專利名稱：磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用于盒式磁帶錄象機(jī)、磁帶錄象機(jī)、磁盤裝置或類似裝置的磁頭，特別是涉及具有薄膜工藝形成的線圈的磁頭。
對(duì)于用在諸如盒式磁帶錄象機(jī)、磁帶錄象機(jī)或磁盤裝置的磁錄/放裝置中的磁頭，在實(shí)際應(yīng)用中使用的是一種金屬化縫隙(MIG)型磁頭，其中在由鐵氧體組成的磁芯的磁隙形成表面形成磁性金屬膜，或者使用一種被稱為疊片型的磁頭，其中磁性金屬膜被一對(duì)非磁性陶瓷襯底夾住，以及使用類似的磁頭。
磁頭是用于提高圖象質(zhì)量或數(shù)字化的速度。因此，磁頭必須在高頻帶具有較好的電磁轉(zhuǎn)換特性以獲得高密度記錄性能。但是，由于其高阻抗，MIG型磁頭不能在高頻帶中較好地使用。在疊片型磁頭中，由于高密度記錄，磁道寬度被縮小，這樣組成磁路的磁性金屬膜的厚度必須被減小，因此破壞了再現(xiàn)效果。
對(duì)于在螺線式掃描型磁錄/放裝置中，在當(dāng)磁頭被旋轉(zhuǎn)時(shí)執(zhí)行錄/放操作的磁錄/放裝置中，磁頭被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上。此時(shí)，在MIG型磁頭或疊片型磁頭中，磁頭被固定在一接線板上，該接線板被固定到旋轉(zhuǎn)鼓，從而把磁頭安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上。這里，接線板包括對(duì)應(yīng)于從纏繞在磁頭的磁芯上的線圈延伸的引線的端子。纏繞在磁芯上的線圈和外部電路通過(guò)接線板彼此導(dǎo)通。
在如上所述的磁頭被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上的磁錄/放裝置中，為了提高數(shù)據(jù)傳送速率，希望在一個(gè)小旋轉(zhuǎn)鼓上安裝大量的磁頭。
但是，接線板通常具有一個(gè)較大尺寸。因此，根據(jù)該方法，磁頭被附著并固定到接線板，并且如上所述磁頭被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上，大量的磁頭不能被容易地安裝在一個(gè)小的旋轉(zhuǎn)鼓上。更具體地說(shuō)，當(dāng)磁頭被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上時(shí)，MIG型磁頭或疊片型磁頭要求一個(gè)接線板，因此安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上的磁頭在數(shù)量上被限制。
對(duì)于解決上述的MIG型磁頭或疊片型磁頭上的問(wèn)題并解決高頻帶問(wèn)題的磁頭，例如，如日本未審查專利No.63231713中所述，其中的磁路由磁性金屬層組成的磁頭(以下稱為塊狀(bulk)薄膜磁頭)可做得小，并且驅(qū)動(dòng)磁頭的線圈通過(guò)薄膜工藝形成。
如

圖1所示，塊狀薄膜磁頭100包括一個(gè)磁頭半部件103a，在半部件103a中，用作磁芯的磁金屬層102a形成在非磁性襯底101a的一部分上，類似地，在磁頭半部件103b中，用作磁芯的磁金屬層102b形成在非磁性襯底101b的一部分上。一對(duì)磁頭半部件103a和103b彼此連接，從而一個(gè)磁頭半部件103a的磁金屬層102a通過(guò)磁隙gl與磁頭半部件103b的磁金屬層102b相對(duì)。
在塊狀薄膜磁頭100中，薄膜線圈被埋入一對(duì)磁頭半部件103a和103b中，被纏繞在磁金屬層102a和102b上。從薄膜線圈延伸的外部連接端子104a和104b被形成并暴露在塊狀薄膜磁頭100的側(cè)面上。
在塊狀薄膜磁頭中，除了優(yōu)越的高頻帶特性，驅(qū)動(dòng)磁頭的線圈被埋入用作薄膜線圈的磁頭半部件中。因此，磁頭能夠被直接安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上而無(wú)須使用接線板。更具體地說(shuō)，在塊狀薄膜磁頭中，驅(qū)動(dòng)磁頭的線圈由埋在磁頭中的薄膜線圈構(gòu)成，并且從薄膜線圈延伸的端子被形成并暴露在磁頭的外側(cè)。因此，磁頭能夠被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上而無(wú)須接線板。因而，在塊狀薄膜磁頭中，能夠在一個(gè)小旋轉(zhuǎn)鼓上安裝大量的磁頭。
在普通MIG型磁頭或普通疊片型磁頭中，當(dāng)磁頭被附著并固定到接線板時(shí)，用于纏繞驅(qū)動(dòng)磁頭的線圈的左、右纏繞導(dǎo)向槽彼此不同，以防止磁頭被錯(cuò)誤地附著于接線板的附著表面。
更為具體地說(shuō)，例如，如圖2所示，圖2示出了MIG型磁頭的一個(gè)例子，形成在一個(gè)磁芯110a中的纏繞導(dǎo)向槽111a的寬度增加，并形成在另一個(gè)磁芯110b中的纏繞導(dǎo)向中槽111b的寬度減小。以此方式，用作一個(gè)磁芯的前芯能夠被從用作另一個(gè)磁芯的后芯區(qū)別出來(lái)，在錄/放操作期間，磁記錄介質(zhì)在前芯的一側(cè)前進(jìn)。
與此相反，在一個(gè)塊狀薄膜磁頭中，由于用作磁頭驅(qū)動(dòng)線圈的薄膜磁頭被使用，無(wú)須纏繞導(dǎo)向槽。因此，在塊狀薄膜磁頭中，前芯的形狀和后芯的形狀是對(duì)稱的。因此，在塊狀薄膜磁頭中，其缺陷在于難以識(shí)別前芯和后芯。
在MIG型磁頭或疊片型磁頭中，當(dāng)接線板的顏色等被改變時(shí)，不同類型的磁頭，即，分別具有不同方位角的磁頭，能夠被相互識(shí)別出來(lái)。
另一方面，無(wú)須使用接線板，大量的磁頭可以被安裝在一個(gè)小旋轉(zhuǎn)鼓上。但是，當(dāng)磁頭不使用接線板直接安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上時(shí)，依據(jù)接線板的顏色等無(wú)法識(shí)別磁頭的類型。
本發(fā)明是在考慮了上述的一般情況而作出的，其目的在于，在能夠被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓上并解決高頻帶的大量磁頭中，使在前芯和后芯之間的分辨變得容易，并易于識(shí)別磁頭的類型。
達(dá)到上述目的本發(fā)明的磁頭包括一對(duì)磁頭半部件，磁頭半部件是通過(guò)下述方式形成的在非磁性襯底的至少一部分上形成用作磁芯的磁金屬層；和埋入該對(duì)磁頭半部件中的至少一個(gè)中的薄膜線圈，其中這對(duì)磁頭半部件彼此連接，通過(guò)形成在一個(gè)磁頭半部件的磁金屬層和另一個(gè)磁頭半部件的磁金屬層之間的磁隙彼此相對(duì)，從而磁頭半部件彼此相對(duì)。至少在一個(gè)磁頭半部件的非磁性襯底和另一個(gè)磁頭半部件的非磁性襯底中的一個(gè)非磁性襯底上形成至少一個(gè)凹槽。當(dāng)上述凹槽形成時(shí)，一個(gè)磁頭半部件的外觀與另一個(gè)磁頭半部件的外觀是不對(duì)稱的。注意到凹槽被形成在例如這對(duì)磁頭半部件的相對(duì)表面上。
在本發(fā)明的磁頭中，由于一個(gè)磁頭半部件的外形和另一個(gè)磁頭半部件的外形不對(duì)稱，能夠很容易地區(qū)分前芯和后芯。
通過(guò)在磁頭半部件的非磁性襯底上形成凹槽，當(dāng)一個(gè)磁頭半部件的外形和另一磁頭半部件的外形不對(duì)稱時(shí)，凹槽的數(shù)量和形狀或形成凹槽的位置依據(jù)磁頭的類型而變化。以此方式，能夠識(shí)別出磁頭的類型。
此外，本發(fā)明的磁頭是所謂的塊狀薄膜磁頭，它包括一對(duì)磁頭半部件，磁頭半部件是通過(guò)下述方式形成的在非磁性襯底的至少一部分上形成用作磁芯的磁金屬層；和埋入該對(duì)磁頭半部件中的至少一個(gè)中的薄膜線圈，這對(duì)磁頭半部件通過(guò)形成在一個(gè)磁頭半部件的磁金屬層和另一磁頭半部件的磁金屬層之間的磁隙彼此連接。本發(fā)明的大量的磁頭能夠被安裝在一個(gè)小旋轉(zhuǎn)鼓上并顯示出在高頻帶更好的電磁轉(zhuǎn)換特性。
圖1是示出普通塊狀薄膜磁頭的一個(gè)例子的透視圖2是示出普通MIG型磁頭的一個(gè)例子的透視圖；圖3是示出本發(fā)明的磁頭的一個(gè)例子的透視圖；圖4是示出了靠近圖3中的磁頭的磁隙部分的放大平面圖；圖5是示出了靠近圖3中的磁頭的磁隙部分的放大的透視圖；圖6是示出了非磁性材料組成的典型的平面襯底的透視圖；圖7是示出了襯底上具有磁性凹槽的典型狀態(tài)的透視圖；圖8是示出了磁金屬層形成在襯底上的典型狀態(tài)的透視圖；圖9是示出了纏繞槽和分離槽形成在襯底中的典型狀態(tài)的透視圖，在襯底上形成有磁金屬層。
圖10是示出了低熔點(diǎn)玻璃被填充在磁芯槽、纏繞槽和分離槽中的典型狀態(tài)的透視圖。
圖11是示出了接線槽形成在低熔點(diǎn)玻璃中的典型狀態(tài)的透視圖；圖12是示出了導(dǎo)電材料填充在接線槽中的典型狀態(tài)的透視圖；圖13是示出了在低熔點(diǎn)玻璃上形成抗蝕模的典型狀態(tài)的剖面圖；圖14是示出了低熔點(diǎn)玻璃被蝕刻以形成線圈狀凹槽的典型狀態(tài)的剖面圖；圖15是示出了形成導(dǎo)電底膜的典型狀態(tài)的剖面圖；圖16是示出了在導(dǎo)電底膜上生成Cu鍍層的典型狀態(tài)的剖面圖；圖17是示出了薄膜線圈被形成的典型狀態(tài)的剖面圖；圖18是示出了薄膜線圈被形成的典型狀態(tài)的平面圖；圖19是示出了其中埋有薄膜線圈的典型磁頭塊襯底的透視圖；圖20是示出了在磁頭塊襯底中形成有識(shí)別槽的典型狀態(tài)的透視圖；圖21是示出了通過(guò)切割磁頭塊襯底獲得的一對(duì)典型磁頭塊半部件的透視圖；圖22是示出了通過(guò)把一對(duì)磁頭塊半部件彼此連接獲得的典型磁頭塊的透視圖。
下面將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
本發(fā)明的磁頭的一個(gè)例子如圖3、4和5所示。圖3是示出了本發(fā)明提供的整個(gè)磁頭1的透視圖；圖4是示出了區(qū)域C部分的平面圖，即，從磁隙g側(cè)面觀察的靠近磁頭1的磁隙g的部分；圖5是示出了圖3中的區(qū)域C部分的透視圖，即，局部放大的靠近磁頭1的磁隙g的部分。
磁頭1是用于盒式磁帶錄像機(jī)等的塊狀薄膜磁頭，并且如圖3到5所示，包括一個(gè)磁頭半部件4a和磁頭半部件4b，在磁頭半部件4a中用作磁芯的磁金屬層3a被形成在非磁性襯底2a的一部分上，在磁頭半部件4b中類似于磁頭半部件4a，在非磁性襯底2b上形成有磁金屬層3b。
這對(duì)磁頭半部件4a和4b彼此連接，從而一個(gè)磁頭半部件4a的磁金屬層3a通過(guò)磁隙g與另一個(gè)磁頭半部件4b的磁金屬層3b相對(duì)。通過(guò)這些磁金屬層3a和3b形成一個(gè)磁芯。
這里，這對(duì)磁頭半部件4a和4b的相對(duì)表面之間的部分被低熔點(diǎn)玻璃5填充。低熔點(diǎn)玻璃5使這對(duì)磁頭半部件4a和4b的相對(duì)表面彼此平行，并這對(duì)磁頭半部件4a和4b彼此連接。
在形成在磁金屬層3a和磁金屬層3b之間的磁隙中，形成在記錄介質(zhì)滑動(dòng)表面?zhèn)壬系拇沤饘賹?a和3b的末端的相對(duì)表面上的磁隙，即，用作錄/放間隙的磁隙，被稱為前隙fg。另一方面，形成在磁金屬層3a和3b的另一末端部分的相對(duì)表面上的磁隙被稱為后隙bg。
在磁頭1中，如圖5所示，螺旋狀的薄膜線圈6a和6b被埋入這對(duì)磁頭半部件4a和4b的相對(duì)表面。通過(guò)電鍍的方法，Cu薄膜被填充在形成在這對(duì)磁頭半部件4a和4b的相對(duì)表面上的線圈狀凹槽內(nèi)，從而形成薄膜線圈6a和6b。注意，含有Ag等的導(dǎo)電糊被填充在線圈狀凹槽中然后燒結(jié)，從而也可以形成薄膜線圈6a和6b。
當(dāng)這對(duì)磁頭半部件4a和4b彼此相對(duì)連接時(shí)，形成在一個(gè)磁頭半部件4a中的薄膜線圈6a的一個(gè)末端部分(在中央側(cè))和形成在另一個(gè)磁頭半部件4b中的薄膜線圈6b的一個(gè)末端部分(在中央側(cè))彼此連接。如圖3所示，外部連接端子7a和7b被從形成在一個(gè)磁頭半部件4a中的薄膜線圈6a的一個(gè)末端部分(在外緣)和形成在另一個(gè)磁頭半部件4b中的薄膜線圈6b的一個(gè)末端部分(在外緣)引出。外部連接端子7a和7b被排列暴露在磁頭1的側(cè)面上。當(dāng)磁頭1被使用時(shí)，外部連接端子7a和7b被連接到一個(gè)外部電路，記錄信號(hào)通過(guò)外部連接端子7a和7b提供到薄膜線圈6a和6b，或者，再現(xiàn)信號(hào)被從薄膜線圈6a和6b提取出來(lái)。
這里，在這對(duì)磁頭半部件4a和4b中都形成薄膜線圈6a和6b的磁頭1已經(jīng)被例證。但是，可以僅在該對(duì)磁頭半部件4a和4b中的一個(gè)中形成薄膜線圈。
在磁頭1中，如圖3所示，在一個(gè)磁頭半部件4b的磁頭半部件相對(duì)表面上形成識(shí)別槽8。當(dāng)這對(duì)磁頭半部件4a和4b彼此相對(duì)時(shí)，識(shí)別槽8為穿過(guò)磁頭1的開(kāi)口部分。由于識(shí)別槽8的形成，一個(gè)磁頭半部件4a的外觀和另一個(gè)磁頭半部件4b的外觀不對(duì)稱。因此，在磁頭1中，能夠容易地區(qū)分前芯和后芯。
這里，識(shí)別槽8形成在一個(gè)磁頭半部件4b的磁頭半部件相對(duì)表面上的磁頭1已經(jīng)被例證。但是，識(shí)別槽8可這樣形成使磁頭半部件4a的外觀和另一個(gè)磁頭半部件4b的外觀不對(duì)稱，從而能夠識(shí)別左、右磁頭1。例如，識(shí)別槽8可以形成在磁頭1的側(cè)表面上等。
下面將參照制造磁頭1的方法描述磁頭1。
當(dāng)制造磁頭1時(shí)，由非磁性材料，如MnO-NiO混合燒結(jié)材料，構(gòu)成的平面襯底21被制備，如圖6所示。襯底21的材料，除了MnO-NiO，還可使用各種非磁性材料。例如，可以使用鈦酸鉀、鈦酸鈣、鈦酸釩、氧化鋯、礬土、碳化鋁鈦(alumina titanium carbide)、SiO2、Zn鐵氧體、晶體玻璃、高硬度玻璃等。這里，襯底21的尺寸為長(zhǎng)度約30mm，寬度約30mm，厚度約2mm。
如圖7所示，為了形成一個(gè)傾斜表面，在傾斜表面上形成用作磁芯的磁金屬層，即，磁芯形成表，在襯底21上，多個(gè)磁芯槽22以相等的間隔彼此平行地形成，從而每個(gè)磁芯槽22的一個(gè)表面用作傾斜表面22a。
這里，雖然傾斜表面22a的傾斜度約為25°到60°，考慮到偽隙、磁道寬度精度等，理想設(shè)置的傾斜度約為35°到50°。更具體地說(shuō)，例如，通過(guò)使用模制成具有45°表面的磨石，傾斜表面22a的傾斜度被設(shè)置成約45°，如此形成磁芯槽22。磁芯槽22具有例如約130μm的深度和約150μm的寬度。
如圖8所示，磁金屬層23形成在襯底21上，在襯底21中形成有磁芯槽22。
這里，磁金屬層23可以由一個(gè)單個(gè)的金屬層構(gòu)成。但是，磁金屬層23最好通過(guò)絕緣膜由層疊的多個(gè)磁金屬膜構(gòu)成，以獲得在高頻區(qū)的高靈敏度。在這樣一個(gè)結(jié)構(gòu)中，由于磁金屬層23被分成多層，過(guò)電流損失被減小，并且，特別是在高頻區(qū)的性能被提高。
當(dāng)磁金屬層23具有上述的多層結(jié)構(gòu)時(shí)，要求絕緣膜的厚度能夠獲得足夠的絕緣效果，并且該厚度必須盡可能小，以防止有效磁道寬度被絕緣膜過(guò)度地縮減。
特別是，例如，磁金屬層23以下述方式形成每個(gè)磁金屬膜由Fe-Al-Si合金(鋁硅鐵粉)構(gòu)成并具有約5μm的厚度，每個(gè)絕緣膜由礬土構(gòu)成并具有約0.15μm的厚度，磁金屬膜和絕緣膜交替層疊，形成三層的磁金屬膜。
這里，磁金屬膜的材料不限于Fe-Al-Si合金，可以使用具有高飽和磁通密度和軟磁特性的材料。例如，使用Fe-Al合金、Fe-Ga-Si合金、Fe-Si-Co合金、或基于氮化物或基于碳化物的軟磁合金。絕緣膜的材料不限于礬土。例如，可以使用SiO2、SiO、或其混合物。
對(duì)于形成磁金屬層23的方法，最好使用噴鍍方法。但是，也可用物理成膜方法(PVD)，如淀積或分子束外延(MBE)。此外，也能夠應(yīng)用化學(xué)成膜方法，如化學(xué)反應(yīng)氣相淀積(CVD)。
如圖9所示，在襯底21的主表面上形成磁金屬層23，用來(lái)形成纏繞在磁芯上的薄膜線圈的纏繞槽24和用來(lái)分離磁金屬層23和每個(gè)磁芯的分離槽25在垂直于磁芯槽22的縱向的方向上形成。圖9示出了形成兩個(gè)纏繞槽24和兩個(gè)分離槽25的情況。但是，纏繞槽24的數(shù)量和分離槽25的數(shù)量必須被設(shè)置成薄膜線圈排的數(shù)量。當(dāng)形成三個(gè)或更多的薄膜線圈排時(shí)，纏繞槽24和分離槽25形成與薄膜線圈排的數(shù)量相等的數(shù)量。
這里，在纏繞槽24中，前隙fg側(cè)的傾斜表面由具有45°傾斜表面的磨石形成，使前隙fg側(cè)面上的磁金屬層23朝向前隙fg傾斜變尖。以此方式，當(dāng)前隙fg側(cè)的磁金屬層23朝向前隙變尖時(shí)，磁通集中在前隙上，能夠獲得較高的記錄靈敏度。但是，纏繞槽24可具有使前隙fg側(cè)的磁金屬層23朝向前隙fg變尖，并且磁隙g側(cè)的纏繞槽24的傾斜表面的角度無(wú)須被設(shè)置為45°的形狀。此外，前隙fg的纏繞槽24的形狀可以是弧形或多邊形。
纏繞槽24的厚度被設(shè)置成使磁金屬層23不被分開(kāi)。當(dāng)深度過(guò)大時(shí)，磁路長(zhǎng)度變大，磁通傳輸效果降低。因此，使纏繞槽24具有一個(gè)從磁芯槽22的傾斜表面的頂部例如約20μm的厚度。纏繞槽24的寬度由薄膜線圈的線寬度或匝數(shù)限定，這是因?yàn)楸∧ぞ€圈是在稍后的程序中經(jīng)過(guò)纏繞槽24形成的。特別是，纏繞槽24的寬度被設(shè)置為例如約140m。
另一方面，如果分離槽25具有的寬度足以使磁金屬層23彼此分離，分離槽25可以具有一個(gè)任意的形狀。例如，分離槽25可為易于加工的矩形槽，并形成離磁芯槽22的底表面為約150μm深度。分離槽25的寬度根據(jù)理想磁頭的前隙fg的長(zhǎng)度和后隙bg的長(zhǎng)度之間的關(guān)系而定。但是，因?yàn)楫?dāng)磁頭被最終處理成預(yù)定的形狀時(shí)滑過(guò)記錄介質(zhì)的表面被纏起，在形成分離槽25時(shí)的前隙fg的長(zhǎng)度必須大于前隙fg的最終理想長(zhǎng)度。因此，例如，在形成分離槽25時(shí)的前隙fg側(cè)的磁金屬層23具有一個(gè)在前隙fg側(cè)約為300μm的長(zhǎng)度和一個(gè)在后隙bg側(cè)約為85μm的長(zhǎng)度，如此形成分離槽25。
如圖10所示，低熔點(diǎn)玻璃26被填充在磁芯槽22、纏繞槽24、和分離槽25中。這樣，最終結(jié)構(gòu)的表面被制成扁平狀。
如圖11所示，接線槽27形成在填充于分離槽25內(nèi)的低熔點(diǎn)玻璃26中，從而使接線槽27平行于分離槽25。接線槽27用來(lái)形成從薄膜線圈引出的外部連接端子，槽的形狀、深度和寬度不限。因此，接線槽27為易于加工的矩形槽并具有約100μm的深度和寬度。
如圖12所示，導(dǎo)電材料28，如Cu，通過(guò)電鍍或類似的方法被填充在接線槽27中。然后，最終結(jié)構(gòu)的表面被制成扁平狀。
接著，如圖13到18所示，經(jīng)過(guò)通過(guò)薄膜形成工藝?yán)p繞槽24的薄膜線圈被埋入低熔點(diǎn)玻璃26。雖然13到18是一個(gè)薄膜線圈的放大視圖，實(shí)際上，形成了多個(gè)薄膜線圈，以對(duì)應(yīng)于被分離槽25分離的磁金屬層23。
當(dāng)形成薄膜線圈時(shí)，如圖13所示，通過(guò)光刻技術(shù)，在低熔點(diǎn)玻璃26上形成相應(yīng)于螺旋薄膜線圈的外形的抗蝕模31。
用抗蝕模31作為掩模對(duì)低熔點(diǎn)玻璃26進(jìn)行離子蝕刻。然后，使用一種有機(jī)溶劑等除去抗蝕模31。以此方式，如圖14所示，形成相對(duì)應(yīng)于抗蝕模31的形狀的線圈狀的槽32。
如圖15所示，通過(guò)在形成有線圈狀凹槽32的低熔點(diǎn)玻璃26的整個(gè)平面上噴鍍，形成由Cu等構(gòu)成的導(dǎo)電底膜33。也可以通過(guò)諸如淀積的方法形成導(dǎo)電底膜33。為了提高導(dǎo)電底膜33和低熔點(diǎn)玻璃26之間的附著性能，可形成由Ti、礬土等構(gòu)成的底膜，并且導(dǎo)電底膜33可以形成在該底膜上。
如圖16所示，通過(guò)電鍍方法，在導(dǎo)電底膜上生成一個(gè)Cu鍍層34。然后，如圖17所示，表面被磨平，鍍?cè)谄渌课欢皇蔷€圈狀凹槽32內(nèi)部的導(dǎo)電底膜33和Cu鍍層34被除去。以此方式，形成埋入線圈狀凹槽32內(nèi)的薄膜線圈。
薄膜線圈35的形成可以用下述方法替代電解噴鍍方法。即，在線圈狀凹槽32內(nèi)填充導(dǎo)電糊，然后燒結(jié)。
當(dāng)薄膜線圈35如上所述形成時(shí)，如圖18所示，薄膜線圈35以用作磁金屬層23的后隙bg的部分附近的部分為中心螺旋地形成，薄膜線圈35的外緣側(cè)的末端部分被連接到填充在接線槽27內(nèi)導(dǎo)電材料。以此方式，導(dǎo)電材料28用作從薄膜線圈35引出的外部連接端。
通過(guò)上述工藝，埋入線圈狀凹槽32的薄膜線圈35形成。更具體地說(shuō)，通過(guò)上述過(guò)程，如圖19所示，制成了一個(gè)磁頭塊襯底40，在磁頭塊襯底40中，對(duì)應(yīng)于被分離槽25分離的磁金屬層23的多個(gè)薄膜線圈35被埋入填充在襯底21上的低熔點(diǎn)玻璃26中。
形成具有埋入其中的薄膜線圈35的磁頭塊襯底40后，一個(gè)Au薄膜形成在磁頭塊襯底40的表面上。這種情況下形成的薄膜可以是由除Au外的金屬構(gòu)成的薄膜，如Pt薄膜或Ag薄膜。
然后，在磁金屬層23上用作前隙fg的部分、磁金屬層23上用作后隙bg的部分、在中央側(cè)的薄膜線圈35的末端部分以及薄膜線圈35的外側(cè)形成抗蝕模。用抗蝕模作為掩模，通過(guò)諸如離子碾磨方法，蝕刻Au薄膜。
以此方式，在磁金屬層23上用作前隙fg的部分、磁金屬層23上用作后隙bg的部分、中央側(cè)的薄膜線圈35的末端部分以及薄膜線圈35的外側(cè)形成Au薄膜。
這些Au薄膜通過(guò)在后面的程序中的Au擴(kuò)散連接工藝把通過(guò)切割磁頭塊襯底40獲得的一對(duì)磁頭塊半部件彼此連接起來(lái)。形成在中央側(cè)的薄膜線圈35的末端部分上的Au薄膜還用作連接導(dǎo)體，用來(lái)把埋入一個(gè)磁頭塊半部件中的薄膜線圈35的末端部分(在中央側(cè))電連接到埋入另一個(gè)磁頭塊半部件中的薄膜線圈35的末端部分(在中央側(cè))。此外，形成在用作磁金屬層23上的前隙fg和后隙bg的部分上Au薄膜還用作間隙材料，用來(lái)在一個(gè)磁頭塊半部件的磁金屬層23和另一個(gè)磁頭塊半部件的磁金屬層23之間形成磁隙。
如圖20所示，平行于填充在接線槽27中的導(dǎo)電材料28的識(shí)別槽41形成在填充于一個(gè)分離槽25內(nèi)的部分低熔點(diǎn)玻璃26中，即，通過(guò)上述工藝形成的一個(gè)薄膜線圈排和一個(gè)薄膜線圈排之間的部分。形成的識(shí)別槽41用于識(shí)別制造的磁頭的左、右部分。只要識(shí)別槽使磁頭的左、右不對(duì)稱，其形狀、寬度等可以任意設(shè)置。
如圖21所示，沿平行于接線槽27的線切開(kāi)磁頭塊襯底40，形成一個(gè)對(duì)磁頭塊半部件42和43。此時(shí)，薄膜線圈排，即，沿縱向成直線排列的多個(gè)薄膜線圈35，被埋入一個(gè)磁頭塊半部件42。類似地，薄膜線圈排，即，沿縱向成直線排列的多個(gè)薄膜線圈35，被埋入另一個(gè)磁頭塊半部件43。
如圖22所示，使磁頭塊半部件42和43彼此相對(duì)，并加壓加熱，通過(guò)使用Au薄膜進(jìn)行擴(kuò)散連接處理，使這對(duì)磁頭塊半部件42和43被彼此連接，從而形成磁頭塊44。注意，擴(kuò)散連接處理的溫度被設(shè)置到低熔點(diǎn)玻璃26不被熔化的溫度。
這里，磁頭塊半部件42和43彼此連接，從而使埋在這對(duì)磁頭塊半部件42和43中的磁金屬層23通過(guò)Au薄膜彼此相對(duì)。以此方式，在一個(gè)磁頭塊半部件42的磁金屬層23和另一個(gè)磁頭塊半部件43的磁金屬層23之間形成前隙fg和后隙bg。
而且，這對(duì)磁頭塊半部件42和43彼此連接，從而使形成在埋入一個(gè)磁頭塊半部件42中的薄膜線圈35的末端部分(在中央側(cè))上的Au薄膜與形成在埋入另一個(gè)磁頭半部件43中的薄膜線圈35末端部分(在中央側(cè))上的Au薄膜接觸。以此方式，埋入一個(gè)磁頭塊半部件42中的薄膜線圈35和埋入另一個(gè)磁頭塊半部件43中的薄膜線圈35彼此電連接。
這里，這對(duì)磁頭塊半部件42和43通過(guò)使用Au薄膜的擴(kuò)散連接處理而彼此連接的例子已經(jīng)被例證。對(duì)于連接處理，除了在中央側(cè)的薄膜線圈35的末端部分，可以使用通過(guò)附著劑等的化學(xué)連接方法。
最后，執(zhí)行對(duì)通過(guò)連接這對(duì)磁頭塊半部件42和43獲得的磁頭塊44的切片處理，被切成每個(gè)磁芯，并且每個(gè)切開(kāi)的部分被磨成預(yù)定的形狀。以此方式，完成如圖3所示的磁頭塊。
根據(jù)制造磁頭的方法，磁頭塊襯底40被切成每個(gè)薄膜線圈排，以獲得成對(duì)的磁頭塊半部件42和43，這對(duì)磁頭塊半部件42和43彼此連接，并且形成的結(jié)構(gòu)被切成一個(gè)接一個(gè)的磁芯以獲得相應(yīng)的磁芯。但是，這些切割和連接處理的規(guī)則可以改變。更具體地說(shuō)，例如，在形成磁頭半部件之前磁頭塊襯底40可以被切成一個(gè)個(gè)的磁芯，磁頭半部件彼此連接成相應(yīng)的磁頭。而且，例如，可以制備兩個(gè)磁頭塊襯底40并彼此連接，形成的結(jié)構(gòu)可以被切成一個(gè)個(gè)的磁芯，以獲得相應(yīng)的磁頭。
在上述磁頭中，由于識(shí)別槽使左、右磁頭不對(duì)稱，用作進(jìn)入錄/放操作的磁記錄介質(zhì)側(cè)的磁芯的前芯能夠被容易地從用作另一磁芯的后芯識(shí)別出來(lái)。因此，例如，當(dāng)此磁頭通過(guò)附著被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓或接線板上時(shí)，防止了附著表面被錯(cuò)誤地使用。
在一般的磁頭中，磁隙的位置參照附著表面被設(shè)置到旋轉(zhuǎn)鼓、接線板等。因此，如果附著表面被錯(cuò)誤地使用，磁隙的位置從預(yù)定位置偏移。相反，在應(yīng)用了本發(fā)明的磁頭中，由于防止了附著表面被錯(cuò)誤地使用，能夠減小錯(cuò)誤的附著表面造成的磁隙位置錯(cuò)誤。
在上面的描述中，形成有一個(gè)識(shí)別槽的磁頭被例證。識(shí)別槽的數(shù)量、形狀或形成識(shí)別槽的位置等可以根據(jù)磁頭的類型而改變。以此方式，磁頭的類型能夠被容易地識(shí)別。例如，當(dāng)一個(gè)磁頭被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓等上時(shí)，可以防止錯(cuò)誤類型的磁頭被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓等上。
更具體地說(shuō)，例如，在一個(gè)正方位角的磁頭中形成一個(gè)識(shí)別槽，在一個(gè)負(fù)方位角的磁頭中形成兩個(gè)識(shí)別槽。以此方式，能夠容易地識(shí)別正方位角的磁頭和負(fù)方位角的磁頭。此外，當(dāng)識(shí)別槽的數(shù)量、形狀等或形成識(shí)別槽的位置不僅根據(jù)方位角的不同，還根據(jù)磁道寬度的不同、磁隙深度的不同、磁隙位置的不同等而改變時(shí)，磁頭能夠被容易地識(shí)別。
通常，磁頭的類型由固定磁頭的接線板的顏色確定。但是，在直接安裝方式中，磁頭被直接附著到旋轉(zhuǎn)鼓，由于缺少接線板，無(wú)法由接線板確定磁頭的類型。因此，識(shí)別槽的數(shù)量、形狀等或形成識(shí)別槽的位置依據(jù)磁頭的類型而改變，從而其類型易于識(shí)別的磁頭在直接安裝方式中尤其更為可取。
通過(guò)上面的描述可知，根據(jù)本發(fā)明，在能夠被大量地安裝在一個(gè)旋轉(zhuǎn)鼓上并具有優(yōu)良的高頻帶電磁轉(zhuǎn)換特性的塊狀薄膜磁頭中，前芯和后芯能夠被容易地識(shí)別。因此，根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)磁頭被安裝到旋轉(zhuǎn)鼓上等時(shí)，能夠防止磁頭被安裝在相反的位置。
此外，形成在磁頭半部件的非磁性襯底中的凹槽的數(shù)量或形狀，或形成凹槽的位置，可以根據(jù)磁頭的類型而改變，磁頭的類型能夠容易地識(shí)別。因此，根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)磁頭被安裝到旋轉(zhuǎn)鼓芯上時(shí)，能夠防止錯(cuò)誤類型的磁頭被安裝在旋轉(zhuǎn)鼓等上。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，包括通過(guò)在一非磁性襯底的至少一部分上形成用作磁芯的磁金屬層而獲得的一對(duì)磁頭半部件，和埋入所說(shuō)的一對(duì)磁頭半部件中的至少一個(gè)磁頭半部件中的薄膜線圈，所說(shuō)的這對(duì)磁頭半部件通過(guò)在一個(gè)磁頭半部件的磁金屬層和另一個(gè)磁頭半部件的磁金屬層之間形成的磁隙彼此相對(duì)連接，其特征在于在一個(gè)磁頭半部件的非磁性襯底和另一個(gè)磁頭半部件的非磁性襯底中的至少一個(gè)非磁性襯底上形成至少一個(gè)凹槽，和形成的凹槽使一個(gè)磁頭半部件的外形和另一個(gè)磁頭半部件的外形不對(duì)稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭，其特征在于凹槽形成在所說(shuō)的這對(duì)磁頭半部件的相對(duì)表面內(nèi)。
全文摘要
在能夠被大量地安裝在一個(gè)旋轉(zhuǎn)鼓上并解決高頻帶問(wèn)題的一種磁頭中,磁芯和后芯能夠容易地彼此區(qū)別。這里公開(kāi)了一種磁頭,包括通過(guò)在非磁性襯底的一部分上形成用作磁芯的磁金屬層而獲得的一對(duì)磁頭半部件,和埋入這對(duì)磁頭半部件中的薄膜線圈,這對(duì)磁半部件通過(guò)在一個(gè)磁頭半部件的磁金屬層和另一個(gè)磁頭半部件的磁金屬層之間形成的磁隙彼此連接,其中,一個(gè)識(shí)別槽形成在一個(gè)磁頭半部件中,并且形成的識(shí)別槽使這對(duì)磁頭半部件的外形不對(duì)稱。
文檔編號(hào)G11B5/48GK1173009SQ9710467
公開(kāi)日1998年2月11日 申請(qǐng)日期1997年7月25日 優(yōu)先權(quán)日1996年7月25日
發(fā)明者小形誠(chéng)一, 斎藤正, 高橋久美 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社