專利名稱：：利用可變大小冗余替換配置使存儲器容錯的方法本申請和美國專利申請S/N08/825,949律師存檔號FI9-97-002)相關(guān)，其名稱為“使存儲器容錯的可變大小冗余替換布局”—該申請是同時(shí)遞交的并被轉(zhuǎn)讓給了同一個(gè)受讓人。本發(fā)明涉及一種使存儲器容錯的方法，且更具體地說是涉及一種利用可變大小冗余配置替換存儲器中的缺陷元件的方法。CMOS技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)使計(jì)算機(jī)市場迅速地向著廣大的用戶開放。今天的多媒體要求至少8MB且較好地是16MB的存儲器，這增大了計(jì)算機(jī)中的存儲器系統(tǒng)的相對成本。在不遠(yuǎn)的將來，很可能32MB和64MB的計(jì)算機(jī)將成為普通的，這意味著對256MB或更高的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的潛在需要。雖然這造成巨大的陣列尺寸和光刻困難，更重要的是增大芯片的產(chǎn)量。工藝工程師不斷努力減小并最終消除或至少掩蓋缺陷。芯片中不可避免地存在的故障通常是利用專用的電路設(shè)計(jì)更具體地是利用冗余替換來克服的。傳統(tǒng)的冗余配置通常是圍繞著一種固定大小冗余替換(FSRR)布局的，在該布局中元件被分成包含固定數(shù)量的元件的組，這些組被用來取代存儲器件中有缺陷的元件。多年中已經(jīng)成功地實(shí)施了FSRR布局中的各種配置。圖1a中顯示了一種典型的FSRR配置，它通常被用于低密度DRAM。其中顯示了用于取代存儲器中有缺陷元件的固定多個(gè)備件，它們被附在包括該存儲器的各個(gè)子陣列中。各個(gè)冗余單元(RU)由多個(gè)冗余元件(RE)組成(例如，圖中顯示每個(gè)RU兩個(gè)RE)，且它們被用來修復(fù)相應(yīng)的子陣列中存在的故障(標(biāo)為X)。這種方案被稱為塊內(nèi)取代，它隨著高密度存儲器的子塊的增加而使得冗余區(qū)開銷增大，因?yàn)楦鱾€(gè)子塊都要求自己的一個(gè)或最好兩個(gè)RU。因此，考慮到RU的不靈活性—當(dāng)故障集中在一個(gè)給定的子陣列中時(shí)它嚴(yán)重降低了芯片的產(chǎn)量，其效率是很差的。上述概念反映在IEEEJournalofSolidStateCircuit，Vol.27，pp.1222-1228，Sept.1992中發(fā)表的T.Kirihata等人標(biāo)題為“一種300mW有源功率的14ns4MbDRAM”的文章中描述的配置中。另一種FSRR冗余取代設(shè)置被稱為靈活冗余取代配置，它在圖1b中顯示，其中一個(gè)存儲器具有單個(gè)的RU陣列，以有選擇地取代存儲器中任何地方的故障元件。在此配置中，RU中的RE能夠修復(fù)位于存儲器中的任何子陣列中的故障(標(biāo)為X)。這種設(shè)置超過上述塊內(nèi)取代的優(yōu)點(diǎn)是可以采用一個(gè)具有固定數(shù)量的RU的部分即冗余陣列來為形成存儲器的任何數(shù)量的子陣列服務(wù)。這比前面的方案大大節(jié)約了占用面積，雖然它要求大量的輔助控制電路來適當(dāng)?shù)貫樾纬纱鎯ζ鞯乃凶雨嚵蟹?wù)。有另一種FSSR布局，稱為塊FSRR，并在圖1c中顯示，其中一個(gè)子陣列中的任何數(shù)量的故障(包括所有的故障)都用塊冗余來取代。現(xiàn)有技術(shù)塊FSRR的大小與子陣列的大小相同，該子陣列被定義為包含在檢測放大器條之間的一段存儲器。由于在這種方案中缺陷的塊由好的塊取代，所以結(jié)果是一個(gè)塊中的所有缺陷RE都同時(shí)用好的RE所取代。雖然這種取代方法在缺陷修復(fù)中引入了新的措施，它也增大了額外的設(shè)計(jì)空間以容納使這種布局如此有利的各種配置。另外，它有一種顯著的缺點(diǎn)，即如果冗余塊自身有故障，即使只有一個(gè)，則塊冗余不能得到使用。因?yàn)閺亩x上說，塊很大，在冗余塊中找到至少一個(gè)缺陷的概率很高。雖然對圖1c中顯示的陣列的再分割在現(xiàn)有技術(shù)中是已知的，當(dāng)缺陷影響塊冗余陣列時(shí)尚無措施以進(jìn)行適當(dāng)校正。在以下的文章中可以找到與上述配置和各種折衷有關(guān)的細(xì)節(jié)T.Kirihata等在DigestofTechnicalPapersofthe1995SymposiumonVLSICircuits，pp.107-108上的“AFault-TolerantDesignfor256MbDRAMs″；T.SLugibayashi等人在IEEEJournalofSolidStateCircuits，Vol.28，pp.1092-1098，Nov.1993上的“A30ns256MbDRAMwithMulti-dividedArrayStructure″；以及H.L.Kalter等人在“IEEEJournalofSolidStateCircuits，Vol.25，pp.1118-1128，Oct.1990上發(fā)表的″A50ns16MbDRAMwith10nsDataRateandOn-ChipECC″。總之，固定大小冗余替換(FSRR)設(shè)置由固定數(shù)量的替換單元組成，每一個(gè)單元都具有相同數(shù)量的RE以修正存儲器件中的缺陷。對預(yù)定數(shù)量的固定大小的冗余單元的分配靈活性使得這些單元和控制電路能夠在若干個(gè)存儲器子陣列中共享，從而顯著地增大了冗余的利用率。這種配置通過提供良好的可修復(fù)性，而顯示了其價(jià)值，特別是對位線(單位或多位)、字線(單字或多字)等等，這些都屬于“硬故障”的范圍。然而，固定大小冗余替換具有明顯的缺點(diǎn)，還在于它仍然需要大量的RU(和相應(yīng)的控制電路)來克服另一種類稱為“保持故障”的故障，即存儲在形成DRAM單元的電容器中的一個(gè)位，在弱的單元中隨著時(shí)間而逐漸衰減，從而產(chǎn)生了故障。這種問題是非常重要的，因?yàn)楸３止收线h(yuǎn)遠(yuǎn)超過了硬故障的數(shù)量?；氐酱鎯ζ髦械挠补收希@種缺陷傾向于集中出現(xiàn)，因而最需要包含相等數(shù)量的冗余元件的定做單元。硬故障通常不是很多，但它們的規(guī)模可能很大，因而要求需要多個(gè)RE和/或大尺寸的RE來修復(fù)這種故障。例如，如果一個(gè)子陣列包含四個(gè)成群的缺陷，就需要一個(gè)4元件冗余單元來修復(fù)它們。然而，如果有五個(gè)簇缺陷，但只有包含4個(gè)RE的單元，則在塊內(nèi)替換配置中可能完全無法替換缺陷(因?yàn)樵谠撟雨嚵兄袥]有足夠單元來修復(fù)這種數(shù)量的故障)。類似地，靈活的替換配置也不能應(yīng)付，因?yàn)樵趯?shí)際中只有具有“錯誤尺寸”的單元可進(jìn)行這種修復(fù)，雖然靈活冗余方案比塊內(nèi)替換布局更可能提供成功的替換。另一方面，保持故障在整個(gè)存儲器中隨機(jī)地發(fā)生，且它們的數(shù)量通常很高；但有一個(gè)顯著的有利之處，即它們可用單個(gè)的RE修復(fù)。在塊內(nèi)修復(fù)配置中，保持故障只能借助包含固定多個(gè)RE的RU來修復(fù)。顯然，如果為檢測隨機(jī)出現(xiàn)的保持故障的目的設(shè)計(jì)只有一個(gè)RE的RU，則這種配置將對保持故障是理想的；但它們難于修復(fù)硬故障(例如修復(fù)有四個(gè)硬故障的群需要每個(gè)有一個(gè)RE的四個(gè)單元)。保持故障即使用靈活冗余替換布局也是難于修復(fù)的，因?yàn)檫@種故障的數(shù)量很大，通常超過了存儲器器件中測量用的修復(fù)電路。考慮到前述情況，一種理想的冗余配置是在不因復(fù)雜的冗余區(qū)開銷引入麻煩的負(fù)擔(dān)下，修復(fù)硬故障、保持故障、以及塊故障，不論它們是隨機(jī)分布在存儲器中還是成群地出現(xiàn)的。通常，這種開銷被分成冗余元件開銷和冗余控制電路開銷，二者都應(yīng)該盡可能地小以實(shí)現(xiàn)良好的可修復(fù)性并保持存儲器的最佳性能。在以下的參考文獻(xiàn)中描述了有關(guān)的冗余配置，包括某些在上面列舉的1996年2月13日授予Phelan的美國專利第5,491,664號描述了在分割陣列布局方案實(shí)現(xiàn)一種靈活冗余存儲器塊元件。這種配置使存儲器和冗余存儲器塊都與讀取總線耦合以便一個(gè)存儲器子陣列中的冗余存儲器能由第二個(gè)子陣列共享。1995年12月12日授予Fujiwara的美國專利第5,475,648號描述了一種具有冗余配置的存儲器，其中當(dāng)適當(dāng)?shù)牡刂沸盘柵c缺陷單元的地址一致時(shí)，冗余配置所提供的備件單元得到激活以替換故障的單元。1995年10月24日授予Seung-CheolOh的美國專利第5,461,587號中一種行冗余電路與兩個(gè)其他的備件行譯碼器一起使用，借助熔絲盒，行冗余控制電路生成的信號使得能夠用備件替換故障的行。1995年10月17日授予Rieger等的美國專利第5,459,690號描述了一種具有冗余設(shè)置的存儲器，它在有正常的字線服務(wù)缺陷存儲器單元的情況下，使能冗余單元替換故障的存儲器單元用。1995年7月4日授予Hiltebeitel等的美國專利第5,430,679號描述了一種用于程序譯碼器的冗余熔絲下載系統(tǒng)。熔絲組可動態(tài)地分配給冗余譯碼器，使得能夠在存儲器中對故障的行/列進(jìn)行多維分配。1994年3月15日授予Stephens，Jr等的美國專利第5,295,101號描述了一種兩級冗余設(shè)置，用于用適當(dāng)?shù)娜哂嘣硖鎿Q故障的子陣列。雖然現(xiàn)有技術(shù)和前面的描述主要是涉及DRAM的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是上述配置和/或布局同樣可用于其他類型的存儲器，諸如SRAM、ROM、EPROM、EEPROM、閃爍RAM、CAM等。因此，本發(fā)明的一個(gè)目的，是提供一種可用于任何尺寸的存儲器的容錯設(shè)計(jì)。本發(fā)明的另一個(gè)目的，是用一種可變大小的冗余替換設(shè)置以相同大小的冗余元件來有選擇地地替換故障的元件。本發(fā)明的另一個(gè)目的，是采用冗余單元—其每一個(gè)都包含預(yù)定數(shù)量的冗余元件。本發(fā)明的另一個(gè)目的，是借助選擇最適合的大小的最有效修復(fù)單元，通過動態(tài)地修復(fù)包含硬故障與保持故障的任何大小的存儲器來改善芯片的產(chǎn)量。本發(fā)明的另一目的，是同時(shí)修復(fù)存儲器中的硬故障、保持故障和子陣列故障，并在使修復(fù)某種故障不影響其他故障修復(fù)的情況下實(shí)現(xiàn)這種修復(fù)。本發(fā)明的另一目的，是用這種可變大小冗余替換(VSRR)配置來取代傳統(tǒng)的固定大小冗余替換(FSRR)配置。本發(fā)明的一個(gè)更具體的目的，是采用VSRR配置來最大地減小RE和相關(guān)的電路要求。本發(fā)明的另一目的，是保證對存儲器中的硬件故障和保持故障的修復(fù)是在不要求使用附加功率和不對存儲器的速度產(chǎn)生不利影響的情況下得到實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的另一目的，是提供一種容錯塊大小冗余替換—它使得塊冗余中的故障能夠借助其他VSRR單元而得到修復(fù)和使用。本發(fā)明的另一目的，是使具有預(yù)定多個(gè)RE的故障RU能夠用具有比該預(yù)定數(shù)量少的RE的VSRR來修復(fù)。本發(fā)明的一個(gè)更具體的目的，是并行地修復(fù)存儲器器件和VSRR單元中的所有故障，同時(shí)保持簡單、快速且低功率的設(shè)計(jì)。本發(fā)明的一個(gè)主要方面，是提供稱為可變大小冗余替換(VSRR)的一種新穎和改進(jìn)的冗余配置，以能夠采用更有效的冗余單元(RU)—它可完全適應(yīng)缺陷的大小。這種改進(jìn)的VSRR用于消除傳統(tǒng)的FSRR(固定大小冗余替換)配置的缺點(diǎn)；其中FSRR采用了固定大小的替換單元，而不論缺陷的大小或數(shù)量如何。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了通過設(shè)置具有可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置的存儲器器件而使存儲器容錯的方法，該方法包括以下步驟把該存儲器器件配置成具有多個(gè)主存儲器陣列的存儲器器件—這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；使多個(gè)獨(dú)立受控的可變大小冗余單元與主存儲器陣列相耦合，該可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；以及，用至少一個(gè)可變大小冗余單元替換主存儲器陣列中的有缺陷元件，其中至少一個(gè)可變大小冗余單元中的冗余元件替換主存儲器陣列中相應(yīng)數(shù)量的有缺陷元件。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種借助可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置使存儲器器件容錯的方法，該方法包括以下步驟把存儲器配置成多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；把可變大小冗余單元與各個(gè)主存儲器陣列相耦合，該可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；以及，替換各個(gè)主存儲器陣列中的有缺陷元件，其中至少一個(gè)可變大小冗余單元中的冗余元件與各個(gè)主存儲器陣列相耦合。根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供了一種借助可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置使存儲器器件容錯的方法，該方法包括以下步驟配置多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；把至少一個(gè)可變大小冗余陣列與多個(gè)主存儲器陣列相耦合，該至少一個(gè)冗余陣列包括多個(gè)獨(dú)立受控的可變大小冗余單元，這些可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；以及，用至少一個(gè)可變大小冗余單元替換主存儲器陣列中的有缺陷元件，其中可變大小冗余單元根據(jù)有缺陷元件的數(shù)量替換有缺陷的主存儲器元件。根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)方面，提供了一種借助一種可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置而使存儲器器件容錯的方法，該方法包括以下步驟提供多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；把多個(gè)獨(dú)立受控的可變大小冗余單元與主存儲器陣列相耦合，其中這些可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；提供與主存儲器陣列耦合的塊冗余陣列；以及，用至少一個(gè)可變大小冗余單元替換主存儲器陣列中和塊冗余陣列中的有缺陷元件，其中在該至少一個(gè)可變大小冗余單元中的冗余元件替換主存儲器陣列中和塊冗余陣列中的相應(yīng)數(shù)量的有缺陷元件。通過以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例所進(jìn)行的描述，本發(fā)明的上述目的、方面和優(yōu)點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)它們的方式，將變得更為明顯。在附圖中圖1a示意表示帶有傳統(tǒng)的FSRR塊內(nèi)替換方案的存儲器，并顯示了如何用RE替換各個(gè)相應(yīng)的部分中的RE，來修正各種部分中的故障行。圖1b顯示了具有傳統(tǒng)的FSRR靈活冗余替換方案的存儲器的示意圖，其中集中在存儲器的一端的RE陣列被用來有選擇地地替換存儲器中任何地方的故障行。圖1c顯示了帶有傳統(tǒng)塊FSRR的存儲器，其中用多個(gè)RE形成的好的塊替換存儲器中相等大小的塊。圖2示意顯示了根據(jù)本發(fā)明的VSRR(可變大小冗余替換)的布局存儲器，它根據(jù)其中出現(xiàn)的故障的類型和大小來動態(tài)地分配RU。圖3是一個(gè)256MBDRAM的總體方案圖，顯示了如何在通常的DRAM中使用VSRR配置。圖4a顯示了根據(jù)本發(fā)明的可應(yīng)用于VSRR配置的控制電路。圖4b是時(shí)序圖，可用于圖4a顯示的VSRR配置。圖5a是根據(jù)本發(fā)明的冗余單元控制譯碼器的示意框圖。圖5b是可應(yīng)用于圖5a的框圖的時(shí)序圖。圖6a描述了受到圖4a和5a中顯示的電路控制的通常熔絲鎖存設(shè)置FLAT和主熔絲鎖存設(shè)置MFLAT，用于替換存儲器中的故障元件。圖6b是可應(yīng)用于圖6a的框圖的時(shí)序圖。圖7是可用于圖1c的塊FSRR布局的一個(gè)實(shí)施例的示意圖，其中在一個(gè)行冗余陣列中的RE修正主存儲器陣列和冗余塊陣列中的缺陷。圖8a是用于圖7的線路和塊冗余配置的優(yōu)先級譯碼器的示意圖。圖8b-1和8b-2是可應(yīng)用于圖8a顯示的框圖的時(shí)序圖?，F(xiàn)在參見圖2，其中顯示了具有可變大小冗余替換(VSRR)配置的存儲器的示意圖。與FSRR配置不同(其中各個(gè)RU包括相同數(shù)量的RE)，VSRR設(shè)置包括多個(gè)RU，每一個(gè)包含可變數(shù)量的RE。另外，在該VSRR設(shè)置中，任何RU中的所有RE在所有修復(fù)中都同時(shí)被替換。例如，RU0-7(即，RU0、RU1、RU2、RU3、RU4、RU5、RU6、RU7)；RU8-11(即RU8、RU9、RU10、RU11)；RU12-13(即RU12和RU13)；RU14和RU15可分別由1、2、4、8和32個(gè)RE組成。任一RU0-7都可修復(fù)單個(gè)的位故障。RU8-11中的任何一個(gè)都可修復(fù)由于位線丟失或元件之間的短路引起的故障。RU12-13、RU14和RU15最好得到保留以處理較大的故障，諸如缺陷譯碼器等。RU由它們相應(yīng)的冗余單元控制電路RUCNT(最好位于冗余塊附近)來控制。VSRR使得最有效的RU能夠被用于修復(fù)，同時(shí)使對用于此目的的RE區(qū)的影響為最小。以下(表I)顯示的是FSRR與VSRR配置之間的比較，顯示了為修復(fù)假定的故障分布各所需的元件和冗余單元控制電路RUCNT的總數(shù)。設(shè)需要修復(fù)一個(gè)32元件的故障，一個(gè)8元件的故障、兩個(gè)4元件的故障、4個(gè)2元件的故障、和8個(gè)1元件的故障。表I′</tables>1RE的數(shù)量/RU的數(shù)量上述的表假定FSRR要求4個(gè)元件，不論故障的大小如何都需要替換一個(gè)譯碼器。為了修復(fù)所有假定的故障，固定大小冗余替換要求96個(gè)RE和24個(gè)冗余RU，而VSRR只需要64個(gè)RE和16個(gè)RU。更具體地說，參見表1的列2，其中顯示了有一個(gè)總數(shù)為32的成群的缺陷需要修復(fù)。在VSRR中，32個(gè)RE組成的一個(gè)單元就足夠修復(fù)該缺陷。在FSRR中，需要八個(gè)各帶有4個(gè)RE的單元來實(shí)現(xiàn)相同的結(jié)果。第二例子，參見表1的列6，有8個(gè)單位故障需要修復(fù)。在FSRR中，八個(gè)各為1個(gè)RE的單元將足夠，而在FSRR配置下，需要八個(gè)各為4個(gè)RE的單元來實(shí)現(xiàn)相同的結(jié)果?，F(xiàn)在參見圖3，其中顯示了16個(gè)16MB單元15組成的256MBDRAM的示意框圖。出于說明的目的，假定該16MB單元15定義了一個(gè)“區(qū)域”即16MB單元中能夠得到修復(fù)的故障，且以下稱為16MB區(qū)域中的一個(gè)靈活冗余替換。根據(jù)本發(fā)明，該冗余配置，通過在各個(gè)配置中設(shè)計(jì)一個(gè)將用于替換成群缺陷的可變大小RU的菜單，同樣地適用于塊內(nèi)替換和靈活冗余替換二者。該16MB單元具有8192(每個(gè)1MB塊為16×512)個(gè)字線(WL)，由16個(gè)1MB塊(子陣列)組成，每一個(gè)具有1M個(gè)單元。見圖3，每一個(gè)形成存儲器陣列的單元都由NMOS器件20和電容25組成。各個(gè)字線WL與2048個(gè)NMOS器件20的柵極相耦合。在1MB塊中有512個(gè)字線(即512WL×2048單元)，但在一個(gè)具體1MB塊(16個(gè)里的)被激活時(shí)只有一個(gè)字線得到選擇。(注意在16MB單元的8192個(gè)WL中只有一個(gè)被激活)。存儲在電容25中的電荷被傳送到相應(yīng)的位線BL。檢測放大器28放大位線BL上的電荷。放大的位信息(即數(shù)據(jù))被相應(yīng)的列地址(未顯示)所選擇，并被傳送到數(shù)據(jù)輸出電路(未顯示)。與傳統(tǒng)的塊內(nèi)替換不同，各個(gè)1MB塊中沒有任何冗余字線(RWL)。為16MB單元設(shè)計(jì)了具有16個(gè)可變大小冗余單元RU0-15的128Kb冗余塊，以替換16個(gè)1MB塊中的任何一個(gè)里的缺陷WL。各個(gè)RU0-7(冗余WL，RWL0-7)由單個(gè)的冗余字線RWL組成。相應(yīng)地，各個(gè)RU8-11(RWL7-15)包括四個(gè)RWL(RWL16-23)，各個(gè)RU12(RWL24-31)和各個(gè)RU13(RWL32-63)包括四RWL。RU14和RU15每一個(gè)由8個(gè)和32個(gè)RWL組成。這使得可以根據(jù)故障的大小來選擇最有效的RU，從而增大出現(xiàn)硬故障和保持故障時(shí)單元的可靠性。再看前面的例子，使能冗余電路24停用主16MB陣列19中的所有8192個(gè)WL。相反地，128Kb冗余塊22中的64個(gè)RWL(冗余WL)中的一個(gè)得到激活。前述包括NMOS器件20、電容25和檢測放大器28的冗余組合的操作，也適用于冗余組合30-35-38。這種控制電路的詳細(xì)操作將在下面描述。16個(gè)1MB塊的字線和冗余塊中的RWL由圖4a的適當(dāng)可變大小RU控制電路RUCNT24的控制。為了得到較好的性能，這些在冗余塊的底部得到了最有利的定位。參見圖4a，其中顯示了可變大小冗余替換(VSRR)控制電路的框圖，該控制電路包括字線譯碼器(WLDEC)；冗余字線譯碼器(RWLDEC)；可變?nèi)哂鄦卧刂齐娐?RUCNT)—用RUCNT0-7、RUCNT8-11、RUCNT12-13、RUCNT14和RUCNT15代表；字線驅(qū)動器(WLDRV)和冗余字線驅(qū)動器(RWLDRV)。為了說明本發(fā)明的VSRR配置的操作并簡化討論，假定一個(gè)WL(16MB主陣列19中的8192個(gè)中的)一個(gè)或RWL(冗余塊22中的64個(gè)中的)在16MB單元15中得到激活(圖3)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，兩個(gè)或更多的WL可在該16MB單元得到激活，其修改是很小的。以下描述1)備用模式，2)正常激活模式和3)可變?nèi)哂嗉せ钅Ｊ降脑敿?xì)操作。圖4b顯示了最有關(guān)的信號的時(shí)序圖地址ADD、節(jié)點(diǎn)N、節(jié)點(diǎn)NR、WLON、WL禁止信號bWLDIS、RWLE、WL和RWL，見圖4a。在備用模式(即當(dāng)芯片未被使能時(shí))，控制線WLON保持在低位，這禁止了所有的WL和RWL(都處于0)，而不論RWLDEC輸出NR的WLDEC的輸出N和RUCNT的輸出端RWLE的狀態(tài)(即，“不必管”狀態(tài))如何。當(dāng)芯片被使能(即處于激活模式)時(shí)，WL或RWL被激活(但不是二者)。當(dāng)WL被使能時(shí)，芯片進(jìn)入所謂的正常激活模式。或者，當(dāng)RWL被激活(這禁止了WL)，芯片被稱為處于冗余激活模式。在正常的激活模式下，所有的冗余字線使能信號RWLE都處于低位，使字線禁止電路WLDISGEN處于高位。RWLE信號發(fā)生的詳細(xì)操作將在下面描述。當(dāng)16MB單元15(圖3和4)被使能時(shí)，13b地址信息被傳送到WLDEC，使能了8192中的一個(gè)節(jié)點(diǎn)N。這使得可以在信號WLON切換到高位時(shí)激活8192中的一個(gè)WL。在冗余模式下，冗余字線RWL的激活受到兩通路解碼的控制a)通過RUCNT，和b)通過RWLDEC。如上所述，由若干RE組成的RU由適當(dāng)?shù)腞UCNT控制。RU中的各個(gè)RE由交替的通路b)即RWLDEC控制。兩個(gè)解碼通路并行地工作，且對RUCNT和RWLDEC的最后解碼在RWLDRV中發(fā)生作用。冗余模式下的操作的詳細(xì)描述將在下面進(jìn)行。冗余模式通常由RUCNT檢測，它在WLON上的信號到達(dá)之前激活了適當(dāng)?shù)腞WLE。(檢測階段被稱為冗余匹配檢測階段)。這使WLDISGEN的輸出端的信號bWLDIS切換到0，從而禁止16MB單元的字線被激活。在該RUCNT冗余匹配檢測階段期間，選擇至少一個(gè)RU中的RE的一個(gè)替換路徑是在RWLDEC中解碼的。同時(shí)，適當(dāng)?shù)腞WLDEC由地址信息激活，使相應(yīng)的N8切換到1。用于RWLDEC的地址位的數(shù)量設(shè)定解碼相應(yīng)RU中的RE的適當(dāng)數(shù)量的位數(shù)。這種路徑獨(dú)立地受到控制，和處于冗余模式還是正常模式無關(guān)。激活一個(gè)RWL的最后判定是由NR和RWLDRV中的RWLE的解碼結(jié)果來確定的。上述兩個(gè)解碼路徑使得可以借助適當(dāng)?shù)膶ぶ范岩粋€(gè)RWL變成激活(而不影響速度)，它已經(jīng)預(yù)先在WLON切換到高位時(shí)得到解碼。RWLDEC帶有可變大小冗余譯碼器，這使得可以實(shí)施本發(fā)明的可變大小冗余替換配置。例子，對單個(gè)的字線替換不需要譯碼器，且RUCNT產(chǎn)生的RWLE信號直接控制適當(dāng)?shù)腞WLE驅(qū)動器。2WL、4WL、8WL和32WL的替換在相應(yīng)的RWLDEC分別需要1位1b、2位2b、3b和5b的譯碼器。這又激活了按照地址輸入ADD的適當(dāng)?shù)墓?jié)點(diǎn)NR。參見圖5a和5b，其中顯示了單個(gè)的RU控制電路RUCNT的框圖和時(shí)序圖。該電路帶有驅(qū)動譯碼器的多個(gè)熔絲鎖存器FLAT(即，“與”門)。傳統(tǒng)的FSRR控制電路與VSRR控制電路RUCNT的不同，只在于各個(gè)可變替換所需的熔絲的數(shù)量。對VSRR配置要求的各個(gè)RUCNT，它是由位的數(shù)量確定的，另外，各個(gè)RUCNT還需要一個(gè)主熔絲MFLAT。對于單個(gè)位的替換RUCRT0-7，需要13位來解碼16MB單元中的8k字線中的一個(gè)。這要求13個(gè)FLAT和一個(gè)主FLAT(MFLAT)，在圖4a中標(biāo)為13F+1MF。對于2WL替換RUCNT8-12，一個(gè)位能夠被保留，結(jié)果是12個(gè)熔絲和一個(gè)主熔絲(12F+1MF)。對4、8和32WL替換，每個(gè)RUCNT分別需要11、10和8個(gè)熔絲和一個(gè)主熔絲(11F+1MF，10F+1MF和8F+1MF)。對其操作的詳細(xì)描述如下。為了使能RUCNT，主熔絲需要被燒毀。只要主熔絲保持完好，MFLAT的輸出MF就是0(圖5b)?！芭c”門的輸出RWLE保持在0，而不論地址如何。當(dāng)主熔絲被燒毀時(shí)(MF置于1)RWLE受到FLAT的輸出組合即FADD的控制。當(dāng)相應(yīng)的地址輸入ADD未能與程序熔絲信息匹配時(shí)FADD切換到0?；蛘?，當(dāng)相應(yīng)的ADD與程序的熔絲信息匹配時(shí)FADD切換到1。只有當(dāng)所有的熔絲程序地址與ADD輸入匹配時(shí)，MF被燒毀，從而使RWLE切換到1。參見圖6a，其中顯示了熔絲鎖存器FLAT的示意圖，其中FLAT被描述為一種地址熔絲比較器。由60、65和68形成的一個(gè)CMOS鎖存器，被裝置80和82在芯片被FPUP和FPUN加電期間置位，如圖6b的圖所示。如果熔絲83在啟動期間未被燒毀，節(jié)點(diǎn)N0、N1和N2分別被置于0、1和0。或者，如果熔絲83被燒毀，節(jié)點(diǎn)N0、N1和N2分別被置于1、0和1。節(jié)點(diǎn)N0、N1和N2的這些狀態(tài)被鎖存在CMOS鎖存電路60、65和68中。根據(jù)節(jié)點(diǎn)N1和N2的狀態(tài)，CMOS轉(zhuǎn)移門70和75之一開通。ADD和ADD(被電路69倒相)分別與CMOS轉(zhuǎn)移門電路70和75耦合。只要熔絲保持完好(即處于0)，F(xiàn)LAT47的輸出FADD就跟隨ADD。當(dāng)熔絲被燒毀時(shí)FADD跟隨ADD。FADD當(dāng)ADD和熔絲兩者都是0或1時(shí)切換到1，從而產(chǎn)生地址和熔絲匹配檢測。在圖6a的電路FLAT中，包括有電路MFLAT(或主FLAT)它與適當(dāng)?shù)臅r(shí)序曲線一起得到顯示(圖6b)。該CMOS鎖存器由60、65和68形成，在芯片被FPUP和FPUN加電階段得到置位，如該圖中顯示。如果在加電期間，熔絲83未被燒毀，則節(jié)點(diǎn)N0、N1和N2(也被稱為MF)分別切換到0、1、0。由于MF處于0，RUCNT中的“與”門(圖5a)被禁止。另一方面，如果熔絲83燒毀，則在加電期間點(diǎn)N0、N1和N2(也被稱為MF)分別切換到1、0、1，而MF處于1，這使能了RUCNT中的“與”門(圖5)。參見圖7，其中顯示了本發(fā)明的另一實(shí)施例，即可應(yīng)用于圖1c的傳統(tǒng)塊布局的容錯塊冗余替換配置。其中顯示了一個(gè)主存儲器陣列，它由多個(gè)子陣列0-15形成(標(biāo)為100-115)。最好位于主存儲器陣列的底部的一個(gè)塊冗余陣列150被假定包含至少一個(gè)缺陷。進(jìn)一步假定主存儲器陣列中的子陣列114包含大量的故障(標(biāo)為X)。塊冗余150在此情況下可被用來整個(gè)地替換子陣列114。本領(lǐng)域的技術(shù)人員完全理解，缺陷可發(fā)生在形成存儲器器件的任何子陣列中，而不論是主存儲器陣列、冗余塊陣列還是冗余單元(在VSRR配置中)。因此，冗余塊陣列中的出現(xiàn)缺陷，在所有替換方案中都會造成一個(gè)嚴(yán)重的性能問題，因?yàn)槿哂嚓嚵斜患俣槭呛玫?，而在?shí)際中它們可能是有缺陷的。根據(jù)本發(fā)明，且進(jìn)一步結(jié)合圖7，冗余陣列130構(gòu)造在存儲器器件之內(nèi)，并具有修正塊冗余陣列中的缺陷的能力，從而使缺陷的塊冗余陣列能夠替換大部分主陣列。為了進(jìn)行這種修復(fù)，冗余塊150被測試，且找到的所有缺陷都通過分配包含在可變?nèi)哂嚓嚵?30中的RU而得到修復(fù)。圖7的配置可一般地被視作圖2的可變大小冗余替換配置中描述的發(fā)明思想的結(jié)合，并應(yīng)用于圖1c顯示的塊冗余設(shè)置上?？勺?nèi)哂嚓嚵?30中的RU現(xiàn)在能夠修復(fù)子陣列100-115或塊冗余陣列150中的任何缺陷。如果子陣列(例如114)中的缺陷的數(shù)量超過了一個(gè)預(yù)定的數(shù)量，塊150在開始是是無缺陷的，且只有在此時(shí)它才被用來修復(fù)子陣列114。參見圖8a，其中顯示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)先級譯碼器的示意圖，它組織在存儲器中用無缺陷塊冗余陣列來替換缺陷的陣列。該優(yōu)先級譯碼器使得主陣列114和塊冗余陣列150能夠同時(shí)得到檢查以進(jìn)行冗余替換，從而不對存取產(chǎn)生影響。其中還描述了一個(gè)框圖，它包括兩個(gè)可變大小的RU控制電路RUCNT0和RUCNT1、塊冗余控制電路RUCNTBLK、字線禁止發(fā)生器WLDISGEN、字線驅(qū)動器WLDRV、冗余字線驅(qū)動器RWLDRV和塊冗余字線驅(qū)動器BWLDDRV。WL譯碼器WLDEC、RWL譯碼器RWLDEC、和塊冗余WL驅(qū)動器未在圖8a中顯示，雖然可以畫出一個(gè)并聯(lián)的與圖4a中經(jīng)過節(jié)點(diǎn)N和NR的相應(yīng)元件對應(yīng)的部分?；镜目刂屏鞒膛c結(jié)合圖4a描述的相同。四種操作可應(yīng)用于上述配置1)正常操作，2)可變?nèi)哂嗖僮鳎?)塊冗余操作，以及4)替換模式操作，其中塊冗余中的故障被VSRR設(shè)置所替換。在操作1)和2)中，輸出RWLEBLK和RUCNTBLK保持在0，從而使WL和RWL以結(jié)合圖4對VSRR所描述的方式得到控制。在模式1)，所有RWLE都處于0且bWLDIS處于1。因此，當(dāng)WLON切換到1時(shí)，相應(yīng)的WL被適當(dāng)?shù)墓?jié)點(diǎn)N所使能。在模式2)，適當(dāng)?shù)腞WLE切換到1，使bWLDIS處于0。其結(jié)果，當(dāng)WLON切換到1時(shí)，適當(dāng)?shù)腞WLE和節(jié)點(diǎn)NR所選擇的相應(yīng)的RWL切換到1。RWLE切換到1，使得bWLDIS切換到0，從而禁止了主陣列中的適當(dāng)WL。在模式3)下，所有RWLE都處于0，從而使bWLDIS保持在1?；蛘撸琑UCNTBLK根據(jù)節(jié)點(diǎn)NR的狀態(tài)檢測影響RWLEBLK的塊冗余模式。這使能了BWLDRV并禁止了WLDRV。因此，當(dāng)信號WLON切換到1時(shí)，塊冗余中的相應(yīng)RWL被激活，從而禁止了WL。在模式4)，RUCNTBLK和可變RUCNT同時(shí)檢測塊冗余替換模式和VSRR模式。然而，由于bWLDIS所取的高值，只有RWLDRV(在VSRR配置中)得到使能，同時(shí)禁止了WLDRV和BWLDRV。因此VSRR優(yōu)先于塊冗余替換模式。或者，VSRR具有比塊冗余替換更高的優(yōu)先級，這是借助bWLDIS對WLDRV和BWLDRV的選通(一個(gè)被稱為優(yōu)先級解碼的功能)而得到實(shí)現(xiàn)的。因而即使當(dāng)故障元件是冗余塊的一部分時(shí)，也能夠用其他的可變大小冗余替換裝置來修復(fù)故障的元件。這不會影響存取，因?yàn)閴K冗余和VSRR的匹配檢測是同時(shí)進(jìn)行的，雖然對兩個(gè)操作的判定要在以后借助優(yōu)先級譯碼器進(jìn)行的。上述的思想可有效地得到應(yīng)用，以使能夠用較小的其他RU來修復(fù)包含若干缺陷RE的容錯可變大小RU。在此描述的本發(fā)明可被設(shè)計(jì)成很多不同的存儲器配置方案。雖然按照各種實(shí)施例描述了本發(fā)明，但在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以設(shè)想出其他的實(shí)施例。因此本發(fā)明的范圍應(yīng)該由所附的權(quán)利要求書來確定。權(quán)利要求1.為存儲器器件提供可變大小冗余替換設(shè)置以使所述存儲器容錯的一種方法，所述方法包括以下步驟a)把所述存儲器器件配置成多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；b)把多個(gè)獨(dú)立受控可變大小冗余單元與所述主存儲器陣列相耦合，所述可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；以及c)用至少一個(gè)所述可變大小冗余單元替換所述主存儲器陣列中的有缺陷元件，其中所述至少一個(gè)可變大小冗余單元中的所述冗余元件替換所述主存儲器陣列中相應(yīng)數(shù)量的所述有缺陷元件。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述存儲器器件是從由DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM、閃爍RAM和CAM組成的組中選出的。3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元由一個(gè)可變大小冗余控制電路控制。4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其特征在于所述冗余單元中的所述元件進(jìn)一步受到尋址解碼裝置的控制。5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于在一個(gè)所述冗余單元中的所述元件同時(shí)替換所述主存儲器陣列中成群的有缺陷元件。6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元由匹配檢測解碼裝置控制。7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征在于所述匹配檢測解碼裝置進(jìn)一步包括一個(gè)主熔絲鎖存器，它包括與一個(gè)比較器耦合的一個(gè)主熔絲；以及多個(gè)熔絲鎖存器，其每一個(gè)都具有多個(gè)熔絲和多個(gè)比較器，所述熔絲鎖存器受到地址線的控制，其中所述熔絲鎖存器分別與選通電路裝置耦合，且所述選通電路裝置產(chǎn)生一個(gè)信號—該信號使能冗余字線驅(qū)動器和字線禁止電路。8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述主存儲器陣列中的所述元件是從由位線、字線、單個(gè)位、多個(gè)位、單個(gè)字和多個(gè)字組成的組中選出的。9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元在塊內(nèi)替換模式下替換所述主存儲器陣列中的成群有缺陷元件。10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元在一種靈活冗余替換模式下替換所述主存儲器陣列中的成群有缺陷元件。11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元在一種塊內(nèi)替換模式下替換所述主存儲器陣列中各個(gè)隨機(jī)分布的缺陷。12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元在一種靈活冗余替換模式下替換所述主存儲器陣列中各個(gè)隨機(jī)分布的缺陷。13.根據(jù)權(quán)利要求1的步驟c)的方法，進(jìn)一步包括提供至少一條與一個(gè)字線驅(qū)動器耦合的字線，所述字線驅(qū)動器受到一個(gè)字線禁止電路的控制；提供與至少一個(gè)字線驅(qū)動器耦合的至少一個(gè)字線譯碼器，所述耦合由一條地址線提供；提供與一個(gè)冗余字線驅(qū)動器耦合的至少一個(gè)冗余字線；把至少一個(gè)冗余字線譯碼器與至少一個(gè)冗余字線驅(qū)動器相耦合，所述耦合是借助一條地址線提供的，所述至少一個(gè)冗余字線驅(qū)動器由所述冗余字線譯碼器之一控制；以及提供至少一個(gè)用于使能所述冗余字線驅(qū)動器的可變大小冗余控制電路，用于使能所述字線禁止電路，這又禁止了相應(yīng)一個(gè)所述字線。14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于所述冗余字線驅(qū)動器分別控制多個(gè)冗余字線，且所述字線驅(qū)動器分別控制多個(gè)所述字線。15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于所述字線禁止電路由所述至少一個(gè)可變大小冗余控制電路控制。16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于所述至少一個(gè)可變大小冗余控制電路是一個(gè)“與”門。17.用于為一種存儲器器件提供一種可變大小冗余替換設(shè)置以使所述存儲器容錯的方法，所述方法包括以下步驟把所述存儲器配置成多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；把多個(gè)可變大小冗余單元耦合到各個(gè)所述主存儲器陣列，所述可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；以及用在至少一個(gè)所述可變大小冗余單元中的所述冗余元件替換各個(gè)所述主存儲器陣列中的有缺陷元件。18.用于給一種存儲器器件提供一種可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置以使所述存儲器容錯的方法，所述方法包括以下步驟配置多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；把至少一個(gè)可變大小冗余陣列耦合到所述多個(gè)主存儲器陣列，所述至少一個(gè)冗余陣列包括多個(gè)獨(dú)立受控的可變大小冗余單元，所述可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)元件；以及用至少一個(gè)所述可變大小冗余單元替換所述主存儲器陣列中的有缺陷元件，其中所述可變大小冗余單元按照所述有缺陷元件的數(shù)量來替換所述有缺陷的主存儲器元件。19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元受到一個(gè)可變大小冗余控制電路的控制。20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元中的所述元件進(jìn)一步受到尋址解碼裝置的控制。21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元與至少一個(gè)所述主存儲器陣列相集成。22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其特征在于所述可變大小冗余單元與至少一個(gè)所述冗余陣列相集成。23.給一種存儲器器件提供一種可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置以使所述存儲器容錯的方法，所述方法包括以下步驟提供多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；把多個(gè)獨(dú)立受控的可變大小冗余單元耦合到所述主存儲器陣列，所述可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；提供一個(gè)與所述主存儲器陣列相耦合的一個(gè)塊冗余陣列；用至少一個(gè)所述可變大小冗余單元替換所述塊冗余陣列中和所述主存儲器陣列中的有缺陷元件，其中所述至少一個(gè)所述可變大小冗余單元中的所述冗余元件替換所述主存儲器陣列中和所述塊冗余陣列中相應(yīng)數(shù)量的有缺陷元件。24.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其特征在于所述塊冗余陣列替換一個(gè)所述主陣列。25.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其特征在于修復(fù)裝置修復(fù)所述塊冗余陣列中的缺陷，且所述修復(fù)的塊冗余陣列隨后替換一個(gè)所述主陣列。26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其特征在于所述修復(fù)裝置進(jìn)一步包括一個(gè)冗余陣列。27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其特征在于所述修復(fù)裝置進(jìn)一步包括至少一個(gè)可變大小冗余單元。28.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其特征在于所述修復(fù)裝置進(jìn)一步包括一個(gè)塊內(nèi)冗余單元。29.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其特征在于所述修復(fù)裝置進(jìn)一步包括一個(gè)靈活冗余單元。30.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其特征在于修復(fù)裝置修復(fù)所述塊冗余陣列中的缺陷，所述修復(fù)的塊冗余陣列同時(shí)替換所述主陣列中的一個(gè)。31.用于給一種存儲器器件提供一種可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置以使所述存儲器容錯的方法，所述方法包括以下步驟a)把該存儲器配置成多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件b)把多個(gè)獨(dú)立受控的可變大小冗余單元耦合到所述主存儲器陣列，所述可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；c)把一個(gè)塊冗余陣列耦合到所述主存儲器陣列；d)用至少一個(gè)所述可變大小冗余單元替換在所述主存儲器陣列中和所述塊冗余陣列中的有缺陷元件；e)用所述至少一個(gè)可變大小冗余單元中的所述元件替換在所述主存儲器陣列中和在所述塊冗余陣列中的相應(yīng)數(shù)量的有缺陷元件；以及f)解碼至少一條所述冗余字線并禁止相應(yīng)的有缺陷的一條所述字線。32.根據(jù)權(quán)利要求31的步驟f)的方法，其特征在于所述解碼信號是由一個(gè)電路進(jìn)行的—該電路包括控制所述冗余字線的冗余字線譯碼器，各個(gè)所述譯碼器都具有多個(gè)輸入，所述輸入提供了不同的解碼配置。33.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其特征在于各個(gè)所述冗余字線譯碼器控制一個(gè)冗余字線驅(qū)動器，且所述驅(qū)動器與一個(gè)所述冗余字線相連。34.根據(jù)權(quán)利要求33的方法，其特征在于所述冗余字線譯碼器的輸入的數(shù)量對應(yīng)于替換在所述可變?nèi)哂嗵鎿Q單元內(nèi)所包含的有缺陷的所述元件的所述冗余元件的數(shù)量。35.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其特征在于所述冗余字線譯碼器由尋址解碼裝置控制，所述尋址解碼裝置與同所述冗余字線耦合的冗余匹配檢測裝置相獨(dú)立地得到激活。36.用于給一種存儲器器件提供一種可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置以使所述存儲器容錯的方法，所述方法包括以下步驟提供多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；把多個(gè)獨(dú)立受控的可變大小冗余單元與所述主存儲器陣列相耦合，所述可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)元件；用至少另一個(gè)所述可變大小冗余單元來替換一個(gè)有缺陷的所述可變大小冗余單元，其中該另一個(gè)所述可變大小冗余單元具有數(shù)量少于所述有缺陷可變大小冗余單元中的所述元件的數(shù)量的元件；以及用至少一個(gè)所述可變大小冗余單元替換所述主存儲器陣列中的有缺陷元件，其中所述至少一個(gè)所述可變大小冗余單元中的所述元件替換所述主存儲器陣列中相應(yīng)數(shù)量的有缺陷元件。37.用于給一種存儲器器件提供一種可變?nèi)哂嗵鎿Q設(shè)置以使所述存儲器容錯的方法，所述方法包括以下步驟配置多個(gè)主存儲器陣列，這些主存儲器陣列每一個(gè)都具有多個(gè)元件；把多個(gè)獨(dú)立受控的可變大小冗余單元耦合到所述主存儲器陣列，所述可變大小冗余單元每一個(gè)都具有多個(gè)冗余元件；以及提供一個(gè)譯碼器，該譯碼器包括至少兩個(gè)驅(qū)動一個(gè)禁止電路和字線驅(qū)動器的冗余匹配檢測電路，以及至少兩個(gè)冗余字線驅(qū)動器—其中的至少一個(gè)受到一個(gè)優(yōu)先級譯碼器的控制。38.根據(jù)權(quán)利要求37的方法，其特征在于所述至少兩個(gè)冗余匹配檢測裝置同時(shí)檢測冗余模式，其中所述冗余字線中的相應(yīng)一個(gè)由所述優(yōu)先級解碼裝置所禁止。全文摘要用于通過采用可變大小冗余替換(VSRR)電路設(shè)置使存儲器容錯的方法。支持形成存儲器的主陣列的一種冗余陣列包括多個(gè)可變大小冗余單元——其每一個(gè)都包括多個(gè)冗余元件。用于替換存儲器中的故障的冗余單元獨(dú)立地受到控制。一個(gè)修復(fù)單元中的所有冗余元件最好被同時(shí)替換。冗余單元中的冗余元件被解碼地址線所控制。作為這種配置的特征的可變大小使得可以選擇最有效的冗余單元,并具體地選擇和要替換的成群故障的大小最吻合的一個(gè)單元。文檔編號G11C29/04GK1195815SQ9810607公開日1998年10月14日申請日期1998年3月9日優(yōu)先權(quán)日1997年3月31日發(fā)明者桐畑外志昭申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司