專利名稱：：電光器件和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及通過在襯底表面上形成半導(dǎo)體元件(使用半導(dǎo)體薄膜的元件)而形成的電光器件和具有這種電光器件的電子設(shè)備(電子裝置)。典型地，本發(fā)明涉及其中薄膜晶體管(以下稱為TFT)形成在襯底上的液晶顯示器件或EL顯示器件和具有這種顯示器件作為顯示器(顯示部分)的電子設(shè)備。近年來大大推進(jìn)了在襯底上制造TFT的技術(shù)，并飛速發(fā)展了有源矩陣型顯示器件中的應(yīng)用。特別是，使用多晶硅膜的TFT具有比使用非晶硅膜的常規(guī)TFT高的電場效應(yīng)遷移率(也稱為遷移率)，因而可以高速操作。因此，可以通過形成在與象素相同的襯底上的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行象素控制，這通常是利用襯底外面的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行的。因?yàn)橥ㄟ^在同一襯底上形成多個(gè)電路和元件具有很多優(yōu)點(diǎn)，如減少制造成本、顯示器件的小型化、提高生產(chǎn)量和提高生產(chǎn)率，因此這種類型的有源矩陣型顯示器件成為人們注意的焦點(diǎn)。但是，在有源矩陣顯示器件的襯底上形成具有多種功能的電路和元件。因此在用TFTs形成電路和元件時(shí)，各個(gè)電路和元件所需要的TFTs的性能不同。例如，驅(qū)動(dòng)電路如移位寄存電路需要高速操作的TFT，而象素部分中的開關(guān)元件需要具有充分低的截止電流值(當(dāng)TFT處于截止操作狀態(tài)時(shí)流過的漏電流值)的TFT。在這種情況下，具有相同結(jié)構(gòu)的TFTs難以保證所有電路和元件所需要的性能，并且這會嚴(yán)重影響有源矩陣型顯示器件的性能的提高。此外，在使用有源矩陣顯示器件作為電子設(shè)備的一部分時(shí)需要除了上述象素和驅(qū)動(dòng)電路以外的很多電路。特別是，在有源矩陣顯示器件的擴(kuò)大使用中在同一襯底上形成用于暫時(shí)記錄圖象信息的存儲部分是很重要的。本發(fā)明的目的是提供具有高操作性能和可靠性的電光器件，其中在同一襯底上具有象素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分的有源矩陣型顯示器件中使用TFT，該電光器件具有適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)以獲得由TFTs構(gòu)成的電路和元件所需要的性能。具體地說，本發(fā)明的目的是提供具有高操作性能和可靠性的電光器件，該電光器件具有形成在同一襯底上的分別用于象素部分、驅(qū)動(dòng)電路部分和存儲部分的適當(dāng)TFT結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的另一目的是通過對有源矩陣型電光器件增加存儲功能來提高性能和提供顯示器件的圖象質(zhì)量。此外，本發(fā)明的又一目的是提高使用本發(fā)明的電光器件作為顯示器的電子設(shè)備的質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，電光器件包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過夾在其間的柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而絕緣膜柵被夾在其間；和具有存儲晶體管的存儲部分，其特征在于驅(qū)動(dòng)電路部分、象素部分和存儲部分形成在同一絕緣體上。根據(jù)本發(fā)明的另一結(jié)構(gòu)，電光器件包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于驅(qū)動(dòng)電路、象素部分和存儲部分形成在同一絕緣體上。根據(jù)本發(fā)明的又一結(jié)構(gòu)，電光器件包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于驅(qū)動(dòng)電路部分、象素部分和存儲部分形成在同一絕緣體上，還在于第三柵絕緣膜覆蓋n溝道TFT的柵極和象素TFT的柵極。根據(jù)本發(fā)明的再一結(jié)構(gòu)，電光器件包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于驅(qū)動(dòng)電路部分、象素部分和存儲部分形成在同一絕緣體上，還在于浮置柵極、n溝道TFT的柵極、和象素TFT的柵極由相同材料制成，并被第三柵絕緣膜覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的又一結(jié)構(gòu)，電光器件包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于驅(qū)動(dòng)電路部分、象素部分和存儲部分形成在同一絕緣體上，還在于第三柵絕緣膜是形成浮置柵極的材料的氧化物。根據(jù)本發(fā)明的另一結(jié)構(gòu)，電光器件包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于驅(qū)動(dòng)電路部分、象素部分和存儲部分形成在同一絕緣體上，還在于浮置柵極、n溝道TFT的柵極、和象素TFT的柵極由相同材料制成，并且第三柵絕緣膜是形成浮置柵極的材料的氧化物。在附圖中圖1是表示象素部分、驅(qū)動(dòng)電路、和存儲部分的視圖2A-2E是表示制造象素部分、驅(qū)動(dòng)電路和存儲部分的工藝的視圖；圖3A-3E是表示制造象素部分、驅(qū)動(dòng)電路和存儲部分的工藝的視圖；圖4A-4D是表示制造象素部分、驅(qū)動(dòng)電路和存儲部分的工藝的視圖；圖5A-5C是表示制造象素部分、驅(qū)動(dòng)電路和存儲部分的工藝的視圖；圖6是有源矩陣型液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖7是有源矩陣型液晶顯示器件的透視圖；圖8是表示驅(qū)動(dòng)電路的視圖；圖9A和9B是表示象素部分的視圖；圖10A和10B是表示象素部分、驅(qū)動(dòng)電路和存儲部分的結(jié)構(gòu)圖；圖11是表示象素部分的視圖；圖12是表示象素部分、驅(qū)動(dòng)電路和存儲部分的結(jié)構(gòu)圖；圖13A和13B是表示閃爍存儲器的結(jié)構(gòu)圖；圖14A和14B是表示閃爍存儲器的結(jié)構(gòu)圖；圖15是有源矩陣襯底的方框圖；圖16是有源矩陣襯底的方框圖；圖17是表示有源矩陣型EL顯示器件的結(jié)構(gòu)圖；圖18A和18B分別是表示EL顯示器件的頂表面結(jié)構(gòu)和剖視結(jié)構(gòu)圖；圖19是表示EL顯示器件的剖視結(jié)構(gòu)圖；圖20A和20B是表示EL顯示器件的象素部分的頂表面結(jié)構(gòu)圖；圖21是表示EL器件的剖視結(jié)構(gòu)圖；圖22A-22C是表示EL顯示器件的象素部分的電路結(jié)構(gòu)圖；圖23A和23B是表示EL顯示器件的象素部分的電路結(jié)構(gòu)圖；圖24A和24B是表示表示EL顯示器件的電路結(jié)構(gòu)圖；圖25A-25F是表示電子設(shè)備的例子的視圖；圖26A-26D是表示電子設(shè)備的例子的視圖；和圖27A和27B是表示光學(xué)引擎的結(jié)構(gòu)圖。下面參照圖1介紹本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1表示有源矩陣襯底的剖視圖(在形成液晶或EL層之前襯底的TFT形成側(cè))，其中存儲部分、驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分形成在同一襯底上(同一絕緣表面上或同一絕緣體上)。應(yīng)該指出存儲部分是由非揮發(fā)存儲器形成的，這里為EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)，形成在存儲單元中的一個(gè)存儲晶體管(也稱為存儲單元晶體管)的例子示于圖1中。實(shí)際上，可以集成大量存儲單元形成存儲部分。在本發(fā)明中最好使用具有高集成度的閃爍存儲器(閃爍EEPROM)。因此，在不對非揮發(fā)存儲器有特別禁止的限制時(shí)，在整個(gè)說明書中閃爍存儲器可用作非揮發(fā)存儲器。此外，閃爍存儲器是對每個(gè)扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除的非揮發(fā)存儲器，但是用于每個(gè)存儲晶體管的源布線制成為公用線，因此在整個(gè)說明書中稱為公用源布線。另外，示出CMOS電路作為形成驅(qū)動(dòng)電路部分的特殊例子。實(shí)際上，如移位寄存器、電平移位器、鎖存器和緩沖器等電路形成有CMOS電路作為基本電路，集成這些電路，形成驅(qū)動(dòng)電路部分。此外，示出的象素TFT和電容存儲器作為形成象素部分的特殊例子。實(shí)際上，為排列成矩陣狀態(tài)的大量象素的每個(gè)形成象素TFT和電容存儲器。圖1中，參考標(biāo)記101表示具有絕緣表面且有高熱阻的襯底。石英襯底、硅襯底、陶瓷襯底、或金屬襯底都可用做襯底101。不管使用哪種襯底，在需要時(shí)可形成基底膜(最好為含硅的絕緣膜)，形成絕緣表面。應(yīng)指出，在整個(gè)說明書中，“含硅的絕緣膜”具體指含有預(yù)定比例的硅、氧、或氮的絕緣膜，如氧化硅膜、氮化硅膜、或氧化的氮化硅膜(表示為SiOxNy)。然后在襯底101上形成半導(dǎo)體元件301-304。這里參照圖1介紹每個(gè)半導(dǎo)體元件301-304。首先，形成半導(dǎo)體元件(存儲晶體管)301以具有包含源區(qū)102、漏區(qū)103、低濃度雜質(zhì)區(qū)(也稱為LDD區(qū))104和溝道形成區(qū)105的有源層；第一柵絕緣膜106；浮置柵極107；第三柵絕緣膜11；控制柵極108；通過第一層間絕緣膜12形成的公用源布線109；和位布線(漏布線)110。源布線102是用于將被捕獲在浮置柵極107中的載流子(電子)取出到公用源布線109的區(qū)域，并且還稱為擦除區(qū)域。應(yīng)該指出，在圖1中LDD區(qū)104形成在源布線102和溝道形成區(qū)105之間。此外，漏區(qū)103是用于將載流子注入到電絕緣的浮置柵極107中的區(qū)域，并且還稱為寫區(qū)。另外，漏區(qū)103用做將存儲在存儲晶體管301中的數(shù)據(jù)讀出到位布線110的讀區(qū)。漏區(qū)103形成得通過第一柵絕緣膜106疊加浮置柵極107。疊加的長度可以為0.1-0.5μm(最好在0.1和0.2μm之間)。由于寄生電容太大，因此不希望比上述范圍更大的疊加。而且，在浮置柵極107中俘獲載流子時(shí)，利用通過第三柵絕緣膜11形成在浮置柵極107上的控制柵極108進(jìn)行控制。應(yīng)該指出，必須使用做第一柵絕緣膜106的絕緣膜變薄(膜厚為3-20nm，最好在5和10nm之間)到容許隧道電流(Fouler-Nordheim電流)流過的程度，因此最好使用通過有源層的氧化得到的氧化物膜(如果有源層含有硅，為氧化硅膜)。當(dāng)然，如果膜厚均勻性和膜質(zhì)量良好，可以利用汽相法如CVD或?yàn)R射法形成第一柵絕緣膜。此外，最好使用有高的特定介電常數(shù)的絕緣膜作為第三柵絕緣膜11，雖然圖1中未示出，這里使用由氧化硅膜/氮化硅膜/氧化硅膜層疊結(jié)構(gòu)制成的絕緣膜。在這種情況下，一部分第三柵絕緣膜11含有氮化硅膜，因此對于其它半導(dǎo)體元件302-304可獲得防止易活動(dòng)的離子和潮氣從外面進(jìn)入的鈍化膜效應(yīng)。另外，還可以使用通過氧化浮置柵極107得到的氧化物膜(如果浮置柵極是鉭膜，為氧化鉭膜)。接下來，形成CMOS電路的半導(dǎo)體元件(n溝道TFT)302被形成得具有包含源區(qū)112、漏區(qū)113、LDD區(qū)114和溝道形成區(qū)115的有源層；第二柵絕緣膜13；柵極116；源布線117；和漏布線118。此時(shí)，第二柵絕緣膜13的膜厚設(shè)置為50-150nm(最好在80和120nm之間)，使用了膜厚比在存儲晶體管301中使用的第一柵絕緣膜106的膜厚大的絕緣膜。n溝道TFT的特性是LDD區(qū)114形成在漏區(qū)113和溝道形成區(qū)115之間，并且LDD區(qū)114通過第二柵絕緣膜13疊加?xùn)艠O116。這種結(jié)構(gòu)在防止由于熱載流子注入引起的退化是很有效的。但是，在LDD區(qū)和柵極之間不希望地形成寄生電容，因此最好不在源區(qū)112和溝道形成區(qū)115之間形成LDD區(qū)。此外，此時(shí)LDD區(qū)114的長度可以為0.1-2μm(最好在0.3和0.5μm之間)。如果太長，則寄生電容變大，如果太短，則防止由熱載流子注入引起的退化變?nèi)?。然后形成CMOS電路的半導(dǎo)體元件(p溝道TFT)303被形成得具有包含源區(qū)120、漏區(qū)121、和溝道形成區(qū)122的有源層；第二柵絕緣膜13；柵極123；源布線124；和漏布線118。此時(shí)，使用與n溝道TFT302的絕緣膜相同的絕緣膜用于第二柵絕緣膜，并且漏布線與n溝道TFT302共用。形成象素部分的半導(dǎo)體元件(象素TFT)304被形成得具有包含源區(qū)126、漏區(qū)127、LDD區(qū)128a-128d、溝道形成區(qū)129a和129b、和雜質(zhì)區(qū)130的有源層；第二柵絕緣膜13；柵極131a和131b；源布線132；和漏布線133。此時(shí)最好在象素TFT304中形成LDD區(qū)128a-128d，使它們通過第二柵絕緣膜13而不疊加?xùn)艠O131a和131b。應(yīng)指出最好另外在溝道形成區(qū)和LDD區(qū)之間形成偏置區(qū)(由具有與溝道形成區(qū)相同成分的半導(dǎo)體層形成的區(qū)域，并且不向該區(qū)域施加?xùn)烹妷?。在上述n溝道TFT302中使用的結(jié)構(gòu)作為抗熱載流子的措施當(dāng)然也是有效的，但是，另一方面，看到截止電流值(在TFT處于截止操作狀態(tài)時(shí)的漏電流值)變大的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象對于驅(qū)動(dòng)電路(除了取樣電路之外)不會引起太大問題，但是對于象素TFT會引起致命的缺陷。因此，在本發(fā)明中使用具有象圖1那樣結(jié)構(gòu)的象素TFT，減小截止電流的值。另外，雜質(zhì)區(qū)130在減小截止電流值上也是很有效的。在象素TFT上形成被所有元件公用的鈍化膜14，用具有高均勻度的絕緣膜如樹脂膜在鈍化膜14上形成第二層間絕緣膜15。然后在第二層間絕緣膜15上形成由金屬膜形成的屏蔽膜134、利用氧化屏蔽膜134得到的氧化物135、和通過形成在第二層間絕緣膜中的接觸孔連接到象素TFT304的象素電極136。應(yīng)指出參考標(biāo)記137表示另一相鄰象素的象素電極，利用電容存儲器138和屏蔽膜134通過氧化物135的疊加形成電容存儲器138。換言之，給出的圖1中所示結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)之一是電容存儲器138用做光屏蔽膜和電場屏蔽膜。但是，本發(fā)明不限于圖1中所示的電容存儲器的結(jié)構(gòu)。因此，如上所述，使用對應(yīng)存儲晶體管301、形成CMOS電路的n溝道TFT302、形成CMOS電路的p溝道TFT303和象素TFT304的各性能要求的適當(dāng)結(jié)構(gòu)，大大提高了有源矩陣顯示器件的操作性能和可靠性。此外，可以在同一襯底上沿著驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分形成存儲部分，而不增加任何復(fù)雜步驟，因此可以形成甚至比常規(guī)有源矩陣顯示器件的性能的更高的性能的有源矩陣顯示器件。而且，除了上述存儲部分、驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分之外還可以形成信號處理電路。下面將給出其它信號處理電路的例子信號驅(qū)動(dòng)電路、D/A轉(zhuǎn)換器、γ補(bǔ)償電路、升壓電路、和差分放大電路。通過下面示出的實(shí)施例將更詳細(xì)地介紹本發(fā)明。實(shí)施例1參照圖2A-5C介紹本發(fā)明的實(shí)施例。在實(shí)施例1中，介紹在同一襯底上制造下列元件的方法象素部分、驅(qū)動(dòng)象素部分的驅(qū)動(dòng)電路部分和用于暫時(shí)存儲給象素部分的信號信息的存儲部分。而且，制造具有圖1中所示結(jié)構(gòu)的有源矩陣襯底。在圖2A中，最好用石英襯底或硅襯底作為襯底201。本例中使用石英襯底。此外，還可以使用在其表面上有絕緣膜的金屬襯底。在實(shí)施例1中要求能承受800℃或更高溫度的熱阻，如果能滿足這個(gè)要求，任何類型的襯底都可以使用。利用如低壓熱CVD、等離子體CVD或?yàn)R射等方法在其上要形成TFTs的襯底201表面上形成含有厚度為20-100nm(最好在40nm和80nm之間)的非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜202。應(yīng)指出，雖然在實(shí)施例1中形成了60nm厚的非晶硅膜，但是由于后來的氧化步驟，該膜厚不是最后TFT有源層的膜厚。非晶硅膜和微晶半導(dǎo)體膜作為含有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜而存在，并且還可以使用含有非晶結(jié)構(gòu)的化合半導(dǎo)體膜如非晶硅鍺膜。此外，接著在襯底上形成基底膜和非晶硅膜而不暴露于大氣是有效的。這樣，就可以防止襯底表面上的污物影響非晶硅膜，并且可以減小制造的TFTs的特性的波動(dòng)。然后用含有硅的絕緣膜在非晶硅膜202上形成掩膜203，并通過構(gòu)圖形成開口204a和204b。這些開口變成用于通過用促進(jìn)結(jié)晶的催化元素?fù)诫s的下一結(jié)晶步驟的摻雜區(qū)。(見圖2A。)注意，氧化硅膜、氮化硅膜或氮化的氧化硅膜可用做含有硅的絕緣膜。氮化的氧化硅膜是由SiOxNy表示的絕緣膜，并含有預(yù)定量的硅、氮和氧。可用SiH4、N2O、和NH3作為原材料氣體制造氮化的氧化硅膜，所含氮的濃度在5-50原子％范圍變化。另外，同時(shí)進(jìn)行掩膜203的構(gòu)圖，形成用于后來構(gòu)圖步驟的標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)記圖形。在腐蝕掩膜203的過程中還輕腐蝕非晶硅膜202，但是這個(gè)階梯差可在后來掩模對準(zhǔn)過程中用做標(biāo)記圖形。接著，根據(jù)在日本專利申請?zhí)卦S公開No.平10-247735中公開的技術(shù)形成含有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜。在該公報(bào)中公開的這種技術(shù)是在含有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜結(jié)晶時(shí)使用促進(jìn)結(jié)晶的催化元素(選自鎳、鈷、鍺、錫、鉛、鈀、鐵和銅的一種或多種元素)結(jié)晶的方法。具體地說，進(jìn)行熱處理，同時(shí)催化元素保持在含有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜的表面中，該含有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜變?yōu)楹芯w結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜。注意日本專利申請?zhí)卦S公開No.平7-130652的實(shí)施例中公開的技術(shù)也可用做一種結(jié)晶方法。此外，在含有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜中包含所謂單晶半導(dǎo)體膜和多晶半導(dǎo)體膜，但是在上述公報(bào)中形成的含有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜具有晶界。注意在上述公報(bào)中在掩膜上形成含有催化元素的層時(shí)使用了旋涂法，但是還可以借助使用汽相的淀積方法如濺射或蒸發(fā)等形成含有催化元素的薄膜。另外，最好通過在優(yōu)選為400和550℃之間的溫度進(jìn)行熱處理約1小時(shí)而充分解吸氫之后結(jié)晶，雖然熱處理的時(shí)間和溫度取決于非晶硅膜中所含氫的量。在這種情況下，希望所含的氫的量被減少到5原子％或更少。結(jié)晶步驟由以下步驟組成首先在400-500℃進(jìn)行熱處理約1小時(shí)，然后在從膜內(nèi)解吸氫之后在500-650℃(最好550-600℃)進(jìn)行熱處理6-16小時(shí)(最好8-14小時(shí))。在實(shí)施例1中用鎳做催化元素，并且在570℃進(jìn)行熱處理14小時(shí)。結(jié)果，用開口204a和204b作為原點(diǎn)，與襯底平行(箭頭所示的方向)粗糙地進(jìn)行結(jié)晶，形成含有其中晶體生長方向宏觀對準(zhǔn)的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜(實(shí)施例1中的晶體硅膜)205a-205d。(見圖2B。)接下來進(jìn)行從晶體硅膜中除去用在結(jié)晶步驟中的鎳的吸雜步驟。留下前面形成的掩膜203作為掩模并進(jìn)行元素周期表中15族元素(在實(shí)施例1中為磷)摻雜步驟，在暴露于開口204a和204b的晶體硅膜中形成磷摻雜區(qū)(以下稱為吸雜區(qū))206a和206b，并含有濃度為1×1019-1×1020原子/cm3的磷。(見圖2C。)然后在450-650℃(最好為500-550℃)在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行熱處理步驟4-24小時(shí)(最好為6-12小時(shí))。在該熱處理步驟中晶體硅膜中的鎳在箭頭的方向移動(dòng)，并通過磷的吸雜作用被捕獲在吸雜區(qū)206a和206b中。換言之，從晶體硅膜中除去鎳，因此吸雜之后晶體硅膜207a-207d中所含鎳的濃度被減少到1×1017原子/cm3或更少，最好減少到1×1016原子/cm3或更少。然后去掉掩膜203，在晶體硅膜207a-207d上形成保護(hù)膜208，用于后來的雜質(zhì)摻雜。膜厚為100-200nm(最好為130-170nm)的氮化的氧化硅膜或氧化硅膜可用做保護(hù)膜208。保護(hù)膜208被形成得使晶體硅膜在雜質(zhì)摻雜過程中不直接暴露于等離子體，并可以進(jìn)行精確濃度控制。然后形成抗蝕劑掩模209a和209b，通過保護(hù)膜208摻雜施加p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(以下稱為p型雜質(zhì)元素)。元素周期表中13族元素，典型為硼或鎵可用做p型雜質(zhì)元素。該步驟(也稱為溝道摻雜步驟)是用于控制TFT閾值電壓的步驟。應(yīng)指出在實(shí)施例1中通過使用受激乙硼烷(B2H6)等離子體的離子摻雜來摻雜硼，而不是進(jìn)行質(zhì)量分離。當(dāng)然，還可以使用進(jìn)行質(zhì)量分離的離子注入法。由此在該步驟中形成含有濃度為1×1015-1×1018原子/cm3(典型為5×1016-5×1017原子/cm3)的p型雜質(zhì)元素(在實(shí)施例1中為硼)的雜質(zhì)區(qū)210a-210c。應(yīng)指出，在整個(gè)說明書中，含有上述濃度范圍的p型雜質(zhì)元素的雜質(zhì)區(qū)(b)(但不含有磷的區(qū)域)被定義為p型雜質(zhì)區(qū)。(見圖2D。)然后去掉抗蝕劑掩模209a和209b，構(gòu)圖晶體硅膜，形成島形半導(dǎo)體層(以下稱做有源層)211-214。注意到，通過選擇摻雜鎳，然后進(jìn)行結(jié)晶，由具有優(yōu)異結(jié)晶性的晶體硅膜形成有源層211-214。具體地說，它們具有其中圓柱形或圓柱形晶體按特殊方向排列成直線的晶體結(jié)構(gòu)。而且，在結(jié)晶之后，通過吸雜作用去除或減少鎳，留在有源層211-214中的催化元素的濃度為1×1017原子/cm3或更少，最好為1×1016原子/cm3或更少。(見圖2E。)p溝道TFT的有源層213是不含故意摻雜的雜質(zhì)元素的區(qū)域，并且n溝道TFTs的有源層211、212和214是p型雜質(zhì)區(qū)(b)。在整個(gè)說明書中這種狀態(tài)中的有源層211-214被定義為完全本征或?qū)嵸|(zhì)本征的。換言之，按不會阻止TFT操作的水平故意摻雜的雜質(zhì)元素的區(qū)域被看作實(shí)質(zhì)本征區(qū)。接著用等離子體CVD或?yàn)R射形成厚度為10-100nm的含硅的絕緣膜。在實(shí)施例1中形成30nm厚的氮化的氧化硅膜。層疊結(jié)構(gòu)可用于含硅的絕緣膜。然后進(jìn)行構(gòu)圖，只留下成為驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分的區(qū)域，去掉其它區(qū)域，并露出有源層211。然后在氧化氣氛中在800-1150℃(最好900-1000℃)進(jìn)行熱處理步驟15分鐘-8小時(shí)(最好30分鐘-2小時(shí))。在實(shí)施例1中熱處理是在950℃下在具有3體積％的添加鹽酸的氧氣氛中進(jìn)行80分鐘。應(yīng)指出，用圖2D的步驟摻雜的硼在該熱氧化步驟過程中被激活。(見圖3A。)注意，干氧氣氛和濕氧氣氛都可用做氧化氣氛，但是在減少半導(dǎo)體膜中的晶體缺陷方面干氧氣氛是合適的。此外，在實(shí)施例1中給出氧氣氛中含有鹵族元素的氣氛，但是還可以在100％氧氣氛中進(jìn)行熱氧化步驟。這樣就在暴露的有源層211的表面上形成膜厚為3-20nm(最好5-10nm)的熱氧化膜(氧化硅膜)215。熱氧化膜215最終成為形成在存儲晶體管的溝道形成區(qū)和浮置柵極之間的第一柵絕緣膜。同時(shí)還可以在含硅的絕緣膜116和絕緣膜116下面的有源層211-214之間的界面進(jìn)行氧化反應(yīng)?？紤]到這一點(diǎn)，在本發(fā)明中絕緣膜216的膜厚被調(diào)整到具有50-150nm(最好80-120nm)的最后膜厚。含硅的絕緣膜216最終作為形成驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分的TFTs的柵絕緣膜，并且還被稱為第二柵絕緣膜。另外，60nm厚的有源層的25nm被實(shí)施例1的熱氧化步驟氧化，有源層211-214的膜厚變?yōu)?5nm。這是完成的TFT有源層的最后膜厚。此外，50nm厚的熱氧化膜被加到30nm厚的含硅的絕緣膜上，因此第二柵絕緣膜216的最后膜厚為110nm。接下來形成抗蝕劑掩模217a-217c。然后摻雜施加n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(以下稱為n型雜質(zhì)元素)，形成呈現(xiàn)n型的雜質(zhì)區(qū)218和219。元素周期表15族元素、典型為磷或砷可用做n型雜質(zhì)元素。(見圖3B。)雜質(zhì)區(qū)218和219是后來用做存儲晶體管中的LDD區(qū)和CMOS電路的n溝道TFT的雜質(zhì)區(qū)。應(yīng)指出，在這里形成的雜質(zhì)區(qū)中含有濃度為2×1016-5×1019原子/cm3(一般為5×1017-5×1018原子/cm3)的n型雜質(zhì)元素。在整個(gè)說明書中，按上述濃度范圍含有n型雜質(zhì)元素的雜質(zhì)區(qū)被定義為n型雜質(zhì)區(qū)(b)。應(yīng)指出，代替進(jìn)行質(zhì)量分離，這里通過使用磷化氫(PH3)受激等離子體的離子摻雜按1×1018原子/cm3的濃度摻雜磷。當(dāng)然，也可以使用進(jìn)行質(zhì)量分離的離子注入法。在該工藝中，在成為存儲晶體管的區(qū)域和成為CMOS電路的n溝道TFT的區(qū)域中的柵絕緣膜的膜厚不同。因此，摻雜步驟可以分成兩個(gè)步驟進(jìn)行。最好在雜質(zhì)摻雜過程中調(diào)整在深度方向的濃度分布圖形，從而按照近似相同的濃度將磷摻雜到由參考標(biāo)記218和219表示的區(qū)域中。接著去掉抗蝕劑掩模217a-217c，并形成新的抗蝕劑掩模220a-220c。然后摻雜n型雜質(zhì)元素，形成呈現(xiàn)n型的雜質(zhì)區(qū)221和222。應(yīng)指出，元素周期表15族元素、典型為磷或砷可用做n型雜質(zhì)元素。(見圖3C。)雜質(zhì)區(qū)221和222是后來用做存儲晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)。應(yīng)指出，在這里形成的雜質(zhì)區(qū)中所含的n型雜質(zhì)元素的濃度為1×1020-1×1021原子/cm3(一般為2×1020-5×1021原子/cm3)。在整個(gè)說明書中，按上述濃度范圍含有n型雜質(zhì)元素的雜質(zhì)區(qū)被定義為n型雜質(zhì)區(qū)(a)。應(yīng)指出，代替進(jìn)行質(zhì)量分離，這里通過使用磷化氫(PH3)受激等離子體的離子摻雜按3×1020原子/cm3的濃度摻雜磷。當(dāng)然，也可以使用進(jìn)行質(zhì)量分離的離子注入法。然后在惰性氣氛中在600-1000℃(最好在700-800℃)進(jìn)行熱處理，激活在圖3B的步驟中摻雜的磷。在實(shí)施例1中，熱處理是在氮?dú)夥罩?00℃下進(jìn)行1小時(shí)。(見圖3D。)此時(shí)，可以修復(fù)在磷摻雜過程中被損壞的有源層的結(jié)晶度，并同時(shí)修復(fù)有源層和柵絕緣膜之間的界面。對于激活步驟，最好是使用電爐的爐子退火，但是也可以進(jìn)行光退火如電燈退火或激光退火，并且這些退火還可以與爐子退火相結(jié)合。在該步驟中，n型雜質(zhì)區(qū)(a)222和n型雜質(zhì)區(qū)(b)218和219的邊界，即本征或?qū)嵸|(zhì)本征的結(jié)，即位于n型雜質(zhì)區(qū)(a)和n型雜質(zhì)區(qū)(b)周邊的區(qū)域(當(dāng)然也包括p型雜質(zhì)區(qū)(b))被刻劃出來。這意味著在后來完成TFTs時(shí)，在LDD區(qū)和溝道形成區(qū)之間形成很好的結(jié)。然后形成厚度為200-400nm(最好為250-350nm)的第一柵極223-225、226a和226b。在形成第一柵極223-225、226a和226b的同時(shí)形成使第一柵極之間電連接的第一柵布線。但是，第一柵極223不與其它柵極連接，后來用做存儲晶體管的浮置柵極。(見圖3E。)實(shí)際上，為形成存儲部分的所有大量存儲晶體管形成浮置柵極，并且每個(gè)浮置柵極都處于電絕緣狀態(tài)，即浮置狀態(tài)。這樣，它就可以用做電荷積累層。選自鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、和硅(Si)的元素或者具有上述元素之一作為其基本成分的導(dǎo)電膜(通常為氮化鉭、氮化鎢膜或氮化鈦膜、)或上述元素的組合的合金膜(通常為Mo-W合金、Mo-Ta合金、或硅化鎢膜)可以用做柵極223-225、226a和226b的材料。層疊50nm厚的氮化鉭(TaN)膜和350nm厚的鉭(Ta)膜，并在實(shí)施例1中使用。此外，在第一柵極下面形成厚度為2-20nm數(shù)量級的硅膜是有效的?？梢蕴岣咝纬稍谄渖系臇艠O的粘附性，并因此可防止氧化。此時(shí)形成在存儲晶體管中的柵極223被形成得通過柵絕緣膜215而疊加n型雜質(zhì)區(qū)(a)221和222和一部分n型雜質(zhì)區(qū)(b)218。此外，形成在CMOS電路的n溝道TFT中的柵極224被形成得通過柵絕緣膜216疊加n型雜質(zhì)區(qū)(b)219。應(yīng)該指出，柵極226a和226b從橫截面來看作為兩個(gè)電極，但是它們實(shí)際上是電連接的。然后形成抗蝕劑掩模227a和227b，摻雜p型雜質(zhì)元素(實(shí)施例1中為硼)，形成含有高濃度硼的雜質(zhì)區(qū)228和229。在實(shí)施例1中通過使用乙硼烷(B2H6)的離子摻雜(當(dāng)然也可以使用離子注入法)摻雜濃度為3×1020-3×1021原子/cm3(一般為5×1020-1×1021原子/cm3)。在整個(gè)說明書中，按上述濃度范圍含有p型雜質(zhì)元素的雜質(zhì)區(qū)被定義為p型雜質(zhì)區(qū)(a)。(見圖4A。)應(yīng)該指出，這里在摻雜p型雜質(zhì)元素之前，可用抗蝕劑掩模227a和227b、和柵極225做掩模腐蝕柵絕緣膜，露出有源層。這樣做可以使加速電壓和劑量減小，并提高了該步驟中的生產(chǎn)率。接著去掉抗蝕劑掩模227a和227b，并形成抗蝕劑掩模230a-230d。然后摻雜n型雜質(zhì)元素(在實(shí)施例1中為磷)，形成含有高濃度磷的雜質(zhì)區(qū)231-235。該步驟可以與圖3C一樣進(jìn)行，并且磷濃度可以設(shè)置為1×1020-1×1021原子/cm3(一般為2×1020-5×1021原子/cm3)。因此雜質(zhì)區(qū)231-235可被稱為n型雜質(zhì)區(qū)(a)。(見圖4B。)另外，在前面步驟中摻雜的磷或硼已經(jīng)包含在形成雜質(zhì)區(qū)231-235的區(qū)域中，因此不會受到在前面步驟中摻雜的磷或硼的影響。應(yīng)該指出，這里，在摻雜n型雜質(zhì)元素之前，可用抗蝕劑掩模230a-230d、和柵極224做掩模腐蝕柵絕緣膜，露出有源層。這樣做可以使加速電壓和劑量減小，并提高了該步驟中的生產(chǎn)率。然后去掉抗蝕劑掩模230a-230d，用柵極223-225、226a和226b做掩模，按自對準(zhǔn)方式摻雜n型雜質(zhì)元素(實(shí)施例1中為磷)。磷被調(diào)整并摻雜到如此形成的雜質(zhì)區(qū)236-239中，使這些區(qū)域所含磷的濃度為上述雜質(zhì)區(qū)(b)中的濃度的十分之一到二分之一(通常為四分之一到三分之一)。(但是，磷濃度比在前面溝道摻雜步驟中摻雜的硼濃度高5到10倍，典型的，為1×1016-5×1018原子/cm3，通常為3×1017-3×1018原子/cm3。)在整個(gè)說明書中，按上述濃度范圍含有n型雜質(zhì)元素的雜質(zhì)區(qū)(不包括p型雜質(zhì)區(qū))被定義為n型雜質(zhì)區(qū)(c)。(見圖4C。)應(yīng)該指出，除了被柵極覆蓋的部分之外，在該步驟中磷按1×1016-5×1018原子/cm3的濃度被摻雜到所有雜質(zhì)區(qū)中，但是不會由于該極低的濃度而影響每個(gè)雜質(zhì)區(qū)的功能。此外，在前面的溝道摻雜步驟中將濃度為1×1015-1×1018原子/cm3的硼摻雜到n溝道雜質(zhì)區(qū)(b)236-239中，但是這里摻雜的磷的濃度是p型雜質(zhì)區(qū)(b)中所含硼濃度的5到10倍，因此在這種情況下同樣認(rèn)為硼不會對n型雜質(zhì)區(qū)(b)的功能有任何影響。然后進(jìn)行熱處理以便激活按各濃度摻雜的n型和p型雜質(zhì)元素。該步驟可以利用爐子退火、激光退火、電燈退火或結(jié)合這些方式中一種以上的方式來進(jìn)行。當(dāng)使用爐子退火時(shí)，可以在500℃到800℃之間、最好在550℃到600℃下在惰性氣氛中進(jìn)行。在實(shí)施例1中熱處理是在550℃下進(jìn)行4小時(shí)，激活雜質(zhì)元素。(見圖4D。)說明一下，在實(shí)施例1中用氮化鉭膜和鉭膜的層疊膜作為柵極材料，但是鉭膜在氧化方面是很弱的。因此，必須在含有盡可能少量氧的惰性氣氛中進(jìn)行該激活步驟。具體地說，最好使用含有1ppm或更少(更優(yōu)選為0.1ppm或更少)的氧的惰性氣氛。在實(shí)施例1中在100％氮?dú)夥罩性?50℃下進(jìn)行熱處理4小時(shí)。當(dāng)這樣做時(shí)，襯底被放置在處于不會進(jìn)行氧化的充分低的溫度(100℃和200℃之間)的爐子內(nèi)部，在氮清洗的足夠長時(shí)間(30分鐘到1小時(shí))之后，進(jìn)行熱處理。在取出襯底時(shí)應(yīng)該小心，只有在爐內(nèi)溫度下降到上述充分低的溫度之后，才可將襯底暴露于大氣。在進(jìn)行熱處理(激活步驟)時(shí)注意到，雖然柵極表面輕微被氮化，但可以防止氧化反應(yīng)，不會防礙提高電阻。然后形成第三柵絕緣膜240，覆蓋第一柵極223-225、226a和226b。說明一下，只有在上述第一柵極223之上的部分實(shí)際上用做柵絕緣膜，但是為便于說明，沒有指出區(qū)別。可用公知汽相法形成第三柵絕緣膜240，在實(shí)施例1中是用低壓熱CVD形成的，以便得到具有良好膜質(zhì)量的薄膜。此外，在實(shí)施例1中，氮化硅膜被氧化硅膜夾在其間的三層結(jié)構(gòu)層疊膜用做第三柵絕緣膜。總膜厚可以為15到50nm(最好為20到40nm)。在實(shí)施例1中使用氧化硅膜(膜厚為10nm)/氮化硅膜(膜厚為20nm)/氧化硅膜(膜厚為10nm)，但是對于該膜來說不限于此，可考慮耦合系數(shù)而確定。然后在通過第三柵絕緣膜240疊加第一柵極223的位置形成第二柵極(控制柵極)241。第二柵極241(控制柵極)后來用做存儲晶體管的控制柵極。膜厚可以在200到400nm范圍內(nèi)選擇。(見圖5A。)使用與用于第一柵極相同的材料作為第二柵極241的材料，但是在接下來的步驟中的溫度不超過450℃的高溫，因此如果是具有能承受該溫度的熱阻的導(dǎo)電膜，可以使用任何材料。特別是，最好使用含有低電阻鋁或銅的金屬膜。接下來形成第一層間絕緣膜242。含有硅的絕緣膜可用做第一層間絕緣膜242，具體地說，可使用氮化硅膜、氧化硅膜、氮化的氧化硅膜、或組合這些膜的層疊膜。此外，膜厚可為400nm到1.5μm。在實(shí)施例1中，使用等離子體CVD形成1μm厚的氧化硅膜。然后在含有3-100％氫的氣氛中在300-450℃下進(jìn)行熱處理1-4小時(shí)，使有源層氫化。該步驟是通過熱激活氫而端接半導(dǎo)體層中的懸掛鍵的步驟。作為另一種氫化方式，可以進(jìn)行等離子體氫化(使用被等離子體激活的氫的氫化步驟)。然后形成到達(dá)各TFTs的源區(qū)或漏區(qū)的接觸孔，并形成公用源布線243、位布線244、源布線245-247、和漏布線248和249。應(yīng)說明，漏布線248在n溝道TFT和p溝道TFT之間是公用的，以便形成CMOS電路。另外，雖然圖中未示出，通過濺射依次形成的200nmTi膜、含Ti的500nm鋁膜、和100nmTiN膜的三層層疊膜可以用做實(shí)施例1中的這些布線。(見圖5B。)此外，形成厚度為50-500nm(一般為200到300nm)的含硅的絕緣膜，作為保護(hù)TFT不被外部污染的保護(hù)膜(還稱為鈍化膜)250。在實(shí)施例1中使用300nm厚氮化的氧化硅膜，并在形成鈍化膜之前，進(jìn)行使用含有氫的氣體如H2或NH3的等離子體處理，然后淀積該膜。通過第一層間絕緣膜輸送在該預(yù)處理中被等離子體激活的氫。通過在該狀態(tài)下進(jìn)行熱處理(在300-420℃的溫度)，隨著鈍化膜250的膜質(zhì)量的提高，摻雜到第一層間絕緣膜中的氫擴(kuò)散到下層，有源層可以有效地被氫化。應(yīng)該說明，可以在熱處理步驟之后在鈍化膜250中在后來形成連接到象素電極和連接到漏布線的接觸孔的位置上形成開口(圖中未示出)。此外，當(dāng)進(jìn)行該步驟時(shí)，如果從象素內(nèi)部的圖象顯示區(qū)去掉鈍化膜，則增加了在透光型液晶顯示器件中透過的光的量，并可獲得明亮圖象。接下來用有機(jī)樹脂形成厚度為約1μm的第二層間絕緣膜251?？勺鳛橛袡C(jī)樹脂的材料如聚酰亞胺、丙烯酸、酰胺、聚酰亞胺酰胺、和BCB(苯并環(huán)丁烯)。給出使用有機(jī)樹脂膜的優(yōu)點(diǎn)如下膜淀積方法簡單；特定介電常數(shù)低，因此減少了寄生電容；和超高的水平度。注意除了上述以外的有機(jī)樹脂膜和有機(jī)-基SiO化合物都可使用。這里使用在施加于襯底之后熱聚合的聚酰亞胺類型，并在300℃烘烤以形成第二層間絕緣膜。在第二層間絕緣膜251上在成為象素部分的區(qū)域中形成屏蔽膜252。應(yīng)指出，在整個(gè)說明書中術(shù)語屏蔽膜的意思是屏蔽光和電磁波。屏蔽膜252是用由選自鋁(Al)、鈦(Ti)和鉭(Ta)的元素制成的膜或用具有這些元素之一作為其基本成分的膜形成的，且厚度為100-300nm。在實(shí)施例1中形成含有1wt％鈦的125nm厚的鋁膜。說明一下，如果在第二層間絕緣膜251上形成5-50nm的絕緣膜如氧化硅膜，則可提高在該膜上面形成的屏蔽膜的粘附性。通過使用導(dǎo)電膜如氮化鈦也可以得到這種效果。此外，如果在用有機(jī)樹脂形成的第二層間絕緣膜251表面上進(jìn)行使用CF4氣體的等離子體處理，則由于提高質(zhì)量的表面而增加形成在第二層間絕緣膜251上的屏蔽膜的粘附性。另外，不僅可以形成屏蔽膜，還可以形成使用含鈦的鋁膜的連接線。例如，可以形成在驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)部連接電路的連接布線。但是，在這種情況下，在淀積形成屏蔽膜或連接線的材料之前，必須預(yù)先在第二層間絕緣膜中形成接觸孔。接著利用陽極氧化或等離子體氧化(在實(shí)施例1中使用陽極氧化)在屏蔽膜252表面上形成厚度為20-100nm(最好為30-50nm)的氧化物(陽極氧化物)253。在實(shí)施例1中使用由鋁作為其基本成分的膜作為屏蔽膜252，因此形成氧化鋁膜(鋁膜)作為陽極氧化物253。當(dāng)進(jìn)行陽極氧化處理時(shí)，首先制造1，2-亞乙基二醇酒石酸溶液。該溶液是如此形成的酒石酸銨的15％水溶液和1，2-亞乙基二醇按2∶8比例混合，并添加氨水，使PH調(diào)整為7±0.5。然后在溶液中形成鉑電極作為陰極，其上已經(jīng)形成屏蔽膜252的襯底被浸漬在溶液中，并用屏蔽膜252做陽極施加恒定直流(從幾mA到幾十mA)。在溶液中陰極和陽極之間的電壓根據(jù)陽極氧化物的生長而隨著時(shí)間變化。電流恒定，電壓按100V/分鐘的速度增加，當(dāng)電壓達(dá)到電壓45V時(shí)終止陽極氧化處理。這樣就可以在屏蔽膜252表面上形成厚度約為50nm的陽極氧化物253。而且，結(jié)果屏蔽膜252的膜厚變?yōu)?0nm。注意，這里示出的關(guān)于陽極氧化法的各個(gè)數(shù)值只是舉例而已，通常應(yīng)該將它們改變到最佳值，這取決于如制造的元件的尺寸等因數(shù)。另外，這里，該結(jié)構(gòu)通過使用陽極氧化只在屏蔽膜表面形成絕緣膜，但是該絕緣膜也可以用汽相法如等離子體CVD、熱CVD或?yàn)R射等方法形成。同樣在這種情況下，最好膜厚為20-100nm(更希望為30-50nm)。此外，還使用氧化硅膜、氮化硅膜、氮化的氧化硅膜、碳膜如DLC(金剛石類碳)、和有機(jī)樹脂膜。另外，還可以使用這些膜組合的層疊膜。接下來，在第二層間絕緣膜251中和在鈍化膜250中形成接觸孔，以便達(dá)到漏布線249，并形成象素電極254。應(yīng)指出象素電極255是分離相鄰象素的象素電極。當(dāng)制造透光型液晶顯示器件時(shí)，還可以使用透明導(dǎo)電膜用于象素電極254和255，在制造反射型液晶顯示器件時(shí)，可以使用金屬膜。這里制造透光型液晶顯示器件，因此用濺射形成厚度為110nm的氧化銦錫(ITO)膜、氧化銦和氧化錫的化合膜。此外，在象素電極254和屏蔽膜252通過氧化物253疊加時(shí)，形成電容存儲器256。應(yīng)說明，希望將屏蔽膜252設(shè)置為浮置狀態(tài)(電絕緣狀態(tài))或設(shè)置為固定電位，最好為公共電位(作為數(shù)據(jù)發(fā)射圖象信號的中點(diǎn)電位)。這樣就完成了在同一襯底上具有存儲部分、驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分的有源矩陣襯底。圖5C中示出的有源矩陣襯底的結(jié)構(gòu)與圖1所示的有源矩陣襯底的結(jié)構(gòu)相同。根據(jù)本發(fā)明，分別根據(jù)存儲部分、驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分所要求的性能，優(yōu)化形成每個(gè)電路或元件的TFTs的結(jié)構(gòu)，并提高了電光器件的操作性能及其可靠性。具體地說，在驅(qū)動(dòng)電路部分中使用了重點(diǎn)放在高操作速度或抗熱載流子上的TFT結(jié)構(gòu)，在象素部分中使用了重點(diǎn)放在減小截止電流值的TFT結(jié)構(gòu)。此外，在存儲部分中形成存儲晶體管，同時(shí)只容許最少量地增加處理步驟數(shù)量。這里參照圖1介紹有源矩陣型液晶顯示器件的情況。首先，有浮置柵極107和控制柵極108的兩層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)TFT用作存儲晶體管301。通過向浮置柵極107中注入在溝道形成區(qū)105和漏區(qū)103的結(jié)產(chǎn)生的熱載流子進(jìn)行存儲晶體管的寫操作。另一方面，通過在浮置柵極107和源區(qū)102之間流動(dòng)的FN(Fowler-Nordheim)電流進(jìn)行擦除操作。此外，LDD區(qū)104作為防止源區(qū)102和溝道形成區(qū)105之間的帶間隧道電流的緩沖區(qū)，并對于提高可靠性和減小電流消耗有效。LDD區(qū)104的長度(寬度)可為0.1-2.0μm，一般為0.5-1.5μm。而且，n溝道TFT302適合于重點(diǎn)放在高速操作的驅(qū)動(dòng)電路，如移位寄存器、電平移位器、或緩沖器。換言之，只在溝道形成區(qū)115和漏區(qū)113之間形成疊加?xùn)艠O的LDD區(qū)114，同時(shí)盡可能減少電阻元件，則可得到抵抗熱載流子措施的結(jié)構(gòu)。只在漏區(qū)側(cè)形成LDD區(qū)的就足夠的原因是，對于上述驅(qū)動(dòng)電路的情況，源區(qū)和漏區(qū)的功能不變，并且載流子(電子)移動(dòng)方向固定。但是，在需要時(shí)可以形成夾住溝道形成區(qū)的LDD區(qū)。換言之，可以分別在源區(qū)和溝道形成區(qū)之間、在漏區(qū)和溝道形成區(qū)之間形成LDD區(qū)。應(yīng)說明，LDD區(qū)的長度(寬度)可以為0.1-2.0μm，最好為0.5-1.5μm。象素TFT304適合于重點(diǎn)放在低截止電流操作的象素部分。換言之，通過形成不疊加?xùn)艠O131a和131b的LDD區(qū)128a-128d，實(shí)現(xiàn)了低截止電流。此外，使用雜質(zhì)濃度比形成在存儲部分和驅(qū)動(dòng)電路部分中的LDD區(qū)的雜質(zhì)濃度低的LDD區(qū)，可實(shí)現(xiàn)甚至更低截止電流值的結(jié)構(gòu)。另外，雜質(zhì)區(qū)130對于減小截止電流值起了很大作用。應(yīng)該說明，形成在象素TFT304中的LDD區(qū)128a和128b的長度(寬度)可為0.5-3.5μm，最好為2.0-2.5μm。另外，使用有7-9的高特定介電常數(shù)的氧化鋁膜作為實(shí)施例1中的電容存儲器的介質(zhì)，可以減小由電容存儲器占據(jù)的面積以形成所希望的電容。此外，通過將形成在象素TFT上的屏蔽膜成為電容存儲器的一個(gè)電極，如實(shí)施例1中那樣，可以提高有源矩陣型液晶顯示器件的圖象顯示部分的孔徑比。說明一下，對于本發(fā)明不必限制于本發(fā)明的實(shí)施例1中所示的電容存儲器結(jié)構(gòu)。例如，可以使用日本專利申請No.平9-316567、日本專利申請No.平9-273444.和日本專利申請No.平10-254097中示出的電容存儲器結(jié)構(gòu)。實(shí)施例2在實(shí)施例2中參照圖6介紹通過在由實(shí)施例1(圖5C所示)形成的有源矩陣襯底上進(jìn)行單元制造步驟制造有源矩陣型液晶顯示器件的情況。如圖6所示，對于處于圖5C的狀態(tài)的襯底形成定向膜601。在實(shí)施例2中用聚酰亞胺作為該定向膜。此外，在對置襯底602中形成由透明導(dǎo)電膜制成的對置電極603和定向膜604。應(yīng)該指出，在需要時(shí)可以在對置襯底中形成濾色器或屏蔽膜。接下來，在形成定向膜之后，進(jìn)行摩擦處理，調(diào)整定向，使液晶分子具有一定的固定預(yù)傾斜角(pre-tiltangle)。然后通過利用密封材料或間隔物(圖中未示出)的公知單元制造步驟將其上形成有象素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分的有源矩陣襯底和對置襯底連接在一起。然后在兩襯底之間注入液晶605，并用端部密封材料(圖中未示出)提供完全密封。公知的液晶材料可用于該液晶。這樣就完成了圖6中所示的有源矩陣型液晶顯示器件。利用圖7的透視圖介紹有源矩陣型液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的液晶顯示器件具有形成在有源矩陣襯底701上的象素部分702、源布線驅(qū)動(dòng)電路(圖象信號傳輸電路)703、和柵線驅(qū)動(dòng)電路(掃描信號傳輸電路)704。另外，參考標(biāo)記707表示與有源矩陣襯底相對形成的對置襯底。含有圖1中所示的象素TFT304的大量象素按矩陣狀態(tài)排列在象素部分702中。此外，上述象素TFT連接到從源布線驅(qū)動(dòng)電路703延伸的源布線和從柵布線驅(qū)動(dòng)電路704延伸的柵布線的交點(diǎn)。PFC(撓性印刷電路)705與有源矩陣襯底701連接，含有如圖象信號和時(shí)鐘信號等信息的信號輸入到液晶顯示器件。另外，在有源矩陣襯底701中形成其中集成圖1所示存儲晶體管301的存儲部分706。存儲部分706可以是集成在一個(gè)單元中含有選擇晶體管和存儲晶體管的存儲單元的非揮發(fā)存儲器。但是，作為存儲部分706，其中形成公用的大量存儲晶體管的位線的閃爍存儲器更適合于高度集成。實(shí)施例3通常在實(shí)施例2所示有源矩陣型液晶顯示器件的源布線驅(qū)動(dòng)電路703中包含移位寄存器、電平移位器、緩沖器和取樣電路(取樣和保持電路)。這是模擬信號處理的情況的例子，在處理數(shù)字信號時(shí)，包含鎖存器和D/A轉(zhuǎn)換器代替取樣電路。此外，在柵布線驅(qū)動(dòng)電路中包含移位寄存器、電平移位器和緩沖器。移位寄存器具有3.5-16V(通常為5V或10V)的驅(qū)動(dòng)電壓，由圖1中的參考標(biāo)記302表示的結(jié)構(gòu)適合于用在形成移位寄存器電路的CMOS電路中的n溝道TFT。此外，電平移位器和緩沖器具有14V和16V的高驅(qū)動(dòng)電壓，含有圖1中所示n溝道TFT的CMOS電路適合于這些電路，與移位寄存器電路一樣。應(yīng)指出在電平移位器或緩沖器的情況下，為提高電路的可靠性，將柵極制成為多柵結(jié)構(gòu)如雙柵結(jié)構(gòu)或三柵結(jié)構(gòu)是有效的。但是，包含在源線驅(qū)動(dòng)電路中的取樣電路具有14V-16V的驅(qū)動(dòng)電壓，但源區(qū)和漏區(qū)倒置，并且必須減小截止電流的值。因此必須設(shè)計(jì)熱載流子和低截止電流值對抗措施。圖8中所示n溝道TFT305的結(jié)構(gòu)用在實(shí)施例3中，作為取樣電路。應(yīng)指出，雖然圖8中只示出n溝道TFT，實(shí)際上在形成取樣電路時(shí)最好結(jié)合n溝道TFT和p溝道TFT，使大電流更容易流過。用在取樣電路中的n溝道TFT的結(jié)構(gòu)具有包含源區(qū)21、漏區(qū)22、LDD區(qū)23a和23b、和溝道形成區(qū)24的有源層；第二柵絕緣膜13；柵極25；源布線26；和漏布線27。應(yīng)指出，源區(qū)和漏區(qū)(或源布線和漏布線)根據(jù)操作而倒置。n溝道TFT305的最重要特性是LDD區(qū)23a和23b被形成得夾住溝道形成區(qū)24，并且LDD區(qū)具有通過第二柵絕緣膜13疊加?xùn)艠O25的區(qū)域和不疊加?xùn)艠O25的區(qū)域。換言之，LDD區(qū)23a和23b的疊加?xùn)艠O25的區(qū)域減少了由于熱載流子注入引起的退化，與圖1所示n溝道TFT302的LDD區(qū)114相同。而且，LDD區(qū)23a和23b的不疊加?xùn)艠O25的區(qū)域減小了截止電流值，與圖1所示象素TFT304的LDD區(qū)128a-128d相同。在取樣電路中使用具有上述結(jié)構(gòu)的n溝道TFT，可以降低由于熱載流子引起的退化，并可以進(jìn)行低截止電流值轉(zhuǎn)換操作。此時(shí)，疊加?xùn)艠O的LDD區(qū)的長度(寬度)可以為0.3-3.0μm，典型為0.5-1.5μm，不疊加?xùn)艠O的LDD區(qū)的長度(寬度)可以為1.0-3.5μm，典型為1.5-2.0μm。應(yīng)該指出，可以根據(jù)圖2A-5C所示的步驟形成實(shí)施例3中所示的n溝道TFT305的結(jié)構(gòu)，而不增加任何特殊步驟。此外，在實(shí)施例2所示有源矩陣型液晶顯示器件的取樣電路中使用實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)是有效的。實(shí)施例4根據(jù)實(shí)施例1制造的TFT的有源層(特別是溝道形成區(qū))是用具有其中晶格具有連續(xù)性的單一晶體結(jié)構(gòu)的晶體硅膜形成的。關(guān)于這種類型的晶體硅膜的細(xì)節(jié)可參考由本發(fā)明的申請人提交的日本專利申請No.平10-044659、日本專利申請No.平10-152316、日本專利申請No.平10-152308、和日本專利申請No.平10-152305。下面介紹由本發(fā)明的申請人實(shí)驗(yàn)研究的晶體結(jié)構(gòu)特性。應(yīng)該指出，這些特性符合形成根據(jù)實(shí)施例4完成的TFT的有源層的半導(dǎo)體膜的特性。用顯微鏡觀察上述晶體硅膜，發(fā)現(xiàn)晶體結(jié)構(gòu)由多個(gè)針狀或圓柱狀晶體構(gòu)成。這可以很容易通過用TEM(透射電子顯微分析法)觀察來確定。此外，用電子衍射可以在晶體硅膜的表面上驗(yàn)證多個(gè){110}面。這可以很容易驗(yàn)證，因?yàn)槿绻治鲭娮友苌湔掌?，清晰出現(xiàn)對應(yīng){110}面的衍射點(diǎn)。此外，可以分析衍射點(diǎn)以具有在同心圓上±1°的分布(散布)。另外，如果用X射線衍射(嚴(yán)格地說，是用aθ-2θ法的X射線衍射)計(jì)算定向比，可確定{220}面的定向比為0.7或更高(典型為0.85或更高)。說明一下，在日本專利申請?zhí)卦S公開No.平7-321339中公開的的方法可用于計(jì)算定向比。而且，如果用HR-TEM(高分辨率透射電子顯微分析法)觀測由每個(gè)接觸圓柱狀晶體形成的晶界，可驗(yàn)證晶界中的晶格有連續(xù)性。這可以很容易地通過觀測到的晶界中的晶格條的連續(xù)連接而驗(yàn)證。應(yīng)該指出，晶界中的晶格連續(xù)性起源于晶界是“平面形晶界”。在本說明書中平面形晶界的定義符合“CharacterizationofHigh-EfficiencyCast-SiSolarCellWafersbyMBICMeasurement”RyuichiShimokawaandYutakaHayashi，日本應(yīng)用物理期刊vo1.27，no.5，pp.751-8，1998中的“平面邊界”。根據(jù)上述文章，該平面邊界包括孿晶晶界、特殊堆疊缺陷、特殊扭曲晶界等。該平面邊界具有電無源的特性。即，邊界可以基本上被看作不存在的，因?yàn)樗鼈儾荒苡米鲎柚馆d流子移動(dòng)的陷阱。特別對于晶體軸(垂直于晶面的軸)為<110>軸的情況，{211}孿晶晶界可稱做對應(yīng)∑3的晶界?！浦凳潜硎緦?yīng)晶界的對準(zhǔn)度的參數(shù)，并且眾所周知，較小的∑值表示良好的晶界匹配。例如，在兩個(gè)晶體之間的晶界，對于兩個(gè)晶體都具有{110}面定向的情況，如果對應(yīng){111}面的晶格條具有角度θ，則當(dāng)θ＝70.5°時(shí)，晶界對應(yīng)∑3。在通過實(shí)施實(shí)施例4得到的晶體硅膜中，如果用HR-TEM觀察形成在具有<110>晶體軸的兩個(gè)晶體之間的晶體邊界，則有很多按相鄰晶格條之間的約70.5°的角度的連續(xù)性的晶界。因此，可以推測出該晶界對應(yīng)∑3邊界，即它們是{211}孿晶晶界。如果使用TEM觀測實(shí)施例4的實(shí)際晶體半導(dǎo)體膜的細(xì)節(jié)，可以推測大部分晶體晶界(90％以上，典型為95％以上)是對應(yīng)∑3的晶界。換言之，它們是{211}孿晶晶界。這種類型的晶體結(jié)構(gòu)(實(shí)際上是晶界結(jié)構(gòu))表示在晶界處兩個(gè)不同晶粒按很好的對準(zhǔn)方式連接在一起。即，幾乎不形成其中在晶界處晶格具有連續(xù)性和由晶體缺陷等引起的陷阱的晶體結(jié)構(gòu)。因此可以不考慮有這種類型晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體薄膜，與基本上不存在晶界一樣。另外，可以用TEM驗(yàn)證，通過在800-1150℃的高溫的熱處理步驟，晶界內(nèi)的缺陷幾乎完全消失了。顯然通過該熱處理大大減少了缺陷數(shù)量，如堆疊缺陷。出現(xiàn)的缺陷數(shù)量的差別作為通過電子自旋共振(ESR)分析的自旋密度的差別。目前，示出的實(shí)施例中的晶體硅膜具有至多5×1017spins/cm3或更少(最好為3×1017spins/cm3或更少)的自旋密度。但是，測量值在本測量設(shè)備的檢測限度附近，并且希望實(shí)際自旋密度甚至更低。從上面的描述看到，認(rèn)為根據(jù)實(shí)施例1形成的晶體硅膜是單晶硅膜，或?qū)嵸|(zhì)上為單晶硅膜，因?yàn)榫Ы缰械娜毕輸?shù)量很少，并且認(rèn)為晶界基本上不存在。實(shí)施例5通過給不與象素電極連接的電極(對于本發(fā)明為屏蔽膜)施加固定電位，可以在象素部分中的每個(gè)象素中形成電容存儲器。在這種情況下，最好設(shè)置屏蔽膜為浮置狀態(tài)(電絕緣狀態(tài))或設(shè)置為公共電位(作為數(shù)據(jù)發(fā)射的圖象信號的中間電位)。在實(shí)施例5中使用圖9A和9B來介紹設(shè)置屏蔽膜為固定電位的連接方法。應(yīng)指出，基本結(jié)構(gòu)與圖1所示的象素部分相同，因此下面的描述中相同部分使用相同標(biāo)記。在圖9A中，參考標(biāo)記304表示用與實(shí)施例1相同的方式制造的象素TFT(n溝道TFT)，參考標(biāo)記134表示用做電容存儲器的一個(gè)電極的屏蔽膜。延伸到象素部分外部的屏蔽膜901通過形成在第二層間絕緣膜15和鈍化膜14中的接觸孔902與提供公共電位的電源線903連接。因此，在這種情況下在形成屏蔽膜901之前，需要通過腐蝕第二層間絕緣膜15和鈍化膜14形成接觸孔的步驟。并在形成源布線或漏布線的同時(shí)形成電源線903。通過這樣電連接屏蔽膜901和在象素部分外面提供公共電位的電源線903，屏蔽膜134可以保持在該公共電位。圖9B中的參考標(biāo)記304表示用與實(shí)施例1相同的方法制造的象素TFT，參考標(biāo)記134表示用做電容存儲器的一個(gè)電極的屏蔽膜。延伸到象素部分外面的屏蔽膜904通過氧化物907在由參考標(biāo)記905表示的區(qū)域中與導(dǎo)電膜906疊加。導(dǎo)電膜906是與象素電極136同時(shí)形成的，氧化物907是與氧化物135同時(shí)形成的。然后導(dǎo)電膜906通過形成在第二層間絕緣膜15和鈍化膜14中的接觸孔908與提供公共電位的電源線909連接。此時(shí)在由屏蔽膜904、氧化物907、和導(dǎo)電膜906形成的區(qū)域905中形成電容器。當(dāng)該電容器的容量足夠大時(shí)(當(dāng)其容量是與一個(gè)掃描行中的所有象素連接的所有電容存儲器的總?cè)萘康?0倍數(shù)量級時(shí))，通過形成在區(qū)域905中的靜態(tài)耦合可以減小屏蔽膜904和134的電位波動(dòng)。此外，當(dāng)采用圖9B的結(jié)構(gòu)時(shí)，最好采用源線倒置驅(qū)動(dòng)作為有源矩陣型液晶顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法。如果使用源線倒置驅(qū)動(dòng)，則施加于象素電極的極性對于每幀來說倒置，因此在屏蔽膜中積累的電荷的時(shí)間平均量接近與零。換言之，可以保持極小的電位波動(dòng)，因此可形成穩(wěn)定的電容存儲器。通過采用圖9B的結(jié)構(gòu)，可以使屏蔽膜保持在公共電位，而不增加步驟數(shù)量。應(yīng)該指出，通過只改變實(shí)施例1的一部分制造步驟，其它步驟與實(shí)施例1的相同，可以實(shí)現(xiàn)實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)。因此，可以將實(shí)施例5適用于實(shí)施例2所示的有源矩陣型液晶顯示器件。此外，可以將實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例3或?qū)嵤├?所示結(jié)構(gòu)自由組合。實(shí)施例6在實(shí)施例6中介紹制造結(jié)構(gòu)不同于圖1結(jié)構(gòu)的有源矩陣襯底。說明中使用了圖10A和10B。應(yīng)該指出，實(shí)施例6是改變圖1所示結(jié)構(gòu)的一部分的例子，因此相同部件采用與圖1相同的標(biāo)記。此外，沒變的部分對應(yīng)圖1的那些部分，因此省略其說明。首先，氧化物31用做用于圖10A所示有源矩陣襯底的第三柵絕緣膜。氧化物31是通過氧化浮置柵極107獲得的氧化物膜，在實(shí)施例6中為氧化鉭膜。可使用熱氧化、陽極氧化、或等離子體氧化作為氧化方法，但是最好使用熱氧化以便得到高質(zhì)量的膜。此外，形成的膜厚可以與實(shí)施例1的相同，為3-20nm(典型為5-10nm)。應(yīng)指出，也可以同時(shí)在形成在驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分中的各TFT柵極116、123、131a和131b的表面上形成氧化物32、33、34a和34b。然而，可以通過掩模驅(qū)動(dòng)電路部分或象素部分，然后進(jìn)行氧化步驟，只在存儲晶體管的浮置柵極上形成氧化物。當(dāng)然，如果使用陽極氧化，則通過只在浮置柵極中選擇流過電流而選擇形成氧化物。另外，最好在圖4B的步驟和圖4C的步驟之間進(jìn)行該氧化步驟。這是因?yàn)橥ㄟ^柵極131a和131b的表面被氧化物34a和34b覆蓋的狀態(tài)進(jìn)行圖4C的步驟，可以形成偏置區(qū)域35a-35d，如圖11所示。注意圖11是圖10A所示象素TFT的一部分(漏區(qū)附近)的放大剖視圖。在這種情況下，偏置區(qū)域35a和35b存在于溝道形成區(qū)129a和129b和由n型雜質(zhì)區(qū)(c)形成的LDD區(qū)128a-128d之間。偏置區(qū)域35a和35b的長度近似符合氧化物34a和34的膜厚(嚴(yán)格地講，該膜厚是在形成在柵極側(cè)壁中的部分的膜厚)。然而，偏置區(qū)域35a和35b的長度當(dāng)然由于在磷摻雜過程中卷繞而比氧化物34a和34b的膜厚短。對于本發(fā)明來說，偏置區(qū)域35a和35b的長度為零或?yàn)?-200nm(20-100nm較好，為30-70nm更好)。可利用氧化物34a和34b的膜厚控制該長度?？梢詫⒕哂袌D10A所示結(jié)構(gòu)的象素TFT設(shè)置為極低值。即，當(dāng)TFT具有源和漏之間的14V電壓和-17.5V的柵壓時(shí)，它完全處于截止操作，則可實(shí)現(xiàn)5pA或更低的截止電流值(最好為1pA或更低)。另外，圖10B的結(jié)構(gòu)類似于圖10A的結(jié)構(gòu)，但其特征在于控制柵極36與源布線109和漏布線110同時(shí)形成。在形成將源布線連接于漏布線(或?qū)⒙┎季€連接于源布線)的接觸孔時(shí)，通過在浮置柵極107的頂部形成開口來實(shí)現(xiàn)這種類型的結(jié)構(gòu)。應(yīng)指出，對于開口的形成，第一層間絕緣膜12和第三柵絕緣膜31的腐蝕選擇性越高越好。而且，偏置區(qū)域35a和35b存在于溝道形成區(qū)129a和129b和由n型雜質(zhì)區(qū)(c)形成的LDD區(qū)128a-128d之間，與圖10A相同。前面已經(jīng)對于圖10A介紹了偏置區(qū)域的效果，因此這里省略其說明。應(yīng)指出，通過用熱氧化步驟、陽極氧化步驟或等離子體氧化步驟簡單代替實(shí)施例1中的第三柵絕緣膜240淀積步驟，可以實(shí)現(xiàn)實(shí)施例6的結(jié)構(gòu)?？蓪?shí)施例6的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例2-5的任一個(gè)的結(jié)構(gòu)自由組合。實(shí)施例7在實(shí)施例7中介紹結(jié)構(gòu)不同于圖1的結(jié)構(gòu)的有源矩陣襯底的制造情況。說明中使用了圖12。應(yīng)指出，實(shí)施例7是改變圖1中所示的一部分結(jié)構(gòu)的例子，因此與圖1中相同的部件使用相同的標(biāo)記。此外，沒有改變的部分對應(yīng)于圖1的相同部分，因此省略了其說明。利用低壓熱CVD形成的絕緣膜1201用做圖12中所示的有源矩陣襯底中的第一柵絕緣膜。在實(shí)施例7中，用SiH4氣體(流速為0.3×10-6m3/s)和N2O(流速為1.5×10-5m3/s)作為淀積氣體，可以在800℃的淀積溫度和40Pa的淀積壓力下進(jìn)行膜淀積。此外，膜厚可以與實(shí)施例1中的相同，為3-20nm(最好為5-10nm)。當(dāng)然，在淀積第一柵絕緣膜1201之后可以進(jìn)行與實(shí)施例1相同的熱氧化步驟。當(dāng)執(zhí)行實(shí)施例7時(shí)，在象素部分中的第二柵絕緣膜13和第一柵絕緣膜1201的層疊膜(如果進(jìn)行上述熱氧化步驟，則還包括熱氧化物膜)用做柵絕緣膜。應(yīng)該指出，除了對實(shí)施例1增加了第一柵絕緣膜1201淀積步驟之外，沒有必須改變的特別步驟，因此參照實(shí)施例1可以很容易地實(shí)現(xiàn)實(shí)施例7。此外，通過將其與實(shí)施例2-6中任何結(jié)構(gòu)自由結(jié)合可以實(shí)現(xiàn)實(shí)施例7的構(gòu)造。實(shí)施例8在玻璃或塑料作為襯底的情況下，也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。當(dāng)然，在這種情況下，考慮到由玻璃或塑料制成的襯底的熱阻而必須形成TFTs。最好是，通過利用激光結(jié)晶技術(shù)、或利用固態(tài)生長技術(shù)(熱結(jié)晶技術(shù))與激光結(jié)晶技術(shù)一起進(jìn)行非晶半導(dǎo)體膜的結(jié)晶，形成成為有源層的半導(dǎo)體膜。如果使用激光結(jié)晶技術(shù)，甚至可以在塑料襯底或塑料膜上形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。另外，利用等離子體CVD或?yàn)R射形成第一柵絕緣膜、第二柵絕緣膜和第三柵絕緣膜。特別是，希望使用ECR(電子回旋共振)等離子體CVD或遠(yuǎn)程等離子體CVD，因?yàn)殡S著抑制對有源層的損傷，可形成高質(zhì)量的絕緣膜。應(yīng)指出，除了第一柵絕緣膜、第二柵絕緣膜、和第三柵絕緣膜的形成步驟變化之外，沒有特別的步驟需要改變，因此可以參照實(shí)施例1實(shí)現(xiàn)實(shí)施例8。此外，通過將其與實(shí)施例2-6任何結(jié)構(gòu)自由結(jié)合可以實(shí)現(xiàn)實(shí)施例8的構(gòu)造。實(shí)施例9實(shí)施例9中介紹可形成本發(fā)明的存儲部分的非揮發(fā)存儲器的電路結(jié)構(gòu)。具體地說，說明中參照了用NOR型閃爍存儲器作為圖7所示液晶顯示器件(液晶組件)中的存儲部分706的圖13A和13B。應(yīng)該指出，圖13A和13B中只示出了并聯(lián)連接的四個(gè)存儲晶體管的兩個(gè)扇區(qū)，但該結(jié)構(gòu)不限于此。在圖13A中，四個(gè)存儲晶體管42-45與用參考標(biāo)記B1表示的位布線41連接。參考標(biāo)記B2也一樣。此外，各存儲晶體管42-45由字布線47-50控制，并用參考標(biāo)記W1-W4表示，作為控制柵極。應(yīng)該指出，在本說明書中，特別是，疊加TFT的有源層的字布線的區(qū)域被稱為控制柵極。此外，雖然圖中未示出，實(shí)際上浮置柵極位于控制柵極下面。用由圖13A的電路圖表示的NOR型閃爍存儲器作為實(shí)際元件圖形，它示于圖13B中。所用的每個(gè)標(biāo)號對應(yīng)圖13A的相同標(biāo)號?？梢酝ㄟ^將其與實(shí)施例1-8的任何結(jié)構(gòu)自由結(jié)合實(shí)現(xiàn)實(shí)施例9的構(gòu)造。實(shí)施例10在實(shí)施例10中介紹可形成本發(fā)明的存儲部分的非揮發(fā)存儲器的電路結(jié)構(gòu)。具體地說，說明中參照了用NAND型閃爍存儲器作為圖7所示液晶顯示器件(液晶組件)中的存儲部分706的圖14A和14B。應(yīng)該指出，圖14A和14B中只示出了并聯(lián)連接的八個(gè)存儲晶體管的兩個(gè)扇區(qū)，但其結(jié)構(gòu)不限于此。在圖14A中，兩個(gè)選擇晶體管51和52、和八個(gè)存儲晶體管56-63與用參考標(biāo)記B1表示的位布線55連接。參考標(biāo)記B2也一樣。此外，選擇晶體管51和52分別由選擇柵布線53和54控制，并用參考標(biāo)記S1和S2表示，各存儲晶體管56-63由字布線64-71控制，這些布線用參考標(biāo)記W1-W8表示，作控制柵極。應(yīng)注意，在本說明書中，特別是，疊加TFT的有源層的字布線的區(qū)域被稱為控制柵極。此外，雖然圖中未示出，但實(shí)際上浮置柵極存在于控制柵極下面。通過表示由圖14A的電路圖作為實(shí)際元件圖形示出的NAND型閃爍存儲器，并示于圖14B中。所用的每個(gè)標(biāo)記對應(yīng)于圖14A中的那些標(biāo)記?？梢酝ㄟ^將其與實(shí)施例1-8的任何的結(jié)構(gòu)自由結(jié)合可以實(shí)現(xiàn)實(shí)施例10的構(gòu)造。而且存儲部分可以與實(shí)施例9中所示的NOR型閃爍存儲器結(jié)合形成。實(shí)施例11在實(shí)施例11中介紹除了存儲部分、驅(qū)動(dòng)電路部分或象素部分以外對本發(fā)明的電光器件增加γ(gamma)補(bǔ)償電路作為信號處理電路的情況。應(yīng)該指出，γ補(bǔ)償電路是進(jìn)行γ補(bǔ)償?shù)碾娐?。術(shù)語γ補(bǔ)償是通過給圖象信號添加適當(dāng)電壓以便使施加于象素電極的電壓和形成在其上的液晶或EL層的透光強(qiáng)度之間成為線性關(guān)系的補(bǔ)償。圖15是用在根據(jù)實(shí)施例11的液晶顯示器件(或EL顯示器件)中的有源矩陣襯底的方框圖。在象素部分75的周邊形成源線驅(qū)動(dòng)電路76和柵線驅(qū)動(dòng)電路77，此外，形成γ補(bǔ)償電路78和非揮發(fā)存儲器(在實(shí)施例11中為閃爍存儲器)79。另外，經(jīng)過FPC(撓性印刷電路)80發(fā)送如圖象信號、時(shí)鐘信號和同步信號等信號。在非揮發(fā)存儲器79中包含為了將γ補(bǔ)償施加于從個(gè)人計(jì)算機(jī)或電視接收機(jī)天線發(fā)送的圖象信號的補(bǔ)償數(shù)據(jù)，γ補(bǔ)償電路78參照補(bǔ)償數(shù)據(jù)對圖象信號進(jìn)行γ補(bǔ)償。在運(yùn)送液晶顯示器件之前可以一次存儲用于γ補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)，但也可以有規(guī)律地再此寫入補(bǔ)償數(shù)據(jù)。另外，即使在用相同方式制造的液晶顯示器件中，也有液晶光學(xué)響應(yīng)特性(如透光強(qiáng)度和施加電壓之間的前述關(guān)系)細(xì)微不同的情況。在這種情況下同樣可以存儲對于每個(gè)液晶顯示器件的不同的γ補(bǔ)償補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并且在實(shí)施例11中可以獲得相同的圖象質(zhì)量。應(yīng)該指出，當(dāng)在非揮發(fā)存儲器79中存儲用于γ補(bǔ)償?shù)难a(bǔ)償數(shù)據(jù)時(shí)，最好使用由本發(fā)明的申請人提出的日本專利申請No.平10-156696中所述的方法。而且，涉及γ補(bǔ)償?shù)恼f明已經(jīng)包含在上面的描述中了。此外，存儲在非揮發(fā)存儲器中的補(bǔ)償數(shù)據(jù)是數(shù)字信號，因此當(dāng)需要時(shí)最好在同一襯底上形成D/A轉(zhuǎn)換器或A/D轉(zhuǎn)換器。應(yīng)說明，可以通過將其與實(shí)施例1-10中任何的結(jié)構(gòu)自由結(jié)合而實(shí)現(xiàn)實(shí)施例11的構(gòu)造。實(shí)施例12在實(shí)施例12中介紹除了存儲部分、驅(qū)動(dòng)電路部分和象素部分之外對本發(fā)明的電光器件添加存儲器控制電路的情況。應(yīng)指出，存儲器控制電路是用于控制非揮發(fā)存儲器的存儲和讀出操作的控制電路。圖16是根據(jù)實(shí)施例12用在液晶顯示器件(或EL顯示器件)中的有源矩陣襯底的方框圖。在象素部分81的周邊形成源線驅(qū)動(dòng)電路82和柵線驅(qū)動(dòng)電路83，此外，形成存儲器控制電路84和非揮發(fā)存儲器(在實(shí)施例12中為閃爍存儲器)85。另外，經(jīng)過FPC(撓性印刷電路)86發(fā)送如圖象信號、時(shí)鐘信號和同步信號等信號。在非揮發(fā)存儲器85中每幀包含從個(gè)人計(jì)算機(jī)或電視接收天線發(fā)送的圖象信號，該圖象信號依次輸入到象素部分用于顯示。在非揮發(fā)存儲器85中存儲用于在象素部分81中顯示的圖象的每幀的圖象信息。例如，當(dāng)發(fā)送6位數(shù)字信號作為圖象信號時(shí)，必須具有對應(yīng)象素?cái)?shù)量6位的倍數(shù)的存儲容量。應(yīng)該指出，存儲在非揮發(fā)存儲器中的圖象數(shù)據(jù)是數(shù)字信號，因此在需要時(shí)最好在同一襯底上形成D/A轉(zhuǎn)換器或A/D轉(zhuǎn)換器。利用實(shí)施例12的結(jié)構(gòu)，在象素部分81上顯示的圖象被有規(guī)律地存儲于非揮發(fā)存儲器85中，并可以很容易地進(jìn)行如圖象的暫停等操作。換言之，通過具有有規(guī)律地將存儲在非揮發(fā)存儲器85中的圖象信號發(fā)送給象素部分81的存儲器控制電路84，可以自由暫停電視播放而不用將其記錄在如視頻板等器件中。此外，存儲1幀的例子示于圖12中，但如果非揮發(fā)存儲器85中的存儲容量可以增加到圖象信息的幾百幀或幾千幀的水平，則可以重新播放前面幾秒或幾分鐘圖象。應(yīng)指出，可以通過將其與實(shí)施例1-10中任何的結(jié)構(gòu)自由結(jié)合而實(shí)現(xiàn)實(shí)施例12的構(gòu)造。實(shí)施例13在實(shí)施例1中所示的制造工藝?yán)又?，前提是在形成n溝道TFT的柵極之前預(yù)先形成n型雜質(zhì)區(qū)(b)。該制造工藝的特征在于，然后用自對準(zhǔn)方式形成p型雜質(zhì)區(qū)(a)和n型雜質(zhì)區(qū)(c)。但是，為了獲得本發(fā)明的效果，最終結(jié)構(gòu)應(yīng)該類似于圖5C所示的結(jié)構(gòu)，并且不限制形成該結(jié)構(gòu)的步驟。因此，雜質(zhì)區(qū)形成順序可以由操作者適當(dāng)改變。此外，根據(jù)環(huán)境情況，可利用抗蝕劑掩模形成p型雜質(zhì)區(qū)(a)和n型雜質(zhì)區(qū)(c)。換言之，如圖5C所示，只要最后TFTs具有根據(jù)每個(gè)電路而不同的結(jié)構(gòu)，可以采用任何工藝順序的組合。實(shí)施例14在常規(guī)MOSFET上形成層間絕緣膜，然后在其頂部形成TFT時(shí)可以使用本發(fā)明。換言之，可以實(shí)現(xiàn)具有三維結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。此外，可以使用SOI襯底如SIMOX、Smat-Cut(SOITEC公司的注冊商標(biāo))、或ELTRAN(Canon有限公司的注冊商標(biāo))作為襯底。另外，可以用單晶半導(dǎo)體薄膜作為有源層。說明一下，可以將實(shí)施例14與實(shí)施例1-13的任何的結(jié)構(gòu)自由結(jié)合。實(shí)施例15在根據(jù)本發(fā)明制造的液晶顯示器件中可使用各種類型的液晶材料。給出上述液晶材料的例子如下TN液晶；PDLC(聚合物彌散液晶)；FLC(鐵電液晶)；AFLC(反鐵電液晶)；和FLC和AFLC(反鐵電組合液晶)的混合物。例如，可以使用在下列文獻(xiàn)中公開的液晶材料Furue，H，etat.，”CharacteristicsandDrivingSchemeofPolymer-stabilizedMonostableFLCDExhibitingFastResponseTimeandHighContrastRatiowithGray-scaleCapability”SID，1998；Yoshida，T.，etal.，”AFull-colorThresholdlessAntiferroelectricLCDExhibitingWideViewingAnglewithFastResponseTime，”SIDDigest，841，1997；Inui，S.，etal.，“Thresholdlessantiferroelectricityinliquidcrystalsanditsapplicationtodisplays，”J.Mater.Chem.，6(4)，pp.671-3，1996；和美國專利號5594569。特別是，在呈現(xiàn)透光度連續(xù)隨著電場變化的電光響應(yīng)特性的無閾值反鐵電液晶(簡稱為TL-AFLC)當(dāng)中，有呈現(xiàn)V形(或U形)電光響應(yīng)特性的TL-AFLCs，并且具有±2.5V數(shù)量級的驅(qū)動(dòng)電壓的那些TL-AFLC(單元厚度約為1-2μm)較突出。因此，有被象素電路使用的電源電壓位于5-8V范圍內(nèi)的情況，并且建議可以用相同電源電壓操作控制電路和象素電路。換言之，整個(gè)液晶顯示器件可以實(shí)現(xiàn)低功耗。此外，鐵電液晶和反鐵電液晶與TN液晶相比有響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)。對于被本發(fā)明使用的TFTs可以實(shí)現(xiàn)極高速操作的TFTs，因此充分利用鐵電液晶和反鐵電液晶的快響應(yīng)速度，可以實(shí)現(xiàn)具有快圖象響應(yīng)速度的液晶顯示器件。而且，一般情況下，無閾值反鐵電混合液晶的自發(fā)極化很大，并且液晶本身的介電常數(shù)很高。因此，當(dāng)無閾值反鐵電混合液晶用于液晶顯示器件時(shí)，對于象素來說需要較大的電容存儲器。因此，希望使用有小的自發(fā)極化的無閾值反鐵電混合液晶。為此，實(shí)施例1的圖1所示的電容存儲器可以用小表面面積存儲大容量，并且這是優(yōu)選的。應(yīng)說明一下，當(dāng)然，使用實(shí)施例15的液晶顯示器件作為用于電子設(shè)備如個(gè)人計(jì)算機(jī)的顯示器也是有效的。此外，可以將實(shí)施例15的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1-14的任何一個(gè)的結(jié)構(gòu)自由組合。實(shí)施例16可以將本發(fā)明應(yīng)用于有源矩陣型EL(電致發(fā)光)顯示器(還稱為EL顯示器件)。該例示于圖17中。圖17是實(shí)施例16的有源矩陣型EL顯示器的電路圖。參考標(biāo)記91表示顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域的周邊形成x方向(源側(cè))驅(qū)動(dòng)電路92和y方向(柵側(cè))驅(qū)動(dòng)電路93。顯示區(qū)域91的每個(gè)象素具有開關(guān)TFT94、電容器95、電流控制TFT96和EL元件97。x方向信號線(源信號線)98a(或98b)和y方向信號線(柵信號線)99a(或99b或99c)與開關(guān)TFT94連接。此外，電源線100a和100b與電流控制TFT96相連。應(yīng)說明一下，實(shí)施例1、4和6-13的任何一個(gè)的結(jié)構(gòu)可用于實(shí)施例16的有源矩陣型EL顯示器。實(shí)施例17在實(shí)施例17中給出使用本發(fā)明的有源矩陣型EL(電致發(fā)光)顯示器的制造例子的說明。應(yīng)指出，圖18A是實(shí)施例17的EL顯示器件的頂視圖，圖18B是其剖視圖。在圖18A中，參考標(biāo)記4001表示襯底，4002表示象素部分，4003表示源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，4004表示柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路。兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路通過布線4005引到FPC(撓性印刷電路)4006上，并由此連接于外部設(shè)備。形成第一密封材料4101、覆蓋材料4102、填充材料4103和第二密封材料4104，以便包圍象素部分4002、源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4003、和柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4004。此外，圖18B對應(yīng)沿著線A-A’截取的圖18A的剖視圖，在襯底4001上形成包含于源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4003中的驅(qū)動(dòng)器TFT(但是，這里圖中示出n溝道TFT和p溝道TFT)4201和包含于象素部分4002中的電流控制TFT(用于控制到EL元件的電流的TFT)4202。在實(shí)施例17中，結(jié)構(gòu)與圖1的n溝道TFT302和p溝道TFT303的結(jié)構(gòu)相同的TFTs被用在驅(qū)動(dòng)器TFT4201中，并且結(jié)構(gòu)與圖1的p溝道TFT303的結(jié)構(gòu)相同的TFTs被用在電流控制TFT4202中。此外，在同一襯底上形成存儲部分，使用結(jié)構(gòu)與圖1的存儲晶體管301相同的TFT。另外，在象素部分4002中形成與電流控制TFT4202的柵連接的電容存儲器(圖中未示出)。層間絕緣膜(校平膜)4301由驅(qū)動(dòng)器TFT4201和象素TFT4202上的樹脂材料形成，在層間絕緣膜4301上形成電連接于象素TFT4202的漏的象素電極(陽極)4302。有大功函數(shù)的透明導(dǎo)電膜用做象素電極4302。氧化銦和氧化錫化合物、或氧化銦和氧化鋅化合物可用作透明導(dǎo)電膜。然后在象素電極4302上形成絕緣膜4303，并在象素電極4302上的絕緣膜4303中形成開口。EL(電致發(fā)光)層4303形成在開口中的象素電極4302上。EL層4304可以用公知有機(jī)EL材料或公知無機(jī)EL材料形成。此外，公知有機(jī)EL材料屬于低分子量型(單體型)材料，并且高分子量型(聚合物)材料也存在，可以使用任何一種。公知蒸發(fā)技術(shù)或涂敷技術(shù)可用做EL層4304的形成方法。而且，EL層結(jié)構(gòu)可以是單層結(jié)構(gòu)，或者是下列層的自由組合的層疊結(jié)構(gòu)空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、或電子注入層。然后在EL層4304上用具有光屏蔽性能的導(dǎo)電膜(典型地，用鋁、銅或銀作為其基本成分的導(dǎo)電膜，或這些和其它導(dǎo)電膜的層疊膜)形成陰極4305。而且，最好盡可能多地除去存在于陰極4305和EL層4304的邊界的潮氣和氧。因此，必須接下來在真空中淀積、或在氮?dú)饣蚨栊詺怏w氣氛中形成EL層4304，然后形成陰極4305，而不暴露于氧或潮氣。可以在實(shí)施例17中用多室型(成組工具型)淀積裝置進(jìn)行上述膜淀積。然后陰極4305在由參考標(biāo)記4306表示的區(qū)域中與布線4005電連接。布線4005是給陰極4305提供預(yù)定電壓的布線，并通過定向?qū)щ娔?307與FPC4006電連接。由此EL元件由象素電極(陽極)4302、EL層4304、陰極4305形成。該EL元件被第一密封材料4101和通過第一密封材料4101連接于襯底4001的覆蓋材料4102圍繞，并被填充材料4103包圍。玻璃材料、金屬材料(典型為不銹鋼片)、陶瓷材料和塑料材料(包括塑料膜)都可用做覆蓋材料4102。FPR(纖維玻璃增強(qiáng)塑料)板、PVF(聚氟乙烯)膜、Mylar膜、聚酯膜或丙烯酸樹脂膜都可用做塑料材料。此外，還可以使用具有鋁膜被PVF膜或Mylar膜夾在其間的結(jié)構(gòu)的板。然而，當(dāng)來自EL元件的光輻射方向是向著覆蓋材料一側(cè)時(shí)，則覆蓋材料必須是透明的。在這種情況下，使用透明襯底，如玻璃板、塑料板、聚酯膜、或丙烯酸膜。而且，紫外光硬化樹脂或熱硬化樹脂可用做填充材料4103，并可以使用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅氧烷樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)、和EVA(乙撐乙烯基乙酸酯)。如果在填充材料4103內(nèi)部形成潮氣吸收物質(zhì)(最好為氧化鋇)，則可以抑制EL元件的退化。此外，在填充材料4103中可以包含間隔物。如果間隔物是由氧化鋇形成，則間隔物本身就可以吸收潮氣。另外，當(dāng)形成間隔物時(shí)，可有效地在陰極4305上形成樹脂膜作為從間隔物釋放壓力的緩沖層。布線4005通過定向?qū)щ娔?307與FPC4006電連接。布線4005將一次發(fā)送給象素部分4002、源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4003、和柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4004的信號傳輸?shù)紽PC4006，并通過FPC4006與外部設(shè)備電連接。此外，在實(shí)施例17中，第二密封材料4104形成得以便覆蓋第一密封材料4101的露出部分和一部分FPC4006，這就是EL元件完全與氣氛屏蔽的結(jié)構(gòu)。由此獲得具有圖18B的剖面結(jié)構(gòu)的EL顯示器件?？梢酝ㄟ^組合1、4、6-13和16的任何的結(jié)構(gòu)而制造實(shí)施例17的EL顯示器件。象素部分的更細(xì)節(jié)的剖面結(jié)構(gòu)示于圖19中，頂部結(jié)構(gòu)示于圖20A中，而電路圖示于圖20B中。圖19、圖20A和圖20B中使用相同標(biāo)號，因此可以一起參考這些圖。在圖19中，用形成在圖1的象素部分中的n溝道TFT304形成形成在襯底4401中的開關(guān)TFT4402。因此，關(guān)于開關(guān)TFT4402的結(jié)構(gòu)說明可以參照n溝道TFT304的說明。此外，用參考標(biāo)記4403表示的布線是用于電連接開關(guān)TFT4402的柵極4404a和4404b的柵布線。應(yīng)該指出，在實(shí)施例17中使用了其中形成兩個(gè)溝道形成區(qū)的雙柵結(jié)構(gòu)，但也可以使用形成有一個(gè)溝道形成區(qū)的單柵結(jié)構(gòu)、或其中形成三個(gè)溝道形成區(qū)的三柵結(jié)構(gòu)。而且，開關(guān)TFT4402的漏布線4405與電流控制TFT4406的柵極4407電連接。應(yīng)說明一下，電流控制TFT4406是用圖1的p溝道TFT303形成的。因此，對于電流控制TFT4406的結(jié)構(gòu)的介紹可以參考p溝道TFT303的說明。另外，雖然實(shí)施例17中采用單柵結(jié)構(gòu)，但也可以采用雙柵結(jié)構(gòu)或三柵結(jié)構(gòu)。在開關(guān)TFT4402和電流控制4406上形成第一鈍化膜4408，并在鈍化膜4408上用樹脂形成校平膜4409。通過使用校平膜4409，在TFTs中有水平臺階變化是非常重要的。后來形成的EL層非常薄，因此由于存在臺階而引起不良發(fā)光的情況。因而，最好在形成象素電極之前進(jìn)行校平，盡可能在水平表面上形成EL層。參考標(biāo)記4410表示由透明導(dǎo)電膜制成的象素電極(EL元件陽極)，該象素電極與電流控制TFT4406的漏布線4410電連接。由如氧化銦和氧化錫化合物、或氧化銦和氧化鋅化合物等材料制成的導(dǎo)電膜可用做象素電極4410。在象素電極4410上形成EL層4412。雖然圖19中只示出一個(gè)象素，但在實(shí)施例17中EL層被分割以對應(yīng)顏色R(紅)、G(綠)、和B(藍(lán))，此外，在實(shí)施例17中用蒸發(fā)方法形成低分子量有機(jī)EL材料。具體地說，它是作為空穴注入層形成的20nm厚的酞菁銅(CuPc)膜和形成在頂部作為發(fā)光層的70nm厚的三-8-羥基喹啉酸鋁(tris-8-quinolinolatealuminum)絡(luò)合物(Alq3)膜的層疊結(jié)構(gòu)。通過向Alq3中摻雜熒光顏料，可控制發(fā)射的光的顏色。然而，上述例子是可以用做EL層的有機(jī)EL材料的一個(gè)例子，但并不限于此。還可以通過自由組合發(fā)光層、載荷流子層、和電荷注入層而形成EL層(用于進(jìn)行發(fā)光和用于發(fā)光的載流子移動(dòng)的層)。例如，實(shí)施例17中所示的例子是使用低分子量有機(jī)EL材料作為實(shí)施例17中的EL層的例子，但也可以使用高分子量EL材料。此外，可以使用無機(jī)材料如碳化硅作為載荷流子層或電荷注入層。公知材料可用做這些有機(jī)EL材料和無機(jī)EL材料。然后用有光屏蔽特性的導(dǎo)電膜在EL層4412上形成陰極4413。在實(shí)施例17中，鋁和鋰的合金膜用做光屏蔽導(dǎo)電膜。當(dāng)然，也可以使用公知的MgAg膜(鎂和銀的合金膜)。由位于元素周期表1族或2族的元素制成的導(dǎo)電膜、或用1族或2族元素?fù)诫s的導(dǎo)電膜可用做陰極材料。這樣在形成陰極4413時(shí)就完成了EL元件4414。應(yīng)說明，這里使用的EL元件4414指的是由象素電極(陽極)4410、EL層4412、和陰極4413形成的電容器。下面參照圖20A介紹實(shí)施例17中的象素的頂部結(jié)構(gòu)。開關(guān)TFT4402的源與源布線4415連接，其漏與漏布線4405連接。另外，漏布線4405與電流控制TFT4406的柵極4407電連接。此外，電流控制TFT4406的源與電源線4416電連接，其漏與漏布線4417電連接。漏布線4417與由虛線表示的象素電極(陽極)4418電連接。此時(shí)在由參考標(biāo)記4419表示的區(qū)域中形成電容存儲器。在與電源線4416電連接的半導(dǎo)體膜4420、在同一層上作為柵絕緣膜的絕緣膜(圖中未示出)和柵極4407之間形成電容存儲器4419。此外，可以用由柵極4407、在同一層上作為第一層間絕緣膜的絕緣膜(圖中未示出)、和電源線4416形成的電容作為電容存儲器。應(yīng)該說明一下，可以通過將其與實(shí)施例1、4、6-13和16的任何的結(jié)構(gòu)自由組合而實(shí)現(xiàn)實(shí)施例17的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例18在實(shí)施例18中介紹具有不同于實(shí)施例17的象素結(jié)構(gòu)的EL顯示器件。說明中參照圖21。此外，對于具有與圖19中相同標(biāo)記的部分的說明可以參照實(shí)施例17。結(jié)構(gòu)與圖1的n溝道TFT302的結(jié)構(gòu)相同的TFT用做圖21中的電流控制TFT4501。當(dāng)然電流控制TFT4501的柵極4502與開關(guān)TFT4402的漏布線4405相連。此外，電流控制TFT4501的漏布線4503與象素電極4504電連接。如果施加于EL元件的電壓為10V或更高，則由于熱載流子效應(yīng)引起的退化變得顯著，因此使用有與圖1的n溝道TFT302相同的結(jié)構(gòu)的TFT作為電流控制TFT4501是有效的。此外，如果施加于EL元件的電壓為10V或更低，則由于熱載流子效應(yīng)引起的退化不成為問題，因此可以使用具有其中從n溝道TFT302省略LDD區(qū)114的結(jié)構(gòu)的TFT。在實(shí)施例18中，象素電極4504用做EL元件的陰極，并且是使用有光屏蔽特性的導(dǎo)電膜形成的。具體地說，使用鋁和鋰的合金膜，但是也可以使用由位于元素周期表1族或2族的元素制成的導(dǎo)電膜、或用1族或2族元素?fù)诫s的導(dǎo)電膜。在象素電極4504上形成EL層505。應(yīng)指出，在圖21中只示出一個(gè)象素，在實(shí)施例18中，用蒸發(fā)方法或涂敷方法(最好是旋涂法)形成對應(yīng)G(綠)的EL層。具體地說，使用作為電子注入層形成的20nm厚的氟化鋰(LiF)膜、和形成在頂部作為發(fā)光層的70nm厚的PPV(polyparaphelenevinyl)膜的層疊結(jié)構(gòu)。接著在EL層4505上形成由透明導(dǎo)電膜制成的陽極4506。在實(shí)施例18中使用由如氧化銦和氧化錫化合物、或氧化銦和氧化鋅化合物等化合物制成的導(dǎo)電膜。由此在形成陽極4506時(shí)完成EL元件4507。應(yīng)該說明，這里EL元件4507表示由象素電極(陰極)4504、EL層4505和陽極4506形成的電容器。應(yīng)該指出，實(shí)施例18的電流控制TFT4501是如此構(gòu)成的，即在柵極4502、和LDD區(qū)4509a和4509b之間形成稱為柵電容器的寄生電容。通過調(diào)整柵電容器，可以賦予它與圖20A和20B所示的電容存儲器4418相同的功能。特別是，當(dāng)按數(shù)字驅(qū)動(dòng)方式操作EL顯示器件時(shí)，電容存儲器的容量比EL顯示器件在按模擬驅(qū)動(dòng)方式操作時(shí)的容量小，因此可以用柵電容器代替電容存儲器。應(yīng)該說明一下，可以通過將其與實(shí)施例1、4、6-13和16的任何的結(jié)構(gòu)自由組合而實(shí)現(xiàn)實(shí)施例18的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例19在實(shí)施例19中，實(shí)施例17或?qū)嵤├?8中所示的EL顯示器件的象素結(jié)構(gòu)的例子示于22A-22C中。應(yīng)該指出，在實(shí)施例19中，參考標(biāo)記4601表示開關(guān)TFT4602的源布線，參考標(biāo)記4603表示開關(guān)TFT4602的柵布線，參考標(biāo)記4604表示電流控制TFT，4605表示電容器，4606和4608表示電源線，4607表示EL元件。圖22A是電源線4606在兩個(gè)象素之間公用的情況的例子。即，其特征在于，兩個(gè)象素形成得關(guān)于電源線4606線性對稱。在這種情況下，可以減少電源線的數(shù)量，因此可以使象素部分具有更高的清晰度。此外，圖22B是電源線4608形成得平行于柵布線4603的情況的例子。應(yīng)該指出，在圖22B中，該結(jié)構(gòu)形成得使電源線4608和柵布線4603不疊加，但如果兩者是形成在不同層上的布線，則它們通過絕緣膜疊加形成。在這種情況下，電源線4608和柵布線4603的專有表面區(qū)域可以共用，并使象素部分具有更高的清晰度。而且，圖22C的特征在于，電源線4608和柵布線4603平行形成，與圖2B的結(jié)構(gòu)相同，此外，兩個(gè)象素形成得關(guān)于電源線4608線性對稱。另外，形成電源線4608以便與柵布線4603之一疊加是有效的。在這種情況下，可減少電源線的數(shù)量，因此可使象素部分具有更高的清晰度。實(shí)施例20在實(shí)施例20中，實(shí)施例17或?qū)嵤├?8所示的EL顯示器件的象素結(jié)構(gòu)的例子示于圖23A和23B中。說明一下，在實(shí)施例20中，參考標(biāo)記4701表示開關(guān)TFT4702的源布線，參考標(biāo)記4703表示開關(guān)TFT4702的柵布線，參考標(biāo)記4704表示電流控制TFT，參考標(biāo)記4705表示電容器(可以省略該電容器)，參考標(biāo)記4706表示電源線，4707表示電源控制TFT，參考標(biāo)記4709表示電源控制柵布線，參考標(biāo)記4708表示EL元件。關(guān)于電源控制TFT4707的操作可參考日本專利申請No.平11-341272。另外，在實(shí)施例20中電源控制TFT4707形成在電流控制TFT4704和EL元件4708之間，但也可以采用電流控制TFT4704形成在電源控制TFT4707和EL元件4708之間的結(jié)構(gòu)。而且，最好制成具有與電流控制TFT4704相同的結(jié)構(gòu)的電源控制TFT4707，或然后在同一有源層上連續(xù)形成。圖23A是電源線4706在兩個(gè)象素之間公用的情況的例子。即，其特征在于兩個(gè)象素形成得關(guān)于電源線4706線性對稱。在這種情況下，可減少電源線的數(shù)量，因此可使象素部分具有更高的清晰度。此外，圖23B是電源線4710平行于柵布線4703形成并且電源控制柵布線4711平行于源布線4701形成的情況的例子。應(yīng)該指出，在圖23B中，該結(jié)構(gòu)形成得使電源線4710和柵布線4703不疊加，但如果兩者是形成在不同層上的布線，則它們可以通過絕緣膜疊加形成。在這種情況下，電源線4710和柵布線4703的唯一表面區(qū)域被共用，并且使象素部分具有更高的清晰度。實(shí)施例21在實(shí)施例21中，實(shí)施例17或?qū)嵤├?8所示的EL顯示器件的象素結(jié)構(gòu)的例子示于圖24A和24B中。說明一下，在實(shí)施例21中，參考標(biāo)記4801表示開關(guān)TFT4802的源布線，參考標(biāo)記4803表示開關(guān)TFT4802的柵布線，參考標(biāo)記4804表示電流控制TFT，4805表示電容器(可以省略該電容器)，4806表示電源線，4807表示擦除TFT，4808表示擦除柵布線，4809表示EL元件。關(guān)于擦除TFT4807的操作可參考日本專利申請?zhí)卦S公開No.平11-338786。擦除TFT4807的漏與電流控制TFT4804的柵連接，并可以強(qiáng)制改變電流控制TFT4804的柵電壓。另外，擦除TFT4807可用于n溝道TFT或p溝道TFT，但最好具有與開關(guān)TFT4802相同的結(jié)構(gòu)，從而使截止電流更小。圖24A是電源線4806在兩個(gè)象素之間公用的情況的例子。即，其特征在于兩個(gè)象素形成得關(guān)于電源線4806線性對稱。在這種情況下，可減少電源線的數(shù)量，因此使象素部分呈現(xiàn)更高的清晰度。此外，圖24B是電源線4810形成得平行于柵布線4803并且擦除柵布線4811形成得平行于源布線4801的情況的例子。應(yīng)該指出，在圖24B中，該結(jié)構(gòu)形成得使電源線4810和柵布線4803不疊加，但如果兩者是形成在不同層上的布線，則它們可以通過絕緣膜疊加形成。在這種情況下，電源線4810和柵布線4803的專有表面區(qū)域被共用，并使象素部分呈現(xiàn)更高的清晰度。實(shí)施例22根據(jù)本發(fā)明的EL顯示器件可以具有其中象素可包括形成在其中的任何數(shù)量的TFTs的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例20和21各示出在象素中形成三個(gè)TFTs的例子。但是，可以在其中形成4-6個(gè)TFTs。本發(fā)明可以被實(shí)施而EL顯示器件不限于這種結(jié)構(gòu)。實(shí)施例23根據(jù)本發(fā)明的電光器件和半導(dǎo)體電路可用于電子設(shè)備的顯示部分或信號處理電路。作為電子設(shè)備，列舉如下視頻攝像機(jī)；數(shù)字?jǐn)z像機(jī)；投影儀；投影式電視機(jī)；護(hù)目鏡式顯示器(頭部安裝式顯示器)導(dǎo)航系統(tǒng)；聲音重放裝置；筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)；博弈設(shè)備；便攜式信息終端(如可移動(dòng)計(jì)算機(jī)；移動(dòng)電話；便攜式博弈設(shè)備和電子筆記本)；和有記錄介質(zhì)的圖象重放裝置。其具體例子示于圖25A-27B中。圖25A是移動(dòng)電話，由主體2001、聲音輸出部分2002、聲音輸入部分2003、顯示部分2004、操作開關(guān)2005、和天線2006構(gòu)成。本發(fā)明的電光器件可應(yīng)用于顯示部分2004，本發(fā)明的半導(dǎo)體電路可應(yīng)用于聲音輸出部分2002、聲音輸入部分2003、CPU、存儲器等。圖25B是視頻攝像機(jī)，由主體2101、顯示部分2102、聲音輸入部分2103、操作開關(guān)2104、電池2105、和圖象接收部分2106構(gòu)成。本發(fā)明的電光器件可應(yīng)用于顯示部分2102，本發(fā)明的半導(dǎo)體電路可應(yīng)用于聲音輸入部分2103、CPU、存儲器等。圖25C是可移動(dòng)計(jì)算機(jī)，并由主體2201、攝像部分2202、圖象接收部分2203、操作開關(guān)2204和顯示部分2205構(gòu)成。本發(fā)明的電光器件可應(yīng)用于顯示部分2205，本發(fā)明的半導(dǎo)體電路可應(yīng)用于CPU、存儲器等。圖25D是護(hù)目鏡式顯示器，并由主體2301、顯示部分2302、和臂部分2302構(gòu)成。本發(fā)明的電光器件可應(yīng)用于顯示部分2302，本發(fā)明的半導(dǎo)體電路可應(yīng)用于CPU、存儲器等。圖25E是背面式投影儀(投影式電視機(jī))，由主體2401、光源2402、液晶顯示器件2403、極化束分離器2404、反射器2405和2406、和熒光屏2707構(gòu)成。本發(fā)明可應(yīng)用于液晶顯示器件，本發(fā)明的半導(dǎo)體電路可應(yīng)用于CPU、存儲器等圖25F是正面式投影儀，由主體2501、光源2502、液晶顯示器件2503、光學(xué)系統(tǒng)2504、和熒光屏2505構(gòu)成。本發(fā)明可應(yīng)用于液晶顯示器件2503，本發(fā)明的半導(dǎo)體電路可應(yīng)用于CPU、存儲器等圖26A是個(gè)人計(jì)算機(jī)，并由主體2601、圖象輸入部分2602、顯示部分2603、鍵盤2604等構(gòu)成。本發(fā)明的電光器件可應(yīng)用于顯示部分2603，本發(fā)明的半導(dǎo)體電路可應(yīng)用于CPU、存儲器等。圖26B是包括主體2701、記錄介質(zhì)2702、顯示部分2703和控制器2704的電子博弈設(shè)備(博弈設(shè)備)。從電子博弈設(shè)備輸出的聲音和圖象在具有主體2705和顯示部分2706的顯示器中重放。作為控制器2704和主體2701或電子博弈設(shè)備和顯示器之間的通信手段，可采用有線通信、無線通信或光學(xué)通信。在本例中，采用這樣的結(jié)構(gòu)，從而用傳感器部分2707和2708檢測紅外輻射。本發(fā)明的電光器件可應(yīng)用于顯示部分2703，本發(fā)明的半導(dǎo)體電路可應(yīng)用于CPU、存儲器等。圖26C是使用其上記錄了程序的記錄介質(zhì)(以下簡稱為記錄介質(zhì))的播放機(jī)(圖象重放裝置)，并由主體2801、顯示部分2802、揚(yáng)聲器部分2803、記錄介質(zhì)2804、和操作開關(guān)2805構(gòu)成。應(yīng)該指出，DVD(數(shù)字通用盤)、CD等用做用于該裝置的記錄介質(zhì)，并且可用之進(jìn)行音樂欣賞、電影欣賞、游戲和Internet。本發(fā)明可應(yīng)用于象素部分2802、CPU、存儲器等。圖26D是數(shù)字?jǐn)z像機(jī)，由主體2901、顯示部分2902、目鏡部分2903、操作開關(guān)2904、和圖象接收部分(未示出)構(gòu)成，根據(jù)本發(fā)明的電光器件可應(yīng)用于顯示部分2902、CPU、存儲器等?？蓱?yīng)用于圖25E的背面式投影儀和圖25F的正面式投影儀的光學(xué)引擎示于圖27A和27B。圖27A是光學(xué)引擎。圖27B是結(jié)合到光學(xué)引擎中的光學(xué)光源系統(tǒng)。圖27A中所示的光學(xué)引擎由光學(xué)光源系統(tǒng)3001、鏡子3002和3005-3007、二向色鏡3003和3004、光學(xué)透鏡3008a-3008c、棱鏡3011、液晶顯示部分3010和光學(xué)投影系統(tǒng)3012構(gòu)成。光學(xué)投影系統(tǒng)3012由提供有投影透鏡的光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成。本例展示了使用三個(gè)液晶顯示部分3010的三板型的例子，但也可以采用單板型。此外，在由圖27A中的箭頭表示的光學(xué)路徑中，可提供有光學(xué)透鏡、具有極化功能的膠片、調(diào)整相差的膠片、IR膠片等。如圖27B中所示，光學(xué)光源系統(tǒng)3001包括光源3013和3014、復(fù)合棱鏡3015、準(zhǔn)直透鏡3016和3020、透鏡陣列3017和3018、和極化轉(zhuǎn)換元件3019。應(yīng)該指出，圖27B中所示的光學(xué)光源系統(tǒng)使用兩個(gè)光源，但單個(gè)光源也是適用的。還可以采用三個(gè)或更多個(gè)光源。此外，在光學(xué)光源系統(tǒng)的光路徑的某個(gè)位置，可以提供光學(xué)透鏡、具有極化功能的膠片、調(diào)整相差的膠片、IR膠片等。如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍很寬，因此可應(yīng)用于任何領(lǐng)域中的電子設(shè)備。另外，利用實(shí)施例1-22的任何的組合可實(shí)現(xiàn)本例的電子設(shè)備的制造。利用本發(fā)明，可以在同一襯底上設(shè)置具有符合電路和元件所要求的指標(biāo)的合適性能的TFTs，并且可以大大提高電光器件的可操作性能和可靠性。另外，除了象素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分之外，可以在同一襯底上形成存儲部分，因此大大提高了電光器件的性能。此外，可以實(shí)現(xiàn)具有上述電光器件作為顯示器(顯示部分)的電子設(shè)備廣泛利用，并且還可以實(shí)現(xiàn)高性能操作和高可靠性。權(quán)利要求1.一種電光器件，包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過被夾在其間的柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而柵絕緣膜被夾在其間；和具有存儲晶體管的存儲部分，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路部分、所述象素部分和所述存儲部分形成在同一絕緣體上。2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的有源層中的所述LDD區(qū)中含有相同濃度的n型雜質(zhì)元素，并且在所述象素TFT的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度比在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的所述有源層中的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度低。3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中在所述象素部分中形成EL元件。4.具有根據(jù)權(quán)利要求1的電光器件作為顯示部分的電子設(shè)備。5.一種電光器件，包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過被夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而所述第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路部分、所述象素部分和所述存儲部分形成在同一絕緣體上。6.根據(jù)權(quán)利要求5的器件，其中在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的有源層中的所述LDD區(qū)中含有相同濃度的n型雜質(zhì)元素，并且在所述象素TFT的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度比在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的所述有源層中的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度低。7.根據(jù)權(quán)利要求5的器件，其中第一柵絕緣膜的膜厚比第二柵絕緣膜的膜厚薄。8.根據(jù)權(quán)利要求5的器件，其中在所述象素部分中形成EL元件。9.具有根據(jù)權(quán)利要求5的電光器件作為顯示部分的電子設(shè)備。10.一種電光器件，包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過被夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得，而所述第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路部分、所述象素部分和所述存儲部分形成在同一絕緣體上，并且所述第三柵絕緣膜覆蓋所述n溝道TFT的所述柵極和所述象素TFT的所述柵極。11.根據(jù)權(quán)利要求10的器件，其中在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的有源層中的所述LDD區(qū)中含有相同濃度的n型雜質(zhì)元素，并且在所述象素TFT的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度比在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的所述有源層中的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度低。12.根據(jù)權(quán)利要求10的器件，其中第一柵絕緣膜的膜厚比第二柵絕緣膜的膜厚薄。13.根據(jù)權(quán)利要求10的器件，其中在所述象素部分中形成EL元件。14.具有根據(jù)權(quán)利要求10的電光器件作為顯示部分的電子設(shè)備。15.一種電光器件，包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過被夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而所述第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路部分、所述象素部分和所述存儲部分形成在同一絕緣體上，并且所述浮置柵極、所述n溝道TFT的所述柵極、和所述象素TFT的所述柵極是用相同材料形成的，并被所述第三柵絕緣膜覆蓋。16.根據(jù)權(quán)利要求15的器件，其中在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的有源層中的所述LDD區(qū)中含有相同濃度的n型雜質(zhì)元素，并且在所述象素TFT的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度比在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的所述有源層中的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度低。17.根據(jù)權(quán)利要求15的器件，其中第一柵絕緣膜的膜厚比第二柵絕緣膜的膜厚薄。18.根據(jù)權(quán)利要求15的器件，其中在所述象素部分中形成EL元件。19.具有根據(jù)權(quán)利要求15的電光器件作為顯示部分的電子設(shè)備。20.一種電光器件，包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過被夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而所述第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路部分、所述象素部分和所述存儲部分形成在同一絕緣體上，并且所述第三柵絕緣膜包括形成所述浮置柵極的材料的氧化物。21.根據(jù)權(quán)利要求20的器件，其中在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的有源層中的所述LDD區(qū)中含有相同濃度的n型雜質(zhì)元素，并且在所述象素TFT的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度比在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的所述有源層中的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度低。22.根據(jù)權(quán)利要求20的器件，其中第一柵絕緣膜的膜厚比第二柵絕緣膜的膜厚薄。23.根據(jù)權(quán)利要求20的器件，其中在所述象素部分中形成EL元件。24.具有根據(jù)權(quán)利要求20的電光器件作為顯示部分的電子設(shè)備。25.一種電光器件，包括具有n溝道TFT的驅(qū)動(dòng)電路部分，其中一部分LDD區(qū)或整個(gè)LDD區(qū)形成得通過被夾在其間的第二柵絕緣膜疊加?xùn)艠O；具有象素TFT的象素部分，其中LDD區(qū)形成得不疊加?xùn)艠O，而所述第二柵絕緣膜被夾在其間；和具有包含有源層、第一柵絕緣膜、浮置柵極、第三柵絕緣膜和控制柵極的存儲晶體管的存儲部分，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路部分、所述象素部分和所述存儲部分形成在同一絕緣體上，并且所述浮置柵極、所述n溝道TFT的所述柵極、和所述象素TFT的所述柵極是用相同材料形成的，所述第三柵絕緣膜包括形成所述浮置柵極的材料的氧化物。26.根據(jù)根據(jù)權(quán)利要求25的器件，其中在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的有源層中的所述LDD區(qū)中含有相同濃度的n型雜質(zhì)元素，并且在所述象素TFT的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度比在所述n溝道TFT的所述LDD區(qū)中和在包含在所述存儲晶體管的所述有源層中的所述LDD區(qū)中含有的所述n型雜質(zhì)元素的濃度低。27.根據(jù)權(quán)利要求25的器件，其中第一柵絕緣膜的膜厚比第二柵絕緣膜的膜厚薄。28.根據(jù)權(quán)利要求25的器件，其中在所述象素部分中形成EL元件。29.具有根據(jù)權(quán)利要求25的電光器件作為顯示部分的電子設(shè)備。全文摘要提供一種具有高操作性能和高可靠性的電光器件和包括這種電光器件的電子設(shè)備。通過在形成驅(qū)動(dòng)電路的n溝道TFT中設(shè)置疊加?xùn)艠O的LDD區(qū)可實(shí)現(xiàn)抗熱載流子注入能力很強(qiáng)的TFT結(jié)構(gòu)。此外,通過在形成象素部分的象素TFT中設(shè)置不疊加?xùn)艠O的LDD區(qū)可實(shí)現(xiàn)具有低截止電流值的TFT結(jié)構(gòu)。而且,該電光器件具有在同一絕緣體上的存儲部分,該存儲部分具有存儲晶體管并存儲數(shù)據(jù)。文檔編號H01L29/04GK1272695SQ0011804公開日2000年11月8日申請日期2000年4月15日優(yōu)先權(quán)日1999年4月15日發(fā)明者山崎舜平,北角英人,福永健司申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所