專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、掩模及形成或設(shè)計(jì)它們的方法，更具體說，涉及在通路位置或其附近設(shè)置的工藝輔助結(jié)構(gòu)。
在半導(dǎo)體制造工藝中，利用各種工藝步驟和它們的順序可以得到非平面形貌結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。為了提供希望的器件功能，需要這些形貌結(jié)構(gòu)。然而，結(jié)構(gòu)引起的形貌偏差在半導(dǎo)體制造工藝中及最終半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的工作中存在一定的問題。
特別是在制造期間通路位置處會(huì)遇到這些問題。例如，印刷通路的曝光能量和過程必須適應(yīng)抗蝕劑的最大厚度，盡管抗蝕劑的厚度是變化的。由于較厚的抗蝕劑，隨高寬比增大，腐蝕速率降低，所以會(huì)發(fā)生滯后(lag)問題，因而這個(gè)問題會(huì)導(dǎo)致同一管芯上各部分的過腐蝕和鉆蝕。此處所使用的開口的高寬比是開口的深度與開口的寬度的比率。
另一問題包括在使用相移掩模時(shí)的“旁瓣(side lobing)”。在輻射通過相移掩模時(shí)，輻射中的二次峰值在將印刷于抗蝕劑的結(jié)構(gòu)邊緣附近發(fā)生?？刮g劑需要較高水平的輻射，以曝光抗蝕劑較厚區(qū)域的抗蝕劑。然而，如果輻射水平太高，二次峰值會(huì)超過曝光抗蝕圖形需要的能量水平。由于這些一般發(fā)生在圖形的邊緣附近，所以稱作“旁瓣”。如果較厚抗蝕劑需要的最小曝光量大于旁瓣發(fā)生前的最大曝光量，則這種工藝行不通。
上述問題在先溝槽后通路(TFVL)制造過程中特別明顯，上述過程是一種形成用于互連等的雙鑲嵌開口的工藝，這種工藝中在通路開口之前先形成溝槽。

圖1示出了抗蝕劑厚度偏差的例子。圖1中，半導(dǎo)體器件工件100的一部分包括絕緣層102，絕緣層102中先前已形成有窄溝槽103和寬溝槽105。由于半導(dǎo)體器件工件100包括例如單晶半導(dǎo)體晶片、絕緣體上半導(dǎo)體襯底、或任何其它適用于形成半導(dǎo)體器件的襯底等半導(dǎo)體器件襯底(未完全示出)，所以是常規(guī)半導(dǎo)體器件工件。正如所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所知道和理解的，半導(dǎo)體器件襯底可以包括不同的層和結(jié)構(gòu)，如果特殊情況需要的話，包括有源、無源、絕緣、導(dǎo)電或其它元件。
抗蝕層104形成于絕緣層102上和溝槽103和105中。由于溝槽的形狀和位置、抗蝕層104的粘度(在涂敷時(shí))及其它流體機(jī)械特性，抗蝕層104的最上表面不平，在寬溝槽105和窄溝槽103中具有不同厚度。對應(yīng)于通路位置構(gòu)圖抗蝕層104，這些位置是指將形成通路的位置。隨著溝槽寬度的增大，溝槽中抗蝕劑厚度減小。例如，窄溝槽103中的抗蝕劑104的厚度A大于寬溝槽105中的抗蝕劑104的厚度B。
在抗蝕層104內(nèi)形成開口106和108，對應(yīng)于通路位置。在形成開口106和108之前，與將形成抗蝕劑開口108處的抗蝕層104的厚度(例如約1.7微米)相比，將形成抗蝕劑開口106處的抗蝕層104的厚度更厚(例如約2.5微米)。按某些技術(shù)，在形成開口106時(shí)，曝光抗蝕層104需要的輻射能量大于使用相移掩模時(shí)將看到旁瓣之前的最大能量。
即便可以形成抗蝕劑開口106和108，也會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的腐蝕滯后。形成抗蝕劑開口106和108后，腐蝕絕緣層102，形成一般與底層導(dǎo)體(未示出)連接的通路開口。由于抗蝕劑開口108的高寬比小于抗蝕劑開口106的高寬比，所以抗蝕劑開口108下，絕緣層102的腐蝕更快。與抗蝕劑開口106相比，較低的高寬比會(huì)使腐蝕劑和腐蝕產(chǎn)物更容易進(jìn)入和留在抗蝕劑開口108。結(jié)果，對于絕緣層102來說，需要不同的時(shí)間量去除抗蝕劑開口106和108下的絕緣層。問題可能包括不能完全清除抗蝕劑開口106下的絕緣層102或者過腐蝕位于抗蝕劑開口108下的底層導(dǎo)體(未示出)。即便形成相當(dāng)窄的開口，并且可以通過這樣的開口清除絕緣層102，在清除絕緣層102時(shí)，相當(dāng)寬的開口也會(huì)變得太寬。
下面利用實(shí)例介紹本發(fā)明，本發(fā)明不限于各附圖，各附圖中類似的參考標(biāo)記表示類似的部件，其中圖1是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件襯底的剖面圖，所說半導(dǎo)體器件襯底具有帶有溝槽的ILD層和形成于ILD層上和溝槽中的抗蝕層；圖2-7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例形成的半導(dǎo)體器件的一部分的剖面圖；圖8是像圖2-7那樣形成的布線結(jié)構(gòu)的通路位置附近的工藝輔助結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的俯視圖；圖9-12是通路位置附近的工藝輔助結(jié)構(gòu)的替代實(shí)施例的俯視圖；圖13是沿布線結(jié)構(gòu)的幾個(gè)通路的一個(gè)位置處工藝輔助結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的示圖；圖14是某通路位置附近具有工藝輔助結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件襯底的俯視圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例測量大小和布設(shè)工藝輔助結(jié)構(gòu)的工藝流程圖；圖16是具有位于寬溝槽內(nèi)的通路的半導(dǎo)體器件襯底的放大俯視圖，其中不同的工藝輔助結(jié)構(gòu)根據(jù)圖15的工藝形成并設(shè)置通路附近；圖17是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例例示布局中工藝輔助結(jié)構(gòu)和多個(gè)布線結(jié)構(gòu)的俯視圖；及圖18和19是半導(dǎo)體器件襯底的剖面圖，示出了絕緣層流動(dòng)操作期間附加工藝輔助結(jié)構(gòu)的效果。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，各圖中的部件只是為了例示和清楚，未按比例畫。例如，各圖中的某些部件的尺寸可以相對于其它部件被放大，以便于更好地理解本發(fā)明的各實(shí)施例。
可以用半導(dǎo)體器件內(nèi)布線結(jié)構(gòu)的通路位置處或附近的至少一種工藝輔助結(jié)構(gòu)，改善處理或提高隨后處理期間的處理裕度。對于本發(fā)明的至少某些實(shí)施例來說，工藝輔助結(jié)構(gòu)有助于通路位置上的可流動(dòng)層更均勻。一般說，這會(huì)有助于通路開口的形成。當(dāng)在工藝輔助結(jié)構(gòu)之上形成抗蝕層時(shí)，器件內(nèi)大多通路位置上抗蝕層將具有更均勻厚度。當(dāng)在通路位置之上形成絕緣層時(shí)，器件內(nèi)大多通路位置上絕緣層將具有更均勻厚度?？刮g劑曝光或通路開口腐蝕期間的更好控制允許更大的處理裕度。這里所介紹的實(shí)施例示出了設(shè)置工藝輔助結(jié)構(gòu)的靈活性。本發(fā)明由權(quán)利要求書限定，閱讀了以下說明后，可以更好地理解本發(fā)明。
除非另有說明，這里所用術(shù)語“致密”和“密度”是指半導(dǎo)體器件或工件特定區(qū)域的結(jié)構(gòu)(例如布線結(jié)構(gòu)、栓塞、柵極、和其它有源和無源元件)密度。例如，與器件的較低密度區(qū)(例如周圍沒有布線結(jié)構(gòu)或通路的溝槽)相比，半導(dǎo)體器件的較高密度區(qū)具有被位于特殊區(qū)域的結(jié)構(gòu)(例如布線結(jié)構(gòu)、通路等)占據(jù)的更大面積。
如圖2-7所示形成雙鑲嵌布線結(jié)構(gòu)。在該特定實(shí)施例中，將用溝槽在先、通路在后的雙鑲嵌工藝形成布線結(jié)構(gòu)。關(guān)于本說明書中所用的作為導(dǎo)體的布線結(jié)構(gòu)包括互連部分和通路部分?；ミB部分在半導(dǎo)體器件內(nèi)橫向傳輸電位或信號，通路部分在半導(dǎo)體器件內(nèi)縱向轉(zhuǎn)輸電位或信號。這里所用的通路位置是布線結(jié)構(gòu)的通路部分所在或隨后將形成通路部分的位置的俯視位置。因此，在指襯底的俯視圖時(shí)，通路位置和通路部分可以互換。
圖2是半導(dǎo)體器件工件220的一部分的示圖，半導(dǎo)體器件工件220可以包括單晶半導(dǎo)體襯底、絕緣體上半導(dǎo)體襯底、或用于形成半導(dǎo)體器件的任何其它襯底。在工件220的一部分內(nèi)或由該部分形成場隔離區(qū)222和摻雜區(qū)230。摻雜區(qū)是源、漏或源/漏區(qū)(電流運(yùn)載電極)。柵介質(zhì)層224和柵極(控制電極)226疊于摻雜區(qū)230的某些部分上和位于兩摻雜區(qū)230之間的工件220的一部分上。沿柵介質(zhì)層224和柵極226的側(cè)面形成側(cè)壁間隔層228。
在工件220和所示出的晶體管的柵結(jié)構(gòu)上形成第一層間介質(zhì)(ILD)層232。構(gòu)圖第一ILD層，形成包括導(dǎo)電栓塞236的開口234。形成并構(gòu)圖第二絕緣層240，使之包括互連溝槽242。在絕緣層240上和溝槽242中淀積導(dǎo)電層。進(jìn)行例如化學(xué)機(jī)械拋光等平面化工藝，去掉位于溝槽242外的導(dǎo)電層部分，形成圖2所示的互連244和246?；ミB244和246構(gòu)成與半導(dǎo)體器件的其它部分(未示出)的電連接。在互連244和246上形成腐蝕停止或帽蓋層248。并在腐蝕停止層248上形成第二ILD層202。
第一ILD層232、絕緣層240和第二ILD層202一般至少包括氧化物、氮化物、氮氧化物或介質(zhì)常數(shù)低于約3.8的低k材料中的一種。腐蝕停止層或帽蓋層248一般包括與第二ILD層202不同的材料，以便在通過第二ILD層202腐蝕時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)工藝的終點(diǎn)檢測或銅擴(kuò)散阻擋。導(dǎo)電栓塞236和互連244和246主要包括摻雜的硅、鎢、鋁、銅等。這里所用“主要”是指至少一半。因此，至少一半導(dǎo)電栓塞236和互連244和246由上列材料之一構(gòu)成。一般說，導(dǎo)電栓塞236和互連244和246包括粘附或阻擋膜。層248可以是帽蓋層，以降低互連244和246內(nèi)的銅遷移到工件220的幾率。至此形成半導(dǎo)體器件的工藝都是常規(guī)工藝。
按常規(guī)方式構(gòu)成第二ILD層202，該層包括圖3所示的溝槽203和205。溝槽203和205對應(yīng)于將形成布線結(jié)構(gòu)的互連部分的區(qū)域。溝槽203和205的長度延伸到圖3內(nèi)或外。溝槽203具有與溝槽203和205相同層次上形成的所有溝槽的最小寬度，而溝槽205具有最大寬度。在非限制性例子中，溝槽203的寬度為約0.8微米，溝槽205的寬度至少為5.0微米。顯然，溝槽203和205的寬度可以更寬或更窄。例如，溝槽203可以比約0.3微米更窄，溝槽205的寬度可以比約11.0微米更寬。
溝槽203和205類似于參考圖1討論的溝槽103和105。然而，與現(xiàn)有技術(shù)不同，在布局中加入了工藝輔助結(jié)構(gòu)210。工藝輔助結(jié)構(gòu)210的存在不會(huì)嚴(yán)重影響形成溝槽203和205的處理(印刷和腐蝕工藝)。該特定實(shí)施例中，工藝輔助結(jié)構(gòu)210包括在溝槽203端部附近的溝槽，它橫向沿其三側(cè)包括溝槽203。關(guān)于工藝輔助結(jié)構(gòu)的形狀和尺寸等細(xì)節(jié)以后將討論。
如圖4所示，在絕緣層202的上部及溝槽203和205內(nèi)和工藝輔助結(jié)構(gòu)210內(nèi)，形成一般作為可流動(dòng)膜涂敷的可選粘附層(未具體示出)和光致抗蝕層204。工藝輔助結(jié)構(gòu)210有助于減小溝槽203內(nèi)和其附近的抗蝕層204的厚度，其一端對應(yīng)于通路位置84。如果不存在工藝輔助結(jié)構(gòu)210的話，平頂線212表示抗蝕層204，就像圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的情況一樣。
利用包括如石英等透明基片52的掩模50，構(gòu)圖抗蝕層204，如圖5所示，在一個(gè)實(shí)施例中，單元54是硅化鉬。單元54是允許約5-10％輻射強(qiáng)度到達(dá)抗蝕層204的衰減器。掩模具有相移區(qū)56，該區(qū)對應(yīng)于其下由于至少一些輻射穿過單元54而產(chǎn)生至少一些破壞性界面的位置。輻射58用于選擇性曝光抗蝕層204。典型條件下，不會(huì)有充分的輻射穿過單元54和相移區(qū)56附近。在離開相移區(qū)56的其它區(qū)域中，輻射59穿過，并曝光底下的抗蝕層204內(nèi)的區(qū)域51。被曝光的區(qū)域51對應(yīng)于通路位置，隨后布線結(jié)構(gòu)的通路部分將形成于其下。該實(shí)施例中，采用正型抗蝕劑。在另一實(shí)施例中，采用負(fù)型抗蝕劑，掩模50需要具有為負(fù)型抗蝕劑調(diào)整的圖形。采用正型和負(fù)型抗蝕劑的原理及為此的掩模調(diào)整都是所屬領(lǐng)域的公知技術(shù)。
由于在溝槽203和205內(nèi)抗蝕層204具有更均勻的厚度，所以曝光溝槽203和205內(nèi)的抗蝕層204需要的輻射量幾乎相同。由于曝光溝槽203內(nèi)的抗蝕層204需要的最小輻射比圖1中溝槽103的低，所以更均勻的厚度提高了處理裕度。會(huì)發(fā)生在使用相移掩模時(shí)采用較高輻射水平條件下的旁瓣的幾率顯著降低。曝光后顯影抗蝕層204，去掉抗蝕層204的曝光部分51?？刮g層204的更均勻厚度使得工件上抗蝕劑開口的高寬比更一致。因此，與圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)相比，顯著減輕了腐蝕滯后和其它與腐蝕有關(guān)的問題的嚴(yán)重性。另外，減小了開口尺寸的偏差。
然后，腐蝕第二ILD層202和層248，限定開口62，如圖6所示。互聯(lián)244和246的某些部分沿開口62的底部被暴露出來。虛線示出了溝槽203和205底部水平面，對應(yīng)于互連和隨后形成的布線結(jié)構(gòu)的通路部分的邊界。然后，去掉抗蝕層204。
在絕緣層202上形成至少一層導(dǎo)電膜，完全填充開口62、溝槽203和205、工藝輔助結(jié)構(gòu)210。進(jìn)行例如化學(xué)機(jī)械拋光等平面化工藝，去掉位于開口62、溝槽203和205及工藝輔助結(jié)構(gòu)210外的導(dǎo)電膜部分，如圖7所示。在工藝輔助結(jié)構(gòu)(溝槽)210內(nèi)形成電浮置導(dǎo)體70。在溝槽203和205及開口62內(nèi)形成布線結(jié)構(gòu)75和77。布線結(jié)構(gòu)75和77的每一個(gè)都是雙鑲嵌導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括互連部分72和通路部分74。布線結(jié)構(gòu)75和77中的虛線表示互連部分72和通路部分74的分界線。在絕緣層202和布線結(jié)構(gòu)75和77上形成鈍化層79，于是形成基本上完成的半導(dǎo)體器件。
盡管未示出，但形成了其它電子元件，并構(gòu)成了與它們的電連接，例如柵極226和其它摻雜區(qū)230。實(shí)際上，可以添加其它ILD層和布線結(jié)構(gòu)級。這些ILD層和布線結(jié)構(gòu)級都利用與第二ILD層202和布線結(jié)構(gòu)75和77類似的工藝形成。
圖8是布線結(jié)構(gòu)75和電浮置導(dǎo)體70的俯視圖，電浮置導(dǎo)體70是套環(huán)形結(jié)構(gòu)，沿其三個(gè)側(cè)面橫向包圍通路部分74(由布線結(jié)構(gòu)75內(nèi)的隔出的“X”表示)?；ミB部分72形成于互連溝槽203內(nèi)，通路部分74形成于先前介紹的開口62內(nèi)。從上部看時(shí)，互連部分72具有一定厚度(延伸到圖8的紙面里面)和最小寬度86。其厚度對應(yīng)于溝槽203的深度。在一個(gè)特定實(shí)施例中，其厚度約為0.6微米，最小寬度86約為0.8微米。顯然，也可以是其它厚度和最小寬度。
套環(huán)形結(jié)構(gòu)70的外部長度和寬度可以為使其外緣離開通路部分74一定距離，其中所說距離不大于約100微米或該套環(huán)形結(jié)構(gòu)附近的互連部分72的厚度或最小寬度的約150倍。所說距離可以是其它尺寸，包括約50、20或9微米，或者是該套環(huán)形部分附近的互連部分72的厚度或最小寬度86的約50倍、30倍或15倍。套環(huán)形結(jié)構(gòu)70的外部橫向尺寸一般不小于約3微米。
與通路部分74相鄰的套環(huán)形結(jié)構(gòu)70的內(nèi)部尺寸為使套環(huán)形結(jié)構(gòu)70與布線結(jié)構(gòu)75隔開不大于約10微米或該套環(huán)形結(jié)構(gòu)70附近的互連部分72的厚度或最小寬度的約15倍。與外部尺寸類似，內(nèi)部尺寸也可以采用其它值，包括約5或2微米，或者，為套環(huán)形結(jié)構(gòu)70附近的互連部分72的厚度或最小寬度86的約9倍、4倍、2倍或1.5倍。
在該特定實(shí)施例中，套環(huán)形結(jié)構(gòu)70是單工藝輔助結(jié)構(gòu)的例子。俯看時(shí)，套環(huán)形結(jié)構(gòu)70的至少一側(cè)具有側(cè)邊尺寸。一般說至少為約3微米，但不大于約100微米。與工藝輔助結(jié)構(gòu)的其它方面類似，也可以采用其它尺寸。例如，在其它設(shè)計(jì)中，側(cè)邊尺寸可以為約6-30微米，在一特定實(shí)施例中，側(cè)邊尺寸為20微米。
現(xiàn)在注意一下抗蝕層204(圖4)相對于圖8所示套環(huán)形結(jié)構(gòu)70的位置的厚度。為了幫助理解圖4和8的相互關(guān)系，套環(huán)形結(jié)構(gòu)70對應(yīng)于溝槽210，互連部分72對應(yīng)于溝槽203?？刮g層204在位于通路位置處的溝槽203之外和與之直接相鄰的位置84處具有第一厚度，在位置82處具有第二厚度。位置82在溝槽203外并與之相鄰，離開最近的通路位置(包括對應(yīng)于通路部分74)或另一互連至少約50微米。第一厚度一般不大于第二厚度的約95％，常常不大于第二厚度的約92％。在再一實(shí)施例中，第一厚度可以為不大于第二厚度的約89％甚至85％。兩測量點(diǎn)間的距離可以更大(例如約90微米)。
關(guān)于第二厚度，在離最近通路位置或另一互連的距離增大到大于約50微米例如約90微米時(shí)，第一和第二厚度差不會(huì)明顯改變。對于被隔離通路(離其它通路和互連約50微米的幾個(gè)通路)來說最需要工藝輔助結(jié)構(gòu)，用于總線或電源布線來的多個(gè)通路幾乎不需要工藝輔助結(jié)構(gòu)。
可以采用替代實(shí)施例，參見圖9，與先前介紹的布線結(jié)構(gòu)75類似，布線結(jié)構(gòu)700包括互連部分702和通路部分704。采用弧形工藝輔助結(jié)構(gòu)706代替圖8所示的直線型工藝輔助結(jié)構(gòu)210?；⌒喂に囕o助結(jié)構(gòu)706的中心點(diǎn)位于通路部分704內(nèi)(從上面看時(shí))，該工藝輔助結(jié)構(gòu)沿三側(cè)橫向包圍通路部分704。即便不是全部，多數(shù)情況下，就工藝輔助結(jié)構(gòu)210介紹的尺寸同樣適用于工藝輔助結(jié)構(gòu)706。
參見圖10，工藝輔助結(jié)構(gòu)806是套環(huán)形結(jié)構(gòu)，是布線結(jié)構(gòu)800附近的相鄰布線結(jié)構(gòu)808的延伸。布線結(jié)構(gòu)800包括互連部分802和通路部分804。套環(huán)形結(jié)構(gòu)806包圍通路部分804的三面。相鄰布線結(jié)構(gòu)808例如接地、處于另一電源電位或與有源電路電連接。圖10所示的虛線示出了工藝輔助結(jié)構(gòu)806的邊界。實(shí)際上，工藝輔助結(jié)構(gòu)806包括布線結(jié)構(gòu)808的互連部分的橫向延伸。對于工藝輔助結(jié)構(gòu)806來說，不存在接觸或其它導(dǎo)電或有意的電用途。套環(huán)形結(jié)構(gòu)806的尺寸基本上與其它實(shí)施例的工藝輔助結(jié)構(gòu)相同，除套環(huán)形結(jié)構(gòu)806的至少一個(gè)外緣尺寸可以變?yōu)閷⑿纬蔀橄噜彶季€結(jié)構(gòu)808的延伸的套環(huán)形結(jié)構(gòu)需要的范圍。
參見圖11，工藝輔助結(jié)構(gòu)506是設(shè)置于布線結(jié)構(gòu)500的通路部分504附近的布線結(jié)構(gòu)500的兩相對側(cè)的每一側(cè)上的成對結(jié)構(gòu)。通路部分504位于互連部分502的中間位置，而不是前面圖中介紹的末端。成對結(jié)構(gòu)506位于布線結(jié)構(gòu)500的每一側(cè)上，具有與前述實(shí)施例類似的尺寸(外部尺寸和與通路部分504的間隔)?；蛘撸蓪Y(jié)構(gòu)506可以是布線結(jié)構(gòu)500的延伸(與以下結(jié)合圖12介紹的類似)或相鄰布線結(jié)構(gòu)(未示出)的一部分作為延伸。如果另一布線結(jié)構(gòu)(未示出)位于布線結(jié)構(gòu)500一側(cè)的附近，則不需要沿該側(cè)的結(jié)構(gòu)506，或可以沿另一布線結(jié)構(gòu)設(shè)置結(jié)構(gòu)506，以便各項(xiàng)的順序是第一工藝輔助結(jié)構(gòu)506、布線結(jié)構(gòu)500、另一布線結(jié)構(gòu)和第二工藝輔助結(jié)構(gòu)506。
參見圖12，替代的工藝輔助結(jié)構(gòu)400是放大的焊盤結(jié)構(gòu)406的部分。放大的焊盤結(jié)構(gòu)406是在通路位置404處布線結(jié)構(gòu)400的延伸。布線結(jié)構(gòu)400具有互連部分402和通路部分404。放大的焊盤結(jié)構(gòu)406具有從通路位置410延伸出的外部尺寸。該外部尺寸可以與結(jié)合圖8所介紹的相同。除不與布線結(jié)構(gòu)400隔開外，放大的焊盤406與圖8中的套環(huán)形結(jié)構(gòu)70類似。虛線408對應(yīng)于延伸到通路位置410的互連部分402的形狀。放大的焊盤結(jié)構(gòu)406由與布線結(jié)構(gòu)400相同的材料構(gòu)成，例如主要是鋁、銅或其它金屬或其它導(dǎo)電材料。放大的焊盤結(jié)構(gòu)406位于與互連部分402相同的層內(nèi)，處于與互連部分402相同的半導(dǎo)體器件級。
參見圖13，布線結(jié)構(gòu)612與另一布線結(jié)構(gòu)614隔開距離616。該距離一般至少為約10微米。在另一實(shí)施例中，該距離可以是約20、30、50、100微米或更大。
布線結(jié)構(gòu)612包括互連部分606和通路部分605。從圖13的俯視圖可以看出，通路部分605具有橫向?qū)挾群蜋M向長度，占據(jù)橫向面積。該實(shí)施例中，橫向?qū)挾仁峭凡糠?05的橫向?qū)挾群烷L度中的最小橫向尺寸。橫向長度除以橫向?qū)挾戎辽贋?，橫向面積的值至少約最小橫尺寸值的5倍。在一特定實(shí)施例中，橫向?qū)挾燃s為0.8微米，橫向長度為4.0微米。該實(shí)施例中，工藝輔助結(jié)構(gòu)不需要設(shè)置于通路605附近，因此在通路部分605的約10微米范圍內(nèi)，沒有工藝輔助結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例中，工藝輔助結(jié)構(gòu)可以離最近的工藝輔助結(jié)構(gòu)20、30、50或100微米或更遠(yuǎn)。
布線結(jié)構(gòu)614包括互連部分602和通路部分603。每個(gè)通路部分具有橫向?qū)挾群蜋M向長度，占據(jù)橫向面積。該實(shí)施例中，橫向?qū)挾群蜋M向長度大致相同(例如為0.6微米)，因此，每個(gè)都是通路部分603的最小橫向尺寸的例子。對于每個(gè)通路部分603來說，橫向長度除以橫向?qū)挾炔淮笥诩s5，橫向面積的值不大于橫向尺寸的最小值的約10倍。關(guān)于這些尺寸，在通路位置附近至少可以采用一個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)。作為布線結(jié)構(gòu)614的一部分的工藝輔助結(jié)構(gòu)608位于它們的最近通路部分603的10微米范圍內(nèi)。顯然，在其它實(shí)施例中，工藝輔助結(jié)構(gòu)和該通路部分間的距離可以是相對于結(jié)合圖8例舉的套環(huán)形工藝輔助結(jié)構(gòu)70和互連部分74間的間隔尺寸確定的距離。在圖13中，布線結(jié)構(gòu)614中的虛線表示工藝輔助結(jié)構(gòu)608和互連部分602間的邊界。工藝輔助結(jié)構(gòu)608可以具有較不平常的形狀，但仍可以實(shí)現(xiàn)它們的用途。另外，與工藝輔助結(jié)構(gòu)806類似，工藝輔助結(jié)構(gòu)608并不想用于電用途，在特定實(shí)施例中，它們的存在為的是減小將形成通路部分603的通路位置附近的抗蝕劑厚度。
對于圖14所示布局，工藝輔助結(jié)構(gòu)的用途甚至更明顯。半導(dǎo)體器件襯底900包括布線結(jié)構(gòu)908和910。布線結(jié)構(gòu)910至少包括一個(gè)寬布線結(jié)構(gòu)、許多相互靠近隔開的窄布線結(jié)構(gòu)或它們的組合。布線結(jié)構(gòu)910的互連寬度至少為同一級形成的所有其它布線的最小互連寬度的約4倍。盡管未示出，但布線結(jié)構(gòu)910包括許多通路部分。在觀察由位于布線結(jié)構(gòu)的通路部分的任何一個(gè)的約20微米范圍內(nèi)的所有點(diǎn)界定的區(qū)域時(shí)，如果結(jié)構(gòu)密度(在互連部分級)至少約為10％，則不需要工藝輔助結(jié)構(gòu)。由于每種結(jié)構(gòu)密度和布線結(jié)構(gòu)910的互連寬度的緣故，工藝輔助結(jié)構(gòu)一般不用于布線結(jié)構(gòu)910的通路部分。如果要使用，則它們可以位于布線結(jié)構(gòu)910外拐角附近，盡管圖14中未示出。
被隔離的布線結(jié)構(gòu)908包括互連部分902和通路部分904。利用對于布線結(jié)構(gòu)910的結(jié)構(gòu)密度檢測的相同尺寸的區(qū)域，在沒有工藝輔助結(jié)構(gòu)的條件下，在互連級被隔離布線結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)密度不大于約50％。布線結(jié)構(gòu)908的互連寬度不大于同一級形成的所有其它布線的最小互連寬度的約20倍。由于互連寬度和結(jié)構(gòu)密度的緣故，工藝輔助結(jié)構(gòu)906加到通路部分904附近互連部分級的布局中，每個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)906都具有與前面所討論的同樣尺寸。注意，工藝輔助結(jié)構(gòu)906只加到通路位置附近，而不沿著互連部分902的整個(gè)長度。尺管未標(biāo)出，但另一垂直的實(shí)線表示與布線結(jié)構(gòu)908一樣具有互連部分、通路部分和工藝輔助結(jié)構(gòu)的其它被隔離布線結(jié)構(gòu)。
當(dāng)抗蝕劑在通路部分904附近襯底900的溝槽內(nèi)在襯底900上流動(dòng)時(shí)，襯底900的被隔離區(qū)域中的工藝輔助結(jié)構(gòu)906影響抗蝕劑的厚度(未具體示出)。應(yīng)理解，為了介紹制造過程的目的，術(shù)語“流動(dòng)”包括在襯底900上設(shè)置材料的所有步驟，包括但不限于涂敷、回流、旋涂等等。另外，盡管這里的介紹主要涉及抗蝕劑厚度和抗蝕流動(dòng)，但采用影響厚度的工藝輔助結(jié)構(gòu)的相同思想可應(yīng)用于其它方面，例如為提高層間介質(zhì)(ILD)和其它材料的厚度均勻性。
圖15是在選擇的通路位置測量大小的工藝流程。如上述相對圖14所討論的，由于許多通路位置是總線或高濃度的窄布線結(jié)構(gòu)的一部分，所以不需要進(jìn)行加工。至少一半通路位置不需要任何工藝輔助結(jié)構(gòu)。在許多實(shí)施例中，大約所有通路位置中的90-95％不需要工藝輔助結(jié)構(gòu)。因此，圖15所示方法一般只用于多數(shù)被隔離通路位置(所有通路位置中的5-10％)。
參見圖15，采用方法1000，在布線結(jié)構(gòu)的相對被隔離通路位置處或附近，設(shè)置、間隔和尺寸加工輔助結(jié)構(gòu)。根據(jù)用途工藝輔助結(jié)構(gòu)可形成為先前所介紹形狀或其它形狀。另外，工藝輔助結(jié)構(gòu)可以包括花磚或花磚與其它工藝輔助結(jié)構(gòu)的組合。在該實(shí)施例中，可以采用花磚和其它形狀的工藝輔助結(jié)構(gòu)。方法1000從需保證有或希望有一個(gè)或多個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)的每個(gè)通路位置的識(shí)別開始。對每個(gè)通路位置都要進(jìn)行方法1000。例如在形成用于掩蔽級的數(shù)據(jù)庫時(shí)，進(jìn)行方法1000，所說掩蔽級允許形成一個(gè)或多個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)。
按方法1000，框1002包括測量所選通路位置處通路部分的尺寸，以導(dǎo)出通路位置處或其附近一個(gè)或多個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)的最大橫向尺寸。測量框1002可以根據(jù)上述工藝輔助結(jié)構(gòu)的外部尺寸測量通路部分的大小，例如不小于約3微米，不大于約100微米或與該通路部分有關(guān)的互連部分的厚度或最小寬度的約150倍。
在框1004，根據(jù)前述工藝輔助結(jié)構(gòu)的內(nèi)部尺寸測量與該通路部分有關(guān)的互連部分的大小，例如以便所測互連部分尺寸與工藝輔助結(jié)構(gòu)的內(nèi)部尺寸匹配，等同于每側(cè)上導(dǎo)體的尺寸延伸不大于約10微米，或不大于該通路部分附近互連部分的厚度或最小寬度的約4倍或該通路位置的最小橫向尺寸的4倍。然后，框1004的特定測量將取決于工藝輔助結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)則、容差和希望的效果。如果需要，必須保證框1004可以提供工藝輔助結(jié)構(gòu)的需要。一般說，框1004的測量達(dá)到了遠(yuǎn)小于框1002的程度。
在框1006，減去框1004的所測量互連部分，從而在所測互連部分區(qū)域中不設(shè)置結(jié)構(gòu)。該操作對應(yīng)于在工藝輔助結(jié)構(gòu)和互連部分之間形成空間。如果工藝輔助結(jié)構(gòu)不與互連部分隔開(例如圖12的布線結(jié)構(gòu)400)，則框1004和1006是任意的。
然后，在框1008估計(jì)花磚區(qū)。如上所述，例如花磚等虛擬結(jié)構(gòu)作為工藝輔助結(jié)構(gòu)。與上述其它工藝輔助結(jié)構(gòu)類似，各花磚將形成在同一級，并采用與布線結(jié)構(gòu)的互連部分相同的材料。因此，花磚區(qū)經(jīng)常是器件的希望結(jié)構(gòu)，將包括在例如可以是與形成工藝輔助結(jié)構(gòu)有關(guān)的相同數(shù)據(jù)庫和級的數(shù)據(jù)庫和希望掩蔽級中。與現(xiàn)有技術(shù)的貼磚設(shè)計(jì)不同，只在需要的地方貼磚，一般說，是在被隔離通路附近。因此，只選擇性貼磚。用于花磚區(qū)的測量框1008受設(shè)計(jì)規(guī)則和半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的規(guī)格制約，都是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的和可以理解的。
然后在框1010，從框1008的所測花磚區(qū)中減去來自框1004的第二所測互連部分。在下一框1012中，從框1008的所測花磚區(qū)中減去作為工藝輔助結(jié)構(gòu)的尺寸的框1002的所測通路部分。
最后，在框1014，匯集工藝輔助結(jié)構(gòu)的特定結(jié)果、互連部分和包括在花磚區(qū)中的工藝輔助結(jié)構(gòu)與在OR邏輯框1014相同掩蔽級掩蔽層結(jié)構(gòu)得到的所有結(jié)果。對于在器件的被隔離和某些被半隔離區(qū)域中的所有通路位置，重復(fù)包括邏輯框1014的方法1000，得到掩蔽級的數(shù)據(jù)庫。
參見圖16，根據(jù)由方法1000得到的數(shù)據(jù)庫和掩蔽級，例示工藝輔助結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)包括在半導(dǎo)體器件襯底1100內(nèi)。工藝輔助結(jié)構(gòu)包括工藝輔助結(jié)構(gòu)1106和花磚1108。被隔離通路部分1104和互連部分1102是布線結(jié)構(gòu)1105的一部分。根據(jù)這里所介紹的尺寸的位置依據(jù)，通路部分1104被套環(huán)形工藝輔助結(jié)構(gòu)1106橫向包圍?；ùu1108位于與工藝輔助結(jié)構(gòu)1106相鄰的花磚區(qū)內(nèi)。該例中，互連部分1102不同于工藝輔助結(jié)構(gòu)1106，并與之隔開，工藝輔助結(jié)構(gòu)1106不同于花磚區(qū)中的花磚1108并與之隔開。盡管圖16中未示出(由于圖示比例的緣故)，但工藝輔助結(jié)構(gòu)1106與布線結(jié)構(gòu)1105是隔開的。用于形成具有這些區(qū)別的這些結(jié)構(gòu)的掩蔽級的數(shù)據(jù)庫按照方法1000建立(圖15所示)。
圖16的右側(cè)上，工藝輔助結(jié)構(gòu)1106的花磚區(qū)包括比工藝輔助結(jié)構(gòu)1106其它側(cè)上少的花磚1108。這是由于與花磚區(qū)的過大面積重疊的工藝輔助結(jié)構(gòu)1104附近的導(dǎo)體1110的緣故。按照方法1000的邏輯框1014，重疊的所測結(jié)構(gòu)根據(jù)掩蔽級的設(shè)計(jì)規(guī)則和希望的結(jié)果通過OR操作集成。對于掩蔽級的數(shù)據(jù)庫來說，包括OR操作的結(jié)果。
如圖16所示，包括結(jié)構(gòu)1106和花磚1108的工藝輔助結(jié)構(gòu)的設(shè)置是靈活的。這些結(jié)構(gòu)不需要繞通路位置對稱設(shè)置。另外，其它布線結(jié)構(gòu)可以平分相鄰布線結(jié)構(gòu)的貼磚圖形。注意，工藝輔助結(jié)構(gòu)一般設(shè)置在通路位置附近，但不需要沿著整個(gè)布線結(jié)構(gòu)。信號線(未示出)可以靠近圖16的上部位于布線結(jié)構(gòu)1105之下或之上。由于在這些位置沒有工藝輔助結(jié)構(gòu)，所以與沿布線結(jié)構(gòu)的整個(gè)長度具有工藝輔助結(jié)構(gòu)的器件相比，只有很小的電容耦合到信號線。耦合到信號線的很小電容一般會(huì)使器件操作速度更快。
參見圖17，該圖示出了相對于半導(dǎo)體器件襯底1200的其它結(jié)構(gòu)的另一例示的工藝輔助結(jié)構(gòu)1206。該例子中，多個(gè)布線結(jié)構(gòu)1205包括互連部分1202，并終止于多個(gè)通路部分1204內(nèi)。由于布線結(jié)構(gòu)1205的非常鄰近，所以只鄰近不與其它布線結(jié)構(gòu)或其它結(jié)構(gòu)(未示出)相鄰的通路部分1204附近的布線結(jié)構(gòu)1205的側(cè)面，設(shè)置單個(gè)單元工藝輔助結(jié)構(gòu)1206?；ùu區(qū)內(nèi)的多個(gè)花磚1208鄰近工藝輔助結(jié)構(gòu)1206和布線結(jié)構(gòu)1205設(shè)置。
圖17的例子示出了襯底1200上多個(gè)結(jié)構(gòu)的集成和可能布局設(shè)計(jì)。具體說，方法1000(圖10中示出)允許用于形成多個(gè)結(jié)構(gòu)的掩蔽層的數(shù)據(jù)庫的集成和建立。當(dāng)然，帶有例如包括工藝輔助結(jié)構(gòu)、導(dǎo)體、通路、花磚和其它結(jié)構(gòu)的大量可能結(jié)構(gòu)的許多其它布局，可以沿用方法1000和這里所介紹的實(shí)施情況。
在再一實(shí)施例中，其它被隔離結(jié)構(gòu)附近的工藝輔助結(jié)構(gòu)可以允許更高的處理裕度。該實(shí)施例中，通過進(jìn)行流動(dòng)工藝，至少局部形成絕緣層，同時(shí)先前形成的導(dǎo)體位于絕緣層下。圖18包括半導(dǎo)體器件襯底190，場隔離區(qū)192位于半導(dǎo)體器件襯底190上。同時(shí)用與也是導(dǎo)體的字線相同的材料形成被隔離導(dǎo)體194。被隔離導(dǎo)體194和字線196包括圖18中未示出的晶體管的柵極。被隔離導(dǎo)體194和字線196一般包括硅、難熔金屬、難熔金屬氮化物或這些材料的任意一種或多種的組合。
在場隔離區(qū)192、被隔離導(dǎo)體194和字線196上形成氧化層197。氧化層197利用包括涂敷操作(旋涂)或淀積和流動(dòng)(回流)操作的流動(dòng)工藝至少局部形成。由于在被隔離導(dǎo)體194附近沒有同一級工藝輔助結(jié)構(gòu)或其它結(jié)構(gòu)，所以氧化層197具有在被隔離導(dǎo)體上的厚度198。字線196處的區(qū)域具有比被隔離導(dǎo)體194處及其附近區(qū)域更高的結(jié)構(gòu)密度。氧化層197具有明顯比厚度198厚的厚度199。由于被隔離導(dǎo)體194上的氧化物比字線上的會(huì)更快被去除，所以難以隨后形成到達(dá)被隔離導(dǎo)體194和字線196的通路。這種差別會(huì)引起對被隔離導(dǎo)體194或字線196處的電開口的過腐蝕損傷(由于較厚的氧化物)。
圖19中，在被隔離導(dǎo)體914附近附加工藝輔助結(jié)構(gòu)有助于減小厚度偏差問題。厚度202較接近厚度199。因此，能夠在兩種類型的結(jié)構(gòu)之間更一致地對被隔離導(dǎo)體194和字線196腐蝕通路。
上述說明中，結(jié)合特定實(shí)施例介紹了本發(fā)明，然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，可以在不背離以下權(quán)利要求書所記載的本發(fā)明范圍的情況下，做出各種改進(jìn)和變化。因此，說明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是例示性的，而非限制性的，所有這些改進(jìn)都將包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
以上就特定實(shí)施例介紹了有益效果、其它優(yōu)點(diǎn)和問題的解決方案。然而，可以使任何有益效果、優(yōu)點(diǎn)或問題的解決方案更明顯的有益效果、優(yōu)點(diǎn)、問題解決方案和任何因素，將不構(gòu)成為任何或所有權(quán)利要求的重要、希望或基本特征或因素。這里所用術(shù)語“包括”或任何其它變化都是非排除性包括，所以包括一系列單元的工藝、方法、產(chǎn)品或設(shè)備都不僅僅包括這些單元，而是可以包括其它未表明的單元或該工藝、方法、產(chǎn)品或設(shè)備所固有的單元。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括具有互連部分(72,702,802,502,402,602,902,1102,1202)和通路位置(84,74,704,804,504,404,603,904,1104,1204)的導(dǎo)體(75,700,800,500,400,614,908,1105,1205)，其中互連部分具有厚度和最小寬度；及在所說通路位置附近的第一組至少一個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)(210,70,706,806,506,406,608,906,1106,1206)，其中第一組的外緣與所說通路位置具有第一距離，其中第一距離不大于約100微米或所說厚度或最小寬度的150倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第一組至少一個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)與所說導(dǎo)體隔開第二距離，其中第二距離不大于約10微米或所說厚度或最小寬度的15倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中至少一個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)包括單個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)，其中單個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)具有大于3微米且不大于約100微米的側(cè)邊尺寸。
4.一種半導(dǎo)體器件，包括具有通路位置(84,74,704,804,504,404,603,904,1104,1204)的導(dǎo)體(75,700,800,500,400,614,908,1105,1205)；及在所說通路位置附近的單個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)(210,70,706,806,506,406,608,906,1106,1206)，其中單個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)具有至少約3微米且不大于約100微米的側(cè)邊尺寸；并與所說導(dǎo)體隔開一定距離，其中所說距離不大于所說通路位置的最小橫向尺寸的約4倍。
5.一種半導(dǎo)體器件第一導(dǎo)體具有第一互連部分和第一通路位置，其中第一互連部分在第一通路位置附近具有第一互連寬度；第一通路位置具有第一橫向長度，第一橫向?qū)挾群蜑榈谝粰M向長度與第一橫向?qū)挾鹊某朔e的第一橫向面積；在與第一互連部分相同的層上測量第一結(jié)構(gòu)密度(908)，第一結(jié)構(gòu)密度(908)包括由位于離開第一通路部分約20微米的點(diǎn)界定的第一區(qū)；及第一工藝輔助結(jié)構(gòu)(906)處于與第一導(dǎo)體相同的層，位于第一通路位置的約10微米范圍內(nèi)；及第二導(dǎo)體具有第二互連部件和第二通路位置，其中第二互連部分在第二通路位置附近具有第二互連寬度；第二通路位置具有第二橫向長度，第二橫向?qū)挾群蜑榈诙M向長度與第二橫向?qū)挾鹊某朔e的第二橫向面積；在與第二互連部分相同的層上測量第二結(jié)構(gòu)密度(910)，第二結(jié)構(gòu)密度(910)包括由位于離開第二通路部分約20微米的點(diǎn)界定的第二區(qū)；及在第二導(dǎo)體的同一層上和第二通路部分的約10微米范圍內(nèi)沒有工藝輔助結(jié)構(gòu)，其中半導(dǎo)體器件具有從以下組中選出的特征第一橫向長度除以第一橫向?qū)挾炔淮笥诩s5，第二橫向長度除以第二橫向?qū)挾戎辽偌s為2；第一橫向面積值不大于最小橫向通路尺寸值的約10倍，第二橫向面積值是最小橫向通路尺寸的至少約5倍；第一互連寬度不大于最小互連寬度的約20倍，第二互連寬度至少是最小互連寬度的約4倍；及第一結(jié)構(gòu)密度不大于約50％，第二結(jié)構(gòu)密度至少約為10％。
6.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于在襯底上形成互連結(jié)構(gòu)，其中所說互連結(jié)構(gòu)包括具有通路位置(74)的第一互連結(jié)構(gòu)(72)；及通路位置附近的第一互連結(jié)構(gòu)至少離開同一級其它互連結(jié)構(gòu)約50微米；及在襯底上和互連結(jié)構(gòu)上流動(dòng)膜(204)，其中所說膜在通路位置(84)處的第一互連結(jié)構(gòu)上具有第一厚度；所說膜在與通路位置(82)隔開的第一互連結(jié)構(gòu)上具有第二厚度；及第一厚度不大于第二厚度的約95％。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中第一和第二厚度測量點(diǎn)至少相隔約50微米。
8.一種形成掩蔽級的數(shù)據(jù)庫的方法，其特征在于識(shí)別具有互連部分(72,702,802,502,402,602,902,1102,1202)和通路位置(84,74,704,804,504,404,603,904,1104,1204)的導(dǎo)體(75,700,800,500,400,614,908,1105,1205)，其中所說導(dǎo)體包括一互連部分，互連部分具有一厚度和最小寬度；及在數(shù)據(jù)庫中插入信息，其中所說信息對應(yīng)于所說通路位置附近的第一組至少一個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)(210,70,706,806,506,406,608,906,1106,1206)，其中第一組的外緣與所說通路位置具有第一距離，其中第一距離不大于約100微米；或所說厚度或最小寬度的約150倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中第一組至少一個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)與所說導(dǎo)體隔開第二距離，其中所說第二距離不大于約10微米；或所說厚度或最小寬度的約15倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中至少一個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)包括單個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)，其中所說單個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu)具有大于3微米且不大于約100微米的側(cè)邊尺寸。
全文摘要
布線結(jié)構(gòu)的通路位置處,具有至少一個(gè)工藝輔助結(jié)構(gòu),可以改善處理或提高處理裕度。有助于使通路位置上的可流動(dòng)層更均勻,有助于形成通路開口。當(dāng)在工藝輔助結(jié)構(gòu)上形成抗蝕層,和在通路位置上形成絕緣層時(shí),抗蝕層和絕緣層在器件內(nèi)多數(shù)通路位置上具有更均勻的厚度?？刮g劑曝光或通路開口腐蝕期間的更好控制允許更高的工藝裕度。這里所述實(shí)施例示出了設(shè)置工藝輔助結(jié)構(gòu)的靈活性。
文檔編號H01L23/522GK1301040SQ00135490
公開日2001年6月27日 申請日期2000年12月21日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月22日
發(fā)明者愛德華·O·特拉維斯, 塞加·切達(dá), 布拉德利·P·史密斯, 瑞奇·田 申請人:摩托羅拉公司