專利名稱：導(dǎo)電性氮化物膜及其制備方法和防反射體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電性氮化物膜及其制備方法和使用該導(dǎo)電性氮化物膜的防反射體。
背景技術(shù)：
氮化鈦膜具有導(dǎo)電性和適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)吸收作用，因此可用作陰極射線管(CRT)等的防靜電膜。氮化鈦膜還具有阻隔熱射線性能，因此可用于汽車的窗玻璃等作為防熱射線膜。
然而，用濺射法制作的氮化鈦膜其電阻率等物理性質(zhì)易隨腔室內(nèi)殘留氣體(主要是H2O)壓力改變，批量間特性容易有差異。
因此存在的問題是為了除去殘留氣體，必須延長真空排氣時(shí)間，這樣就不能提高生產(chǎn)率。
另外，氮化鈦膜因受熱而電阻易變化，耐熱性不夠。例如，為了防止CRT表面(觀察者一側(cè)表面)的反射，在CRT用屏面玻璃上形成使用氮化鈦膜的多層導(dǎo)電性防反射膜時(shí)，如果不采用特別的方法，在CRT制造工序中會承受450℃左右熱處理，則會產(chǎn)生導(dǎo)電性降低等問題。
關(guān)于防反射膜，美國專利5091244、美國專利540773等雖已提出方案，但它們主要是發(fā)現(xiàn)對于從膜面來的入射光的防反射性能，而對于從基體側(cè)(與膜面的相反側(cè))來的入射光的防反射性能并不充分。
本發(fā)明的目的在于提供耐熱性優(yōu)異的氮化物膜。本發(fā)明中，所謂“耐熱性優(yōu)異”即“因熱引起的電阻變化小”的意思。本發(fā)明的目的還在于提供能夠以高生產(chǎn)率制備耐熱性優(yōu)異的導(dǎo)電性氮化物膜的方法。
本發(fā)明的目的還在于提供對膜面?zhèn)葋淼娜肷涔夂突w側(cè)(與膜面的相反側(cè))來的入射光均呈現(xiàn)優(yōu)異的防反射性能的防反射體。
發(fā)明的內(nèi)容本發(fā)明提供含Ti和/或Zr及選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬的導(dǎo)電性氮化物膜及其制備方法。
附圖的簡單說明

圖1為TiNx膜、TiNx∶Pd5at％膜和TiNx∶Ni5at％膜的殘留氣壓與表面電阻的關(guān)系圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳方式下面將Ti和/或Zr簡稱為金屬A，選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬簡稱為金屬B。
本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜中金屬A最好為Ti。這時(shí)，形成以氮化鈦為主成分的膜。
本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜中金屬B例如可選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬。特別以選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬為佳。進(jìn)一步以選自Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬為佳。
本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜其(金屬B的總和)/(金屬A和金屬B的總和)最好為0.1-20at％(原子％)。不足0.1at％時(shí)，殘留氣壓影響大，超過20at％時(shí)，可見光透過率變低。特別以1～10at％為佳。
本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，導(dǎo)電性氮化物膜中也可含微量的氧。
本發(fā)明提供含Ti和/或Zr及選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬且Ni、Pd、Ag、Au和Pt總和相對Ti、Zr和Ni、Pd、Ag、Au和Pt總和的比例為0.1-20at％的導(dǎo)電性氮化物膜(以下稱作導(dǎo)電性氮化物膜C)。
本發(fā)明還涉及用含金屬A和金屬B的金屬靶在含氮?dú)夥罩杏脼R射法制備前述導(dǎo)電性氮化物膜的方法。
在制備以氮化鈦為主成分的導(dǎo)電性氮化物膜時(shí)，金屬靶中的金屬A以Ti為佳。
另外，本發(fā)明的金屬靶中，金屬B例如可選用Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag和Pt的一種以上金屬。特別以選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬為佳。進(jìn)一步以選自Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬為佳。
本發(fā)明的金屬靶，以金屬B的總和與金屬A和金屬B的總和之比即(金屬B的總和)/(金屬A和金屬B的總和)為0.1-20at％的金屬靶為佳。特別以1-10at％的金屬靶為佳。
本發(fā)明提供用含Ti和/或Zr及選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬且Ni、Pd、Ag、Au和Pt總和相對Ti、Zr和Ni、Pd、Ag、Au和Pt總和的比例為0.1-20at％的金屬靶在含氮?dú)夥罩杏脼R射法制備導(dǎo)電性氮化物膜的方法。
濺射法用高頻(RF)濺射法、直流(DC)濺射法均可。從生產(chǎn)率觀點(diǎn)來看，以DC濺射法為佳。作為濺射法的氣氛，以含氮?dú)獾臍夥?具體來說為氮?dú)夂蜌鍤獾幕旌蠚怏w氣氛)為佳。
圖1中，顯示三種膜的殘留氣壓和表面電阻的關(guān)系，這三種膜為1)氮化鈦(TiNx膜)；2)以氮化鈦為主成分、含有Pd(Ti以外僅含Pd)且Pd與Pd、Ti總和之比為5at％的氮化鈦膜(TiNx∶Pd5at％膜)；3)以氮化鈦為主成分、含有Ni(Ti以外僅含Ni)且Ni與Ni、Ti總和之比為5at％的氮化鈦膜(TiNx∶Ni5at％膜)。
TiNx膜是將Ti靶在Ar∶N2＝9∶1(體積比)的化合物氣體氣氛中用濺射法成膜。
TiNx∶Pd5at％膜是將Ti和Pd的合金靶(不含Ni，含有相對于Ti和Pd總和5at％的Pd)在Ar∶N2＝9∶1(體積比)的化合物氣體氣氛中用濺射法成膜。
TiNx∶Ni5at％膜是將Ti和Ni的合金靶(不含Pd，含有相對于Ti和Ni總和5at％的Ni)在Ar∶N2＝9∶1(體積比)的化合物氣體氣氛中用濺射法成膜。
從圖1可以看到，TiNx膜受殘留氣體的影響，其表面電阻變化大，而TiNx∶Pd5at％膜和TiNx∶Ni5at％膜不易受殘留氣體的影響。
本發(fā)明的氮化物膜(例如Ti的氮化物膜)雖以TiNx符號表示，但是，這意思是表示包含所得氮化物膜不符合化學(xué)計(jì)量組成的情況。例如，根據(jù)成膜條件氮化物膜有時(shí)成為X為1以下的具有還原傾向的膜，特別如本發(fā)明那樣在含有摻雜劑時(shí)更為顯著。
本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜的膜厚(幾何學(xué)膜厚)以3-2000nm為佳，根據(jù)所期望的表面電阻和光學(xué)特性來決定。不到3nm時(shí)，導(dǎo)電性和防熱射線性能不充分，超過2000nm時(shí)由于內(nèi)部應(yīng)力易引起膜剝離。特別以膜厚5-500nm為佳。
從導(dǎo)電性和透過率的角度出發(fā)，本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜的表面電阻以10-1000Ω/□為佳。
本發(fā)明中，為了調(diào)整反射率、透過率、吸收率等光學(xué)特性，也可層疊其它的氮化物膜、氧化物膜、金屬膜等。
另外，1)為了提高機(jī)械耐久性和化學(xué)耐久性，也可在本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜上形成氧化物和氮化物膜等；2)在對導(dǎo)電性氮化物膜產(chǎn)生不良影響的元素或離子可從形成本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜的基板上向?qū)щ娦缘锬U(kuò)散時(shí)，為了防止該元素或離子的擴(kuò)散，在導(dǎo)電性氮化物膜和基板之間形成氧化物膜(如氧化硅膜)或氮化物膜(如氮化硅膜)等；3)為了提高本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜和基板之間的粘附性，可在導(dǎo)電性氮化物膜和基板之間形成氧化物膜(如氧化硅膜)或氮化物膜(如氮化硅膜)等。
具體例子為從基板側(cè)將本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜和低折射率膜(如二氧化硅膜)依次層疊，可形成特別適用于陰極射線管玻屏表面的多層低反射導(dǎo)電膜。
本發(fā)明還提供在基體上具有一層以上前述導(dǎo)電性氮化物膜、一層以上低折射率膜的防反射體。
最簡單結(jié)構(gòu)的防反射體是在基體上依次形成導(dǎo)電性氮化物膜和低折射率膜所形成的防反射體(稱作雙層系防反射體)。
雙層系防反射體中導(dǎo)電性氮化物膜的幾何學(xué)膜厚以5-40nm(特別是5-30nm)為佳。低折射率膜以折射率在1.5以下(特別是1.35-1.5)的膜為佳，例如二氧化硅膜等。低折射率膜的幾何學(xué)膜厚以50-200nm(特別是65-120nm)為佳。
從電阻值穩(wěn)定性等角度出發(fā)，最好是在雙層系防反射體中導(dǎo)電性氮化物膜與低折射率膜之間形成以金屬(也含硅)為主成分的層或以金屬氮化物(也含硅的氮化物)為主成分的層。它們稱作隔離層，是不具有光學(xué)上的實(shí)質(zhì)性作用的層。特別好的隔離層是以硅為主成分的層(如硅層)或以硅的氮化物為主成分的層(如透明氮化硅層)。隔離層的幾何學(xué)膜厚以1-20nm為宜。
另外，最好還在雙層系防反射體的導(dǎo)電性氮化物膜與低折射率膜之間無隔離層，而形成以硅的氮化物為主成分的層(如透明氮化硅層)作為具有光學(xué)作用的第3層，這樣形成三層系防反射體。該第3層的膜厚以30-70nm為佳。
再有最好還在三層系防反射體中以硅的氮化物為主成分的層和低折射率膜之間形成本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜作為具有光學(xué)作用的第4層，這樣形成四層系防反射體。該第4層的膜厚以5-40nm(特別是5-30nm)為佳。
本發(fā)明的防反射體降低入射光從低折射率膜的反射。而且，因?yàn)橛袑?dǎo)電性，因此同時(shí)還具有電磁波屏蔽性。而且，該防反射體還有光吸收性。該防反射體因同時(shí)具有前述各種性能，因此適宜作為設(shè)置于觀察者一側(cè)的顯示器的顯示用材料。
防反射體中的導(dǎo)電性氮化物膜對于其透過率的控制、電磁波屏蔽性能、防反射性能均有很大作用，因此很重要的一點(diǎn)是，在防反射體熱處理前后要維持導(dǎo)電性氮化物膜的特性。從這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，導(dǎo)電性氮化物膜中的金屬B以選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬為佳。特別以選自Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬為佳。
對防反射體的熱處理以550℃以下為佳。本發(fā)明的防反射體用于陰極射線管的玻屏?xí)r(即在玻屏上依次層疊導(dǎo)電性氮化物膜、低折射率膜而成的防反射體)，在陰極射線管制造工藝中雖進(jìn)行300-550℃(大氣氛圍下)的熱處理，但通過該熱處理也不會損害防反射性能。
對來自本發(fā)明的防反射體膜一側(cè)的入射光的反射率(450-650nm波長范圍內(nèi)的平均反射率)以3％以下為佳。對來自基體側(cè)(與膜側(cè)的相反側(cè))的入射光的最大反射率(450-650nm波長范圍內(nèi)的最大反射率)以15％以下為佳。而且，550nm的膜透過率(不含基體)以30-65％為佳。
本發(fā)明提供在顯示器顯示用材料上形成前述導(dǎo)電性氮化物膜一層以上和低折射率膜一層以上構(gòu)成的具有防反射性能的顯示器顯示用材料，以及由具有該防反射性能的顯示器顯示用材料構(gòu)成的顯示器。
顯示器顯示用材料是構(gòu)成顯示器前面(觀察者一側(cè)的表面)的材料。顯示器顯示用材料的基體例如可采用玻璃基體、塑料基體、塑料膜等。例如，CRT用的屏面玻璃和CRT前面貼的防反射用塑料膜等。作為顯示器，例如有CRT、液晶顯示器、等離子體顯示器、EL(電致發(fā)光)顯示器等。
實(shí)施例實(shí)施例1在殘留氣壓為1.3×10-5乇(1.73×10-3Pa)(比以往的約5×10-6乇(6.65×10-4Pa)大、殘留氣體多)、Ar∶N2＝9∶1(體積比)的混合氣體(6mm乇(798mmPa))的氣氛中，在功率密度為2.2W/cm2的條件下，經(jīng)磁控管DC濺射法在玻璃基板上用含有Pd5at％(除Ti外僅含Pd)的Ti靶成膜。所得的氮化物膜為含有Pd5at％的氮化鈦膜(TiNx∶Pd5at％膜)，膜厚20nm。
測定所得氮化物膜的表面電阻(Rs)、5批成膜后批間電阻差異、耐熱試驗(yàn)(250℃、30分鐘)后電阻變化。結(jié)果見表1。
實(shí)施例2除了用含Ni5at％(除Ti外僅含Ni)的Ti靶代替實(shí)施例1中所用的靶之外，與實(shí)施例1同樣地成膜。所得的氮化物膜為含有Ni5at％的氮化鈦膜(TiNx∶Ni5at％膜)，膜厚20nm。進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測定。結(jié)果見表1。
實(shí)施例3除了用Ti靶代替實(shí)施例1中所用的靶之外，與實(shí)施例1同樣地成膜。所得的氮化物膜為氮化鈦膜(TiNx膜)，膜厚20nm。進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測定。結(jié)果見表1。
從表1可見，與TiNx膜相比，本發(fā)明的TiNx∶Pd5at％膜和TiNx∶Ni5at％膜的批間電阻差異和耐熱試驗(yàn)后電阻變化小得多，重復(fù)性、耐熱性也很好。
表1

實(shí)施例4除了膜厚10nm及在CRT用屏面玻璃表面(觀察者側(cè)表面)用含有Pd3at％(除Ti外僅含Pd)的Ti靶以外，與實(shí)施例1同樣地成膜，形成含有Pd3at％的氮化鈦膜(TiNx∶Pd3at％膜)。
然后，在背壓5.0×10-5乇(6.65×10-3Pa)、氧100％、功率密度3.9W/cm2的條件下，在前述氮化鈦膜上形成90nm二氧化硅膜，得到具有防反射性能的CRT用屏面玻璃。該屏面玻璃的表面電阻值為330Ω/□，具有電磁波屏蔽性能，而且作為防反射性能標(biāo)準(zhǔn)的視覺反射率為0.4％，可見光透過率為75％。
本實(shí)施例的氮化鈦膜的成膜中，反應(yīng)氣體引入時(shí)的殘留氣壓為3×10-5乇(3.99×10-3Pa)左右。
以往，在按反應(yīng)性濺射法將氮化鈦膜(膜厚10nm)成膜時(shí)，要使其具有呈現(xiàn)電磁波屏遮蔽性能的700Ω/□以下的表面電阻值情況下，必須將反應(yīng)氣體引入時(shí)的背壓形成5.0×10-6乇(6.65×10-4Pa)以下的高真空。這是因?yàn)槌赡ら_始時(shí)若殘留氧量多，所得氮化鈦膜中氧過量吸入，就不能得到低電阻的膜。因而，以往是在生產(chǎn)開始前要化2-3小時(shí)長時(shí)間抽真空。而本實(shí)施例中，即便反應(yīng)氣體引入時(shí)的背壓為3×10-5乇(3.99×10-3Pa)左右，也能得到700Ω/□以下的表面電阻值，抽真空的時(shí)間縮短至約30分鐘。
用如上所得的具有防反射性能的CRT用屏面玻璃構(gòu)成CRT。CRT制造工序中，經(jīng)過450℃左右溫度約1小時(shí)的熱處理后，該屏面玻璃的表面電阻值為350Ω/□，其電阻值變化在允許的范圍內(nèi)。
以上結(jié)果見表2。表2中的“熱處理前”為CRT制造工序中450℃左右溫度約1小時(shí)熱處理前的屏面玻璃的表面電阻值，表2中的“熱處理后”為熱處理后的屏面玻璃的表面電阻值，表2中的“變化率”為表面電阻值變化(熱處理后的電阻值/熱處理前的電阻值)。表面電阻值的單位為Ω/□。
實(shí)施例5實(shí)施例4的10nm氮化鈦膜(TiNx∶Pd3at％膜)改為如表2所示膜厚12nm的各種氮化物膜之外，與實(shí)施例4同樣地構(gòu)成CRT。所用的靶的組成與各膜的組成大致相同。
結(jié)果如表2所示。表2中的“(Ti、Zr)Nx∶Ni3at％膜”表示含有3at％Ni的Ti和Zr的氮化物膜。為了進(jìn)行比較，表中同時(shí)給出用Ti金屬靶形成TiNx膜的情況。
表2

實(shí)施例6將含Pd2at％的Ti靶(除Ti以往僅含Pd)、多晶硅靶和熱噴射硅靶分別置于陰極上后，將真空室內(nèi)排氣至2×10-5乇(2.66×10-3Pa)。然后，用磁控管DC濺射法在CRT用屏面玻璃表面(觀察者一側(cè)表面)依次形成含Pd2at％的氮化鈦膜(第1層，膜厚12nm)、透明氮化硅膜(第2層，膜厚40nm)、含Pd2at％的氮化鈦膜(第3層，膜厚8nm)和二氧化硅膜(第4層，膜厚85nm)。
第1層是用含Pd2at％的Ti靶向真空室中引入Ar∶N2＝80∶20(體積比)的混合氣體、在4×10-3乇(5.99×10-1Pa)壓力下成膜的。
在第1層成膜后，排氣，用多晶硅靶向真空室中引入Ar∶N2＝70∶30(體積比)的混合氣體、在4.5×10-3乇(5.32×10-1Pa)壓力下成膜為第2層。
第3層是在第2層成膜后排氣、與第1層同樣的條件下成膜的。
第3層成膜后排氣，用熱噴射硅靶向真空室中引入Ar∶N2＝70∶30(體積比)的混合氣體、在4×10-3乇(5.32×10-1Pa)壓力下成膜為第4層。
對所得的帶多層防反射膜的CRT用屏面玻璃作如下測定1)對來自膜面?zhèn)鹊娜肷涔獾姆瓷渎?波長500nm的反射率，以下稱作膜面反射率)；2)對來自膜面?zhèn)鹊娜肷涔獾钠骄瓷渎?450-650nm的波長范圍內(nèi)的平均反射率，以下稱作膜面平均反射率)；3)對來自膜面?zhèn)鹊娜肷涔獾淖畲蠓瓷渎?450-650nm的波長范圍內(nèi)的最大反射率，以下稱作膜面最大反射率)；4)對來自玻璃基體側(cè)(與膜面的相反側(cè))的入射光的反射率(波長500nm的反射率，以下稱作背面反射率)；5)對來自玻璃基體側(cè)入射光的平均反射率(450-650nm的波長范圍內(nèi)的平均反射率，以下稱作背面平均反射率)；6)對來自玻璃基體側(cè)入射光的最大反射率(450-650nm的波長范圍內(nèi)的最大反射率，以下稱作背面最大反射率)；7)膜透過率(550nm的透過率，不包括基體)；8)表面電阻值。與CRT制造工序的熱處理過程同樣的大氣氣氛下、450℃、1小時(shí)熱處理后，同樣測定1)-8)。結(jié)果見表3。
除了形成通常的氮化鈦膜(用Ti靶成膜)代替上述第1層和第3層的含Pd2at％氮化鈦膜(TiNx∶Pd2at％膜)外，與上述同樣地操作，獲得帶多層防反射膜的CRT用屏面玻璃，與上述相同，在熱處理前后測定前述1)-8)，結(jié)果作為“實(shí)施例6的比較”列于表3。
表3

實(shí)施例7除了形成表4所示各種膜代替實(shí)施例6中第1層和第3層的TiNx∶Pd2at％膜之外，與實(shí)施例6同樣地操作，在CRT用玻璃屏面上形成四層防反射膜。各種膜的成膜所用的靶的組成與成膜的各種氮化物膜的組成相同。
在大氣氣氛下、450℃、1小時(shí)熱處理前后，對所得的各種樣品分別測定膜面平均反射率(％)、背面最大反射率(％)、表面電阻值(Ω/□)。為了進(jìn)行比較，對用Zr靶成膜的ZrNx膜也進(jìn)行評價(jià)。
表4中，“(Ti、Zr)Nx∶Pd3at％膜”為相對Ti和Zr的總和含Zr18at％；“(Ti、Zr)Nx∶Ni5at％膜”為相對Ti和Zr的總和含Zr35at％；“(Ti、Zr)Nx∶Au3at％膜”為相對Ti和Zr的總和含Zr60at％。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性按照本發(fā)明的制備方法，即使在殘留氣體多的氣氛中成膜，電阻重復(fù)性也好，生產(chǎn)率也高。即，能夠縮短真空排氣時(shí)間，并可實(shí)現(xiàn)大幅度提高生產(chǎn)率。
本發(fā)明的導(dǎo)電性氮化物膜因耐熱性好，因此適用于防靜電膜、防隔熱射線膜、電磁屏蔽膜等。
本發(fā)明的防反射體的防反射性及導(dǎo)電性好，還具有光吸收性，因此適用于CRT用屏面玻璃。
權(quán)利要求
1.導(dǎo)電性氮化物膜，包含Ti和/或Zr及選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性氮化物膜，其中，相對于Ti、Zr、Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的總和，Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的總和的比例為0.1-20at％。
3.導(dǎo)電性氮化物膜，包含Ti和/或Zr及選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬且Ni、Pd、Ag、Au和Pt的總和相對Ti、Zr和Ni、Pd、Ag、Au和Pt總和的比例為0.1-20at％。
4.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電性氮化物膜的制備方法，其特征在于用包含Ti和/或Zr及選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬靶在含氮?dú)夥罩羞M(jìn)行濺射。
5.如權(quán)利要求4所述導(dǎo)電性氮化物膜的制備方法，其中使用的金屬靶包含Ti和/或Zr及選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬，且相對于Ti、Zr、Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的總和，Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的總和的比例為0.1-20at％。
6.權(quán)利要求3所述導(dǎo)電性氮化物膜的制備方法，其特征在于用包含Ti和/或Zr及選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬且Ni、Pd、Ag、Au和Pt的總和相對Ti、Zr和Ni、Pd、Ag、Au和Pt總和的比例為0.1-20at％的金屬靶在含氮?dú)夥罩羞M(jìn)行濺射。
7.防反射體，其特征在于在基體上具有一層以上權(quán)利要求1、2或3所述的導(dǎo)電性氮化物膜及一層以上低折射率膜。
8.在顯示器顯示用材料上形成一層以上權(quán)利要求1、2或3所述的導(dǎo)電性氮化物膜及一層以上低折射率膜、具有防反射性能的顯示器顯示用材料。
9.具有如權(quán)利要求8所述具有防反射性能的顯示器顯示用材料的顯示器。
全文摘要
含Ti和/或Zr及選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬、耐熱性好的導(dǎo)電性氮化物膜及其制備方法,以及用該導(dǎo)電性氮化物膜的防反射體。
文檔編號H01B1/06GK1340201SQ00803600
公開日2002年3月13日 申請日期2000年2月10日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月10日
發(fā)明者藤野正美, 佐藤一夫, 光井彰, 竹田諭司, 堀江則俊 申請人:旭硝子株式會社