電阻。因此沒有加速圍繞變形部分的一部分EL層的退化。
從這樣的EL元件發(fā)出的光利用了來自單環(huán)化合物的單環(huán)激發(fā)能。
圖10B仍然顯示了另一個EL元件的結(jié)構(gòu)。首先，通過蒸發(fā)到400nm厚度用Pb形成陰極。在陰極上，通過蒸發(fā)到50nm厚度由是單環(huán)化合物自發(fā)光材料Alq3形成發(fā)光層。接著，通過旋涂到30nm厚度用是聚噻吩衍生物的PEDOT形成空穴注入層。在其上形成具有5nm厚度的Au薄膜。提供Au薄膜防止在后來的步驟中EL層的表面的退化。然后在Au薄膜上用氧化銦和氧化錫(ITO)的化合物形成陽極。
如果在上述結(jié)構(gòu)的EL元件的發(fā)光層中開了小孔并且形成了缺陷部分，作為陰極的Pb層不需要接觸在缺陷部分中作為空穴注入層的PEDOT層。
當在給定時間間隔中引起反偏壓電流流入具有缺陷部分的EL元件的時候，在缺陷部分中的溫度升高以至于缺陷部分被燃盡、蒸發(fā)、或者氧化或者碳化以至于轉(zhuǎn)化成絕緣體。結(jié)果，缺陷部分變成變形部分以便于增加其中的電阻。因此沒有加速圍繞變形部分的一部分EL層的退化。
從這樣的EL元件發(fā)出的光利用了來自單環(huán)化合物的單環(huán)激發(fā)能。
具有上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的方法能夠依據(jù)將正偏壓電壓施加到EL元件上來增加實際流過EL層的電流的量，即使在層的形成期間由于灰塵等在EL層中形成小孔并且夾著發(fā)光層的兩個層短路，因為本方法能夠通過將缺陷部分改變成變形部分來增加發(fā)生短路的缺陷部分的電阻。因此本發(fā)明的修復方法能夠通過施加相同的電壓電平來增加發(fā)光的亮度而不管缺陷部分的存在。
此外，本發(fā)明能夠通過將缺陷部分改變成變形部分以便增加其中的電阻來防止圍繞缺陷部分的一部分EL層中的加速退化。
由EL材料的碳化生成的碳化物具有高的絕緣性質(zhì)并且作為襯底是穩(wěn)定的。由于那個緣故，當缺陷部分充滿有機EL材料的時候本發(fā)明的修復方法特別有效，例如當在接觸EL材料薄膜的EL層中形成缺陷部分的時候。
本發(fā)明可以自由地結(jié)合實施例1到4。[實施例6]在這個實施例中，通過利用EL材料能夠顯著改善外部發(fā)光量子效率，借助EL材料來自三環(huán)激發(fā)的磷光能夠用于發(fā)光。結(jié)果，能夠降低EL元件的功耗，延長EL元件的使用壽命并且減輕EL元件的重量。
下面是利用三環(huán)激發(fā)改善外部發(fā)光量子效率的報告(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Satio，有機分子系統(tǒng)中的光化學過程，ed.K.Honda，(Elsevier Sci.Pub.，Tkoyo，1991)p.437)。
由上述文章報告的EL材料(香豆素顏料)的分子式表示如下。
(化學分子式1)(M.A.Baldo，D.F.O’Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Nature395(1998)p.151)由上述文章報告的EL材料(Pt絡合物)的分子式表示如下。
(化學分子式2)(M.A.Baldo，S.Lamansky，P.P.Burrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75(1999)p.4)(T.Tsutsui，M.J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe，T.Tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimoto，S.Mayaguchi，Jpn，Appl.Phy.，38(12B)(1999)L1502)
由上述文章報告的EL材料(Ir絡合物)的分子式表示如下。
(化學分子式3)如上所述，如果來自三環(huán)激發(fā)的磷光能夠被實際利用，原則上能夠?qū)崿F(xiàn)外部發(fā)光量子效率是在使用來自單環(huán)激發(fā)的磷光的情況下的3到4倍高。
依據(jù)這個實施例的結(jié)構(gòu)能夠結(jié)合實施例1到5的任意結(jié)構(gòu)來自由實現(xiàn)。[實施例7]這個實施例描述當反偏壓電壓施加到EL元件上的時候具有缺陷部分的EL元件的實際的電壓—電流特性。
如下構(gòu)造在這個實施例中所用的EL元件。首先，通過在由氧化銦和氧化錫(ITO)的化合物形成的陽極上蒸發(fā)到20nm厚度用銅酞菁形成空穴注入層。接著，通過蒸發(fā)形成具有20nm厚度的MTDATA層和具有10nm厚度的α-NPD層作為空穴傳輸層。接著用鋰乙酰丙酮(Liacac)形成電子注入層到2nm的厚度。然后用鋁合金形成陰極到50nm的厚度以便完成EL元件。
圖14顯示當反偏壓電壓施加到EL元件上的時候如上述構(gòu)成的EL元件的電壓一電流特性。反偏壓電流朝著反偏壓電壓是5V的點A變大并且過了那個點后減小。
盡管EL元件被損壞，但按照推測由于施加了反偏壓電壓所以反偏壓電流增加了但過了點A有減小了。因此能夠推斷出缺陷部分中的一些變化發(fā)生在點A以至于提高了缺陷部分的電阻。
在本發(fā)明的修復方法中，施加到EL元件上的反偏壓電壓的電平和電壓施加時間依賴EL元件的陽極、陰極和EL層的材料和EL元件的結(jié)構(gòu)而改變。如果反偏壓電壓顯著的低，不能獲得本發(fā)明的效果，但是在顯著高的情況下反偏壓電壓加速EL元件的退化或者EL元件自身的損壞。
依據(jù)圖14A中所示的電壓—電流特性，隨著-6.5V或者更低的反偏壓電壓，反偏壓電流急劇地增加。因此，在本實施例中所用的EL元件的情況下，當施加-6.5V或者更低的反偏壓電壓的時候EL元件很可能將被損壞或者接近退化。
施加到EL元件上的反偏壓電壓的電平和電壓施加時間不得不由打算執(zhí)行本發(fā)明的人來設定以便于適合EL元件的陽極、陰極和EL層的材料和EL元件的結(jié)構(gòu)。[實施例8]本實施例描述在增加直接反偏壓電壓直到雪崩電壓(Vav)然后減少的情況下EL元件的電壓—電流特性。
圖15是當增加直接反偏壓電壓直到雪崩電壓(Vav)然后減少的時候電壓—電流的圖表。隨著反偏壓電壓增加，反偏壓電流Irev在點B、點C和點D處臨時波動，在其中一些變化發(fā)生在缺陷部分中以至于從缺陷部分轉(zhuǎn)化為變形部分。
在電壓在Vav達到最大以后隨著反偏壓電壓Vrev的減少觀察到在反偏壓電流Irev中沒有明顯變化。
這個實施例可以自由地結(jié)合實施例1到7。[實施例9]本實施例給出了在應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備的剖面圖上的描述。
在圖16中，n通道TFT用于在襯底700上形成的開關(guān)TFT721。
在這個實施例中的開關(guān)TFT721具有在其中形成兩個通道形成區(qū)域的雙門結(jié)構(gòu)。然而，TFT可以采用具有一個通道形成區(qū)域的單門結(jié)構(gòu)或者具有三個通道形成區(qū)域的三門結(jié)構(gòu)。
在襯底700上形成的驅(qū)動電路具有n通道TFT723和p通道TFT724。盡管在這個實施例中驅(qū)動電路的TFT是單門結(jié)構(gòu)，但是TFT可以采用雙門結(jié)構(gòu)或者三門結(jié)構(gòu)。
配線701和703起到CMOS電路的源極配線的作用而702起到其中的漏極配線的作用。配線704起到電力連接源極配線708和開關(guān)TFT的源極區(qū)的配線的作用。配線705起到電力連接漏極配線709和開關(guān)TFT的漏極區(qū)的配線的作用。
P通道TFT用于EL驅(qū)動TFT722。在本實施例中的EL驅(qū)動TFT722是單門結(jié)構(gòu)但是可以具有雙門結(jié)構(gòu)或者三門結(jié)構(gòu)。
配線706是EL驅(qū)動TFT的源極配線(相應于電流補給線)。配線707是安裝在EL驅(qū)動TFT的像素電極710上以便于電力連接像素電極710的電極。
像素電極710由透明的導電薄膜形成并且用作EL元件的陽極。透明的導電薄膜可以從氧化銦和氧化錫的化合物或者氧化銦和氧化鋅的化合物中獲得，或者單獨從氧化鋅、氧化錫或者氧化銦中獲得。透明的導電薄膜可以漆上鎵。在形成上述配線以后在扁平的夾層絕緣薄膜711上形成像素電極710。在這個實施例中，薄膜711是由樹脂形成的平面化薄膜并且重要的是拉平由具有平面化薄膜711的TFT導致的電平差。在后來形成的EL層很薄以至于電平差的存在能夠?qū)е鹿獍l(fā)射缺陷。因此在形成像素電極以前表面不得不變平以便于在盡可能扁平的表面上形成EL層。
在形成配線701到707以后，如圖16所示形成組合(bank)712。通過鋪砌100到400nm厚度的包含硅的絕緣薄膜或者有機樹脂薄膜形成組合(bank)712。
因為組合(bank)712是絕緣薄膜，必須小心在薄膜形成期間不要導致元件的靜態(tài)擊穿。在這個實施例中，在作為組合(bank)712的材料的絕緣薄膜中添加碳微?；蛘呓饘傥⒘＃纱私档碗娮柘禂?shù)從而避免靜電的產(chǎn)生。調(diào)整碳微粒和金屬微粒的量以至于電阻系數(shù)減少到1×106到1×1012Ωm(最好1×108到1×1010Ωm)。
在像素電極710上形成EL層713。盡管在圖16中只顯示了一個像素，但是在這個實施例中形成了用于紅光(R)的EL層，用于綠光(G)的EL層和用于藍光(B)的EL層。本實施例為EL層713使用了通過蒸發(fā)在薄膜中形成的低分子量的有機EL材料。明確的，EL層713具有疊層板結(jié)構(gòu)，在其中在空穴注入層上形成具有20nm厚度的銅酞菁(CuPc)薄膜作為空穴注入層713a并且形成具有70nm厚度的三8喹啉鋁絡合物(Alq3)作為發(fā)光層713b。通過選擇像喹酮、二萘嵌苯或者DCM1這樣用于漆涂Alq3的熒光顏料來控制發(fā)光的顏色。
上述給出的材料主要是能夠用于EL層的有機EL材料的示例并且不需要局限于此。EL層(也就是用于發(fā)光和用于載波運輸以便于發(fā)光的層)除了發(fā)光層以外，可以具有載荷子運輸層或者載荷子注入層或者兩者都有。例如，大分子量的有機EL材料可以用于EL層盡管在這個實施例中所示的示例中所用的是小分子量的有機EL材料。像硅、碳這樣的無機材料可以用于載荷子運輸層和載荷子注入層。能夠使用已知的有機EL材料和已知的無機材料。
在EL層713上，用導電薄膜形成陰極714。在這個實施例中，鋁和鋰的合金薄膜用作導電薄膜。當然可以使用已知的MgAg薄膜(鎂和銀的合金薄膜)。適合的陰極材料是由元素周期表中屬于組1或者2的元素構(gòu)成的導電薄膜，或者漆涂上組1或者2的元素的導電薄膜。
陰極714的形成完成了EL元件719。這里的EL元件719意味著由像素電極(陽極)710、EL層713和陰極714構(gòu)成的電容器。
提供鈍化薄膜716以至于完全地覆蓋EL元件719是很有效的。鈍化薄膜716是絕緣薄膜，其示例包括碳薄膜、氮化硅薄膜和氧化硅薄膜。這些絕緣薄膜的單層或者疊層板能用于鈍化薄膜。
使用鈍化薄膜作為能夠覆蓋廣大區(qū)域的薄膜是更可取的。尤其是碳薄膜、DLC(金剛石)薄膜很有效。DLC薄膜能夠在室溫和100℃之間的溫度范圍中形成，因此容易形成具有低熱阻的上述EL層713。此外，DLC薄膜能夠非常有效地阻礙氧氣并且能夠防止EL層713的氧化。因此EL層713能夠在隨后執(zhí)行的密封步驟之前免遭氧化。
在鈍化薄膜716上提供鉛封717并且粘結(jié)封蓋部分718。UV可再生樹脂用作鉛封717。將具有吸濕作用的物質(zhì)或者具有抗氧化作用的物質(zhì)置于鉛封中是很有效的。這個實施例中所用的封蓋部分是在其正面或者背面上形成的具有碳薄膜(最好是金剛石薄膜)的玻璃襯底、石英襯底或者塑料襯底(包括塑料薄膜)。
這樣完成了如圖16所示構(gòu)成的EL顯示設備。使用復式類型(或者同軸類型)薄膜形成裝置以便于連續(xù)地處理在組合(bank)712形成以后直到鈍化薄膜716形成的步驟而不使設備暴露在空氣中是很有效的。用于防止暴露在空氣中的連續(xù)處理還可以擴展以便于包括粘結(jié)封蓋部分718的步驟。
這個實施例中的每個TFT特征為用具有兩個層的導電薄膜形成柵電極；在通道形成區(qū)和漏極區(qū)之間形成的低濃度雜質(zhì)區(qū)域之間幾乎沒有發(fā)現(xiàn)濃度差，因此形成平緩的濃度梯度；低濃度雜質(zhì)區(qū)域被分成覆蓋基本柵電極的區(qū)域(這一部分稱為GOLD區(qū)域)和不覆蓋柵電極的區(qū)域(這一部分稱為LDD區(qū)域)。門絕緣薄膜，也就是，在不覆蓋柵電極的區(qū)域上和高濃度雜質(zhì)區(qū)域上的區(qū)域的邊界逐漸減少。
在這個實施例的發(fā)光設備中，如果在發(fā)光層713b中有小孔，將導在其中空穴注入層713a和陰極714通過小孔接觸的致缺陷部分。利用本發(fā)明的修復方法，缺陷部分能夠變成變形部分715，結(jié)果增加了電阻。因此除了小孔以外的像素的其他部分能夠具有增強的亮度并且沒有加速圍繞小孔的一部分EL層的退化。
這個實施例只顯示像素部分和驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)。然而，依據(jù)本實施例的制造過程也能夠在同一個保留像素部分和驅(qū)動電路的絕緣體上形成像信號分頻電路、D/A轉(zhuǎn)換器、運算放大器和γ校正電路這樣的邏輯電路。另外，可以形成存儲器和微處理器。
這個實施例的結(jié)構(gòu)能夠結(jié)合任意的實施例1，2，3，4，6和8。[實施例10]這個實施例給出在應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備的剖面圖上的描述。
在圖17中，驅(qū)動電路的p通道TFT200和n通道TFT201在與在其上形成EL驅(qū)動TFT203、開關(guān)TFT204和電容存儲器205的相同的襯底上形成來構(gòu)成像素部分。
驅(qū)動電路的P通道TFT200組成如下具有第二錐形并且起到柵電極作用的導電層220；通道形成區(qū)域206；起到源極區(qū)或者漏極區(qū)作用的第三雜質(zhì)區(qū)域207a；作為不覆蓋柵電極220的LDD區(qū)域的第四雜質(zhì)區(qū)域(A)207b；和作為部分覆蓋柵電極220的LDD區(qū)域的第四雜質(zhì)區(qū)域(B)207c。
驅(qū)動電路的N通道TFT201組成如下具有第二錐形并且起到柵電極作用的導電層221；通道形成區(qū)域208；起到源極區(qū)或者漏極區(qū)作用的第一雜質(zhì)區(qū)域209a；作為不覆蓋柵電極221的LDD區(qū)域的第二雜質(zhì)區(qū)域(A)209b；和作為部分覆蓋門電路221的LDD區(qū)域的第二雜質(zhì)區(qū)域(B)209c。當通道長度是2到7μm的時候，第二雜質(zhì)區(qū)域(B)209c覆蓋柵電極221的部分的長度設定為0.1到0.3μm。通過調(diào)整柵電極221的厚度和錐形部分的角度來控制LOV區(qū)域的長度。具有在n通道TFT中形成的這樣的LDD區(qū)域，能夠減弱在漏極區(qū)附近產(chǎn)生的高的電場以便防止熱載流子的生成由此防止TFT的退化。
類似的，EL驅(qū)動TFT203組成如下具有第二錐形并且起到柵電極作用的導電層223；通道形成區(qū)域212；起到源極區(qū)或者漏極區(qū)作用的第三雜質(zhì)區(qū)域213；作為不覆蓋柵電極223的LDD區(qū)域的第四雜質(zhì)區(qū)域(A)213b；和作為部分覆蓋柵電極223的LDD區(qū)域的第四雜質(zhì)區(qū)域(B)213c。
像移位寄存器電路和緩沖器電路這樣的邏輯電路和具有模擬開關(guān)的采樣電路組成驅(qū)動電路。在圖17中，這些電路的TFT具有在形成一對的源極和漏極之間放置一個柵電極的單門結(jié)構(gòu)。然而，TFT可以具有在形成一對的源極和漏極之間防止多個電極的多門結(jié)構(gòu)。
EL驅(qū)動TFT203的漏極區(qū)通過配線231連接到像素電極。用已知的有機EL材料形成EL層272以便于接觸像素電極271。形成陰極273以便于接觸EL層272。
開關(guān)TFT204組成如下具有第二錐形并且起到柵電極作用的導電層224；通道形成區(qū)域214a和214b；起到源極區(qū)或者漏極區(qū)作用的第一雜質(zhì)區(qū)域215a和217；作為不覆蓋柵電極224的LDD區(qū)域的第二雜質(zhì)區(qū)域(A)215b；和作為部分覆蓋柵電極224的LDD區(qū)域的第二雜質(zhì)區(qū)域(B)215c。第二雜質(zhì)區(qū)域(B)215c覆蓋柵電極224的部分的長度設定為0.1到0.3μm。電容存儲器組成如下從第一雜質(zhì)區(qū)域217延伸出的并且具有第二雜質(zhì)區(qū)域(A)219b、第二雜質(zhì)區(qū)域(B)219c和不漆涂用于設定區(qū)域的導電類型的任何雜質(zhì)元素的區(qū)域218的半導體層；與具有第三形狀的門絕緣薄膜相同的絕緣層；和用具有第二錐形的導電層形成的電容器配線225。
在這個實施例的發(fā)光設備中，如果在EL層272中有小孔，將導致在其中像素電極271和陰極273通過小孔接觸的缺陷部分。利用本發(fā)明的修復方法，缺陷部分能夠變成變形部分274，結(jié)果增加了電阻。因此除了小孔以外的像素的其他部分能夠具有增強的亮度并且沒有加速圍繞小孔的一部分EL層的退化。
這個實施例的結(jié)構(gòu)能夠結(jié)合任意的實施例1、2、3、4、6和8。[實施例11]在這個實施例中說明使用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光顯示器的截面結(jié)構(gòu)的輪廓。
在圖118中參考數(shù)字811表示襯底，參考數(shù)字812表示成為基底(以下稱為基薄膜)的絕緣薄膜。發(fā)光襯底，典型地像玻璃襯底、石英襯底、玻璃陶瓷襯底或者水晶玻璃襯底，能夠用作襯底811。然而，所用的襯底必須是在制造加工期間能夠經(jīng)得起最高加工溫度的一個。
此外，當使用包含流動離子的襯底或者具有電導率的襯底的時候基薄膜812顯著有效，但是在石英襯底上不需要形成基薄膜812。包含硅的絕緣薄膜可以用作基薄膜812。注意到術(shù)語包含硅的絕緣薄膜明確地指示像氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和根據(jù)關(guān)于硅的預定比例包含氧或者氮的氮氧化硅薄膜(表示為SiOxNy，x和y是任意整數(shù))這樣的絕緣薄膜。
參考數(shù)字8201表示開關(guān)TFT，參考數(shù)字8202表示EL驅(qū)動器TFT，兩個分別通過n通道TFT和p通道TFT形成。當EL發(fā)光的方向朝著襯底下邊(沒有形成TFT和EL層的表面)的時候，上述結(jié)構(gòu)是更可取的。然而，本發(fā)明不局限于這個結(jié)構(gòu)。開關(guān)TFT和EL驅(qū)動器TFT可以是n通道TFT或者p通道TFT。
開關(guān)TFT8201具有包括源極區(qū)813、漏極區(qū)814、LDD區(qū)域815a到815d、分隔區(qū)域816的有源層，和包括形成區(qū)域863和864的通道、門絕緣薄膜818、柵電極819a和819b、第一夾層絕緣薄膜820、源信號線821和漏極線822的有源層。注意到門絕緣薄膜818和第一夾層絕緣薄膜820在襯底上的全部TFT中可以是通用的，或者可以依賴電路或者元件而不同。另外，參考數(shù)字817a和817b是掩模以便形成通道形成區(qū)域。
此外，圖18中所示的開關(guān)TFT8201電力地連接到柵電極819a和819b，變成所謂的雙門結(jié)構(gòu)。不但可以使用雙門結(jié)構(gòu)，而且當然也可以使用像三門結(jié)構(gòu)這樣的多門結(jié)構(gòu)(包括具有串連連接的兩個或者多個通道形成區(qū)域的有源層的結(jié)構(gòu))。
多門結(jié)構(gòu)在減少開路電路中非常有效，并且提供了開關(guān)TFT的開路電路被充分地降低，連接到第一EL驅(qū)動器TFT8202地柵電極地電容器能夠具有減少到最小需要的電容。也就是，電容器的表面區(qū)域能夠做的更小，因此使用多門結(jié)構(gòu)在擴大EL元件的有效發(fā)光表面區(qū)域中也很有效。
另外，形成LDD區(qū)域815a到815d以至于不覆蓋通過在開關(guān)TFT8201中的門絕緣薄膜818的柵電極819a和819b。這種類型的結(jié)構(gòu)在減少開路電流中非常有效。此外，LDD區(qū)域815a到815d的長度(寬度)可以設定為從0.5到3.5μm，代表性的，在2.0和2.5μm之間。
注意到在降低開路電流中在通道形成區(qū)域和LDD區(qū)域之間形成偏移區(qū)域(區(qū)域是具有與通道形成區(qū)域相同組成并且沒有施加門電壓的半導體層)是更可取的。此外，當使用具有兩個或者更多柵電極的多門結(jié)構(gòu)的時候，分隔區(qū)域816(在其中添加相同濃度的相同雜質(zhì)元素的區(qū)域，例如添加到源極區(qū)或者漏極區(qū))將相同在減少開路電流中是很有效的。
接著，形成具有包括源極區(qū)826、漏極區(qū)827和通道形成區(qū)域805的有源層、門絕緣薄膜818、柵電極830、第一夾層絕緣薄膜820、源極線831和漏極線832的第一EL驅(qū)動器TFT8202。在實施例11中的第一EL驅(qū)動器TFT8202是p通道TFT。參考數(shù)字829是掩模以便于形成通道信息區(qū)域。
此外，開關(guān)TFT8201的漏極區(qū)連接到EL驅(qū)動器TFT8202的柵電極830。盡管在圖中沒有顯示，很明確，EL驅(qū)動器TFT8202的柵電極830通過漏極線(也稱為連接線)822電力地連接到整理TFT8201的漏極區(qū)814。第一EL驅(qū)動器TFT8202的源極線831連接到電源補給線(圖中沒有顯示)。
第一EL驅(qū)動器TFT8202是用于控制注入EL元件的電流量和電流流動相對較大量的元件。因此更適合將通道寬度W設計的比開關(guān)TFT的通道寬度更大。此外，適合設計通道長度L以至于電流的過量部分不能在EL驅(qū)動器TFT8202中流動。適合具有每像素從0.5到2μA(更適合在1和1.5μm之間)另外，通過使EL驅(qū)動器TFT8202的有源層(特別是通道形成區(qū)域)的薄膜厚度變厚(適合于從50到100nm，60和80nm之間更好)，可以抑止TFT的退化。相反的，在開關(guān)TFT8201的情況下，從使開路電流變小的立場出發(fā)，使有源層(特別是通道形成區(qū)域)的薄膜厚度變薄(適合于20到50nm，25和40之間更好)也是有效的。
上面說明了在像素中形成的TFT的結(jié)構(gòu)，但是在這一點也能夠同時形成驅(qū)動器電路。成為用于形成驅(qū)動器電路的基本單元的CMOS電路如圖18中所示。
具有在其中減少熱載流子注入而不用過分降低操作速度的結(jié)構(gòu)的TFT用作在圖18中的CMOS電路的n通道TFT8204。注意到術(shù)語驅(qū)動器電路在這里指示源信號線驅(qū)動器電路和門信號線驅(qū)動器電路。也有可能形成其他的邏輯電路(例如電平移動器，A/D轉(zhuǎn)換器，和信號分頻電路)。
CMOS電路的n通道TFT8204的有源層包括源極區(qū)835、漏極區(qū)836、LDD區(qū)域837和通道形成區(qū)域862。LDD區(qū)域837通過門絕緣薄膜818覆蓋柵電極839。因此，使得LDD區(qū)域837完全地覆蓋柵電極。這樣適合于盡可能的減少電阻分量。參考數(shù)字838是掩模以便于形成通道信息區(qū)域。
只在漏極區(qū)836上形成LDD區(qū)域837以至于不用降低運算速度。此外，不必很擔心n通道TFT8204的開路電流，并且很好地注意運算速度的重要。因此，希望使LDD區(qū)域837完全覆蓋柵電極以便于將電阻分量減到最小。因此適合于消除所謂的偏移。
此外，幾乎不需要擔心由于熱載流子注入導致的CMOS電路的p通道TFT8205的退化，因此不需要特別形成LDD區(qū)域。因此，有源層包括源極區(qū)840、漏極區(qū)841和通道形成區(qū)域861，并且在有源層上形成門絕緣薄膜818和柵電極843。當然，也有可能通過形成類似于n通道TFT8204的那一個的LDD區(qū)域來設法阻止熱載流子注入。參考數(shù)字842是掩模以便于形成通道信息區(qū)域。
此外，n通道TFT8204和p通道TFT8205具有分別在它們的源極區(qū)上并且通過第一夾層絕緣薄膜820的源極線844和845。另外，n通道TFT8204和p通道TFT8205的漏極通過漏極線846相互電力連接。
接著，參考數(shù)字847指示第一鈍化薄膜，它的薄膜厚度可以設定為從10nm到1μm(最好在200和500nm之間)。包含硅的絕緣薄膜(尤其是最好使用氮氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜)能夠用作鈍化薄膜材料。鈍化薄膜847具有保護TFT防止堿金屬和潮濕的作用。在最終的TFT(尤其是EL驅(qū)動器TFT)上最后形成的EL層中包含像鈉這樣的堿金屬。換句話說，第一鈍化薄膜847用于保護層以便于這些堿金屬(流動離子)不能滲透到TFT中。
此外，參考數(shù)字848指示具有用于執(zhí)行TFT的拉平步驟的拉平薄膜功能的第二夾層絕緣薄膜。最好用有機樹脂薄膜作為第二夾層絕緣層薄膜848，并且可以使用像聚酰亞胺、丙烯酸或者BCB(苯環(huán)丁烯)這樣的薄膜。這些有機樹脂薄膜具有容易形成好的平面、具有低比介質(zhì)常數(shù)的優(yōu)點。EL層對于不平及其敏感，因此最好利用第二夾層絕緣薄膜848主要吸收TFT步驟。另外，最好形成厚的低比介質(zhì)常數(shù)材料以便于減少在EL元件的門信號線、數(shù)據(jù)信號線和陰極之間形成的寄生電容。因此厚度最好是從0.5到5μm(更優(yōu)選在1.5和2.5μm之間)。
此外，參考數(shù)字849指示由透明導電薄膜形成的像素電極(EL元件的陽極)。在第二夾層絕緣薄膜848和第一鈍化薄膜847中形成接觸孔(開口)以后，形成像素電極849以便于連接到第一EL驅(qū)動器TFT8202的漏極線832。注意到如果形成像素電極849和漏極區(qū)827以至于不直接連接，如圖18所示，則能夠防止EL層的堿金屬通過像素電極進入有源層。
在像素電極849上用具有從0.3到1μm厚度的氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或者有機樹脂薄膜形成第三夾層絕緣薄膜850。在第三夾層絕緣薄膜850中通過蝕刻在像素電極849上形成開口部分，并且蝕刻開口部分的邊緣以便于成為錐形。錐角可以設定為從10到60°(最好在30到50°之間)。
在第三夾層絕緣薄膜850上形成EL層851。單層結(jié)構(gòu)或者疊層板結(jié)構(gòu)能夠用于EL層851，但是疊層板結(jié)構(gòu)具有更好的發(fā)光效應。一般的，在像素電極上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，但是也可以使用具有空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的結(jié)構(gòu)或者具有空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠使用任何已知的結(jié)構(gòu)。并且也可以執(zhí)行將例如熒光顏料漆涂到EL層中。
圖18的結(jié)構(gòu)是在形成相應于R、G和B的三種類型EL元件的情況下的示例。注意到盡管在圖18中只顯示了一個像素，但是能夠相應于紅、綠和藍分別形成具有相同結(jié)構(gòu)的像素，因而能夠執(zhí)行那種顏色的顯示。實現(xiàn)本發(fā)明而不用關(guān)注顏色顯示的方法是可能的。
在EL層851上形成EL元件的陰極852作為反電極。包括像鎂(Mg)、鋰(Li)或者鈣(Ca)這樣的低加工系數(shù)材料的金屬可以用作陰極852。更可取的，使用用MgAg(用Mg和Ag形成的Mg的Ag混合比等于10∶1的材料)形成的電極。另外，MgAgAl電極、LiAl電極和LiFAl電極可以作為其他例子。
包括EL層851的疊層板本體必須分成每個像素來形成，但是EL層851關(guān)于潮濕是及其弱的，因此不能使用普通的照相平板印刷技術(shù)。因此最好使用像金屬屏蔽這樣的物理屏蔽材料，并且最好通過像真空蒸發(fā)、濺射或者等離子體CVD這樣的氣相方法選擇性得形成層。
通過像素電極(陽極)849、EL層851和陰極852形成EL元件8206。
注意到也有可能使用像噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷或者旋涂這樣的方法作為選擇性地形成層的方法。然而，目前還不能用這些方法連續(xù)形成陰極，因此最好使用上述其他方法。
此外，參考數(shù)字853指示保護電極，它保護EL層和陰極852以防外部潮濕等并且同時是用于連接每個像素的陰極852的電極。最好使用包含鋁(Al)、銅(Cu)或者銀(Ag)的低電阻材料作為保護電極853。也能夠期望保護電極853能夠具有減少由EL層產(chǎn)生的熱量的熱輻射效應。
參考數(shù)字854指示第二鈍化薄膜，它可以形成具有10nm到1μm(最好在200和500nm之間)的薄膜厚度。形成第二鈍化薄膜854的目的主要是用于保護EL層851防潮。但是使第二鈍化薄膜854具有熱輻射效應也是有效的。注意到EL層關(guān)于熱是很弱的，如上所述，因此最好在盡可能低的溫度下(最好在從室溫到120°的溫度范圍內(nèi))執(zhí)行薄膜形成。因此能夠認為等離子體CVD、濺射、真空蒸發(fā)、離子涂敷和浸液涂漆(旋涂)是優(yōu)選的薄膜形成方法。
注意到在本發(fā)明中不用說如圖18中所示的全部TET可以具有多晶硅薄膜作為它們的有源層。
當在發(fā)光設備中的EL層860中形成小孔的時候，形成通過小孔連接像素電極849和陰極852的缺陷部分。利用本發(fā)明的修復方法，通過將缺陷部分變成變性部分860來提高電阻。因此，增加了除了小孔以外的像素部分中的亮度，并且能夠防止促進圍繞小孔的EL層的退化。
注意到結(jié)合實施例1到4、6和8來實現(xiàn)本實施例11是可能的。[實施例12]使用EL元件的發(fā)光設備是自發(fā)光的，因此與液晶顯示設備比較，在明亮環(huán)境中具有較高的能見度并且具有更寬的視角。因此，能夠用于各種電力設備的顯示裝置。
給出電力設備使用應用了本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備的例子攝像機；數(shù)碼相機；護目鏡式顯示器(頭戴式顯示器)；導航系統(tǒng)；音頻復制設備(汽車音像，組合音響等)；筆記本計算機；博弈機；便攜式信息終端(移動式計算機，便攜式電話便攜式博弈機，電子記事簿等)；和浮想復制設備(明確的，能夠在像數(shù)字化視頻光盤(DVD)這樣的記錄媒體中處理數(shù)據(jù)并且具有能夠顯示數(shù)據(jù)的圖象的顯示設備的設備)。具有EL元件的發(fā)光設備特別希望用于便攜式信息終端因為經(jīng)常要傾斜地看它的屏幕并且需要具有寬的視角。電氣設備的具體示例如圖11A到11H所示。
圖11A顯示EL顯示設備，包括外殼2001，底基2002，顯示裝置2003，揚聲器裝置2004，視頻輸入終端2005等。應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備能夠用作顯示裝置2003。具有EL元件的發(fā)光設備是自發(fā)光的而且不需要背后照明，所以能夠制造比液晶顯示設備更薄的顯示設備。術(shù)語EL顯示設備包括用于顯示信息的每一個顯示設備，像個人計算機的，用于接收TV廣播的和用于廣告宣傳的。
圖11B顯示數(shù)字式照相機，包括機身2101，顯示裝置2102，圖像接收裝置2103，操作鍵2104，外部連接端口2105，快門2106等。應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備能夠用于顯示裝置2102。
圖11C顯示筆記本計算機，包括主機2201，外殼2202，顯示裝置2203，鍵盤2204，外部連接端口2205，指示鼠標2206等。應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備能夠用于顯示裝置2203。
圖11D顯示移動式計算機，包括主機2301，顯示裝置2302，開關(guān)2303，操作鍵2304，紅外線端口2305等。應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備能夠用于顯示裝置2302。
圖11E顯示安裝有裝備有記錄媒體(特定的，DVD播放器)的便攜式圖像復制設備。設備包括主機2401，外殼2402，顯示裝置A2403，顯示裝置B2404，記錄媒體(DVD)讀取裝置2405，操作鍵2406，揚聲器裝置2407等。顯示裝置A2403主要顯示圖象信息而顯示裝置B2404主要顯示文本信息。應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備能夠用于顯示裝置A2403和B2404。術(shù)語裝備有記錄媒體的圖像復制設備包括視頻博弈機。
圖11F顯示護目鏡式顯示器(頭戴式顯示器)，包括主機2501，顯示裝置2502，和支架裝置2503。應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備能夠用于顯示裝置2502。
圖11G顯示攝像機，包括主機2601，顯示裝置2602，外殼2603，外部連接端口2604，遠程控制接收裝置2605，圖像接收裝置2606，電池2607，音頻輸入裝置2608，操作鍵2609等。應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備能夠用于顯示裝置2602。
圖11H顯示移動式電話，包括主機2701，外殼2702，顯示裝置2703，音頻輸入裝置2704，音頻輸出裝置2705，操作鍵2706，外部連接端口2707，天線2708等。應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備能夠用于顯示裝置2703。如果顯示裝置2703在黑色背景上顯示白色字符，能夠減少移動式電話的耗電量。
如果將來增加了從EL材料中發(fā)射的光的亮度，具有EL元件的發(fā)光設備也能夠用于前部或者后部投影機，其中通過透鏡等放大承載輸出圖象信息的光以便投影在屏幕上。
在上述給出的電力設備經(jīng)常顯示通過像因特網(wǎng)和CATV(有線電視)這樣的電子通信線路分配的信息，尤其是具有增加頻率的動畫信息。具有EL元件的發(fā)光設備適用于顯示動畫信息因為EL材料具有快的響應速度。
在發(fā)光設備中，發(fā)光部分消耗功率。因此希望用盡可能小的發(fā)光部分來顯示信息。因此，如果發(fā)光設備用于主要顯示文本信息的顯示裝置，例如便攜式信息終端，尤其是移動式電話和音頻復制設備，希望指定發(fā)光部分來顯示文本信息而不發(fā)光部分用作背景。
如上所述，應用本發(fā)明的修復方法的發(fā)光設備的使用范圍很廣泛并且每個領(lǐng)域的電力設備都能夠使用這種設備。本實施例中電力設備可以使用如實施例1到11所示的任何結(jié)構(gòu)。[實施例13]本實施例描述將本發(fā)明的修復方法應用到無源(簡單)矩陣發(fā)光設備上的情況。
圖19A顯示無源矩陣發(fā)光設備的結(jié)構(gòu)。參考數(shù)字805指示具有多個像素806的像素部分。每個像素具有多個數(shù)據(jù)線803中的一個和多個操描線804中的一個。在數(shù)據(jù)線803和掃描線804之間形成EL層。數(shù)據(jù)線803和掃描線804作為電極。EL層和電極組成EL元件807。
通過數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路801控制輸入到數(shù)據(jù)線803的信號，通過掃描線驅(qū)動電路802控制輸入到掃描線804的信號。
圖19B顯示當應用本發(fā)明的修復方法的時候輸入到操描線804和數(shù)據(jù)線803的信號的電壓電平。通過在給定時間間隔中改變數(shù)據(jù)線的電壓而保持掃描線804的電壓不變，能夠引起反偏壓電流在給定時間間隔中流入EL元件807。
EL元件807的缺陷部分能夠在像素部分806的全部像素805中立刻被修復。可替代的，可以一次在一行象素或者一次在一個像素上執(zhí)行修復。
本發(fā)明的方法能夠依據(jù)將正偏壓電壓施加到EL元件上來增加實際流過EL層的電流的量，即使在層形成期間由于灰塵等在EL層中形成小孔并且夾著發(fā)光層的兩個層短路，因為本方法能夠通過將缺陷部分改變成變形部分來增加發(fā)生短路的缺陷部分的電阻。因此本發(fā)明的修復方法能夠通過施加相同的電壓電平來增加發(fā)光的亮度而不管缺陷部分的存在。
因為具有高的電阻RSC，所以和在其中允許電流流動以至于加速了圍繞在缺陷部分的一部分EL層的退化的缺陷部分相反，變形部分幾乎不允許電流在其中流動。因此，沒有加速圍繞在變形部分的一部分EL層的退化。
這個實施例可以自由結(jié)合實施例5到8和實施例12。
具有上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的方法能夠依據(jù)將正偏壓電壓施加到EL元件上來增加實際流過EL層的電流的量，即使在層形成期間由于灰塵等在EL層中形成小孔并且夾著發(fā)光層的兩個層短路，因為本方法能夠通過將缺陷部分改變成變形部分來增加發(fā)生短路的缺陷部分的電阻。因此本發(fā)明的修復方法能夠通過施加相同的電壓電平來增加發(fā)光的亮度而不管缺陷部分的存在。
因為具有高的電阻RSC，所以和在其中允許電流流動以至于加速了圍繞在缺陷部分的一部分EL層的退化的缺陷部分相反，變形部分幾乎不允許電流在其中流動。因此，沒有加速圍繞在變形部分的一部分EL層的退化?；瘜W分子式1 化學分子式2 化學分子式3
權(quán)利要求
1.修復發(fā)光設備的方法包括將第一電壓和第二電壓依次施加到發(fā)光元件上的步驟，其中第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
2.依據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一電壓和第二電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
3.依據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
4.依據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
5.修復發(fā)光設備的方法包括將施加到發(fā)光元件上的電壓從第一電壓逐漸改變到第二電壓，其中第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
6.依據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中第一電壓和第二電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
7.依據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
8.依據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
9.修復發(fā)光設備的方法包括步驟在發(fā)光設備的陽極和陰極之間依次施加第一電壓和第二電壓，其中陽極和陰極位于在其間插入發(fā)光層的發(fā)光元件中，并且其中第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
10.依據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中第一電壓和第二電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
11.依據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
12.依據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
13.修復發(fā)光設備的方法包括步驟將施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間的電壓從第一電壓逐漸改變到第二電壓，其中陽極和陰極位于在其間插入發(fā)光層的發(fā)光元件中，并且其中第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
14.依據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中第一電壓和第二電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
15.依據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
16.依據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
17.修復發(fā)光設備的方法包括步驟將第一電壓和第二電壓依次施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間，由此使得在其中反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分成為絕緣或者高電阻，并且其中陽極和陰極位于在其間插入發(fā)光層的發(fā)光元件中，并且其中第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
18.依據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中第一電壓和第二電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
19.依據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
20.依據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
21.修復發(fā)光設備的方法包括步驟將施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間的電壓從第一電壓逐漸改變到第二電壓，由此使得在其中反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分成為絕緣或者高電阻，其中陽極和陰極位于在其間插入發(fā)光層的發(fā)光元件中，并且其中第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
22.依據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中第一電壓和第二電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
23.依據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
24.依據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
25.修復發(fā)光設備的方法包括將第一電壓和第二電壓依次施加到發(fā)光元件上的步驟，其中第一電壓是地電壓而第二電壓是反偏壓電壓。
26.依據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中反偏壓電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
27.依據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
28.依據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
29.修復發(fā)光設備的方法包括將施加在發(fā)光元件上的電壓從第一電壓逐漸改變到第二電壓的步驟，其中第一電壓和第二電壓中的一個是地電壓而另一個是反偏壓電壓。
30.依據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中反偏壓電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
31.依據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
32.依據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
33.修復發(fā)光設備的方法包括步驟將第一電壓和第二電壓依次施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間，并且其中陽極和陰極位于在其間插入發(fā)光層的發(fā)光元件中，和其中第一電壓是地電壓而第二電壓是反偏壓電壓。
34.依據(jù)權(quán)利要求33的方法，其中反偏壓電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
35.依據(jù)權(quán)利要求33的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
36.依據(jù)權(quán)利要求33的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
37.修復發(fā)光設備的方法包括步驟將施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間的電壓從第一電壓逐漸改變到第二電壓，其中陽極和陰極位于在其間插入發(fā)光層的發(fā)光元件中，并且其中第一電壓和第二電壓中的一個是地電壓而另一個是反偏壓電壓。
38.依據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中反偏壓電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
39.依據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
40.依據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
41.修復發(fā)光設備的方法包括步驟將第一電壓和第二電壓依次施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間，由此使得在其中反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分成為絕緣或者高電阻，并且其中陽極和陰極位于在其間插入發(fā)光層的發(fā)光元件中，并且其中第一電壓是地電壓而第二電壓是反偏壓電壓。
42.依據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中反偏壓電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
43.依據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
44.依據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
45.修復發(fā)光設備的方法包括步驟將施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間的電壓從第一電壓逐漸改變到第二電壓，由此使得在其中反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分成為絕緣或者高電阻，其中陽極和陰極位于在其間插入發(fā)光層的發(fā)光元件中，并且其中第一電壓和第二電壓中的一個是地電壓而另一個是反偏壓電壓。
46.依據(jù)權(quán)利要求45的方法，其中反偏壓電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
47.依據(jù)權(quán)利要求45的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
48.依據(jù)權(quán)利要求45的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
49.制造發(fā)光設備的方法包括步驟形成包括在期間插入發(fā)光層的陽極和陰極的發(fā)光元件；和將第一電壓和第二電壓依次施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間，由此使得在其中反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分成為絕緣或者高電阻，其中第一電壓和第二電壓是不同電平的反偏壓電壓。
50.依據(jù)權(quán)利要求49的方法，其中第一電壓逐漸改變到第二電壓。
51.依據(jù)權(quán)利要求49的方法，其中第一電壓和第二電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
52.依據(jù)權(quán)利要求49的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
53.依據(jù)權(quán)利要求49的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
54.制造發(fā)光設備的方法包括步驟形成包括在期間插入發(fā)光層的陽極和陰極的發(fā)光元件；和將第一電壓和第二電壓依次施加在發(fā)光設備的陽極和陰極之間，由此使得在其中反偏壓電流在陽極和陰極之間流動的部分成為絕緣或者高電阻，其中第一電壓是地電壓而第二電壓是反偏壓電壓。
55.依據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中第一電壓逐漸改變到第二電壓。
56.依據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中第一電壓和第二電壓是在發(fā)光元件的雪崩電壓的±15％以內(nèi)。
57.依據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中發(fā)光元件是電致發(fā)光元件。
58.依據(jù)權(quán)利要求54的方法，其中發(fā)光設備包括在從由攝像機、數(shù)碼相機、護目鏡式顯示器、頭戴式顯示器、導航系統(tǒng)、音頻復制設備、車載音響、組合音響、筆記本計算機、博弈機、便攜式信息終端、移動式計算機、移動式電話、便攜式博弈機、電子記事簿、圖像復制設備和數(shù)字化視頻光盤(DVD)播放器組成的一組中選出的電力設備中。
全文摘要
提供了修復發(fā)光設備的方法,它使得高質(zhì)量圖象顯示成為可能即使在EL層得形成期間形成了小孔。修復發(fā)光設備的方法特征為在給定時間間隔中將反偏壓電壓施加到EL元件上，因此減少當反偏壓電壓施加到EL元件上的時候流入EL元件的電流。
文檔編號H01L51/00GK1350417SQ0113939
公開日2002年5月22日 申請日期2001年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月10日
發(fā)明者山崎舜平, 荒井康行, 長田麻衣 申請人:株式會社半導體能源研究所