專利名稱：光學(xué)信息的記錄方法和記錄單元的制作方法
本申請是1996年10月4日提交的原申請?zhí)枮?6191828.4(PCT/JP96/02897)的中國專利申請的分案申請。
本發(fā)明涉及用于光盤的記錄方法和記錄單元，該光盤通過使用光學(xué)裝置諸如激光光束以高速度和高密度記錄和復(fù)現(xiàn)信息。
眾所周知利用激光光束復(fù)現(xiàn)或記錄高密度信息的技術(shù)，此技術(shù)主要作為光盤投入實際應(yīng)用。
光盤大致可分成只讀型、寫一次讀多次型和可改寫型。
例如，只讀型實際用作密致盤片和激光盤片，寫一次讀多次和可改寫型實際用作文件檔案、數(shù)據(jù)檔案等。
此外，可改寫的光盤主要包括光磁和相變化型。
相變化型的光盤利用這種優(yōu)點，即由于激光光束或類似光束的輻射，記錄層可在例如非晶態(tài)和晶態(tài)之間或在晶態(tài)和不同結(jié)構(gòu)的晶態(tài)之間引起可逆的狀態(tài)變化。即，至少在薄膜的折射率或消耗系數(shù)中之一由激光輻射改變并執(zhí)行記錄，然后在此部分改變傳輸或反射的光的幅度，檢測到通向檢測系統(tǒng)的傳輸或反射的光量中結(jié)果的變化，并復(fù)現(xiàn)信號。注意主要采用Te、Se、In和Sb合金作為非晶態(tài)和晶態(tài)之間引起狀態(tài)變化的典型材料。
在相變化型光盤中，也可使用一次光束重寫來重寫記錄標志。一次光束重寫是一種在擦寫先前記錄的舊信號的同時記錄新信號的方法，它由記錄信號調(diào)制位于記錄功率和低于記錄功率的偏置功率(也叫做擦寫功率)之間的激光功率然后把此功率輻射到信號軌跡上。重寫本身需要兩個電平記錄功率電平和偏置功率電平，但如果考慮記錄、擦寫和復(fù)現(xiàn)，則需要三個電平記錄功率電平、偏置功率電平和復(fù)現(xiàn)功率電平。
例如，在結(jié)晶-非晶態(tài)相變化型光盤中，無論原始狀態(tài)是非晶或結(jié)晶狀態(tài)，被記錄電平輻射的區(qū)域在熔化后都快速冷卻，因此該區(qū)域變?yōu)闊o非晶。被擦寫電平輻射的區(qū)域上升到高于結(jié)晶溫度，所以不管原始狀態(tài)該區(qū)域都被結(jié)晶并重寫新的信號。
另一方面，在用于光盤的記錄復(fù)現(xiàn)單元中，主要有兩種旋轉(zhuǎn)盤片的方法一種是以盤片的內(nèi)部和外部圓周相同的線速度旋轉(zhuǎn)盤片的方法(CLV)，另一種是以恒定的角速度旋轉(zhuǎn)盤片的方法(CAV)。
例如，在類似于計算機外部存儲器所使用的數(shù)據(jù)文件需要高速存取的情況下，使用CAV，因為需要時間來改變盤片的轉(zhuǎn)數(shù)。在此情況下，沿盤片圓周方向的線速度在外部圓周處變快，而在內(nèi)部圓周處變慢。
也有兩種記錄調(diào)制標志間隔調(diào)制(也叫做標志位置調(diào)制)和標志長度調(diào)制(也叫做標志邊緣調(diào)制)。
標志間隔調(diào)制記錄改變標志間隔以進行記錄，并在復(fù)現(xiàn)時檢測標志的位置以檢測信號。
標志長度調(diào)制記錄記錄位于各種標志間隔處具有各種長度的標志，并在復(fù)現(xiàn)時檢測標志兩端的位置以檢測信號。標志長度調(diào)制系統(tǒng)可具有高密度，理論上該密度是標志間隔調(diào)制系統(tǒng)的兩倍。
理論上記錄到相變化型光盤上的激光是熱模式記錄，因此在記錄長標志的情況下，由于熱積累效應(yīng)使標志后端變得比前端厚，標志以淚滴的形式變形，結(jié)果，復(fù)現(xiàn)波形也變形且標志兩端的位置將偏移。
因此，在所述標志長度調(diào)制系統(tǒng)中，提出了一種記錄方法(也叫做多脈沖記錄)，此方法用多個脈沖組成的記錄脈沖序列來構(gòu)成用于形成單個記錄標志的記錄波形(例如，第3-185628號日本公開專利申請)。由此，與用單個脈沖進行記錄的方法相比，可控制記錄薄膜接收到的熱量，因此對于在單個脈沖情況下所述標志的前和后沿，標志的結(jié)構(gòu)是不對稱的，標志的結(jié)構(gòu)變得令人滿意。
然而，即使在諸如上述系統(tǒng)多脈沖記錄系統(tǒng)，如果高密度所需的標志間隔很窄，則將在標志之間產(chǎn)生熱干擾，因此標志結(jié)構(gòu)的長度將發(fā)生變化。
作為改進這個問題的一種方法，例如，已提出了第7-129959號日本公開專利申請中。在公開文本中，預(yù)測了熱干擾的數(shù)量，且在上述多脈沖記錄中，由要被記錄的標志長度和標志之間的間隔改變記錄脈沖序列的起始部分和結(jié)束部分的位置，從而抑制了標志之間的熱干擾，并使信號特性令人滿意。
在1光束重寫中也提供了一種記錄方法，該方法把記錄脈沖調(diào)制成三段記錄功率、偏置功率和在記錄功率后立即提供并低于偏置功率的功率(例如，第63-113938號日本公開專利申請)。
此外，在多脈沖記錄系統(tǒng)中，也提出了一種記錄方法，該方法把激光輻射加到低于偏置功率的功率上(例如，第6-295440號日本公開專利申請)。
還提出了一種記錄方法，該方法中由標志間隔改變以冷卻功率的輻射時間(以下叫做冷卻功率輻射時間)(例如，第5-80491號日本專利申請)。
例如，在來自光源諸如半導(dǎo)體激光器的光輻射到所謂的光盤(諸如使用可改寫相變化材料的光盤)引起物理狀態(tài)變化從而記錄信號的情況下，由于從光源的光獲得的熱量，記錄層的溫度到達幾百度且用于記錄的薄膜被熔化。
因此，通過疊加重寫的次數(shù)，即重復(fù)多次重寫，可因熱破壞而引起信號衰減。
信號衰減的起因包括介電層或記錄層的破壞以及叫做記錄層的質(zhì)量流動現(xiàn)象。質(zhì)量流動是這樣一種現(xiàn)象，由于記錄層及其外圍在記錄時達到高的溫度，所以經(jīng)過多次循環(huán)，記錄層的基底沿某一路徑移動，因此在同一路徑上產(chǎn)生厚的記錄層和薄的記錄層。結(jié)果，復(fù)現(xiàn)的信號波形將減弱，而且不能在該部分復(fù)現(xiàn)信號。無論如何，當多次循環(huán)引起的信號衰減量較大時，由于信號的衰減將限制光盤的應(yīng)用。
此外，在光盤單元中由半導(dǎo)體激光器進行光輻射以引起物理狀態(tài)變化的情況下，例如在使用可改寫的相變化材料把信號記錄在光盤中的情況下，記錄標志的結(jié)構(gòu)將根據(jù)被激光加熱的記錄層的冷卻方式而變化。
即，在內(nèi)部保持熱量的情況下，曾經(jīng)熔化的記錄層將不會變成非晶態(tài)，而將為結(jié)晶態(tài)。結(jié)果，記錄標志的形狀變小或變形，所以復(fù)現(xiàn)信號的質(zhì)量下降。
然后，在采用常規(guī)冷卻脈沖的情況下，減少了留在標志后端部分的熱量，因此容易使記錄標志變?yōu)闊o定形，但在后端部分處冷卻速度過度增加的情況下，無定形區(qū)域變得比標志的前端部分更大。
此外，還有重寫特性隨冷卻功率狀態(tài)和輻射時間而下降的情況。這可能是因為記錄標志的后端沿橫向過度增大，因此由重寫引起嚴重的標志變形或產(chǎn)生未擦寫部分。
在考慮較高密度記錄的情況下，標志的前端部分和后端部分之間的對稱性不夠，因此重寫后復(fù)現(xiàn)的跳動很大，而復(fù)現(xiàn)信號的質(zhì)量不夠。
此外，在標志間隔調(diào)制記錄中，通過增加一冷卻脈沖，形成大的標志并增加C/N比，從而可實現(xiàn)令人滿意的信號質(zhì)量。這里，C/N比是載波電平和噪聲電平之間的比值。
然而，有時重寫特性將隨冷卻功率的狀態(tài)而下降。這可能因為由重寫記錄標志沿橫向過度增大，因此產(chǎn)生未擦寫部分。
本發(fā)明提供了一種記錄方法和一種記錄單元，它們能極好地控制記錄標志后端的熱冷卻狀態(tài)從而標志可形成所需的形狀，此外它們還可增強復(fù)現(xiàn)信號的質(zhì)量，并減輕熱破壞，從而可獲得令人滿意的循環(huán)特性。
依據(jù)本發(fā)明用于實現(xiàn)上述目的的記錄方法是這樣一種記錄方法，其中在標志長度調(diào)制記錄和標志間隔調(diào)制記錄中，在以記錄功率進行激光輻射后，把激光功率減小到低于偏置功率的冷卻功率，在保持預(yù)定的時間后，再把激光功率升高到偏置功率。在此記錄方法中，在以記錄功率進行的激光輻射和在記錄功率后立即以冷卻功率進行的輻射之間以偏置功率進行激光輻射。
此外，對于標志長度記錄，在進行了多脈沖激光輻射后把激光功率減小到低于偏置功率的冷卻功率，以及在保持預(yù)定時間后再把激光功率升高到偏置功率的記錄方法中，依據(jù)所記錄的標志長度改變冷卻功率輻射時間或冷卻功率起始時間中的至少一項。
此外，在標志間隔調(diào)制記錄中，依據(jù)CAV模式下盤片的半徑來改變冷卻功率起始時間。
此外，在標志長度調(diào)制記錄中，依據(jù)CAV模式下盤片的半徑改變冷卻功率輻射時間或冷卻功率起始時間中的至少一項。
此外，在標志長度調(diào)制記錄中，在記錄脈沖序列包括起始沿脈沖、結(jié)束沿脈沖和以周期小于起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖之間一個數(shù)據(jù)時鐘周期交替切換的脈沖的情況下，在上述記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖后進行偏置功率的激光輻射，或在上述記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖和冷卻功率的激光輻射之間進行偏置功率的激光輻射。
此外，在標志長度調(diào)制記錄中，在記錄脈沖序列包括起始沿脈沖、結(jié)束沿脈沖和以周期小于起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖之間一個數(shù)據(jù)時鐘周期交替切換的脈沖，并且在所述記錄脈沖序列的起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖的位置依據(jù)記錄標志的長度和記錄標志之間的間隔而變化的情況下，偏置功率的激光輻射時間是恒定的，無論記錄脈沖序列起始沿脈沖或結(jié)束沿脈沖的位置如何，在記錄脈沖序列結(jié)束沿脈沖的激光輻射開始后直到以冷卻功率進行激光輻射的時間是恒定的，冷卻功率的激光輻射起始時間的定時根據(jù)一個時鐘。
此外，用于實現(xiàn)上述記錄方法的存儲單元包括起始沿脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)高電平周期(high period)的起始沿位置產(chǎn)生具有恒定寬度的起始沿脈沖；短促選通脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)的高電平周期很長時在標志的中間位置產(chǎn)生短促選通脈沖信號，并在數(shù)據(jù)的高電平周期很短時不產(chǎn)生短促選通脈沖信號；結(jié)束沿脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)的高電平周期的結(jié)束沿位置產(chǎn)生具有恒定寬度的結(jié)束沿脈沖；標志/間隔長度檢測電路，該電路在數(shù)據(jù)高電平周期具有n個時鐘時產(chǎn)生包括所述起始沿脈沖和所述結(jié)束沿脈沖的nT標志信號，并在數(shù)據(jù)的低電平周期(low period)具有m個時鐘時產(chǎn)生包括間隔的兩個邊沿所述結(jié)束沿脈沖和所述起始沿脈沖的mT標志信號(這里n和m是數(shù)據(jù)串中自然數(shù))；編碼器，用于從所述nT標志信號和所述mT標志信號中產(chǎn)生選擇信號，該選擇信號用于控制下述起始沿選擇器和下述結(jié)束沿選擇器；冷卻脈沖產(chǎn)生電路，該電路從來自下述可編程結(jié)束沿延遲線的延遲結(jié)束沿脈沖中產(chǎn)生具有恒定寬度的冷卻脈沖；起始沿選擇器，用于由所述選擇器信號從多個起始沿值中選擇和輸出一個值；起始沿采樣/保持電路，只有當出現(xiàn)所述起始沿脈沖時才更新所述起始沿選擇器輸出的起始沿設(shè)定值，并在不出現(xiàn)起始沿脈沖時保持先前的值；可編程起始沿延遲線，由所述起始沿采樣/保持電路的輸出的起始沿設(shè)定值改變延遲量，并輸出其中所述起始沿脈沖被延遲的延遲起始沿脈沖；結(jié)束沿選擇器，用于由所述選擇器信號從多個結(jié)束沿值中選擇和輸出一個值；結(jié)束沿采樣/保持電路，只有當出現(xiàn)所述結(jié)束沿脈沖時才更新所述結(jié)束沿選擇器輸出的結(jié)束沿設(shè)定值，并在不出現(xiàn)結(jié)束沿脈沖時保持先前的值；可編程結(jié)束沿延遲線，由所述結(jié)束沿采樣/保持電路的輸出的結(jié)束沿設(shè)定值改變延遲量，并輸出其中所述結(jié)束沿脈沖被延遲的延遲結(jié)束沿脈沖；冷卻脈沖延遲線，用于改變所述冷卻脈沖的延遲量并輸出延遲的冷卻脈沖；AND門，用于在所述短脈沖和時鐘之間進行邏輯乘，并輸出短脈沖；OR門，用于在所述延遲的起始沿脈沖、所述短脈沖和所述延遲的結(jié)束沿脈沖之間進行邏輯和，并輸出記錄信號；倒相器，用于使來自所述冷卻脈沖延遲線的冷卻脈沖信號倒相；偏置電流源，用于對下述激光二極管提供偏置電流；記錄電流源，用于對激光二極管提供與所述偏置電流源并聯(lián)的記錄電流；光復(fù)現(xiàn)電流源，用于對激光二極管提供與所述偏置電流源并聯(lián)的光復(fù)現(xiàn)電流；開關(guān)，用于由所述記錄電流導(dǎo)通和斷開所述記錄電流源的電流；開關(guān)，用于由所述冷卻脈沖信號導(dǎo)通和斷開所述偏置電流源的電流；以及激光二極管，用于記錄被所述偏置電流源、所述記錄電流源和所述光復(fù)現(xiàn)電流源并聯(lián)驅(qū)動的盤片信號。
此外，用于實現(xiàn)上述記錄方法的另一種存儲單元包括起始沿脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)高電平周期的起始沿位置產(chǎn)生具有恒定寬度的起始沿脈沖；短促選通脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)的高電平周期很長時在標志的中間位置產(chǎn)生短促選通脈沖信號，并在數(shù)據(jù)的高電平周期很短時不產(chǎn)生短促選通脈沖信號；結(jié)束沿脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)的高電平周期的結(jié)束沿位置產(chǎn)生具有恒定寬度的結(jié)束沿脈沖；標志/間隔長度檢測電路，該電路在數(shù)據(jù)高電平周期具有n個時鐘時產(chǎn)生包括所述起始沿脈沖和所述結(jié)束沿脈沖的nT標志信號，并在數(shù)據(jù)的低電平周期具有m個時鐘時產(chǎn)生包括間隔的兩個邊沿所述結(jié)束沿脈沖和所述起始沿脈沖的mT標志信號(這里n和m是數(shù)據(jù)串中自然數(shù))；編碼器，用于從所述nT標志信號和所述mT標志信號中產(chǎn)生選擇信號，該選擇信號用于控制下述起始沿選擇器和下述結(jié)束沿選擇器；冷卻脈沖產(chǎn)生電路，該電路從上述結(jié)束沿脈沖產(chǎn)生電路輸出的結(jié)束沿脈沖中產(chǎn)生具有恒定寬度的冷卻脈沖；起始沿選擇器，用于由所述選擇器信號從多個起始沿值中選擇和輸出一個值；起始沿采樣/保持電路，只有當出現(xiàn)所述起始沿脈沖時才更新所述起始沿選擇器輸出的起始沿設(shè)定值，并在不出現(xiàn)起始沿脈沖時保持先前的值；可編程起始沿延遲線，由所述起始沿采樣/保持電路的輸出的起始沿設(shè)定值改變延遲量，并輸出其中所述起始沿脈沖被延遲的延遲起始沿脈沖；結(jié)束沿選擇器，用于由所述選擇器信號從多個結(jié)束沿值中選擇和輸出一個值；結(jié)束沿采樣/保持電路，只有當出現(xiàn)所述結(jié)束沿脈沖時才更新所述結(jié)束沿選擇器輸出的結(jié)束沿設(shè)定值，并在不出現(xiàn)結(jié)束沿脈沖時保持先前的值；可編程結(jié)束沿延遲線，由所述結(jié)束沿采樣/保持電路的輸出的結(jié)束沿設(shè)定值改變延遲量，并輸出其中所述結(jié)束沿脈沖被延遲的延遲結(jié)束沿脈沖；冷卻脈沖延遲線，用于改變從上述冷卻脈沖電路輸出的所述冷卻脈沖的延遲量并輸出延遲的冷卻脈沖；AND門，用于在來自上述短促選通脈沖產(chǎn)生電路的所述短脈沖和時鐘之間進行邏輯乘，并輸出短脈沖；OR門，用于在所述延遲的起始沿脈沖、所述短脈沖和所述延遲的結(jié)束沿脈沖之間進行邏輯和，并輸出記錄信號；倒相器，用于使來自所述冷卻脈沖延遲線的延遲的冷卻脈沖信號倒相；偏置電流源，用于對下述激光二極管提供偏置電流；記錄電流源，用于對激光二極管提供與所述偏置電流源并聯(lián)的記錄電流；光復(fù)現(xiàn)電流源，用于對激光二極管提供與所述偏置電流源并聯(lián)的光復(fù)現(xiàn)電流；開關(guān)，用于由所述記錄電流導(dǎo)通和斷開所述記錄電流源的電流；開關(guān)，用于由所述冷卻脈沖信號導(dǎo)通和斷開所述偏置電流源的電流；以及激光二極管，用于記錄被所述偏置電流源、所述記錄電流源和所述光復(fù)現(xiàn)電流源并聯(lián)驅(qū)動的盤片信號。
此外，在標志長度調(diào)制記錄中，在用于形成信號記錄標志的記錄脈沖序列后，還加上一脈沖序列(以下叫做標志的后端校正脈沖序列)作為冷卻脈沖，該脈沖序列對記錄標志的后端結(jié)構(gòu)進行排列，且與記錄脈沖序列不同。
尤其是，標志的后端校正脈沖序列以包括小于偏置功率的至少兩個不同的功率輻射激光。
此外，標志的后端校正脈沖序列具有一周期，其中在記錄脈沖序列后連續(xù)地把激光改變到一低于記錄功率或偏置功率的功率。
此外，在記錄脈沖序列和標志的后端校正脈沖序列之間，以偏置功率進行激光輻射。
此外，對記錄標志的每個長度改變標志的后端校正脈沖序列的起始時間和標志的后端校正脈沖序列的脈沖結(jié)構(gòu)。
此外，當以恒定的角速度旋轉(zhuǎn)光盤時，依據(jù)盤片的半徑改變標志的后端校正脈沖序列的起始時間和標志的后端校正脈沖序列的脈沖結(jié)構(gòu)。
依據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄方法，記錄標志的后端部分可形成所需的形狀，因此可獲得令人滿意的復(fù)現(xiàn)信號特性。此外，依據(jù)本發(fā)明的光學(xué)信息記錄方法和記錄單元，可有效地減輕熱破壞，因此可獲得令人滿意的循環(huán)特性。
附圖概述

圖1是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄波形圖；圖2是本發(fā)明一個實施例中使用的光盤的結(jié)構(gòu)圖；圖3是本發(fā)明一個實施例中所使用的光盤單元的圖；圖4是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄脈沖序列的圖；圖5是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄波形圖；圖6是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄波形圖；圖7是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄波形圖；圖8是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄波形圖；圖9是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄波形圖；圖10是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄波形圖；圖11是本發(fā)明一個實施例中所使用的盤片存儲單元的方框圖；圖12是本發(fā)明一個實施例中所使用的盤片存儲單元每一部分的信號波形圖；圖13是本發(fā)明一個實施例中所使用的盤片存儲單元的方框圖；圖14是本發(fā)明一個實施例中所使用的盤片存儲單元每一部分的信號波形圖；以及圖15是是本發(fā)明一個實施例中所使用的記錄波形圖。
(符號描述)1數(shù)據(jù)2起始沿脈沖5短促選通脈沖信號7結(jié)束沿脈沖92T-標志信號102T-間隔信號12選擇信號13多個起始沿設(shè)定值15選中的起始沿設(shè)定值18延遲的起始沿脈沖
19多個結(jié)束沿設(shè)定值21選中的結(jié)束沿設(shè)定值24延遲的結(jié)束沿脈沖25時鐘26AND門27短脈沖28OR門29記錄信號30記錄電流源31偏置電流源32光復(fù)現(xiàn)電流源33開關(guān)34開關(guān)35激光二極管38倒相器39保持的起始沿設(shè)定值41冷卻脈沖42延遲的冷卻脈沖43延遲的冷卻脈沖(倒相)45保持的結(jié)束沿設(shè)定值36冷卻脈沖產(chǎn)生電路37冷卻脈沖延遲線51襯底52第一介電層53記錄層54第二介電層55反射層56保護層61光盤62主軸電動機63光頭64激光驅(qū)動電路65波形校正電路本發(fā)明的較佳實施方式在標志長度調(diào)制記錄中，本發(fā)明的記錄方法(A)在記錄脈沖序列和冷卻功率的激光輻射開始之間進行偏置功率的激光輻射。
(B)依據(jù)記錄標志的長度，改變冷卻功率輻射時間或在冷卻功率進行的激光輻射的起始時間。
(C)只有在記錄標志的長度比預(yù)定長度短時，才改變冷卻功率輻射時間或在冷卻功率進行的激光輻射的起始時間。
(D)只有在記錄標志的長度比預(yù)定長度短時，才加上具有恒定冷卻功率輻射時間和激光輻射起始時間的冷卻脈沖。
(E)只有在光盤以恒定的角速度旋轉(zhuǎn)，且在盤片的內(nèi)部圓周部分中記錄小于預(yù)定的長度的標志時，才加上冷卻脈沖。
(F)當光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)時，依據(jù)盤片的半徑改變冷卻功率輻射時間和冷卻功率輻射的起始時間。
此外，在標志間隔調(diào)制記錄中，本發(fā)明的記錄方法(G)以偏置功率進行激光輻射，直到記錄功率和冷卻功率的激光輻射開始。
(H)當光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)時，依據(jù)盤片半徑改變冷卻功率輻射起始時間。
由于本發(fā)明具有任一種結(jié)構(gòu)，所以通過使標志形成所需的形狀，可抑制標志前和后端部分結(jié)構(gòu)之間的不對稱，以及使復(fù)現(xiàn)信號實現(xiàn)令人滿意的質(zhì)量。
然后，在標志長度調(diào)制記錄中，在記錄脈沖序列包括起始沿脈沖、結(jié)束沿脈沖和以周期小于起始沿和結(jié)束沿脈沖之間一個數(shù)據(jù)時鐘周期交替切換的脈沖的情況下，本發(fā)明的記錄方法(I)在上述記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖后進行偏置功率的激光輻射。
(J)在上述記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖和冷卻功率的激光輻射之間進行以偏置功率的激光輻射。
此外，在標志長度調(diào)制記錄中，在記錄脈沖序列包括起始沿脈沖、結(jié)束沿脈沖和以周期小于起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖之間一個數(shù)據(jù)時鐘周期交替切換的脈沖，以及在所述記錄脈沖序列的起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖的位置依據(jù)記錄標志的長度和記錄標志之間的間隔而變化的情況下(K)偏置功率的激光輻射時間是恒定的，無論記錄脈沖序列起始沿脈沖或結(jié)束沿脈沖的位置如何，在記錄脈沖序列結(jié)束沿脈沖的激光輻射開始后直到以冷卻功率進行激光輻射的時間是恒定的，冷卻功率的激光輻射起始時間的定時根據(jù)一個時鐘。
由于本發(fā)明具有任一種結(jié)構(gòu)，所以可改變起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖的位置，從而抑制了由記錄標志之間熱干擾引起的標志長度的變動。因此，可進行高密度的記錄，同時，通過使偏置電平的一部分為冷卻功率，可在薄記錄薄膜的記錄期間減少總能量，可減輕多循環(huán)情況下的熱破壞所引起的信號下降，也可實現(xiàn)令人滿意的循環(huán)特性。
此外，本發(fā)明的存儲單元包括起始沿脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)高電平周期的起始沿位置產(chǎn)生具有恒定寬度的起始沿脈沖；短促選通脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)的高電平周期很長時在標志的中間位置產(chǎn)生短促選通脈沖信號，并在數(shù)據(jù)的高電平周期很短時不產(chǎn)生短促選通脈沖信號；結(jié)束沿脈沖產(chǎn)生電路，該電路在數(shù)據(jù)的高電平周期的結(jié)束沿位置產(chǎn)生具有恒定寬度的結(jié)束沿脈沖；標志/間隔長度檢測電路，該電路在數(shù)據(jù)高電平周期具有n個時鐘時產(chǎn)生包括所述起始沿脈沖和所述結(jié)束沿脈沖的nT標志信號，并在數(shù)據(jù)的低電平周期具有m個時鐘時產(chǎn)生包括間隔的兩個邊沿所述結(jié)束沿脈沖和所述起始沿脈沖的mT標志信號(這里n和m是數(shù)據(jù)串中自然數(shù))；編碼器，用于從所述nT標志信號和所述mT標志信號中產(chǎn)生選擇信號，該選擇信號用于控制下述起始沿選擇器和下述結(jié)束沿選擇器；冷卻脈沖產(chǎn)生電路，該電路從來自下述可編程結(jié)束沿延遲線的延遲結(jié)束沿脈沖中產(chǎn)生具有恒定寬度的冷卻脈沖；起始沿選擇器，用于由所述選擇器信號從多個起始沿值中選擇和輸出一個值；起始沿采樣/保持電路，只有當出現(xiàn)所述起始沿脈沖時才更新所述起始沿選擇器輸出的起始沿設(shè)定值，并在不出現(xiàn)起始沿脈沖時保持先前的值；可編程起始沿延遲線，由所述起始沿采樣/保持電路的輸出的起始沿設(shè)定值改變延遲量，并輸出其中所述起始沿脈沖被延遲的延遲起始沿脈沖；冷卻脈沖延遲線，它改變從冷卻脈沖產(chǎn)生電路輸出的冷卻脈沖延遲量，并輸出經(jīng)延遲的冷卻脈沖；結(jié)束沿選擇器，用于由所述選擇器信號從多個結(jié)束沿值中選擇和輸出一個值；結(jié)束沿采樣/保持電路，只有當出現(xiàn)所述結(jié)束沿脈沖時才更新所述結(jié)束沿選擇器輸出的結(jié)束沿設(shè)定值，并在不出現(xiàn)結(jié)束沿脈沖時保持先前的值；以及可編程結(jié)束沿延遲線，由所述結(jié)束沿采樣/保持電路的輸出的結(jié)束沿設(shè)定值改變延遲量，并輸出其中所述結(jié)束沿脈沖被延遲的延遲結(jié)束沿脈沖。
(L)通過把來自可編程結(jié)束沿延遲線的冷卻脈沖延遲線的經(jīng)延遲的結(jié)束沿脈沖輸入到此冷卻脈沖產(chǎn)生電路，產(chǎn)生冷卻脈沖。
(M)通過把來自可編程結(jié)束沿延遲線的結(jié)束沿脈沖輸入到此冷卻脈沖產(chǎn)生電路，產(chǎn)生冷卻脈沖。
因此，用與上述記錄方法相同的操作，本發(fā)明可提供一種單元，該單元可在薄記錄薄膜的記錄期間減少總能量，減輕多循環(huán)情況下的熱破壞引起的信號下降，以及具有令人滿意的循環(huán)特性。
此外，在標志長度調(diào)制記錄中，本發(fā)明的記錄方法(N)在用于形成單個記錄標志的記錄脈沖序列后，提供一脈沖序列作為冷卻脈沖，該脈沖序列由包括小于偏置功率的至少兩個不同的功率輻射激光。
(O)提供標志的后端校正脈沖序列作為冷卻脈沖，該脈沖序列具有這樣一個周期，其中在此記錄脈沖序列中進行了激光輻射后，把激光功率連續(xù)變到低于偏置功率的功率。
(P)在記錄脈沖序列和作為冷卻脈沖的標志的后端校正脈沖序列之間，由偏置功率進行激光輻射。
(Q)依據(jù)要記錄的標志長度，改變標志的后端校正脈沖序列的起始時間作為冷卻脈沖或改變標志后端校正序列脈沖的脈沖結(jié)構(gòu)作為冷卻脈沖。
(R)當光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)時，依據(jù)盤片的半徑位置改變標志的后端校正脈沖序列的起始時間和標志的后端校正脈沖序列的脈沖結(jié)構(gòu)。
由于本發(fā)明具有任一種結(jié)構(gòu)，因此通過使標志形成所需的形狀，可抑制標志前和后端部分之間的不對稱，以及使復(fù)現(xiàn)信號實現(xiàn)令人滿意的質(zhì)量。
以下將以附圖和本發(fā)明的較佳實施例更詳細地描述本發(fā)明。
將參考圖2描述本發(fā)明一個實施例中所使用的盤片結(jié)構(gòu)。用普通的薄的薄膜形成方法諸如真空淀積或濺射法在透明襯底51上形成介電層、記錄層和反射層。在襯底51上，依次形成第一介電層52、記錄層53、第二介電層54和反射層55。此外，提供了緊貼反射層55的保護層56。此外，即使具有無反射層55或無保護層56的結(jié)構(gòu)的光盤也可用作光盤。用于進行記錄和復(fù)現(xiàn)的激光從襯底51一側(cè)入射。
襯底51的材料可使用玻璃、石英、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯(有機玻璃)。此外，襯底可以是光滑的板或其表面上具有凹槽狀示蹤導(dǎo)向的不平整度的板。
保護層56可使用提供涂敷溶解于溶劑的樹脂并經(jīng)干燥獲得的層或用粘合劑粘接的板。
作為記錄層53中所使用的記錄層材料，眾所周知在非晶態(tài)物相和結(jié)晶態(tài)物相之間變化的硫族合金。例如，可使用SbTe類、GeSbTe類、GeSbTeSe類、GeSbTePd類、TeGeSnAu類、AgSbTe類、GeTe類、GaSb類、InSe類、InSb類、InSbTe類、InSbSe類、InSbTeAg類等，以及可使用包括對上述類合金的物相變化特性或光學(xué)特性沒有影響的范圍內(nèi)其它元素的合金。
介電層52和54可使用SiO2、SiO、TiO2、MgO、Ta2O5、Al2O3、GeO2、Si3N4、BN、AlN、SiC、ZnS、ZnSe、ZnTe、PbS或其混合物。
反射薄膜55可使用主要由金屬材料諸如Au、Al、Cu、Cr、Ni和Ti或其混合物構(gòu)成的材料，此外，薄膜55可使用在預(yù)定波長上有大反射系數(shù)的介電多層薄膜。
在上述材料中，本發(fā)明以下實施例中所使用的盤片使用具有大小為φ130mm聚碳酸酯信號記錄磁道的襯底，通過濺射在襯底上形成用作第一介電層的厚度為1300的ZnS-SiO2混合薄膜。
此外，以下實施例1和2中所使用的盤片記錄層的組成為Ge22Sb24Te54，實施例3到18中所使用的盤片記錄層的組成為Ge21Sb26Te53。記錄層形成250的厚度，用作第二介電層的ZnS-SiO2混合薄膜的厚度為200。對于反射層，通過濺射形成厚度為1500的Al薄膜。在反射層上設(shè)有聚碳酸酯保護層。
現(xiàn)在，對于下述本發(fā)明所有實施例中所使用的光盤單元，以圖3進行描述。光盤61附著到主軸電動機62并可旋轉(zhuǎn)。光頭63使用半導(dǎo)體激光器作為光源，并由準直透鏡和物鏡在光盤上形成激光器光點。
由激光器驅(qū)動電路64驅(qū)動半導(dǎo)體激光器，但在記錄信號的情況下，由波形校正電路65校正輸入信號的波形，然后把校正信號輸入到激光器驅(qū)動電路64。
一般，由于成本，不想使波形校正電路很復(fù)雜。因此，為了波形校正，考慮有利于盡量簡單的變化方式。例如，有利的是不改變用于所有標志長度的記錄波形，而改變用于預(yù)定標志長度的記錄波形。
在圖4中示出在一個實施例中所使用的特殊記錄脈沖序列的結(jié)構(gòu)。然而，在圖4的記錄脈沖序列A到D中，示出在標志長度調(diào)制記錄中記錄6T標志時所使用的典型記錄脈沖序列。
注意在本發(fā)明實施例的標志長度調(diào)制記錄中，示出的結(jié)果都是在以激光的第一功率作為記錄功率，以第二功率作為偏置功率以及以用作冷卻功率的標志的后端校正脈沖序列的最低功率或冷卻功率作為復(fù)現(xiàn)功率。于是，如果以第一功率作為記錄功率，以第二功率作為偏置功率以及低功率作為復(fù)現(xiàn)功率是理想的，因為尤其是可簡化波形校正電路的結(jié)構(gòu)，但應(yīng)用于本發(fā)明的激光功率不限于此。當然，如果第一功率是大于記錄功率的功率，第二功率是至少小于第一功率的功率，并且如果最低功率是小于第二功率或偏置功率的功率，則可自由設(shè)定功率。
在圖4中，為了形成記錄標志，記錄脈沖序列A是由激光的第一功率1.5T構(gòu)成的起始沿脈沖以及其中第一和第二功率以0.5T的周期交替切換的脈沖所組成的。這里使用的T代表一個時鐘。
為了形成記錄標志，記錄脈沖序列B由激光的第一功率1.0T構(gòu)成的起始沿脈沖、第二功率以0.5T的周期交替切換的脈沖以及第一功率1.0T構(gòu)成的結(jié)束沿脈沖所組成的。
記錄脈沖序列C具有與記錄脈沖序列B相同的結(jié)構(gòu)，依據(jù)要記錄的標志長度和標志的前后間隔，改變此記錄脈沖序列的起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖的位置。
為了形成記錄標志，記錄脈沖序列D是由其中第一和第二功率以0.5T的周期交替切換的脈沖所組成的。
注意，當然適用于本發(fā)明的記錄脈沖序列的脈寬(起始沿脈寬、結(jié)束沿脈寬、起始沿和結(jié)束沿脈沖之間的脈寬，記錄脈沖序列D情況下記錄脈沖序列的脈寬等)不限于圖4所示的那些脈寬，而可自由設(shè)定。
此外，在圖5中，示出在標志間隔調(diào)制記錄中加上冷卻脈沖的情況下，本發(fā)明的實施例中所采用的特殊記錄波形的結(jié)構(gòu)。
輸入波形A是一(2，7)調(diào)制方法的例子。在此情況下的標志寬度是0.5T。這里，示出標志間隔是2.0T、3.5T和1.5T的情況。
記錄波形E是記錄輸入波形A的情況，其記錄脈寬是0.25T。
記錄波形F是記錄輸入波形A的情況，在記錄功率輻射后立即進行冷卻功率電平輻射。記錄脈沖的寬度是0.25T，冷卻功率輻射時間是0.25T。
記錄波形G是記錄輸入波形A的情況。在記錄功率電平輻射后，進行偏置功率電平的輻射，然后進行冷卻功率電平的輻射。記錄脈沖的寬度是0.25T，冷卻功率輻射時間是0.25T，冷卻功率起始時間是0.25T。
此外，在圖1中，示出在標志長度調(diào)制記錄中加上冷卻脈沖的情況下，本發(fā)明實施例中所采用的特殊記錄波形的結(jié)構(gòu)。在圖1中，示出使用圖4的記錄脈沖序列A的情況。
輸入波形B是EFM(八到十四調(diào)制)信號的輸入波形的一個例子。EFM調(diào)制由3T和11T之間的9種長度信號的組合調(diào)制數(shù)據(jù)。這里使用的T指一個時鐘。
記錄波形H是記錄輸入波形B以及不加冷卻脈沖的情況。
記錄波形I是在記錄輸入波形B的情況下加上冷卻脈沖的記錄波形。無論前面緊接的標志的長度如何，冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間都設(shè)定為恒定值(0.5T和0)并相加。
記錄波形J是在記錄輸入波形B的情況下加上冷卻脈沖記錄波形。無論前面緊接的標志的長度如何，冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間都設(shè)定為恒定值(0.5T和0.25T)并相加。
(實施例1)在此實施例中，將描述在標志間隔調(diào)制中，在記錄和冷卻功率的激光輻射之間進行以偏置功率的激光輻射的情況。
對于光盤的評估條件，激光的波長是680nm，記錄單元在記錄和復(fù)現(xiàn)中所使用的光頭的物鏡的數(shù)值孔徑(NA)是0.55。對于(2，7)調(diào)制，設(shè)定時鐘T最短的標志間距為2.1μm。通過1光束重寫，進行100次記錄，復(fù)現(xiàn)信號被微分，并進行峰值檢測。測量檢測到的信號的跳動值σsum/Tw(％)。這里，σ是跳動標準偏差，Tw是檢測系統(tǒng)的窗口寬度。線速度是6.0m/s。
在此盤片上，為了信號記錄，在記錄其中標志間距變?yōu)?.1μm的單個頻率時，以C/N比飽和處的記錄功率作為記錄功率，用等于標志間距5.6μm的信號頻率重寫標志間距信號的情況下，設(shè)定擦寫速率超出-20dB處功率范圍中心值的功率，并把此功率作為偏置功率。
此實施例中所使用的記錄波形和跳動分別如表1和2所示。
表2]
表1的記錄波形1-1類似于圖5的記錄波形E，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形1-2類似于圖5的記錄波形F，是在記錄功率的激光輻射后立即加上冷卻脈沖的情況。然而，此時的冷卻功率輻射時間是0.25T。此外，記錄波形1-3類似于圖5的記錄波形G，是在記錄功率輻射后進行偏置功率輻射，其后進行冷卻功率輻射的情況。然而，此時的冷卻功率輻射時間是0.25T，冷卻功率起始時間在記錄功率輻射結(jié)束后延遲0.20T。
從表2，對于記錄波形1-1的情況，與其它記錄波形相比，跳動變劇。對于記錄波形1-2的情況，與記錄波形1-1相比，跳動有所改善，但與記錄波形1-3相比，跳動較厲害。即，對于冷卻功率起始時間延遲的本發(fā)明的記錄波形1-3，與其它記錄波形相比，跳動有所改善。
如上所述，在標志間隔調(diào)制中通過延遲冷卻脈沖的開始時間可進行跳動小的記錄。
在此實施例中，雖然把復(fù)現(xiàn)功率情況作為冷卻功率的一個例子，但對于冷卻功率在偏置功率和激光隔斷電平之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例2)在此實施例中，將描述光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)并在標志間隔調(diào)制中進行記錄時，依據(jù)盤片半徑改變冷卻功率起始時間的情況。
對于評估條件，盤片的轉(zhuǎn)數(shù)恒定(1500rpm)。對于(2，7)調(diào)制信號，設(shè)定T的變化為最短的標志間距在所有時間內(nèi)是2.1μm。通過1光束重寫，進行100次記錄，在盤片半徑為23、30、43、50和57mm時的位置測量跳動值σsum/Tw(％)。這里，σ是跳動標準偏差，Tw是檢測系統(tǒng)的窗口寬度。各個半徑處的線速度是大約3.6、4.7、5.8、6.8、7.9和9.0m/s。盤片與其他測量條件同實施例1。
此實施例中所使用的記錄波形和跳動分別如圖3和4所示。
表3的記錄波形2-1類似于圖5的記錄波形E，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形2-2類似于圖5的記錄波形F，是在記錄功率的激光輻射后加上冷卻脈沖的情況。然而，此時的冷卻功率輻射時間都是0.30T。此外，記錄波形2-3類似于圖5的記錄波形G，是在記錄功率輻射后進行偏置功率輻射，其后進行冷卻功率輻射的情況。然而，此時的冷卻功率輻射時間是0.30T，冷卻功率起始時間在記錄功率輻射結(jié)束后延遲0.10T。
從表4，對于記錄波形2-1的情況，與其它記錄波形相比，跳動在盤片內(nèi)部和外部圓周處較劇。在記錄波形2-2的情況下，在盤片內(nèi)部圓周部分處跳動有所改善。此外，在記錄波形2-3的情況下，與記錄波形2-2相比，跳動在盤片內(nèi)部圓周部分處較劇，但與其它記錄波形相比，跳動在盤片外部圓周部分處有所改善。
如上所述，在本發(fā)明中，類似于例如把記錄波形2-2應(yīng)用于盤片的內(nèi)部圓周部分以及把記錄波形2-3應(yīng)用于盤片的外部圓周部分，通過使用加快盤片的內(nèi)部圓周部分處冷卻功率起始時間的記錄波形，可獲得復(fù)現(xiàn)跳動小的令人滿意的記錄。
如上所述，在光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的情況下，通過加快盤片的內(nèi)部圓周部分處冷卻功率起始時間，可獲得在盤片整個圓周上跳動小的記錄。
在此實施例中，如同實施例1，雖然示出把復(fù)現(xiàn)功率情況作為冷卻功率的一個例子，但對于冷卻功率在偏置功率和激光隔斷電平之間的情況當然也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例3)在此實施例中，將描述在標志間隔調(diào)制中，在記錄和冷卻功率的激光輻射之間進行以偏置功率的激光輻射的情況。
對于光盤的評估條件，激光的波長是680nm，記錄單元在記錄和復(fù)現(xiàn)中所使用的光頭的物鏡的數(shù)值孔徑(NA)是0.55。對于8-14調(diào)制(EFM調(diào)制)的輸入信號，設(shè)定時鐘T最短的標志間距0.90μm。通過1光束重寫，進行100次記錄，測量在3T和11T之間復(fù)現(xiàn)信號過零點的跳動值σsum/Tw(％)。這里，σ是3T和11T之間總跳動的標準偏差，Tw是檢測系統(tǒng)的窗口寬度。線速度是4.0m/s。
在此盤片上，為了信號記錄，在記錄其中標志間距變?yōu)?.9μm的單個頻率時，以C/N比飽和處的記錄功率作為記錄功率，在用等于11T的信號頻率重寫3T標志信號的情況下，設(shè)定擦寫速率超出-20dB處功率范圍中心值的功率，并把此功率作為偏置功率。
此實施例中所使用的記錄波形和跳動分別如表5和6所示。<
在表5中，在記錄每個標志長度在3T和11T之間的標志的情況下，示出3種記錄波形每一種的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間。
在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。
表5的記錄波形3-1類似于圖1的記錄波形H，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形3-2類似于圖1的記錄波形I，是在記錄脈沖序列后立即加上冷卻功率激光輻射的情況。然而，無論3T到11T的標志長度如何，此時的冷卻功率輻射時間恒定(0.5T)。此外，記錄波形3-3類似于圖1的記錄波形J，是在記錄功率輻射后立即進行偏置功率輻射，其后進行冷卻功率輻射的情況。然而，無論標志長度如何，此時的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間是0.5T和0.2T。
從表6，對于記錄波形3-1的情況，與其它記錄波形相比，跳動變劇。對于記錄波形3-2的情況，與記錄波形3-1相比，跳動有所改善。另一方面，在冷卻功率起始時間延遲的本發(fā)明的記錄波形3-3中，較令人滿意地控制標志前后端部分之間的對稱性，因此與其它記錄波形相比，此跳動變得較小。
如上所述，通過在記錄和冷卻功率激光輻射之間放置偏置功率激光輻射，可進行跳動較小的記錄。
在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例4)在此實施例中，將只描述依據(jù)要記錄的標志長度改變冷卻功率輻射時間的情況。
在表7和8中分別示出各個記錄波形和跳動。注意測量條件與實施例3相同。
在表7中，在記錄每個標志長度在3T和11T之間的標志的情況下，示出4種記錄波形每一種的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間。
在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。
表7的記錄波形4-1類似于圖1的記錄波形H，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形4-2類似于圖1的記錄波形I，是無論3T到11T的標志長度如何冷卻功率輻射時間都恒定(0.10T)以及在記錄脈沖序列后立即加上冷卻激光輻射時間的情況。此外，記錄波形4-3類似于圖1的記錄波形I，是在記錄脈沖序列后立即進行冷卻功率輻射的情況。然而，此時的冷卻功率輻射時間0.50T，這個時間比記錄波形4-2長。此外，記錄波形4-4類似于圖1的記錄波形I，是在記錄脈沖序列后立即進行冷卻功率輻射的情況。當標志長度變短時冷卻功率輻射時間變長。
從表7，在記錄波形4-1的情況下，與其它記錄波形相比，跳動變劇。在記錄波形4-2和4-3的情況中，與記錄波形4-1相比，跳動有所改善，但它與記錄波形4-4相比來得差。
另一方面，在隨記錄標志長度變短而冷卻功率起始時間變長的本發(fā)明的記錄波形4-4中，較令人滿意地控制標志前后端部分之間的對稱性，因此與其它記錄波形相比，跳動值顯著改善。
如上所述，通過依據(jù)記錄標志長度改變冷卻功率輻射時間，可進行跳動較小的記錄。
在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。(實施例5)在此實施例中，將描述只有當標志長度比預(yù)定標志長度短時才依據(jù)標志長度改變冷卻功率輻射時間的情況。
此實施例中所使用的記錄波形和跳動分別如圖9和10所示。注意測量條件與實施例3相同。
在表9中，在記錄每個標志長度在3T和11T之間的標志的情況下，示出3種記錄波形每一種的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間。
在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。
表9的記錄波形5-1類似于圖1的記錄波形H，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形5-2類似于圖1的記錄波形I，是只有在標志長度比具有3T到6T的標志長度短時，才在記錄脈沖序列的輻射后立即改變卻功率輻射的情況，以及是在記錄標志長度變短時使冷卻功率輻射時間變長的情況。此外，記錄波形5-3是只有在標志長度處于3T時冷卻功率輻射時間才變長的情況，以及是在記錄脈沖序列輻射后立即加上冷卻功率的情況。
從表10，在記錄波形5-1的情況下，與其它記錄波形相比，跳動變劇。另一方面，在依據(jù)本發(fā)明的記錄標志長度為3T到6T的情況下，在記錄波形5-2中，與記錄波形5-1相比，隨著標志長度變短冷卻功率起始時間變長且跳動有所改善。
此外，在依據(jù)本發(fā)明記錄標志長度處于3T時才加上冷卻功率輻射時間的記錄波形5-3中，與記錄波形5-2相比，跳動較大，但與記錄波形5-1相比，此跳動有所改善。
如上所述，在記錄標志長度小于預(yù)定記錄標志長度時才通過改變和增加冷卻功率輻射時間，可進行跳動較小的記錄。
在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例6)在此實施例中，將描述無論標志長度如何冷卻功率輻射時間都恒定并只依據(jù)要記錄的標志長度改變冷卻功率起始時間的情況。
在表11和12中分別示出各個記錄波形和跳動。注意測量條件與實施例3相同。
表12
在表11中，在記錄每個標志長度在3T和11T之間的標志的情況下，示出4種記錄波形每一種的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間。在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。
表11的記錄波形6-1類似于圖1的記錄波形H，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形6-2類似于圖1的記錄波形I，是在記錄脈沖序列輻射后立即進行冷卻功率輻射的情況。然而，無論要記錄的標志長度如何冷卻功率輻射時間都是0.5T。此外，記錄波形6-3類似于圖1的記錄波形，是在記錄脈沖序列輻射后進行偏置功率輻射，其后進行冷卻功率輻射的情況。然而，冷卻功率輻射時間是0.50T，冷卻功率起始時間是0.4T。無論要記錄的標志長度如何，這兩個時間都恒定。此外，對于記錄波形6-4，與記錄波形6-3相比，冷卻功率輻射時間為0.50T，它不管標志長度如何都是恒定的，但隨著標志長度的變短冷卻功率起始時間變快。
從表12，在記錄波形6-1的情況下，與其它記錄波形相比，跳動變劇。在記錄波形6-2和6-3的情況中，與記錄波形6-1相比，跳動有所改善。另一方面，在冷卻功率起始時間隨標志長度變短而變快的本發(fā)明的記錄波形6-4中，與其它記錄波形相比，跳動變得甚至更小。
如上所述，通過依據(jù)要記錄的標志長度改變冷卻功率輻射時間，可進行跳動較小的記錄。
在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例7)在此實施例中，將描述冷卻功率輻射時間恒定以及只有在標志長度比預(yù)定標志長度短時才依據(jù)標志長度改變冷卻功率起始時間的情況。
在表13和14中分別示出各個記錄波形和跳動。注意測量條件與實施例3相同。
在表13中，在記錄每個標志長度在3T和11T之間的標志的情況下，示出3種記錄波形每一種的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間。在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。
表13的記錄波形7-1類似于圖1的記錄波形H，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形7-2類似于圖1的記錄波形J，是在記錄脈沖序列輻射后進行偏置功率輻射，然后進行冷卻功率輻射的情況。此外，在要記錄的標志長度為3T到6T的情況下，隨著標志長度變短，冷卻功率起始時間變快。然而，冷卻功率輻射時間是0.50T，無論標志長度如何，這個時間都是恒定的。[表13
表14]<
此外，記錄波形7-3是只有在記錄3T的標志時才在記錄脈沖序列輻射后立即進行冷卻功率輻射的情況，以及在記錄具有4T到11T的標志時冷卻功率起始時間恒定(0.20T)的情況。
從表14，在記錄波形7-1的情況下，與其它記錄波形相比，跳動變劇。另一方面，依據(jù)本發(fā)明在標志具有3T到6T的長度時，對于冷卻功率起始時間隨標志長度變短而變快的記錄波形7-2，與記錄波形7-1相比，跳動有所改善。此外，在標志長度為3T時冷卻功率起始時間才變快的本發(fā)明記錄波形7-3中，與記錄波形7-2相比，跳動較大，但與記錄波形7-1相比，跳動有所改善。
如上所述，只有在標志長度小于預(yù)定標志長度時才改變和增加冷卻功率起始時間，可進行跳動較小的記錄。此記錄波形簡化了記錄電路的結(jié)構(gòu)，并在成本方面認為是較佳的。
在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例8)在此實施例中，將描述只有當要記錄比預(yù)定長度短的標志時才加上具有恒定冷卻功率輻射時間和恒定冷卻功率起始時間的冷卻脈沖的情況。
在表15和16中分別示出各個記錄波形和跳動。注意測量條件與實施例3相同。<
>[表16]
在表15中，在記錄每個標志長度在3T和11T之間的標志的情況下，示出3種記錄波形每一種的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間。在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。
表15的記錄波形8-1類似于圖1的記錄波形H，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形8-2類似于圖1的記錄波形J，是只有當要記錄的標志長度在3T和6T之間時才在記錄脈沖序列輻射后進行偏置功率輻射，然后進行冷卻功率輻射的情況。然而，但標志長度在3T和6T之間時，加上冷卻功率輻射時間是0.43T，冷卻功率起始時間是0.08T。此外，記錄波形8-3只有當要記錄的標志長度為3T時，才加上具有0.43T的恒定冷卻功率輻射時間和0.08T的恒定冷卻功率起始時間的冷卻脈沖的情況。
從表16，在記錄波形8-1的情況下，與其它記錄波形相比，跳動變劇。另一方面，在只有記錄小于預(yù)定標志長度的標志時才加上具有恒定冷卻脈寬和恒定起始時間的冷卻脈沖的本發(fā)明記錄波形8-2的情況下，與記錄波形8-1相比，跳動有所改善。此外，在只有在記錄具有最短標志長度的標志時才加上冷卻脈沖的本發(fā)明記錄波形8-3的情況下，與記錄波形8-2相比，跳動較劇，但與記錄波形8-1相比，跳動有所改善。
如上所述，只有在記錄小于預(yù)定標志長度的標志時才加上具有恒定脈寬和恒定起始時間的冷卻脈沖，可進行跳動較小的記錄。此記錄波形簡化了記錄電路的結(jié)構(gòu)，并在成本方面認為是較佳的。
在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例9)在此實施例中，將描述以恒定角速度旋轉(zhuǎn)光盤并只有當記錄小于預(yù)定標志長度的標志時才加上冷卻脈沖的情況。
對于評估條件，盤片的轉(zhuǎn)數(shù)是1000rpm。對于EFM信號，改變時鐘T，使在所有的時間最短的標志間距為0.90μm。通過1光束重寫，進行100次記錄，在23、30、37、43、50和57mm的盤片半徑處測量在3T和11T之間復(fù)現(xiàn)信號過零點的跳動值σsum/Tw(％)。這里，σ是3T和11T之間總跳動的標準偏差，Tw是檢測系統(tǒng)的窗口寬度。此外，各個半徑處的線速度大約是2.4、3.1、3.9、4.5、5.2和6.0m/s。注意其它測量條件類似于實施例3。
各個記錄波形和跳動分別如表17和18所示。
在表17中，在記錄每個標志長度在3T和11T之間的標志的情況下，示出3種記錄波形每一種的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間。
在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。表17的記錄波形9-1類似于圖1的記錄波形H，是不加冷卻脈沖的情況。

記錄波形9-2類似于圖1的記錄波形J，是只有當記錄長度為3T到6T的標志時，在記錄脈沖序列輻射后進行偏置功率的輻射，然后進行冷卻功率輻射的情況。然而，冷卻功率輻射時間是0.30T，冷卻功率起始時間是0.08T，所以時間是均勻的。此外，在記錄長度為7T到11T的標志的情況下，不加上冷卻脈沖。此外，記錄波形9-3類似于圖1的記錄波形H，是在除了長度為3T的標志以外，不加冷卻脈沖的情況。然而，只有當記錄長度為3T的標志時，冷卻功率輻射時間為0.43T，冷卻功率起始時間是0.08T。
從表18，在記錄波形9-1的情況下，與其它記錄波形相比，跳動變劇，尤其是在盤片內(nèi)部圓周處。另一方面，在記錄短標志時加上冷卻脈沖的記錄波形9-2的情況下，與記錄波形9-1相比，跳動在盤片內(nèi)部圓周部分處有所改善。此外，在記錄3T標志時加上冷卻脈沖的記錄波形9-3的情況下，跳動在盤片內(nèi)部圓周部分處有所改善。因此，例如，對于半徑為37mm或直到43mm的內(nèi)部圓周部分，可使用記錄波形9-2和9-3，相對于此的外部圓周部分，可使用記錄波形9-1。
如上所述，通過在盤片的內(nèi)部圓周部分處使用記錄波形9-2或9-3，以及在外部圓周部分處使用不加上冷卻脈沖的記錄波形9-1，可在盤片的任意半徑處獲得令人滿意的跳動。
如上所述，在光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)時，只有當在預(yù)定半徑的盤片內(nèi)部圓周部分上記錄小于預(yù)定標志長度的標志時，才加上冷卻脈沖，從而可在盤片的任意半徑處進行跳動小的記錄。此記錄波形簡化了記錄電路的結(jié)構(gòu)，并在成本方面認為是較佳的。
在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例10)在此實施例中，將描述光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)并依據(jù)盤片半徑改變冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間的情況。
各個記錄波形和跳動分別如表19和20所示。注意測量條件與實施例9相同。
在表19中，在記錄每個標志長度在3T和11T之間的標志的情況下，示出3種記錄波形每一種的冷卻功率輻射時間和冷卻功率起始時間。
在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。
表19的記錄波形10-1類似于圖1的記錄波形H，是不加冷卻脈沖的情況。記錄波形10-2類似于圖1的記錄波形I，是在記錄脈沖序列輻射后進行冷卻功率輻射的情況。然而，冷卻功率輻射時間隨著要記錄的標志長度而改變，當標志變短時冷卻功率輻射時間變長。
<p>此外，記錄波形10-3類似于圖1的記錄波形J，是在記錄脈沖序列輻射后，進行偏置功率輻射，然后進行冷卻功率輻射的情況。然而，冷卻功率輻射時間為0.50T，冷卻功率起始時間隨著要記錄的標志長度而改變，并隨著標志變短而變快。
從表20，在記錄波形10-1的情況下，與其它記錄波形相比，跳動在盤片內(nèi)部圓周處變劇。另一方面，在應(yīng)用記錄波形10-2的情況下，與記錄波形10-1相比，跳動在盤片內(nèi)部圓周部分處有所改善。相反跳動在外部圓周部分處變劇。此外，在應(yīng)用記錄波形10-3的情況下，與記錄波形10-1相比，跳動在盤片內(nèi)部圓周部分處有所改善，但跳動在外部圓周部分處變劇。因此，對于預(yù)定半徑內(nèi)的區(qū)域，例如，對于半徑43mm的內(nèi)部圓周部分，可使用記錄波形10-2和10-3，相對于此的外部圓周部分，可使用記錄波形10-1。
如上所述，從簡化記錄電路的觀點，在盤片的內(nèi)部圓周部分處使用記錄波形10-2或10-3，以及在外部圓周部分處使用記錄波形10-1，從而可在盤片的任意半徑處獲得令人滿意的跳動。
如上所述，在光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)時，在盤片的內(nèi)部圓周部分中，冷卻功率輻射時間隨著標志長度變短而延長，或冷卻功率起始時間變快，從而在盤片的任意半徑處進行跳動小的記錄。
在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例11)將描述在一記錄脈沖序列后立即加上用作各種冷卻脈沖的標志的后端校正脈沖序列的情況。
在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。然后，在記錄脈沖序列后立即加上各種標志的后端校正脈沖序列。測量條件與實施例3相同。
將依據(jù)圖6描述此實施例中使用的各種記錄波形。在圖中，示出在記錄長度為6T的標志時所使用的典型記錄波形模式。
記錄波形11-1是不加上標志的后端校正脈沖序列的情況。
記錄波形11-2是在記錄脈沖序列后，立即以光復(fù)現(xiàn)功率進行周期為0.5T的激光輻射的情況。在輻射后，進行偏置功率的激光輻射。
記錄波形11-3是在記錄脈沖序列后，把功率減小到偏置功率和光復(fù)現(xiàn)功率之間的中間功率，然后進行周期為0.25T的激光輻射的情況。在輻射后，立即把功率減小到光復(fù)現(xiàn)功率，然后加上標志的后端校正脈沖序列，在其中進行周期為0.25T的激光輻射。其后，以偏置功率進行激光輻射。
記錄波形11-4是在記錄脈沖序列后，立即以比偏置功率高2mW的功率進行周期為0.15T的激光輻射的記錄波形。在輻射后，立即加上標志的后端校正脈沖序列，在其中以光復(fù)現(xiàn)功率進行周期為0.35T的激光輻射。其后，以偏置功率進行激光輻射。
記錄波形11-5是在記錄脈沖序列后，立即以光復(fù)現(xiàn)功率進行周期為0.2T的激光輻射的記錄波形。在輻射后，立即以偏置功率進行周期為0.1T的激光輻射。在激光輻射后，立即加上標志的后端校正脈沖序列，在其中以光復(fù)現(xiàn)功率進行周期為0.2T的激光輻射。其后，以偏置功率進行激光輻射。
記錄波形11-6是在記錄脈沖序列后，立即在0.2T的周期中把功率從偏置功率連續(xù)減小到光復(fù)現(xiàn)功率，并加上標志的后端校正脈沖序列在其中以光復(fù)現(xiàn)功率進行周期為0.3T的激光輻射的記錄波形。其后，以偏置功率進行激光輻射。
記錄波形11-7是在記錄脈沖序列后，立即在0.25T的周期中把功率從偏置功率連續(xù)減小到光復(fù)現(xiàn)功率的記錄波形。在減小后，加上標志的后端校正脈沖序列，其中在0.25T的周期里功率從光復(fù)現(xiàn)功率連續(xù)增加到偏置功率。其后，以偏置功率進行激光輻射。表21中示出各個記錄波形，表21中也示出100次重寫操作后的跳動值。
從表21，在記錄波形11-2中，在加上以低于偏置功率的復(fù)現(xiàn)功率(也叫做冷卻功率)進行激光輻射作為標志的后端校正脈沖的情況下，與記錄波形11-1相比，100次重寫操作后的跳動值有所改善。
另一方面，在本發(fā)明中，在加上標志的后端校正脈沖序列的記錄波形11-3、11-4、11-5、11-6和11-7的情況下，可令人滿意地控制標志前端部分和后端部分之間的對稱性，所以與記錄波形11-2相比，跳動進一步改善。
如上所述，通過在記錄脈沖序列后加上標志的后端校正脈沖序列，可進行100次重寫操作后跳動令人滿意的記錄。
在此實施例中，雖然示出在兩個階段中改變標志的后端校正脈沖序列的功率的情況，當然對于在三或更多階段中改變上述功率的情況，也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例12)接著，將描述在記錄脈沖序列和標志的后端校正脈沖序列之間由偏置功率進行激光輻射的情況。
在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。此外，測量條件與實施例11相同。
將依據(jù)圖6描述此實施例中使用的各種記錄波形。在圖中，示出在記錄長度為6T的標志時所使用的典型記錄波形模式。
記錄波形12-1是與實施例11中的記錄波形11-3相同的記錄波形。
另一方面，在記錄脈沖序列和標志的后端校正脈沖序列之間由偏置功率進行激光輻射的本發(fā)明的記錄波形12-2是在記錄脈沖序列后，以偏置功率進行周期為0.2T的激光輻射的記錄波形。在輻射后，把功率減小到偏置功率和復(fù)現(xiàn)功率之間的功率，然后進行周期為0.25T的激光輻射。在輻射后，立即把功率減小到復(fù)現(xiàn)功率，然后進行周期為0.25T的激光輻射。其后，以偏置功率進行激光輻射。
表22中示出各個記錄波形，表22中也示出100次重寫操作后的跳動值。
<p>從表22，在本發(fā)明中，在記錄脈沖序列和標志的后端校正脈沖序列之間由偏置功率進行激光輻射的記錄波形12-2中，標志的前端部分與后端部分之間的對稱性是令人滿意的，所以與記錄波形12-1相比，可進一步改善跳動。
如上所述，通過在記錄脈沖序列和標志的后端校正脈沖序列之間由偏置功率進行激光輻射，可進行100次重寫操作后跳動令人滿意的記錄。
在此實施例中，雖然示出在兩個階段中改變標志的后端校正脈沖序列的功率的情況，當然對于在三或更多階段中改變上述功率的情況，也可獲得類似的結(jié)果。此外，對于在記錄脈沖序列后具有一周期的標志的后端校正脈沖序列，把激光連續(xù)改變到比偏置功率低的功率的情況，可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例13)接著，將描述把標志的后端校正脈沖序列加到各種記錄脈沖序列的情況。
將依據(jù)圖8描述此實施例中使用的各種記錄波形。在圖中，在記錄長度為6T的標志時所使用的典型記錄波形模式。注意測量條件與實施例11相同。
記錄波形13-1、2和3中每一個的記錄脈沖序列是上述圖4的記錄脈沖序列B。
記錄波形13-1是不加上標志的后端校正脈沖序列的情況。
記錄波形13-2是在記錄脈沖序列后，立即以光復(fù)現(xiàn)功率進行周期為0.5T的激光輻射的情況。在輻射后，進行偏置功率的激光輻射。
記錄波形13-3是在記錄脈沖序列后，立即把功率減小到偏置功率和光復(fù)現(xiàn)功率之間的中間水平，然后進行周期為0.25T的激光輻射的情況。在輻射后，立即把功率減小到光復(fù)現(xiàn)功率，然后加上標志的后端校正脈沖序列，在其中進行周期為0.25T的激光輻射。其后，以偏置功率進行激光輻射。
記錄波形13-4、5和6中的每一個是上述圖4的記錄脈沖序列C。
記錄波形13-4是不加上標志的后端校正脈沖序列的情況。
記錄波形13-5是在記錄脈沖序列后，立即以光復(fù)現(xiàn)功率進行周期為0.5T的激光輻射的情況。在輻射后，進行偏置功率的激光輻射。
記錄波形13-6是在記錄脈沖序列后，立即加上與記錄波形13-3相同的標志的后端校正脈沖序列的情況。其后，以偏置功率進行激光輻射。
記錄波形13-7、8和9中的每一個是上述圖4的記錄脈沖序列D。
記錄波形13-7是不加上標志的后端校正脈沖序列的情況。
記錄波形13-8是在記錄脈沖序列后，立即以光復(fù)現(xiàn)功率進行周期為0.5T的激光輻射的情況。在輻射后，進行偏置功率的激光輻射。
記錄波形13-9是在記錄脈沖序列后，立即加上與記錄波形13-3相同的標志的后端校正脈沖序列的情況。其后，以偏置功率進行激光輻射。
在表23中示出各個記錄波形，表23中也示出100次重寫操作后的跳動值。<
>從表23，在記錄波形13-2中，在記錄脈沖序列后，立即以光復(fù)現(xiàn)功率進行激光輻射的情況下，與記錄波形13-1相比，100次重寫操作后的跳動值有所改善。
另一方面，在本發(fā)明中，在加上標志的后端校正脈沖序列的記錄波形13-3中，與記錄波形13-2相比，跳動較小。于是，對于圖4的記錄脈沖序列B，在加上標志的后端校正脈沖序列的情況下，標志前端部分和后端部分之間的對稱性較佳，因此改善了跳動。
同樣，對于圖4的記錄脈沖序列C和D，在加上標志的后端校正脈沖序列的情況下，標志前端部分和后端部分之間的對稱性較佳，因此改善了跳動。
如上所述，通過把標志的后端校正脈沖序列加到記錄脈沖序列B、C和D，可進行100次重寫操作后跳動令人滿意的記錄。
在此實施例中，雖然示出在兩個階段中改變標志的后端校正脈沖序列的功率的情況，當然對于在三或更多階段中改變上述功率的情況，也可獲得類似的結(jié)果。此外，對于在記錄脈沖序列后具有一周期的標志的后端校正脈沖序列，把激光連續(xù)改變到比偏置功率低的功率的情況，可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例14)接著，將描述依據(jù)要記錄的標志長度改變標志的后端校正脈沖序列起始時間的情況。
在此實施例中，測量條件與實施例11相同。此外，在此實施例中，使用圖4的記錄脈沖序列A。
用表24描述此實施例中使用的各種記錄波形。
記錄波形14-1是在記錄脈沖序列后，無論要記錄的標志的長度如何，立即把功率減小到偏置功率和光復(fù)現(xiàn)功率之間的中間電平，然后進行周期為0.25T的激光輻射的記錄波形。在輻射后，立即把功率減小到光復(fù)現(xiàn)功率，然后進行周期為0.25T的激光輻射。其后，以偏置功率進行激光輻射。
記錄波形14-2具有與記錄波形14-1相同的標志的后端校正脈沖序列。當記錄長度為11T的標志時，標志的后端校正脈沖序列的起始時間是0.8。在標志長度變短時，起始時間每次變快0.1T。當記錄長度為3T的標志時，在記錄脈沖序列后立即加上標志的后端校正脈沖序列。其后，以偏置功率進行激光輻射。
表25中示出各個記錄波形，表25中也示出100次重寫操作后的跳動值。
從表25，在本發(fā)明中，在依據(jù)標志長度改變標志的后端校正脈沖序列起始時間的記錄波形14-2中，標志的前端部分與后端部分之間的對稱性變好，所以與記錄波形14-1相比，可進一步改善跳動。
如上所述，通過依據(jù)標志長度改變標志的后端校正脈沖序列的起始時間，可進行100次重寫操作后跳動是令人滿意的記錄。
在此實施例中，雖然示出在兩個階段中改變標志的后端校正脈沖序列的功率的情況，當然對于在三或更多階段中改變上述功率的情況，也可獲得類似的結(jié)果。此外，對于在記錄脈沖序列后具有一周期的標志的后端校正脈沖序列，把激光連續(xù)改變到比偏置功率低的功率的情況，可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例15)接著，將描述依據(jù)要記錄的標志長度改變標志的后端校正脈沖序列脈沖結(jié)構(gòu)的情況。
在此實施例中，使用一記錄脈沖序列(圖4的記錄脈沖序列A)。此外，測量條件與實施例11相同。
將依據(jù)圖9描述此實施例中使用的各種記錄波形。注意在圖9的記錄波形15-1中，示出在記錄長度為6T的標志時所使用的典型記錄波形模式。此外，在記錄波形15-2中，示出在長度為3T到11T的標志中，在記錄長度為3T到5T、10T和11T時所使用的記錄模式。
記錄波形15-1與實施例11的記錄波形11-3相同。
記錄波形15-2是在記錄脈沖序列后，立即改變功率使功率隨著標志長度的變短而變小的記錄波形。尤其是，當記錄3T的標志時，把功率設(shè)定為光復(fù)現(xiàn)功率，當記錄4T的標志時，把功率設(shè)定為位于偏置功率和光復(fù)現(xiàn)功率之間且比光復(fù)現(xiàn)功率高1/8的功率。于是，當標志長度變長時，功率增加。以此功率進行周期為0.25T的激光輻射。在輻射后，立即把功率減小到光復(fù)現(xiàn)功率，然后加上標志的后端校正脈沖，在其中進行周期為0.25T的激光輻射。其后，以偏置功率進行激光輻射。
表26中示出各個記錄波形，表26中也示出100次重寫操作后的跳動值。<
從表26，在本發(fā)明的依據(jù)要記錄的標志長度改變標志的后端校正脈沖序列起始時間結(jié)構(gòu)的記錄波形15-2中，與記錄波形15-1相比，可改善100次循環(huán)后的跳動值。
如上所述，通過依據(jù)要記錄的標志長度改變標志的后端校正脈沖序列起始時間的脈沖結(jié)構(gòu)，盤片前和后端之間的對稱性變好，因此可進行復(fù)現(xiàn)信號質(zhì)量令人滿意的記錄。
在此實施例中，雖然示出在兩個階段中改變標志的后端校正脈沖序列的功率的情況，當然對于在三或更多階段中改變上述功率的情況，也可獲得類似的結(jié)果。此外，對于在記錄脈沖序列后具有一周期的標志的后端校正脈沖序列，把激光連續(xù)改變到比偏置功率低的功率的情況，可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例16)
接著，將描述光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)并依據(jù)盤片半徑位置改變標志的后端校正脈沖序列的起始時間的情況。
盤片的轉(zhuǎn)數(shù)仍為1000rpm，對于EFM信號，改變時鐘T使在所有次數(shù)中最短的標志長度為μm。
在此實施例中，使用與實施例11相同的記錄脈沖序列(圖4的記錄脈沖序列A)。
表27中示出此實施例中所使用的各個記錄波形。<
記錄波形16-1是不加上標志的后端校正脈沖序列的情況。
記錄波形16-2與實施例11的記錄波形11-3相同。
記錄波形16-3也具有與實施例11的記錄波形11-3相同的標志的后端校正脈沖序列，但在本發(fā)明中，標志的后端校正脈沖序列的起始時間隨盤片半徑位置圓周靠近內(nèi)部逐步而變短。尤其是，當盤片半徑在23和34mm之間時，在記錄脈沖序列后立即加上標志的后端校正脈沖序列。當半徑在35和46mm之間時，標志的后端校正脈沖序列的起始時間延遲0.2T，當半徑在47和57mm之間時，標志的后端校正脈沖序列的起始時間延遲0.5T。
表28中示出各個記錄波形，表28中也示出100次重寫操作后的跳動值。注意測量是在內(nèi)部圓周(半徑26mm)、中部圓周(半徑38mm)以及外部圓周(半徑50mm)上進行的。此外，半徑處的各個線速度是大約2.7、4.0和5.2m/s。
此外，其它測量條件與實施例11相同。
從表28，在記錄波形16-1中，跳動變劇，因為熱量留在內(nèi)部，但如果類似于記錄波形16-2加上標志的后端校正脈沖序列，則熱量不留在內(nèi)部，因此在盤片的全部圓周上，可改善100次重寫操作后的跳動值。
另一方面，在本發(fā)明中，在依據(jù)標志的半徑位置改變標志的后端校正脈沖序列起始時間的記錄波形16-3中，在中部和外部圓周部分可很好地進行熱控制，因此可進一步改善跳動。
如上所述，通過依據(jù)盤片的半徑位置改變標志的后端校正脈沖序列的起始時間，可進行100次重寫操作后跳動令人滿意的記錄。
在此實施例中，雖然示出在兩個階段中改變標志的后端校正脈沖序列的功率的情況，當然對于在三或更多階段中改變上述功率的情況，也可獲得類似的結(jié)果。此外，對于在記錄脈沖序列后具有一周期的標志的后端校正脈沖序列，把激光連續(xù)改變到比偏置功率低的功率的情況，可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例17)接著，將描述光盤以恒定角速度旋轉(zhuǎn)并依據(jù)盤片半徑位置改變標志的后端校正脈沖序列的脈沖結(jié)構(gòu)的情況。
在此實施例中，使用與實施例11相同的記錄脈沖序列(圖4的記錄脈沖序列A)。
此外，測量條件與實施例16相同。
將依據(jù)圖10描述此實施例中所使用的各種記錄波形。在圖中，示出在記錄長度為6T的標志時所使用的典型記錄波形模式。此外，在記錄波形17-2中，示出在盤片內(nèi)部、中間和外部圓周處所使用的記錄波形。
無論盤片的半徑位置如何，記錄波形17-1中的標志的后端校正脈沖序列的結(jié)構(gòu)是恒定的，記錄波形與實施例11的記錄波形11-3相同。
記錄波形17-2是這樣一種記錄波形，即在記錄脈沖序列后，立即如此改變標志的后端校正脈沖序列的功率，從而此功率隨著盤片半徑在逐步靠近內(nèi)部圓周而變小。尤其是，當盤片半徑在23和34mm之間時，在記錄脈沖序列后功率被設(shè)定為比光復(fù)現(xiàn)功率高1mW的功率。當半徑在35和46mm之間時，功率被設(shè)定為介于偏置功率和光復(fù)功率之間。當半徑在47和57mm之間時，功率被設(shè)定為比偏置功率低1mW的功率。以此功率，進行周期為0.25T的激光輻射。在輻射后，立即把功率減小到光復(fù)現(xiàn)功率，然后加上標志的后端校正脈沖，在其中進行周期為0.25T的激光輻射。其后，以偏置功率進行激光輻射。
表29中示出各個記錄波形，表29中也示出100次重寫操作后的跳動值。
從表29，對于在記錄脈沖序列后，立即如此改變標志的后端校正脈沖序列的功率，從而使此功率隨著盤片半徑位置逐步靠近內(nèi)部圓周而變小的本發(fā)明的記錄波形17-2，內(nèi)部和外部圓周處標志前端部分和后端部分之間的對稱性較好。因此，與記錄波形17-1相比，可改善跳動。
如上所述，通過依據(jù)盤片的半徑位置改變標志的后端校正脈沖序列的脈沖結(jié)構(gòu)，可進行100次重寫操作后跳動令人滿意的記錄。
在此實施例中，雖然示出在兩個階段中改變標志的后端校正脈沖序列的功率的情況，當然對于在三或更多階段中改變上述功率的情況，也可獲得類似的結(jié)果。此外，對于在記錄脈沖序列后具有一周期的標志的后端校正脈沖序列，把激光連續(xù)改變到比偏置功率低的功率的情況，可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出圖4的記錄脈沖序列A為記錄脈沖序列的情況，但對于圖4的記錄脈沖序列B、C和D也可獲得類似的結(jié)果。
(實施例18)在本發(fā)明的情況中，將用圖11中盤片記錄單元的方框圖和圖12每個部分的信號波形圖來首先描述記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖和以冷卻功率進行激光輻射開始之間的時間為恒定的情況下的操作。
在此實施例中，數(shù)據(jù)1是PWM數(shù)據(jù)(圖12a)，它具有時鐘單元的長度時鐘的兩個或多個周期的高電平周期和低電平周期。與標志相一致把數(shù)據(jù)的高電平周期記錄在盤片上，與間隔相一致記錄低電平周期。
此外，假定起始沿脈沖3和結(jié)束沿脈沖7的寬度都是時鐘的一個周期，而且假定單個短脈沖27是時鐘的半個周期。
冷卻脈沖的寬度取時鐘的半個周期，記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖和以冷卻功率進行的激光輻射開始之間的時間也取時鐘的半個周期。
此外，標志/間隔長度檢測電路8檢測因高密度記錄而在標志之間產(chǎn)生熱干擾處的間隔長度，也檢測因復(fù)現(xiàn)系統(tǒng)的頻率特征而產(chǎn)生峰值偏移處的標志/間隔長度。
在此實施例中，假定檢測到要記錄的數(shù)據(jù)串中存在最短的2T標志和2T間隔。
首先，在起始沿脈沖產(chǎn)生電路2中，在數(shù)據(jù)1高電平周期的起始沿部分處產(chǎn)生寬度為時鐘一個周期的起始沿脈沖3(圖12b)。
在短脈沖選通產(chǎn)生電路4中，在標志的中間位置處產(chǎn)生標志長度減少三個時鐘的短脈沖選通信號5。注意當標志長度是3個時鐘或更少時，不產(chǎn)生短脈沖選通信號(圖12c)。
在結(jié)束沿脈沖產(chǎn)生電路6中，在數(shù)據(jù)1高電平周期的結(jié)束沿部分處產(chǎn)生寬度為時鐘一個周期的結(jié)束沿脈沖7(圖12e)。
在標志/間隔長度檢測電路8中，檢測具有兩個時鐘的寬度即2T標志和2T間隔的數(shù)據(jù)。當出現(xiàn)2T標志時，產(chǎn)生寬度為兩個時鐘的2T-標志信號9，它包括2T標志的起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖(圖12f)。當出現(xiàn)2T間隔時，產(chǎn)生寬度為四個時鐘的2T-間隔信號10，它包括2T間隔兩側(cè)的結(jié)束沿脈沖和起始沿脈沖(圖12g)。
在編碼器11中，由2T-標志信號9和2T-間隔信號10確定起始沿脈沖3和結(jié)束沿脈沖7的標記，并輸出選擇信號12。即，具有3T或更多時鐘的標志和3T或更多時鐘的間隔的數(shù)據(jù)叫做“正?！?。具有3T或更多時鐘的標志和2T間隔的數(shù)據(jù)叫做2Ts。具有2T標志和3T或更多時鐘的標志的數(shù)據(jù)叫做2Tm。具有2T標志和2T間隔的數(shù)據(jù)叫做2Ts-2Tm。于是，數(shù)據(jù)被分為4種標記(圖12h)。
接著，在起始沿選擇器14中，由選擇器信號12從多個起始沿設(shè)定值13，即
“正常”期間的起始沿設(shè)定值、2Ts期間的起始沿設(shè)定值、2Tm期間的起始沿設(shè)定值和2Ts-2Tm期間的起始沿設(shè)定值中選擇單個起始沿設(shè)定值，然后輸出選中的起始沿設(shè)定值15。
在起始沿采樣/保持電路16中，只有當出現(xiàn)起始沿脈沖3時，才進行更新，在不出現(xiàn)起始沿脈沖3時，保持先前的值并輸出保持的起始沿設(shè)定值39(圖12i)。
然后，在可編程起始沿延遲線17中，在根據(jù)保持的起始沿設(shè)定值39值的延遲時間后輸出起始沿脈沖3作為起始沿延遲脈沖18(圖12j)。
同樣，在結(jié)束沿選擇器20中，由選擇器信號12從多個結(jié)束沿設(shè)定值19中選擇單個結(jié)束沿設(shè)定值，然后輸出選中的結(jié)束沿設(shè)定值21。在結(jié)束沿采樣/保持電路22中，只有當出現(xiàn)結(jié)束沿脈沖7時，才進行更新，在不出現(xiàn)結(jié)束沿脈沖7時，保持先前的值并輸出保持的結(jié)束沿設(shè)定值45(圖12k)。
然后，在可編程結(jié)束沿延遲線23中，在根據(jù)保持的結(jié)束沿設(shè)定值45值的延遲時間后輸出結(jié)束沿脈沖7作為結(jié)束沿延遲脈沖24(圖121)。
現(xiàn)在，將描述延遲的冷卻脈沖信號的輸出。
在冷卻脈沖產(chǎn)生電路36中，在延遲的結(jié)束沿脈沖上升時間處產(chǎn)生數(shù)量為時鐘半個周期的冷卻脈沖(圖12n)。
在冷卻脈沖延遲線37中，從冷卻脈沖產(chǎn)生電路36中輸出的冷卻脈沖41被延遲恒定數(shù)量，并輸出冷卻脈沖信號42(圖12o)。
冷卻脈沖42通過倒相器38，并被輸出作為高和低電平顛倒的延遲冷卻脈沖信號43(圖12p)。
此外，在AND門26中，取上述短脈沖選通信號5和時鐘25之間的邏輯積，并產(chǎn)生短脈沖信號27(圖12m)。
在OR門28中，取延遲的起始沿脈沖18和短脈沖27之間的邏輯和，并產(chǎn)生記錄信號29。
激光二極管35被發(fā)光電流源32偏置，從而二極管35發(fā)射用于相改變型光盤的復(fù)現(xiàn)光功率。
設(shè)有與復(fù)現(xiàn)光電流源32并聯(lián)的偏置電平電流源31和記錄電平電流源30，如果由開關(guān)33導(dǎo)通或斷開記錄電平電流源30的電流，并由開關(guān)34導(dǎo)通或斷開偏置電平電流源31的電流，則激光二極管35的驅(qū)動電流可在三個電流之間切換記錄電平電流、偏置電平電流和復(fù)現(xiàn)光電平電流。
即，通過用此開關(guān)33控制上述記錄信號29并用開關(guān)34控制延遲的冷卻脈沖信號43，可在切換激光二極管35時以記錄功率、偏置功率和冷卻功率發(fā)射激光。由裝有激光二極管35的光頭，可通過加上冷卻脈沖的記錄方法(圖12q)在相改變型光盤上形成標志和間隔。
接著，將用圖13中盤片單元的方框圖和圖14每個部分的信號波形圖來描述在冷卻功率光輻射的起始時間以時鐘為基礎(chǔ)的情況下延遲冷卻脈沖信號的形成方法。
在此情況下，在結(jié)束沿脈沖產(chǎn)生電路6(14f)中輸出的結(jié)束沿脈沖上升的同時從冷卻脈沖產(chǎn)生電路46中輸出冷卻脈沖48。
冷卻脈沖延遲線37輸出延遲恒定數(shù)量的冷卻脈沖(圖14o)。
其它操作原理與上述相同。
由上述的一系列操作，此實施例中的盤片存儲單元加上冷卻功率的激光輻射，并依據(jù)要記錄的標志長度和標志的前后端間隔長度改變標志起始沿和結(jié)束沿的位置，從而可與數(shù)據(jù)相一致地記錄標志和間隔。
在此實施例中，雖然已假定(1-7)RLL代碼信號記錄且在標志/間隔長度檢測電路中示出2T標志和2T間隔(它們是最短的倒相間隔)和大于2T的標志和間隔構(gòu)成的4種模式，還可把數(shù)據(jù)分為大于3T的標志和間隔，從而可增強每個標志邊沿位置的精確性。
此外，雖然把起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖分別取為1T的寬度，且把短脈沖取為0.5T的寬度，但也可依據(jù)記錄薄膜(或存儲媒體)和光點之間的相對速度選擇最佳的脈寬。
此外，雖然假定冷卻脈寬是0.5T的恒定值，但也可通過依據(jù)標志長度和標志間隔改變脈寬來進一步減小總能量。
對于光盤的評估條件，激光的波長是680nm，記錄單元在記錄和復(fù)現(xiàn)中所使用的光頭的物鏡的NA是0.55。對于(1-7)RLL信號，設(shè)定時鐘T，使最短的標志長度變成0.60μm。在記錄時測量位于2T和8T之間的復(fù)現(xiàn)信號過零點的跳動值σsum/Tw(％)。這里，σsum是2T和8T之間跳動和的標準偏差，Tw是檢測系統(tǒng)的窗口寬度。線速度是4.0m/s。
在此盤片上，為了信號記錄，在記錄其中標志長度變?yōu)?.60μm的單個頻率時，取C/N比飽和處的記錄功率作為記錄功率。當以相應(yīng)于7T的單個頻率重寫2T標志時，設(shè)定擦寫速率超出-20dB處功率范圍中心值的功率，并把此功率作為偏置功率。
由2T和8T之間復(fù)現(xiàn)信號過零點的跳動值σsum/Tw(％)小于13％處的循環(huán)數(shù)判斷盤片的循環(huán)特性。
由圖15，將描述此實施例中所使用的記錄波形。在圖中，示出記錄7T標志時所使用的典型記錄波形模式。對于記錄波形18-1到18-3，使用圖4的記錄脈沖序列B，對于記錄波形18-4到18-7，使用圖4的記錄脈沖序列C。
記錄波形18-1是起始沿脈沖寬度為1.0T而結(jié)束沿脈沖寬度為1.0T，且在起始沿和結(jié)束沿脈沖之間，交替進行周期為0.5T的第二功率的激光輻射以及周期為0.5T的第一功率的激光輻射的記錄波形。在此情況下，不加上冷卻脈沖。
記錄波形18-2是在記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖后，不管要記錄的標志長度立即把以冷卻功率具有0.5T輻射時間的冷卻脈沖加到上述記錄波形18-1的情況。
記錄波形18-3是把冷卻脈沖加到上述記錄脈沖18-1的情況。冷卻脈沖是不管要記錄的標志長度，冷卻功率處的輻射時間都為0.5T的情況，其中在記錄脈沖序列結(jié)束沿脈沖下降和以冷卻功率進行激光輻射開始之間的時間是恒定的，如0.5T。
記錄波形18-4是依據(jù)由記錄波形18-1記錄的標志長度和標志的前后間隔改變記錄脈沖序列起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖位置的情況，并且不加上冷卻脈沖。
記錄波形18-5是在記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖后，不管要記錄的標志長度，立即把冷卻功率的輻射時間為0.5T的冷卻脈沖加到上述記錄波形18-4的情況。
記錄波形18-6是把冷卻脈沖加到上述記錄脈沖18-4的情況。冷卻脈沖是不管要記錄的標志長度，冷卻功率的輻射時間都為0.5T的情況，其中在記錄脈沖序列結(jié)束沿脈沖下降和以冷卻功率進行激光輻射開始之間的時間是恒定的，如1.5T。
記錄波形18-7是把冷卻脈沖加到上述記錄脈沖18-4的情況。冷卻脈沖是不管要記錄的標志長度，冷卻功率的輻射時間都為0.5T的情況，其中冷卻功率的輻射起始時間比次脈沖(在起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖之間的脈沖)結(jié)束沿脈沖的上升時間延遲恒定數(shù)量諸如2.5T。即，在此情況下，冷卻脈沖輻射的起始時間以時鐘為基礎(chǔ)。
在表30中示出各個記錄波形、100次重寫操作后的跳動值，以及跳動值小于13％時的循環(huán)數(shù)目。
>從表30，在本發(fā)明中，在加上冷卻脈沖的記錄波形18-2中，與不加上冷卻脈沖的記錄波形18-1相比，熱破壞有所改善，因此滿足跳動＜13％的循環(huán)數(shù)目是令人滿意的。
此外，在記錄波形18-3中，通過在記錄脈沖序列后進行0.5T的偏置功率激光輻射，可更滿意地控制標志前端部分和后端部分之間的對稱性，因此與記錄波形18-2相比，跳動變得更小。
此外，即使在依據(jù)要記錄的標志長度和標志的前后間隔改變記錄脈沖序列起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖的位置的情況下，與不加上冷卻脈沖的記錄波形18-4相比，對于如本發(fā)明加上冷卻脈沖的記錄波形18-5，可改善熱破壞。因此，因此滿足跳動＜13％的循環(huán)數(shù)目是令人滿意的。
此外，在依據(jù)要記錄的標志長度和標志的前后間隔改變記錄脈沖序列起始沿脈沖和結(jié)束沿脈沖的位置的情況下，與不改變位置的情況相比，可更多地控制標志的結(jié)構(gòu)，因此跳動變小。
此外，在本發(fā)明的記錄波形18-6和18-7中，在記錄脈沖序列的結(jié)束沿脈沖和以偏置功率進行的激光輻射之間進行偏置功率輻射，從而與在記錄脈沖序列后，立即以冷卻功率進行激光輻射的記錄波形18-5相比，可改善100次循環(huán)后的跳動值和滿足跳動＜13％的循環(huán)數(shù)目，并可獲得令人滿意的值。
如上所述，偏置功率的激光輻射位于以冷卻功率進行激光輻射的記錄脈沖序列的結(jié)束沿部分和以冷卻功率進行的激光輻射之間，從而可改善100次循環(huán)后的跳動值，即使在進行多次循環(huán)時也可進行令人滿意的記錄。
此外，在此實施例中，雖然示出冷卻功率是光復(fù)現(xiàn)功率的情況，但對于冷卻功率在0和小于偏置功率之間的情況也可獲得類似的結(jié)果。
此外，在此實施例中，雖然示出記錄脈沖序列的第二功率是偏置功率的情況，但對于第二功率大于0和小于記錄功率的情況也可獲得類似的結(jié)果。
依據(jù)本發(fā)明的記錄方法，可抑制由于標志之間的熱干擾所引起的標志長度的變動，并可使標志前端部分和后端部分之間的對稱性變得很好。因此，標志可形成所需的形狀，可滿足光盤的高密度需要，即使在以恒定角速度旋轉(zhuǎn)光盤方法的情況下，也可增強復(fù)現(xiàn)信號的質(zhì)量。此外，可減輕在多次循環(huán)情況下由熱破壞所引起的信號惡化，并可實現(xiàn)令人滿意的循環(huán)特性。
權(quán)利要求
1.一種通過由激光束輻射在光學(xué)記錄媒體上形成記錄標志來記錄信息的記錄方法，其特征在于通過輻射在第一功率和低于所述第一功率的第二功率之間調(diào)制的作為記錄脈沖序列的激光束來形成所述記錄標志，在所述記錄脈沖序列的起始和結(jié)尾處以所述第一功率輻射所述激光束，在所述記錄脈沖序列的起始脈沖和結(jié)尾脈沖之間交替輻射所述第一功率的激光束和所述第二功率的激光束，在輻射所述記錄脈沖序列后立即輻射冷卻功率的激光束，所述冷卻功率比低于所述第一功率的偏置功率還要低，以及所述記錄脈沖序列的所述起始和所述結(jié)尾的位置依據(jù)記錄標志的長度以及連續(xù)形成的記錄標志之間的距離而改變。
2.如權(quán)利要求1所述的距離方法，其特征在于在比所述記錄脈沖序列的所述起始脈沖和所述結(jié)尾脈沖之間的數(shù)據(jù)時鐘的一個周期短的周期內(nèi)交替輻射所述第一功率的激光束和所述第二功率的激光束。
全文摘要
標志長度調(diào)制記錄中,把標志的后端校正脈沖序列加到記錄脈沖序列與冷卻功率處激光輻射或后端校正脈沖序列間進行偏置功率激光輻射。依標志長度改變輻射起始時間、寬度、后端校正脈沖序列的結(jié)構(gòu)。CAV模式下,依盤片半徑改變輻射時間和起始時間。記錄脈沖包括起始沿、結(jié)束沿脈沖和其間的脈沖時,在記錄脈沖序列和冷卻功率間進行偏置功率激光輻射。根據(jù)結(jié)束沿脈沖的延遲量或時鐘進行依據(jù)標志長度和間隔的輻射起始時間定時的改變。
文檔編號G11B7/125GK1250211SQ9912107
公開日2000年4月12日 申請日期1999年9月30日 優(yōu)先權(quán)日1995年10月9日
發(fā)明者坂上嘉孝, 西內(nèi)健一, 大野銳二 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社