專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及到半導(dǎo)體器件的制作工藝，更確切地說是涉及到包括互連勢(shì)壘層的半導(dǎo)體器件的制作工藝。
隨著半導(dǎo)體器件的尺寸和封裝件越來越小，在半導(dǎo)體器件鍵合焊點(diǎn)上制作導(dǎo)電凸塊變得越來越普遍。此凸塊被用來代替金屬絲，以便將鍵合焊點(diǎn)電連接到其相應(yīng)的封裝引線。一種特定類型的凸塊包括受控熔塌芯片連接(C4)凸塊。這些凸塊通常需要在鍵合焊點(diǎn)與凸塊之間制作焊點(diǎn)限制金屬層。焊點(diǎn)限制金屬層通常包括鉻和鉻的合金。但這些含鉻的薄膜可以具有諸如裂紋和不規(guī)則晶粒邊界之類的缺陷，這就限制了鉻層恰當(dāng)?shù)貙㈡I合焊點(diǎn)和凸塊材料分隔開來的能力。
凸塊通常包括錫(Sn)和鉛(Pb)之類的元素。當(dāng)勢(shì)壘無法保持鍵合焊點(diǎn)與凸塊分隔時(shí)，鍵合焊點(diǎn)材料能夠與凸塊中的鉛或錫發(fā)生反應(yīng)，并能夠形成這些材料的金屬間合金。若鍵合焊點(diǎn)包括含銅的材料，則能夠?qū)е乱姿榈慕饘匍g合金。易碎的金屬間合金隨后可能破裂，從而導(dǎo)致凸塊失效。此外，由于鍵合焊點(diǎn)與凸塊之間的鍵合過程和粘合性變壞而可能形成空洞。在極端的情況下，這可以產(chǎn)生高阻，能夠?qū)Π雽?dǎo)體器件的性能造成負(fù)面影響，甚至導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效。
在附圖中，用舉例而不是限制的方法，描述了本發(fā)明，其中相同的參考號(hào)表示相同的元件，其中

圖1-7示出了根據(jù)第一組實(shí)施例制作具有銅互連和凸塊的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖8-12示出了根據(jù)第二組實(shí)施例制作具有銅互連和凸塊的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
熟練的技術(shù)人員能夠理解，各個(gè)圖中的各個(gè)元件是為了簡明而示出的，沒有必要按比例繪出。例如，為了有助于增進(jìn)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的了解，圖中的某些元件的尺寸可能相對(duì)于其它的元件被夸大了。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電勢(shì)壘層覆蓋互連，鈍化層覆蓋導(dǎo)電勢(shì)壘層，且鈍化層具有暴露部分導(dǎo)電勢(shì)壘層的窗口。在一個(gè)變通實(shí)施例中，鈍化層覆蓋互連，鈍化層具有暴露互連的窗口，且導(dǎo)電勢(shì)壘層覆蓋窗口中的互連。
圖1示出了部分半導(dǎo)體器件的剖面圖。此半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體器件襯底100、場(chǎng)隔離區(qū)102、以及制作在半導(dǎo)體器件襯底100中的摻雜區(qū)104。柵介質(zhì)層106覆蓋部分半導(dǎo)體器件襯底100，而柵電極108覆蓋柵介質(zhì)層106。
在柵電極108和半導(dǎo)體器件襯底100上，制作第一層間介質(zhì)層(ILD)110。對(duì)此第一層間介質(zhì)層110進(jìn)行圖形化，以形成被粘合/勢(shì)壘層112和銅填充材料114填充的雙重鑲嵌窗口。此粘合/勢(shì)壘層112通常是難熔金屬、難熔金屬氮化物、或難熔金屬或它們的氮化物的組合。銅填充材料114通常是銅或銅的合金，其中銅的含量至少為90％原子比。為了改善互連的粘合性、電遷移或其它性質(zhì)，銅可以與鎂、硫、碳之類形成合金。在淀積粘合/勢(shì)壘層112和銅填充材料114之后，對(duì)襯底進(jìn)行拋光以清除窗口外面的粘合/勢(shì)壘層112和銅填充材料114部分。
在制作第一互連層之后，在銅填充的互連和第一ILD層110上制作絕緣勢(shì)壘層122。此絕緣勢(shì)壘層122包括氮化硅、氮氧化硅之類。用絕緣材料制作絕緣勢(shì)壘層122，免除了采用導(dǎo)電勢(shì)壘層時(shí)為了使各個(gè)互連彼此電隔離而需要的額外的圖形化和腐蝕工序。在絕緣勢(shì)壘層122上制作第二ILD層124。在第二ILD124中制作包含導(dǎo)電粘合/勢(shì)壘層126和銅填充材料128的雙重鑲嵌互連。此雙重鑲嵌互連用相似于制作第一ILD層110中的雙重鑲嵌互連結(jié)構(gòu)所用的工藝和材料來制作。
然后，如圖2所示，在第二ILD層124和雙重鑲嵌互連上制作鈍化層22。此鈍化層可以包括一個(gè)或多個(gè)由氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅之類組成的膜。最靠近銅填充材料128的鈍化層22部分，通常包括氮化硅或氮原子相對(duì)于氧原子濃度較高的氮氧化硅膜。對(duì)鈍化層22進(jìn)行圖形化，以便形成穿過鈍化層延伸到銅填充材料128的鍵合焊點(diǎn)窗口24。
如圖3所示，在鈍化層22和銅填充材料128上淀積導(dǎo)電勢(shì)壘層32。可以用包括化學(xué)汽相淀積、物理汽相淀積、蒸發(fā)淀積、電鍍、無電鍍之類的工藝來制作導(dǎo)電勢(shì)壘層32。此層的厚度一般在大約50-300nm的范圍內(nèi)。此導(dǎo)電勢(shì)壘層32通常包括難熔金屬、難熔金屬的氮化物、或它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，此導(dǎo)電勢(shì)壘層32包括鈦(Ti)和氮化鈦(TiN)的組合。鈦/氮化鈦疊層改善了對(duì)下方銅填充材料128和鈍化層22的粘合性。此外，氮化鈦形成勢(shì)壘，防止了銅填充材料與隨后淀積的導(dǎo)電凸塊發(fā)生反應(yīng)。作為變通，此導(dǎo)電勢(shì)壘層32可以包括諸如鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鎢(W)、氮鎢化鈦(TiWN)、鎢化鈦(TiW)、氮化鎢(WN)、氮化鉬(MoN)、氮化錮(CoN)、或它們的組合之類的其它材料。在其它實(shí)施例中，可以使用抗氧的材料。這些材料可以包括鉑(Pt)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、導(dǎo)電金屬氧化物或它們的相應(yīng)金屬等等。此導(dǎo)電金屬氧化物或它們的相應(yīng)金屬還可以包括銥(Ir)和氧化銥(IrO2)；釕(Ru)和氧化釕(RuO2)；錸(Re)和氧化錸(ReO2和ReO3)；或鋨(Os)和氧化鋨(OsO2)。
然后在導(dǎo)電勢(shì)壘層32上制作光刻膠層34。此光刻膠層34暴露部分覆蓋鈍化層22的導(dǎo)電勢(shì)壘層32。此光刻膠層制作成覆蓋鍵合焊點(diǎn)窗口34。此外，如圖3所示，也可以對(duì)其進(jìn)行圖形化，以便稍許延伸于位于鈍化層22上的導(dǎo)電勢(shì)壘層32的表面部分。
然后用常規(guī)腐蝕工藝對(duì)此導(dǎo)電勢(shì)壘層32進(jìn)行腐蝕，以便清除覆蓋鈍化層22的導(dǎo)電勢(shì)壘層32的暴露部分。腐蝕之后，用等離子體灰化工藝或用使用諸如N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮、甲基異丁基酮(MIBK)之類的有機(jī)化學(xué)品的濕法化學(xué)工藝，來清除圖形化的光刻膠層34。
作為變通，若電鍍或無電鍍之類的鍍敷工藝被用來制作導(dǎo)電勢(shì)壘層，則可以不需要上述的圖形化工序。而是可以在制作窗口24之后，直接在銅填充材料128的暴露部分上鍍敷導(dǎo)電勢(shì)壘層。如圖4所示，若有需要，鍍敷可以進(jìn)行到鍍敷的材料覆蓋部分鈍化層以形成導(dǎo)電勢(shì)壘層32的程度。
然后，如圖5所示，在半導(dǎo)體器件上制作管芯涂敷層52，并對(duì)其進(jìn)行圖形化以形成覆蓋鍵合焊點(diǎn)窗口24的管芯涂敷窗口54。在此特定實(shí)施例中，導(dǎo)電勢(shì)壘層32的外圍部分具有暴露在管芯涂敷窗口54中的邊沿。此管芯涂敷層52可以制作成可光成象的聚酰亞胺膜或被常規(guī)光刻膠和腐蝕工藝圖形化的聚酰亞胺膜。
如圖6所示，在制作焊點(diǎn)限制金屬層62之前，通過射頻(RF)濺射清洗對(duì)導(dǎo)電勢(shì)壘層32的暴露部分進(jìn)行加工。借助于清除可能包含諸如氧、碳、氟和氯之類的雜質(zhì)的導(dǎo)電勢(shì)壘層32的最上部分，RF濺射清洗改善了勢(shì)壘層與焊點(diǎn)限制金屬層62之間的接觸電阻。在一個(gè)實(shí)施例中，RF濺射清洗工藝作為在淀積焊點(diǎn)限制金屬層(凸塊下方)之前的原位加工的一部分被執(zhí)行。在一個(gè)實(shí)施例中，執(zhí)行RF濺射清洗的工藝參數(shù)如下RF功率在大約1200-1500W范圍內(nèi)，直流(DC)偏置電壓在大約-300到-600V范圍內(nèi)，壓力在大約0.1-0.5帕范圍內(nèi)，而時(shí)間在大約150-250秒范圍內(nèi)。此RF濺射清洗工藝從勢(shì)壘層32的表面清除大約20-40nm的勢(shì)壘材料。
然后，如圖6所示，在管芯涂敷窗口54內(nèi)制作焊點(diǎn)限制金屬層62。焊點(diǎn)限制金屬層通常包括能夠包括粘合膜、中間耦合/焊接膜和抗氧化勢(shì)壘膜的各個(gè)膜的功能組合。在一個(gè)實(shí)施例中，焊點(diǎn)限制金屬層62包括下列4個(gè)不同的膜組成的復(fù)合物鉻膜622、鉻銅合金膜624、銅膜626和金膜628。鉻膜622和鉻銅合金膜624的厚度都在大約50-500nm范圍內(nèi)，銅膜626的厚度在大約700-1300nm范圍內(nèi)，而金膜628的厚度在80-140nm范圍內(nèi)。作為變通，焊點(diǎn)限制金屬可以包括諸如由鈦、銅和金組成的復(fù)合物或由鈦、鎳、銅和金組成的復(fù)合物這里的各個(gè)膜的組合。通常用使用屏蔽板的蒸發(fā)方法來制作焊點(diǎn)限制金屬層62。但也可以采用濺射之類的其它方法來制作焊點(diǎn)限制金屬。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，如圖7所示，在制作焊點(diǎn)限制金屬層之后，在焊點(diǎn)限制金屬層62上淀積諸如鉛錫焊料材料72之類的凸塊材料?？梢杂闷帘伟宸椒▉碚舭l(fā)鉛錫焊料材料72，或者用諸如鍍敷或焊料噴射之類的其它常規(guī)方法來制作。然后，如圖7所示，執(zhí)行回流工藝步驟，使鉛錫焊料材料72的各個(gè)角圓滑，從而形成凸塊。
在工藝的這一時(shí)刻，已經(jīng)制造了基本上完成的半導(dǎo)體器件。隨后可以將此器件固定到倒裝片或網(wǎng)格焊球陣列封裝件之類的封裝結(jié)構(gòu)。雖然未示出，也可以按需要制作其它的互連層。同樣，對(duì)柵電極108和摻雜區(qū)104也可以制作其它互連。若要制作額外的互連，則可以用制作和淀積絕緣體勢(shì)壘層122、第二ILD層124、粘合/勢(shì)壘層126和銅填充材料128的相似的工藝來制作。
圖8-12示出了本發(fā)明的一個(gè)變通實(shí)施例。參照?qǐng)D8，在第二ILD層124和銅填充材料128上制作導(dǎo)電勢(shì)壘層82。用圖3首次示出的制作導(dǎo)電勢(shì)壘層32中所述的任何一種方法或材料來制作導(dǎo)電勢(shì)壘層82。此導(dǎo)電勢(shì)壘層82的厚度通常在大約50-300nm范圍內(nèi)。在此特定的實(shí)施例中，然后在導(dǎo)電勢(shì)壘層82上制作可選的抗氧化層84。此抗氧化層可以包括防止下方層氧化的或比下方層更容易被氧化的任何材料?？梢允褂玫牟牧系睦影ǖ?、多晶硅、非晶硅、或?qū)щ娊饘傺趸锘蚱湎鄳?yīng)的導(dǎo)電金屬?？寡趸瘜?4的厚度在大約10-50nm范圍內(nèi)。然后在導(dǎo)電勢(shì)壘層82和抗氧化層84上制作光刻膠層86。對(duì)光刻膠層86進(jìn)行圖形化，以覆蓋位于銅填充材料128和粘合/勢(shì)壘層126上的部分導(dǎo)電勢(shì)壘層82和抗氧化層84。
然后用常規(guī)腐蝕工藝清除導(dǎo)電勢(shì)壘層82和抗氧化層84的未被圖形化的部分。然后，如圖9所示，清除光刻膠，并在包含導(dǎo)電勢(shì)壘層82和抗氧化層84的疊層以及部分介質(zhì)層124上制作鈍化層92。此鈍化層92相似于圖2首先介紹的鈍化層22。在此特定的實(shí)施例中，對(duì)鈍化層92進(jìn)行圖形化以形成鍵合焊點(diǎn)窗口94。如圖9所示，不是鍵合焊點(diǎn)窗口中的所有的鈍化層都被清除。因此，在圖形化工藝中僅僅局部地形成鍵合焊點(diǎn)窗口。在完成圖形化之后，殘留的部分96仍然保留在抗氧化層84上。
然后，如圖10所示，制作管芯涂敷層1001，并對(duì)其進(jìn)行圖形化以形成管芯涂敷窗口1003。此管芯涂敷層1001相似于圖5首次介紹的管芯涂層52。此管芯涂敷窗口1003暴露包括殘留部分96的部分鈍化層92。在形成管芯涂敷窗口1003之后，執(zhí)行腐蝕以清除殘留部分96和下方的抗氧化層84。如圖11所示，這就形成了管芯涂敷窗口1103。在這一腐蝕過程中，正如被清除的鈍化層部分1102所示，被管芯涂敷層1001暴露的部分鈍化層92也被腐蝕。在一個(gè)特定的實(shí)施例中，鈍化層92包括諸如氮化硅或氮氧化硅之類的硅和氮，而抗氧化層84包括氮化硅。因此，可以用相同的或相似的腐蝕化學(xué)來清除鈍化層92和抗氧化層84的殘留部分96。
繼續(xù)工藝，以便形成圖12所示的基本上完成的器件。與前述相似地制作焊點(diǎn)限制金屬層1220，它包括鉻膜1222、鉻銅合金膜1224、銅膜1226和金膜1228以及鉛錫焊料1230。如果需要，與前述相似，可以在制作焊點(diǎn)限制金屬層1220之前，用RF濺射清洗工藝來制備勢(shì)壘層的表面。在此特定的實(shí)施例中，如圖12所示，回流步驟被執(zhí)行以便使鉛錫焊料的形狀圓滑，使其外貌成圓頂狀。
在圖9-12所述的各個(gè)實(shí)施例中，絕緣勢(shì)壘層122被用于最上層互連之外的所有互連層。最上層互連是其上制作鍵合焊點(diǎn)的互連層。因此，它是使用導(dǎo)電勢(shì)壘層82的唯一的互連層。
本發(fā)明可以有許多其它的實(shí)施例。參照?qǐng)D3，導(dǎo)電勢(shì)壘層32也可以包括相似于圖8-12中第二組實(shí)施例所述的抗氧化層84的覆蓋抗氧化層。同樣，由于鈍化層92的殘留部分96使得能夠使用含氧的等離子體而不損傷導(dǎo)電勢(shì)壘層82，故第二組實(shí)施例不一定需要使用抗氧化層84。當(dāng)導(dǎo)電勢(shì)壘層82或32包括能夠與含氧的等離子體或用來清除或顯影光刻膠或聚酰亞胺的其它化學(xué)品發(fā)生不利的反應(yīng)的氮化鉭、氮化鈦之類時(shí)，這是很重要的。這些化學(xué)品的例子可以包括四甲基氫氧化氨、N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮、MIBK等。
除了如圖9-12所示在鍵合焊點(diǎn)上制作導(dǎo)電勢(shì)壘層之外，也可以用導(dǎo)電勢(shì)壘材料在半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電區(qū)之間制作聚焦能量可改變的即激光可改變的連接。這些連接的電導(dǎo)率可以用激光加以修正，以便對(duì)器件電路進(jìn)行編程或調(diào)整。
用導(dǎo)電勢(shì)壘層制作激光可改變的連接，比現(xiàn)有技術(shù)更為優(yōu)越。比之通常用來形成激光可改變的連接的互連層，這一導(dǎo)電勢(shì)壘層通常更薄，熱導(dǎo)率更低、且反射率更低。比之互連層，此導(dǎo)電勢(shì)壘層還是自鈍化的。因此，激光改變的可靠性由于降低了激光改變后的短路可能性而通常得到改善。此外，激光可改變的連接被制作在更靠近半導(dǎo)體器件的最上表面處。這使激光器能夠使用較少的功率來影響激光可改變的連接的電導(dǎo)率，這相應(yīng)地降低了引起短路、損傷相鄰連接和損傷周圍鈍化層的可能性。而且，可以用同一個(gè)層同時(shí)制作此導(dǎo)電勢(shì)壘層和激光可改變的連接。因此，工藝整體不需要額外的加工步驟。
雖然對(duì)于焊點(diǎn)限制金屬層62列出了具體的材料，但也可以使用其它的材料和此整個(gè)方法的其它變種。例如，導(dǎo)電勢(shì)壘層可以組合成焊點(diǎn)限制金屬層的一部分。此時(shí)，可以在制作其它各個(gè)焊點(diǎn)限制金屬層薄膜之前，將其蒸發(fā)或?yàn)R射到晶片上。在另一個(gè)實(shí)施例中，焊點(diǎn)限制金屬層和焊料材料可以用物理汽相淀積或噴射印刷方法一起制作，從而用噴嘴將各個(gè)熔化的焊料液滴淀積就位。
此處所述的各個(gè)實(shí)施例可以整合成現(xiàn)有工藝而無須使用稀有的材料、開發(fā)新的工藝、或采購新的加工設(shè)備。導(dǎo)電勢(shì)壘層32和82足以防止來自互連的銅與來自凸塊的鉛錫焊料相互發(fā)生反應(yīng)。因此，保持了凸塊與互連之間界面處的完整性。這就改善了凸塊的機(jī)械完整性，并有助于降低凸塊與互連之間的電阻。
在上述說明書中，已經(jīng)參照具體的實(shí)施例描述了本發(fā)明。然而，本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員理解，能夠做出各種各樣的修正和改變而不超越下列權(quán)利要求所述的本發(fā)明的范圍。因此，本說明書和附圖被認(rèn)為是示例性的而不是限制性的，且所有這些修正都包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。對(duì)于具體的實(shí)施例，已經(jīng)描述了各種好處、其它的優(yōu)點(diǎn)以及問題的解決辦法。然而，這些好處、優(yōu)點(diǎn)、問題的解決辦法、以及可能引起任何好處、優(yōu)點(diǎn)或解決辦法出現(xiàn)或變得更為明顯的任何因素，都不會(huì)構(gòu)成任何一個(gè)或所有權(quán)利要求的嚴(yán)格的、必要的或主要的特點(diǎn)或因素。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征是覆蓋半導(dǎo)體器件襯底(100)的第一互連(114)；覆蓋第一互連(114)的絕緣勢(shì)壘層(122)；覆蓋部分第一互連(114)和部分絕緣勢(shì)壘層(122)的鍵合焊點(diǎn)互連(128)；覆蓋部分鍵合焊點(diǎn)互連(128)的導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)，此導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)延伸到部分鍵合焊點(diǎn)互連(128)的邊沿區(qū)以外；以及覆蓋導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)的鈍化層(92)，此鈍化層(92)具有暴露部分導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)的窗口。
2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其進(jìn)一步特征是覆蓋導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)的抗氧化層(84)。
3.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中部分導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)是至少二個(gè)導(dǎo)電區(qū)之間的激光可改變的連接。
4.一種半導(dǎo)體器件，其特征是半導(dǎo)體器件襯底(100)上的鍵合焊點(diǎn)互連(128)；覆蓋鍵合焊點(diǎn)互連(128)的鈍化層(22)，此鈍化層具有暴露部分鍵合焊點(diǎn)互連(128)的窗口(24)；以及覆蓋部分鍵合焊點(diǎn)互連(128)的窗口(24)中的導(dǎo)電勢(shì)壘層(32)。
5.權(quán)利要求1或4的半導(dǎo)體器件，其中鍵合焊點(diǎn)互連(128)主要包括銅，而導(dǎo)電勢(shì)壘層(32，82)包括含難熔金屬的材料。
6.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，其特征是制作覆蓋半導(dǎo)體器件襯底(100)的第一互連(114)；制作覆蓋第一互連(114)的絕緣勢(shì)壘層(122)；制作覆蓋部分第一互連(114)和部分絕緣勢(shì)壘層(122)的鍵合焊點(diǎn)互連(128)；制作覆蓋部分鍵合焊點(diǎn)互連(128)的導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)，此導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)延伸到部分鍵合焊點(diǎn)互連(128)的邊沿區(qū)以外；制作覆蓋導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)的鈍化層(92)，以及在鈍化層(92)中制作窗口，其中的窗口暴露部分導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)。
7.權(quán)利要求6的方法，其中在鈍化層(92)中制作窗口還包含在鈍化層(92)中制作局部窗口(94)，其中局部窗口的深度小于形成局部窗口處的鈍化層區(qū)域中鈍化層的厚度；在鈍化層(92)上制作管芯涂敷層(1001)；在管芯涂敷層中制作窗口(1003)，其中在管芯涂敷層中制作窗口暴露了鈍化層(92)中的局部窗口(94)；以及腐蝕鈍化層(92)中的局部窗口，以便在形成管芯涂敷層(1001)中的窗口(1003)之后暴露下方的層。
8.權(quán)利要求6的方法，其進(jìn)一步特征是在制作鈍化層(92)中的窗口之后，清除部分導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)，其中的部分導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)具有深度；以及在清除部分導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)之后，在導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)上制作導(dǎo)電凸塊(1230)。
9.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，其特征是在半導(dǎo)體器件襯底(100)上制作互連(128)；在互連(128)上制作鈍化層(22)；在鈍化層(22)中制作窗口(24)，此窗口(24)暴露部分互連(128)；以及在窗口(24)中制作導(dǎo)電勢(shì)壘層(32)，此導(dǎo)電勢(shì)壘層(32)覆蓋暴露的部分互連(128)。
10.權(quán)利要求6或9的方法，其中鍵合焊點(diǎn)互連(128)主要包括銅，而導(dǎo)電勢(shì)壘層(32，82)包括含難熔金屬的材料。
全文摘要
一種覆蓋半導(dǎo)體器件襯底(10)的互連。在一個(gè)實(shí)施例中,導(dǎo)電勢(shì)壘層覆蓋部分互連,鈍化層(92)覆蓋導(dǎo)電勢(shì)壘層,且鈍化層(92)具有暴露部分導(dǎo)電勢(shì)壘層(82)的窗口。在一個(gè)變通實(shí)施例中,鈍化層(22)覆蓋互連,鈍化層(22)具有暴露互連的窗口(24),且導(dǎo)電勢(shì)壘層(32)覆蓋窗口(24)中的互連。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1269607SQ0010492
公開日2000年10月11日 申請(qǐng)日期2000年4月4日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月5日
發(fā)明者亞力山大·L·巴爾, 蘇勒士·梵卡特散, 戴維·B·克勒格, 勒波卡·G·考爾, 奧魯布恩米·阿德突突, 斯杜爾特·E·格力爾, 布瑞安·G·安舍尼, 拉姆那施·凡卡特拉曼, 格勒幗·布雷科爾曼, 道格拉斯·M·勒博, 斯蒂芬·R·克朗 申請(qǐng)人:摩托羅拉公司